TWI416183B - 晶體光纖熔接方法 - Google Patents

Description

晶體光纖熔接方法

本發明係關於一種光纖之熔接方法；特別是關於一種晶體光纖之熔接方法，於晶體光纖的橫切面上形成一緩衝膜，藉此使晶體光纖容易與其他光纖熔接。

傳統光纖熔接的方法，是以高壓放電的方式，將兩段欲熔接光纖的端面熔化，而後將兩光纖靠近，使之接合在一起。上述以熔接接續光纖的方法，具有低插入損失以及高反射損失等優點，已廣為業界所採用。

然而，當欲採用傳統熔接的方法將晶體光纖[crystal fiber]與傳統的玻璃光纖接續在一起時，由於晶體光纖的纖心[core]與纖衣[cladding]係為不同的材質，容易導致熔接後產生高插入損失或甚至是熔接失敗。因而存在適當改善傳統光纖熔接方法之需求。

有鑑於此，本發明為了滿足上述需求，其提供一種晶體光纖熔接方法，係於熔接前晶體光纖的橫切面上形成一緩衝膜，藉此使晶體光纖容易與其他光纖熔接。

本發明之目的係提供一種晶體光纖熔接方法，係於晶體光纖的橫切面上形成一緩衝膜，藉此使晶體光纖容易與其他光纖熔接。

為了達成上述目的，本發明較佳實施例之晶體光纖熔接方法，包含下列步驟：於一第一晶體光纖形成一第一橫切面；形成一緩衝膜包覆該第一橫切面；於一第二光纖形成一第二橫切面；將形成有該緩衝膜之第一橫切面與該第二橫切面對位；及熱熔接該第一橫切面與該第二橫切面。

本發明較佳實施例之晶體光纖熔接方法，其中該緩衝膜之材質與該第一光纖之一纖衣的材質相同。

本發明較佳實施例之晶體光纖熔接方法，其中該緩衝膜之材質係為二氧化矽。

本發明較佳實施例之晶體光纖熔接方法，其中該緩衝膜係以濺鍍、熱蒸鍍或電子槍蒸鍍方法形成。

本發明較佳實施例之晶體光纖熔接方法，其中該第二光纖係為矽基底光纖。

本發明較佳實施例之晶體光纖熔接方法，其中該第二光纖係為玻璃光纖、單膜光纖、多膜光纖、摻鈦光纖、摻鉺光纖及色散位移光纖中之一者。

本發明較佳實施例之晶體光纖熔接方法，其中熱熔接該第一橫切面與該第二橫切面之方法係為電弧熔燒。

本發明較佳實施例之晶體光纖熔接方法，更包含：將一熱縮套管包覆該第一橫切面與該第二橫切面間之一熔接面外圍。

本發明較佳實施例之晶體光纖熔接方法，其中當該第二光纖為一晶體光纖時，另包含：形成一緩衝膜包覆該第二橫切面。

為了充分瞭解本發明，於下文將例舉較佳實施例並配合所附圖式作詳細說明，且其並非用以限定本發明。

第1至6圖揭示本發明較佳實施例之晶體光纖熔接方法之步驟。首先，將一晶體光纖110截斷並加以研磨，使其形成有一平整的橫切面112[參照第1圖]。而後，將晶體光纖110置入真空系統中，利用例如濺鍍、熱蒸鍍或電子槍蒸鍍的方法，形成包覆橫切面112的一緩衝膜114[參照第2圖]。為了使晶體光纖110容易與矽基底光纖[silicon based fiber]熔接，緩衝膜114的材質較佳係與該晶體光纖110的纖衣的材質相同，例如為二氧化矽[SiO₂ ]。

接著，將另一光纖120的端面做處理，例如可以切割刀對光纖120進行切割，使其亦形成有一平整的橫切面122[參照第3圖]。而後，將兩光纖110、120進行對位，並使用高壓放電的方式產生電弧，以對光纖110、120的橫切面112、122進行熔燒[參照第4圖]。接著將熔燒後的兩光纖110、120靠近，使之熱熔接在一起[參照第5圖]。最後，為了保護熔接的部分，可以一熱縮套管130包覆光纖110、120的橫切面112、122間的熔接面外圍[參照第6圖]。

根據本發明之晶體光纖熔接方法，可與晶體光纖110熔接之光纖120主要為矽基底光纖，例如可為單膜光纖、多膜光纖、摻鈦光纖、摻鉺光纖、色散位移光纖或其他種類的玻璃光纖。

除此之外，光纖120同樣可為晶體光纖，這時亦可形成一緩衝膜124包覆晶體光纖120的橫切面122。當兩晶體光纖110、120的橫切面112、122上包覆有緩衝膜114、124時，即可將兩晶體光纖110、120進行對位，準備熱熔接在一起[參照第7圖]。同樣地，包覆橫切面122的緩衝膜124亦可由二氧化矽所構成。另一實施利中，可於該第一橫切面112或該第二橫切面122其中之一形成緩衝膜。

根據本發明之晶體光纖熔接方法，由於事先在晶體光纖的熔接面上形成緩衝膜，使得晶體光纖容易與其他異質材料的光纖熔接，解決了習知晶體光纖不易與其他光纖熔接的問題。

前述較佳實施例僅舉例說明本發明及其技術特徵，該實施例之技術仍可適當進行各種實質等效修飾及/或替換方式予以實施；因此，本發明之權利範圍須視後附申請專利範圍所界定之範圍為準。

110．．．晶體光纖

112．．．橫切面

114．．．緩衝膜

120．．．光纖

122．．．橫切面

130．．．熱縮套管

第1至6圖：本發明較佳實施例之晶體光纖熔接方法之步驟。

第7圖：本發明較佳實施例之晶體光纖熔接方法，其中兩欲熱熔接之光纖皆為晶體光纖，且其橫切面上皆包覆有緩衝膜。

110．．．晶體光纖

112．．．橫切面

114．．．緩衝膜

120．．．光纖

122．．．橫切面

Claims (10)

1. 一種晶體光纖熔接方法，包含下列步驟：於一第一晶體光纖形成一第一橫切面；形成一緩衝膜包覆該第一橫切面；於一第二光纖形成一第二橫切面；將形成有該緩衝膜之第一橫切面與該第二橫切面對位；及熱熔接該第一橫切面與該第二橫切面。
2. 依申請專利範圍第1項所述之方法，其中該緩衝膜之材質與該第一光纖之一纖衣的材質相同。
3. 依申請專利範圍第1項所述之方法，其中該緩衝膜之材質係為二氧化矽。
4. 依申請專利範圍第1項所述之方法，其中該緩衝膜係以濺鍍、熱蒸鍍或電子槍蒸鍍方法形成。
5. 依申請專利範圍第1項所述之方法，其中該第二光纖係為矽基底光纖。
6. 依申請專利範圍第5項所述之方法，其中該第二光纖係為玻璃光纖、單膜光纖、多膜光纖、摻鈦光纖、摻鉺光纖及色散位移光纖中之一者。
7. 依申請專利範圍第1項所述之方法，其中熱熔接該第一橫切面與該第二橫切面之方法係為電弧熔燒。
8. 依申請專利範圍第1項所述之方法，更包含：將一熱縮套管包覆該第一橫切面與該第二橫切面間之一熔接面外圍。
9. 依申請專利範圍第1項所述之方法，其中當該第二光纖為一晶體光纖時，另包含：形成一緩衝膜包覆該第二橫切面。
10. 依申請專利範圍第9項所述之方法，其中該緩衝膜之材質係為二氧化矽。