TWI425642B - 積體低漏電二極體 - Google Patents

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TWI425642B
TWI425642B TW097150498A TW97150498A TWI425642B TW I425642 B TWI425642 B TW I425642B TW 097150498 A TW097150498 A TW 097150498A TW 97150498 A TW97150498 A TW 97150498A TW I425642 B TWI425642 B TW I425642B
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    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
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Description

積體低漏電二極體
本發明係關於功率積體電路裝置，且更特定言之係關於在功率積體電路中的高電壓二極體。
關於本發明之背景可在美國專利號第7,045,830號之先前技術段落之說明中發現。
在一實施例中，本發明包括一種與一功率積體電路整體地形成在一第一傳導性類型之一基板上之二極體，該二極體具有：形成在該基板上之該第一傳導性類型之一磊晶層，連同與該基板分離的一第二傳導性類型之一第一區域，該第二傳導性類型與該磊晶層中之該第一傳導性類型相反；及該第一傳導性類型之一第二區域，該第二區域係在該第一區域上面並接觸該第一區域，使得橫跨該磊晶層、該第一區域及該第二區域而形成一垂直寄生電晶體。該二極體進一步包含：在該磊晶層上之一閘極氧化物及在該閘極氧化物上之一閘極；該第一傳導性類型之一通道區域，該通道區域係在該閘極下面及其延伸至該第一傳導性類型之一第三區域，該第三區域具有高於該通道區域之一摻雜物濃度；該第二傳導性類型之一第四區域，該第四區域接觸該通道區域及該第三區域且實質上垂直對準該閘極之一第一邊緣；該第四區域具有高於該通道區域的一摻雜物濃度。該二極體進一步包含：一陽極終端，其與該閘極、該第三區域及該第四區域接觸；該第二傳導性類型之一漂移區域，該漂移區域從該通道區域延伸至該第二傳導性類型之一第五區域及該第一傳導性類型之一第六區域，該漂移區域具有低於該第四區域的一摻雜物濃度，該第五區域及該第六區域具有高於該通道區域的摻雜物濃度；一陰極終端，其與該第五區域及該第六區域接觸；及該第二傳導性類型之一第七區域，該第七區域從該磊晶層之該上表面向下延伸至該第一區域使得與該第一區域、該第二區域及該第三區域接觸，該第七區域具有高於該第一區域及該第二區域的一摻雜物濃度，該第七區域與該陽極終端接觸。
在本發明之另一形式中，一種與一功率積體電路整體地形成在一第一傳導性類型之一基板上之二極體包含：形成在該基板上之該第一傳導性類型之一磊晶層；與該基板分離的一第二傳導性類型之一第一區域，該第二傳導性類型與該磊晶層中之該第一傳導性類型相反；及該第一傳導性類型之一第二區域，該第二區域係在該第一區域之上面並接觸該第一區域，使得橫跨該磊晶層、該第一區域及該第二區域而形成一垂直寄生電晶體。該二極體亦包含：在該磊晶層上之一閘極氧化物及在該閘極氧化物上之一閘極；該第一傳導性類型之一通道區域，該通道區域係在該閘極下面及延伸至該第一傳導性類型之一第三區域，該第三區域具有高於該通道區域的一摻雜物濃度的；該第二傳導性類型之一第四區域，該第四區域接觸該通道區域及該第三區域且實質上垂直對準該閘極之一第一邊緣；該第四區域，該第四區域具有高於該通道區域一的摻雜物濃度。該二極體亦包含一陽極終端，其與該閘極、該第三區域、及該第四區域接觸；該第二傳導性類型之一漂移區域，其從該通道區域延伸至該第二傳導性類型之一第五區域及該第一傳導性類型之一第六區域，該漂移區域具有低於該第四區域的一摻雜物濃度，該第五區域及該第六區域具有高於該通道區域的摻雜物濃度，一陰極終端，其與該第五區域及該第六區域接觸；及該第一傳導性類型之一第八區域，該第八區域在該第二區域與該漂移區域之間且接觸該第二區域與該漂移區域。
在一實施例中，本發明亦包括一種與一功率積體電路整體地形成在一第一傳導性類型之一基板上之二極體，該二極體包含：形成在該基板上之該第一傳導性類型之一磊晶層；與該基板分離的一第二傳導性類型之一第一區域，該第二傳導性類型與該磊晶層中之該第一傳導性類型相反；及該第一傳導性類型之一第二區域，該第二區域係在該第一區域上面並接觸該第一區域，使得橫跨該磊晶層、該第一區域及該第二區域而形成一垂直寄生電晶體。該二極體進一步包含：在該磊晶層上的一階狀閘極氧化物，其具有一較薄部分及一較厚部分；在該階狀閘極氧化物上的一閘極，其與該閘極氧化物之該較薄部分及該較厚部分兩者重疊；該第一傳導性類型之一通道區域，該通道區域在該階狀閘極氧化物之該較薄部分及該閘極下面，該通道區域延伸至該第一傳導性類型之一第三區域，該第三區域具有高於該通道區域的一摻雜物濃度；及該第二傳導性類型之一第四區域，該第四區域接觸該通道區域及該第三區域且實質上垂直對準該閘極之一第一邊緣；該第四區域具有高於該通道區域的一摻雜物濃度。此外，該二極體包含一陽極終端，其與該閘極、該第三區域、及該第四區域接觸；該第二傳導性類型之一漂移區域，該漂移區域從該通道區域延伸至該第二傳導性類型之一第五區域及該第一傳導性類型之一第六區域，該漂移區域具有低於該第四區域的一摻雜物濃度，該第五區域及該第六區域具有高於該通道區域的摻雜物濃度；及一陰極終端，其與該第五區域及該第六區域接觸。
仍然在本發明之另一形式中，提供一種用於在一與一功率積體電路整體地形成之二極體中減少寄生基板漏電之方法，該二極體包含供該寄生基板漏電流流動通過其之一垂直寄生電晶體，該方法包括連接形成該寄生垂直電晶體之一基極的一區域至形成具有一連接至該二極體之一陽極終端的高度摻雜區域之該寄生垂直電晶體之一射極之一區域。
上述及其它特徵、特性、優點及本發明大體上將從以下結合所附圖式之更詳細描述中更好地理解。
應瞭解，為了清楚之目的及其中視為適合，在圖式中以重複參考數字指示相應的特徵。同樣，在圖式中各種物件之相對尺寸在顯示本發明的一些情形中已予以變形以更清楚顯示本發明。
圖1係一積體低漏電二極體20之一圖解視圖，該二極體能在一功率積體電路22中形成。同樣在圖1顯示的係在二極體20、一橫向NPN電晶體24、一橫向PNP電晶體26、及一垂直寄生PNP電晶體28中固有的三個雙極電晶體之圖解描述。
為了理解二極體20之結構之目的，該二極體20可視為一經修改的N通道功率MOSFET。在一習知N通道功率MOSFET之正常導電狀態下，定位於閘極附近的源極相較於位於遠離該閘極之漂移區域之側上的汲極係更具負性，及電子從源極流向汲極。然而，在該二極體20中，陰極區域30係在習知MOSFET中之汲極之位置，及陽極區域32係在習知MOSFET中之源極之位置，其導致電流在二極體20中關於習知MOSFET反方向流動。
功率積體電路22具有一P+基板34，一P-磊晶層36已經生長在其上。應理解在圖1中描述及顯示的該導電性類型若其都被反向導致一N+基板、一N-磊晶層等，則其可都被反向。
為了更好地理解二極體20之結構，以下描述大致按照用於形成二極體20之處理操作。因此，不同區域之位置可與之前在製造程序中形成的區域有關，而不係顯示在圖1中已完成的二極體20之區域。該二極體20包含形成在該磊晶層36之上表面的場氧化物38及40，在該等附近的將係二極體20之陽極區域。一N井區42被形成在該磊晶層36中及具有大約2微米的一深度及大約每立方釐米1e16至1e18個原子的一摻雜物濃度。具有大約1.25微米的一深度及大約每立方釐米6e15至6e17個原子的一摻雜物濃度的一P擴散器44形成在該N井區42之頂端。具有大約1微米的一深度及大約每立方釐米6e15至6e17個原子的一摻雜物濃度的一P延伸46被形成在該P擴散器44上。具有大約0.8微米的一深度及大約每立方釐米5e16至8e17個原子的一摻雜物濃度的一N井48被置於該P延伸之上部，在該P延伸下面的將係在完成二極體20中之陰極區域32。具有大約0.4微米的一深度及大約每立方釐米3e16至3e18個原子的一摻雜物濃度的一N延伸50被形成在該P延伸46上及垂直延伸至該磊晶層36之上表面。在漂移區域中的該堆疊的P延伸46及N延伸50由於P延伸46及N延伸50之RESURF設計能通過漂移區域使二極體20抵抗一高電壓反偏壓及一相對低的電阻。
具有大約1微米的一深度及大約每立方釐米5e16至8e17個原子的一摻雜物濃度的一P井52被形成在陽極區域32中及向下延伸至該P擴散器44中。
具有一大約115A微米深度之較薄部分56，及一具有大約425A微米之一深度的較厚部分58的一階狀閘極氧化物54被形成在該磊晶層36之表面上，及一閘極60被形成在該階狀閘極氧化物54上及延伸到該階狀閘極氧化物54之較薄部分-較厚部分過渡上。由於在陰極區域32及閘極60之間的減少的電場，該階狀閘極氧化物54之較厚部分58隨減少二極體20之敏感性至熱載流子注入(HCI)效果一起將米勒回饋電容減少到最少。
具有大約0.8微米的一深度及大約每立方釐米6e16至6e18個原子的一摻雜物濃度的一P-緩衝器62及具有大約0.1微米的一深度及大約每立方釐米1e19至9e20個原子的一摻雜物濃度的一N+區域64使用閘極60作為一遮罩被形成在陽極區域32。該P-緩衝器62向下延伸至大約P-延伸46之中間，及在階狀閘極氧化物54之較薄部分56上之閘極60之部分下面，如此在大約0.1至0.35微米之閘極60下面形成一短通道區域。該N+區域64部分向下延伸至P-緩衝器62及與閘極60之邊緣自我對準。
具有大約0.2微米的一深度及大約每立方釐米5e18至5e20個原子的一摻雜物濃度的一P+區域66被形成在陰極區域30之右側之N-延伸50中，亦即離該閘極60最遠之該側，及具有大約0.2微米的一深度及大約每立方釐米1e19至9e20個原子的一摻雜物濃度的N+區域68亦被形成在N-延伸50，但在陰極區域30之左側且鄰近P+區域66。
閘極側壁氧化物70及72被形成在閘極40之側上，及具有大約0.2微米的一深度及大約每立方釐米5e18至5e20個原子的一摻雜物濃度的一P+區域74自我對準側壁氧化物70被形成在陽極區域32，及向下延伸至P-緩衝器62。P+區域74之較低摻雜物濃度不明顯影響N+區域64。具有大約每立方釐米1e18至1e20個原子的一摻雜物濃度的一N+儲集器76被形成在場氧化物38、40之間且部分在該等下面及向下延伸至N井區42。該高度摻雜的N+儲集器76與P擴散器區域44及N井區42兩者接觸，減少該兩個區域之間的正向偏壓且防止垂直寄生PNP電晶體28完全接通。
四個矽化物被形成在磊晶層36之曝露的表面上。第一矽化物78與N+儲集器76接觸，第二矽化物80與P+區域74接觸及N+區域64接觸，第三矽化物82與閘極60接觸，及第四矽化物84與N+區域68及P+區域66接觸。矽化物78、80及82一起連接至二極體20之陽極終端86。矽化物84連接至二極體20之一陰極終端88。
因此二極體20具有從陽極終端86至通道區域的一P傳導性類型路徑且在閘極60下面，該閘極60亦連接至陽極終端86。因此，在沒有橫向NPN電晶體24之存在下，就不會在通道區域中誘發一反相層，且當陽極至陰極電壓小於一PN正向偏壓接面障壁電壓時不會有任何電流流經二極體20。然而，當陽極至陰極電壓大於PN正向偏壓接面障壁電壓(大約7伏特)時，因為在基極有一電洞電流從P緩衝器62流至N-延伸50且電子電流藉由來自N-延伸50的N+區域64收集，所以橫向NPN電晶體24變為傳導性的，在表面的電子電流將減少表面障壁以在通道區域形成一反相層，及最後，具有汲極N+64及源極N+68的反向MOSFET在一較低臨限電壓被接通。反向MOSFET之電子通道電流之部分因為在矽化物層80中存在電洞載流子及電子載流子之間交換，所以將成為閘極控制PNP之基極電流。二極體20因此以一混合MOS-雙極模式操作，導致相對高的電流通過具有相對低的正向電壓的二極體20，正如在圖6A及6B中顯示的。短通道閘極控制橫向NPN電晶體24之低正向電壓下降之效率大於垂直寄生NPN電晶體28，因此，從陽極86至陰極88之電流將遠遠大於從陽極至基板的電流，及由垂直寄生NPN電晶體28引起的基板漏電將明顯減少。
在陰極區域30中之橫向PNP電晶體26使其兩個基極在N井48中及其集極在P+區域66中，及其射極在P-延伸46中，導致陽極終端86與陰極終端88之間的另一雙極連接。由於在N井電阻器之電壓下降，在N+區域68之表面與在P+區域66下面之N井48之區域之間有一電壓差，因此，加反向偏壓於在P+區域66及N井48之間的接面。在足以加正向偏壓於P-延伸46至N井48接面的一較高陽極電壓下，橫向PNP電晶體26將被接通，由於更多陽極電洞電流橫向進入陰極而不係垂直進入基板，因此其亦減少由垂直寄生NPN電晶體28引起的基板漏電。
因為在陽極區域32之電洞電流將大部分與N-延伸區域50之表面附近的電子電流重新組合，且橫向雙極電晶體24、26比垂直寄生NPN電晶體28更具電力，所以垂直電洞電流流動將比表面電洞電流流動更少，從而減少垂直寄生NPN電晶體28之電流增益(β)。
此外，在二極體20中之所有區域係使用標準功率IC技術予以形成。
圖2係各自具有20伏及30伏定額擊穿電壓之積體低漏電二極體20之經測量的擊穿電壓90及92之一圖。20伏特裝置擊穿電壓，顯示為曲線90，具有26.5伏特之一擊穿電壓，且30伏特裝置擊穿電壓，顯示為曲線92，具有38.5伏特之一擊穿電壓。
圖3係圖1顯示之類型之一積體低漏電二極體之經測量的陽極至基板擊穿電壓之一圖。正如可以看到的，該陽極至基板擊穿電壓係在59伏特特左右。
圖4A及4B係圖1顯示之類型之兩個積體低漏電二極體之經測量的基板電流對二極體電流之圖。正如在圖4A顯示的，有一很低的基板電流用於20伏特裝置，甚至在一陽極電流密度160A/mm2 ，然而30伏特裝置，在圖4B顯示，亦具有相同電流密度的一很低基板電流。
圖5A及5B係圖1顯示之類型之兩個積體低漏電二極體之寄生PNP垂直電晶體28之經測量的電流增益(β)對二極體電流之圖。圖5A顯示為在一陽極電流密度為160A/mm2 的20伏特裝置的2.1E-7左右的垂直寄生PNP電晶體28之一電流增益(β)及圖5B顯示在相同電流密度之30伏特裝置的8.6E-5左右的一電流增益(β)。
圖6A及6B係圖1顯示之類型之兩個積體低漏電二極體之經測量的橫越二極體之電壓下降對二極體電流之圖。圖6A顯示在一陽極電流密度為160A/mm2 的20伏特裝置之1.01伏特左右之一正向電壓下降，及圖6B顯示在相同電流密度之30伏特裝置之1.04伏左右之一正向電壓下降。
雖然本發明已經參考特定實施例予以描述，但熟習此項技術者將理解的係在不偏離本發明之範圍情況下各種變化可能發生且等效物可代替其元件。此外，在不偏離本發明之範圍情況下，可作很多修改以使一特定情況或材料適於本發明之教示。
因此，本發明之目的不係限制於揭示為所預期之最佳模式以實行本發明之特定實施例，而係本發明將包含在所附請求項之範圍及精神內的所有實施例。
20．．．二極體
22．．．電路
24．．．橫向NPN電晶體
26．．．橫向PNP電晶體
28．．．垂直寄生PNP電晶體
30．．．陽極區域
32．．．陰極區域
34．．．P+基板
36．．．P-磊晶層
38．．．場氧化物
40．．．場氧化物
42．．．N井區
44．．．P擴散器
46．．．P延伸
48．．．N井
50．．．N延伸
52．．．P井
54．．．階狀閘極氧化物
56．．．較薄部分
58．．．較厚部分
60．．．閘極
62．．．P-緩衝器
64．．．N+區域
66．．．P+區域
68．．．N+區域
70．．．閘極側壁氧化物
72．．．閘極側壁氧化物
74．．．P+區域
76．．．N+儲集器
78．．．矽化物
80．．．矽化物
82．．．矽化物
84．．．矽化物
86．．．陽極終端
88．．．陰極終端
圖1係根據本發明之一實施例，一積體低漏電二極體之一圖解視圖；
圖2係圖1顯示之類型之兩個積體低漏電二極體之經測量的擊穿電壓之一圖；
圖3係圖1顯示之類型之一積體低漏電二極體之經測量的陽極至基板擊穿電壓之一圖；
圖4A及4B係圖1顯示之類型之兩個積體低漏電二極體之經測量的基板電流對二極體電流之圖；
圖5A及5B係圖1顯示之類型之兩個積體低漏電二極體之經測量的寄生PNP垂直電晶體之電流增益(β)對二極體電流之圖；及
圖6A及6B係圖1顯示之類型之兩個積體低漏電二極體之經測量的橫越該二極體之電壓下降對二極體電流之圖。
20．．．二極體
22．．．電路
24．．．橫向NPN電晶體
26．．．橫向PNP電晶體
28．．．垂直寄生PNP電晶體
30．．．陽極區域
32．．．陰極區域
34．．．P+基板
36．．．P-磊晶層
38．．．場氧化物
40．．．場氧化物
42．．．N井區
44．．．P擴散器
46．．．P延伸
48．．．N井
50．．．N延伸
52．．．P井
54．．．階狀閘極氧化物
56．．．較薄部分
58．．．較厚部分
60．．．閘極
62．．．P-緩衝器
64．．．N+區域
66．．．P+區域
68．．．N+區域
70．．．閘極側壁氧化物
72．．．閘極側壁氧化物
74．．．P+區域
76．．．N+儲集器
78．．．矽化物
80．．．矽化物
82．．．矽化物
84．．．矽化物
86．．．陽極終端
88．．．陰極終端

Claims (20)

  1. 一種與一功率積體電路整體地形成在一第一傳導性類型之一基板上之二極體，其包括：a)形成在該基板上之該第一傳導性類型之一磊晶層；b)與該基板分離的一第二傳導性類型之一第一區域，該第二傳導性類型與該磊晶層中之該第一傳導性類型相反；c)該第一傳導性類型之一第二區域，該第二區域係在該第一區域之上面並接觸該第一區域，使得橫跨該磊晶層、該第一區域及該第二區域而形成一垂直寄生電晶體；d)在該磊晶層上之一閘極氧化物及在該閘極氧化物上之一閘極；e)該第一傳導性類型之一通道區域，該通道區域係在該閘極下面且延伸至該第一傳導性類型之一第三區域，該第三區域具有高於該通道區域之一摻雜物濃度；f)該第二傳導性類型之一第四區域，該第四區域接觸該通道區域及該第三區域且實質上垂直對準該閘極之一第一邊緣；該第四區域具有高於該通道區域的一摻雜物濃度；g)一陽極終端，其與該閘極、該第三區域及該第四區域接觸；h)該第二傳導性類型之一漂移區域，該漂移區域從 該通道區域延伸至該第二傳導性類型之一第五區域及該第一傳導性類型之一第六區域，該漂移區域具有低於該第四區域的一摻雜物濃度，該第五區域及該第六區域具有高於該通道區域的摻雜物濃度；i)一陰極終端，其與該第五區域及該第六區域接觸；及j)該第二傳導性類型之一第七區域，該第七區域從該磊晶層之上表面向下延伸至該第一區域使得與該第一區域、該第二區域及該第三區域接觸，該第七區域具有高於該第一區域及該第二區域的一摻雜物濃度，該第七區域與該陽極終端接觸。
  2. 如請求項1之二極體，其中該第四區域、該通道區域、及該漂移區域形成一橫向電晶體，該橫向電晶體在陽極電壓大於陰極電壓達一預定量時變為具傳導性。
  3. 如請求項1之二極體，其進一步包含定位於該漂移區域與該第二區域之間的該第一傳導性類型之一第八區域，該第八區域與該漂移區域形成一RESURF結構。
  4. 一種與一功率積體電路整體地形成在一第一傳導性類型之一基板上之二極體，其包括：a)形成在該基板上之該第一傳導性類型之一磊晶層；b)與該基板分離的一第二傳導性類型之一第一區域，該第二傳導性類型與該磊晶層中之該第一傳導性類型相反； c)該第一傳導性類型之一第二區域，該第二區域係在該第一區域之上面並接觸該第一區域，使得橫跨該磊晶層、該第一區域及該第二區域而形成一垂直寄生電晶體；d)在該磊晶層上之一閘極氧化物及在該閘極氧化物上之一閘極；e)該第一傳導性類型之一通道區域，該通道區域係在該閘極下面且延伸至該第一傳導性類型之一第三區域，該第三區域具有高於該通道區域之一摻雜物濃度；f)該第二傳導性類型之一第四區域，該第四區域接觸該通道區域及該第三區域且實質上垂直對準該閘極之一第一邊緣；該第四區域具有高於該通道區域的一摻雜物濃度；g)一陽極終端，其與該閘極、該第三區域、及該第四區域接觸；h)該第二傳導性類型之一漂移區域，該漂移區域從該通道區域延伸至該第二傳導性類型之一第五區域及該第一傳導性類型之一第六區域，該漂移區域具有低於該第四區域的一摻雜物濃度，該第五區域及該第六區域具有高於該通道區域的摻雜物濃度；i)一陰極終端，其與該第五區域及該第六區域接觸；及j)該第一傳導性類型之一第八區域，該第八區域在該第二區域與該漂移區域之間並且接觸該第二區域與該 漂移區域。
  5. 如請求項4之二極體，其進一步包括該第二傳導性類型之一第九區域，該第九區域包含在該第八區域之上部的內部且大約垂直地對準在該第五區域及該第六區域下面。
  6. 如請求項5之二極體，其中該第六區域、該第九區域及該第八區域產生一PNP電晶體。
  7. 如請求項5之二極體，其中該第九區域與該漂移區域接觸。
  8. 如請求項5之二極體，其中該漂移區域及該第八區域形成一RESURF結構。
  9. 一種與一功率積體電路整體地形成在一第一傳導性類型之一基板上之二極體，其包括：a)形成在該基板上之該第一傳導性類型之一磊晶層；b)與該基板分離的一第二傳導性類型之一第一區域，該第二傳導性類型與該磊晶層中之該第一傳導性類型相反；c)該第一傳導性類型之一第二區域，該第二區域係在該第一區域之上面並接觸該第一區域，使得橫跨該磊晶層、該第一區域及該第二區域而形成一垂直寄生電晶體；d)在該磊晶層上的一階狀閘極氧化物，其具有一較薄部分及一較厚部分； e)在該階狀閘極氧化物上的一閘極，其與該閘極氧化物之該較薄部分及該較厚部分兩者重疊；f)該第一傳導性類型之一通道區域，該通道區域在該階狀閘極氧化物之該較薄部分及該閘極下面，該通道區域延伸至該第一傳導性類型之一第三區域，該第三區域具有高於該通道區域的一摻雜物濃度；g)該第二傳導性類型之一第四區域，該第四區域接觸該通道區域及該第三區域且實質上垂直對準該閘極之一第一邊緣；該第四區域具有高於該通道區域的一摻雜物濃度；h)一陽極終端，其與該閘極、該第三區域、及該第四區域接觸；i)該第二傳導性類型之一漂移區域，該漂移區域從該通道區域延伸至該第二傳導性類型之一第五區域及該第一傳導性類型之一第六區域，該漂移區域具有低於該第四區域的一摻雜物濃度，該第五區域及該第六區域具有高於該通道區域的摻雜物濃度；及j)一陰極終端，其與該第五區域及該第六區域接觸。
  10. 如請求項9之二極體，其中該閘極區域、該第四區域、該第三區域、該通道區域及該漂移區域形成具有一混合MOS-雙極模式的一橫向閘極控制NPN電晶體，當陽極電壓大於陰極電壓達一預定量時，電晶體變為傳導性的。
  11. 一種與一功率積體電路整體地形成之二極體，該二極體 包含一供該寄生基板漏電流流動通過之垂直寄生電晶體，其包括用於減少該垂直寄生電晶體之一射極與一基極之間之電壓差的構件。
  12. 一種在一與一功率積體電路整體地形成之二極體中減少寄生基板漏電之方法，該二極體包含供該寄生基板漏電流流動通過之一垂直寄生電晶體，該方法包括連接形成該寄生垂直電晶體之一基極的一區域至形成具有一連接至該二極體之一陽極終端的高度摻雜區域之該寄生垂直電晶體之一射極之一區域。
  13. 一種與一功率積體電路整體地形成之二極體，該二極體包含：一基板；一位於一陽極區域內之橫向電晶體，該陽極區域鄰近該二極體之一上表面；一位於一陰極區域內之橫向電晶體，該陰極區域鄰近該二極體之該上表面；及一垂直寄生電晶體，寄生基板漏電流流過該垂直寄生電晶體以減少該垂直寄生電晶體之一射極及一基極間的電壓差異。
  14. 如請求項13之二極體，其中該二極體操作在一混合MOS-雙極模式。
  15. 如請求項13之二極體，其中減少自該垂直寄生電晶體產生之該寄生基板漏電流。
  16. 如請求項13之二極體，其中實質上所有電流流至該上 表面以將該基板漏電流最小化。
  17. 如請求項13之二極體，其中與形成該垂直寄生雙極電晶體之射極之基極之該等層接觸之一高度摻雜區域可抑制該垂直寄生電晶體完全接通的能力。
  18. 如請求項13之二極體，其中該位於該陽極區域內之橫向電晶體為一PNP電晶體且該垂直寄生電晶體為一PNP電晶體。
  19. 一種在一與一功率積體電路整體地形成之二極體中減少寄生基板漏電流之方法，該二極體包含一垂直寄生電晶體，該寄生基板漏電流流過該垂直寄生電晶體，該方法包含藉由連接至該二極體之一陽極端之一高度摻雜區域將一形成該垂直寄生電晶體之一基極之區域連接至一形成該垂直寄生電晶體之一射極之區域。
  20. 如請求項19之方法，其中該二極體操作在一混合MOS-雙極模式。
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