TWI437359B - A smoothing method for optical components of EUVL, and an optical member for smoothing EUVL of optical surfaces - Google Patents

A smoothing method for optical components of EUVL, and an optical member for smoothing EUVL of optical surfaces Download PDF

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TWI437359B
TWI437359B TW098127935A TW98127935A TWI437359B TW I437359 B TWI437359 B TW I437359B TW 098127935 A TW098127935 A TW 098127935A TW 98127935 A TW98127935 A TW 98127935A TW I437359 B TWI437359 B TW I437359B
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Description

EUVL用光學構件之平滑化方法、及光學面經平滑化之EUVL用光學構件
本發明係關於一種EUV(Extreme Ultra Violet，超紫外線)微影術(以下簡稱為「EUVL」)用光學構件之平滑化方法。具體而言，本發明係關於一種使EUVL用光學構件之具有凹坑或刮痕等之凹缺陷之光學面平滑化的方法(以下稱為「本發明之平滑化方法」)。
又，本發明係關於一種藉由本發明之平滑化方法而獲得之EUVL用光學構件。
先前以來，於微影術技術中，廣泛利用用以將微細之電路圖案轉印至晶圓上而製造積體電路之曝光裝置。伴隨積體電路之高積體化、高速化及高功能化，積體電路之微細化程度加深，業者要求曝光裝置以較深之焦點深度使高解析度之電路圖案成像於晶圓面上，因而，曝光光源朝短波長化發展。曝光光源開始自先前之g線(波長436nm)、i線(波長365nm)或KrF準分子雷射(波長248nm)更進一步而使用ArF準分子雷射(波長193nm)。又，為對應於電路之線寬為70nm以下之次世代之積體電路，使用ArF準分子雷射之液浸曝光技術及雙重曝光技術受到重視，但普遍認為此亦僅可涵蓋至線寬為45nm之一代為止。
於此種技術動向中，使用EUV光作為次世代之曝光光源之微影術(EUVL)技術可遍及32nm以後之世代而得到應用，因此其受到關注。所謂EUV光係指軟X射線區域或真空紫外線區域之波段之光，具體而言係指波長為0.2~100nm左右之光。目前，正在檢討使用13.5nm之光作為微影術光源。該EUV微影術之曝光原理與先前之微影術之相同點在於使用投影光學系統轉印光罩圖案，但由於不存在使EUV光之能量區域中之光透射之材料，故而無法使用折射光學系統，而是使用反射光學系統。
作為EUVL中使用之反射光學系統，例如可列舉反射型光罩(以下，於本說明書中稱為「EUVL用光罩」)、或聚光光學系統鏡面、照明光學系統鏡面、投影光學系統鏡面等之鏡面(以下，於本說明書中稱為「EUVL用鏡面」)。
用於製造EUVL用光罩之EUVL用光罩基板基本上包含(1)EUVL用光學構件(例如玻璃基板)、(2)形成於EUVL用光學構件之光學面之反射多層膜、以及(3)形成於反射多層膜上之吸收體層。另一方面，EUVL用鏡面基本上包含(1)EUVL用光學構件(例如玻璃基板)、以及(2)形成於EUVL用光學構件之光學面之反射多層膜。
作為EUVL用光學構件，為即使於EUV光照射下亦不會產生變形，必需使用具有低熱膨脹係數之材料，目前正檢討使用具有低熱膨脹係數之玻璃或具有低熱膨脹係數之結晶化玻璃。以下，於本說明書中，將具有低熱膨脹係數之玻璃及具有低熱膨脹係數之結晶化玻璃總稱為「低膨脹玻璃」或「超低膨脹玻璃」。
作為此種低膨脹玻璃及超低膨脹玻璃，最廣泛使用的是為降低玻璃之熱膨脹係數而添加有摻雜劑之石英玻璃。再者，典型而言，為降低玻璃之熱膨脹係數而添加之摻雜劑係TiO2 。作為添加有TiO2 作為摻雜劑之石英玻璃之具體例，例如可列舉ULE(註冊商標)編碼7972(康寧公司製造)、旭硝子股份公司製品編號AZ6025等。
作為反射多層膜，係使用曝光光即EUV光之波段中之折射率不同之複數種材料以奈米級週期地層積而成之構造者，最普通之反射多層膜係將EUV光之波段中之折射率高之層(高折射率層)即鉬(Mo)層、與EUV光之波段中之折射率低之層(低折射率層)即矽(Si)層交替地層積，藉此提高EUV光照射至層表面時之光線反射率。於吸收體層中使用對EUV光之吸收係數高之材料，具體而言，例如使用以Cr或Ta為主成分之材料。
若於EUVL用光學構件之光學面上存在微少之凹凸，則會對形成於該光學面上之反射多層膜及吸收體層產生不良影響。例如，若於光學面上存在微小之凹凸，則形成於該光學面上之反射多層膜之週期構造混亂，當使用利用該EUVL用光學構件製造之EUVL用光罩或EUVL用鏡面而實施EUVL時，存在如下情形，即，所期望之圖案之一部分缺損，或於所期望之圖案以外形成多餘之圖案。由存在於光學面上之凹凸引起之反射多層膜之週期構造之混亂稱為相位缺陷，其嚴重之問題，較理想的是於光學面上不存在特定尺寸以上之凹凸。
非專利文獻1及2中，揭示有與EUVL用光罩及EUVL用光罩基板之缺陷相關之要求，與該等缺陷相關之要求非常嚴格。於非專利文獻1中揭示有如下內容：若於基板上存在超過50nm之缺陷，則會使反射多層膜之構造混亂，使投影於Si晶圓上之光阻之圖案產生無法預料之形狀，因此，不允許基板上存在上述缺陷。又，於非專利文獻1中揭示有如下內容：為在投影於Si晶圓上之光阻之圖案中，防止線邊緣之粗糙度增加，基板之表面粗糙度以RMS(root mean square roughness，均方根粗糙度)計必需未達0.15nm。於非專利文獻2中揭示有如下內容：不允許於EUV微影術中所使用之塗布有反射多層膜之光罩基板上存在超過25nm之缺陷。
又，於非專利文獻3中揭示有基板上之何種程度之大小之缺陷有可能被轉印。於非專利文獻3中揭示有存在改變印刷有相位缺陷之影像之線寬之可能性。該非專利文獻3揭示：具有高度為2nm、FWHM(full width at half maximum，半高全寬)為60nm之表面凸塊之相位缺陷係成為是否存在轉印該缺陷之可能性之關鍵之尺寸，該大小之相位缺陷會使35nm之線產生20%之不可容許之線寬之變化(光罩上，140nm)。
又，於專利文獻1中，揭示有藉由將雷射光聚光至EUVL用光罩基板之凹凸部之表面或背面附近而修正凹凸部之方法。
[先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2008-027992號公報
[非專利文獻]
[非專利文獻1]SEMI、P37-1102(2002)、「關於超紫外線微影術光罩基板之規定」(Specification for extreme ultraviolet lithography mask substrate)
[非專利文獻2]SEMI、P38-1102(2002)、「關於超紫外線微影術光罩基板之吸收膜疊層及多層膜之規定」(Specification for absorbing film stacks and multilayers on extreme ultraviolet lithography mask blanks)
[非專利文獻3]SPIE、vol.4889、Alan Stivers.、et. al.、p.408-417(2002)、「EUV光罩基板之檢查用之多光束共焦點評價系統之評價能力」(Evaluation of the Capability of a Multibeam Confocal Inspection System for Inspection of EUVL Mask Blanks)
存在於光學面之微小之凹凸中，如異物或纖維之微粒或基板本身之凸塊等之凸缺陷，可藉由使用氟酸或氨水之先前之濕式清洗方法、刷洗、或精密研磨等而除去。
然而，該等方法無法除去如凹坑或刮痕之凹缺陷。而且，為除去凸缺陷而利用使用氟酸或氨水之濕式清洗方法之情形時，為將凸缺陷剝離而除去，必需稍微對光學面進行蝕刻，因此有於光學面上產生新凹缺陷之虞。為除去凸缺陷而使用毛刷清洗之情形時，亦有於光學面上產生新凹缺陷之虞。
又，專利文獻1所揭示之方法中，必需確定凹凸之位置，並根據其是凹部還是凸部而將雷射光之聚光位置變更至基板表面附近或基板背面附近，從而存在難以對應於微細之凹凸缺陷之問題。
因此，可考慮如下之方法，即，對基板表面整體照射雷射光，將表面加熱而使之熔融，藉此修復表面缺陷，但於該情形時，可滿足非專利文獻1、2、3所示之要求且可修復表面缺陷之條件(製程容許度)非常狹窄，而且缺陷之修復率亦受制約，因此，業者期望具有更廣之製程容許度且具有更高之修復率之修復方法。
為解決上述先前技術中之問題點，本發明之目的在於提供一種EUVL用光學構件之具有凹坑或刮痕之凹缺陷之光學面的平滑化方法，該方法具有更廣之製程容許度。
為達成上述目的，本申請案發明者等發現：將以EUVL用光學構件之吸收係數為0.01μm-1 以上之波段振盪之雷射，於水蒸氣分壓3.6mmHg以下之環境中，以特定之通量照射至光學面，藉此，可使平坦度之惡化、表面粗糙度之惡化等之影響變得輕微，且可使具有凹缺陷之光學面平滑化。
本發明係基於上述本申請案發明者等之見解而完成者，其提供如下之方法(本發明之平滑化方法1)，即，對於含有TiO2 、且以SiO2 為主成分之石英玻璃材料製之EUVL用光學構件之具有凹缺陷的光學面，於水蒸氣分壓3.6mmHg以下之環境中，以0.3~1.5J/cm2 之通量照射以EUVL用光學構件之吸收係數為0.01μm-1 以上之波段振盪之雷射，藉此使EUVL用光學構件之光學面平滑化。
本發明之平滑化方法1中，較好的是對於具有深度超過2nm之凹缺陷之EUVL用光學構件之光學面，於水蒸氣分壓3.6mmHg以下之環境中，以0.3~1.5J/cm2 之通量照射以EUVL用光學構件之吸收係數為0.01μm-1 以上之波長振盪之雷射，形成雷射照射後之光學面上不存在深度超過2nm之凹缺陷之光學構件。
本發明之平滑化方法1中，較好的是水蒸氣分壓3.6mmHg以下之環境為10-1 Pa以下之真空、純度90%以上之氮氣環境、或水蒸氣分壓為3.6mmHg以下之乾燥空氣。
本發明進而提供如下之EUVL用光學構件之光學面之平滑化方法(本發明之平滑化方法2)，其特徵在於：對於含有TiO2 、且以SiO2 為主成分之石英玻璃材料製之EUV微影術(EUVL)用光學構件之具有凹缺陷的光學面，一面對光學面之雷射照射部噴射水蒸氣分壓3.6mmHg以下之氣體，一面以0.3~1.5J/cm2 之通量照射以EUVL用光學構件之吸收係數為0.01μm-1 以上之波長振盪之雷射光。
本發明之平滑化方法2中，較好的是對於具有深度超過2nm的凹缺陷之EUVL用光學構件之光學面，一面對光學面之雷射照射部噴射水蒸氣分壓3.6mmHg以下之氣體，一面以0.3~1.5J/cm2 之通量照射以EUVL用光學構件之吸收係數為0.01μm-1 以上之波長振盪之雷射光，形成雷射照射後之光學面上不存在深度超過2nm之凹缺陷之光學構件。
本發明之平滑化方法2中，較好的是水蒸氣分壓3.6mmHg以下之氣體為純度90%以上之氮氣、或水蒸氣分壓為3.6mmHg以下之乾燥空氣。
本發明之平滑化方法1及本發明之平滑化方法2(以下稱為本發明之平滑化方法)中，較好的是將雷射照射前後之光學構件之平坦度之變化量設為300nm以下。
本發明之平滑化方法中，較好的是將雷射照射後之光學面之表面粗糙度(RMS)設為0.15nm以下。
本發明之平滑化方法中，較好的是上述雷射為波長250nm以下之準分子雷射、或二氧化碳雷射。
本發明之平滑化方法中，較好的是雷射之脈衝寬度為100μsec以下。
本發明之平滑化方法中，較好的是以各照射部位之照射數成為10以上之方式，對上述光學面照射上述雷射。
此處，所謂照射數係指對同一部位照射雷射之次數，將雷射作為脈衝雷射而照射至光學面，使該雷射於該光學面上掃描，或使上述光學面相對於該雷射光掃描時，照射數係由脈衝雷射之重複頻率×掃描方向之光束寬度÷掃描速度所定義。
本發明之平滑化方法中，較好的是將上述雷射作為線光束而照射至上述光學面，使該線光束於該光學面上掃描，或使上述光學面相對於該線光束掃描。
本發明之平滑化方法中，較好的是：進一步對於相對於上述光學面之背面，以0.3~1.5J/cm2 之通量照射以EUVL用光學構件之吸收係數為0.01μm-1 以上之波長振盪之雷射。
本發明之平滑化方法中，較好的是於將上述光學構件加熱至100~1050℃之狀態下，對上述光學面照射雷射。
又，本發明提供一種EUVL用光學構件，其特徵在於：包含藉由對光學面照射雷射之本發明之平滑化方法而獲得之上述光學面的表層之虛擬溫度，比剩餘部位之虛擬溫度高30℃以上。
又，本發明提供一種EUVL用光學構件，其特徵在於：包含藉由對光學面及背面照射雷射之本發明之平滑化方法而獲得之上述光學面的表層之虛擬溫度、及包含上述背面之表層之虛擬溫度，比光學構件之內部之虛擬溫度高30℃以上。
又，本發明提供一種EUVL用光罩基板，其係藉由本發明之平滑化方法而使EUVL用光學構件之光學面平滑化，並於光學面上形成反射多層膜及吸收體層而獲得者。
本發明之EUVL用光罩基板中，較好的是成膜之表面上不存在深度超過2nm之凹缺陷。
本發明之EUVL用光罩基板中，較好的是成膜之表面之表面粗糙度(RMS)為0.15nm以下。
本發明之EUVL用光罩基板中，較好的是成膜後之平坦度為300nm以下。
又，本發明提供一種EUVL用鏡面，其係藉由本發明之平滑化方法而使EUVL用光學構件之光學面平滑化，並於光學面上形成反射多層膜及吸收體層而獲得者。
本發明之EUVL用鏡面中，較好的是成膜之表面上不存在深度超過2nm之凹缺陷。
本發明之EUVL用鏡面中，較好的是成膜之表面之表面粗糙度(RMS)為0.15nm以下。
本發明之EUVL用鏡面中，較好的是成膜後之平坦度為300nm以下。
根據本發明之平滑化方法，對於EUVL用光學構件之具有凹缺陷之光學面，於水蒸氣分壓3.6mmHg下之環境中，以0.3~1.5J/cm2 之通量，將以EUVL用光學構件之吸收係數為0.01μm-1 以上之波段振盪之雷射照射至光學面，藉此，可使平坦度之惡化、表面粗糙度之惡化變得輕微，且可使具有凹缺陷之光學面平滑化。又，亦可期待提高缺陷之修復率。可期待更廣之製程容許度。
以下，對本發明之平滑化方法加以說明。
本發明之平滑化方法係如下方法，即，對於EUVL用光學構件之具有凹缺陷之光學面，於水蒸氣分壓3.6mmHg以下之環境中，以0.3~1.5J/cm2 之通量，將以EUVL用光學構件之吸收係數為0.01μm-1 以上之波段振盪之雷射照射至光學面，藉此使該光學面平滑化。
將本發明之平滑化方法作為對象之EUVL用光學構件係以SiO2 為主成分之石英玻璃材料製，且添加有TiO2 作為用以降低熱膨脹係數之摻雜劑者。
石英玻璃材料中之TiO2 濃度只要可充分降低石英玻璃材料之熱膨脹係數，且將該石英玻璃材料用作EUVL用光學構件，則無特別限定，較好的是3~10質量%。若TiO2 濃度為上述範圍，則石英玻璃材料之熱膨脹係數會變得充分低，具體而言，成為20℃時之熱膨脹係數為0±30ppb/℃之低膨脹玻璃，較好的是成為20℃下之熱膨脹係數為0±10ppb/℃之超低膨脹玻璃。TiO2 濃度更好的是5~9質量%，進而好的是6~8質量%。
於石英玻璃材料中，亦可添加除TiO2 以外之摻雜劑作為用以降低熱膨脹係數之摻雜劑。作為此種摻雜劑，例如可列舉SnO2 。於添加SnO2 作為摻雜劑之情形時，石英玻璃材料中之SnO2 濃度只要可充分降低石英玻璃材料之熱膨脹係數，且可將該石英玻璃材料用作EUVL用光學構件，則無特別限定，較好的是0.1~10質量%。於添加SnO2 作為摻雜劑之情形時，SnO2 濃度更好的是0.3質量%以上，進而好的是0.5質量%以上。又，SnO2 濃度更好的是5質量%以下，進而好的是3質量%以下。
作為以上述濃度添加有TiO2 作為摻雜劑之低膨脹玻璃及超低膨脹玻璃之具體例，例如可列舉ULE(註冊商標)編碼7972(康寧公司製造)等。
要求EUVL用之光學構件之光學面具有較高之平滑性及平坦度。具體而言，要求光學面具有以RMS表示之表面粗糙度為0.15nm以下之平滑之表面、與300nm以下之平坦度。即使滿足上述要求值，亦有於光學面上存在稱為凹坑或刮痕之局部存在之凹缺陷之情形。
又，EUVL用光學構件較好的是對於製造EUVL用光罩基板或EUVL用鏡面之後之清洗、或用於將EUVL用光罩基板圖案化之後之EUVL用光罩之清洗等所用的清洗液之耐性優異者。
又，為防止因形成於光學面上之反射多層膜及吸收體層之膜應力而變形，EUVL用光學構件較好的是具有高剛性。尤其好的是具有3×107 m2 /s2 以上之高比剛性。
EUVL用光學構件之大小及厚度等因用途而異，於用途為EUVL用光罩基板之情形時，根據EUVL用光罩之設計值等而適當決定。若列舉具體例，則有例如外形為6吋(152.4mm)見方左右、厚度為0.25吋(6.3mm)左右者。
於實施本發明之平滑化方法之情形時，首先，使用氧化鈰、氧化鈷、膠體二氧化矽等之研磨粒，對預先準備之EUVL用光學構件之光學面進行研磨，其後，使用氟酸、氟矽酸、硫酸等之酸性溶液、或氨水等之鹼性溶液、或者純水對光學面進行清洗，並進行乾燥。當光學面上存在如異物或纖維之微粒，或光學構件本身存在凸塊等之凸缺陷時，藉由上述步驟而除去上述微粒或凸缺陷。
本發明之平滑化方法較好地使用於如下之光學面，該光學面係藉由以上述步驟實施表面研磨及清洗而除去凸缺陷者。
於存在於光學面之凹缺陷之尺寸非常小之情形時，不存在對使用EUVL用光學構件而製造之EUVL用光罩基板或EUVL用鏡面產生不良影響之虞。然而，若於光學面上存在某大小以上之凹缺陷，則有時會於形成於光學面上之反射多層膜表面或吸收體層表面上出現凹缺陷，該凹缺陷成為使用該光學構件而製造之EUVL用光罩基板或EUVL用鏡面之缺陷。
存在於光學面上之何種程度之大小之凹缺陷成為EUVL光罩基板或EUVL用鏡面之缺陷，此受到凹缺陷之直徑與深度及形狀、以及光學構件之用途之影響，因此不可一概而論。然而，於用於製造EUVL光罩基板之光學構件之情形時，若光學面上存在深度超過2nm之凹缺陷，則有時會於形成於光學面上之反射多層膜表面或吸收體層表面上出現凹缺陷，該凹缺陷成為EUVL光罩基板之缺陷。又，即使於反射多層膜表面或吸收體層表面上未出現凹缺陷之情形時，有時亦會因於該等膜中構造混亂而成為相位缺陷。為不解析為2nm以下且不成為實用上之缺陷，較好的是使用本發明之基板平滑化方法而使光學面平滑化。
因此，較好的是對於光學面上具有深度超過2nm之凹缺陷之EUVL用光學構件使用本發明之平滑化方法。
關於本發明之平滑化方法，本申請案發明者等推測如下：對於具有凹缺陷之光學面，於水蒸氣分壓3.6mmHg以下之環境中，以0.3~1.5J/cm2 之通量，將以EUVL用光學構件之吸收係數為0.01μm-1 以上之波段振盪之雷射照射至光學面，藉此，經加熱之凹缺陷周圍之石英玻璃重熔並填埋凹缺陷，從而使光學面平滑化。
作為本申請案發明者等如上述般推測之理由，可列舉如下之理由：包含經雷射照射之光學面之表層之虛擬溫度上升，與該光學構件之其他部位，即，光學構件之內部(與該表層比較)或相對於光學面之背面側相比較，虛擬溫度變高。此處，虛擬溫度由於雷射照射而上升之表層之深度係根據與照射部位相距之熱擴散距離、及雷射光線之穿透深度而有所不同，於使用波長為250nm以下且脈衝寬度為100nsec以下之準分子雷射之情形時，上述表層之深度為20μm以下。
再者，考慮到凹缺陷周圍之石英玻璃之重熔，包含經雷射照射之光學面之表層之虛擬溫度，較好的是比光學構件之其他部位，即，該光學構件之內部或相對於光學面之背面側之虛擬溫度高30℃以上，更好的是高200℃以上，進而好的是高400℃以上，尤其好的是高600℃以上。
又，考慮到凹缺陷周圍之石英玻璃之重熔，包含經雷射照射之光學面之表層之虛擬溫度較好的是1550℃以上，更好的是1650℃以上，進而好的是1700℃以上，尤其好的是1750℃以上。
雖理由不明，但本申請案發明者等發現於水分少之環境中照射雷射時，不會因雷射照射而引起RMS之惡化，因此較佳。
圖2中表示有效地減少環境中之水分之方法的一例。為有效地減少環境中之水分，如圖2所示，較好的是將EUVL用光學構件10配置於具有合成石英製之雷射照射窗31之腔室30內，使內部成為乾燥空氣環境或氮氣環境、真空狀態。即使不使用腔室，而是利用噴嘴於照射過程中不間斷地對雷射照射部噴射乾燥空氣、氮氣等，此亦可有效地減少環境中之水分。又，若為短時間，則亦可中斷噴射乾燥空氣、氮氣等。
本發明之平滑化方法中，於水蒸氣分壓3.6mmHg以下(相對濕度15%以下)之環境中照射雷射，或一面對光學面之雷射照射部噴射水蒸氣分壓3.6mmHg以下(相對濕度15%以下)之氣體，一面照射雷射。本說明書中，所謂相對濕度係指25℃下之濕度。
雷射之照射較好的是於水蒸氣分壓3.6mmHg以下之環境中進行，更好的是於水蒸氣分壓1.2mmHg以下(相對濕度為5%以下)之環境中進行，尤其好的是於水蒸氣分壓0.3mmHg以下(相對濕度為1%以下)之環境中進行。
作為水蒸氣分壓3.6mmHg以下之環境，例如較好的是10-1 Pa以下之真空狀態，更好的是10-2 Pa以下之真空狀態。又，作為水蒸氣分壓3.6mmHg以下之環境，例如較好的是純度90%以上之氮氣環境，更好的是純度95%以上之氮氣環境，尤其好的是純度99%以上之氮氣環境。又，作為水蒸氣分壓3.6mmHg以下之環境，例如較好的是水蒸氣分壓為3.6mmHg以下之乾燥空氣環境，更好的是水蒸氣分壓為1.2mmHg以下之乾燥空氣環境，尤其好的是水蒸氣分壓為0.3mmHg以下之乾燥空氣環境。
作為噴射至雷射照射部之氣體，較好的是水蒸氣分壓為3.6mmHg以下(相對濕度為15%以下)之氣體，更好的是水蒸氣分壓為1.2mmHg以下(相對濕度為5%以下)之氣體，尤其好的是水蒸氣分壓為0.3mmHg以下(相對濕度為1%以下)之氣體。
作為水蒸氣分壓3.6mmHg以下之氣體，例如較好的是純度90%以上之氮氣，更好的是純度95%以上之氮氣，尤其好的是純度99%以上之氮氣。又，作為水蒸氣分壓3.6mmHg以下之氣體，例如較好的是水蒸氣分壓為3.6mmHg以下之乾燥空氣，更好的是水蒸氣分壓為1.2mmHg以下之乾燥空氣，更好的是水蒸氣分壓為0.3mmHg以下之乾燥空氣。
本發明之平滑化方法中，於上述中亦尤其好的是於純度99%以上之氮氣環境中照射雷射，或者一面噴射純度99%以上之氮氣，一面照射雷射。
本發明之平滑化方法中，由於對光學面照射雷射，故而有時會因照射條件而導致光學面之表面粗糙度惡化。然而，本發明之平滑化方法中，由於在水蒸氣分壓3.6mmHg以下之環境中照射雷射，故而與先前之方法相比較，光學面之表面粗糙度不惡化之製程容許度擴展。
作為對雷射照射部噴射氣體之方法，較好的是使用噴嘴。又，亦較好的是於雷射照射部上部設置較大之開口，使氣體自此處降流(下降氣流)而朝雷射照射部周圍供給。
本發明之平滑化方法中，使用以對於EUVL用光學構件所使用之材料之吸收係數為0.01μm-1 以上之波長振盪的雷射。對於KrF準分子雷射(波長248nm)、ArF準分子雷射(波長193nm)、F2 準分子雷射(波長157nm)等之波長250nm以下之準分子雷射而言，由於其對於添加有TiO2 作為摻雜劑之石英玻璃材料(3~10wt%)之吸收係數高達0.01μm-1 以上且強度高，故而適於作為本發明之平滑化方法所用之雷射。又，由於二氧化碳雷射(波長10.6μm)之對於EUVL用光學構件之吸收係數亦較高且強度高，故而適於作為本發明之平滑化方法所用之雷射。進而，波長250nm以下之準分子雷射通常為脈衝寬度100nsec以下之脈衝雷射，故而照射部位之熱擴散距離短，僅將包含光學面之表層加熱而未加熱至光學構件之內部，因此，由應力引起之基板之平坦度之惡化或變形、雙折射等之問題非常少，因而較佳。
本發明之平滑化方法中，以0.3~1.5J/cm2 之通量照射雷射。若雷射之通量未達0.3J/cm2 ，則無法充分地將包含光學面之表層加熱，凹缺陷之周圍之玻璃不會重熔，從而無法使光學面平滑化。另一方面，若雷射之通量超過1..5J/cm2 ，則會產生如下問題，即，光學面之表面粗糙度顯著惡化，光學構件中產生不可容許之平坦度之惡化等。再者，根據以下之理由，更好的是將雷射之通量設為0.7~1.5J/cm2 。
藉由對於具有凹缺陷之光學面，以0.7~1.5J/cm2 之通量照射雷射，較好的是將下述式所定義之光學面之凹缺陷深度修復率設為20%以上，更好的是設為40%以上：
本發明之平滑化方法中，照射至光學面之雷射之通量的適宜範圍亦根據使用之雷射之波段而有所不同，於KrF準分子雷射(波長248nm)之情形時，較好的是0.7~1.5J/cm2 ，更好的是0.8~1.3J/cm2 ，進而好的是0.9~1.2J/cm2 。
另一方面，於ArF準分子雷射(波長193nm)之情形時，較好的是0.5~1.1J/cm2 ，更好的是0.6~1.0J/cm2 ，進而好的是0.7~0.9J/cm2 。
於F2 準分子雷射(波長157nm)之情形時，較好的是0.3~1.5J/cm2 ，更好的是0.4~1.5J/cm2 ，進而好的是0.5~1.5J/cm2 。
由於若使用脈衝寬度短之雷射，則照射部位之熱擴散距離變短，因此，較好的是使用脈衝寬度短之雷射作為照射至光學面之雷射。就此方面而言，脈衝寬度較好的是100μsec以下，更好的是10μsec以下，進而好的是1μsec以下，尤其好的是100nsec以下。
本發明之平滑化方法中，即使於以各照射部位之照射數成為1之方式，將雷射作為脈衝雷射而照射之情形時，亦可使光學面平滑化。然而，為使凹缺陷周圍之石英玻璃重熔而提高使光學面平滑化之效果，較好的是以各照射部位之照射數成為10以上之方式照射雷射，更好的是照射數為50以上，進而好的是照射數為100以上。然而必需注意若各照射部位之照射數增加，則對光學面照射雷射所需之時間會增加。雖亦取決於雷射之脈衝寬度，但各照射部位之照射數較好的是1000以下，更好的是500以下，進而好的是300以下。再者，各照射部位之照射數可根據雷射之重複頻率、及光學面上之雷射之掃描速度或光學面相對於雷射之掃描速度而調節。
亦可僅對光學面中存在凹缺陷之部位照射雷射而達成基於雷射照射之光學面之平滑化。然而，確定存在於光學面之凹缺陷之位置，並朝存在該凹缺陷之部位照射雷射則非常花費時間且不切實際。關於該方面，考慮到由於光學面上通常存在複數個凹缺陷，且通常使用不同之裝置而確定凹缺陷之位置及照射雷射，故而有於對已確定之凹缺陷照射雷射時產生位置偏移之虞，因此可謂尤其不切實際。
相對於此，於對光學面整體照射雷射之情形時，無需確定存在於光學面之凹缺陷之位置，即使於光學面上存在複數個凹缺陷之情形時，亦可藉由一次操作而使光學面平滑化，因此可於短時間內進行光學面之平滑化。
又，當由於尺寸未達缺陷檢查機之檢測極限而無法檢測之尺寸非常小的凹缺陷存在於光學面時，有時會產生EUVL用光罩基板之製造方面之不良，但亦可藉由對光學面整體照射雷射，消除於光學面之檢查中無法檢測之尺寸小之凹缺陷。
本發明之平滑化方法中，較好的是對光學面整體照射雷射。本發明之平滑化方法中，由於在水蒸氣分壓3.6mmHg以下之環境中，以0.3~1.5J/cm2 之通量照射以EUVL用光學構件之吸收係數為0.01μm-1 以上之波長振盪之雷射，故而即使對光學面整體照射雷射，亦不會產生光學面之表面粗糙度顯著惡化或不可容許之平坦度惡化等之問題。
必需注意即使於EUVL用光學構件之光學面上存在凹缺陷之情形時，有時亦不會於使用上成為問題。例如，於EUVL用光罩基板所使用之光學構件之情形時，對於其光學面而言，即使於該EUVL用光罩基板中之成為用於圖案化之曝光區域的部分以外存在凹缺陷，亦不會於使用上成為問題。例如，光學面之外緣部等則相當於上述曝光區域以外之部分。
又，對於EUVL用光學構件之光學面而言，即使於固定於成膜裝置或曝光裝置時，由夾板等所夾持之部分中存在凹缺陷，亦不會於使用上成為問題。
對於上述EUVL用光學構件之光學面而言，對於凹缺陷之存在不會成為該光學構件之使用上之問題之部分，無需照射雷射。
然而，考慮到該等部位於光學面上所佔之比例極小，以及對上述光學面整體照射雷射時之優點，較好的是對至少光學面之88%以上(面積比)照射雷射，更好的是對92%以上(面積比)照射雷射，進而好的是對95%以上(面積比)照射雷射。
如上所述，本發明之平滑化方法中，較好的是對光學面整體照射雷射，但實際上，無法藉由一次照射而對EUVL用光學構件之光學面整體照射上述之通量之雷射。由於EUVL用光罩基板之外形為6吋(152.4mm)見方左右，故而上述情形顯而易見。因此，為對EUVL用光學構件之光學面整體照射雷射，必需使雷射於光學面上掃描，或使光學面相對於雷射光掃描。
使雷射於光學面上掃描之方法、或使光學面相對於雷射光掃描之方法並無特別限定，如圖1所示，對EUVL用光學構件10之光學面11照射作為線光束21之雷射，使該線光束21於EUVL用光學構件10之光學面11上掃描，或使該光學面11相對於該線光束21掃描，由於可容易地對光學面11整體均勻地照射雷射，且可於短時間內對光學面11整體照射雷射，故而較佳。使光學面11相對於該線光束21掃描，由於不會驅動光學系統，故而更佳。
圖1中，使與EUVL用光學構件10之光學面11之長邊相同長度的線光束21於圖中之縱方向上掃描。如此，可藉由使線光束21於圖中之縱方向上掃描一次而對EUVL用光學構件10之光學面11整體照射雷射，因此較佳。然而，並不限定於此，亦可使用長度比光學面11之長邊短之線光束。於該情形時，根據線光束之長度而將EUVL用光學構件10之光學面11分為複數個區域，使線光束於每個區域中掃描。
再者，於該情形時，雷射會重複地照射於鄰接之區域彼此之邊界部分，但因雷射重複照射而對光學面產生之影響輕微，不會產生特別之問題。更確切而言，由於雷射重複照射，照射至光學面整體所需之時間之增加成為問題，但若將重複照射之部分之寬度控制於3mm左右則無特別之問題。再者，關於上述方面，使光學面11相對於線光束21掃描之情形亦相同。
圖1中，使用柱狀透鏡20作為用以照射線光束21之光學系統。然而，只要可照射線光束21，則使用之光學系統並不限定於此，例如亦可使用繞射光學元件(DOE(Diffraction Optical Element))等。
本發明之平滑化方法中，亦可於將EUVL用光學構件加熱之狀態下對光學面照射雷射。如上所述，本發明之平滑化方法中，考慮使經雷射照射而加熱之凹缺陷之周圍玻璃重熔，填埋凹缺陷，藉此使光學面平滑化。於將光學構件加熱之狀態下對光學面照射雷射時，期待減小使凹缺陷之周圍之玻璃重熔所需之雷射的通量。
於將EUVL用光學構件加熱之狀態下對光學面照射雷射時，期待藉由減小使凹缺陷之周圍之石英玻璃重熔所需之雷射的通量，使光學面之表面粗糙度之惡化或光學構件之平坦度之惡化變得更加輕微，進而防止光學面之表面粗糙度之惡化或光學構件之平坦度之惡化。
為獲得上述效果，於將EUVL用光學構件加熱之狀態下對光學面照射雷射時，較好的是將光學構件加熱至100℃以上，更好的是加熱至300℃以上，進而好的是加熱至500℃以上。然而，若光學構件之加熱溫度過高，則會產生基板之變形或應力之影響、因冷卻而導致處理時間增加等之問題，因此，加熱溫度較好的是1050℃以下，更好的是900℃以下，進而好的是800℃以下。
如上所述，本發明之平滑化方法中，有時會因對光學面照射雷射而於光學構件上產生輕微之平坦度之惡化。於EUVL用光學構件之情形時，由於與平坦度相關之容許範圍極窄，故而較好的是儘可能將光學構件上產生之平坦度控制得較低。
亦可藉由調節雷射之照射條件而將光學構件上產生之平坦度之惡化控制得較低，但若考慮到平坦度之惡化之產生原因在於對光學面照射高能量之雷射，則於對光學面照射雷射之後，對與該光學面相對之背面(以下稱為「背面」)照射雷射，朝與對光學面照射雷射時產生之平坦度之惡化之方向相反的方向增大平坦度，藉此可減輕光學構件之平坦度之惡化，進而可消除光學構件之平坦度之惡化。
再者，如上所述，本發明之平滑化方法中，較好的是對光學面整體照射雷射，因此，於對背面照射準分子雷射之情形時，較好的是對背面整體照射雷射。然而，即使對於光學面而言，根據上述理由，亦無需對未照射雷射之部分之背面照射雷射。
又，於可預測對光學面照射雷射時產生之平坦度之惡化之大小的情形時，亦可預先對背面照射雷射，朝與對光學面照射雷射時產生之平坦度之惡化之方向相反的方向增大平坦度。即便如此，亦可減輕光學構件之平坦度之惡化，進而可消除光學構件之平坦度之惡化。
於對背面照射雷射，以減輕或消除光學構件之平坦度之惡化之情形時，照射條件較好的是與光學面為同程度。於僅著眼於雷射之通量之情形時，照射至光學面之雷射之通量F1 、與照射至背面之雷射之通量F2 較好的是滿足0.5≦F1 /F2 ≦1.5，更好的是滿足0.9≦F1 /F2 ≦1.1。較好的是F1 與F2 實質上相同。
於對背面照射雷射之情形時，包含經雷射照射之背面之表層之虛擬溫度亦會上升。此處，虛擬溫度上升之表層之深度、及虛擬溫度以何種程度上升之方面，係與關於朝光學面照射雷射之揭示相同。因此，於亦對背面照射雷射之情形時，雷射照射後之光學構件之包含光學面之表層、及包含背面之表層的虛擬溫度比光學構件之內部高。
如上所述，本發明之平滑化方法中，於水蒸氣分壓3.6mmHg以下之環境中，對具有凹缺陷之光學面，以0.3~1.5J/cm2 之通量照射以EUVL用光學構件之吸收係數為0.01μm-1 以上之波長振盪之雷射，藉此可使光學面平滑化。具體而言，較好的是於雷射照射後之光學面上不存在深度超過2nm之凹缺陷，更好的是不存在深度超過1.5nm以上之凹缺陷，進而好的是不存在深度超過1.0nm以上之凹缺陷。
如上所述，於用於製造EUVL光罩基板之光學構件之情形時，若於光學面上存在深度超過2nm之凹缺陷，則有時會於形成於光學面上之反射多層膜表面或吸收體層表面上出現凹缺陷，該凹缺陷成為EUVL光罩基板之缺陷，又，即使於反射多層膜表面或吸收體層表面上不出現凹缺陷之情形時，有時亦會因上述膜中構造混亂而成為相位缺陷。
根據本發明之基板平滑化方法，EUVL用光學構件之光學面係成為不存在於製造EUVL用光罩基板或EUVL用鏡面方面成為問題之凹缺陷的平滑性優異之光學面。
根據本發明之平滑化方法，藉由對光學面照射雷射，不使光學構件產生於製造EUVL用光罩基板或EUVL用鏡面之方面成為問題之顯著之平坦度的惡化。具體而言，雷射照射前後之光學構件之平坦度之變化量較好的是300nm以下，更好的是150nm以下，進而好的是50nm以下。
根據本發明之平滑化方法，於水蒸氣分壓3.6mmHg以下之環境中，對光學面照射以EUVL用光學構件之吸收係數為0.01μm-1 以上之波長振盪之雷射，藉此可不使光學面產生於製造EUVL用光罩基板或EUVL用鏡面之方面成為問題之表面粗糙度的惡化，從而使光學面平滑化。具體而言，雷射照射後之光學面之表面粗糙度(RMS)較好的是0.15nm以下，更好的是未達0.15nm，進而好的是0.12nm以下，尤其好的是0.1nm以下。
若光學面之表面粗糙度(RMS)為0.15nm以下，則由於光學面充分平滑，故而不存在於形成於該光學面上之反射多層膜中產生構造混亂之虞。若反射多層膜中產生構造混亂，則存在其成為所製造之EUVL用光罩基板或EUVL用鏡面之缺陷之虞。又，於使用該EUVL用光罩基板而製造之EUVL用光罩中，圖案之邊緣粗糙度不會變大，圖案之尺寸精度良好。若光學面之表面粗糙度較大，則形成於該光學面上之反射多層膜之表面粗糙度變大，進而，形成於該反射多層膜之吸收體層之表面粗糙度變大。其結果，形成於該吸收體層之圖案之邊緣粗糙度變大，圖案之尺寸精度惡化。
藉由本發明之平滑化方法而使光學面平滑化之光學構件，如上所述，其包含經雷射照射之光學面之表層之虛擬溫度上升，與該光學構件之其他部位，即，該光學構件之內部或相對於光學面之背面側相比較，虛擬溫度變高。另一方面，於亦對背面照射雷射之情形時，包含光學面之表層、及包含背面之表層與光學構件之內部相比較，虛擬溫度變高。
由於表層之虛擬溫度上升，故而可期待表層之機械強度例如楊氏模數、破裂韌性值、疲勞特性提高之效果。
本發明之平滑化方法中，當以0.3~1.5J/cm2 之通量照射波長250nm以下之準分子雷射時，會於包含光學面之表層、及包含背面之表層(當對背面照射準分子雷射時)上形成局部性之構造缺陷即色源中心。
對於本發明之EUVL用光學構件而言，於製造EUVL用光罩基板或EUVL用鏡面時，由於在光學面上形成反射多層膜或吸收體層，故而即使於光學面上形成色源中心，亦不會成為特別之問題。又，即使於背面形成色源中心，於作為EUVL用光罩基板或EUVL用鏡面使用之方面亦完全不會成為問題。
[實施例]
以下，根據實施例進一步對本發明加以詳細地說明，但本發明並不限定於此。再者，例9~13為實施例，例1~8為參考例。
(照射例I)
對於將含有TiO2 作為摻雜劑之石英玻璃基板(TiO2 濃度為7.0質量%，旭硝子公司製造，商品編號AZ6025，150mm見方)切割為5cm見方之大小之基板表面整體，改變照射通量及照射數而照射KrF準分子雷射(Coherent公司製LPX305，脈衝寬度為25ns)。此時之基板周圍之環境為室溫25℃、相對濕度60%(水蒸氣分壓14.3mmHg)之空氣。再者，使用柱狀透鏡作為照射光學系統，將作為線光束(25mm×0.55mm)之KrF準分子雷射照射至基板表面，使基板表面相對於該線光束掃描，藉此對該基板表面整體照射KrF準分子雷射。
所謂照射數係表示對基板表面上之同一部位照射雷射之次數，於本雷射之重複頻率為50Hz之情形時，以50×0.55mm/掃描速度(mm/s)表示。使用原子力顯微鏡(AFM(Atomic Force Microscope))測定照射後之基板表面之表面粗糙度(RMS值)。結果表示於表1之例2、例3、例7、例8中。
根據例7、8之結果可知：當以1.10J/cm2 之通量，對雷射照射前之RMS為0.08nm之基板進行照射時，若照射數為50以上，則RMS超過0.20nm，故而不佳。
繼而，於與例8相同之照射條件下，改變照射時之環境，藉此觀察照射環境之影響。將基板設置於腔室內，利用純度99.99%之氮對腔室內進行沖洗，與例8同樣地，對於5cm見方尺寸之基板，以1.10J/cm2 、200之照射數照射KrF準分子雷射(例9)。對例9之照射面之RMS進行測定之結果表示於表1中。藉由旋轉泵而將腔室內之空氣排出，形成10-1 Pa左右之真空狀態，同樣地，對於5cm見方尺寸之基板，以1.10J/cm2 、200之照射數照射KrF準分子雷射(例10)。對例11之照射面之RMS進行測定之結果表示於表1中。
當對表1之例8與例9進行比較時，經氮沖洗者(例9)之RMS值低於在氣溫25℃、相對濕度60%之空氣中進行照射之情形(例8)。
當對表1之例8與例10進行比較時，成為真空狀態者(例10)之RMS值低於在氣溫25℃、相對濕度60%之空氣中進行照射之情形(例8)。
根據例7~10可知：即使於相同之照射條件下，亦可藉由降低照射環境之濕度而抑制照射後之RMS值之惡化。
(照射例II)
對含有TiO2 作為摻雜劑之石英玻璃基板(TiO2 濃度為7.0質量%，旭硝子公司製造，商品編號AZ6025，150mm見方)之光學面上存在的複數個凹缺陷進行檢測，並測定其尺寸(深度)與凹缺陷周邊之RMS值。與上述示例同樣地，使作為線光束之KrF準分子雷射掃描照射包含該凹缺陷之複數個20mm見方之區域。
例1、例4~例6中，於室溫25℃、相對濕度60%(水蒸氣分壓14.3mmHg)之空氣中進行雷射照射。又，例11~例13中，一面經由噴嘴而朝基板表面之雷射照射部噴射純度99.99%之氮氣，一面進行雷射照射。
將照射條件及凹缺陷深度之變化、照射前後之RMS之變化表示於表1中。表1中，凹缺陷深度修復率係藉由下述式而求得：
各個照射條件即1.00J/cm2 、照射數為50以上，1.05J/cm2 、照射數為20以上，以及1.10J/cm2 、照射數為10以上，如表1所示，係若於通常之空氣中(25℃、相對濕度60%(水蒸氣分壓14.3mmHg))進行照射則不滿足基板規格即RMS≦0.15nm之條件(例1~例8)。
然而，如例11~13所示，藉由於氮環境下進行照射，可滿足RMS之基板規格，且可使各個凹缺陷深度減少。尤其於1.10J/cm2 、照射數為50之情形時(例13)，儘管照射前之凹缺陷深度非常深，達到11.1nm，但照射後之RMS=0.11nm，凹缺陷深度修復率表示為41%之優異值。
另一方面，於在空氣中進行照射之例1、例4、例6中，可知凹缺陷深度修復率亦低，照射後之RMS亦大於0.15nm，難以兼顧凹缺陷深度修復率與RMS。
(照射例III)
對於將含有TiO2 作為摻雜劑之石英玻璃基板(TiO2 濃度為7.0質量%，旭硝子公司製，商品編號AZ6025，150mm見方)切割為5cm見方大小之基板表面整體，改變照射通量及照射數而與上述示例同樣地掃描照射作為線光束之KrF準分子雷射。
於室溫25℃、相對濕度60%(水蒸氣分壓14.3mmHg)之空氣中，改變照射條件而進行雷射照射。又，於25℃，一面經由噴嘴而朝基板表面之雷射照射部噴射純度99.99%之氮氣，一面改變照射條件而進行雷射照射。照射條件、與照射前後之RMS之變化量(nm)表示於表2中。
可以說於同一通量之照射中，噴射氮氣之情形與於氣溫25℃、相對濕度60%之空氣中進行照射之情形相比較，RMS之變化量變少，製程容許度變廣。若製程容許度變廣，則可獲得凹缺陷深度修復率。
(照射例IV)
將含有TiO2 作為摻雜劑之石英玻璃基板(TiO2 濃度為7.0質量%，旭硝子公司製造，商品編號AZ6025，150mm見方)設置於腔室內，利用25℃、純度99.99%之氮對腔室內進行沖洗。對於基板之表面之一半，以0.9J/cm2 、照射數25，與上述示例同樣地掃描照射作為線光束之KrF準分子雷射。
於基板表面之整個面上形成交替層積有鉬(Mo)層與矽(Si)層之反射多層膜與Ta系吸收體層之後，測定凹缺陷之個數與RMS。關於凹缺陷數，使用M1350評價裝置(Lasertec公司製造)。與未照射雷射之面相比較，經雷射照射之面之凹缺陷數減少至1/2，刮痕缺陷數減少至1/5。又，經雷射照射之面之RMS為0.12nm。
(照射例V)
對於含有TiO2 作為摻雜劑之石英玻璃基板(TiO2 濃度為7.0質量%，旭硝子公司製造，商品編號AZ6025，150mm見方)之基板表面整體，以通量0.9J/cm2 、照射數20，與上述示例同樣地掃描照射作為線光束之KrF準分子雷射。對照射前後之平坦度進行測定之後，變化量為130mm。進而，以與表面相同之條件對基板之背面照射雷射之後，平坦度之變化量恢復至44nm。
(照射例VI)
雷射照射面之虛擬溫度係對上述面之FT-IR光譜進行測定而求得。未照射之基板表面之虛擬溫度為基板製作時之退火溫度即1150℃。經雷射照射之基板表面之虛擬溫度錶示於表3中。已知藉由雷射照射，基板表面之虛擬溫度與照射通量一併上升。
(照射例VII)
對於上述基板表面之產生有凹缺陷之區域，照射平均輸出7W、以1KHz之RF(Radio Frequency，射頻)驅動脈衝振盪(脈衝寬度0.5ms)之二氧化碳雷射。使用ZnSe平凸透鏡作為照射光學系統，將二氧化碳雷射作為聚光光束(直徑為1.5mm)而對基板照射1秒鐘。此時之照射通量為0.4J/cm2 ，照射數為1000。照射後，確認凹缺陷已完全消失。亦即，凹缺陷修復率為100%。
本申請案係基於2008年9月12日申請之日本專利申請案2008-234906號，且將其內容作為參照而併入本文。
[產業上之可利用性]
根據本發明之平滑化方法，對於EUVL用光學構件之具有凹缺陷之光學面，於水蒸氣分壓3.6mmHg以下之環境中，以0.3~1.5J/cm2 之通量照射以EUVL用光學構件之吸收係數為0.01μm-1 以上之波段振盪的雷射，藉此可使平坦度之惡化、表面粗糙度之惡化變得輕微，且可使具有凹缺陷之光學面平滑化。又，亦可期待缺陷之修復率提高。可期待更廣之製程容許度。
10．．．EUVL用光學構件
11．．．光學面
20．．．柱狀透鏡
21．．．線光束
30．．．具雷射照射窗之腔室腔室
31．．．雷射照射窗(合成石英)
圖1係表示將雷射作為線光束而照射至EUVL用光學構件之光學面之狀態之模式圖。
圖2係表示於氮環境下，將雷射作為線光束而照射EUVL用光學構件之光學面之狀態之模式圖。
10．．．EUVL用光學構件
11．．．光學面
20．．．柱狀透鏡
30．．．具雷射照射窗之腔室
31．．．雷射照射窗(合成石英)

Claims (22)

  1. 一種EUVL用光學構件之光學面之平滑化方法，其特徵在於：對於含有TiO2 、且以SiO2 為主成分之石英玻璃材料製之EUV微影術(EUVL)用光學構件之具有凹缺陷的光學面，於水蒸氣分壓3.6mmHg以下之環境中，以0.3~1.5J/cm2 之通量照射以EUVL用光學構件之吸收係數為0.01μm-1 以上之波長振盪之雷射。
  2. 如請求項1之EUVL用光學構件之光學面之平滑化方法，其中對於具有深度超過2nm之凹缺陷之EUVL用光學構件之光學面，於水蒸氣分壓3.6mmHg以下之環境中，以0.3~1.5J/cm2 之通量照射以EUVL用光學構件之吸收係數為0.01μm-1 以上之波長振盪之雷射，形成雷射照射後之光學面上不存在深度超過2nm之凹缺陷之光學構件。
  3. 如請求項1或2之EUVL用光學構件之光學面之平滑化方法，其中水蒸氣分壓3.6mmHg以下之環境為10-1 Pa以下之真空、純度90%以上之氮氣環境、或水蒸氣分壓為3.6mmHg以下之乾燥空氣。
  4. 一種EUVL用光學構件之光學面之平滑化方法，其特徵在於：對於含有TiO2 ，且以SiO2 作為主成分之石英玻璃材料製之EUV微影術(EUVL)用光學構件之具有凹缺陷的光學面，一面對光學面之雷射照射部噴射水蒸氣分壓3.6mmHg以下之氣體，一面以0.3~1.5J/cm2 之通量照射以EUVL用光學構件之吸收係數為0.01μm-1 以上之波長振盪之雷射光。
  5. 如請求項4之EUVL用光學構件之光學面之平滑化方法，其中對於具有深度超過2nm之凹缺陷之EUVL用光學構件之光學面，一面對光學面之雷射照射部噴射水蒸氣分壓3.6mmHg以下之氣體，一面以0.3~1.5J/cm2 之通量照射以EUVL用光學構件之吸收係數為0.01μm-1 以上之波長振盪之雷射光，形成雷射照射後之光學面上不存在深度超過2nm之凹缺陷之光學構件。
  6. 如請求項4或5之EUVL用光學構件之光學面之平滑化方法，其中水蒸氣分壓3.6mmHg以下之氣體為純度90%以上之氮氣、或水蒸氣分壓為3.6mmHg以下之乾燥空氣。
  7. 如請求項1或4之EUVL用光學構件之光學面之平滑化方法，其中將雷射照射前後之光學構件之平坦度之變化量設為300nm以下。
  8. 如請求項1或4之EUVL用光學構件之光學面之平滑化方法，其中將雷射照射後之光學面之表面粗糙度(RMS)設為0.15nm以下。
  9. 如請求項1或4之EUVL用光學構件之光學面之平滑化方法，其中上述雷射為波長250nm以下之準分子雷射、或二氧化碳雷射。
  10. 如請求項1或4之EUVL用光學構件之光學面之平滑化方法，其中上述雷射之脈衝寬度為100μsec以下。
  11. 如請求項1或4之EUVL用光學構件之光學面之平滑化方法，其中以各照射部位之照射數成為10以上之方式，對上述光學面照射上述雷射。
  12. 如請求項1或4之EUVL用光學構件之光學面之平滑化方法，其中將上述雷射作為線光束而照射至上述光學面，使該線光束於該光學面上掃描，或使上述光學面相對於該線光束掃描。
  13. 如請求項1或4之EUVL用光學構件之光學面之平滑化方法，其中進一步對於相對於上述光學面之背面，以0.3~1.5J/cm2 之通量照射以EUVL用光學構件之吸收係數為0.01μm-1 以上之波長振盪之雷射。
  14. 一種EUVL用光學構件，其特徵在於：包含藉由如請求項1或4之方法而獲得之上述光學面之表層的虛擬溫度，比剩餘部位之虛擬溫度高30℃以上。
  15. 一種EUVL用光罩基板，其係藉由如請求項1或4之方法而將EUVL用光學構件之光學面平滑化，並於光學面上形成反射多層膜及吸收體層而獲得者。
  16. 如請求項15之EUVL用光罩基板，其中成膜之表面上不存在深度超過2nm之凹缺陷。
  17. 如請求項15之EUVL用光罩基板，其中成膜之表面之表面粗糙度(RMS)為0.15nm以下。
  18. 如請求項15之EUVL用光罩基板，其中成膜後之平坦度為300nm以下。
  19. 一種EUVL用鏡面，其係藉由如請求項1或4之方法而將EUVL用光學構件之光學面平滑化，並於光學面上形成反射多層膜而獲得者。
  20. 如請求項19之EUVL用鏡面，其中成膜之表面上不存在深度超過2nm之凹缺陷。
  21. 如請求項19之EUVL用鏡面，其中成膜之表面之表面粗糙度(RMS)為0.15nm以下。
  22. 如請求項19之EUVL用鏡面，其中成膜後之平坦度為300nm以下。
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