TWI424482B - Method and Device for Eliminating Pollutant Removal of Aerated Suspended Molecule in Integrated Circuit - Google Patents
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Description
本發明係有關一種積體電路製程氣懸分子污染物清除防治方法及其裝置，特別指一種針對環境中沾附於物體表面之氣懸分子汙染物(Airborn Molecular Contaminant,AMC)所進行的污染防治及潔淨技術。
積體電路為奈米製程技術，因此對於製程環境中容易造成晶圓污染的氣懸分子污染物(AMC)等的防治即顯得益加重要。目前因應氣懸分子污染物(AMC)的防治技術主要是朝著二個發展的方向，一者透過電腦流體動力學(CFD)的輔助，來進行氮氣填充或抽真空等方式，以阻滯污染物進而避免污染；另者則是發展乾式潔淨技術，將晶圓上的污染物去除。
自從微環境(mini-environment)的引進積體電路的製程中，目前大部分的廠商主要均依賴風機濾網機組(FFU)搭配HEPA濾材來製造垂直層流以維持潔淨的環境，此幾乎已成為業界的定律，然而垂直層流的應用，仍無法有效改善環境中的氣懸分子污染物(AMC)所造成的污染。另外，在積體電路的製程發展過程中，由於依賴傳統抽真空等方式來控制相關的氣相化學反應，亦會導致較高的潔淨成本，致使相關製程耗時且耗能。
此外，風機濾網機組(FFU)的風扇係由電動機驅動，因此會產生電磁波干擾(EMI/Electromagnetic Interference)且無法有效移除氣懸分子汙染物(AMC)。
以目前現存的技術，包括垂直層流技術以及低真空充填氮氣技術等，均無法確保晶圓表面不受氣懸分子污染物(AMC)等污染物的附著，以致於影響晶圓製造的良率；此外，現存技術中例如抽真空等乾式潔淨方式，亦存在有運作成本高昂，以及耗能、耗時等缺點，因此而亟待更進一步的改良。
如果能夠先使沾附在晶圓表面上的氣體分子，皆無氣懸分子污染物(AMC)等有害成分，同時控制之後去撞擊晶圓表面的氣體分子也無氣懸分子污染物(AMC)等有害成分，如此即能夠提供等同氮氣充填的製程效果。欲達成此目的方式，則可透過一種複式水平層流的供氣系統，沿晶圓表面，以層流方式平行面層進行氣體運動。
本發明有鑑於目前對於積體電路製程中對於諸如氣懸分子污染物(AMC)等污染物並無法提供有效的防治及潔淨措施，因而透過採用一種複式水平層流的方式，利用複式水平層流在晶圓的表面形成氣體遮罩(gas shielding)，以控制在微環境(mini-environment)中氣流的單純與穩定，藉由控制環境內流場條件，即可排除誘導流場的相關問題發生，防止氣懸分子污染物(AMC)等污染物的沾附於晶圓表面，影響製造良率。
透過上述的概念，本發明提供一種有關積體電路製程氣懸分子污染物清除防治方法及其裝置，其中，有關本發明所採取的防治方法包括利用相對於晶圓表面的水平位置，透過流速的控制，沿晶圓的表面供給超純淨氣體的平行氣流，以形成具有特定厚度分布與特定速度分布的水平層流(horizontal laminar flow)，並在晶圓的表面構成氣體遮罩(gas shielding)；同時在晶圓表面上方形成不同流速的層流，其中靠近晶圓表面的流速較低，而離晶圓表面較遠處的流速較高，藉以避免摩擦靜電的產生，以及光阻劑表面產生漣渏(產生漣渏，將無法精確的進行顯影照像)。
此外，另可在上述供給水平層流的氣體運動中，結合使用由紫外線或紅外線照射方式，或者同時合併使用紫外線及紅外線照射方式加以聚焦鏡的使用，以針對晶圓表面特定瑕疵或污染物照射產生光化學效果，而可對該氣懸分子污染物(AMC)等污染物產生活化及脫附作用，經活化的氣懸分子污染物(AMC)等污染物則可被水平層流清除而不易殘留或再回覆沾附於晶圓表面，因此透過此合併使用的方式，可提昇晶圓的製造良率及達到汙染物之防護及既存汙染物移除之潔淨目的。
至於，本發明為執行上述有關氣懸分子污染物的清除防治方法所應用的裝置包括一氣流供給裝置，其包含一超純淨空氣儲氣槽，用以提供超純淨空氣；複數組數位式流量閥，以控制氣流流速，以及複數個水平層流噴嘴，相對於前述流量閥。前述氣流供給裝置經由水平層流噴嘴所供給之水平層流主要係與晶圓的水平面平行，沿晶圓表面以層流方式平行面層進行氣體運動。
另，上述裝置另可搭配使用一紫外線照射裝置，以針對晶圓表面特定污染或瑕疵處進行照射，以活化該污染物，並可隨水平層流的氣流層被帶離晶圓表面，達到清洗(wash out)的效果；該紫外線照射裝置包括一紫外線照射管及一聚焦透鏡。
此外，上述裝置亦可搭配使用一紅外線加熱器，針對晶圓表面特定污染或瑕疵處進行照射，以活化及脫附該污染物，並可隨水平層流的氣流層被帶離晶損表面，達到清洗(wash out)的效果。
再者，上述裝置亦可合併使用前述之紫外線裝置及紅外線加熱器，合併使用時，將紫外線照射裝置設於晶圓之正面，而紅外線加熱器則設於背面，以同時達到熱泳及活化氣懸分子污染物(AMC)的效果，有效避免污染物的殘留。
以下，茲依據具體實施例來說明本發明之實施形態。
本發明所提供一種積體電路製程氣懸分子污染物清除防治方法及其裝置，主要鑑於以往在積體電路的製程中，存在著無法有效清除在微環境(mini-environment)所自然存在的氣懸分子污染物(AMC)等污染物，抽真空或氮氣填充法存在著成本高昂及耗能、耗時等弊病。針對上述缺失，本發明利用將清除污染物的方式採取一種複層水平層流((horizontal laminar flow)的模式，以使層流在晶圓的表面構成一種氣體遮罩(gas shielding)；配合在晶圓表面所形成不同流速的層流，以避免摩擦靜電的產生，以及光阻劑表面產生漣渏等作用，再搭配以紫外線及紅外線的照射應用，可有效的清除環境中所存在或沾附在晶圓表面的氣懸分子污染物(AMC)等微分子污染物，以確保積體電路製造的良率，完全改變了以往的方法與作業模式為主要的技術特徵者。
如第一圖所示為構成本發明有關氣懸分子污染物(AMC)清除防治方法所設計的裝置，該裝置為一氣流供給裝置(1)，其設置於所欲清除污染物的晶圓(2)一側，包括一超純淨空氣儲氣槽(11)，可透過平行排列的供氣管(12)供給超純淨空氣至晶圓(2)、複數組數位式流量閥(13)，其設置於該高壓管(12)上，以控制氣流流速、以及複數個平行排列的水平層流噴嘴(14)，其相對於前述流量閥(13)設於高壓管(12)之末端。前述氣流供給裝置(1)經由水平層流噴嘴(14)所供給之水平層流(如箭頭所示)主要係與晶圓(2)的水平面平行，沿晶圓(2)表面以層流方式平行面層進行氣體運動。另晶圓(2)係由一晶圓托臂(21)所承托，以保持晶圓(2)與氣流供給裝置(1)的水平相對位置者。
另如第二圖所示，上述氣流供給裝置(1)另可搭配使用一紫外線照射裝置(3)設於晶圓(2)之表面，藉由機械控制導引，以移動方式針對晶圓(2)表面特定污染或瑕疵處進行照射，藉以熱活化該污染物，並可隨水平層流的氣流層被帶離晶圓(2)表面，達到清洗(wash out)的效果；該紫外線照射裝置(3)包括一紫外線照射管(31)及一聚焦透鏡(32)，藉由聚集透鏡(32)之使用而使紫外線照射管(31)所照射的紫外線得以聚焦於晶圓(2)表面特定的污染物進行活化。
此外，如第三圖所示，上述氣流供給裝置(1)亦可搭配使用一紅外線加熱器(4)設於晶圓(2)之表面，藉由機械控制導引，以移動方式針對晶圓(2)表面特定污染或瑕疵處進行照射，以活化及脫附該污染物，並可隨水平層流的氣流層被帶離晶圓表面，達到清洗(wash out)的效果。值得一提的是，如單純以紅外線在為晶圓(2)加熱後，容易產生溫度應力，損壞晶圓(2)，因此，本發明可藉由控制水平層流的流量，以調節控溫或迅速降溫，達到減低溫度應力的損傷，因為習知以紅外線加熱活化及脫附污染物方式，係單純由能量供給端來控制溫度，因此精度不高，極易由於過度加溫及熱應力而損壞晶圓(2)，本發明利用超純淨空氣以水平層流方式供給予晶圓(2)可視為降溫系統，如此便能在能量供給及降溫兩端一起進行晶圓(2)表面的溫度控制，大幅改善紅外線加溫技術的精度，同時因可快速降溫，避免熱應力的產生。
再者，如第四圖所示，上述氣流供給裝置(1)亦可合併使用前述之紫外線照射裝置(3)及紅外線加熱器(4)，合併使用時，將紫外線照射裝置(3)設於晶圓(2)之正面，而紅外線加熱器(4)則設於背面，可同時達到熱泳脫附及活化氣懸分子污染物(AMC)的效果，有效避免污染物的殘留。
有關氣懸分子污染物(AMC)的除去方式，除了傳統以DI Water或Ultra Pure Water沖洗之外，仍可利用紫外線照射或紅外線加熱等方式，來活化及脫附氣懸分子污染物(AMC)。但這種方式，應用在垂直層流的供氣方式上時，因被活化的氣懸分子污染物(AMC)，仍然在晶圓(2)表面的渦流內翻滾，極有可能重新回到晶圓(2)表面上。今若以本發明水平層流的方式替代以往的垂直層流，當氣懸分子污染物(AMC)被活化，或加熱產生速度跳躍，一旦離開晶圓(2)表面，就較不易再重新沾附晶圓(2)表面，自然不易再產生污染。所以，以超純淨空氣水平層流供氣，除了避免在微環境(mini-environment)內遭氣懸分子污染物(AMC)汙染之外，同時也能夠合併其他清潔方式，比如紫外線照射、紅外線加熱等等去除氣懸分子污染物(AMC)的技巧，來提升製程良率。如果在系統中，持續的供應超純淨空氣，從氣體遮罩(gas shielding)的角度來看，加入動態的流況，流動的超純淨空氣將持續的將氣懸分子污染物(AMC)清洗(wash out)出帶走。
本發明同時亦提供一種有關積體電路製程氣懸分子污染物防治方法，該方法包括利用相對於晶圓(2)表面的水平位置，透過流速的控制，沿晶圓的表面供給超純淨氣體的平行氣流，以形成具有特定厚度分布與特定流速分布的複式水平層流(horizontal laminar flow)，並在晶圓的表面構成氣體遮罩(gas shielding)；同時在晶圓表面形成不同流速的層流，其中靠近晶圓表面的流速較低，而離晶圓表面較遠處的流速較高，藉以避免摩擦靜電的產生，以及光阻劑表面產生漣渏(產生漣渏，則無法精確的進行顯影照像)。
此外，另可在上述供給水平層流的氣體運動中，另可結合使用由紫外線照射裝置(3)或紅外線加熱器(4)所提供的紫外線或紅外線照射方式，或者同時合併使用紫外線及紅外線照射方式，以針對晶圓(2)表面特定瑕疵或污染物照射產生光化學效果，而可對該氣懸分子污染物(AMC)等污染物產生活化及脫附作用，而經活化的氣懸分子污染物(AMC)等污染物則可被水平層流清除而不易殘留或再回覆沾附於晶圓表面，因此透過此合併使用的方式，以提昇晶圓的製造良率。
至於，本發明採取以水平層流替代習知垂直層流的理論基礎在於：垂直層流衝擊晶圓表面時，遇到晶圓(2)所形成的流道障礙，而今流道轉變方向變成水平流，則原先垂直層流內的氣體粒子(帶有速度v，如果謹考慮垂直方向的速度分量，可以將水平流視為靜止氣體)在距離晶圓表面之”停止距離”內的範圍裡，垂直分量的速度無法減少變成”靜止狀態”，終究將會打上晶圓(2)。這樣的擾動會造成紊流，進一步致使沾附在晶圓(2)表面的氣體分子被洗出，而被其他的氣體分子取代原先沾附之位置。另一個考量為，當垂直層流打上晶圓(2)，會使氣體分子持續的擾亂晶圓(2)表面已沾附的氣體分子，有極高的可能性，同時在晶圓(2)表面將鍵結力較弱的一般氣體，替換成鍵結力強的氣懸分子污染物(AMC)。垂直層流的衝擊，使得晶圓(2)表面變成衝擊過濾器。
在流動的流體中，如果各流體層的流速不相等，那麼在相鄰的兩流體層間的接觸面上，就會形成一對等值而反向的內磨擦力(或黏性阻力)來阻礙兩流體層作相對運動，流體質點具有抵抗其質點作相對運動的性質，就稱為流體的黏性。黏性阻力產生的物理原因，是由於存在分子不規則運動的動量交換和分子間的吸引力。分子間相互吸引所產生的阻力，是由於當相鄰流體層具有相對運動時，快層分子的吸引力拖動慢層，而慢層的吸引力阻滯快層，亦即產生了兩層流體之間吸引力所形成的阻力。
另一方面，由於分子作不規則運動時，各流層之間互有分子遷移和摻混，快層分子進入慢層時，給慢層交換動量，使慢層加速。反之慢層分子遷移到快層時，給快層傳遞動量而使快層減速，這就是分子不規則運動的動量交換所形成的阻力。
從上述的快層與慢層的討論，可知氣流沿平板的黏性流動，有所謂速度量尺的”流層”快慢是存在的，且分子動量交換，也不是瞬時的結果，本發明利用此沿平板的黏滯阻力的存在，以形成一超純淨空氣水平層流的氣體遮罩(gas shielding)，因為流層之間是有阻力的，只要氣體具黏性，就會有”流層”，有流層，即可阻絕氣懸分子污染物(AMC)的擴散。
藉由以上的分析，證實本發明純淨空氣水平層流的設計，確能有效改善傳統風機濾網機組(FFU)垂直層流供氣系統，氣懸分子污染物(AMC)在晶圓(2)表面形成污染的問題。
(1)．．．氣流供給裝置
(11)．．．超純淨空氣儲氣槽
(12)．．．高壓管
(13)．．．數位式流量閥
(14)．．．水平層流噴嘴
(2)．．．晶圓
(3)．．．紫外線照射裝置
(31)．．．紫外線照射管
(32)．．．聚焦透鏡
(4)．．．紅外線加熱器
第一圖：係本發明氣懸分子污染物(AMC)清除裝置結構示意圖。
第二圖：係本發明氣懸分子污染物(AMC)清除裝置結合紫外線照射裝置的結構示意圖。
第三圖：係本發明氣懸分子污染物(AMC)清除裝置結合紅外線加熱器的結構示意圖。
第四圖：係本發明氣懸分子污染物(AMC)清除裝置結合紅外線加熱器及紅外線加熱器的結構示意圖。
(1)．．．氣流供給裝置
(11)．．．超純淨空氣儲氣槽
(12)．．．高壓管
(13)．．．數位式流量閥
(14)．．．水平層流噴嘴
(2)．．．晶圓
(3)．．．紫外線照射裝置
(31)．．．紫外線照射管
(32)．．．聚焦透鏡
(4)．．．紅外線加熱器
Claims (8)
- 一種積體電路製程氣懸分子污染物清除防治裝置，針對現有的晶圓潔淨方法加以改造，設置一氣流供給裝置，其設置於所欲清除污染物的晶圓一側，包括：一超純淨空氣儲氣槽：其透過若干平行排列的供氣管供給超純淨空氣至晶圓；複數組數位式流量閥：其設置於該供氣管上，以控制氣流流速；以及複數個平行排列的水平層流噴嘴：其相對於前述流量閥設於供氣管之末端；前述氣流供給裝置經由複數水平層流噴嘴所供給之水平層流係與晶圓的水平面平行，沿晶圓表面以複式層流方式平行面層進行氣體運動，並在晶圓的表面構成氣體遮罩(gas shielding)。
- 如請求項1所述積體電路製程氣懸分子污染物清除防治裝置，其中，該氣流供給裝置可搭配使用一紫外線照射裝置設於晶圓之表面，藉由機械控制導引，以移動方式針對晶圓表面特定污染或瑕疵處進行照射。
- 如請求項2所述積體電路製程氣懸分子污染物清除防治裝置，其中，該紫外線照射裝置包括一紫外線照射管及一聚焦透鏡，藉由聚集透鏡使紫外線照射管所照射的紫外線得以聚焦於晶圓表面特定的污染物進行活化及脫附。
- 如請求項1所述積體電路製程氣懸分子污染物清除防治裝置，其中，該氣流供給裝置可搭配使用一紅外線加熱器設於晶圓之表面，藉由機械控制導引，以移動方式針對晶圓表面特定污染或瑕疵處進行照射，將污染物進行活化及脫附。
- 如請求項1所述積體電路製程氣懸分子污染物清除防治裝置，其中，該氣流供給裝置可合併使用紫外線照射裝置及紅外線加熱器，合併使用時，將紫外線照射裝置設於晶圓之正面，而紅外線加熱器則設於背面，可同時達到熱泳脫附及活化氣懸有機分子污染物(AMC)的效果，有效避免污染物的殘留。
- 一種積體電路製程氣懸分子污染物清除防治方法，該方法包括利用相對於晶圓表面的水平位置，透過流速的控制，沿晶圓的表面供給超純淨氣體的平行氣流，以形成具有特定厚度分布及特定流速分布的複式水平層流(horizontal laminar flow)，並在晶圓的表面構成氣體遮罩(gas shielding)；同時在晶圓表面形成不同流速的層流，其中靠近晶圓表面的流速較低，而離晶圓表面較遠處的流速較高，藉以避免摩擦靜電的產生，以及光阻劑表面產生漣渏。
- 如請求項6所述積體電路製程氣懸分子污染物清除防治方法，其中，在所述供給水平層流的氣體運動中，另可結合使用由一紫外線照射裝置所提供的紫外線照射方式，以針對晶圓表面特定瑕疵或污染物照射產生光化學效果，而可對該氣懸分子污染物(AMC)等污染物產生活化及熱泳脫附作用，經活化的氣懸分子污染物(AMC)等污染物則可被水平層流清除而不易殘留或再回覆沾附於晶圓表面。
- 如請求項6所述積體電路製程氣懸分子污染物清除防治方法，其中，在所述供給複式水平層流的氣體運動中，另可結合使用由一紅外線加熱器所提供的紅外線照射方式，以針對晶圓表面特定瑕疵或污染物照射產生光化學效果，而可對該氣懸分子污染物(AMC)等微分子污染物產生活化及熱泳脫附作用，經活化的氣懸分子污染物(AMC)等污染物則可被水平層流清除而不易殘留或再回覆沾附於晶圓表面。
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