TWI431271B - 瑕疵檢測系統及方法 - Google Patents

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TWI431271B
TWI431271B TW099123238A TW99123238A TWI431271B TW I431271 B TWI431271 B TW I431271B TW 099123238 A TW099123238 A TW 099123238A TW 99123238 A TW99123238 A TW 99123238A TW I431271 B TWI431271 B TW I431271B
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Description

瑕疵檢測系統及方法
本發明係為一種瑕疵檢測系統及方法,更詳而言之,係關於一種利用時頻分析法來對晶矽產品進行碎裂瑕疵檢測之瑕疵檢測系統及方法。
在太陽能板等晶矽產品的製程檢測過程中,最重要的就是要快速且正確地檢測出具有碎裂瑕疵之產品並將其排除,以維持產品的良率及可靠度。而碎裂瑕疵分為可由肉眼辨識出之外部碎裂瑕疵及無法由肉眼辨識出之內部碎裂瑕疵,而檢測過程的重點往往在於如何即時地檢測出具有內部碎裂瑕疵之產品。
如第M350015號台灣公告專利所揭示,係為一種光致電元件檢測裝置,其可透過解析光致電元件激發的聲波訊號於頻域中之頻譜圖,來檢測出例如為太陽能板之光致電元件中是否具有碎裂瑕疵。惟,該光致電元件檢測裝置係透過共振的方式來使光致電元件上之裂縫激發出聲波訊號,但一般而言,透過共振方式不易使無法由肉眼辨識出之內部碎裂瑕疵激發出聲波訊號,因此,實際應用時,該光致電元件檢測裝置通常無法檢測出具有內部碎裂瑕疵之太陽能板。再者,前述之光致電元件檢測裝置還必需搭配預存有標準聲波訊號之頻譜圖的資料庫始可進行後續的分析和檢測,額外增加了使用者的負擔。此外,僅針對聲波訊號於頻域中之頻譜圖進行分析所做出之檢測結果,其準確度往往不足,以致無法有效地檢測出具有外部或內部碎裂瑕疵的太陽能板。
另外,第20050097961A1號及第20060062403A1號美國公開公報,亦揭示了一種檢測技術,詳而言之,係對例如為太陽能板之待測基板所激發出之聲波訊號進行頻域分析,以藉由該聲波訊號於頻域中之頻譜圖檢測出太陽能板中是否具有碎裂瑕疵。然而,上開先前技術所揭示之檢測技術係透過直接敲擊待測基板的方式來令其激發出聲波訊號,往往會因操作不當等因素而對待測基板造成損傷。再者,上開檢測方法亦須搭配預存有標準聲波訊號之頻譜圖的資料庫,同樣會增加使用者的負擔。此外,由於上開檢測方法也僅針對聲波訊號於頻域中之頻譜圖進行分析,故,仍然無法提供準確度較高的檢測結果。
而關於第4603584號美國公告專利所揭示的檢測技術,由於仍僅限於對聲波訊號於頻域中之頻譜圖進行分析,因此還是無法提供準確度較高的檢測結果。
有鑑於此,如何提供一種用於檢測晶矽產品之瑕疵檢測系統及方法,除了肉眼可辨識出的外部碎裂瑕疵外,更能精確地檢測出無法由肉眼辨識出之內裂瑕疵,同時,也不會對待測之晶矽產品造成任何不當的損傷,亦不會增加使用者之負擔,亟為各界所急待解決之課題。
鑒於上述習知技術之缺點,本發明乃提供一種瑕疵檢測系統及方法,以同時精確地檢測出能為肉眼辨識出之外部碎裂瑕疵,以及無法由肉眼辨識出之內裂瑕疵。
為達到上述目的及其他目的,本發明提供一種用以檢測晶矽產品之瑕疵檢測系統,係包括固定裝置、微振動激發裝置、擷取裝置、及分析檢測裝置,其中,該固定裝置係用以固定該晶矽產品,該微振動激發裝置係用以令該固定裝置所固定之晶矽產品產生微振動,進而使該固定裝置所固定之晶矽產品發出激發訊號,該擷取裝置係用以擷取該激發訊號,而該分析檢測裝置係用以藉由特定的分析法對擷取之激發訊號進行時頻分析以產生分析結果。
本發明所提供之用以檢測晶矽產品之瑕疵檢測方法,包括以下步驟:(1)令該晶矽產品產生微振動,以使其發出激發訊號;(2)擷取該晶矽產品所發出之該激發訊號;以及(3)藉由特定的分析法對所擷取之該激發訊號進行時頻分析,以得到分析結果。
綜上所述,本發明之瑕疵檢測系統及方法,先使晶矽產品產生微振動以產生激發訊號,接著再擷取該激發訊號,以藉由特定的分析法對該激發訊號進行時頻分析以得到分析結果,進而依據該分析結果檢測出該晶矽產品(例如瑕疵大小、瑕疵位置、瑕疵數量及/或瑕疵走向等)的瑕疵狀態。除了可精確地檢測出晶矽產品的外部碎裂瑕疵以及內裂瑕疵外,也不會對待測之晶矽產品造成任何不當的損傷,亦不會增加使用者之負擔。
以下係藉由特定的具體實施例說明本發明之技術內容,熟悉此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地暸解本發明之其他優點與功效。本發明亦可藉由其他不同的具體實例加以施行或應用,本說明書中的各項細節亦可基於不同觀點與應用,在不悖離本發明之精神下進行各種修飾與變更。
請同時參閱第1A、1B、1C、1D、1E圖,係繪示本發明之瑕疵檢測系統之基本架構圖,如圖所示,瑕疵檢測系統1係包括固定裝置10、微振動激發裝置11、擷取裝置12、隔離裝置13、分析檢測裝置14、及顯示裝置15。
固定裝置10係用以固定例如為多晶矽薄型基板或單晶矽薄型基板之晶矽產品B。於第1A至1C圖所示之實施例中,固定裝置10係具有一個或多個可彈性擺動之夾置件100,以藉由該夾置件100夾置晶矽產品B之邊緣部位,進而達到固定的效果,而晶矽產品B可為太陽能板。另外,固定裝置10亦可設計為具有吸附件(未圖示)之真空吸引裝置,而其實施方式即如第1D及1E圖所示,係用以吸引並固定住晶矽產品B。當然,亦可隨使用者之需求將夾置件100及吸附件予以整合。
微振動激發裝置11係用以令固定裝置10所固定之晶矽產品B產生微振動,進而使晶矽產品B得以藉由微振動發出激發訊號。於本實施例中,微振動激發裝置11可為接觸式的敲擊器,或者是為非接觸式的氣動噴嘴、超音波產生器及/或聲波共鳴器。再者,微振動激發裝置11之輸出功率係可隨著晶矽產品B的規格而有所調整,亦即,可隨著待測之晶矽產品B的結構特徵調整適當的輸出功率,避免晶矽產品B於微振動的過程中,因功率過大而對晶矽產品B造成不當的損傷(例如破片)。其次,微振動激發裝置11還可使晶矽產品B產生一次以上不同方向的微振動,而晶矽產品B發出之激發訊號,係為微振動訊號,如聲波訊號。
值得注意的是,微振動激發裝置11的數量、設置方位、及致動方式,皆可隨著不同的需求予以改變。舉例而言,可如第1A、1D、1E圖所示般,僅設置單一個微振動激發裝置11於晶矽產品B之垂直側;也可如第1C圖所示般,僅設置單一個微振動激發裝置11於晶矽產品B之水平側;當然,亦可如第1B圖所示般,以陣列形式同時設置複數個微振動激發裝置11,並依序致動陣列中不同的微振動激發裝置11。
擷取裝置12係用以擷取晶矽產品B藉由微振動激發裝置11所發出的激發訊號,於本實施例中,擷取裝置12可為具備有相關的訊號放大電路及濾波電路之工業專用麥克風或噪音計。另外,擷取裝置12尚可包含有記錄功能,藉此清晰地重現晶矽產品B所發出的所有微振動訊號。
隔離裝置13可與擷取裝置12相連接,用以將固定裝置10、微振動激發裝置11及擷取裝置12與外部環境隔離,使擷取裝置12得以於無干擾或低干擾的環境中擷取晶矽產品B產生的激發訊號。於本實施例中,隔離裝置13可將固定裝置10、微振動激發裝置11及擷取裝置12隔離,達成隔音效果。
分析檢測裝置14係用以藉由特定的分析法對擷取裝置12擷取之激發訊號進行時頻分析,以產生該激發訊號於時域及頻域下的分析結果,並依據該分析結果對晶矽產品B進行檢測,以檢測出晶矽產品B之瑕疵狀態。於本實施例中,分析檢測裝置14可為具有分析演算功能之智慧型處理設備,且包含用以紀錄擷取裝置12擷取之激發訊號及/或分析檢測裝置14所作出之分析結果的紀錄模組(未圖示)。再者,於本實施例中,分析檢測裝置14係可選擇性地藉由短時傅立業轉換法、連續小波轉換法及/或希爾伯特-黃轉換法來對擷取裝置12擷取之激發訊號進行時域及頻域的綜合性分析,以得到該激發訊號之時間、頻率與能量之變化結果,藉此,分析檢測裝置14即可進一步特徵化該激發訊號之時間、頻率與能量之變化結果,並再藉由人工智慧演算法(例如類神經網路及/或支持向量機)對特徵化後之變化結果進行分析,以檢測出晶矽產品B之各種瑕疵情形,像是外部碎裂瑕疵或內部碎裂瑕疵,或是判斷晶矽產品B之瑕疵大小、瑕疵位置、瑕疵數量或及/或瑕疵走向。
而顯示裝置15,係用以選擇性地顯示分析檢測裝置14所產生之分析結果或所檢測出之瑕疵情形。於本實施例中,顯示裝置15可為液晶螢幕。
需提出說明的是,本發明之瑕疵檢測系統1可依據使用者的預算、需求或實施環境選擇性地設置或不設置隔離裝置13及顯示裝置15,換言之,本發明之瑕疵檢測系統1僅設置固定裝置10、微振動激發裝置11、擷取裝置12、及分析檢測裝置14即可運作。
而為了清楚說明前述分析檢測裝置14所進行之分析、檢測作動,請同時參閱第2A至2F圖,其中,第2A圖係繪示分析檢測裝置14對未具有碎裂瑕疵之晶矽產品作出分析後得到之典型時域訊號圖,第2B圖為其頻域訊號圖,第2C圖為其時頻訊號能量分佈圖;而第2D圖係繪示分析檢測裝置14對具有碎裂瑕疵之晶矽產品作出分析後得到之典型時域訊號圖,第2E圖為其頻域訊號圖,第2F圖為其時頻訊號能量分佈圖。
假設晶矽產品B為不具有碎裂瑕疵之產品,當微振動激發裝置11令晶矽產品B發出激發訊號後,擷取裝置12會擷取該激發訊號以供分析檢測裝置14對該激發訊號進行分析運算,此時,分析檢測裝置14即會先運算出如第2A圖之時域訊號圖及第2B圖之頻域訊號圖,爾後,分析檢測裝置14即利用短時傅立業轉換法、連續小波轉換法、及/或希爾伯特-黃轉換法對該時域訊號圖及該頻域訊號圖進行綜合性的分析,以得到如第2C圖所示之時頻訊號能量分佈圖。
另外,假設晶矽產品B係為具有碎裂瑕疵之產品,當微振動激發裝置11令晶矽產品B激發出激發訊號後,擷取裝置12同樣地會擷取該激發訊號以供分析檢測裝置14對該激發訊號進行分析運算,而分析檢測裝置14會先運算出如第2D圖所示之時域訊號圖及第2E圖之頻域訊號圖,爾後,分析檢測裝置14會再利用短時傅立業轉換法、連續小波轉換法及/或希爾伯特-黃轉換法對該時域訊號圖及該頻域訊號圖進行綜合性的分析,以得到如第2F圖所示之時頻訊號能量分佈圖。
比較第2C圖與第2F圖的時頻訊號能量分佈圖,分析檢測裝置14對具有碎裂瑕疵之晶矽產品B進行時域及頻域的綜合分析後所得到之時頻訊號能量分佈圖(第2F圖),係具有一個或數個脈衝突波W,而不具有碎裂瑕疵之晶矽產品B之時頻訊號能量分佈圖(第2C圖),則不會具有任何脈衝突波W,因此,分析檢測裝置14可利用人工智慧演算法判斷出所得到之頻訊號能量分佈圖中是否具有脈衝突波W,並以此作為檢測晶矽產品B之瑕疵情形的依據。
申言之,分析檢測裝置14尚可以網格化的方式特徵化所運算出的激發訊號之時間、頻率與能量之變化結果,再透過類神經網路及/或支持向量機等人工智慧演算法檢測經特徵化後的變化結果,以進一步提昇檢測的精確度及效率。以第2F圖所示之時頻訊號能量分佈圖為例,分析檢測裝置14可先將該時頻訊號能量分佈圖以網格化的方式特徵化為如第3圖所示之能量網格圖C,而由於能量網格圖C中之區域C1、C2可表示有能量集中,能量網格圖C中之複數個區域C3可表示無能量集中,因此,分析檢測裝置14藉由人工智慧演算法自動地從能量網格圖C之能量分佈情形,精準、快速地檢測出晶矽產品B係為具有碎裂瑕疵的產品。另外,由於能量網格圖C中之區域C1、C2的密集度可代表能量量化的程度,因此,亦可藉此檢測出產品的碎裂瑕疵程度,而區域C3的數目係可隨預設的解析度而有所調整,並不以圖中所示之數目為限。
需補充說明的是,脈衝突波W的數量,係隨著晶矽產品B發出激發訊號的次數而變更,而激發訊號的次數係隨著微振動激發裝置11令晶矽產品B產生微振動的次數而定,亦即,脈衝突波W的數量係可隨著使用者對微振動激發裝置11之設定有所變更,且脈衝突波W係為一種暫態特徵。此外,由第2B圖及第2E圖之頻域訊號圖的內容即可得知,不論晶矽產品B是否具有碎裂瑕疵,其頻域訊號的差異性並不明顯,因此,一般僅透過分析聲波訊號於頻域中之頻譜圖之習知技術,並無法得到精確的分析結果。
實際實施時,分析檢測裝置14是否得以有效地檢測出晶矽產品B之瑕疵狀態,部份取決於微振動激發裝置11令晶矽產品B產生的微振動,是否順向於晶矽產品B中碎裂瑕疵的方向紋理,以令具有碎裂瑕疵之晶矽產品B順利地發出激發訊號。於此考量下,本發明之瑕疵檢測系統1復可選擇性地設置有用以對固定裝置10進行方向變換的轉向裝置(未圖示),且本發明之微振動激發裝置11,係可設定為於預定的時間(例如7秒),令固定裝置10固定之晶矽產品B產生複數次微振動(例如5次),藉此,假設待測之晶矽產品B係為具有碎裂瑕疵的產品,在微振動激發裝置11令晶矽產品B產生的複數次微振動過程中,轉向裝置會同步地轉動固定裝置10之方向,以使複數次微振動中至少會有一次的方向順向於碎裂瑕疵之方向紋理,據此提昇檢測的精確度。
為了清楚說明對固定裝置10進行方向變換的實施態樣,請一併參閱第1A、4A及4B圖,其中,第4A圖係繪示固定裝置10之夾置件100夾置於晶矽產品B的較短邊之俯視圖,而第4B圖係繪示固定裝置10之夾置件100夾置於晶矽產品B的較長邊之俯視圖。
如圖所示,晶矽產品B中係具有一方向紋理趨近平行於晶矽產品B較短邊之內部裂痕B1,因此,於微振動激發裝置11令晶矽產品B產生複數次微振動的過程中,轉向裝置即可令該固定裝置10依序進行方向變換,亦即,令固定裝置10之夾置件100輪流固定住晶矽產品B的較短邊(第4A圖)及較長邊(第4B圖),藉此保證複數次微振動過程中必定會有一次的方向順向於內部裂痕B1。
需補充的是,前述之轉向裝置除了設計為用以對固定裝置10進行方向變換之外,亦可設計為用以對微振動激發裝置11進行方向之變換,換言之,微振動激發裝置11可於令晶矽產品B產生複數次微振動的過程中,同步或非同步地藉由轉向裝置變換不同的設置方向,以提昇檢測的精確度。
其次,於本發明之固定裝置10為真空吸引裝置時,如第1D圖及第1E圖所示,本發明之轉向裝置即可用以令為真空吸引裝置之固定裝置10進行旋轉,藉此進行方向變換。
請參閱第5圖,係繪示本發明用以檢測晶矽產品之瑕疵檢測方法的步驟流程圖。
於步驟S1中,係令晶矽產品產生微振動,以使其發出激發訊號,接著進至步驟S2。於本實施例中,尚可令晶矽產品於預定的時間內產生一次以上不同方向之微振動,以使該晶矽產品於預定的時間內發出複數次激發訊號。
於步驟S2中,係擷取該激發訊號,接著進至步驟S3。於本實施中,可藉由包含有訊號放大電路及濾波電路之工業專用麥克風擷取該激發訊號,同時,復可於執行步驟S2時,一併地紀錄擷取到的激發訊號。
於步驟S3中,係藉由特定的分析法對擷取之激發訊號進行時頻分析,以得到分析結果,接著進至步驟S4。於本實施例中,可藉由短時傅立業轉換法、連續小波轉換法及/或希爾伯特-黃轉換法對擷取之該激發訊號進行時域及頻域的綜合性分析,以得到該激發訊號之時間、頻率與能量之變化結果。
於步驟S4中,以步驟S3中之分析結果為依據,進一步檢測出該晶矽產品之瑕疵狀態。
於本實施例之一實施態樣,步驟S4可先以例如網格化的方式特徵化該激發訊號之時間、頻率與能量之變化結果,再藉由人工智慧演算法對特徵化後之變化結果進行分析,以檢測出晶矽產品之瑕疵情形,亦即,步驟S4係可藉由相關的智慧型運算處理設備,先網格化該激發訊號之時間、頻率與能量之變化結果,再藉由類神經網路及/或支持向量機對網格化後之變化結果進行分析,以判斷該晶矽產品之瑕疵情形。
而於本實施例之另一實施態樣,步驟S4亦以該激發訊號之時間、頻率與能量之變化結果中,是否出現有相關的脈衝突波為依據,並以人工目測的分析方式檢測晶矽產品之瑕疵情形,換言之,可藉由人工目測的方式,判斷該激發訊號之時間、頻率與能量之變化結果中是否出現相關的脈衝突波,而於發現脈衝突波時,即可進一步判斷晶矽產品係具有碎裂瑕疵。
另外,本發明之瑕疵檢測方法於執行完步驟S4後,復可繼續執行步驟S5(未圖示),該步驟S5係為將步驟S4中所檢測出之瑕疵情形予以顯示,藉此提供予相關的檢測人員進行觀測。而依據檢測人員的需求,本發明之瑕疵檢測方法亦可僅執行步驟S1至步驟S3。
而本發明所述之短時傅立業轉換法、連續小波轉換法、及希爾伯特-黃轉換之詳細運算方法,可分別參的於The Royal Society發表之論文“The empirical mode decomposition and the Hilbert spectrum for nonlinear and non-stationary time series analysis”;於IOPscience發表之論文“Misalignment diagnosis of rotating machinery through vibration analysis via the hybrid EEMD and EMD approach”;及於ScienceDirect發表之論文“Vibration analysis of a cracked rotor using Hilbert-Huang transform”。
綜上所述,本發明之瑕疵檢測系統及方法,以微振動激發裝置使晶矽產品產生微振動而產生激發訊號,接著再利用擷取裝置擷取該激發訊號,以令分析檢測裝置藉由特定的分析法對該擷取裝置擷取之激發訊號進行時頻分析以得到分析結果,進而令該分析檢測裝置依據該分析結果檢測出發出激發訊號之晶矽產品的瑕疵情形。藉此,本發明之瑕疵檢測系統及方法,可同時、精確地檢測出晶矽產品之外部碎裂瑕疵及內裂瑕疵外,且不會對待測之晶矽產品造成任何不當的損傷,亦不需要增設額外的資料庫,減輕使用者的生產成本。
以上所述之實施例,僅係用以說明本發明之特點及功效,而非用以限定本發明之實質技術內容的範圍,本發明之實質技術內容係廣義地定義於下述之申請專利範圍中,任何他人所完成之技術實體或方法,若與下述之申請專利範圍定義者為完全相同、或是一種等效之變更,均將被視為涵蓋於此專利範圍中。
1...瑕疵檢測系統
10...固定裝置
100...夾置件
11...微振動激發裝置
12...擷取裝置
13...隔離裝置
14...分析檢測裝置
15...顯示裝置
B‧‧‧晶矽產品
B1‧‧‧內部裂痕
C‧‧‧能量網格圖
C1、C2、C3‧‧‧區域
S1~S4‧‧‧步驟
W‧‧‧脈衝突波
第1A圖係為本發明之瑕疵檢測系統之基本架構圖;
第1B圖係為第1A圖所示之系統一實施例的局部示意圖;
第1C圖係為第1A圖所示之系統另一實施例的局部示意圖;
第1D圖係為第1A圖所示之系統又一實施例的局部示意圖;
第1E圖係為第1A圖所示之系統再一實施例的局部示意圖;
第2A至2C圖係分別為本發明之分析檢測裝置對未具有碎裂瑕疵之晶矽產品所作出的典型時域訊號圖、頻域訊號圖、及時頻訊號能量分佈圖;
第2D至2F圖係分別為本發明之分析檢測裝置對具有碎裂瑕疵之晶矽產品所作出的典型時域訊號圖、頻域訊號圖、及時頻訊號能量分佈圖;
第3圖係為本發明之分析檢測裝置對具有碎裂瑕疵之晶矽產品之時頻訊號能量分佈圖進行特徵化後所得到的典型能量網格圖;
第4A圖係為第1圖之固定裝置及晶矽產品於一實施態樣中之俯視圖;
第4B圖係為第1圖之固定裝置及晶矽產品於另一實施態樣中之俯視圖;以及
第5圖係為本發明之瑕疵檢測方法之步驟流程圖。
1...瑕疵檢測系統
10...固定裝置
100...夾置件
11...微振動激發裝置
12...擷取裝置
13...隔離裝置
14...分析檢測裝置
15...顯示裝置
B...晶矽產品

Claims (20)

  1. 一種瑕疵檢測方法,係用以檢測晶矽產品,包括以下步驟:(1)令該晶矽產品於預定的時間內產生一次以上不同方向之微振動,以使該晶矽產品於該預定的時間內發出激發訊號;(2)擷取該晶矽產品所發出之激發訊號;以及(3)藉由特定的分析法對所擷取之該激發訊號進行時頻分析,以得到分析結果。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之瑕疵檢測方法,復包括步驟(4),係依據該分析結果檢測該晶矽產品之瑕疵狀態。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之瑕疵檢測方法,其中,步驟(2)復包括紀錄所擷取之該激發訊號之步驟。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之瑕疵檢測方法,其中,步驟(3)係藉由短時傅立業轉換法、連續小波轉換法或希爾伯特-黃轉換對所擷取之該激發訊號進行時域及頻域的綜合性分析,以得到該激發訊號之時間、頻率與能量之變化結果。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之瑕疵檢測方法,其中,步驟(3)係藉由短時傅立業轉換法、連續小波轉換法或希爾伯特-黃轉換對所擷取之該激發訊號進行時域及頻域的綜合性分析,以得到該激發訊號之時間、頻率與能量之變化結果;而步驟(4)係依據該激發訊號之時間、 頻率與能量之變化結果中是否出現脈衝突波,而判斷該晶矽產品之瑕疵大小、瑕疵位置、瑕疵數量及/或瑕疵走向。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之瑕疵檢測方法,其中,步驟(4)係特徵化該激發訊號之時間、頻率與能量之變化結果,並藉由人工智慧演算法分析該變化結果以檢測出該晶矽產品之瑕疵狀態。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之瑕疵檢測方法,其中,特徵化該激發訊號之時間、頻率與能量之變化結果的步驟,係指網格化該激發訊號之時間、頻率與能量之變化結果。
  8. 如申請專利範圍第2項所述之瑕疵檢測方法,復包括步驟(5),係利用特定裝置顯示該瑕疵狀態。
  9. 一種瑕疵檢測系統,係用以檢測晶矽產品,包括:固定裝置,係用以固定該晶矽產品;微振動激發裝置,係使該經固定之晶矽產品產生微振動,進而使該晶矽產品產生激發訊號;擷取裝置,係用以擷取該激發訊號;分析檢測裝置,係用以藉由特定的分析法對所擷取之該激發訊號進行時頻分析以產生分析結果;以及轉向裝置,用以對該固定裝置進行方向變換,其中,該微振動激發裝置藉由該轉換裝置於預定的時間內令該經固定之晶矽產品產生一次以上不同方向的微振動,進而發出激發訊號。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之瑕疵檢測系統,復包括隔離裝置,係用以隔離該固定裝置、該微振動激發裝置以及該擷取裝置,以使該擷取裝置於無干擾或低干擾的環境中擷取該激發訊號。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之瑕疵檢測系統,復包括顯示裝置,係用以顯示該晶矽產品之瑕疵狀態。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之瑕疵檢測系統,復包括用以對該微振動激發裝置進行方向變換之另一轉向裝置,其中,該微振動激發裝置藉由該另一轉換裝置於預定的時間內令該經固定之晶矽產品產生一次以上不同方向的微振動,進而發出激發訊號。
  13. 如申請專利範圍第9項所述之瑕疵檢測系統,其中,該分析檢測裝置復包含紀錄模組,係用以紀錄該擷取裝置所擷取之該激發訊號及/或該分析檢測裝置所產生之分析結果。
  14. 如申請專利範圍第9項所述之瑕疵檢測系統,其中,該分析檢測裝置係藉由短時傅立業轉換法、連續小波轉換法或希爾伯特-黃轉換法對該擷取裝置所擷取之該激發訊號進行時域及頻域的綜合性分析,以得到該激發訊號之時間、頻率與能量之變化結果。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之瑕疵檢測系統,其中,該分析檢測裝置復藉由網格化之方式特徵化該激發訊號之時間、頻率與能量之變化結果,以藉由人工智慧演算法法分析該變化結果以檢測出該晶矽產品之瑕疵狀 態。
  16. 如申請專利範圍第9項所述之瑕疵檢測系統,其中,該固定裝置係包含夾置件及/或吸附件,以藉由該夾置件及/或吸附件固定該晶矽產品。
  17. 如申請專利範圍第9項所述之瑕疵檢測系統,其中,該微振動激發裝置係為氣動噴嘴、超音波產生器及/或聲波共鳴器。
  18. 如申請專利範圍第9項所述之瑕疵檢測系統,其中,該產品係為薄型基板。
  19. 如申請專利範圍第9項所述之瑕疵檢測系統,其中,該激發訊號係為振動訊號。
  20. 如申請專利範圍第9項所述之瑕疵檢測系統,其中,該分析檢測裝置復用以依據該分析結果檢測出該晶矽產品之瑕疵狀態。
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