TWI428979B - 基板處理方法及儲存媒體 - Google Patents

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Description

基板處理方法及儲存媒體
本發明與基板處理方法及儲存媒體有關，用於致使電腦實施該方法的程式被電腦可讀取地儲存在該儲存媒體中，且特別與具有其中有以靜電吸附一基板之靜電夾盤之蝕刻設備之基板處理系統所用的基板處理方法及儲存媒體有關。
使用電漿在做為基板之晶圓之正表面形成所要圖案之接線槽或貫穿孔的基板處理系統係由塗佈機、曝光設備、顯影機、蝕刻設備、及清洗設備構成，塗佈機在晶圓的正表面塗佈正型光阻；曝光設備使已經由加熱或類似方法而硬化之光阻中的部分接受曝光；顯影機使用顯影液去除晶圓之正表面未接受曝光的光阻，因此形成光阻膜；蝕刻設備使晶圓的正表面接受蝕刻處理，例如RIE(反應離子蝕刻)處理；以及清洗設備去除光阻膜。近年來，在這類基板處理系統中，從節省空間的觀點，塗佈機與顯影機通常是整合在一起。
蝕刻設備具有一有外罩的反應室，其容納晶圓，並在其內產生電漿，在該反應室內設置有靜電夾盤，在晶圓接受蝕刻處理時，將該晶圓靜電地吸附於其上(例如見日本先期公開之專利公告(Kokai)No.2005－347620)。
在曝光設備中，以紫外光或類似物照射晶圓正表面上關於所要光罩圖案之相反圖案的光阻。近年來，隨著所要光罩圖案變得愈來愈細，這類曝光設備中所用UV光的波長也變得較短，例如193 nm的波長。如果波長較短，則焦點的景深也縮短，且平坦度與晶圓傾斜的公差也因此變小。特別是，在這類曝光設備中，有複數個針狀突出物支撐晶圓的背表面，且因此晶圓的平坦度及晶圓的傾斜受晶圓背表面上的刮傷、外來物質等的影響甚鉅。
為在晶圓上實現複雜半導體裝置的接線結構或電極結構，該晶圓必須在基板處理系統中重複地接受蝕刻處理，且每次實施蝕刻處理時，晶圓被靜電地吸附於靜電夾盤。靜電夾盤的表面覆蓋以氧化釔(Y2 O3 )，且被吸附之晶圓(以矽(Si)製成)的背表面可能會被刮傷。此外，存在於靜電夾盤之表面上的異物可能被轉移到晶圓的背表面上，且因此變成黏附於其上。
黏附於晶圓背表面上的異物可經由使用清洗液或類似物濕洗去除。不過，尚無已知的方法能有效地去除晶圓背表面上的刮傷。因此，由於晶圓背表面的刮傷有可能使晶圓的平坦度無法保持在允許的公差範圍內。此外，由於晶圓背表面上之刮痕與靜電夾盤之表面間的摩擦，致使氧化釔或類似物可能剝落(如灰塵)形成微粒。因此，當晶圓被靜電夾盤吸附時，必須防止晶圓背表面被刮傷。
本發明提供一基板處理方法，其能防止基板的背表面被刮傷，此類刮傷有礙基板的平坦度，且會造成微粒的產生，並提供儲存媒體，用以致使電腦實施該方法的程式被電腦可讀取地儲存該媒體中。
按照本發明的第一態樣，提供一基板處理方法，用於至少具有對基板實施電漿蝕刻處理之蝕刻設備的基板處理系統，該蝕刻設備中具有以靜電吸附該基板且適合接觸該基板之背表面的靜電夾盤，該方法包含以可硬化的樹脂塗佈該基板的正表面與該背表面的塗佈步驟，加熱該所塗佈之可硬化樹脂的加熱步驟，在該基板之該正表面上實施電漿蝕刻處理的蝕刻步驟，以及去除該經加熱之可硬化樹脂的清洗步驟。
按照上述的基板處理方法，在該基板之該正表面上實施電漿蝕刻處理之前，已塗佈在該基板之該背表面上的可硬化樹脂被加熱，且在對該基板之該正表面實施電漿蝕刻處理之後，從該基板之該背表面去除該經加熱的可硬化樹脂。結果是，該靜電夾盤接觸由可硬化樹脂在該基板之該背表面硬化而成的保護膜。當該基板被吸附在該靜電夾盤上時，可因此防止該基板的該背表面被刮傷，這類刮痕有礙該基板的平坦度，並致使微粒被產生。
按照本發明的第二態樣，提供一基板處理方法，用於至少具有對基板實施電漿蝕刻處理之蝕刻設備的基板處理系統，該蝕刻設備中具有以靜電吸附該基板且適合接觸該基板之背表面的靜電夾盤，該方法包含在該基板的該背表面上形成保護膜的背表面保護膜形成步驟，在該基板的正表面上實施電漿蝕刻處理的蝕刻步驟，以及去除該保護膜的保護膜去除步驟。
以此基板處理方法，在該基板之該正表面上實施蝕刻處理之前，先在該基板之該背表面上形成保護膜，並在實施過該基板之該正表面的蝕刻處理之後，從該基板之該背表面去除該保護膜。結果是，靜電夾盤接觸形成在該基板之該背表面上的保護膜。因此，當該基板被吸附於該靜電夾盤時，可防止該基板之該背表面被刮傷，這類刮痕有礙該基板的平坦度，且致使微粒被產生。
該基板處理方法可包括在該背表面上形成保護膜之後，但在對該正表面實施電漿蝕刻處理之前，先在該基板之該正表面上形成預定光罩圖案的光阻膜。
在此情況，在該背表面上形成保護膜之後，但在對該正表面實施電漿蝕刻處理之前，在該基板之該正表面上形成預定光罩圖案的光阻膜。結果是，保護膜的形成與光阻膜的形成可彼此分開實施，且因此該保護膜與該光阻膜每一個都可穩固地形成。此外，當該基板之該正表面接受曝光以形成該光阻膜時，該基板之該背表面由針狀突出物支撐，但該保護膜存在於該基板之該背表面與該突出物之間。結果是，該基板可被穩固地支撐，且因此該曝光可被穩固地實施。
該基板處理方法可包括在該背表面上形成保護膜之前，先在該基板之該正表面上形成預定光罩圖案的光阻膜形成步驟。
在此情況，在該保護膜形成於該基板之該背表面之前，先在該基板之該正表面上形成預定光罩圖案的光阻膜。結果是，保護膜的形成與光阻膜的形成可彼此分開實施，且因此該保護膜與該光阻膜每一個都可穩固地形成。
在該背表面保護膜的形成步驟中，該保護膜可藉由氣相沈積處理形成。
在此情況，該保護膜係藉由氣相沈積處理形成。結果是，該保護膜可被可靠地形成。
氣相沈積處理可以是化學氣相沈積(CVD)處理。
在此情況，該保護膜係藉由氣相沈積處理形成。結果是，可形成厚度穩定的保護膜，且因此能確實地防止該基板之該背表面被刮傷。
在形成該背表面保護膜的步驟中，該保護膜可藉由可硬化樹脂的塗佈處理形成。
在此情況，該保護膜可藉由塗佈處理形成。結果是，該保護膜可簡單地被形成。
按照本發明的第三態樣，提供一電腦可讀取儲存媒體，儲存用於致使電腦實施基板處理方法的程式，該基板處理方法用於至少具有對基板實施電漿蝕刻處理之蝕刻設備的基板處理系統，該蝕刻設備中具有以靜電吸附該基板的靜電夾盤，且被組構來接觸該基板的背表面，該方法包含以可硬化的樹脂塗佈該基板該之正表面與該背表面的塗佈步驟，加熱該所塗佈之可硬化樹脂的加熱步驟，在該基板之該正表面上實施電漿蝕刻處理的蝕刻步驟，以及去除該經加熱之可硬化樹脂的清洗步驟。
按照本發明的第四態樣，提供一電腦可讀取的儲存媒體，儲存用於致使電腦實施基板處理方法的程式，該基板處理方法用於至少具有對基板實施電漿蝕刻處理之蝕刻設備的基板處理系統，該蝕刻設備中具有以靜電吸附該基板的靜電夾盤，且被組構來接觸該基板的背表面，該方法包含在該基板之該背表面上形成保護膜的背表面保護膜形成步驟，在該基板之正表面上實施電漿蝕刻處理的蝕刻步驟，以及去除該保護膜的保護膜去除步驟。
從以下參考附圖對例示性實施例的描述中，將可明瞭本發明進一步的特徵。
以下將參考顯示較佳實施例的圖式詳細描述本發明。
首先描述實施按照本發明第一實施例之基板處理方法的基板處理系統。
圖1的概視圖顯示實施按照本實施例之基板處理方法之基板處理系統的結構。
如圖1所示，基板處理系統10係由塗佈機/顯影機11、蝕刻設備13、清洗設備14、與塗佈機/顯影機11、蝕刻設備13及清洗設備14平行設置的導軌15、AGV 16(自動導引載具)、及毗鄰塗佈機/顯影機11配置的曝光設備12所組成。
塗佈機/顯影機11具有塗佈機及顯影機的功能，塗佈機功能係在半導體裝置晶圓(在後文中僅稱為”晶圓“)(基板)W的正表面上塗佈由正型可硬化樹脂所構成的光阻，並在晶圓W的背表面上塗佈可藉由照射紫外光而硬化的光可硬化樹脂，顯影機功能則使用鹼性顯影液去除，在被塗佈後經由加熱或類似方法被硬化之光阻，接受曝光設備12之曝光處理成為關於預定光罩圖案相反之圖案的光阻，以便形成預定光罩圖案的光阻膜或類似物。
曝光設備12具有一晶圓枱(未顯示)，在其表面上具有針狀突出物用以支撐晶圓W，以及一紫外線照射燈(未顯示)，其面對該晶圓枱配置。曝光設備12將紫外光照射在已塗佈於晶圓W正表面的光阻上，以使該光阻接受曝光處理。在此，由於紫外光僅照射對應於關於預定光罩圖案相反之圖案部分的光阻，因此，只有相反圖案中的光阻被改變成鹼性溶液可溶解的光阻。當光阻在曝光設備12中接受曝光處理時，晶圓W係由晶圓枱上的針狀突出物所支撐。
蝕刻設備13具有用以傳送晶圓W的傳送系統及複數個處理模組17，如下所述，每一個模組對晶圓W的正表面實施RIE處理。
清洗設備14使用清洗液去除形成在正表面上的光阻膜及形成在晶圓W背表面上的樹脂保護膜。
AGV 16是運輸機器人，其沿著導軌15自由地移動，且其中裝有複數片晶圓W的晶圓匣CR架設於其上，AGV 16運送晶圓匣CR進入及離開各個設備(諸如塗佈機/顯影機11)。AGV 16按塗佈機/顯影機11、蝕刻設備13及清洗設備14的順序運送每一個晶圓匣CR。
圖2的前視概圖顯示圖1中出現之塗佈機/顯影機的結構。
如圖2所示，塗佈機/顯影機11是由晶圓匣站18、處理站19、介面段20所組成，晶圓匣站18實施塗佈機/顯影機11與AGV 16間每一晶圓匣CR的交遞，處理站19在每一晶圓W上實施光阻及光可硬化樹脂的塗佈及光阻膜的顯影，以及介面段20實施塗佈機/顯影機11與曝光設備12間之每一晶圓W的交遞。晶圓匣站18、處理站19、及介面段20被整合連接在一起。晶圓匣站18不僅實施塗佈機/顯影機11與AGV 16間每一晶圓匣CR的交遞，也從晶圓匣CR中取出或放入晶圓W。
處理站19具有各種單晶圓處理單元，按複數排配置，且每一個在一時間對一片晶圓W實施預定的處理。處理站19具有複數個單元群，並配置有晶圓傳送機構(未顯示)，該等單元群圍繞於該傳送機構，以便該傳送機構分配晶圓W給該等單元群，以及晶圓翻面單元(未顯示)，其反轉被分配的晶圓W。在複數個的單元群中，每一個單元群21a及21b包括有兩個塗佈單元(塗佈器)22a及22c，配置在單元群22a及22c間的晶圓翻面單元22b，配置在塗佈單元22c上方的硬化單元82a，以及配置在硬化單元82a上方的兩個顯影單元(顯影器)82b及82c。另一個單元群(未顯示)具有加熱爐單元，其內具有放置晶圓W的晶圓枱。
塗佈單元22a及22c分別在晶圓W的正表面上塗佈光阻及在晶圓W的背表面上塗佈光可硬化樹脂。顯影單元82b及82c使用鹼性顯影液，以從每一晶圓的正表面去除已接受曝光處理而改變為鹼性可溶解的樹脂。結果是，顯影單元82b及82c形成具有預定光罩圖案的光阻膜。硬化單元82a經由對已塗佈於每一晶圓W背表面上之光可硬化樹脂照射紫外光以實施曝光處理，因此硬化該光可硬化樹脂。此外，加熱爐單元加熱並因此硬化已塗佈於每一晶圓W之正表面上的光阻。
圖3斷面概視圖顯示出現於圖2中之塗佈單元的結構。
如圖3所示，塗佈單元22a由用以容納晶圓W其外形如盒之容納室的反應室23，配置在反應室23中央部位的旋轉夾盤24，配置以便包圍旋轉夾盤24的環形杯25，以及光阻噴灑機構26所構成。
旋轉夾盤24係由PEEK樹脂製成，並連接至一旋轉馬達(未顯示)，用以旋轉固定於其上的晶圓W。固定於旋轉夾盤24上的晶圓W在水平面上旋轉。此外，旋轉夾盤24可藉由一氣缸(未顯示)或類似物上升或下降。晶圓W被機械夾具或真空吸附(亦未顯示)夾具卡於旋轉夾盤24上。
杯25是一環形容器，且一開口29形成於其上部。當卡於旋轉夾盤24的晶圓W下降時，晶圓W通過該開口29被納入杯25中。在杯25的底部有過量液體排放管30。
光阻噴射機構26具有噴嘴31，配置在卡於旋轉夾盤24上表面之晶圓W的對面，光阻供應管32將噴嘴31連接至供應光阻的光阻供應設備(未顯示)，噴嘴托架33可分離地附接噴嘴31，以及噴嘴掃臂34，其末端具有噴嘴托架33。噴嘴掃臂34附接於垂直支撐構件36的上端，其配置於安裝在反應室23底部的導軌35上，可水平地移動。因此，噴嘴掃臂34可連同垂直支撐構件36在圖3的深度方向移動。
在反應室23的內壁上設置一晶圓W的傳送埠37，其位置與晶圓W被旋轉夾盤24抬升後同高。
在塗佈單元22a中，噴嘴31朝向在水平面旋轉之晶圓W的正表面噴灑光阻。在所噴灑的光阻到達晶圓W的正表面時，該光阻在晶圓W的正表面藉由離心力均勻地擴散開。結果是，該光阻被均勻地塗佈在晶圓W的正表面(旋轉塗佈處理)。此時，過量的光阻被杯25承接，並經由過量液體排放管30排放到外部。
另一方面，塗佈單元22c具有噴灑光可硬化樹脂的光可硬化樹脂噴灑機構(取代光阻噴灑機構26)。在此，每一晶圓W在送入塗佈單元22c的反應室23之前，先被晶圓翻面單元22b翻面。因此，在塗佈單元22c中，光可硬化樹脂噴灑機構面對晶圓W的背表面。在塗佈單元22c中所用的光可硬化樹脂，例如是含有具羧基群之纖維素衍生物的樹脂，且酸值為20至200 mgKOH/g。或者，在塗佈單元22c中，可用熱固型樹脂取代光可硬化樹脂塗佈於晶圓W的背表面，例如含聚醯亞胺的樹脂。
晶圓翻面單元22b其內具有一機械夾具，其夾住晶圓W的周緣。因此，在晶圓翻面單元22b中，晶圓W的正表面並不接觸機械夾具，且因此可避免形成在正表面上的半導體裝置被破壞。
在塗佈機/顯影機11中，從晶圓匣CR中取出的晶圓W被晶圓翻面單元22b翻轉，並首先由塗佈單元22c在晶圓W的背表面上塗佈光可硬化樹脂。接著，晶圓W被從塗佈單元22c傳送至硬化單元82a內。硬化單元82a以紫外光照射塗佈在晶圓W之背表面上的光可硬化樹脂以實施曝光處理，光可硬化樹脂因此而被硬化。結果是，塗佈在晶圓背表面上的光可硬化樹脂變為樹脂保護膜。之後，晶圓W被晶圓翻面單元22b翻轉。接著，以塗佈單元22a在晶圓W的正表面上塗佈光阻，由於晶圓W被翻轉，因此，其正表面現在朝上，之後，晶圓W被移出塗佈單元22a並送入加熱爐單元。接著，加熱爐單元加熱並因此硬化塗佈於晶圓W之正表面上的光阻。之後，晶圓W被介面段20傳送到曝光設備12，並放置在曝光設備12中的晶圓枱上。在此，以來自紫外線照射燈朝向晶圓W正表面的紫外光僅照射對應於關於預定光罩圖案之相反圖案的部分光阻。結果是，晶圓W之正表面上相反之圖案中的光阻被改變成鹼性可溶解。
接著，正表面上反相圖案中之光阻已接受曝光處理的晶圓W被介面段20傳送回塗佈機/顯影機11，並在顯影單元82b及82c中以鹼性顯影液去除正表面上該相反圖案中已被改變成鹼性可溶解的光阻。結果是，在晶圓W的正表面上形成預定光罩圖案的光阻膜。
圖4的斷面概視圖顯示出現於圖1中之蝕刻設備之處理模組的結構。
如圖4所示，處理模組17具有容納晶圓W於其中的處理室38。處理室38內設置一做為晶圓枱的圓柱形基座39，晶圓即放置於其上。
在處理模組17中，做為將基座39上方之氣體排放出處理室38之流動路徑的側排氣路徑40形成在處理室38的內壁與基座39的側表面之間。擋板41設置在沿著側排氣路徑40的半途。
擋板41是一板形構件，其上具有大量的孔，且作用如同隔間板，將處理室38隔成上半部與下半部。處理室38中被擋板41隔出的上半部42中設置有基座39，晶圓W即放置於其上，且電漿產生其內。在後文中，將處理室38的上半部42稱為”反應室“。此外，將氣體排出處理室38的粗排氣管44與主排氣管45開在處理室38的下半部43，在後文中稱為”岐管“。粗排氣管44連接乾式泵(DP)(未顯示)，主排氣管45連接渦輪分子泵(TMP)(未顯示)。此外，擋板41捕捉或反射反應室42內處理空間S中所產生的離子及自由基，因此可防止離子及自由基洩漏到岐管43中，如下所述。
粗排氣管44、主排氣管45、DP、TMP等共同構成排放設備。粗排氣管44與主排氣管45將反應室42內的氣體經由岐管43排放出處理室38。特別是，粗排氣管44將處理室38內的壓力從大氣壓力降至低空真狀態，以及主排氣管45與粗排氣管44共同操作，以將處理室38內的壓力從大氣壓力降至高空真狀態(例如不超過133帕(1托)的壓力)，其為比低真空狀態之壓力更低的狀態。
下方射頻電源46經由匹配器47連接到基座39。下方射頻電源46供應預定的射頻電力給基座39。因此，基座39做為下方電極。匹配器47減少基座39所反射的射頻電力，以便以最大的效率供應射頻電力給基座39。
設置在基座39之上部的碟形靜電夾盤49是由絕緣材料製成，例如氧化釔、氧化鋁(Al2 O3 )或二氧化矽(SiO2 )，其內具有電極板48。當晶圓W放置在基座39上時，該晶圓W係放置在靜電夾盤49上。一DC電源50電氣地連接至電極板48。當一負DC電壓施加至電極板48時，在晶圓W的背表面產生一正電位，且在晶圓W的正表面產生一負電位。因此，電極板48與晶圓W之背表面間產生一電位差，且晶圓W由於該電位差產生的庫倫力或Johnsen－Rahbek力被吸附及固定在靜電夾盤49的上表面。
此外，環形聚焦環51設置在基座39的上部，以便圍繞被吸附及固定在靜電夾盤49上的晶圓W。聚焦環51曝露在處理空間S中，並將處理空間S中的電漿朝向晶圓W的正表面聚焦，因此，增進了RIE處理的效率。
環形冷卻劑室52例如設置在基座39內，在基座39的圓周方向延伸。在一預定温度下的冷卻劑(例如是冷卻水或Galden液)經由冷卻劑管路53從冷凍單元(未顯示)通過冷卻劑室52循環。被吸附及固定在靜電夾盤49上之晶圓W的處理温度是經由冷卻劑的温度來控制。
複數個熱傳送氣體供應孔54開向靜電夾盤49上吸附及固定晶圓W的部分，在後文中稱為”吸附表面”。熱傳送氣體供應孔54經由熱傳送氣體供應線55連接到熱傳送氣體供應單元(未顯示)。熱傳送氣體供應單元經由熱傳送氣體供應孔54將做為熱傳送氣體的氦氣供應至靜電夾盤49之吸附表面與晶圓W之背表面間的間隙中。供應至靜電夾盤49之吸附表面與晶圓W之背表面間之間隙中的氦氣，將熱從晶圓W經由靜電夾盤49傳送至基座39。
在基座39之吸附表面內設置複數個頂針56，其可從靜電夾盤49突伸出做為抬升針。頂針56經由一球形螺絲(未顯示)連接到一馬達(未顯示)，且可經由該馬達的轉動從基座39的吸附表面突伸出，球形螺絲將馬達的轉動轉換成直線運動。當晶圓W被吸附且固定在基座39的吸附表面時，頂針56係裝在基座39的內部，以使晶圓W的正表面可接受RIE處理，當晶圓W接受完RIE處理後要從處理室38中取出時，頂針56從靜電夾盤49突伸出，以便抬升晶圓W離開基座39。
氣體導入蓮蓬頭57設置在處理室38(反應室42)的頂部，以便面對基座39。上方射頻電源59經由匹配器58連接到氣體導入蓮蓬頭57。因此，氣體導入蓮蓬頭57做為上方電極。匹配器58與稍早描述的匹配器47具有類似的功能。
氣體導入蓮蓬頭57具有頂電極板61，其上具有大量的氣孔60，且頂電極板61可分離地支撐在電極架62上。在電極架62內部設置緩衝室63。處理氣體導入管64連接到緩衝室63。從處理氣體導入管64供應到緩衝室63的處理氣體，由氣體導入蓮蓬頭57通過氣孔60供應到處理室38(反應室42)。
晶圓W的傳送孔65設置在處理室38之側壁上，晶圓W被頂針56從基座39抬升到的高度。在傳送孔65處設置真空閘閥66用以開啟及關閉傳送孔65。
如前所述，射頻電力供應至處理模組17之處理室38內的基座39及氣體導入蓮蓬頭57，以便將射頻電力施加到基座39與氣體導入蓮蓬頭57間的處理空間S，從氣體導入蓮蓬頭57供應到處理空間S的處理氣體據此轉變成高密度電漿，藉以產生離子及自由基；晶圓W的正表面接受該些離子的RIE處理等。
圖5的平面概視顯示出現於圖1中之清洗設備的結構。
如圖5所示，清洗設備14由清洗處理段67及傳送段68組成，前者對已接受RIE處理的晶圓W實施清洗處理，後者用來將晶圓W送入清洗處理段67或從其中取出。
傳送段68由用於放置AGV16所運送來之晶圓匣CR的晶圓匣枱69，以及具有傳送臂式晶圓傳送設備70的晶圓傳送段71所構成，晶圓傳送設備70在晶圓匣CR與清洗處理段67間實施晶圓W的交遞。上右隔間壁72設置在晶圓匣枱69與晶圓傳送段71之間。在隔間壁72上形成有多個埠73，分別位在對應於放置在晶圓匣枱69上之晶圓匣CR的位置。在每一埠73的晶圓傳送段71側設置一埠開/關機構74，使用快門或類似物開啟及關閉該埠73。
晶圓傳送設備70可在水平方向及垂直方向移動，且可在水平面中旋轉。晶圓傳送設備70將每一晶圓W從傳送段68送入清洗處理段67，以及從清洗處理段67送入傳送段68。
清洗處理段67係由傳送臂式傳送機構的主晶圓傳送設備75、當每一晶圓在主晶圓傳送段75與晶圓傳送段71間交遞時暫時放置每一晶圓的晶圓交遞單元76、基板清洗單元77,78,79,及80、以及用以儲存預定清洗液的清洗液儲存單元82構成，其所儲存的清洗液供應給基板清洗單元77,78,79,及80。主晶圓傳送設備75在水平方向及垂直方向可移動，且可在水平面轉動。主晶圓傳送設備75能夠存取所有晶圓傳送設備70及基板清洗單元77,78,79,及80。
每一個基板清洗單元77,78,79,及80其內可容納一晶圓W，並朝向容納於其內的晶圓W噴灑清洗液，例如鹼性水溶液，過氧化氫水溶液或硫酸鹽水。清洗液溶解並因此去除形成在晶圓W正表面上的光阻膜，並再溶解並因此去除形成在晶圓W之背表面上的保護膜。
接下來將解釋按照本發明的基板處理方法。
圖6係按照本發明之基板處理方法的流程圖。
如圖6所示，首先，AGV 16將晶圓匣CR交遞給塗佈機/顯影機11，且在塗佈機/顯影機11中，一晶圓W被晶圓匣站18從晶圓匣CR中取出，被晶圓翻面單元翻轉，並由晶圓傳送機構將其送入塗佈單元22c的處理室23，並由塗佈單元22c在晶圓W的背表面上塗佈光可硬化樹脂(步驟S61)(塗佈步驟)。
接下來，在塗佈機/顯影機11中，晶圓W被傳送至硬化單元82a內，使已塗佈在晶圓W之背表面上的光可硬化樹脂接受曝光處理，因此使光可硬化樹脂硬化(步驟S62)(硬化步驟)。結果是，在晶圓W的背表面上形成樹脂保護膜(步驟S63)(背表面保護膜形成步驟)。
接下來，在塗佈機/顯影機11中，晶圓W被晶圓翻面單元翻轉，並傳送至塗佈單元22a的處理室23內，並由塗佈單元22a在晶圓W的正表面塗佈光阻(步驟S64)(塗佈步驟)。
接下來，在塗佈機/顯影機11中，其上塗佈有光阻的晶圓W被傳送至加熱爐單元內，且加熱爐單元加熱並因此硬化已塗佈在晶圓W之正表面上的光阻(步驟S65)(硬化步驟)。
接下來，在塗佈機/顯影機11中，晶圓W被介面段20送入曝光設備12，且曝光設備12使光阻接受曝光處理，使來自紫外線照射燈朝向晶圓W之正表面的紫外光僅照射對應於關於預定之光罩圖案相反圖案的部分(步驟S66)。結果是，晶圓W正表面上該相反圖案中的光阻被改變成鹼性溶液可溶解。
接下來，表面上之光阻已接受曝光處理的晶圓W被塗佈機/顯影機11的介面段20送入塗佈機/顯影機11，且晶圓W正表面上該相反圖案中已改變成鹼性溶液可溶解的光阻被顯影單元82b及82c去除。結果是，預定光罩圖案的光阻膜形成在晶圓W的正表面上(步驟S67)。
接下來，在塗佈機/顯影機11中，表面上已形成有光阻膜的晶圓W被晶圓匣站18裝入晶圓匣CR中，且晶圓匣CR被交遞給AGV 16。接著，AGV 16從塗佈機/顯影機11移動到蝕刻設備13，並將晶圓匣CR交遞給蝕刻設備13的傳送系統。在蝕刻設備13中，晶圓W被從晶圓匣CR中取出，並被傳送系統送入處理模組17的處理室38，且晶圓W被吸附及固定在基座39的靜電夾盤49上。接著，蝕刻設備13使晶圓W的正表面在處理模組17中接受RIE處理(步驟S68)(蝕刻步驟)。
接下來，已接受RIE處理的晶圓W被蝕刻設備13的傳送系統裝入晶圓匣CR內，且該晶圓匣CR被交遞給AGV 16。接著，AGV 16從蝕刻設備13移向清洗設備14，並將晶圓匣CR交遞給清洗設備14的傳送段68。在清洗設備14中，晶圓W由晶圓傳送段71將晶圓匣CR送入清洗處理段67，並由主晶圓傳送設備75送入基板清洗單元77或類似單元內，並接著使用基板清洗單元77或類似單元來溶解並因此去除形成在晶圓W之正表面上的光阻膜，並再溶解並因此去除形成在晶圓W背表面上的樹脂保護膜(步驟S69)(清洗步驟)(保護膜去除步驟)，至此，本處理結束。
按照圖6的處理，在晶圓W的正表面接受RIE處理之前，已塗佈在晶圓W之背表面上的光可硬化樹脂已接受紫外光的照射處理而形成樹脂保護膜，並在晶圓W的正表面接受RIE處理後，從晶圓W的背表面去除樹脂保護膜。結果是，靜電夾盤49乃接觸形成在晶圓W之背表面上的樹脂保護膜。因此，當晶圓W被吸附到靜電夾盤49上時，可避免晶圓W的背表面被刮傷，且晶圓W與靜電夾盤49間可更緊密接觸，且因此晶圓W之温度的可控制性可被增進。
此外，按照圖6的處理，在晶圓W之背表面上形成樹脂保護膜之後，但在晶圓W之正表面接受RIE處理之前，預定光罩圖案的光阻膜被形成在晶圓W的正表面上。結果是，樹脂保護膜之形成與光阻膜之形成可彼此分開實施，且因此該樹脂保護膜與該光阻膜可各個穩定地形成。此外，當晶圓W之正表面在曝光設備12中接受曝光以形成光阻膜時，晶圓W的背表面係被晶圓枱上的針狀突出物所支撐，但有樹脂保護膜存在於晶圓W之背表面與該突出物之間。結果是，晶圓W可被穩固地支撐，且因此曝光可被穩定的實施。此外，當晶圓W3被放置在加熱爐單元內的枱面上時，再次，枱面係與晶圓W背表面上的樹脂保護膜接觸。結果是，再次，可防止晶圓W的背表面在加熱爐單元中被刮傷，且使晶圓W與枱面間能更緊密接觸。
此外，按照圖6的處理，樹脂保護膜是由旋附處理(塗佈處理)所形成。結果是，該樹脂保護膜可被簡單地形成。
如前述圖6之處理，在晶圓W之背表面上形成了樹脂保護膜後，才在晶圓W的正表面上形成光阻膜。不過，也可在晶圓W之背表面上形成樹脂保護膜之前，先在晶圓W的正表面上形成上形成光阻膜。在此情況，再次，樹脂保護膜的形成與光阻膜的形成可彼此分開實施，且因此樹脂保護膜與光阻膜可各個穩定地形成。
此外，在圖6的處理中，晶圓W正表面上的光阻膜與晶圓W背表面上的樹脂保護膜的去除係使用清洗液溶解。不過，去除樹脂保護膜的方法並不限於此，例如可以使用氧自由基或類似物的灰化處理。
此外，塗佈機/顯影機11的處理站19也可不需要有晶圓翻面單元。在此情況，除了光阻噴灑機構26之外，塗佈單元其具有從晶圓W下方朝向晶圓W之背表面噴灑光可硬化樹脂的噴嘴及晶圓W在水平面旋轉較佳。光可硬化樹脂是黏的，且因此附著於晶圓W的背表面，且經由離心力在晶圓W的背表面均勻地散開。
此外，也可選擇在晶圓W背表面上黏貼一樹脂片以形成樹脂保護膜，以取代前述藉由旋附處理而在每一晶圓W背表面上形成樹脂保護膜。
接下來將描述用來實施按照本發明第二實施例之基板處理方法的基板處理系統。
就結構與操作方面，基本上本實施例與前述的第一實施例相同，僅基板處理系統的部分結構與基板處理方法的某些步驟與第一實施例不同。該結構與操作之特徵及步驟與第一實施例相同者將不再描述，以下僅描述與第一實施例不同的特徵。
圖7的概述圖顯示用以實施按照本實施例之基板處理方法的基板處理系統之結構。
如圖7所示，基板處理系統83是由CVD(化學氣相沈積)設備84、塗佈機/顯影機11、蝕刻設備13、清洗設備14、灰化設備85、與CVD設備84、塗佈機/顯影機11、蝕刻設備13、清洗設備14、及灰化設備85平行設置的導軌15、AGV 16、及毗鄰塗佈機/顯影機11配置的曝光設備12所組成。
CVD設備84具有用來傳送晶圓W的傳送系統，以及如下所述的複數個處理模組86，每一個模組都以CVD處理在晶圓W的背表面上形成CF類保護膜。
灰化設備85具有用來傳送晶圓W的傳送系統，以及每一個都用來對晶圓W之背表面實施灰化處理的複數個處理模組。灰化設備85中的處理模組具有與蝕刻設備13中之處理模組17類似的結構。
AGV 16按CVD設備84、塗佈機/顯影機11、蝕刻設備13、清洗設備14、及灰化設備85的順序運送每一個晶圓匣CR
圖8的斷面概視圖顯示出現於圖7中之CVD設備之處理模組的結構。
如圖8所示，每一個處理模組86具有處理室87，如一盒形容納室，其中容納一晶圓W，配置在處理室87之天頂部88上的晶圓吸附部89，配置在處理室87之底部90上，面對晶圓吸附部89並與其分隔一預定距離的電極91，及用以排放處理室87中氣體的排氣管92。
晶圓吸附部89為一圓柱形突出物，具有複數個開在底表面的真空吸孔(未顯示)。送入處理室87的晶圓W被晶圓吸附部89中之真空吸孔的真空吸力所吸附，且因此被固定在晶圓吸附部89的底表面。此外，晶圓吸附部89具有一由耐熱材料製成的緩衝膜93，諸如在其底表面上的聚醯亞胺。因此，晶圓W的正表面經由緩衝膜93接觸晶圓吸附部89的底表面，且因此不會破壞形成在晶圓W正表面上之接線槽或貫通孔的形狀。此外，晶圓吸附部89具有內建的加熱器(未顯示)，因此，當在晶圓W的背表面上形成保護膜之時，可將晶圓W的温度保持在預定的温度。
電極91是由桌形的導電構件構成，且在其面對晶圓吸附部89的表面(上表面)中具有複數個氣體噴射孔(未顯示)。此外，射頻電源94經由匹配器95連接至電極91。射頻電源94供應預定的射頻電力給電極91。因此，電極91將射頻電力施加至晶圓吸附部89與電極91間的處理空間S’。匹配器95減少電極91反射的射頻電力，以使供應至電極91之射頻電力的效率最大化。
晶圓W傳送埠96設置在處理室87之側壁，位在晶圓W被晶圓吸附部89吸附之高度的位置。在傳送埠96內設置開啟及關閉傳送埠96的真空閘閥97。
在處理模組86中，經由CVD處理以在晶圓W的背表面上形成保護膜。特別是，在可沈積的處理氣體(諸如CF類的氣體)從電極91內的氣體噴射孔供應至處理空間S’中時，射頻電力也施加至處理空間S’中，自由基及離子從CF類氣體產生，且這些自由基等附著於並累積在吸附於晶圓吸附部89上之晶圓W的背表面上，因此形成CF類保護膜。此時，過量的自由基等經由排氣管92排放到外部。
在處理模組86中所形成的保護膜厚度以不超過10微米較佳，以接近1微米更佳。須注意，所形成之保護膜的類型並不限於CF類保護膜，以非晶碳為材料的保護膜也是一選擇。
此外，在灰化設備85的處理模組中，其背表面上形成有CF類保護膜的晶圓W被送入處理室38並由頂針56支撐，並接著從氣體導入蓮蓬頭57將氧氣(O2 )導引入處理空間S’。此時，頂針56將晶圓W支撐在從基座39抬升起的狀態。因此在晶圓W背表面下有一空間。
在射頻電力供應至基座39及氣體導入蓮蓬頭57以便將射頻電力施加至基座39與氣體導入蓮蓬頭57間的處理空間S’中之時，電漿從處理空間S’中的氧氣產生，藉以產生氧自由基。此時，氧自由基瀰漫於晶圓W背表面下方的空間，因此，氧自由基分解晶圓W背表面上的CF類光阻膜，並因此將其去除(灰化處理)。
在上述的處理模組中是用氧自由基去除CF類光阻膜，但另一選擇可在處理空間S’中產生氟自由基，在晶圓W背表面上的CF類光阻膜被分解，且因此被氟自由基去除，或可在處理空間S’內供應臭氧氣體，CF類光阻膜被分解，且因此被臭氧氣體去除。
接下來將按照本實施例描述基板處理方法。
圖9係按照本實施例之基板處理方法的流程圖。
如圖9所示，首先AGV 16交遞一晶圓匣CR給CVD設備84，且在CVD設備84中，一晶圓W被傳送系統從晶圓匣CR送入處理模組86的處理室87，且在處理模組86中，在晶圓W的背表面上形成CF類光阻膜(步驟S91)(背表面保護膜形成步驟)。
接下來，在CVD設備84中，其上已形成有CF類光阻膜的晶圓W被傳送系統裝入晶圓匣CR內，且晶圓匣CR被交遞給AGV 16。接著，AGV 16從CVD設備84移向塗佈機/顯影機11，並將晶圓匣CR交遞給塗佈機/顯影機11。在塗佈機/顯影機11中，晶圓W被晶圓匣站18從晶圓匣CR中取出，並由晶圓傳送機構送入塗佈單元22a的處理室23，並由光阻噴灑機構26在晶圓W的正表面上塗佈光阻(步驟S92)。
接下來，在塗佈機/顯影機11中，其上塗佈有光阻的晶圓W被送入加熱爐單元，且該加熱爐單元加熱而使已塗佈在晶圓W之正表面上的光阻硬化(步驟S93)(硬化步驟)。
接下來，在塗佈機/顯影機11中，晶圓W被介面段20送入曝光設備12內，且曝光設備12使該光阻接受曝光處理，使來自紫外線照射燈之朝向晶圓W正表面的紫外光僅照射對應於關於預定光罩圖案之相反圖案的部分(步驟S94)。結果是，相反圖案中的光阻被改變成鹼性溶液可溶解。
接下來，其上具有已接受曝光處理之光阻的晶圓W被塗佈機/顯影機11的介面段20送入塗佈機/顯影機11，且經由顯影單元82b及82c將該相反圖案中已被改變成鹼性溶液可溶解的光阻從該正表面去除。結果是，在晶圓W的正表面上形成具有預定光罩圖案的光阻膜(步驟S95)。
接下來，在塗佈機/顯影機11中，其上已形成有光阻膜的晶圓W被晶圓匣站18裝入晶圓匣CR中，並將該晶圓匣CR交遞給AGV 16。接著，AGV 16從塗佈機/顯影機11移向蝕刻設備13，並將該晶圓匣CR交遞給蝕刻設備13的傳送系統。在蝕刻設備13中，從晶圓匣CR中取出晶圓W，並由傳送系統將晶圓W送入處理模組17的處理室38，且該晶圓W被吸附及固定在基座39的靜電夾盤49上。接著，蝕刻設備13使該晶圓W的正表面在處理模組17中接受RIE處理(步驟S96)(蝕刻步驟)。
接下來，已接受RIE處理的晶圓W被蝕刻設備13的傳送系統裝入晶圓匣CR，且晶圓匣CR被交遞給AGV 16。接著AGV 16從蝕刻設備13移向清洗設備14，並將晶圓匣CR交遞給清洗設備14的傳送段68。在清洗設備14中，晶圓W被晶圓傳送段71從晶圓匣CR送入清洗處理段67，且被主晶圓傳送設備75送入基板清洗單元77或類似物，接著，使用基板清洗單元77或類似物來溶解並因此去除形成在晶圓W正表面上的光阻膜(步驟S97)(清洗步驟)。
接下來，在清洗設備14中，光阻膜已被去除的晶圓W被晶圓傳送段71裝入晶圓匣CR，且該晶圓匣CR被交遞給AGV 16。接著，AGV 16從清洗設備14移向灰化設備85，並將該晶圓匣CR交遞給灰化設備85的傳送系統。在灰化設備85中，晶圓W被從晶圓匣CR中取出，並被傳送系統送入處理模組的處理室38，接著，在該處理模組中，晶圓W背表面上的CF類保護膜被灰化處理分解並因此被去除(步驟S98)(保護膜去除步驟)，本處理至此結束。
按照圖9的處理，在晶圓W的正表面接受RIE處理之前，在晶圓W的背表面上形成有CF類保護膜，且在晶圓W的正表面接受RIE處理之後，CF類保護膜被從晶圓W的背表面去除。結果是，靜電夾盤49與形成在晶圓W背表面上的CF類保護膜接觸。因此得以實現如第一實施例中的效果。
此外，按照圖9的處理，在晶圓W的背表面上形成了CF類保護膜之後，但在晶圓W的正表面接受RIE處理之前，在晶圓W之正表面上所形成的光阻膜具有預定光罩圖案。結果是，CF類保護膜的形成與光阻膜的形成可彼此分開地實施，此外，當在形成光阻膜時，CF類保護膜存在於晶圓W之背表面與曝光設備12中之晶圓枱上的突出物之間。因此得以實現如第一實施例中的效果。
此外，按照圖9的處理，CF類保護膜是以CVD處理所形成，CVD為氣相沈積處理。結果是，能可靠地形成厚度穩定的CF類保護膜，且因此晶圓W的背表面能可靠地避免被刮傷。
在上述圖9的處理中，係在晶圓W的背表面上形成了CF類保護膜後，才在晶圓W的正表面上形成光阻膜。不過，也可以選擇在晶圓W的背表面上形成CF類保護膜之前，先在晶圓W的正表面上形成光阻膜。再次，在此情況中，CF類保護膜的形成與光阻膜的形成可彼此分開地實施，且因此CF類保護膜與光阻膜每一個都可穩定地形成。
在上述的基板處理系統83中，CVD設備84經由CVD處理形成CF類保護膜。不過，該保護膜並不限於CF類保護膜，可用由光可硬化樹脂所製成的保護膜取代。此外，用來形成保護膜的方法並不限於CVD處理，也可使用任何氣相沈積，例如PVD(物理氣相沈積)處理。
上述每一實施例中接受RIE處理的基板並不限於是半導體晶圓，也可以是用於LCD(液晶顯示器)、FPD(平面顯示器)或類似物的各種基板，或是光罩、CD基板、印刷基板或類似物。
此外，在上述每一實施例中的可硬化樹脂是正型樹脂，不過也可用負型樹脂取代。
須瞭解，本發明也可經由將其中儲存有實現上述實施例之功能之軟體之程式碼的儲存媒體供應給系統或設備，並接著致使該系統或設備的電腦(或CPU,MPU等)讀出並執行儲存在該儲存媒體中的程式碼以達成。
在此情況，從儲存媒體所讀出之程式碼的本身實現該實施例的功能，且因此程式碼及儲存媒體中所儲存的程式碼構成本發明。
用於供應程式碼的儲存媒體例如可以是軟式(註冊商標)磁碟片、硬碟、磁光碟、光碟(諸如CD－ROM,CD－R,CD－RW,DVDROM,DVD－RAM,DVD－RW或DVD＋RW)、磁帶、非揮性記憶卡、或ROM。或者，可經由網路下載的程式碼。
此外，須瞭解，該實施例之功能的達成，不僅可藉由執行由電腦所讀出的程式碼，也可藉由致使在電腦上操作的OS(作業系統)或類似物根據該程式碼的指令實施部分或全部的實際操作。
此外，須瞭解，該實施例之功能的達成，也可經由將從儲存媒體中讀出的程式碼寫入設置在插於電腦中之擴充卡上的記憶體中，或連接於電腦的擴充單元內，並致使設置於該擴充卡上或該擴充單元內的CPU或類似物根據該程式碼的指令實施部分或全部的實際操作。
11．．．塗佈/顯影機
12．．．曝光設備
13．．．蝕刻設備
14．．．清洗設備
15．．．導軌
16．．．自動導引載具
49．．．靜電夾盤
17．．．處理模組
W．．．晶圓
18．．．晶圓匣站
19．．．處理站
20．．．介面段
21a．．．單元群
21b．．．單元群
22b．．．晶圓翻面單元
82a．．．硬化單元
82b．．．顯影單元
82c．．．顯影單元
22a．．．塗佈單元
22c．．．塗佈單元
23．．．反應室
25．．．環形杯
26．．．光阻噴灑機構
24．．．旋轉夾盤
30．．．過量液體排放管
29．．．開口
31．．．噴嘴
32．．．光阻供應管
33．．．噴嘴托架
34．．．噴嘴掃臂
35．．．導軌
36．．．垂直支撐構件
37．．．傳送埠
38．．．處理室
39．．．基座
40．．．側排氣路徑
41．．．擋板
42．．．反應室
43．．．岐管
44．．．粗排氣管
45．．．主排氣管
S．．．處理空間
46．．．低頻射頻電源
47．．．匹配器
48．．．電極板
49．．．靜電夾盤
50．．．DC電源
51．．．聚焦環
52．．．冷卻劑室
53．．．冷卻劑管路
54．．．熱傳送氣體供應孔
55．．．熱傳送氣體供應線
56．．．頂針
57．．．氣體導入蓮蓬頭
58．．．匹配器
59．．．上射頻電源
60．．．氣孔
61．．．頂電極板
62．．．電極架
63．．．緩衝室
64．．．處理氣體導入管
65．．．輸運孔
66．．．真空閘閥
67．．．清洗處理段
68．．．傳送段
69．．．晶圓匣枱
70．．．晶圓傳送設備
71．．．晶圓傳送段
72．．．上右隔間壁
73．．．埠
74．．．埠開/關機構
75．．．主晶圓傳送設備
76．．．晶圓交遞單元
77．．．基板清洗單元
78．．．基板清洗單元
79．．．基板清洗單元
80．．．基板清洗單元
S’．．．處理空間
83．．．基板處理系統
84．．．化學氣相沈積設備
85．．．灰化設備
86．．．處理模組
87．．．處理室
88．．．天頂部
89．．．晶圓吸附部
90．．．底部
91．．．電極
92．．．排氣管
93．．．緩衝膜
94．．．射頻電源
95．．．匹配器
96．．．傳送孔
97．．．真空閘閥
圖1的概視圖顯示按照本發明第一實施例之實施基板處理方法之基板處理系統的結構；圖2為出現於圖1中之塗佈/顯影機之結構的正視概圖；圖3的斷面概視圖顯示出現於圖2中之塗佈單元的結構；圖4的斷面概視圖顯示出現於圖1中之蝕刻設備之處理模組的結構；圖5的平面概視圖顯示出現於圖1中之清洗設備的結構；圖6係按照上述實施例之基板處理方法的流程圖；圖7的概視圖顯示按照本發明之第二實施例實施基板處理方法之基板處理系統的結構；圖8的斷面概視圖顯示出現於圖7中之CVD設備之處理模式的結構；圖9係按照上述實施例之基板處理方法的流程圖。
10．．．基板處理系統
11．．．塗佈/顯影機
12．．．曝光設備
13．．．蝕刻設備
14．．．清洗設備
15．．．導軌
16．．．自動導引載具

Claims (6)

  1. 一種基板處理方法，用於至少具有對基板實施電漿蝕刻處理之蝕刻設備的基板處理系統，該蝕刻設備中具有以靜電吸附該基板且適合接觸該基板之背表面的靜電夾盤，該方法包含：第一塗佈步驟，以光硬化樹脂塗佈該基板的該背表面；可硬化樹脂的光硬化步驟，以光照射來硬化該所塗佈的光硬化樹脂以便形成樹脂保護膜；反轉步驟，抓持該基板的周緣使該基板反轉；第二塗佈步驟，以光阻塗佈該基板表面；光阻硬化步驟，使該塗佈的光阻硬化；光阻曝光步驟，對該硬化的光阻實施曝光處理；蝕刻步驟，在該基板的正表面上實施電漿蝕刻處理；以及清洗步驟，去除該經硬化的光硬化樹脂及該塗佈的光阻，其中，在該光阻曝光步驟中，由針狀突出物支撐該基板的該背表面，使得該樹脂保護膜存在於該基板的背表面與該等針狀突出物之間。
  2. 如申請專利範圍第1項的基板處理方法，進一步包含：光阻硬化步驟，藉由加熱使該塗佈的光阻硬化。
  3. 一種基板處理方法，用於至少具有對基板實施電漿 蝕刻處理之蝕刻設備的基板處理系統，該蝕刻設備中具有以靜電吸附該基板且適合接觸該基板之背表面的靜電夾盤，該方法包含：第一塗佈步驟，以熱硬化樹脂塗佈該基板的背表面；可硬化樹脂的熱硬化步驟，以加熱照射該所塗佈的熱硬化樹脂使其硬化以便形成樹脂保護膜；反轉步驟，抓持該基板的周緣使該基板反轉；第二塗佈步驟，以光阻塗佈該基板表面；光阻硬化步驟，使該塗佈的光阻硬化；光阻曝光步驟，對該硬化的光阻實施曝光處理；蝕刻步驟，在該基板的該正表面上實施電漿蝕刻處理；以及清洗步驟，去除該經硬化的熱硬化樹脂及該塗佈的光阻，其中，在該光阻光步驟中，由針狀突出物支撐該基板的該背表面，使得該樹脂保護膜存在於該基板的背表面與該等針狀突出物之間。
  4. 如申請專利範圍第3項的基板處理方法，進一步包含：光阻硬化步驟，藉由加熱使該塗佈的光阻硬化。
  5. 一種電腦可讀取儲存媒體，儲存用於致使電腦實施基板處理方法的程式，該基板處理方法用於至少具有對基板實施電漿蝕刻處理之蝕刻設備的基板處理系統，該蝕刻設備中具有以靜電吸附該基板的靜電夾盤，且被組構來接 觸該基板的背表面，該方法包含：第一塗佈步驟，以光硬化的樹脂塗佈該基板的該背表面；可硬化樹脂的光硬化步驟，以光照射來硬化該所塗佈的光硬化樹脂以便形成樹脂保護膜；反轉步驟，抓持該基板的周緣使該基板反轉；第二塗佈步驟，以光阻塗佈該基板表面；光阻硬化步驟，使該塗佈的光阻硬化；光阻曝光步驟，對該硬化的光阻實施曝光處理；蝕刻步驟，在該基板的正表面上實施電漿蝕刻處理；以及清洗步驟，去除該經硬化的光硬化樹脂及該塗佈的光阻，其中，在該光阻曝光步驟中，由針狀突出物支撐該基板的該背表面，使得該樹脂保護膜存在於該基板的背表面與該等針狀突出物之間。
  6. 一種電腦可讀取儲存媒體，儲存用於致使電腦實施基板處理方法的程式，該基板處理方法用於至少具有對基板實施電漿蝕刻處理之蝕刻設備的基板處理系統，該蝕刻設備中具有以靜電吸附該基板且適合接觸該基板之背表面的靜電夾盤，該方法包含：第一塗佈步驟，以熱硬化樹脂塗佈該基板的背表面；可硬化樹脂的熱硬化步驟，以加熱照射該所塗佈的熱硬化樹脂使其硬化以便形成樹脂保護膜； 反轉步驟，抓持該基板的周緣使該基板反轉；第二塗佈步驟，以光阻塗佈該基板表面；光阻硬化步驟，使該塗佈的光阻硬化；光阻曝光步驟，對該硬化的光阻實施曝光處理；蝕刻步驟，在該基板的該正表面上實施電漿蝕刻處理；以及清洗步驟，去除該經硬化的熱硬化樹脂及該塗佈的光阻，其中，在該光阻光步驟中，由針狀突出物支撐該基板的該背表面，使得該樹脂保護膜存在於該基板的背表面與該等針狀突出物之間。
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