TWI425660B - 發光二極體防水治具以及發光二極體的切割方法 - Google Patents

Description

發光二極體防水治具以及發光二極體的切割方法

本發明涉及一種發光二極體，尤其涉及一種發光二極體防水治具以及一種發光二極體的切割方法。

目前，發光二極體(Light Emitting Diode, LED)因具有功耗低、壽命長、體積小及亮度高等特性已經被廣泛應用到很多領域。

一般地，發光二極體由封裝完畢的發光二極體模組切割而成，並一般採用機械切割法。然而，在機械切割過程，切割用的刀刃與板材之間產生摩擦而升溫。因此，在切割過程中，一般需要用液體，如水，以幫助刀刃與板材等降溫，以免發光二極體模組在切割過程中受高溫破壞。然而，在切割過程中，降溫用的液體容易滲入封裝體中，從而影響發光二極體的性能參數。

有鑒於此，有必要提供一種可防水的發光二極體防水治具以及一種發光二極體的切割方法。

一種發光二極體防水治具，其用於在切割發光二極體模組時，對發光二極體模組的基板上的多個發光二極體進行防水保護。該防水治具具有一表面，且該表面上具有多個向該防水治具內延伸的以分別防水收容所述多個發光二極體的第一凹槽。

一種發光二極體的切割方法，其包括：提供一個發光二極體模組，其包括一基板，以及封裝在該基板上的多個發光二極體，每個發光二極體包括有設置在該基板上的發光二極體晶片，圍繞該發光二極體晶片的反射杯，以及設置在該發光二極體晶片出光面的封裝體，每個反射杯具有一外側壁；提供一個防水治具，該防水治具具有一第一表面，且該第一表面上具有多個向該防水治具內延伸的第一凹槽，該第一凹槽具有一內表面；將該防水治具套設在該發光二極體模組上，以使該防水治具的內表面與該反射杯的外側壁緊密接觸；切割該基板以形成多個發光二極體封裝結構。

所述發光二極體防水治具以及一種發光二極體的切割方法均採用了防水治具，該防水治具包括的第一凹槽與該發光二極體模組包括反射杯的外側壁緊密接觸，因此，在切割過程中，可有效的防止水等液體透過該發光二極體模組的反射杯與封裝體進入該發光二極體晶片。

下面將結合附圖對本發明實施例作進一步的詳細說明。

請參閱圖1與圖2，本發明實施例提供一種發光二極體防水治具100，該防水治具100用於在切割發光二極體模組200時，對發光二極體模組200進行防水保護。

該發光二極體模組200包括基板20，以及間隔形成在該基板20上的多個發光二極體21。每個發光二極體21包括形成在該基板20上的多個反射杯22，設置在該基板20上且分別收容該反射杯22內的發光二極體晶片23，以及設置在該發光二極體晶片23出光面的封裝體24。

該基板20呈平板狀，其具有一第一表面215以及與其相對的第二表面216。該基板20上具有多個通孔。每個發光二極體21包括有一電極對217。該電極對217的一端形成在該基板20的第一表面215上，其另一端分別穿過該多個通孔並延伸至該基板20的第二表面216。該發光二極體晶片23設置在該電極對217包括的一個電極上，並通過打線分別與該電極對217形成電連接。

該反射杯22形成在該基板20的第一表面215上。該反射杯22包覆電極217位於該第一表面215的端部。在本實施例中，該反射杯22具有一環形的外側壁225及一遠離第一表面215的底面。在本實施例中，該反射杯22的外側壁225垂直於基板20的第一表面215；在其他實施例中，該反射杯22的外側壁225亦可以自第一表面215朝向封裝體24傾斜，以供防水治具100嵌入。

該發光二極體晶片23的出光面上設置在封裝體24。在本實施例中，該封裝體24填充整個反射杯22。該封裝體24為摻雜有螢光粉的封裝樹脂。在本實施例中，該封裝體24具有一個光出射面245，且該光出射面245為平面。在本實施例中，該光出射面245與反射杯22的底面平齊。當然，該封裝體24也可以為其他封裝材料，且該光出射面245也可以根據需要設置成其他形狀，如凸曲面，凹曲面等。

在本實施例中，該防水治具100用於與該發光二極體模組200相配合。該防水治具100包括一本體10，該本體10具有一上表面101以及與其相對的下表面102。該上表面101上形成有多個向該本體10內延伸的多個第一凹槽12。該第一凹槽12包括有一內側壁13以及與該內側壁13相連接的底面14。在本實施例中，該第一凹槽12呈矩形設置，該內側壁13與該底面14相互垂直。

所述相鄰的第一凹槽12之間形成有一凸起的支撐部15。每個支撐部15上形成有向該支撐部15延伸的第二凹槽16。在實施例中，該支撐部15的高度小於該反射杯22的底面到該基板20的第一表面215的距離，支撐部15的寬度小於或等於相鄰的發光二極體21之間的間距。該第二凹槽16呈梯形設置，其開口大小沿該本體10的上表面101到下表面102的方向逐漸減小。

當使用該防水治具100時，先將該防水治具100與該發光二極體模組200相配合。在本實施例中，每一個第一凹槽12與一個發光二極體21相配合，且該第一凹槽12的內側壁13與底面14分別與該發光二極體21的外側壁225以及光出射面245緊密配合，以使該防水治具100的支撐部15位於相鄰的發光二極體21之間。由於該支撐部15的高度小於該所述反射杯22的底面到該基板20的第一表面215的距離，當該支撐部15與該發光二極體模組200配合後，支撐部15的底端與基板20的第一表面215相間隔，以避免刀具切割時破壞該防水治具100。

在切割該發光二極體模組200時，由於該發光二極體模組200與防水治具100相配合使用，因此，可以將該發光二極體模組200放置液體中，通過該液體可以降低切割溫度，防止高溫損壞該發光二極體21。由於該發光二極體21的外側壁225以及光出射面245分別與該第一凹槽12的內側壁13與底面14緊密配合，因此，該防水治具100可有效地防止液體透過該發光二極體模組200的反射杯22與封裝體24進入該發光二極體晶片23，從而保護該發光二極體晶片23。進一步地，該防水治具100的支撐部15以及設置在其上的第二凹槽16，可用於在切割過程中，用於承載被切除的基板20，以及液體，防止液體透過反射杯22的外側壁225進入該發光二極體晶片23。

請參見圖3所示，一種發光二極體的切割方法，其包括以下步驟：

步驟一：提供一基板，基板具有一第一表面。請一併參見圖1與圖2，具體地，該基板20包括一第一表面215以及與其相對的第二表面216。

步驟二：在基板的第一表面上形成多個反射杯，每個反射杯具有一個外側壁，該基板具有暴露在每個反射杯的底部的暴露面。該反射杯22形成在該基板20的第一表面215上。該反射杯22具有一環形的外側壁225及一遠離第一表面215的底面。在本實施例中，該反射杯22的外側壁225垂直於基板20的第一表面215；在其他實施例中，該反射杯22的外側壁225亦可以自第一表面215朝向封裝體24傾斜，以供防水治具100嵌入。優選地，先在該基板20上形成多個電極對217。每個反射杯22包覆一個電極對217的一端部。該電極對217的另一端部穿過該基板20並延伸至該基板20的第二表面216。

步驟三：將多個發光二極體晶片分別設置在該基板的暴露面；在每個發光二極體晶片的出光面形成一封裝體以形成發光二極體。在本實施例中，該多個發光二極體晶片23分別設置在該基板20的暴露面上，且位於電極對217的其中一個電極上，並通過金線與該電極對217電連接。該發光二極體晶片23的出光面上設置在封裝體24。在本實施例中，該封裝體24具有一個光出射面245，該光出射面245為平面，且該光出射面245與反射杯22的底面平齊。

步驟四：提供一個防水治具，該防水治具具有一第一表面，且該第一表面上具有多個向該防水治具內延伸的第一凹槽，該第一凹槽具有一內表面。該防水治具100包括一本體10，該本體10具有一上表面101以及與其相對的下表面102。該上表面101上形成有多個向該本體10內延伸的多個第一凹槽12。該第一凹槽12包括有一內側壁13以及與該內側壁13相連接的底面14。在本實施例中，該第一凹槽12為長方形，該內側壁13與該底面14為相互垂直的平面。

相鄰的第一凹槽12之間形成有一凸起的支撐部15。每個支撐部15上形成有向該支撐部15延伸的第二凹槽16。在實施例中，該支撐部15的高度小於所述反射杯22的底面到該基板20的第一表面215的距離，支撐部15的寬度小於或等於相鄰的發光二極體21之間的間距。該第二凹槽16的開口大小沿該本體10的上表面101到下表面102的方向逐漸減小。

步驟五：將該防水治具套設在該發光二極體模組上，以使該防水治具的內表面與該反射杯的外側壁緊密接觸。具體地，每一個第一凹槽12與一個發光二極體21相配合，且該第一凹槽12的內側壁13與底面14分別與該發光二極體21的外側壁225以及光出射面245緊密配合，以使該防水治具100的支撐部15位於相鄰的發光二極體21之間。

步驟六：切割該基板以形成多個發光二極體封裝結構。

在切割該發光二極體模組200時，由於該發光二極體模組200與防水治具100相配合使用，因此，可以將該發光二極體模組200放置液體中，通過該液體可以降低切割溫度，防止高溫損壞該發光二極體21。並且，由於該發光二極體21的外側壁225以及光出射面245分別與該第一凹槽12的內側壁13與底面14緊密配合，因此，該防水治具100可有效地防止液體透過該發光二極體模組200的反射杯22與封裝體24進入該發光二極體晶片23，從而保護該發光二極體晶片23。

綜上所述，本發明符合發明專利要件，爰依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施例，舉凡熟悉本案技藝之人士，在爰依本發明精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下之申請專利範圍內。

100‧‧‧防水治具

10‧‧‧本體

101‧‧‧上表面

102‧‧‧下表面

13‧‧‧內側壁

14‧‧‧底面

15‧‧‧支撐部

16‧‧‧第二凹槽

200‧‧‧發光二極體模組

20‧‧‧基板

21‧‧‧發光二極體

215‧‧‧第一表面

216‧‧‧第二表面

22‧‧‧反射杯

225‧‧‧外側壁

23‧‧‧發光二極體晶片

24‧‧‧封裝體

245‧‧‧光出射面

圖1是本發明實施例的發光二極體防水治具與發光二極體模組的剖面分解示意圖。

圖2是圖1的發光二極體防水治具與發光二極體模組相配合的剖面示意圖。

圖3是本發明一種發光二極體的切割方法的流程圖。

10‧‧‧本體

13‧‧‧內側壁

14‧‧‧底面

16‧‧‧第二凹槽

215‧‧‧第一表面

216‧‧‧第二表面

225‧‧‧外側壁

245‧‧‧光出射面

Claims (10)

1. 一種發光二極體防水治具，該發光二極體防水治具用於在切割發光二極體模組時，對發光二極體模組的基板上的多個發光二極體進行防水保護，其改進在於：該防水治具具有一表面，且該表面上具有多個向該防水治具內延伸的以分別防水收容所述多個發光二極體的第一凹槽。
2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體防水治具，其中，每一第一凹槽包括一以與發光二極體的外側壁緊密接觸的內側壁以及與內側壁相連接的底面。
3. 如申請專利範圍第2項所述之發光二極體防水治具，其中，每一第一凹槽的底面為平面。
4. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體防水治具，其中，該防水治具的相鄰的第一凹槽之間形成有一凸起的支撐部，該支撐部的頂面設有第二凹槽。
5. 一種發光二極體的切割方法包括：
   提供一個發光二極體模組，該發光二極體模組包括一基板，以及封裝在該基板上的多個發光二極體，每個發光二極體包括有設置在該基板上的發光二極體晶片，圍繞該發光二極體晶片的反射杯，以及設置在該發光二極體晶片出光面的封裝體，每個反射杯具有一外側壁；
   提供一個防水治具，該防水治具具有一第一表面，且該第一表面上具有多個向該防水治具內延伸的第一凹槽，該第一凹槽具有一內表面；
   將該防水治具套設在該發光二極體模組上，以使該防水治具的內表面與該反射杯的外側壁緊密接觸；及
   切割該基板以形成多個發光二極體封裝結構。
6. 如申請專利範圍第5項所述之發光二極體的切割方法，其中，每一第一凹槽的內表面包括一內側壁以及與內側壁相連接的底面，該內側壁與該反射杯的外側壁緊密接觸。
7. 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體的切割方法，其中，每一第一凹槽的底面與該封裝體緊密接觸。
8. 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體的切割方法，其中，該防水治具的相鄰的第一凹槽之間形成有一凸起的支撐部，該基板的用於承載該發光二極體晶片的表面為第一表面，該反射杯具有一遠離該基板的第一表面的底面，該支撐部的高度小於所述反射杯的底面到該基板的第一表面的距離。
9. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體的切割方法，其中，該支撐部的頂面設有第二凹槽。
10. 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體的切割方法，其中，該發光二極體模組的形成方法包括：提供一基板，基板具有一第一表面；在基板的第一表面上形成多個反射杯，每個反射杯具有一個外側壁，該基板具有暴露在每個反射杯的底部的暴露面；將多個發光二極體晶片分別設置在該基板的暴露面，在每個發光二極體晶片的出光面形成一封裝體以形成發光二極體，每個封裝體具有一個光出射面。