TWI433270B - Gas sensor manufacturing method and its structure (a) - Google Patents

Description

氣體感測器之製造方法與其結構(一)

本發明係與氣體感測器有關，特別係指一種氣體感測器之製造方法與其結構。

按，傳統氣體感測器是利用吸附在半導體表面的氣體的吸附反應改變載子流量，即利用電阻變化作為檢測氣體濃度的一種方法，廣泛應用於環境有害氣體等檢測如工廠、汽機車排放廢氣等檢驗，但最大的缺點就是必須要工作在加熱的狀態，這將導致半導體材料內部晶粒不斷成長變化，使感測器性能惡化，穩定度變差，靈敏度下降，壽命縮短。所以欲在室溫環境下及時偵測氣體，還有一定的瓶頸需待克服，因為奈米材料具有極高的比表面積，可大大提高對氣體感測的反應表面積，若再加入奈米粒子，更可提高氣體感測材料對氣體之敏感度及反應時間，然而目前在學術研究上大多利用奈米碳管(CNT)作場效電晶體型氣體感測器，但其製程步驟繁雜、成本昂貴及恢復時間較慢，目前仍非常鮮有奈米之氣體感測器，是以，習知氣體感測器實有待加以改善之空間。

本發明主要目的係在提供一種氣體感測器之製造方法與其結構(一)，使可有效提高氣體反應表面積及氣體吸附能力，且使其具有提高氣體感測之敏感度及減少反應時間之優點。

本發明氣體感測器之製造方法，其主要係於一基板上成長一氣體感測單元，且該氣體感測單元係包含有多數個奈米線、一正導電電極及一負導電電極，而該等奈米線與該正、負導電電極係相連接，藉此，以整體形成該氣體感測器。

本發明氣體感測器之結構，其主要係於一基板上設有一氣體感測單元，且該氣體感測單元係包含有多數個奈米線、一正導電電極及一負導電電極，而該等奈米線係與該正、負導電電極相連接。

藉此，更可藉由該等奈米線結合奈米粒子，以有效提高氣體反應表面積及氣體吸附能力，且使其具有提高氣體感測之敏感度及減少反應時間之優點。

首先，請先參閱第一圖所示，為本發明第一實施例之製造流程方塊圖，其步驟係包含有一奈米線塗佈步驟S1、一微影曝光步驟S2、一導電電極沉積步驟S3。

請同時參閱第二及第三圖所示，而執行上述步驟之詳細過程如下所述：首先，先提供一基板10，而當該基板10之電阻低於100MΩ時，係於該基板10上長成一絕緣層20，且該基板10之材質係可為硬質材料或軟質材料，該硬質材料係包含有矽(Si)、氧化鋁(Al₂ O₃ )以及玻璃(Glass)，而該軟質材料則係包含有薄塑膠片、金屬薄片以及可彎曲之板材，於本發明實施例中該基板10之材質係為矽(Si)，而該絕緣層之材質則係為二氧化矽(SiO₂ )，同時，再於該絕緣層20上長成一氣體感測單元30，且該氣體感測單元30係包含有多數個奈米線31、一正導電電極32及一負導電電極33(如第七圖所示)，而於本發明實施例中成長該氣體感測單元30之方法係先於該絕緣層20上塗佈該等奈米線31，而該等奈米線31表面周側上係結合吸附有多數個奈米粒子40，又，於本發明較佳實施例中，該奈米線31可為氧化物奈米線或硫化物奈米線，其中，該氧化物奈米線係可由一或兩個金屬元素結合氧元素所形成，且該金屬元素係選自於鋅(Zn)、錫(Sn)、銦(In)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鎵(Ga)、銻(Sb)、錳(Mn)、鈦(Ti)、銀(Ag)、鎢(W)、釩(V)、鉍(Bi)、矽(Si)、硼(B)、磷(P)或鋁(Al)所構成材料組群中之至少一種材料，而該氧化物奈米線之種類亦可選自於氧化銦(In₂ O₃ 、InO)、氧化錫(SnO₂ 、SnO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鈷(Co₃ O₄ 、Co₂ O₃ 、CoO)、氧化鐵(Fe₃ O₄ 、Fe₂ O₃ 、FeO)、氧化鎳(NiO)、氧化銅(Cu₂ O、CuO)、氧化錳(Mn₃ O₄ 、Mn₂ O₃ 、MnO₂ 、MnO)、氧化鈦(Ti₂ O₃ 、TiO₂ 、TiO)、氧化鎢(WO₃ 、WO₂ )、氧化釩(V₂ O₅ 、V₂ O₃ 、VO₂ 、VO)、氧化矽(SiO₂ 、SiO)、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋁鋅(AZO)及氧化鋅錫(ZTO)所組成之組群其中之一，另，該硫化物奈米線係可由一或兩個金屬元素沉積結合硫元素所形成，且該金屬元素係選自於鋅(Zn)、鉻(Cd)、錫(Sn)、銦(In)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鈦(Ti)、銀(Ag)、鋁(Al)、鉍(Bi)、矽(Si)、錳(Mn)、鎢(W)、釩(V)以及鉛(Pb)所構成材料組群中之至少一種材料，同時，該硫元素係選自於硫化物、硫片(Sulfide，S)、硫化氫(Hydrogen Sulfide，H₂ S)、硫代硫酸鈉(Sodium thiosulfate，Na₂ S₂ O₃ ‧5H₂ O)、硫化鈉(Sodium sulfide，Na₂ S)以及硫尿(Thidiazuron)所組成之組群其中之一，而該硫化物奈米線之種類亦可選自於硫化銦(In₂ S₃ 、InS)、硫化錫(SnS₂ 、SnS)、硫化鋅(ZnS)、硫化鈷(CoS₂ 、CoS)、硫化鐵(FeS₂ 、FeS)、硫化鎳(NiS₂ 、NiS)、硫化鈦(TiS₂ )、硫化鉛(PbS)、硫化鉍(Bi₂ S₃ )、硫化矽(SiS₂ )、硫化錳(MnS)、硫化鎢(WS₂ )、硫化釩(V₂ S₃ )及硫化銅(Cu₂ S、CuS)其中之一；該奈米粒子40之種類係選自於鈀(Pd)、鉑(Pt)、金(Au)、銀(Ag)其中之一。

請再同時參閱第四及第五圖所示，係於該等奈米線31上成長一光阻層50，且再藉由一光罩60進行微影曝光，並經顯影及硬烤以形成留下一部分光阻層51，而相對於該部份光阻層51兩側則係形成二鏤空空間52。

再請同時參閱第六及第七圖所示，係於該等鏤空空間52上對應成長該正、負導電電極32、33，且再將該部份光阻層51舉離，而使該等奈米線31上可形成二間隔設置之正、負導電電極32、33，同時，該正、負導電電極32、33上更分別連接一導線70，並可分別供正負電連接，另，該正、負導電電極32、33更可用金屬光罩藉由蒸鍍、電鍍或濺鍍成長形成。

另再請同時參閱第八圖所示，本實施例於上述第一實施例大體皆為相同，而其主要差異處係在於，該正、負導電電極32、33係為指叉式設置，且該正、負導電電極32、33係分別包含一連接段321、331及多數個由該連接段321、331垂直延伸而出之延伸段322、332，同時，該等延伸段322、332係為平行間隔設置，又，該正、負導電電極32、33係以該等延伸段322、332相互交叉設置，另，該正、負導電電極32、33分別於最外側之一延伸段322、332係具有較大的面積，並可供分別連接設有一導線70。

請同時配合參閱第九及第十圖所示，分別為本發明第一實施例結合加熱感溫層之結構示意圖及另一結構示意圖；本發明第一實施例更可成長結合有一加熱感溫層80，其一實施例，係將該加熱感溫層80成長於該基板10相對該氣體感測單元30另側之表面上，另一實施例，則係將該加熱感溫層80成長於該基板10及該氣體感測單元30間，而於本發明實施例中該加熱感溫層80係位於該絕緣層20及該氣體感測單元30間，同時，該加熱感溫層80係選自於鈀(Pd)、鉑(Pt)、多晶矽(Poly-Silicon)、氧化釕(RuO₂ )、鉑(Pt)-銀(Ag)合金、鎳(Ni)-鉻(Cr)合金、鐵(Fe)-鎳(Ni)合金、鐵(Fe)-鉻(Cr)合金、鎳(Ni)-鉻(Cr)-鐵(Fe)合金及碳化矽(SiC)等所構成材料組群中之其中一種材料，而該加熱感溫層80係具有加熱及感測溫度之效用。

再請參閱第十一圖所示，為本發明第二實施例之製造流程方塊圖，其步驟係包含有一微影曝光步驟S4、一導電電極沉積步驟S5、一奈米線塗佈步驟S6。

請同時參閱第十二至第十八圖所示，本發明第二實施例與上述第一實施例大體皆為相同，而主要不同處係在於成長該氣體感測單元30之方法，係先於該絕緣層20上成長一光阻層50，且該光阻層50係藉由一光罩60進行微影曝光，並經顯影及硬烤以形成留下一部分光阻層51，而相對於該部份光阻層51兩側則係形成二鏤空空間52，同時，再於該等鏤空空間52上成長該正、負導電電極32、33，並將該部份光阻層51舉離，又，再於該正、負導電電極32、33上方塗佈該等奈米線31，而該等奈米線31表面周側上亦結合吸附有該等奈米粒子40，同時，該正、負導電電極32、33上係分別連接有該導線70，並可分別供正負電連接。

另，再請參閱第十九圖所示，本實施例於上述第二實施例大體皆為相同，而其主要差異處係在於，該正、負導電電極32、33係為指叉式設置，且該正、負導電電極32、33係分別包含一連接段321、331及多數個由該連接段321、331垂直延伸而出之延伸段322、332，同時，該等延伸段322、332係為平行間隔設置，又，該正、負導電電極32、33係以該等延伸段322、332相互交叉設置，另，該正、負導電電極32、33分別於最外側之一延伸段322、332係具有較大的面積，並可供分別連接設有該導線70。

請同時配合參閱第二十圖及第二十一圖所示，分別為本發明第二實施例結合加熱感溫層之結構示意圖及另一結構示意圖；本發明第二實施例亦可成長結合有該加熱感溫層80，其一實施例，係將該加熱感溫層80成長於該基板10相對該氣體感測單元30另側之表面上，另一實施例，則係將該加熱感溫層80成長於該基板10及該氣體感測單元30間，而於本發明第二實施例中該加熱感溫層80係更進一步係位於該絕緣層20及該氣體感測單元30間，同時，該加熱感溫層80之材料係與上述相同，故不加贅述。

請同時配合參閱第二十二圖所示，本發明第三實施例之成長方法及步驟與上述第一實施例皆為相同，而其主要不同處係在於，當該基板10之電阻高於100MΩ時，係於該基板10上直接長成該氣體感測單元30，其中，該氣體感測單元30之奈米線31係先塗佈於該基板10上，並再於該等奈米線31上成長該正、負導電電極32、33，且該等奈米線31表面周側上係結合吸附有該等奈米粒子40，另，本發明第三實施例亦可成長結合有該加熱感溫層80，而該加熱感溫層80係分別成長於該基板10下方或於該基板10及該氣體感測單元30間(如第九及第十圖所示)。

請再同時配合參閱第二十三圖所示，本發明第四實施例之成長方法及步驟與上述第二實施例皆為相同，而其主要不同處係在於，當該基板10之電阻高於100MΩ時，係於該基板10上直接長成該氣體感測單元30，其中，該氣體感測單元30之正、負導電電極32、33係先成長於該基板10上，並再於該正、負導電電極32、33上成長該等奈米線31，且該等奈米線31表面周側上係結合吸附有該等奈米粒子40，另，本發明第四實施例亦可成長結合有該加熱感溫層80，而該加熱感溫層80係分別成長於該基板10下方或於該基板10及該氣體感測單元30間(如第二十及第二十一圖所示)。

仍請參閱第七及第八圖所示，本發明氣體感測器之結構係包含有一基板10，該基板10上設有一絕緣層20，該絕緣層20上再設有一氣體感測單元30，而該氣體感測單元30係包含有多數個奈米線31、一正導電電極32及一負導電電極33，該等奈米線31表面周側係結合吸附有多數個奈米粒子40，且該正、負導電電極32、33係為間隔設置，而於本發明第一實施例中該等奈米線31係位於該絕緣層20及該正、負導電電極32、33間，同時，該正、負導電電極32、33更可為指叉式設置，且該正、負導電電極32、33係包含一連接段321、331及多數個由該連接段321、331垂直延伸而出之延伸段322、332，同時，該等延伸段322、332係為平行間隔設置，又，該正、負導電電極32、33係以該等延伸段322、332相互交叉設置，另，該正、負導電電極32、33分別於最外側之一延伸段322、332係具有較大的面積，並可供分別連接設有一導線70。

另，再請同時參閱第十八及第十九圖所示，本發明第二實施例之結構與上述第一實施例大體皆為相同，其主要差異係在於，該正、負導電電極32、33係間隔設於該絕緣層20上，而該正、負導電電極32、33上再設有該等金屬奈米線31，且該等金屬奈米線31表面周側亦結合吸附有該等奈米粒子40。

請參閱第二十二及第二十三圖所示，本發明第三、第四實施例之結構與上述第一、第二實施例大體皆為相同，其主要差異係在於，該基板10上係直接成長該氣體感測單元30，其中，於第三實施例中係於該基板10上先成長該等奈米線31，而該等奈米線31表面周側係結合吸附有該等奈米粒子40，且該等奈米線31上更成長有該正、負導電電極32、33，另，於第四實施例中係於該基板10上先成長該正、負導電電極32、33，而在於該正、負導電電極32、33上塗佈有該等奈米線31，且該等奈米線31表面周側亦吸附有該等奈米粒子40。

茲，再將本發明之特徵及其可達成之預期功效陳述如下：本發明氣體感測器之製造方法與其結構係利用該等氧化或硫化物奈米線上結合吸附有該等奈米粒子，而使其可有效提高氣體反應表面積及氣體吸附能力，並同時具有提高氣體感測之敏感度及減少反應時間之優點。

綜上所述，本發明在同類產品中實有其極佳之進步實用性，同時遍查國內外關於此類結構之技術資料，文獻中亦未發現有相同的構造存在在先，是以，本發明實已具備發明專利要件，爰依法提出申請。

惟，以上所述者，僅係本發明之一較佳可行實施例而已，故舉凡應用本發明說明書及申請專利範圍所為之等效結構變化，理應包含在本發明之專利範圍內。

S1．．．奈米線塗佈步驟

S2．．．微影曝光步驟

S3．．．導電電極沉積步驟

S4．．．微影曝光步驟

S5．．．導電電極沉積步驟

S6．．．奈米線塗佈步驟

10．．．基板

20．．．絕緣層

30．．．氣體感測單元

31．．．奈米線

32．．．正導電電極

321．．．連接段

322．．．延伸段

33．．．負導電電極

331．．．連接段

332．．．延伸段

40．．．奈米粒子

50．．．光阻層

51．．．部分光阻層

52．．．鏤空空間

60．．．光罩

70．．．導線

80．．．加熱感溫層

第一圖為本發明第一實施例之製造流程方塊圖。

第二圖為本發明第一實施例成長絕緣層之結構示意圖。

第三圖為本發明第一實施例塗佈奈米線之結構示意圖。

第四圖為本發明第一實施例成長光阻層之結構示意圖。

第五圖為本發明第一實施例光阻層微影曝光之示意圖。

第六圖為本發明第一實施例成長導電電極之結構示意圖。

第七圖為本發明第一實施例部份光阻層舉離且導電電極連接導線之結構示意圖。

第八圖為本發明第一實施例導電電極之另一結構示意圖。

第九圖為本發明第一實施例結合加熱感溫層之結構示意圖。

第十圖為本發明第一實施例結合加熱感溫層之另一結構示意圖。

第十一圖為本發明第二實施例之製造流程方塊圖。

第十二圖為本發明第二實施例成長絕緣層之結構示意圖。

第十三圖為本發明第二實施例成長光阻層之結構示意圖。

第十四圖為本發明第二實施例光阻層微影曝光之示意圖。

第十五圖為本發明第二實施例成長導電電極之結構示意圖。

第十六圖為本發明第二實施例部份光阻層舉離之結構示意圖。

第十七圖為本發明第二實施例塗佈奈米線之結構示意圖。

第十八圖為本發明第二實施例導電電極連接導電之結構示意圖。

第十九圖為本發明第二實施例導電電極之另一結構示意圖。

第二十圖為本發明第二實施例結合加熱感溫層之結構示意圖。

第二十一圖為本發明第二實施例結合加熱感溫層之另一結構示意圖。

第二十二圖為本發明第三實施例之結構示意圖。

第二十三圖為本發明第四實施例之結構示意圖。

10．．．基板

20．．．絕緣層

30．．．氣體感測單元

31．．．奈米線

32．．．正導電電極

321．．．連接段

322．．．延伸段

33．．．負導電電極

331．．．連接段

332．．．延伸段

40．．．奈米粒子

70．．．導線

Claims (30)

1. 一種氣體感測器之製造方法，其主要係於一基板上成長一氣體感測單元，且該氣體感測單元係包含有多數個奈米線、一正導電電極及一負導電電極，而該等奈米線與該正、負導電電極係相連接，且該等奈米線表面更結合吸附有多數個奈米粒子，藉此，以整體形成該氣體感測器。
2. 依申請專利範圍第1項所述之氣體感測器之製造方法，其中，該基板之電阻係低於100MΩ，且該基板與該氣體感測單元間係成長有一絕緣層。
3. 依申請專利範圍第2項所述之氣體感測器之製造方法，其中，該氣體感測單元之奈米線係先塗佈於該絕緣層上，並再於該等奈米線上成長一光阻層，同時，該光阻層係再藉由一光罩進行微影曝光，並經顯影及硬烤以形成留下一部分光阻層，而相對於該部份光阻層兩側則係形成二鏤空空間，又，再於該等鏤空空間上成長該正、負導電電極，且再將該部份光阻層舉離。
4. 依申請專利範圍第2項所述之氣體感測器之製造方法，其中，該絕緣層上係先成長一光阻層，且該光阻層係藉由一光罩進行微影曝光，並經顯影及硬烤以形成留下一部分光阻層，而相對於該部份光阻層兩側則係形成二鏤空空間，同時，再於該等鏤空空間上成長該正、負導電電極，並將該部份光阻層舉離，又，再於該正、負導電電極上方塗佈該等奈米線。
5. 依申請專利範圍第2項所述之氣體感測器之製造方法，其中，該絕緣層之材質係為二氧化矽(SiO₂ )。
6. 依申請專利範圍第1項所述之氣體感測器之製造方法，其中，該基板之電阻係高於100MΩ，且該基板上係直接成長該氣體感測單元。
7. 依申請專利範圍第6項所述之氣體感測器之製造方法，其中，該氣體感測單元之奈米線係先塗佈於該基板上，並再於該等奈米線上成長一光阻層，同時，該光阻層係再藉由一光罩進行微影曝光，並經顯影及硬烤以形成留下一部分光阻層，而相對於該部份光阻層兩側則係形成二鏤空空間，又，再於該等鏤空空間上成長該正、負導電電極，且再將該部份光阻層舉離。
8. 依申請專利範圍第6項所述之氣體感測器之製造方法，其中，該基板上係先成長一光阻層，且該光阻層係藉由一光罩進行微影曝光，並經顯影及硬烤以形成留下一部分光阻層，而相對於該部份光阻層兩側則係形成二鏤空空間，同時，再於該等鏤空空間上成長該正、負導電電極，並將該部份光阻層舉離，又，再於該正、負導電電極上方塗佈該等奈米線。
9. 依申請專利範圍第1項所述之氣體感測器之製造方法，其中，該奈米粒子之種類係選自於鈀(Pd)、鉑(Pt)、金(Au)或銀(Ag)所構成材料組群中之至少一種材料。
10. 依申請專利範圍第1項所述之氣體感測器之製造方法，其中，該正、負導電電極係為分離設置，且該正、負導電電極係分別連接有一導線，並可分別供正負電連接。
11. 依申請專利範圍第1項所述之氣體感測器之製造方法，其中，該基板之材質係為硬質材料。
12. 依申請專利範圍第11項所述之氣體感測器之製造方法，其中，該基板係選自於(Si)、氧化鋁(Al₂ O₃ )以及玻璃(Glass)其中之一。
13. 依申請專利範圍第1項所述之氣體感測器之製造方法，其中，該基板之材質係為軟質材料。
14. 依申請專利範圍第13項所述之氣體感測器之製造方法，其中，該基板係選自於薄塑膠片、金屬薄片以及可彎曲之板材其中之一。
15. 依申請專利範圍第1項所述之氣體感測器之製造方法，其中，該奈米線更可由至少一金屬元素沉積結合氧元素以形成一氧化物奈米線。
16. 依申請專利範圍第15項所述之氣體感測器之製造方法，其中，該金屬元素係選自於鋅(Zn)、錫(Sn)、銦(In)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鎵(Ga)、銻(Sb)、錳(Mn)、鈦(Ti)、銀(Ag)、鎢(W)、釩(V)、鉍(Bi)、矽(Si)、硼(B)、磷(P)或鋁(Al)所構成材料組群中之至少一種材料。
17. 依申請專利範圍第15項所述之氣體感測器之製造方法，其中，該氧化物奈米線之種類係選自於氧化銦(In₂ O₃ 、InO)、氧化錫(SnO₂ 、SnO)、氧化鋅(ZnO)、氧化鈷(Co₃ O₄ 、Co₂ O₃ 、CoO)、氧化鐵(Fe₃ O₄ 、Fe₂ O₃ 、FeO)、氧化鎳(NiO)、氧化銅(Cu₂ O、CuO)、氧化錳(Mn₃ O₄ 、Mn₂ O₃ 、MnO₂ 、MnO)、氧化鈦(Ti₂ O₃ 、TiO₂ 、TiO)、氧化鎢(WO₃ 、WO₂ )、氧化釩(V₂ O₅ 、V₂ O₃ 、VO₂ 、VO)、氧化矽(SiO₂ 、SiO)、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋁鋅(AZO)及氧化鋅錫(ZTO)所組成之組群其中之一。
18. 依申請專利範圍第1項所述之氣體感測器之製造方法，其中，該奈米線更可由至少一金屬元素沉積結合硫元素以形成一硫化物奈米線。
19. 依申請專利範圍第18項所述之氣體感測器之製造方法，其中，該金屬元素係選自於鋅(Zn)、鉻(Cd)、錫(Sn)、銦(In)、鐵(Fe)、鈷(Co)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鈦(Ti)、銀(Ag)、鋁(Al)、鉍(Bi)、矽(Si)、錳(Mn)、鎢(W)、釩(V)以及鉛(Pb)所構成材料組群中之至少一種材料。
20. 依申請專利範圍第18項所述之氣體感測器之製造方法，其中，該硫元素係選自於硫化物、硫片(Sulfide，S)、硫化氫(Hydrogen Sulfide，H₂ S)、硫代硫酸鈉(Sodium thiosulfate，Na₂ S₂ O₃ ‧5H₂ O)、硫 化鈉(Sodium sulfide，Na₂ S)以及硫尿(Thidiazuron)所組成之組群其中之一。
21. 依申請專利範圍第18項所述之氣體感測器之製造方法，其中，該硫化物奈米線之種類係選自於硫化銦(In₂ S₃ 、InS)、硫化錫(SnS₂ 、SnS)、硫化鋅(ZnS)、硫化鈷(CoS₂ 、CoS)、硫化鐵(FeS₂ 、FeS)、硫化鎳(NiS₂ 、NiS)、硫化鈦(TiS₂ )、硫化鉛(PbS)、硫化鉍(Bi₂ S₃ )、硫化矽(SiS₂ )、硫化錳(MnS)、硫化鎢(WS₂ )、硫化釩(V₂ S₃ )及硫化銅(Cu₂ S、CuS)其中之一。
22. 依申請專利範圍第1項所述之氣體感測器之製造方法，其中，該基板於相對該氣體感測單元之另側係更成長有一加熱感溫層。
23. 依申請專利範圍第1項所述之氣體感測器之製造方法，其中，該基板及該氣體感測單元間係更成長有一加熱感溫層。
24. 一種氣體感測器之結構，其主要係於一基板上設有一氣體感測單元，且該氣體感測單元係包含有多數個奈米線、一正導電電極及一負導電電極，而該等奈米線係與該正、負導電電極相連接，且該等奈米線表面更結合吸附有多數個奈米粒子。
25. 依申請專利範圍第24項所述之氣體感測器之結構，其中，該等奈米線係位於該基板及該正、負導電電極間。
26. 依申請專利範圍第24項所述之氣體感測器之結構，其中，該等奈米線係位於該正、負導電電極上，且對應位於該基板的另側。
27. 依申請專利範圍第24項所述之氣體感測器之結構，其中，該基板與該氣體感測單元間係設有一絕緣層。
28. 依申請專利範圍第24項所述之氣體感測器之結構，其中，該正、負導電電極係為分離設置，而該正、負導電電極係分別包含有一連接段及多數個由該連接段延伸而出之延伸段，又，該等延伸段係為間隔設置，同時，該正、負導電電極係以該等延伸段相互交錯設置， 另，該正、負導電電極係分別於其中一延伸段上連接設有一導線。
29. 依申請專利範圍第24項所述之氣體感測器之結構，其中，更包含有一加熱感溫層，而該加熱感溫層係設於該基板上，且於相對該氣體感測單元之另側。
30. 依申請專利範圍第24項所述之氣體感測器之結構，其中，更包含有一加熱感溫層，而該加熱感溫層係設於該基板及該氣體感測單元間。