TWI432284B - 形成泥漿拋光墊之方法及裝置 - Google Patents

Description

形成泥漿拋光墊之方法及裝置

本發明是關於新的漿料拋光墊結構，例如用來拋光半導體裝置，及其製造方法，和此製造中所使用的裝置。

半導體裝置例如但不局限於絕緣底半導體(SOI)結構必須置備有相當平坦的半導體層以便在其上形成電子元件。SOI技術在顯示器的使用上變得日益重要，包括有機發光二極體(OLED)顯示器，液晶顯示器(LCD)，主動矩陣式顯示器，積體電路，光伏打裝置，薄膜電晶體(TFT)應用等。

最普遍使用在絕緣底半導體結構中的半導體材料是矽。SOI結構可以包含一層薄的大體單晶矽(通常厚度在0.05-0.3微米，但是在一些情況下厚達5微米)形成在絕緣材料上。在多晶矽上形成TFT的最先進科技處理可以產生大約50奈米等級的矽厚度。

如同稍後將討論的，藉由控制將矽層黏合到基板(例如，玻璃或玻璃-陶瓷基板)的處理參數可以調整此矽層厚度。在顯器應用中，矽層厚度通常在50-150奈米的範圍。除了矽層厚度之外，矽層的表面粗糙度也是獲得高效能TFT的關鍵。在剛將矽層黏合到基板之後(所謂的"初製造"SOI)，表面粗糙度通常在1-10奈米的範圍。因 此，通常會執行後處理來降低半導體(矽)層的厚度，並降低層的粗糙度。底下將討論這些處理。

這裡使用的SOI縮寫是代表一般的絕緣底半導體結構，包括但不局限於絕緣層上覆矽結構。同樣的，所使用的SiOG縮寫是代表一般的玻璃底半導體，包括但不局限於玻璃層上覆矽，和/或玻璃-陶瓷層上覆矽結構。SOI結構涵蓋SiOG結構。

獲得SOI結構的各種方式包括矽(Si)在晶格匹配基板上的矽(Si)磊晶生長。另一種處理包括將單晶矽晶圓黏合到另一個已經生長SiO₂ 氧化物層的矽晶圓；接下來將上方晶圓向下蝕刻到例如單晶矽的0.05到0.3微米層。進一步的方法包括離子植入法，在其中將氫或氧離子植入。在植入氧離子的情況中，會在矽晶圓中形成上覆矽的埋氧層；或者在植入氫離子的情況中，則會分離(剝離)出一薄矽層，將它黏合到另一個含有氧化物層的矽晶圓。

前兩種方法在成本和/或黏合強度和耐受性方面都無法產生令人滿意的結構。後者牽涉到氫離子植入的方法則受到一些關注被認為優於前面的方法，因為所需要的植入能量比氧離子植入還少50%，而所需要的劑量則低了兩個數量級。

美國第5,374,564號專利揭示出一種使用熱處理過程以得到單晶矽薄膜於基板上。具有平面性表面之矽晶圓進行下列步驟處理：(i)藉由離子轟擊矽晶圓表面以產生 一層氣態微小氣泡以界定出矽晶圓之下部區域以及構成矽薄膜之上部區域之植入步驟；(ii)將矽晶圓平面性表面接觸一堅硬材料層(例如絕緣氧化物材料)；以及(iii)熱處理矽晶圓及堅硬材料之組件的第三步驟，其在高於進行離子轟擊之溫度下進行。該第三步驟採用之溫度足以使矽薄膜與堅硬材料鍵結，以在微小氣泡中產生壓力效應，並藉此在矽薄膜與矽晶圓其餘部份之間產生分離。由於存在此高溫步驟，該製程無法適用於較低成本之玻璃或玻璃陶瓷基板。

美國第7,176,528號專利揭示出製造SiOG結構之處理過程，該專利之說明在此加入作為參考。該處理步驟包含：(i)將氫離子植入矽晶圓表面以產生鍵結表面；(ii)將矽晶圓之鍵結表面與玻璃基板接觸；(iii)施加壓力、溫度及電壓於矽晶圓及玻璃基板以促進其間之鍵結；以及(iv)冷卻結構至一般溫度以促使玻璃基板及矽薄層與矽晶圓分離。

如果在植入之前矽表面上沒有氧化物的話-這對SiOG處理是需要的，則可以藉由調整植入的能量將半導體(例如，矽)層的厚度降低到300-500奈米。從300-500奈米層的厚度應該再降低到小於大約100奈米。

在剛剝離之後，所產生的SOI結構可能顯現表面粗糙度(例如，大約10奈米或更大)，過大的矽層厚度(即使此層被認為"薄")和矽層的植入損壞(例如，由於形成非晶矽層)。此非晶矽層的厚度可以從50到150奈米，且 應該要除去來獲得理想的電子特性以便在稍後形成電子元件。

化學機械拋光(CMP)是一典型處理，在矽層從施體矽晶圓剝離之後用來降低矽層的厚度、降低矽層的粗糙度、並除去非晶矽層。用於SiOG結構應用的CMP是使用研磨漿料，耦接到使用這類研磨漿料飽和過的紡織類拋光墊(有時候是纖維狀)來達成。此漿料是研磨顆粒和液體載子-可以是去離子水的混合物。將拋光墊黏合(透過黏著劑)到旋轉平台。將欲拋光的SOI結構和拋光墊放入泵抽漿料流中將負載研磨料的拋光墊用力推向SOI的半導體材料，使材料移除，接著拋光半導體表面。

在大部分情況下，平台和欲拋光的SOI結構都是平面構造。形成拋光墊，並將它組合到平台，使得所產生的拋光墊表面平滑且均勻，沒有皺痕或表面不規則性，否則會對拋光的均勻度造成問題。在平面拋光墊的情況下，將拋光墊切割並安裝到平坦拋光平台上是一件相當直接的工作。切割拋光墊外形來順應平台的輪廓(平坦的)，並且使用壓敏黏著劑將拋光墊黏合到平台上。在大部分情況下，拋光墊和平台(及其罩蓋)是平坦的圓形幾何。

在最近的發展中，拋光墊是安裝在半球形罩蓋上允許對球形物例如透鏡作切線器具接觸拋光。切線器具接觸處理也可以用來拋光平坦表面例如SOI結構。這通常由確定性拋光來執行，它是一種研磨處理，在其中拋光墊 的接觸面積比需要拋光之SOI結構的面積要小很多。材料移除處理是藉由旋轉罩蓋(及附接的拋光墊)，並同時沿著SOI半導體層的輪廓以預定的掃瞄樣式移動來執行。雖然可以使用不同的掃瞄樣式，但是最普遍的樣式是一系列緊密間隔的平行列(光柵，類似傳統電視機陰極射線管的掃瞄列樣式)。

將SOI弄薄並降低粗糙度的需求是相當迫切的。最好，最終半導體層的厚度可以控制在大約±8奈米的準確度內。半球形罩蓋的曲率半徑對於要將平坦拋光墊以平滑的方式穩固地安裝到弧形罩蓋，而不產生會不利地影響拋光處理的皺痕這件事來說是一項挑戰。皺痕和/或其他拋光墊的不規則性可能會不利地影響拋光處理，統像罩蓋的旋轉偏差對材料移除有深刻影響一樣。我們將瞭解到，在拋光墊旋轉上的任何偏心度(來自罩蓋本身，拋光墊的皺痕，對準問題等等)會在半導體層上產生厚度的變動。人們發現單單罩蓋的偏心度就可以產生大約15奈米的厚度變動，大於理想的層厚度容錯。來自拋光墊皺痕的其他不規則性可能大大增加此變動。

傳統形成半球形拋光墊的技術是從片材料切出一圓形，使用丙酮(或類似溶劑)軟化此材料，然後將此拋光墊壓入兩-部分的模子中。此模子包含底模區段，含有凸面，和頂模區段，含有對應的凹面。圖1顯示在先前技術中移除頂模之後的半球形拋光墊10。注意拋光墊10外圍邊緣的皺痕12。

基於先前說明，業界存在產生半球形拋光墊之方法以及裝置的需求。

依據一項或多項實施例，拋光墊的幾何形狀包含配適現有之半球形罩蓋尺寸的外直徑，和界定出中心孔徑的內直徑。在拋光墊的外直徑上，有一組等距的徑向細縫可以讓材料釋除以便在模鑄並附接到罩蓋時排除材料的聚集。這可以降低材料皺痕，並且讓配適更平順。拋光墊的中心孔徑亦可使拋光墊具有更多材料彈性空間，藉此降低材料皺痕，還可以在罩蓋上放置一參考鈕(由比拋光墊材料還硬的材料來製造)用來設定工具軸相對於欲拋光之表面的位置。

在形成之前，讓拋光墊在一邊緣(例如桌面邊緣)上沿著多個半徑的方向滾動來作調整，以軟化拋光墊纖維、降低材料的記憶、並使拋光墊變得更有彈性且更順應罩蓋的凸形。用溶劑使拋光墊材料飽和，讓它更有彈性且更順應，然後壓在罩蓋模型(作為底模區段)上方。將彈性氣囊，空氣-填充橡膠氣囊在罩蓋模型的對面壓到拋光墊上，當充氣加壓時可以對拋光墊施加均勻的橡膠力。這種加壓技術可以讓拋光墊均勻地順應到罩蓋模型，產生較少的拋光墊不規則性，和較大的拋光精準度及可預測性。

依據本發明一項或多項實施例，用來拋光半導體表面的拋光墊包含圓形本體，其含有中心和外圍邊緣，和多個從外圍邊緣向中心延伸的細縫。此本體是半球形，圓頂狀。

當拋光墊平坦放置時，多個細縫的寬度在整個細縫的長度上可以大體上保持固定。或者，當拋光墊平坦放置時，此寬度可以沿著細縫長度，從外圍邊緣到中心逐漸變細。當使用12個細縫時，它們可以均勻地放置在本體的外圍邊緣，彼此距離大約30度角。當使用6個細縫時，它們可以均勻地放置在本體的外圍邊緣，彼此距離大約60度角。

拋光墊可以包含一個孔徑在本體的中心。

根據本發明的一個或多個進一步實施例，形成用於拋光半導體表面之半球形拋光墊的裝置包含：第一平台；罩蓋形式耦接到第一平台，含有圓頂狀形成表面朝著遠離第一平台的方向用來承受拋光墊預成模型；第二平台跟第一平台間隔放置；氣囊，耦接到第二平台，面對罩蓋模型的圓頂狀形成表面；及加壓構件，耦接到第一和第二平台用來將第一和第二平台推向彼此以協助氣囊跟拋光墊預成模型的接合。

加壓構件可以將第二平台向第一平台移動一段距離將氣囊放置在離罩蓋模型之圓頂狀形成表面一段預定距離的地方。加壓構件可以包含一個或多個鉗夾用來鎖住第一和第二平台，使氣囊保持在預定距離。

氣囊可以依據流體壓力的變動來施加可控制的力量，使得罩蓋模型的圓頂狀形成表面從一邊壓向拋光墊預成模型，而氣囊從另外一邊壓向拋光墊預成模型。此流體可以是液體或氣體，如空氣。

此裝置的使用包括：將拋光墊預成模型放在圓頂狀形成表面上；將氣囊放在圓頂狀形成表面和拋光墊預成模型的對面；使用流體將氣囊充氣，使罩蓋模型的圓頂狀形成表面從一邊壓向拋光墊預成模型，而氣囊從另外一邊壓向拋光墊預成模型；並且維持此加壓步驟一段預定的時間來完成半球形的拋光墊。在充氣步驟期間，氣囊內的壓力可以增加到大約1巴。在將拋光墊預成模型放在圓頂狀形成表面之前可以讓拋光墊預成模型在直邊上沿著多個半徑的方向滾動和/或拖曳，使拋光墊預成模型的材料纖維軟化，而讓拋光墊預成模型變得更有彈性。此外，或可選擇性地可以讓拋光墊預成模型浸泡在溶劑中，使拋光墊預成模型變得更有彈性。

在配合附圖閱讀了這裡對本發明的描述之後，熟悉此技術的人將會清楚地瞭解到其他方面，特性，優點等。

參考附圖，其中相似數字用來代表相似的元件。圖2顯示了拋光墊預成模型20，用在球形的切線器具接觸拋光上例如透鏡，平坦表面，像SOI結構等等。雖然此拋 光墊預成模型20是平坦的，但是在成形處理之後，將會產生半球形的圓頂狀，正是切線器具接觸拋光所需要的構造。此拋光墊預成模型20包含圓形本體22，其含有中心24和外圍邊緣26。拋光墊預成模型20的特殊材料可以從任何已知的材料和供應商來選擇。

有多個細縫28從外圍邊緣26徑向延伸到中心24。如底下將更詳細討論的，細縫28允許材料釋除，在拋光墊預成模型20模鑄並附接到切線器具(沒有顯示)的罩蓋時，可以排除材料的聚集。這可以降低材料皺痕，並且讓配適更平順。在圖2顯示的實施例中，每固細縫28的寬度在整個細縫的長度上大體上保持不變。在這個實施例中，多個細縫28均勻地放置在本體22的外圍邊緣26上，使得細縫28彼此距離大約30度角。

此實施例之細縫28的細節特性可以有幾種表示方式，例如絕對尺寸，相對尺寸等等。例如，細縫28的寬度可以是大約0.1到大約0.4英吋，而細縫28的長度可以是大約0.25到大約0.5英吋。以相對觀點來看，細縫的寬度可以是長度的大約20%-160%。相對於本體22的直徑，細縫的寬度可以是直徑的大約2%到大約10%，而細縫的長度可以是直徑的大約6%到大約15%。在此特定結構中，本體22的直徑大約是4英吋(雖然我們瞭解也可以考慮其他直徑)。

孔徑29配置在本體22的中心24最好呈圓形構造。孔徑29的尺寸可以用絕對或相對方式來表示。例如，孔徑 的直徑可以是大約0.5-1.0英吋，或大約本體22直徑的15%-25%。從拋光墊預成模型20中心24移除材料可以讓本體22具有更大的材料彈性，降低最終成形拋光墊中的皺痕(底下將更詳細討論)。

參考圖3，顯示另一個拋光墊預成模型30，也是用在切線器具接觸拋光中。再次地，雖然此拋光墊預成模型30是平坦的，但是在成形處理之後將會產生半球形的圓頂狀。此拋光墊預成模型30包含圓形本體32，含有中心34，和外圍邊緣36。再次地，有多個細縫38從外圍邊緣36徑向延伸到中心34。在這個實施例中，當拋光墊預成模型30平坦放置時，每個細縫38的寬度沿著細縫長度從外圍邊緣36向中心34逐漸變細。在這個實施例中，多個細縫38均勻地放置在本體32的外圍邊緣36上，使得細縫38彼此距離大約60度角。

此拋光墊預成模型30實施例之細縫38的細節包括：細縫38的寬度在外圍邊緣36處大約是0.1到大約0.4英吋(例如，當研磨墊預成模型的直徑大約是4英吋時)。細縫38的長度可以是大約0.5-1.5英吋。細縫38可以逐漸變細到一點，變圓，或可以橫向直切。以相對觀點來看，細縫38在外圍邊緣36的寬度可以是其長度的大約6%-80%。相對於本體32的直徑，細縫38在外圍邊緣的寬度可以是直徑的大約2%到大約10%，而細縫38的長度可以是直徑的大約12%到大約40%。

圖4-6顯示從拋光墊預成模型，例如上面所討論的拋 光墊預成模型20或拋光墊預成造型30，形成半球形拋光墊20A的裝置50。裝置50包含第一個和第二平台100、200，彼此間隔分開。第二平台200可以相對於第一平台100移動(不過在其他實施例中，此功能可以相反，或者兩個平台都可以移動)。第一平台100能夠以可釋除的方式以承受罩蓋模型102。罩蓋模型102包含圓頂狀形成表面104朝著遠離第一平台100的方向用來承受拋光墊預成模型20。

第二平台200可用來承受在罩蓋模型102之圓頂狀形成表面104對面的氣囊202。充氣口206連通氣囊202的內部體積以從中運送和移除流體(液體或氣體，例如空氣)。從圖5的橫截面圖最容易看出氣囊202包含接合表面208，當氣囊202中的壓力增加時，此接合表面會跟拋光墊預成模型20,30壓合到不同的程度。當平台100、200分隔很遠(如圖4和5)時，氣囊202的接合表面208會達到凸形，如同氣球型裝置所期望的。

裝置50包含一加壓構件用來將第二平台200朝第一平台100移動一段距離以便將氣囊202放置在離罩蓋模型102之圓頂狀形成表面104一段預定距離的地方。此加壓構件包含一個或多個對準栓300，固定在第一平台100上，以可滑動的方式由第二平台200上的孔徑302承受。此加壓構件也包含一個或多個夾鉗304A、304B、304C固定在第一平台100上，接合第二平台200(透過互補構件，未圖示)用來鎖住第一和第二平台100、200，使得 氣囊202維持在預定距離。鎖304可以使用螺栓和互補的螺柱來執行。

當平台100、200彼此間隔很近(如圖6)時，氣囊202的接合表面208壓向拋光墊預成模型20、30。氣囊202(及其接合表面208)的形狀從凸面轉成凹面來配對罩蓋模型102之圓頂狀形成表面104和拋光墊預成模型20、30的形狀。依據從入口206引進之流體的變動量和/或壓力，氣囊202可用來施加可控制力，使得罩蓋模型102的圓頂狀形成表面104從一邊壓向拋光墊預成模型20、30，而氣囊202的接合表面208從另一邊壓向拋光墊預成模型20、30。氣囊202內的壓力可以增加到大約1巴以提供足夠的力(一段時間)以完成圓頂狀拋光墊。

在將拋光墊預成模型20、30放在罩蓋模型102的圓頂狀形成表面104上之前，可以讓拋光墊預成模型20、30在直邊上沿著多個半徑的方向滾動和/或拖曳，使拋光墊預成模型20、30的材料纖維軟化，而讓拋光墊預成模型20、30變得更有彈性。此外，或可選擇性地，在將拋光墊預成模型20、30放在圓頂狀形成表面104上之前，可以讓拋光磨墊預成模型20、30浸泡在溶劑中以增加它的彈性。

圖7顯示當在裝置50中使用拋光墊預成模型20時，所形成的拋光墊20A。注意，在外圍邊緣26沒有如先前技術的皺痕。研磨墊20A的中心孔徑29允許更多的材料彈性，因此降低了皺痕。孔徑29還可以用來在罩蓋 103的圓頂狀形成表面104上放置一參考鈕70(由比拋光墊材料還硬的材料來製造)。按鈕70是用來設定工具軸相對於欲拋光之表面的位置。按鈕70是用來填滿中心孔徑29，因此應該跟所形成的拋光墊20A一樣厚度。按鈕70可以是強韌數倍的材料以避免在探測功能期間受到壓縮。探測功能設定拋光墊表面相對於局部表面(欲拋光的局部)的位置以便控制施加到局部表面的拋光壓力量。同時，探測功能會檢測局部表面相對於機械軸的幾何誤差以便在拋光動作期間作補償。按鈕70在一或多個點跟局部表面接觸，而機械控制承受從機械軸的感測器傳回的反饋以決定局部和拋光墊的位置。在探測期間，將軸餵入元件中直到拋光裝置的軸荷重元檢測到觸發荷重。當檢測到觸發荷重時，記錄下此軸的位置。這種觸碰荷重/位置感測是以電子方式來繪製局部表面。當用來探測局部表面時，中心按鈕70越硬，所產生的重現性誤差就越小。如果中心按鈕70很容易壓縮的話，它會產生無法重覆的探測觸發荷重，因而產生位置的重現性誤差。這種變形的拋光墊容易產生幾微米的製圖誤差。

圖8顯示當在裝置50中使用拋光墊預成模型30時所形成的拋光墊30A。再次注意到，在外圍邊緣36沒有如先前技術的皺痕。

形成裝置50也可以用來將所形成的拋光墊20膠合到拋光罩蓋103上。這是藉由移除罩蓋模型102(圖5-6)，並將拋光罩蓋103(圖7)安裝到第一平台100上來達成。 在安裝到第一平台100上之前或之後，將黏著劑放在罩蓋103的適當表面上。透過第一平台100上的流體配接(口)106，將由彈性材料製造的罩蓋103充氣到預定的作用壓力。將所形成的拋光墊20輕輕地放在罩蓋103上。其次，將第二個平台200下降並且鎖在固定位置，如同在形成拋光墊20(上面所討論的)時所做的一樣。橡膠氣囊202內的壓力可以調整以均勻分散負荷，將拋光墊20壓在適當位置而沒有皺痕或鬆弛的黏合區域。

雖然本發明已對特定實施例加以說明，人們瞭解本發明並不受限於本發明之原理以及應用。因而人們了解能夠對列舉性實施例作許多改變以及能夠設計其他排列而不會脫離下列申請專利範圍所界定出本發明精神及範圍。

10‧‧‧拋光墊

12‧‧‧皺痕

20‧‧‧拋光墊預成模型

20A、30A‧‧‧成形的拋光墊

22‧‧‧圓形本體

24‧‧‧中心

26‧‧‧外圍邊緣

28‧‧‧細縫

29‧‧‧孔徑

30‧‧‧拋光墊預成模型

32‧‧‧圓形本體

34‧‧‧中心

36‧‧‧外圍邊緣

38‧‧‧細縫

50‧‧‧裝置

70‧‧‧按鈕

100‧‧‧第一平台

102‧‧‧罩蓋模型

103‧‧‧罩蓋

104‧‧‧圓頂狀形成表面

106‧‧‧流體配接

200‧‧‧第二平台

202‧‧‧氣囊

206‧‧‧充氣口

208‧‧‧接合表面

300‧‧‧對準栓

302‧‧‧孔徑

304A、304B、304C‧‧‧鉗夾

304‧‧‧鎖

為了說明本發明各項目的，附圖所顯示的為本發明優先情況，不過人們瞭解本發明並不受限於所顯示精確排列以及構造。

圖1為依據先前技術拋光墊之透視圖。

圖2為依據本發明一項或多項實施例拋光墊預先切割出之頂部示意圖。

圖3為依據本發明一項或多項更進一步實施例拋光墊預先切割出之頂部示意圖。

圖4-6為依據本發明一項或多項實施例形成拋光墊裝置之透視部份切割圖。

圖7為依據本發明一項或多項實施例由圖2切割出所形成拋光墊之透視圖。

圖8為依據本發明一項或多項實施例由圖3切割出所形成拋光墊之透視圖。

20‧‧‧拋光墊預成模型

22‧‧‧圓形本體

24‧‧‧中心

26‧‧‧外圍邊緣

28‧‧‧細縫

29‧‧‧孔徑

Claims (5)

1. 一種形成用於拋光半導體表面之半球形拋光墊並將該半球形拋光墊安裝至一半球形拋光罩蓋的裝置，其包含：一第一平台；一可拆卸之罩蓋模型，其可選擇性地耦接到該第一平台，該罩蓋模型具有一圓頂狀形成表面，當該罩蓋模型耦接到第一平台時，該圓頂狀形成表面朝向遠離該第一平台的方向並用來承受拋光墊預成模型；一可拆卸之拋光罩蓋，其可選擇性地耦接到該第一平台，該拋光罩蓋具有一半球形外表面，當該拋光罩蓋耦接到該第一平台時，該半球形外表面朝向遠離該第一平台的方向並用來承受一半球形拋光墊；一第二平台，其與該第一平台間隔放置；一氣囊，其耦接到該第二平台且面對該罩蓋模型的圓頂狀形成表面；及一加壓構件，其耦接到該第一及第二平台用來將該第一和第二平台推向彼此以(1)當該罩蓋模型耦接到該第一平台時，促使該氣囊與該拋光墊預成模型的接合，以及(2)當該拋光罩蓋耦接到該第一平台時，促使該氣囊與該半球形拋光墊的接合。
2. 依據申請專利範圍第1項之裝置，其中該加壓構件可用來使該第二平台朝向該第一平台移動一段距離，以將該 氣囊設置於與下述之一者間隔一預定距離處：(1)該罩蓋模型之圓頂狀形成表面，(2)該拋光罩蓋之半球形外表面。
3. 依據申請專利範圍第2項之裝置，其中該加壓構件包含一個或多個夾鉗以用來鎖定該第一及第二平台，使得該第一及第二平台彼此間隔一預定距離，以使該氣囊定位於該預定距離處。
4. 依據申請專利範圍第1項之裝置，其進一步包含：一第一加壓流體源，其與該氣囊之內部連通以使用一加壓流體將氣囊充氣，使得：(1)當該罩蓋模型耦接到該第一平台時，該氣囊壓向該拋光墊預成模型之一邊，同時該罩蓋模型壓向該拋光墊預成模型之另一邊，或(2)當該拋光罩蓋耦接到該第一平台時，該氣囊壓向該半球形拋光墊之一邊，同時該拋光罩蓋壓向該半球形拋光墊之另一邊；且其中該氣囊可以依據流體壓力的變動來施加可控制的力量，使得：(1)該罩蓋模型的圓頂狀形成表面與該氣囊以可控制的力量壓向拋光墊預成模型，或(2)該拋光罩蓋的半球形外表面與該氣囊以可控制的力量壓向拋光墊。
5. 依據申請專利範圍第4項之裝置，其中該流體為氣體。