TWI425682B - 半導體發光元件之安裝方法及安裝裝置 - Google Patents

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TWI425682B
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Tomonori Itoh
Kaori Toyoda
Hiroki Ikeuchi
Tsuyoshi Kawabata
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Description

半導體發光元件之安裝方法及安裝裝置
本發明係關於將半導體發光元件安裝於安裝基板上之安裝方法及安裝裝置。
近年來，隨著半導體發光元件之高亮度化及高效率化，半導體發光元件亦越來越傾向於薄型化及脆弱化。另外，作為將半導體發光元件之裸晶片安裝於安裝基板上的技術，採用了覆晶安裝的方法。所謂覆晶安裝係指於半導體發光元件之電極部上形成金屬電極，並電性接合半導體發光元件與安裝基板上之金屬電極的技術。
覆晶安裝的製程複雜，無法直接觀察其接合面。因此，於專利文獻1中提出一種使探針直接接觸覆晶安裝前之半導體發光元件，藉以對處於安裝前之狀態的半導體發光元件的光學特性或電氣特性進行評價的技術。
另外，於專利文獻2中提出一種使用X射線攝影裝置或紅外線顯微鏡，對覆晶安裝後之半導體元件及安裝基板進行評價的技術。此種檢查裝置係如第10圖所示般地構成。
於第10圖中，從X射線產生器100照射之X射線，穿透電路基板102及覆晶103，在X射線感測器104的感測面轉換成光後被予以圖像化。在此，覆晶103係覆晶接合於電路基板102上之晶片。覆晶接合之接合部，係使用X射線之吸收率高的鉛或金等之重金屬材料。因此，於X射線圖像中，覆晶接合之接合部比周邊黑，而可容易特定其位置。其次，藉由雷射焦點位移計105來測量在覆晶103之背面接觸於接合部上部的位置之高度。雷射焦點位移計105係構成為以不影響到X射線攝影的方式經由穿透X射線之反射鏡106而可從橫向進行測量。
於專利文獻3中記載有一種在光學頭之組裝時，於組裝中對發光元件進行通電，以修正發光元件之位置偏移的晶片接合方法。
於專利文獻4中記載有一種吸附保持安裝前之發光元件，並對所保持之發光元件進行通電來測量亮度而予以篩選之技術。
於專利文獻5中記載有一種一面檢測接合工具所產生之按壓力，一面將藉接合工具所吸附保持之半導體元件安裝於印刷基板的技術。
專利文獻
專利文獻1　日本特開2005-158932號公報
專利文獻2　日本特開平11-183406號公報
專利文獻3　日本特開平6-45652號公報
專利文獻4　日本特開平9-92699號公報
專利文獻5　日本特開平7-161770號公報
然而，於專利文獻1之技術中，只能保證安裝前之半導體發光元件的特性。
另外。於專利文獻2之技術中，只能保證安裝後之半導體發光元件的最後接合可靠度。亦即，專利文獻2之技術不能連光學特性亦加以保證，當光學特性不良時，則需要更換半導體發光元件。因此，會有產生大量之損耗的問題。
另外，由於一般之安裝技術係開放環路控制，故儘管完成了接合，亦有對半導體發光元件施加接合能的情況。另外，因為是開放環路控制，故會有在接合不充分之狀態下便結束半導體發光元件之安裝步驟的情況。其結果，恐有產生半導體發光元件之破裂或造成半導體發光元件內部的發光層的損壞之不良的情況。
本發明之目的在於提供一種能以更高可靠度將半導體發光元件安裝於安裝基板上的技術。
本發明之半導體發光元件的安裝方法，其特徵為：在半導體發光元件之電極部與安裝基板的電極部抵接期間，將電力供給至該安裝基板的電極部，以使該半導體發光元件發光，檢測發光的該半導體發光元件之光學特性，根據所檢測出之該光學特性，控制該半導體發光元件之電極部與該安裝基板的電極部之接合。
另外，本發明之半導體發光元件的安裝方法，其特徵為：在半導體發光元件之電極部與安裝基板的電極部抵接期間，將電力供給至該安裝基板的電極部，以使該半導體發光元件發光，檢測發光的該半導體發光元件之光學特性，在根據所檢測出之該光學特性控制該半導體發光元件之電極部與該安裝基板的電極部之接合時，透過按壓力控制該接合後，利用超音波控制該接合。
另外，本發明之半導體發光元件的安裝方法，其特徵為：在半導體發光元件之電極部與安裝基板的電極部抵接期間，將電力供給至該安裝基板的電極部，以使該半導體發光元件發光，檢測發光的該半導體發光元件的光學特性，且在檢測出該光學特性之色度在規定色度範圍內，並且該光學特性之亮度成為規定亮度以上時，完成接合。
本發明之半導體發光元件的安裝裝置，其特徵為設置有：按壓機構，於其內部形成有用以吸附半導體發光元件之吸附孔，用以按壓所吸附之半導體發光元件；載置台，其保持安裝基板；電力供給部，其將電力供給至保持於該載置台上之該安裝基板的電極部；光學特性檢測器，其檢測來自該吸附孔之光的光學特性；及處理控制部，其根據該光學特性檢測器之檢測值，控制該按壓機構之按壓。
另外，本發明之半導體發光元件的安裝裝置，其特徵為設置有：按壓機構，於其內部形成有用以吸附半導體發光元件之吸附孔，用以按壓所吸附之半導體發光元件；超音 波施加機構，其對該半導體發光元件施加超音波；載置台，其保持安裝基板；電力供給部，其朝保持於該載置台上之該安裝基板的電極部供給電力；光學特性檢測器，其檢測來自該吸附孔之光的光學特性；及處理控制部，其根據該光學特性檢測器之檢測值，控制藉由該按壓機構實施之按壓或者藉由該超音波施加機構實施之超音波。
另外，本發明之半導體發光元件的安裝裝置，其特徵為設置有：按壓機構，於其內部形成有用以吸附半導體發光元件之吸附孔，並沿該吸附孔之內周配置有光波導，用以按壓所吸附之半導體發光元件；載置台，其保持安裝基板；電力供給部，其將電力供給至保持於該載置台上之該安裝基板的電極部；第一光學特性檢測器，其檢測來自該吸附孔之光的光學特性；第二光學特性檢測器，其檢測來自該光波導之光的光學特性；及處理控制部，其根據該第一光學特性檢測器及該第二光學特性檢測器之檢測值，控制該按壓機構之按壓。
根據本發明，可獲得半導體發光元件之電極與安裝基板的電極部之穩定的良好接合，並能以更高之可靠度將半導體發光元件安裝於安裝基板上。
以下，參照圖面說明本發明之實施形態。
(第一實施形態)
第1圖為本發明之第一實施形態的半導體發光元件之安裝裝置的構成圖。第2圖為第一實施形態之頭部及其周邊的主要部分之放大剖視圖。第3(a)～3(e)圖為第一實施形態之第一至第五步驟圖。第2圖為於頭部4中僅顯示按壓機構9及移動機構10之剖面的示意圖。於第3(a)圖中，針對從上下挾持安裝基板3及半導體發光元件2之周邊部分，顯示上下隔著間隔的狀態。
第1圖所示之安裝裝置1係具備：頭部4、載置台5、電力供給部6、光學特性測量部7、及處理控制部8。頭部4係如第3(b)圖所示用以保持及安裝具備作為電極部之凸塊電極26的半導體發光元件2。載置台5係載置安裝有半導體發光元件2之安裝基板3。電力供給部6係將電力供給至安裝中之半導體發光元件2。光學特性測量部7係測量安裝中之半導體發光元件2的光學特性值。處理控制部8係控制安裝裝置1之動作。
如第2圖所示，頭部4係由按壓機構9及移動機構10所構成。按壓機構9係將所保持之半導體發光元件2朝下方按壓。移動機構10係使按壓機構9移動至安裝基板3之既定的安裝位置。按壓機構9之整體形狀係於其內部形成有吸附孔11之筒狀。按壓機構9之直徑係半導體發光元件2的對角直徑的1.0倍以上且1.5倍以下。吸附孔11之直徑係0.05mm以上且為半導體發光元件2的對角直徑的0.2倍以下。又，一般之半導體發光元件2的對角直徑係0.3mm～1.0mm。
於吸附孔11連接有連通於負壓源12之吸引用通路13。半導體發光元件2係經由吸附孔11及吸引用通路13，藉負壓源12所產生之吸附動作而保持。
如第2圖所示，在按壓機構9之前端形成有開口的吸附孔11之終端設有光學特性檢測器(第一光學特性檢測器)14。光學特性檢測器14係檢測進入吸附孔11內之光線。另外，光學特性檢測器14係經由光學特性測量部7而朝處理控制部8之處理部15送出因應所檢測出的光之波長單位之強度資訊。又，於吸附孔11之內周面(表面)以能高效率地反射或傳輸光線之物質實施低折射率之塗層材料16的塗布。此塗層材料16係將進入之光線以低衰減率有效率地導向光學特性檢測器14。藉由此塗層材料16，即使是在微弱之光線進入吸附孔11的情況，亦能以光學特性檢測器14檢測出光線。塗層材料16係以折射率1.5左右之SiO2 或MgF2 較為適宜。另外，亦可將吸附孔11之內周面(表面)加工成鏡面狀。在將吸附孔11之內周面(光波導的表面)加工成鏡面狀的情況下，雖反射率略微下降，但可容易地形成反射面。
載置台5係由安裝基板保持部17及移動機構18所構成。安裝基板保持部17係吸附所載置之安裝基板3。移動機構18係使安裝基板保持部17在水平面內移動。
電力供電部6係由供給電力之直流電源19、探針22、用以測量電壓之電壓測量器20及探針23所構成。探針22係與安裝基板3之電極部21接觸而電性連接直流電源19與電極部21。探針23係接觸於安裝基板3之電極部21而與電壓測量器20電性連接。
光學特性測量部7係處理光學特性檢測器14之輸出，並輸出至處理控制部8的處理部15。
處理控制部8具有進行運算處理之電路及各種驅動電路。處理控制部8係控制頭部4、載置台5、電力供給部6及光學特性測量部7。第1圖中，作為處理控制部8之主要部分的構成要素，僅顯示處理部15、按壓控制部24、記憶體25。處理部15係處理來自光學特性測量部7之測量值。按壓控制部24係進行按壓機構9之壓力控制。記憶體25係保持臨界值Φth的判定用資料等。
其次，參照第4圖之流程，說明處理控制部8之具體構成。
於步驟S1，如第3(b)圖所示，半導體發光元件2被頭部4之按壓機構9所吸附保持。另外，安裝基板3載置於安裝基板保持部17上而被吸附保持。亦即，裝載半導體發光元件、安裝基板。
於步驟S2，如第3(c)圖所示，藉由移動機構10,18使半導體發光元件2及安裝基板3移動至既定安裝位置，而進行此等構件之對位。
於步驟S3，如第2圖所示，使探針22,23接觸於安裝基板3之電極部21，藉由直流電源19及電壓測量器20來測量安裝基板3之電氣特性值。在此，電氣特性值表示阻抗值或靜電電容等的物理量。
於步驟S4，根據在步驟S3的測量結果，判斷安裝基板3上有無電極短路等的異常。步驟S4之判斷的結果，若在檢測出有異常的情況下(在步驟S4，無異常[否]的情況)，則進入後述之步驟S11。
在步驟S4確認為不存在異常(在步驟S4，無異常[是])的情況下，反複地執行步驟S5～步驟S8的程序，直到在步驟S7判斷為完成接合為止。
於步驟S5，按壓控制部24控制按壓機構9，將半導體發光元件2朝安裝基板3按壓。
於步驟S6，在繼續進行對半導體發光元件2之按壓的期間(步驟S5之按壓步驟的期間)，藉由電力供給部6朝半導體發光元件2供給電力，以使半導體發光元件2發光。然後，於步驟S6，在半導體發光元件2發光之同時，藉由光學特性檢測器14測量安裝基板3之光學特性值。在此，光學特性值表示發光亮度、色度等之物理量。
於步驟S7，根據步驟S6之測量結果，處理部15判斷是否完成接合。
具體而言，處理部15對藉由光學特性測量部7所測量之光學特性值及記憶體25中所記憶之臨界值Φth進行比較，當測量結果大於臨界值Φth時，則判斷為完成接合。以下，參照第5圖，詳細地說明此臨界值Φth。
第5圖顯示以一定壓力持續地將半導體發光元件2之凸塊電極26按壓至安裝基板3的電極部21之情況下的光學特性值之遷移。在此，設半導體發光元件2之凸塊電極26與安裝基板3的電極部21接觸之時間為T1。從第5圖可知，在T1以後之不久的時間，半導體發光元件2之發光部的光學特性值上昇，然後大致維持為一定值。半導體發光元件2之發光部的光學特性值上昇後大致維持為一定值的情況，無論是在接合為正常時，還是接合為異常時，均會發生。
即使在接合為正常的情況(第5圖之30的情況)，當以一定壓力持續按壓時，之後會因多餘之能量而產生半導體發光元件2的發光部之損壞、凸塊電極26的短路或開通，且根據情況還會產生發光部之破裂等。在此，第5圖之30a之時間點，表示產生發光部之破裂的狀態。在接合為異常的情況(第5圖之31,32的情況)，即使以一定壓力持續地將半導體發光元件2之凸塊電極26按壓於安裝基板3的電極部21，安裝中之半導體發光元件2的光學特性值仍達不到臨界值Φth。
於正常之安裝時，光學特性值成為一定值(第5圖之Φth)以上，所以藉由以臨界值Φth作為基準來判斷安裝中之半導體發光元件2的光學特性值，可利用非破壞方式來判斷安裝途中之接合狀態。
於步驟S7，當判斷為未完成接合(在步驟S7，完成接合[否])時，則進入步驟S8。然後，於步驟S8，由處理部15判斷是否有接合異常，若判斷為無異常(在步驟S8，無異常[是])，則返回步驟S5，執行步驟S5～步驟S7。
在步驟S7判斷為完成接合之情況(在步驟S7，完成接合[是]的情況)下，執行步驟S9。
於步驟S9，處理部15將接合完成通知信號傳送至按壓控制部24，收到此信號之按壓控制部24，停止由按壓機構9對半導體發光元件2的按壓。
接著，於步驟S10，在解除了藉安裝基板保持部17的吸附保持之狀態下，如第3(d)圖所示，頭部4上昇，對附帶半導體發光元件2之安裝基板3進行卸載。將安裝基板3卸載後，解除藉按壓機構9對半導體發光元件2之吸附保持，藉此，如第3(e)圖所示，完成半導體發光元件2之安裝處理。
於步驟S8，例如，儘管進行某一定時間之按壓處理，半導體發光元件2之光學特性值依舊未大於臨界值Φth的情況下(在步驟S8的無異常[否]的情況)，進入步驟S11。此時，作為步驟S8的無異常[否])，判斷為具有半導體發光元件2的發光部之裂痕、損壞、凸塊電極26的短路或開通等之異常。於步驟S11，將異常通知信號傳輸至按壓控制部24。接收到在步驟S11之異常通知信號之按壓控制部24，於步驟S9中停止按壓機構9對半導體發光元件2之按壓。
如此，於本第一實施形態之安裝裝置1中，在將半導體發光元件2接合於安裝基板3之按壓步驟的途中，藉由光學特性測量部7測量半導體發光元件2之光學特性值。然後，根據該光學特性值之測量結果，判斷是否完成了半導體發光元件2與安裝基板3之接合。藉此，可防止儘管光學特性值不充分仍結束接合動作的情況，可獲得穩定之接合強度及光學特性。
另外，可防止儘管光學特性值充分仍過度地進行接合動作的情況。因此，亦可抑制半導體發光元件2之發光部的裂痕、損壞、凸塊電極26的損傷(短路或開通等)。
又，於本第一實施形態中，雖根據檢測出之光學特性值來控制按壓步驟的完成時序，但本發明不限定於此情況。亦即，不只是控制按壓步驟的完成時序，還可根據檢測出之光學特性值來即時控制與按壓步驟有關的任意參數。作為控制對象參數之一例，列舉有按壓步驟之按壓力。第6圖顯示根據檢測出之光學特性值的按壓力之控制例。第6圖顯示在檢測出之光學特性值低的期間增大按壓力，隨著檢測出之光學特性值的上昇而降低按壓力的例子。在此情況下，將顯示第6圖所示之光學特性值與按壓力的關係之資料，作為判斷用資料預先儲存在記憶體25內。然後，只要根據此判斷用資料，從處理部15將因應按壓力之控制信號傳輸至按壓控制部24即可。當然，第6圖之控制例僅為一示範例而已，可根據實際之安裝條件，採用適宜的控制。
另外，於第一實施形態中，為了達成裝置之小型化，於按壓機構9設置光學特性檢測器14。但本發明不限定於此情況，例如，亦可構成為於按壓機構9之外部設置光學特性檢測器14，藉由光纖等將射入吸附孔11內之光線導向光學特性檢測器14。
(第二實施形態)
第7圖為本發明之第二實施形態的半導體發光元件之安裝裝置的主要部分構成圖。於前述之第一實施形態中，吸附孔11為空氣通路，藉光學特性檢測器14檢測出傳輸於此之光線，並經由光學特性測量部7而由處理控制部8控制接合之按壓力。然而，吸附孔11之傳輸頻率特性，係由塗層材料16之反射特性所左右，所以，為了測量廣範圍之色度中的亮度並以處理控制部8控制接合之按壓力，以使檢測光之傳輸頻率特性更為平坦化較為適宜。
因此，於第二實施形態中，沿著吸附孔11之內周面將複數根光纖33配置成環狀。光纖33係具有前端位於吸附孔11的半導體發光元件2之側，另一端位於光學特性檢測器14之側的芯材之光波導。又，於第二實施形態中，設有與光學特性檢測器14不同之第二光學特性檢測器34。傳輸於複數根光纖33之芯材中的光，係由第二光學特性檢測器34所檢測。在此情況下，光學特性檢測器14係僅檢測傳輸於由配置成環狀之光纖33所包圍的空氣通路中的光。並且，還可考慮以塗層材料16塗布光纖33之外周面。
以光學特性檢測器14檢測出之輸出(以下，作為第一檢測輸出)與以第二光學特性檢測器34檢測出之輸出(以下，作為第二檢測輸出)，分別經由光學特性測量部7被輸入至處理控制部8。具體而言，光學特性測量部7為分光器，用以測量光之每一頻率的強度並加以輸出。
經由光學特性測量部7輸入至處理控制部8之第一檢測輸出及第二檢測輸出，係於處理部15中以即使光學特性檢測器14與第二光學特性檢測器34之射入面積不同，每單位面積之比例仍相同的方式進行加權。如此，在以每單位面積之比例相同的方式進行加權後，加算第一檢測輸出及第二檢測輸出，並輸出至按壓控制部24。
以下，詳細說明在處理部15之加權。設第一檢測輸出為A1，光學特性檢測器14之射入面積為N1，第二檢測輸出為A2，第二光學特性檢測器34之射入面積為N2。在以此方式設定之情況下，處理部15之輸出，係以例如A1‧N2+A2‧N1之方式輸出。於第二實施形態中，其他之數值或計算與第一實施形態相同，故省略說明。
第二實施形態係藉由以此方式構成，可使經由光學特性測量部7輸入至處理控制部8的檢測信號之頻率特性，比第一實施形態之情況更為平坦。因此，可實現減少了亮度及色度之偏差的安裝狀態。
(第三實施形態)
第8及第9圖顯示本發明之第三實施形態的半導體發光元件之安裝裝置。
在此，針對半導體發光元件之一例為從背面照明液晶顯示器面板的背光的情況，舉例進行說明。在背光之情況下，必需以既定間隔於縱向及橫向安裝發光顏色為白色之多個發光元件。又，在背光之情況下，除上述外，還要求在與相鄰之發光元件之間，明亮度之偏差少且發光顏色之偏差少。
以下，針對產生明亮度及發光顏色之偏差的原因進行檢討。
將形成於發光元件之電極部的凸塊電極推壓至安裝基板3之電極部21而安裝。在此，即使在推壓而安裝之前，發光元件之明亮度及發光顏色沒有偏差，當產生按壓力之偏差時，會產生凸塊電極26之壓潰方式的偏差，其結果會產生凸塊電極26與電極部21的接觸面積之偏差。
具體而言，在凸塊電極26與電極部21之接觸面積大的情況下，發光元件隨著通電而產生的發熱，經由凸塊電極26良好地散熱至電極部21。相對於此，在凸塊電極26與電極部21之接觸面積小的情況下，發光元件隨著通電而產生的發熱，不容易經由凸塊電極26散熱至電極部21。因此，在接觸面積小之情況下，發光元件之溫度會上昇，隨著通電時間的經過，亮度會降低。
又，即使凸塊電極26與電極部21之接觸面積相同，根據凸塊電極26與電極部21之交界面的狀態，發光顏色之色度仍略微變動。
因此，於第三實施形態中，不只是使亮度接近目標亮度，亦使色度接近目標色度。因此，於第三實施形態中，在安裝基板3之正下方且於安裝基板保持部17與移動機構18之間介設有超音波施加機構35。又，處理控制部8係以執行第9(a)圖所示之控制的方式所構成。其他部分與第二實施形態相同，故省略說明。
第9(a)圖之橫軸表示時間，左側之縱軸表示被按壓控制部24所控制且按壓機構9將半導體發光元件2朝安裝基板3按壓的荷重，右側之縱軸表示使半導體發光元件2朝與安裝基板3之基板面平行的方向之橫向振動的超音波之強度。另外，第9(b)圖之橫軸表示時間，縱軸表示安裝途中之半導體發光元件2的檢測亮度。另外，第9(c)圖之橫軸表示時間，縱軸表示安裝途中之半導體發光元件2的檢測色度。又，第9(a)～9(c)圖分別顯示時間t0 ,t1 ,t2 ，用以使時序之對應關係明確。
如第9(a)圖所示，第三實施形態之處理控制部8係藉由按壓機構9將半導體發光元件2朝安裝基板3按壓，直到檢測出之亮度成為第9(b)圖所示之目標亮度值Ys為止。
檢測到檢測亮度成為第9(b)圖所示之目標亮度值Ys時之處理控制部8係如第9(a)圖所示般，維持此時之按壓機構9的荷重。另外，檢測到檢測出之亮度(以下稱為檢測亮度)成為第9(b)圖所示之目標亮度值Ys時之處理控制部8係如第9(a)圖所示般，藉由超音波施加機構35產生超音波之振動，以對半導體發光元件2賦予橫向振動。
藉此超音波之橫向振動進行的接合，在凸塊電極26與電極部21之接觸面積上無顯著的變化，半導體發光元件2之散熱特性的變化少。因此，如第9(b)圖所示，與迄至成為目標亮度值Ys為止之荷重所引起的變化率相比較，其檢測亮度之變動極小。然而，如第9(c)圖所示，所檢測出之色度(以下稱為檢測色度)，係藉由超音波振動所產生之橫向振動而朝單一方向變化。當檢測出檢測亮度成為目標亮度值Ys以上，且檢測色度成為目標色度值Cs時，則處理控制部8判斷為完成接合。另外，處理控制部8對超音波施加機構35發出截止超音波輸出的指示，並指示按壓機構9停止荷重的施加。
根據第三實施形態之構成，可將檢測亮度設為目標亮度以上，並且檢測色度亦接近於目標色度。因此，尤其有利於從背面照明液晶顯示器面板的背光的製造。
[產業上之可利用性]
本發明係可利用於必需將半導體發光元件安裝於基板上之各種電子機器的製造裝置。
1．．．安裝裝置
2．．．半導體發光元件
3．．．安裝基板
4．．．頭部
5．．．載置台
6．．．電力供給部
7．．．光學特性測量部
8．．．處理控制部
9．．．按壓機構
10,18．．．移動機構
11．．．吸附孔
12．．．負壓源
13．．．吸引用通路
14．．．光學特性檢測器
15．．．處理部
16．．．塗層材料
17．．．安裝基板保持部
19．．．直流電源
20．．．電壓測量器
21．．．電極部
22,23．．．探針
24．．．按壓控制部
25．．．記憶體
26．．．凸塊電極
33．．．光纖
34．．．第二光學特性檢測器
35．．．超音波施加機構
第1圖為本發明之第一實施形態的半導體發光元件之安裝裝置的構成圖。
第2圖為第一實施形態之頭部及其周邊的主要部分之剖視圖。
第3(a)圖為第一實施形態之第一步驟圖，第3(b)圖為第一實施形態之第二步驟圖，第3(c)圖為第一實施形態之第三步驟圖，第3(d)圖為第一實施形態之第四步驟圖，第3(e)圖為第一實施形態之第五步驟圖。
第4圖為第一實施形態之處理控制的流程圖。
第5圖為檢測光學特性值與安裝狀態的關係圖。
第6圖為第一實施形態之按壓力的控制例之示意圖。
第7圖為本發明之第二實施形態的半導體發光元件之安裝裝置的主要部分構成圖。
第8圖為本發明之第三實施形態的半導體發光元件之安裝裝置的構成圖。
第9圖為本發明之第三實施形態的半導體發光元件之安裝裝置的主要部分的檢測信號波形圖。
第10圖為習知之安裝裝置之構成圖。
1．．．安裝裝置
2．．．半導體發光元件
3．．．安裝基板
4．．．頭部
5．．．載置台
6．．．電力供給部
7．．．光學特性測量部
8．．．處理控制部
9．．．按壓機構
10,18．．．移動機構
11．．．吸附孔
13．．．吸引用通路
14．．．光學特性檢測器
15．．．處理部
17．．．安裝基板保持部
19．．．直流電源
20．．．電壓測量器
21．．．電極部
22,23．．．探針
24．．．按壓控制部
25．．．記憶體

Claims (17)

  1. 一種半導體發光元件之安裝方法，其中，在半導體發光元件之電極部與安裝基板的電極部抵接期間，將電力供給至該安裝基板的電極部，以使該半導體發光元件發光，檢測發光的該半導體發光元件的光學特性，根據所檢測出之該光學特性，控制該半導體發光元件之電極部與該安裝基板的電極部之接合。
  2. 一種半導體發光元件之安裝方法，其中，在半導體發光元件之電極部與安裝基板的電極部抵接期間，將電力供給至該安裝基板的電極部，以使該半導體發光元件發光，檢測發光的該半導體發光元件之光學特性，在根據所檢測出之該光學特性控制該半導體發光元件之電極部與該安裝基板的電極部之接合時，透過按壓控制該接合後，利用超音波控制該接合。
  3. 一種半導體發光元件之安裝方法，其中，在半導體發光元件之電極部與安裝基板的電極部抵接期間，將電力供給至該安裝基板的電極部，以使該半導體發光元件發光，檢測發光的該半導體發光元件之光學特性，且在檢測出該光學特性之色度在規定色度範圍內，並且該光學特性之亮度成為規定亮度以上時，完成接合。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之半導體發光元件之安裝方法，其中經由形成在按壓機構的內部之吸附孔，吸附保持該半導體發光元件，並通過該吸附孔檢測該半導體發光元件之光學特性，該按壓機構用以將該半導體發光元件抵接於該安裝基板。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之半導體發光元件之安裝方法，其中經由形成在按壓機構的內部之吸附孔，吸附保持該半導體發光元件，並根據按照受光面積之比例對通過該吸附孔檢測出之該半導體發光元件的第一光學特性、及通過沿該吸附孔之內周配置有透光性芯材的光波導所檢測出之該半導體發光元件的第二光學特性進行加權處理後之加法值，控制該半導體發光元件之電極部與該安裝基板的電極部之接合，該按壓機構用以將該半導體發光元件抵接於該安裝基板。
  6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之半導體發光元件之安裝方法，其中當所檢測出之該光學特性超過預先輸入之臨界值時，判斷為已完成接合。
  7. 如申請專利範圍第5項之半導體發光元件之安裝方法，其中當所檢測出之該光學特性超過預先輸入之臨界值時，判斷為已完成接合。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之半導體發光元件之安裝方法，其中當所檢測出之該光學特性一旦超過預先輸入之臨界值之後又回落到低於該臨界值時，判斷為接合過度。
  9. 一種半導體發光元件之安裝裝置，其設置有：按壓機構，於其內部形成有用以吸附半導體發光元件之吸附孔，用以按壓所吸附之半導體發光元件；載置台，其保持安裝基板；電力供給部，其將電力供給至保持於該載置台上之該安裝基板的電極部；光學特性檢測器，其檢測來自該吸附孔之光的光學特性；及處理控制部，其根據該光學特性檢測器之檢測值，控制該按壓機構之按壓。
  10. 一種半導體發光元件之安裝裝置，其設置有：按壓機構，於其內部形成有用以吸附半導體發光元件之吸附孔，用以按壓所吸附之半導體發光元件；超音波施加機構，其對該半導體發光元件施加超音波；載置台，其保持安裝基板；電力供給部，其將電力供給至保持於該載置台上之該安裝基板的電極部；光學特性檢測器，其檢測來自該吸附孔之光的光學特性；及處理控制部，其根據該光學特性檢測器之檢測值，控制藉該按壓機構實施之按壓或者藉該超音波施加機構實施之超音波。
  11. 一種半導體發光元件之安裝裝置，其設置有： 按壓機構，於其內部形成有用以吸附半導體發光元件之吸附孔，並沿該吸附孔之內周配置有光波導，用以按壓所吸附之半導體發光元件；載置台，其保持安裝基板；電力供給部，其將電力供給至保持於該載置台上之該安裝基板的電極部；第一光學特性檢測器，其檢測來自該吸附孔之光的光學特性；第二光學特性檢測器，其檢測來自該光波導之光的光學特性；及處理控制部，其根據該第一光學特性檢測器及該第二光學特性檢測器之檢測值，控制該按壓機構之按壓。
  12. 如申請專利範圍第11項之半導體發光元件之安裝裝置，其中該處理控制部係根據按照受光面積之比例對以該第一光學特性檢測器檢測出之檢測值及以該第二光學特性檢測器檢測出之檢測值進行加權處理後之加法值，控制該按壓機構之按壓。
  13. 如申請專利範圍第9至11項中任一項之半導體發光元件之安裝裝置，其中該吸附孔之直徑為0.05mm以上。
  14. 如申請專利範圍第9至11項中任一項之半導體發光元件之安裝裝置，其中該吸附孔之直徑為該半導體發光元件的對角直徑之0.2倍以下。
  15. 如申請專利範圍第9至11項中任一項之半導體發光元件之安裝裝置，其中於該吸附孔之表面塗布有塗層材料。
  16. 如申請專利範圍第15項之半導體發光元件之安裝裝置，其中該塗層材料為SiO2 或MgF2 。
  17. 如申請專利範圍第9至11項中任一項之半導體發光元件之安裝裝置，其中該吸附孔之表面被加工成鏡面狀。
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