TWI430357B - 電漿蝕刻室 - Google Patents

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TWI430357B
TWI430357B TW096121415A TW96121415A TWI430357B TW I430357 B TWI430357 B TW I430357B TW 096121415 A TW096121415 A TW 096121415A TW 96121415 A TW96121415 A TW 96121415A TW I430357 B TWI430357 B TW I430357B
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Seung-Hyun Chung
Geun-Ho Kim
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Sosul Co Ltd
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Description

電漿蝕刻室
本發明涉及用來乾蝕刻晶圓的設備，特別是有關一種用於電漿蝕刻殘留在半導體晶圓邊緣上之膜層以及沉積在該半導體晶圓周圍之顆粒的電漿蝕刻腔室。
一般會利用電漿蝕刻來移除堆疊在晶圓表面上的膜層。但是，在此過程中，因為會殘留堆疊膜層，因此也會產生顆粒。這些顆粒無法被完全移除且某些顆粒會沉積在晶圓周圍。
為了將沉積在晶圓周圍的顆粒完全移除，已研發出一種電漿蝕刻腔室，其之環狀上、下電極分別位在放置有晶圓之晶圓吸座的上、下方，在兩電極上施加電壓同時並引入一反應氣體到晶圓邊緣，並以所產生的電漿來清除沉積在晶圓周圍處的顆粒。
已知的電漿蝕刻腔室包含一外罩(其內有一與外界隔絕的空間)，一環狀上方電極(位在外罩內之一上方部位處而可被垂直移動)，一氣體分配板(位在上方電極中央並形成一可供反應氣體通過的通道)，一晶圓吸座(其可垂直運作使得該吸座可接收穿過一閘門的晶圓)，及一環狀下方電極(位在周圍)。
在維持氣體分配板與晶圓表面間距為0.1~0.6mm(一般為0.35mm)的同時，實施電漿蝕刻。由於在嚴苛條件下 仍須維持間距誤差單位在0.05mm，因此需要能非常精確地調整該間距。此外，晶圓中央不應偏離晶圓吸座的中心位置且不應被離心加載。
同時，操作期間，反應副產物是沉積在在電漿蝕刻腔室中的上方與下方電極及組件周圍。因此，必須定期拆掉腔室才能徹底清潔。
在已知的電漿蝕刻腔室中，上方與下方電極是被分別垂直驅動，且用來支撐上方電極的絕緣物是透過外罩上蓋中央來進行支撐。因此，在拆卸或組裝該腔室時，上方電極與相鄰組件間的對齊勢必有變化。因此，在拆卸或組裝該腔室時，會使上方電極和晶圓表面間的間距改變或是造成晶圓無法對齊。結果，每次都必須再次重新精確地調整該間距或對準度。
再者，在電漿蝕刻之前，必須以肉眼檢查外罩內放在晶圓吸座上表面的晶圓是否已正確地對準。但是，因為傳統電漿蝕刻腔室在其中央處設有一垂直移動桿，以便垂直移動該上方電極，使得可用肉眼從上方檢查晶圓吸座並從外面監測晶圓是否已對準。
此外，在傳統電漿蝕刻腔室中，在以吸座夾住晶圓在腔室內並蝕刻晶圓或是將已蝕刻的晶圓釋放的過程中，都可能破壞晶圓。
晶圓吸座本身還設有一單獨的機制，用來吸住或放開晶圓。實例之一為當加載晶圓時，可真空吸住晶圓下表面的真空吸座。此外，蝕刻時，電荷會因為電漿而累積在晶圓 表面。這些電荷會搖晃晶圓表面使其受到損害。特別是，閘極膜層呈現很容易就會被聚積在晶圓表面上的電荷所破壞的性質。
此外，當以聚亞醯胺(polyimide)作為晶圓吸座時，在加載或卸載晶圓時不會出現滑動。但是，聚亞醯腔很容易就會被電漿所破壞，因此很難將其用在晶圓吸座上。
因此，本發明目的在於解決上述問題。本發明目的之一在於提供一種電漿蝕刻腔室，其具有一種結構使得即使外罩的蓋已經打開/關閉以便清潔和維修腔室時，上方電極與下方電極仍可對齊不偏移。
本發明另一目的在於提供一種電漿蝕刻腔室，其具有一種結構使得可從一外罩的上方中央處以肉眼或觀察工具來觀察晶圓是否對齊。
本發明再一目的在於提供一種電漿蝕刻腔室，其能夠移除電荷並透過引入一靜電吸座到晶圓吸座上來避免傷害晶圓，並避免因為在蝕刻時的電漿在晶圓上所造成的電荷累積。
本發明另一目的在於提供一種電漿蝕刻腔室，當加載一晶圓到一晶圓吸座上時，該電漿蝕刻腔室可防止滑動。
本發明另一目的在於提供一種電漿蝕刻腔室，其具有一種結構，能夠自動控制一晶圓的蝕刻時間以防止過度蝕刻並容許原位監測。
為了達成上述目的，提供一電漿蝕刻腔室，包含：一外 罩，其內有一與外界隔絕的空間，以及可由一蓋而打開/關閉的上表面；一上方電極組件，被裝設在該外罩內與該蓋分開，使得在打開/關閉該蓋時，仍可保持此上方電極組件的位置不變；一下方電極組件，裝設在該上方電極組件之下，可在外罩內垂直移動；及用以垂直移動該下方電極的構件。
此外，此下方電極組件可包含一用來停放晶圓的晶圓吸座以及一位於晶圓吸座周圍處的環狀下方電極。
此外，此晶圓吸座可由陶瓷製成，其中並有一可容納由聚亞醯胺製成的中央風扇的空間。
此外，一經由切換構件而接地的一環狀放電電極經架設在晶圓吸座邊緣處。在此，可在該中央風扇內設置一經由直流產生器來供電的靜電電極以便利用靜電電荷來吸住或放開晶圓。
此外，此電漿蝕刻腔室可具有一原位監測工具，其設在該外罩內的一抽氣通道內並可偵測殘留在由電漿蝕刻所產生的氣體內的顆粒。此時，該原位監測工具可包括彼此面對面而設立的一發光部件和一吸光部件。
此外，該上方電極組件可停放在由外罩側壁上形成的階梯上，並可以一鎖定構件加以固定。
此外，該垂直移動構件可包括：一柱，從該下方電極往下延伸並突出到外罩外部；一螺桿，由伺服馬達所驅動；一載具，當該螺桿旋轉時可隨著該螺桿而垂直移動；和一支撐桿，連接到該柱和該載具上。
此外，在該外罩與該蓋之間還插設有一密封件。
此外，還可在該柱周圍架設一用來保持氣密狀態的摺管。
此外，為了達成上述目的，提供一電漿蝕刻室，其包含：一外罩，其內有一與外界隔絕的空間，以及可由一蓋而打開/關閉的上表面；一上方電極組件，被裝設在該外罩內；一下方電極組件，裝設成可在外罩內垂直移動於該上方電極組件之下；一晶圓，停放在該下方電極組件上；用以垂直移動該下方電極的構件；和一透明觀察窗，設在該上方電極組件中央並可容許從外面觀察晶圓是否對齊。
此外，更可在該外罩一上表面的中央位置設置一透明觀察窗。
此外，更可在形成於上方電極組件中央或是該外罩之上表面中央位置處的觀察窗上方，設置一CCD攝影機。
此外，可分別在該觀察窗的中央或是該下方電極的中央設置對準標記，使得可依據該些對準標記是否彼此對準來檢查該上方與下方電極組件是否已彼此對準。
此外，該些對準標記可為十字形。
此外，該透明材料包括石英或藍寶石。
如上述，依據本發明的電漿蝕刻室具有以下優點。
首先，在外罩內的上方電極是被固定在固定位置處，不受蓋打開/關閉的影響，同時實施微控制，使得下方電極組件可相對上方電極微幅移動而形成電漿蝕刻時所必須有的間距。因此，即使蓋經常被打開及關上，上方及下方電極 組件的配置關係並不會因此而改變。此外，還可透過下方電極組件的垂直移動而實施超精確的次毫米控制。
其次，與前技相反，可省略用來垂直移動上方電極組件的構件，因此可實現簡化結構的目的。
第三，由於可輕易地經過蓋將上方電極拆下，因此每次使用後可輕易地清潔上方電極主體、氣體分配板和晶圓吸座。
第四，因為可以肉眼或適當的觀察工具(如，CCD攝影機)來觀察外罩內部，因此可排除因為蝕刻前未對準所造成的缺陷因數。
第五，晶圓吸座內部係由聚亞醯胺做成且其周圍係由陶瓷做成，因此可避免加載晶圓時晶圓滑動，因此可實現精確對準並防止因電漿所造成的晶圓損害。此外，因為可使用價格低廉的聚亞醯胺，因此也可節省製造成本。
第六，因為可檢查是否有顆粒殘留在放電氣體中並以原位監測工具來分析放電氣體組成，因此可自動控制電漿蝕刻時間，避免過度蝕刻。
以下，將參照附圖說明本發明一較佳實施方式。在以下的說明中，為不造成本發明模糊不清，已知功能與組裝方式將省略而不再詳述。
第1圖為依據本發明一實施方式之電漿蝕刻室的部份側視圖；第2圖為依據本發明一實施方式之電漿蝕刻室的 平面視圖；第3圖示出架設在第1圖蓋之觀察窗上的CCD攝影機；且第4圖示出待一晶圓吸座被升高後，一電漿蝕刻室的部分側視圖。
參照第1圖，依據本發明一實施方式之電漿蝕刻室包含：一外罩，其內有一與外界隔絕的空間，以及可由一蓋4而打開/關閉的上表面。
該蓋4透過一典型構件而與外罩2連接。例如，其可使用螺栓和螺帽這種直接鎖定的方式或是透過挾鉗(clamp)構件進行連接。在外罩2與蓋4之間插較佳地設有諸如O-形環之類的密封件。
在外罩2的一上方部份設有一上方電極組件8，當蓋4被打開時會暴露到外界。此上方電極組件8包含一由導體製成的上方電極主體80，其係可拆卸地裝設在外罩2內；一上方電極81被固接在上方電極主體80的底表面上並有一由絕緣體製成的氣體分配板82設在上方電極主體80的內側。
在上方電極81與氣體分配板82間有一反應氣體通道84，可遠過此通道導入從反應氣體管83所供應的反應氣體至晶圓W的邊緣。此外，從一底表面上緊鄰氣體分配板82中央處以一擋板87在一預訂範圍形成一惰性氣體通道86，用來引入由惰性氣體管85所供應的惰性氣體(如，氮氣、氦氣等類)。如此形成的通道84和86兩者在平面上看都呈圓形。
同時，可透過個別連接管88、89而將反應氣體管83 和惰性氣體管85，以可拆裝的方式分別連接到其對應的氣體通道84和86的入口上。透過此可拆裝的連接管88、89，可輕易地從外罩2將上方電極組件8拆下或裝上。
更好是，可在不需惰性氣體管85和連接管89的情況下，將惰性氣體引入至惰性氣體通道86內。為此目的，也在外罩2側壁和上方電極主體80內設有水平、單獨通道，用以連通惰性氣體通道86。藉此，可直接通過外罩2和上方電極主體80而將惰性氣體引入至惰性氣體通道86中。
此外，也可在不需反應氣體管83和連接管88的情況下，將反應氣體引入至反應氣體通道84內。為此目的，也在外罩2上方側壁內設有導入孔，用以引入反應氣體。透過此導入孔，可將反應氣體直接引入到外罩2的內部空間中。所引入的反應氣體可穿過一垂直通道而流進該反應氣體通道84內。
在外罩2的托架12上裝設有一鎖定構件10，用來可拆裝式地固定該上方電極組件8。
該鎖定構件10可以為任何形狀，只要其能被精確地定位並固定上方電極主體80即可。例如，在外罩2側壁的一部分處形成一用來支撐上方電極主體80的台階12，同時，停放在此台階12上的上方電極主體80係透過螺栓或銷(pin)而垂直地固定。同時，在該上方電極主體80相應處形成一可讓螺栓或銷通過的通孔。為了將上方電極主體80固定，若使用螺栓就相對地使用一螺帽，若使用銷就相對地使用一挾鉗(clamp)。
此外，容許螺栓或銷通過的通孔的直徑可大於螺栓或銷的直徑，以便將間距固定，而能在固定上方電極主體80時調整對準。
在外罩2側面設有一垂直移動構件14。此垂直移動構件14包含一螺桿141，裝設成可通過一對柱承接部件140之間；一伺服馬達142，用來精確地旋轉驅動該螺桿141；和一載具143，其可隨著該螺桿141螺旋轉動而往上及往下移動。
在該上方電極組件8下方設有一下方電極組件16，其可隨著垂直移動構件14而垂直移動。
下方電極組件16包含：一晶圓吸座160，位在氣體分配板82對面並可垂直移動；和一環狀下方電極161，其以絕緣方式連接到晶圓吸座160周邊並位在該環狀上方電極81的對面。晶圓吸座160係透過一絕緣板162而裝設在一裝設板163的上表面。
在該裝設板163的底部中央固接有一延伸到外部的柱164。該柱的長形端係一體成形地(在垂直方向上)連接到一從該載具143延伸出來的支撐桿144上。在該柱164周圍設有一摺管165，使得垂直移動時可保持氣密狀態。
在外罩2的側面設有一抽氣通道20，透過閘閥18而打開或關閉。在該抽氣通道20的長形末端設有一乾式幫浦22，用來收集供應到外罩2的反應氣體和惰性氣體以及由蝕刻所產生的顆粒。
此外，在外罩2的側面設有一可打開的狹縫閥24，在 加載晶圓W到晶圓吸座160之上表面或從該上表面卸下晶圓W時，可以該狹縫閥24作為一通道。在上方電極下端連接有一用來接收光的間距感應器26，以及一用來發射光的間距感應器28，其相對彼此而設。
該用來接收光的間距感應器26可包括一CCD攝影機且該用來發射光的間距感應器28可包括一短波長燈或雷射裝置(其發射光線的方向性較佳)。
在蓋4中央設有一透明材料(如，石英或藍寶石)製成的觀察窗30。在上方電極組件8的中央位置也設有一觀察窗90。該觀察窗30、90係同心設置。
在觀察窗30、90的中央有可以指示是否對準的對準標記32、92，例如，第2圖所示的十字形(+)。因此，可以肉眼正確地檢查晶圓W是否已對準中央位置。同時，也可使用不同形狀的對準標記。
第3圖為另一觀察實例。在外罩2的觀察窗30上有一個一體成形的CCD攝影機34。藉此，可以另一獨立的監視器來放大該加載在晶圓吸座上的晶圓W的對準狀態，使得可更精確地檢查該對準狀態。此外，也可以該CCD攝影機34所拍攝的合成影像來檢查對準狀態並計算誤差。
此外，在實際操作時，也可以相同方式透過晶圓吸座160上之觀察窗90，在加載晶圓以便進行對準檢查時，透過觀察窗90來檢查對準狀態，該觀察窗90中央處有十字形的對準標記。此時，當有錯誤發生時，可調整用來傳送晶圓W的一把手的位置或操作範圍，藉此來調整晶圓的對 準狀態。
具有如上所述結構的電漿蝕刻腔室係依據如下順序進行操作。
首先，可以肉眼或CCD攝影機34透過安裝在蓋4上的觀察窗30以及安裝在上方電極組件8的觀察窗90，來觀看放置在晶圓吸座160上的晶圓W的對準狀態。因此，可在蝕刻前測出被不正確加載的晶圓，藉以降低缺陷比例。同時，當外罩2的蓋4被打開時，可輕易地將上方電極組件從外罩2拆下或將上方電極組件安裝到外罩2。
當已檢查完晶圓W的對準狀態之後，垂直移動構件14會將下方電極組件16升高到一預訂位置，使得上方電極81與晶圓的邊緣表面彼此隔著一間距。
處理期間，從安裝在外罩2側面上用來發射光線的間距感應器28會被升高位置的下方電極組件16上的晶圓W所遮蔽，導致光線品質改變。藉此，用來吸收光線的間距感應器26會傳送一用來偵測光線品質降低的訊號。此訊號乃是一控制訊號，會被回饋到伺服馬達124上來控制馬達的轉動驅動。換言之，伺服馬達124會因為用來吸收光線的間距感應器26的偵測訊號而停止，使得上方電極81與其對面的晶圓W上表面邊緣間會相隔一預訂間距。
依據本發明後續處理步驟，反應氣體被引入至晶圓W邊緣並造成電漿放電，至於晶圓內部則是受到惰性氣體保護的未放電區域，因此只會蝕刻晶圓W的邊緣。用來蝕刻晶圓W的邊緣的蝕刻步驟乃屬習知，在此省略其操作細節 不再進一步詳述。
第5圖為依據本發明另一實施方式之晶圓吸座的部分側視圖；第6圖則示出依據本發明一實施方式之電漿蝕刻室的原位監測工具的配置實例。
依據本發明一實施方式之電漿蝕刻室，晶圓吸座160一般是由陶瓷材料製成。參照第5圖，晶圓吸座160內部有一空間，可容納一由聚亞醯胺所做成的中央風扇166。施用到中央風扇166的聚亞醯胺具有一高表面摩擦係數。因此，當晶圓W被放置在中央風扇166的上表面時，不會產生滑動。藉此，可主動地抑制在加載晶圓W時所可能出現的無法對準缺陷，並減少晶圓吸座160的製造成本。
此外，由於聚亞醯胺本身容易受到電漿破壞，晶圓吸座160並非全部都以聚亞醯胺來製造。換言之，如第5圖所示，晶圓吸座160接觸電漿的外表面邊緣與底表面是由陶瓷材料製成，但其內部不會接觸到電漿的部分，則是由聚亞醯胺製成。
此外，依據本發明一實施方式之電漿蝕刻室，晶圓吸座160可由一靜電吸座所構成。在此情況下，在晶圓吸座160的上表面邊緣更設有一環形放電電極，而其中央風扇166上則螺旋設置有一靜電電極168。
晶圓吸座160邊緣寬度L被設定為10mm或更高，使得放電電極167與靜電電極168間有足夠的間距。此放電電極167係經由一切換構件169而接地，並有一直流產生器170連接到該靜電電極168上。
被靜電電極168充電的電荷形成靜電電場的同時，晶圓吸座160則作為一可吸住(chucking)或放開(de-chucking)晶圓W的靜電吸塊。
更詳細地說，在吸住的過程中，直流產生器170以正電荷對靜電電極168充電，其與晶圓W的電荷極性相反，藉以形成一正極的靜電塲，以便利用極性相反的強吸引力吸住晶圓W。相反的，在放開的過程中，直流產生器170以負電荷對靜電電極168充電，其與晶圓W的電荷極性相同，藉以形成一正極的靜電塲，以便利用極性相同的強排斥力排斥並放開晶圓W。
此外，靜電電極168的配置形狀並不僅限於所述的螺旋形式。
在吸住/放開過程，某些施加在靜電電極168上的電荷會經過中央風扇166而聚積在上表面。因為所累積的電荷之故，晶圓W另一面的底表面就會被相反極性的電荷所充電。此種現象會提高吸住晶圓的力量或作為干擾放開的另一種力量。
因此，當電漿蝕刻完成後，需打開切換構件169使晶圓底表面上的充電電荷流到放電電極167上。在電漿蝕刻開始前，此切換構件169必須再度回到關閉狀態。同時，直流產生器170會供應電壓，其被轉變成與所施加電力極性相反的電壓，送到靜電電極168，以便使用與目前充電之正電荷相反極性的負電荷來進行充電。結果，中央風扇166的上表面極性即被中和，因而不會有電荷殘留的問題。
此外，也可在電漿蝕刻室中設置用來自動控制蝕刻時間的構件。
第6圖示出一種原位監測工具40的實例，其具有一種使一發光部件36與一吸光部件38彼此相對而設於抽氣通道20的結構，使得能自動控制蝕刻時間。
此原位監測工具40，以其中的吸光部件38接收來自發光部件36所發射出來的光，再將其轉變成電子訊號。換言之，當從抽氣通道20放出來的氣體包含大量的顆粒時，從可發光部件36發射出來的光線會被折射和散射，使得吸光部件38所能偵測到的光線量會增加或減少。依據電子訊號隨光線量而變，來控制蝕刻時間。此原位監測工具40並非只裝設在抽氣通道20中。舉例來說，即使其設置在側面與可接收光線的間距感應器26及可發光的間距感應器28同步，還是可以經由在上方電極81和晶圓W上表面間的氣體流動，來檢查是否有顆粒殘存並控制蝕刻時間。
透過控制蝕刻時間，可防止晶圓表面受到電漿的過度蝕刻。
以上已參照實施例及附圖說明本發明實施方式，須知習知技藝人士可在不悖離本發明精神範疇下對本發明做各種修改與變化，這些修改與變化仍應視為以下申請專利範圍所界定的範疇。
2‧‧‧外罩
4‧‧‧蓋
8‧‧‧上方電極組件
10‧‧‧鎖定構件
12‧‧‧托架
14‧‧‧垂直移動構件
16‧‧‧下方電極組件
18‧‧‧閘閥
20‧‧‧抽氣通道
22‧‧‧乾式幫浦
24‧‧‧狹縫閥
26‧‧‧用來接收光的間距感應器
28‧‧‧用來發射光的間距感應器
30、90‧‧‧觀察窗
32、92‧‧‧對準標記
34‧‧‧CCD攝影機
36‧‧‧發光部件
38‧‧‧吸光部件
40‧‧‧原位監測工具
80‧‧‧上方電極主體
81‧‧‧上方電極
82‧‧‧氣體分配板
83‧‧‧反應氣體管
84‧‧‧反應氣體通道
85‧‧‧惰性氣體管
86‧‧‧惰性氣體通道
87‧‧‧擋板
88、89‧‧‧連接管
140‧‧‧柱承接部件
141‧‧‧螺桿
142‧‧‧伺服馬達
143‧‧‧載具
144‧‧‧支撐桿
160‧‧‧晶圓吸座
161‧‧‧環狀下方電極
162‧‧‧絕緣板
163‧‧‧裝設板
164‧‧‧柱
165‧‧‧摺管
166‧‧‧中央風扇
167‧‧‧放電電極
168‧‧‧靜電電極
第1圖為依據本發明一實施方式之電漿蝕刻室的部份 側視圖；第2圖為依據本發明一實施方式之電漿蝕刻室的平面視圖；第3圖示出架設在第1圖蓋之觀察窗上的CCD攝影機；第4圖示出待一晶圓吸座被升高後，一電漿蝕刻室的部分側視圖；第5圖為依據本發明另一實施方式之晶圓吸座的部分側視圖；第6圖示出依據本發明一實施方式之電漿蝕刻室的原位監測工具的配置實例。
2‧‧‧外罩
4‧‧‧蓋
8‧‧‧上方電極組件
10‧‧‧鎖定構件
12‧‧‧托架
14‧‧‧垂直移動構件
16‧‧‧下方電極組件
18‧‧‧閘閥
20‧‧‧抽氣通道
22‧‧‧乾式幫浦
24‧‧‧狹縫閥
用來接收光的間距感應器
28‧‧‧用來發射光的間距感應器
30、90‧‧‧觀察窗
32、92‧‧‧對準標記
34‧‧‧CCD攝影機
36‧‧‧發光部件
38‧‧‧吸光部件
40‧‧‧原位監測工具
80‧‧‧上方電極主體
81‧‧‧上方電極
82‧‧‧氣體分配板
83‧‧‧反應氣體管
84‧‧‧反應氣體通道
85‧‧‧惰性氣體管
86‧‧‧惰性氣體通道
87‧‧‧擋板
88、89‧‧‧連接管
140‧‧‧柱承接部件
141‧‧‧螺桿
142‧‧‧伺服馬達
143‧‧‧載具
144‧‧‧支撐桿
160‧‧‧晶圓吸座
161‧‧‧環狀下方電極
162‧‧‧絕緣板
163‧‧‧裝設板
164‧‧‧柱
165‧‧‧摺管
166‧‧‧中央風扇
167‧‧‧放電電極
168‧‧‧靜電電極

Claims (18)

  1. 一種電漿蝕刻腔室，包含：一外罩，其內有一與外界隔絕的空間，和一可由一蓋而打開/關閉的上表面；一上方電極組件，裝設在該外罩內與該蓋分開，使得在打開/關閉該蓋時，仍可保持此上方電極組件的位置不變；一下方電極組件，裝設在該上方電極組件之下，可在外罩內垂直移動，一晶圓停放在此下方電極組件上；及用以垂直移動該下方電極的構件；其中多個透明觀察窗被提供在上方電極組件之一中央處與在該外罩之一上表面之一中央處；且多個對準標記分別形成在該些觀察窗的中央與該下方電極組件的中央上，使得可依據該些對準標記是否彼此對齊而來檢查該上方和下方電極組件彼此是否對準。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電漿蝕刻腔室，其中該下方電極組件包含一晶圓吸座(其上可停放晶圓)，及一環狀下方電極(位在該晶圓吸座之一週圍處)。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之電漿蝕刻腔室，其中該下方電極組件包含一晶圓吸座(其上可停放晶圓)，且該晶圓吸座係由陶瓷製成，且該晶圓吸座內並具有一空間，可容納由聚醯亞胺製成的一中央風扇。
  4. 如申請專利範圍第2或3項所述之電漿蝕刻腔室，其中經由一切換構件而接地之一環狀放電電極係裝設在該晶圓吸座的一邊緣上，且一經由一直流產生器來供應電力的靜電電極係設在一中央風扇內，以便利用靜電電荷來吸住或放開該晶圓，該中央風扇由聚亞醯胺形成且被容納在該晶圓吸座的一空間中。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之電漿蝕刻腔室，更包含一原位監測工具，設在該外罩之一抽氣通道內並可偵測因電漿蝕刻所產生之氣體中殘留的顆粒，其中該原位監測工具包含一發光部件和一吸光部件，其彼此面對面而設。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之電漿蝕刻腔室，其中該上方電極組件停放在一階梯上(該階梯係形成在該外罩之一側壁上)並以一鎖定構件加以固定。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之電漿蝕刻腔室，其中該垂直移動構件包含：一柱，從該下方電極往下延伸並突出到外罩外部；一螺桿，由一伺服馬達所驅動；一載具，當該螺桿旋轉時可隨著該螺桿而垂直移動；和一支撐桿，連接到該柱和該載具上。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之電漿蝕刻腔室，其中一密封件係插設在該外罩與該蓋之間。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之電漿蝕刻腔室，其中一摺管被架設在該柱周圍，用來保持氣密狀態。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之電漿蝕刻腔室，其中該上方電極組件包含：一上方電極主體，其係可拆卸式地裝設在該外罩內；一環狀上方電極，固定地連接到該上方電極主體的一底表面；一氣體分配板，形成該上方電極之一內側上的一反應氣體通道；和一擋板，形成該氣體分配板之一底表面上的惰性氣體通道。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之電漿蝕刻腔室，其中設置有可連通外部與該惰性氣體通道的多個水平通道，在該外罩之一側壁上與該上方電極主體上。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之電漿蝕刻腔室，其中在該外罩之一上方側壁上設有用來引入反應氣體的一導入孔，且該反應氣體是經由形成在該上方電極主體上的一垂直通道而被直接引入至該反應氣體通道。
  13. 如申請專利範圍第6項所述之電漿蝕刻腔室，其中 該鎖定構件包含一螺栓或一銷(pin)，且一可讓該螺栓或銷通過其中之通孔係形成在該上方電極組件，且該通孔的尺寸是比該螺栓或銷的尺寸來得大。
  14. 一種電漿蝕刻腔室，包含：一外罩，其內有一與外界隔絕的空間，和一可由一蓋而打開/關閉的上表面；一上方電極組件，裝設在該外罩內；一下方電極組件，裝設在該上方電極組件之下，可在外罩內垂直移動，一晶圓停放在此下方電極組件上；及用來垂直移動該下方電極的構件；其中拖個透明觀察窗設置在該上方電極組件之一中央處與在該外罩之一上表面之一中央處；且多個對準標記分別形成在該些觀察窗的中央與該下方電極組件的中央上，使得可依據該些對準標記是否彼此對齊而來檢查該上方和下方電極組件彼此是否對準。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之電漿蝕刻腔室，其中更在該觀察窗(形成於該上方電極組件的中央)的上方設置有一CCD攝影機。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之電漿蝕刻腔室，其中更在該觀察窗(形成於該外罩之一上表面的中央)的上方設置有一CCD攝影機。
  17. 如申請專利範圍第17項所述之電漿蝕刻腔室，其中該對準標記為十字形。
  18. 如申請專利範圍第14項所述之電漿蝕刻腔室，其中該透明材料包括石英或藍寶石。
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