TWI422541B - 平板玻璃之製造方法 - Google Patents

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TWI422541B TW098128646A TW98128646A TWI422541B TW I422541 B TWI422541 B TW I422541B TW 098128646 A TW098128646 A TW 098128646A TW 98128646 A TW98128646 A TW 98128646A TW I422541 B TWI422541 B TW I422541B
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Description

平板玻璃之製造方法
本發明係有關於如申請專利範圍第1項之平板玻璃之製法。
利用浮式法(float process)製得之平板玻璃稱為浮式玻璃(float glass)，此製程技術主要基於Pilkington所發表之專利(US 3,083,551,DE 147 19 50)，並且自上個世紀起開始發展，目前已為眾所皆知的製法。
在浮式法製程中，係利用一通道將液態玻璃自工作槽中注入一熔融金屬浴槽中，且該金屬通常使用錫。藉由一活動式閘門的設置，不僅能夠控制液態玻璃的流速，同時亦可控制玻璃之厚度。
順著液態玻璃流動的方向觀察，上述活動式閘門之後為一注入口，液態玻璃係藉由此注入口連續地注入熔融金屬浴槽中，並於此熔融金屬浴槽中塑形(shape)且固化，以形成一尺寸固定之玻璃帶(glass ribbon)。隨後，為了自熔融金屬浴槽中取出此固化之玻璃帶，於此浮動浴槽(float bath)之後需設置一舉升裝置(lifting instrument)。
以此法所製造之平板玻璃，一般而言其厚度小於1.5毫米(mm)，常被當作薄型玻璃基材，特別是用於製造平面顯示器，例如電漿顯示面板(plasma display panels,PDPs)、場發射顯示器(field-emission displays,FEDs)、薄膜電晶體(thin film transistor,TFT)液晶顯示螢幕、超扭轉向列(super-twisted nematic,STN)液晶顯示螢幕、電漿輔助液晶(plasma-assisted liquid-crystal,PALC)顯示器以及電致發光(electroluminescent,EL)顯示器等等，此外也可用於製造薄膜太陽能電池。
在平面顯示器的製程中，依照顯示器類型的不同，可能是將一液晶分子灌入兩片玻璃平板之間，也可能是將介電層施加於後玻璃板(rear sheet)之前側以及前玻璃板(front sheet)之後側，並利用這些介電層形成可容納螢光體的格狀空腔(cell)。
為了避免干擾色彩缺陷(perturbing colour defects)或相似性偏差(similarity deviations)的發生，特別是對於大尺寸的平面顯示器而言，準確地維持液晶材料層或介電層的厚度非常重要。由於材料層的厚度(目前約為30微米)趨向薄型化，而顯示器的尺寸則日漸大型化，上述條件的精確控制也就顯得益發重要。
浮式玻璃的表面品質會因表面缺陷而降低，這些表面缺陷被稱為板面斑污(top speck)，主要是因為當使用熔融錫浴時，含有錫的微粒(例如錫或氧化錫微粒)沉積於玻璃帶的上表面而形成污漬所致。雖然製程中會以形成氣體(forming gas)(典型組成為5-8%氫氣，其餘為氮氣)沖洗內部，然而浮動浴槽上方之空氣仍殘留有氧氣，此殘留的氧氣會進入熔融錫浴槽，並於其中形成氧化錫微粒。隨著浴槽溫度的提升，氧化錫或錫會蒸發並接觸到空氣，導致含有錫的微粒沉積於玻璃帶的上表面而形成污漬。
為避免上述表面缺陷的發生，必須利用各種方法阻止玻璃帶與其上方受污染的空氣接觸。一方面要使氧氣無法從外界進入浮動浴槽外罩(float bath housing)內部，另一方面要使已經存在的氧氣無法進入熔融錫浴槽接觸其表面。
除了表面缺陷之外，因玻璃帶上方或下方之保護氣氛所造成的開口氣泡(open bubbles)，可能發生於玻璃帶底側。
在塑形之初，玻璃熔融液的黏度很低，形成位於玻璃下方的底端開口氣泡(open-bottomed bubble)因受到氣體擠壓而被壓入玻璃之中。在固化步驟中，開口氣泡被保留且形成玻璃的缺陷。此類氣泡也被稱為底端開口種核(bottom open seed,BOS)。
目前的無鹼特種玻璃(Alkali-free special glass)(例如LCD顯示器用玻璃)也是採用浮式法製造。由於會在玻璃表面上施以細微的電子結構，因此即使是很小的表面缺陷也會引起問題。一般而言，底端開口氣泡的直徑小於50微米，深度小於10微米。可藉由研磨除去這些開口氣泡。然而，此最後的研磨步驟亦需要大量的花費。
US 2004/0110625 A1揭露，位於玻璃底側之氣泡是因從玻璃中逃脫的水分產生交互作用的結果，此水分之所以無法溶解於熔融錫中，係因在熔融錫中的氫濃度過高所致。水在玻璃中的擴散係受到玻璃中場強度(field strengths)的影響。藉由添加二氧化鈦(TiO2 )、氧化鉺(erbium oxide)或釹(neodymium)增加場強度，能夠減少水的擴散，進而降低缺陷的發生。
US 2004/0107732 A1揭露一方法，將浮動浴槽的熱區中氣氛的氫氣濃度調整至低於3%，即可避免US 2004/0110625 A1揭露的氣泡發生。採取此方法可降低在熔融錫中的氫濃度，因此從玻璃中擴散的氫能夠溶解於熔融錫中，從而避免氣泡的產生。
相較於此一先前技術，US 3,337,322揭露一保護氣氛(protective gas atmosphere)，其中含有超過50%的惰性氣體，其餘部分則為還原性氣體(reducing gas)，特別是氫氣。此專利案揭露保護氣氛之較佳組成為85%氮氣與15%氫氣；3-10%氫氣，其餘為氮氣；2-8%氫氣，其餘為氮氣；以及0.25-3%氫氣，其餘為氮氣。特別是當保護氣氛中氫氣含量低時，可在浮動浴槽外罩內部建立不同氫濃度的環境。
US 5,364,435揭露一包括88-95%氮氣與5-12%氫氣之保護氣氛。
本發明提供一種平板玻璃之製作方法，包括以下步驟：將一玻璃置於一熔化槽(melting tank)中以獲得一玻璃熔融液(glass melt)；將該玻璃熔融液倒入一液態金屬浴槽(liquid metal bath)中並塑造該玻璃熔融液以形成一玻璃帶(glass ribbon)，其中該液態金屬浴槽位於一浮動浴槽外罩(float bath housing)中，且該浮動浴槽外罩具有一自由內部體積(free internal volume)；導入一含氫之保護氣氛至浮動浴槽外罩之自由內部體積中，隨後將該含氫之保護氣氛抽離至浮動浴槽外罩外，其中對每立方公尺之該浮動浴槽外罩之內部體積而言，導入該保護氣氛之流速為至少0.2標準立方米/分鐘()。
本發明之目的係為了降低板面斑污與底端開口種核(bottom open seed,BOS)的數量與尺寸。
藉由申請專利範圍第1項可達到本發明之目的。
單位”Nm3 ”稱為保護氣氛的標準立方米(standard cubic metre)。標準立方米係指一立方米氣體在絕對壓力1.01325巴(bar)、溼度0%(乾燥環境)與溫度15℃(符合ISO 2533)的條件下，所測得之數量。
浮動浴槽外罩之自由內部體積(free internal volume)係指此浮動浴槽外罩內部的體積，其可填充保護氣氛，且介於玻璃帶表面或熔融錫浴槽表面上方與傳統用來固定加熱器之懸吊頂蓋下方。
對於每立方公尺之浮動浴槽外罩自由內部體積，導入流速至少為0.2標準立方米/分鐘()之保護氣氛，並且以相同流速(氣體量/單位時間)將保護氣氛抽出，特別是將其抽離浮動浴槽外罩，以將保護氣氛快速的置換。
在平均理論置換時間tav,theo 小於等於1.2分鐘(純粹電腦模擬計算)的時間內，與此浮動浴槽外罩之自由內部體積相當的保護氣氛被置換。
為了計算平均理論置換時間tav,theo (單位為分鐘)，將自由內部體積(單位為立方公尺)除以在操作狀態(operating state)下所施加的氣氛流速(單位為立方公尺/分鐘)。
依照慣例，在標準狀態下所測量到的氣氛流速標記為，其單位為標準立方米/分鐘()。
為了計算與的關係，標準狀態下所測量的氣氛流速必須乘以在浮動浴槽中氣氛的平均絕對溫度Ti.0.,av (單位為凱氏溫度K)，並除以在標準狀態下氣氛的絕對溫度Ti.S. (依據ISO 2533規定，Ti.S. 為288.15K)。
因此可得到下列關係式：
本案已經證實如此快速地置換浴槽中的氣氛有助於降低板面斑污與底端開口種核(bottom open seed,BOS)。
對於每立方公尺(m3 )之浮動浴槽外罩自由內部體積而言，保護氣氛之流速較佳為至少0.23標準立方米/分鐘()，更佳為至少0.26標準立方米/分鐘()，最佳為至少0.28標準立方米/分鐘()。
在本案中也已證實，以保護氣氛不斷地置換浮動浴槽外罩自由內部體積至少80%的體積，即可達到功效。
隨著保護氣氛之流入口與流出口的設置與操作位置不同，上述至少80%的浮動浴槽外罩自由內部體積可能是位於浮動浴槽外罩內側的一固定區域，也可能是一變動區域(例如可能在操作的期間中遷移位置)。
為了避免污染物微粒堆積在無效體積(dead volumes)中，浮動浴槽外罩中保護氣氛體積完全被置換的平均理論置換時間tav,theo 較佳控制在小於等於1.2分鐘(≦1.2min)。此外，較佳為所有自由內部體積皆參與保護氣氛置換的過程。
所有自由內部體積皆參與保護氣氛置換的過程並不表示沒有任何內部體積的置換過程較為快速，也不表示沒有任何內部體積的置換過程較為緩慢。保護氣氛置換的過程較佳為至少80%的自由內部體積具有相同的置換速度。
在本案中也已證實，對於每立方公尺(m3 )之浮動浴槽外罩自由內部體積而言，當保護氣氛之流速為至少0.2標準立方米/分鐘()，並且以相同流速抽離時，在不同區域的保護氣氛置換過程具有不同的置換速度應無害於對於製程。
保護氣氛之導入及/或抽離可以採取連續式實施或脈衝式實施。
此外，在本案中也已證實，於浮動浴槽外罩前半部分導入，對於每立方公尺(m3 )之浮動浴槽外罩自由內部體積而言，流速為至少0.2標準立方米/分鐘()的保護氣氛，應有利於製程。
保護氣氛的流速可視需要進行調整，例如於浮動浴槽前半部(亦即熱區)，可提高導入保護氣氛之流速，例如對於每立方公尺(m3 )之浮動浴槽外罩自由內部體積，流速為0.4標準立方米/分鐘()；於其他區域則可降低導入保護氣氛之流速，例如對於每立方公尺(m3 )之浮動浴槽外罩自由內部體積，流速為0.15標準立方米/分鐘()。只要能夠確保對於每立方公尺(m3 )之浮動浴槽外罩自由內部體積而言，保護氣氛之平均流速為至少0.2標準立方米/分鐘()即可。
保護氣氛導入浮動浴槽外罩的過程較佳為在此空間中皆以均一的速度導入。
於本案中，將保護氣氛以均一的速度導入並通過整個浮動浴槽，較佳為亦以均一的速度將保護氣氛經由浮動浴槽槽壁上之抽氣設備(亦稱為排氣設備，venting-out instruments)抽離。
可將浮動浴槽分割成多個浮動浴槽區(float bath sections)，此浮動浴槽區也可稱為隔間(bays)。在每一個浮動浴槽區中，較佳為以相同流速(流量/單位時間)導入並抽離保護氣氛。
依照本案浮動浴槽之尺寸，為了使保護氣氛的置換時間小於等於1.2分鐘(≦1.2min)，必須將流速較佳為高達1000標準立方米/小時之保護氣體導入浮動浴槽外罩。相較於保護氣氛置換時間約等於1.5分鐘，藉由控制保護氣氛置換時間小於等於1.2分鐘(≦1.2min)，將可降低缺陷與氣泡數量達60%。較佳之保護氣氛置換時間為小於等於1分鐘(≦1min)，最佳為(in particular)小於等於0.8分鐘(≦0.8min)，且缺陷與氣泡之數量將可隨保護氣氛置換時間的減少而降低。
依照習知技術，保護氣氛中氫氣的含量介於5-12%之間。本案發現當保護氣氛中氫氣的含量增加至超過12%，將可增強快速置換保護氣氛對製程所造成的正面影響。保護氣氛中氫氣的含量較佳為大於12%至14%之間(>12-14%)。對位於浮動浴槽前半部熱區之浮動浴槽區而言，保護氣氛中氫氣的含量更佳為大於等於12%至14%之間(-14%)。因此，藉由此方法能夠大幅降低底端開口種核(BOS)之密度。
如第1圖所示，對於每立方公尺之浮動浴槽外罩自由內部體積，導入流速為0.23標準立方米/分鐘()之保護氣氛，且保護氣氛中氫氣的含量為5%時，判定其底端開口種核(BOS)數量之平均百分比為約100%。然而當保護氣氛中氫氣的含量增加為13.5%時，則底端開口種核(BOS)數量之平均百分比降低至約30%。
第2圖係將每平方公尺之板面斑污數量百分比對時間作圖。於起始5週內，對於每立方公尺之浮動浴槽外罩自內部體積，導入流速為0.19標準立方米/分鐘()之保護氣氛，且保護氣氛之平均理論置換時間tav,theo 為1.5分鐘；自第6週起，對於每立方公尺之浮動浴槽外罩自由內部體積，保護氣氛導入流速增加至0.28標準立方米/分鐘()，且經電腦模擬計算，將保護氣氛之平均理論置換時間tav,theo 減低30%至1分鐘。由第2圖可確認板面斑污數量百分比明顯降低至少於80%。
上述百分比係為在各個指定時間間隔內板面斑污數量平均值之相對比例。
除氫氣之外，保護氣氛尚包括一惰性氣體，較佳為包含氮氣、氬氣及/或氦氣。
本方法特別適合於製造硼矽酸玻璃，例如應用於防火領域之硼矽酸玻璃，其組成包括(成分後方之數字代表該氧化物之重量百分比)：SiO2 70-85、B2 O3 7-13、Na2 O+K2 O+Li2 O 3-8、MgO+CaO+SrO 0-3、Al2 O3 2-7。又如無鹼鋁(硼)矽酸玻璃，其組成包括：SiO2 50-70、、Al2 O3 10-25、MgO 0-10、CaO 0-12、SrO 0-12、BaO 0-15,以及MgO+CaO+SiO+BaO 8-26、ZnO 0-10、ZrO2 0-5、TiO2 0-5、SnO2 0-2。又如製造顯示器用玻璃，包括下列組成：SiO2 >55-65、B2 O3 5-11、Al2 O3 >14-25、MgO 0-8、CaO 0-8、SrO 0-8、、以及MgO+CaO+SrO+BaO 8-21、ZnO 0-5、ZrO2 0-2、TiO2 0-3、SnO2 0-2；其中特別包括下列組成：SiO2 >58-65、B2 O3 >6-10.5、Al2 O3 >14-25、MgO 0-<3、CaO 0-9、BaO>3-8、以及MgO+CaO+BaO 8-18、ZnO 0-<2、無As2 O3 、無Sb2 O3 ；其中較佳為不含氧化鋅(Zn oxide)、氧化鈰(Ce oxide)、氧化鋯(Zr oxide)及氧化鈦(Ti oxide)。
本方法尚特別適合於製造玻璃-陶瓷用之各種生胚玻璃(green glasses)，其組成包括：SiO2 55-69、Al2 O3 19-25、Li2 O 3-5、Na2 O 0-1.5、K2 O 0-1.5、Σ Na2 O+K2 O 0.2-2、MgO 0.1-2.2、CaO 0-15、SrO 0-1.5、BaO 0-2.5、Σ MgO+CaO+SrO+BaO<6、ZnO 0-1.5、TiO2 1-5、ZrO2 1-2.5、SnO2 0-<1、Σ TiO2 +SrO2 +SnO2 2.5-5、P2 O5 0-3；或是具有下列組成：
SiO2 　55-69
Al2 O3 　19-25
Li2 O　3.2-5
Na2 O　0-1.5
K2 O　0-1.5
MgO　0-2.2
CaO　0-2.0
SrO　0-2.0
BaO　0-2.5
ZnO　0-<1.5
TiO2 　0-3
ZrO2 　1-2.5
SnO2 0.1-<1
Σ TiO2 +ZrO2 +SnO2 2.5-5
P2 O5 　0-3
F　0-1
B2 O3 　0-2
Nd2 O3 　0.01-0.6
或是一玻璃-陶瓷之前驅物玻璃，其組成包括：SiO2 55-75、Al2 O3 15-30、Li2 O 2.5-6、Σ Na2 O+K2 O<6、Σ MgO+CaO+SrO+BaO<6、B2 O3 0-<4、Σ TiO2 +ZrO2 <2。又或是一玻璃-陶瓷之前驅物玻璃，其組成包括：SiO2 60-72、Al2 O3 18-28、Li2 O 3-6、Σ Na2 O+K2 O 0.2-2、Σ MgO+CaO+SrO+BaO<6、ZnO 0-1.5、B2 O3 0-<4、SnO 0.1-1.5、Σ TiO2 +ZrO2 <2、P2 O5 0-3、F 0-2。
適合利用本發明所提供方法製造之其他較佳玻璃包括：為鋁矽酸玻璃，其具有至少55重量%SiO2 ，較佳為至少60重量%，且最佳為64重量%。其中SiO2 之上限為70重量%，較佳為低於68重量%，最佳為至多67重量%。此鋁矽酸玻璃尚包括0重量%以上之B2 O3 ，較佳為至少0.05重量%，且最佳之最小含量為0.1重量%。此鋁矽酸玻璃之B2 O3 最大含量為2重量%，且較佳為1.5重量%。
此鋁矽酸玻璃尚包括至少18重量%以上之Al2 O3 ，較佳至少19重量%，且最佳為至少20重量%；而Al2 O3 最大含量為25重量%，較佳為24.5重量%，且最佳為24重量%。
此鋁矽酸玻璃尚包括3重量%到至多5重量%之Li2 O，Li2 O最小含量為3.25重量%，且較佳為3.5重量%；而Li2 O最大含量為至多5重量%，較佳為至多4.8重量%，至多之上限為4.75重量%，且最佳為至多4.6重量%。此鋁矽酸玻璃尚包括0重量%到至多3重量%之Na2 O及K2 O，其中Na2 O含量上限為至多1.5重量%，較佳為至多1重量%；而K2 O最大含量為1.5重量%，較佳為1重量%。在此鋁矽酸玻璃中，鹼金屬氧化物Na2 O及K2 O之總含量為0重量%到至多3重量%，最小總含量為0.25重量%，較佳為0.5重量%；而最大總含量為3重量%，較佳為2.75重量%，且最佳為至多2.5重量%。
此鋁矽酸玻璃尚包括CaO與SrO，其中CaO與SrO之含量彼此獨立，分別為0重量%到至多2重量%。在此鋁矽酸玻璃中，CaO與SrO之較佳最小含量分別為0.1重量%；而CaO與SrO較佳之最大含量分別為2重量%，最佳為1.5重量%。此鋁矽酸玻璃尚包括0重量%到至多3重量%之TiO2 與1重量%到至多2.5重量%之ZrO2 。其中TiO2 之最小含量為0.5重量%，較佳為0.8重量%；TiO2 之最大含量為2.75重量%，最佳為2.5重量%。而ZrO2 之最小含量較佳為1.5重量%；ZrO2 之最大含量為2.25重量%，最佳為2重量%。此鋁矽酸玻璃尚包括0.1重量%到至多1重量%之SnO2 ，其中SnO2 之最小含量為0.15重量%，較佳為0.18重量%；SnO2 之最大含量為0.9重量%，最佳為0.8重量%。在此鋁矽酸玻璃中，氧化物TiO2 、ZrO2 及SnO2 之總含量為至少2.5重量%到至多5重量%，最小總含量為3重量%，最佳為3.25重量%；而最大總含量為4.9重量%，最佳為至多4.8重量%。
此鋁矽酸玻璃尚包括MgO及/或BaO，MgO與BaO之含量彼此獨立並可視需要調整，其中MgO含量為0重量%到2.2重量%，而BaO含量為0重量%到2.5重量%。在此鋁矽酸玻璃中，MgO與BaO之最小含量分別為0.05重量%，較佳最小含量分別為0.1重量%；而MgO與BaO之較佳最大含量分別為2重量%。此鋁矽酸玻璃尚包括ZnO及/或P2 O5 ，ZnO及/或P2 O5 之含量彼此獨立並可視需要調整，其中ZnO含量為0重量%到小於1.5重量%，而P2 O5 含量為0重量%到3重量%。其中ZnO之最小含量較佳為0.05重量%，最佳為0.1重量%；ZnO之最大含量較佳為1重量%，最佳為0.75重量%。而P2 O5 之最小含量較佳為0.5重量%，最佳為1重量%；P2 O5 之最大含量為2.5重量%，最佳為2重量%。此鋁矽酸玻璃尚包括0.01重量%到0.6重量%之Nd2 O3 ，Nd2 O3 最小含量較佳為0.05重量%，最佳為0.1重量%；而Nd2 O3 最大含量較佳為0.55重量%，最佳為0.5重量%。
雖然本發明已以數個較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作任意之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
第1圖為一底端開口種核(BOS)數量之平均百分比與時間之關係圖，用以說明本發明可達成之功效。
第2圖為一板面斑污數量百分比與時間之關係圖，用以說明本發明可達成之功效。

Claims (13)

  1. 一種平板玻璃之製作方法，包括以下步驟：將一玻璃置於一熔化槽(melting tank)中以獲得一玻璃熔融液(glass melt)；將該玻璃熔融液倒入一液態金屬浴槽(liquid metal bath)中並塑造該玻璃熔融液以形成一玻璃帶(glass ribbon)，其中該液態金屬浴槽位於一浮動浴槽外罩(float bath housing)中，且該浮動浴槽外罩具有一自由內部體積(free internal volume)；導入一含氫之保護氣氛至浮動浴槽外罩之自由內部體積中，隨後將該含氫之保護氣氛抽離至浮動浴槽外罩外，其中對每立方公尺之該浮動浴槽外罩之內部體積而言，導入該保護氣氛之流速為至少0.2標準立方米/分鐘()。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之平板玻璃之製作方法，其中對每立方公尺之該浮動浴槽外罩之內部體積而言，導入該保護氣氛之流速為至少0.23標準立方米/分鐘()。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項中所述之平板玻璃之製作方法，其中對每立方公尺之該浮動浴槽外罩之內部體積而言，導入該保護氣氛之流速為至少0.26標準立方米/分鐘()。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之平板玻璃之製作方法，其中對每立方公尺之該浮動浴槽外罩之內部體積而 言，導入該保護氣氛之流速為至少0.28標準立方米/分鐘()。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之平板玻璃之製作方法，其中該浮動浴槽外罩中該保護氣氛體積被完全置換的平均理論置換時間tav,theo 小於等於1.2分鐘。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之平板玻璃之製作方法，其中以該保護氣氛不斷地置換該浮動浴槽外罩自由內部體積至少80%的體積。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之平板玻璃之製作方法，其中該保護氣氛之導入是以連續式實施或脈衝式實施。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之平板玻璃之製作方法，其中該保護氣氛是以對每立方公尺(m3 )之浮動浴槽外罩自由內部體積而言，至少0.2標準立方米/分鐘()的流速導入浮動浴槽外罩前半部分。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之平板玻璃之製作方法，其中該保護氣氛以均勻分佈於空間的方式導入該浮動浴槽外罩中。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之平板玻璃之製作方法，其中在每一個浮動浴槽區中，以相同流速(流量/單位時間)導入並抽離保護氣氛。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之平板玻璃之製作方法，其中該保護氣氛中之氫氣含量大於12%。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之平板玻璃之製作 方法，其中該保護氣氛中之氫氣含量為大於12-14%。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之平板玻璃之製作方法，其中對位於該浮動浴槽前半部熱區之浮動浴槽區而言，該保護氣氛中之氫氣含量為大於等於12%至14%之間。
TW098128646A 2008-08-28 2009-08-26 平板玻璃之製造方法 TWI422541B (zh)

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