TWI414103B - 建構及包裝供毫米波應用的波導至平面傳輸線轉態之裝置及方法 - Google Patents

建構及包裝供毫米波應用的波導至平面傳輸線轉態之裝置及方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI414103B
TWI414103B TW096110324A TW96110324A TWI414103B TW I414103 B TWI414103 B TW I414103B TW 096110324 A TW096110324 A TW 096110324A TW 96110324 A TW96110324 A TW 96110324A TW I414103 B TWI414103 B TW I414103B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
transition
waveguide
substrate
transmission line
rectangular waveguide
Prior art date
Application number
TW096110324A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200807798A (en
Inventor
Brian P Gaucher
Janusz Grzyb
Duixian Liu
Ullrich Pfeiffer
Thomas M Zwick
Original Assignee
Ibm
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ibm filed Critical Ibm
Publication of TW200807798A publication Critical patent/TW200807798A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI414103B publication Critical patent/TWI414103B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
    • H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced lines or devices with unbalanced lines or devices
    • H01P5/107—Hollow-waveguide/strip-line transitions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/003—Coplanar lines
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
    • H01P3/026—Coplanar striplines [CPS]

Landscapes

  • Waveguides (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
  • Waveguide Aerials (AREA)

Description

建構及包裝供毫米波應用的波導至平面傳輸線轉態之裝置及方法
本發明係有關於建構波導至傳輸線轉態之裝置及方法，其在微米波及毫米波頻率提供寬頻、高性能功率耦合。本發明更涉及建構簡潔無線通信模組之裝置及方法，其中，微波積體電路晶片和/或模組與波導至傳輸線之轉態結構係積體封裝，提供可裝配至標準波導凸緣之模組元件。
一般來說，微米波及毫米波(MMW)通信系統係用各種元件和次元件(例如接收器、發射器與收發模組)以及使用微波積體電路(MIC)和/或單石微波積體電路(MMIC)技術製造成之其他被動元件和主動元件構建成。系統元件/次元件可使用各種類型之傳輸媒介例如印刷傳輸線(如微帶、槽線、共平面波導(CPW)、共平面帶線(CPS)、不對稱共平面帶線(ACPC等)或同軸電纜和波導而互連。
印刷傳輸線廣泛用於微波及MMW電路，以在半導體晶片(RF積體電路)之間以及半導體晶片與發射器或接收器天線之間提供封裝級或電路板級互連。此外，印刷傳輸線很適合於半導體積體電路表面上之信號傳播。例如，由於CPW傳輸線之單平面性、低分散性及與主動和被動元件之高相容性，而廣泛用於MMIC設計。然而，印刷傳輸線在高頻時可能遭受寄生模式以及耗損增加。另一方面，金屬波導(如矩形、圓形等)適合於以低損失方式，在高功率級並且長距離之信號傳輸。而且，波導可成形於高定向天線或可用於元件特徵。
當建構微波、RF或MMW系統時，有必要使用稱為“轉態(transition)”之耦合結構，將波導耦合於印刷傳輸線。轉態對於將各種元件和次元件整合成一完整系統是有必要的。最普通之傳輸線至波導之轉態係微帶(microstrip)－至－波導轉態，其已被廣泛研究。當大力研究及開發這種轉態時，卻相對較少努力進行CPW、CPS或ACPS傳輸線至矩形波導之合適轉態。CPW與CPS傳輸線特別適合(於微帶上)高積體密度MIC和MMIC設計。在這點上，非常渴望開發在波導和CPW或CPS印刷傳輸線或單石微波積體電路(MMICs)之間的寬頻、低損失及適當匹配之轉態，其可用來設計高性能系統。
本發明示例性實施例通常包含建構波導至傳輸線之轉態之裝置及方法，其在微米波及毫米波頻率提供寬頻、高性能功率耦合。特別地，本發明示例性實施例包含寬頻、低損失及簡潔之CPW至矩形波導之轉態結構以及ACPS(或CPS)至矩形波導之轉態結構，其特別適合於微波和毫米波應用。
特別地，在本發明一示例性實施例中，一種轉態裝置包含一轉態殼體及轉態載體基板。轉態殼體具有一矩形波導通道和形成貫通於矩形波導通道之寬壁之一孔。基板具有形成於基板之第一表面上之一平面傳輸線與一平面探針。平面傳輸線包含第一導帶和第二導帶，其中平面探針連接於並延伸自第一導帶之一端，且其中第二導帶之一端終止於一端子(stub)。基板置於轉態殼體之孔中，以使印刷探針突出進入矩形波導通道內並與寬壁之中心具有一偏距，且其中第一與第二導帶之該端與矩形波導通道之寬壁之內表面對準。
印刷傳輸線可以是一共平面帶線(CPS)、一不對稱共平面帶線(ACPSO)或一共平面波導(CPW)。矩形波導通道之一端係封閉端，並為探針提供一背短路器(backshort)。在一示例性實施例中，背短路器為可調的。矩形波導通道之另一端開放於轉態殼體之一配合表面上。該配合表面可與矩形波導凸緣共介面。轉態殼體可由一金屬材料塊形成。選替地，轉態殼體可由一塑料形成，塑料之表面用一金屬材料塗覆。
在本發明另一示例性實施例中，轉態殼體之孔為一步進式寬度開口設計，以能調整及安置基板在該孔和矩形波導通道中。
在本發明又一示例性實施例中，第二導帶端之端子連接於寄生模式抑制之邊緣包覆金屬化(edge wrap metallization)。邊緣包覆金屬化與轉態殼體之金屬表面電連接。邊緣包覆金屬化於基板之第二表面上可與接地平面連接。邊緣包覆金屬化可與轉態殼體電(galvanically)隔離。
在本發明再一示例性實施例中，轉態殼體包含形成於矩形波導通道之第二寬壁上之一調整腔，該調整腔相對於該孔並與該孔對齊。調整腔可藉由一可調背短路器元件而短路，以提供阻抗匹配機制。
本發明示例性實施例更包含構建簡潔無線通信模組之裝置及方法，其中微波積體電路晶片和/或模組與微波至傳輸線之轉態結構積體封裝，轉態結構提供可與標準波導凸緣裝配之模組元件。
將描述本發明這些及其他示例性實施例、方面、特徵及優點，或從下列示例性實施例之詳細描述中並結合圖式將變得更明朗。
圖1A和1B係根據本發明一示例性實施例之一傳輸線至波導之轉態裝置10之透視示意圖。特別地，圖1A和1B根據本發明一示例性實施例概略地描述使用E平面探針型轉態器耦合矩形波導(如WR15)與印刷傳輸線間之電磁信號之轉態裝置10。轉態裝置10包含金屬轉態殼體11(或波導塊)，金屬轉態殼體11具有寬度為a(寬壁)和高度為b(短壁)之內矩形波導腔C(或矩形波導通道)。孔13形成於波導塊11之前壁11a且貫通矩形波導腔C之寬壁，以提供用於嵌入及支撐平面轉態基板12之轉態埠PT ，轉態基板12具有印刷傳輸線12a與印刷E平面探針12b。轉態基板12置於孔13中，以使探針12b突出進入波導腔C並貫通波導腔C之寬壁。波導腔C之一端開放於轉態殼體11之側壁11b，以提供波導輸入埠PW 。波導腔C之另一端藉由轉態殼體11之側壁11c而短路，其中金屬側壁11c之內表面作為探針12b之背短路器B。
在本發明一示例性實施例中，探針12b係E平面型探針，設計用來測試矩形波導腔C內之電場，其中，矩形波導以主要TE10 模式操作。本領域衆所周知，在矩形波導中，電場與寬側壁正交，且磁場與短側壁正交。作為實施例，圖1C概略描述矩形波導腔C，其中短側壁b沿著x方向(與x－z平面共面)延伸，寬側壁a沿著y方向(與y－z平面共面)延伸，空腔C沿著z方面(波沿著波導通道之傳播方向)延伸。圖1C進一步描述TE10 模式之E場在x－y平面(正交於寬壁)，其中TE波之最大正及負電壓峰值下降至波導寬壁a中心，且電壓沿著波導短壁b降至零。
在這點上，在圖1A和1B之示例性實施例中，具有印刷探針12b之基板12嵌入寬側壁11a之轉態埠PT ，以使探針12b與波傳播方向橫向(正交)設置(即圖1C中z方向)，且以使基板12平面與波傳播方向切向設置(即基板12平面與圖1C中x－z平面共面)。金屬塊11之側壁11c用作背短路器B，以使側壁11c之內表面置於探針12b後一定距離(接近於TE10模式之四分之一波長)，從而獲得良好之傳輸特性。
應理解，圖1A和1B根據本發明一示例性實施例概略地描述波導至平面傳輸線之轉態裝置的大體框架。印刷E平面探針12b可具有任何適當形狀及構造，設計用來測試矩形波導腔C內之電場。印刷傳輸線12a可具有任何適當之饋入結構，例如印刷共平面波導(CPW)饋入、不對稱共平面帶線(ACPS)饋入、或共平面帶線(CPS)饋入。例如，如下進一步所描述的，圖4A~4C、5A~5C和6~9根據本發明各種示例性實施例描述之轉態結構，這種轉態結構可用具有印刷背導體式(printed conductor－backed)與非背導體式(non－printed conductor backed)CPW與CPS饋入線和平面探針轉態之轉態基板而建構出，將在下面詳細描述。
在本發明其他示例性實施例中，圖1A~1B之示例性轉態結構可與電子元件積體封裝，如與MIC或MMIC模組，以建構成簡潔封裝結構。例如，圖2係根據本發明一示例性實施例之封裝組件20之透視示意圖，封裝組件20包含與外部電路積體封裝之傳輸線至波導之轉態模組。示例性封裝20包含具有內矩形波導通道C之轉態殼體21(或波導塊)。轉態殼體21具有一前壁21a，前壁21a上之一孔延伸貫通於提供轉態埠PT 之內矩形波導通道C之寬壁。具有印刷傳輸線及E平面探針之轉態基板22經由轉態埠PT 嵌入波導腔。
矩形波導通道C之一端開放於轉態殼體21之側壁21c，以提供背短路器開口B0 ，且矩形波導通道之另一端開放於轉態殼體21之側壁21b，以提供波導輸入埠PW 。形成轉態殼體21之側壁21c上之背短路器開口B0 ，以容許嵌入分開製造之背短路器元件，以短路側壁21c上所暴露之波導腔C之端；並為阻抗匹配和調整轉態之目的提供可調的E平面背短路器。
轉態基板22藉由轉態埠PT 開口之底內表面和支撐塊23而支撐。支撐塊23從轉態殼體21之前壁21a延伸，並具有與轉態埠PT 開口之底內表面共平面之頂表面。轉態殼體21與支撐塊23置於底座結構24上。在一示例性實施例中，轉態殼體21、支撐塊23與底座板24結構形成積體封裝殼體結構，其可藉由機械製造與塑形金屬塊而建構成，或者這些元件可以是結合或連接在一起的個別元件。
具有MMIC晶片27和其他RF積體電路晶片之印刷電路板26，例如，設置在底座24上，以使晶片27表面實質地與轉態基板22表面共平面。一或多數結合線28提供轉態基板22上傳輸線饋入之間的I/O連接與晶片27上I/O連接。在示例性封裝設計中，基板22平面切向設置於波傳播方向，允許外電子元件置於基板22同一平面，因而簡化元件之佈置及整合。
根據本發明其他示例性實施例，封裝結構20概略地描述積體封裝MMW或微波晶片模組與矩形波導發射之方法。示例性封裝20提供簡潔模組設計，其中MMIC收發器、接收器或收發模組，例如可與矩形波導發射積體封裝。封裝20較佳地設計成易與矩形波導元件25之標準凸緣耦合，以使表面21b上之波導埠與矩形波導元件25之波導腔對準並共介面。例如，封裝20易與標準WR15波導凸緣共介面。
可以理解的是，圖1A~1C和2之示例性實施例係建構和封裝不同應用和操作頻率之波導轉態方法之高階敍述。例如，基於上述一般框架之轉態結構將在圖3A~3D、4A~4C和6~9中進一步詳細討論在MMW應用(如：WR15矩形波導在50－70GHz之寬頻操作)。根據本發明示例性實施例的波導轉態具有一共同構造，該構造基於具有內波導通道之波導塊和具有印刷探針之基板基饋入結構，印刷探針突進入波導通道寬壁之開口。如下所述，根據本發明示例性實施例，不同的技術可用來設計提供低損失及寬頻操作之波導轉態，其可更耐用且對製造公差和操作環境相對不敏感，同時容易裝配。
在一示例性實施例中，轉態結構沿著矩形波導通道之寬壁偏離轉態基板(具有印刷饋入和探針)中心位置而設計。傳統的E平面探針設計，轉態建構成具有對稱排列，其中，探針嵌入點係波導寬側壁之中心。然而，這種傳統技術通常不是最佳位置，因而導致限制寬頻之較高輸入電抗(reactance)，特別是藉由高介電常數基板負載之E平面探針。
據研究，偏距發射(offset launch)能在寬頻率帶上獲得低輸入電抗，從而，允許較寬匹配。偏距發射之低輸入電抗可歸因於高階消失模式幅度之大量降低，係藉由介電負載探針之相同矩形波導內濾波擾動之結果。有利地是，偏距發射可消除對允許更簡潔方案之額外匹配結構的需要。真正地，根據本發明，示例性轉態結構不需要從波導壁中延伸出之額外匹配元件。真正地，在下列描述之示例性實施例中，探針轉態可藉由相同CPW或ACPS/CPS傳輸線而直接饋入，而獲得所需例如整個WR15頻帶。
在本發明其他示例性實施例中，具有印刷饋入線和探針轉態之轉態基板設計具有抑制不需要的高階傳播模式之特徵，且有關於共振效應，由於金屬波導壁提供的背導體式環境，該共振效應可在MMW頻率下導致多數共振類似效應。特別地，示例性轉態設計成抑制不需要的耦合槽線(CSL)、似微帶及平行波導模式，其可由於具有置於寬開口(轉態埠PT )中之印刷饋入線之電性寬轉態基板而產生，其中，具有印刷饋入線之轉態基板之整個或實質部分，係藉由轉態埠PT 開口內之金屬側壁表面所包圍/圍繞。如下所述，半孔或半槽式邊緣包覆金屬化和城堡化(castellation)可用於局部包覆CPW或CPS/ACPS饋入線之相對基板表面上之頂和底導體(如接地導體)，其置於波導壁內。這種技術方案允許轉態基板相對表面上之頂導體與底導體有效連接，獨立於基板公差和其他製造公差(如轉態埠開口內之有限角半徑)。
基於上述一般框架之轉態結構，在MMW應用中將進一步參照圖3A~3D、4A~4C、5A~5C和6~9來描述。大體上，圖3A~3D描述與CPW為基饋入結構和E平面探針轉態(圖4A~4C)或帶線為基饋入結構和E平面探針轉態(圖5A~5C)之轉態殼體(或波導塊)之示例性實施例。而且，圖6~9描述使用半孔邊緣包覆金屬化，以抑制所不需的模式和共振，而構造背導體式或非背導體式CPW和CPS饋入線之各種實施例。
更特別地，圖3A~3D根據本發明示例性實施例描述金屬轉態殼體30之結構細節。圖3A係示例性轉態殼體30之前視圖，轉態殼體30包含波導殼體31和基板支撐塊32。圖3B是圖3A中沿著線3B－3B轉態殼體30之剖面圖，圖3C是圖3A中沿著線3C－3C轉態殼體30之剖面圖。圖3D係示例性轉態殼體30之後視圖(相對於圖3A前視圖)。轉態殼體30可用塊銅、鋁或黃銅或任意其他合適金屬或合金如可銀電鍍或金電鍍提升導電率或增加腐蝕阻抗，而形成。轉態殼體30可使用已知裂塊(split－block)加工技術和/或使用在毫米波頻率下所需的尺寸精度之佈線或厚EDM(電子放電加工)技術而構造成。在其他示例性實施例中，轉態殼體可為降低成本目的使用精密射出成型技術而由塑料形成。為塑料殼體時，相對表面(如：矩形波導通道之寬或短壁表面)可使用已知技術以金屬材料塗覆。
如圖3A~3D所述，波導塊31包含具有內矩形波導通道(剖面圖3A和3D虛線所示)，具有用波導塊31之前/後寬璧(31a/31b)及底/頂短壁(31c/31d)之內表面定義之寬＝a和高＝b。前和後寬壁31a和31b具有厚度t。波導通道於波導塊31之側壁為一開放端，以提供波導埠PW 。波導通道另一端藉由背短路器B1元件封閉(短路)。在本發明一示例性實施例中，背短路器B1係一單獨加工元件，設計成嵌入波導通道之端，允許調整探針轉態與背短路器B1內表面之間之背短路器距離b1，用於調整和匹配波導和轉態。在這種情況下，內矩形波導通道於波導塊31之每一側壁上將形成開口端。
孔33形成貫通波導塊31之前寬壁31a，提供轉態埠PT，用於將印刷傳輸線和探針轉態嵌入介電基板。孔33形成具有高度h和具有步進寬度(step－in－width)特徵，包含寬度W1 之內開口33b和寬度W2 之外壁開口33a。孔33之底內表面與基板支撐塊32之上表面共平面，基板支撐塊32從波導塊31之前表面處延伸距離x(參見圖3C)。孔33和支撐塊為支撐平面轉態基板提供長度t＋x之共平面裝配面。孔33之步進寬度結構提供精確、自對準和轉態基板定位之機構，轉態基板具有在波導孔及開口內之印刷饋入和轉態，而沒有使用裂塊技術(不需視覺觀察)。如下所解釋，轉態基板用匹配步進寬度形狀結構而形成，能對準及定位於孔33。若應用裂塊技術用探針將轉態基板置於波導孔內，孔33可用均一狹窄開口而形成，如具有寬度W1 之內開口33b。
調整腔34(或調整端子)形成在波導通道之寬壁31b上並相對於轉態埠孔33。如圖3D所述，調整腔34本質地係形成於波導通道寬壁31b內之開口，與孔33之內開口33b對準並具有同樣尺寸h×W1 。此外，調整腔34使用單獨機械加工背短路器元件B2而短路，其可調節地置於調整腔34之開口(即，寬壁31b之內表面)距離b2 處。具有背短路器B2之調整腔34為波導埠之匹配特性阻抗及印刷饋入線與探針轉態之特性阻抗提供額外之調整機制。
在一示例性實施例中，調整腔34和孔33之內開口33b可在同一製造步驟中一起生成，使用佈線EDM加工去處理整個寬度金屬塊碾製形成轉態殼體30。較窄開口33b(寬度W1 )可使用EDM技術精密加工，而較寬開口33a(寬度W2 )可使用經典技術粗糙加工，因為W2 尺寸精度對轉態性能影響較小。當不需要調整腔34時，厚EDM製程可用於形成開口33。
在示例性轉態設計中，當在寬壁內形成轉態埠PT 時，加工技術所固有之局限性(甚至與EDM一樣精密)不能形成方形開口－加工所生成開口之有限半徑角(finite radius corners)(圖3A中用“R1 ”和“R2 ”表示)。例如，佈線EDM技術生成之開口具有角半徑為4~5密爾(mils)，其中，厚EDM技術所生成之開口具有角半徑為2 mils。因為這些固有局限性，孔33形成為具有圓角之開口。如此一來，轉態基板將比孔寬度(W1 ，W2 )還小，不然轉態基板無法適當地安置及接觸內側壁表面。
圖4A~4C係根據本發明一示例性實施例之傳輸線至波導之轉態裝置之透視示意圖。特別地，圖4A~4C描述示例性CPW至矩形波導轉態裝置40，其使用示例性金屬轉態殼體30(參考圖3A~3D所示)和平面轉態基板41而建構成，平面轉態基板41包含印刷CPW傳輸線42和E平面探針43。圖4A係示例性轉態裝置40之前視圖，示例性轉態裝置40具有置於孔33(轉態埠PT )內之轉態基板41。圖4B係圖4A所示轉態裝置40沿著線4B－4B之截面圖，且圖4C係圖4A所示轉態裝置40沿著線4C－4C之截面圖。
轉態基板41包含平面基板，其具有步進式寬度結構，包含寬度WS 之第一部份41a及減小寬度WS ′之第二部份41b，其可將基板41用步進式寬度孔33自對準設置。在示例性實施例中，基板部份41a之寬度Ws稍小於孔33外部份33a之寬度W2 ，且基板部份41b之寬度Ws′稍小於孔33內部份33b之寬度W1 ，其考慮到如上所述之內及外開口33a和33b之圓角。
基板41包含頂表面金屬化，其被蝕刻以在基板部份41a上形成CPW傳輸線42，且在基板部份41b上形成具有E平面探針43之平面轉態。基板部份41b進一步包含轉態區44，其中CPW傳輸線42耦合於探針43。在示例性實施例中，轉態區44可視為位於孔33內開口33b之璧間區域，並藉由波導塊31寬壁之內表面31a及內外開口33b與33a之間之介面而界限出。
CPW傳輸線42包含三個平行導體，包含具有寬度w之中心導體42a，係置於寬度g之兩個接地導體42b之間，並與接地導體42b間隔距離s。探針43係寬度Wp 及長度Lp 之矩形條帶，連接於並延伸自CPW42之中心導體42a之端部。基板部份41b之端部從波導寬壁31之內表面31a處延伸距離LS ，其中，LS 大於LP 。CPW42之接地導體42b用寬度gs之端子44a終止於轉態區44，其中，端子從接地導體42b端朝向靠近孔33內開口33b金屬壁之基板側壁方向實質地形成90度彎曲。
圖5A~5C係根據本發明另一示例性實施例之傳輸線至波導之轉態裝置之透視示意圖。特別地，圖5A~5C描述示例性ACPS至矩形波導之轉態裝置50，轉態裝置50係使用示例性金屬轉態殼體30(參考圖3A~3D)與包含印刷ACPS傳輸線52和E平面探針53之平面轉態基板51而建構成。圖5A描述具有孔33(轉態埠PT )內設置之轉態基板51之示例性轉態裝置50之前視圖。圖5B係圖5A所示轉態裝置50沿著線5B－5B之截面圖，且圖5C係圖5A所示轉態裝置50沿著線5C－5C之截面圖。
轉態基板51包含平面基板，其具有步進式寬度結構，包含寬度WS 之第一部份5la及減小寬度WS ′之第二部份51b，其可將基板51用步進式寬度孔33自對準設置。在示例性實施例中，基板部份51a之寬度Ws稍小於孔33外部份33a之寬度W2 ，且基板部份51b之寬度Ws′稍小於孔33內部份33b之寬度W1 ，其考慮到如上所述之內及外開口33a和33b之圓角。
基板51包含頂表面金屬化，其可被蝕刻以在基板部份51a上形成CPS傳輸線52，且在基板部份51b上形成具有E平面探針53之平面轉態。基板部份51b進一步包含轉態區54，其中CPS傳輸線52耦合於探針53。在示例性實施例中，轉態區54可視為位於孔33內開口33b之璧間區域，並藉由波導塊31寬壁之內表面31a及內外開口33b與33a之間之介面而分界出。
CPS傳輸線52包含兩個平行導體，其包含具有寬度w之第一導體52a和寬度g之第二導體52b，並間隔距離s。當導體52a與52b之寬度相同(w＝g)，傳輸線52係CPS線，其可支持導體52a或52b處於接地電壓之微差信號。當導體52a與53b之寬度不同時(例如w<g)，傳輸線52係不對稱的CPS(ACPS)線，ACPS饋入線如圖所示，導體52b係接地導體。探針53係寬度Wp 及長度Lp 之矩形條帶，連接於並延伸自饋入線52之第一導體52a端。基板部份51b從波導寬壁31之內表面31a處延伸距離LS ，其中，LS 大於LP 。接地導體52b用寬度gs之端子54a終止於轉態區54，其中，端子從接地導體52b端朝向靠近孔33內開口33b金屬壁之基板側壁方向實質地形成90度彎曲。
示例性轉態載體基板41與51可用與金屬波導壁無電絕緣之背導體式饋入線結構而建構成，或者用與金屬波導壁電絕緣之非背導體式饋入線結構而建構成。例如，如圖6和8概略地描述轉態載體基板41和51之示例性實施例，建構具有在其底部形成之全接地平面，以提供背導體式CPW與ACPS饋入線結構。而且圖7與9概略地描述轉態載體基板41和51之示例性實施例，構建具有非背導體式CPW與ACPS饋入線結構。
特別地，參考圖6，轉態載體基板41具有形成在基板部份41a與轉態區44之下之底部接地平面45，提供背導體式CPW結構。延伸穿過寬壁31a內表面之探針43之下之基板41b部份無接地平面。類似地，如圖8所示，轉態基板51具有形成在基板部份51a與轉態區54之下之底部接地平面，提供背導體式CPS結構。延伸穿過寬壁31a內表面之探針53之下之基板51b部份無接地平面。轉態載體基板41與51可使用導電樹脂固設在轉態埠，以將接地平面45、55與金屬波導表面連接(無電絕緣)。這可理解為，圖6和8描述之示例性實施例中，圖4B與5B中轉態基板41與51例如用均一寬度而形成(即如圖4B與5B所示無步進式寬度)。
與傳統CPW或ACPS相比，示例性背導體式CPW(CB－CPW)與背導體式ACPS(CB－ACPS)設計提供機械支撐與熱沉能力。此外，背導體式當與金屬外殼之波導連接(穿過金屬壁)時，係一種CPW或ACPS之自然環境。然而，背導體式CPW與CPS設計在mm波頻率時，易受平行波導與類微帶模式影響，由於在不連續性之模式轉變，以及相關類共振效應可能由於轉態結構之大(電性大)側向尺寸，導致性能較差。而且，CPW可支援兩個主要模式，即CPW模式和耦合槽線(CSL)模式，後者將寄生於這種情形下。在這點上，所提供之方法藉由包覆CB－CPW或CB－CPS饋入結構之接地導體及底部導體平面，而抑制高階模式以及共振效應，CB－CPW或CB－CPS饋入結構印刷在基板載體之兩側上。
例如，圖4B與5B之示例性實施例中，局部包覆可藉由在轉態區44與54內基板側壁之部分長度L1 上方之電鍍技術，或者藉由所謂“半孔(half－a－via)”包覆而實現。作為實施例實施例，圖6概略地描述背導體式CPW饋入結構，例如圖4B所示結構，其中，接地導體42b端部使用半孔邊緣包覆金屬化46，沿著轉態區44長度L1 ，連接至基板部份41a(如剖視圖所示)底部上之接地平面45。類似地，圖8概略地描述背導體式CPS饋入結構，例如圖5B所示結構，其中，接地導體52b端部使用半孔邊緣包覆金屬化56，沿著轉態區54長度L1 ，連接至基板部份51a(如剖視圖所示)底部上之接地平面55。在示例性轉態設計中，使用孔邊緣(via－edge)包覆可實現將頂和底部接地元件有效連接置於轉態基板，提供模式抑制機制，其獨立於基板切割公差及孔33內與外開口33a和33b之有限半徑R1 和/或R2 。
如上所述，示例性背導體式饋入線設計之轉態結構為模式抑制目的，可使用邊緣包覆金屬化與將上下接地元件連接在基板相對側之電連接而建構成。具有非背導體式CPW和CPS設計如圖7和9所述設計之轉態基板，使用非導電性膠連接至金屬波導壁。
前述具有背導體式基板之設計，當使用非導電性環氧樹脂連接時，金屬波導壁與基板後側上固體金屬有效地產生平行波導結構，其潛在地可導致能量洩露及寄生共振效應。為了避免這些問題，與金屬波導塊電絕緣之非背導體式CPW和ACPS(或CPS)至矩形波導轉態結構，用特殊模式抑制技術而設計成，其中導電條帶形成在轉態結構底部上，並經邊緣包覆連接至饋入結構之頂部接地導體。此結構可預防上述提及之平行WG以及其他寄生模之傳播，特別是背導體式設計。
例如，圖7概略描述基於圖4B所示示例性設計之非背導體式CPW饋入結構。在此實施例中，基板載體41將不使用導電接合材料與金屬波導殼體電連接，而使用一些非導電性環氧樹脂與金屬波導殼體電連接，這種非導電性環氧樹脂在重要頻率區具有已知介電性質。圖7中，邊緣包覆半孔金屬46將連接至轉態區44內基板載體41底側上之金屬“接地”圖案47，以預防上述寄生模式之傳播。有效地，藉由非導電性環氧樹脂將金屬圖案47連接至金屬波導表面，底部金屬圖案47將懸置在孔內波導殼體之金屬表面之上(與之絕緣)。金屬指狀物47與通道包覆46之數量、位置、寬度及長度將按需要而設置。此設計可沿著饋入線長度上具有更多包覆點，取決於所需探針長度。基板底部與開口間之間距(用非導電性環氧樹脂填充)亦是特別重要的，在示例性設計中其值保持較小(例如，對於60GHz設計低於50μm)。
而且，例如，圖9概略描述基於圖5B所示示例性設計之非背導體式ACPS饋入結構。在此實施例中，基板載體51將不使用導電接合材料與金屬波導殼體電連接，而使用一些非導電性環氧樹脂與金屬波導殼體電連接，這種非導電性環氧樹脂在重要頻率區具有已知介電性質。圖9中，邊緣包覆半通道金屬化56將連接至轉態區54內基板載體51底側上之金屬“接地”圖案57，以預防上述寄生模式之傳播。有效地，藉由非導電性環氧樹脂將金屬圖案57連接至金屬波導表面，底部金屬圖案57將懸置在孔內波導殼體之金屬表面之上(與之絕緣)，金屬指狀物57與通道包覆56之數量、位置、寬度及長度將按需要而設置。此設計可沿著長度上具有更多包覆點，取決於所需探針長度。基板底部與開口間之間距(用非導電性環氧樹脂填充)亦要考慮，在示例性設計中其值較小(例如，對於60GHz設計低於50μm)。
在如上所討論之示例性轉態裝置40與50中，可調節各種參數以使波導模式與CPW或ACPS傳輸線之特性阻抗相匹配。例如，CPW或ACPS線可藉由調節各種參數，包括例如探針43/53與背短路器B1間的距離b1 、波導橫截面a內探針43、53之位置、探針寬WP 與LP ，而與波導埠匹配。最佳化之目的係獲得最高可能頻寬(或最大頻寬)。在Smith圖上，頻寬用取決於“淚滴”形狀輸入反射係數之頻率表示，此頻率環繞在其中心。環越小，頻寬越好。探針電抗受支撐基板記憶體儲存之能量影響。基板高度hs、寬度Ws及長度Ls，或介電常數，對於輸入阻抗之電抗部分和所獲得頻寬具有相當大之影響。在前面討論之示例性實施例中，支撐基板沒有完全填充整個波導孔，以最小化探針之負載。然而，基板可一路延伸過(或若存在的化，利用被短路器B2的優勢)波導通道。
鑒於公差分析，示例性轉態性能對波導內探針深度LP 敏感。當深度利用裂塊技術控制在幾μm範圍內，這將不是問題，裂塊技術可利用視覺監視，而精確放置具有印刷探針之轉態基板。在此過程中，基於基板載體上圖案化有限尺寸頂部接地導體，而輕易執行對準，其邊界與波導寬側壁31a內邊緣對準。當轉態殼體不使用裂塊技術製造時，上述提及之步進式寬度對準機制可適當地用於定位目的，其中定位精度局限於約25~30μm，且基於孔33窄開口33b長度L1 之EDM加工精度。
形成在波導寬壁內之孔33以及饋入結構鄰近突進入探針附近之電場分佈區，從而影響探針之輸入阻抗。在這點上，參數例如窗寬度W2 與高度h、CPW和ACPS饋入之帶寬度w與槽寬度s、及ACPS饋入開口內探針位置，係在CPW和ACPS埠影響輸入阻抗之另外參數。
具有嵌入式饋入結構之波導寬側壁內開口尺寸亦是很重要的，特別是對於電性寬基板載體。由於經典基板處理及切割限制，大部分基板屬於60GHz或以上之族群。因此，選擇的基板和埠開口尺寸將不會引起波導模式以及介電性負載開口內有關共振效應。
另一個需要考慮的因素是頂與底部接地導體未被包覆處之饋入線總寬度(包含頂部接地導體寬度)。當饋入結構太寬時，由於不連續性之不對稱場激發，將在一些頻率下發生轉態之靜態似共振效應。
根據本發明轉態結構之其他示例性特徵，係可用於金屬外殼內而不影響其性能，因其固有地受波導壁屏蔽。再者，形成在寬側壁內之孔(基板埠PT )可選擇地被密封。
為瞭解釋所考慮轉態之性質，可對用於WR15矩形波導之寬頻操作(50~70GHz)而設計之各種CPW至波導轉態結構與ACPS至波導轉態結構進行計算機模擬。使用商業上可獲得之用於RF、無線、包覆及光電設計之3D EM模擬軟件工具，特別是HFSS(3D全波FEM解算器)工具進行模擬。模式中間的所有損失機制(歐姆、介電及輻射)與耦合效應都要考慮進去。具有完美表面拋光(無粗糙)之3D 4μm厚之金金屬化作為導電層。表面阻抗公式用於解釋歐姆損失，其可在重要頻率區(50~70GHz)得到很好地調節。具有探針之饋入線放置於對於50~70GHz頻帶相對厚之300μm厚熔合矽土基板(介電常數3.8)上。在本發明示例性實施例中，平面探針下之基板部份可變薄或除去，以提高在此提及之示例性轉態結構之性能。為了此設計更好的機械穩定性，可選擇厚基板。示例性轉態設計之尺寸參數列於下表1中。模擬結果表明示例性轉態設計將使得在整個重要頻率區內插入損失及還回損失很低。
儘管為了說明目的，在此結合圖式描述了示例性實施例，但可理解本發明不局限於那些明確實施例，並且未脫離本發明範圍本領域技術人員可得出各種其他變化及修正。
10．．．轉態裝置
11．．．側壁
11b、11c．．．側壁
12．．．轉態基板
12a．．．印刷傳輸線
12b．．．探針
13．．．孔
20．．．封裝組件
21．．．轉態殼體
21a．．．前壁
21b．．．側壁
21c．．．側壁
22．．．轉態基板
23．．．支撐塊
24．．．底座板
25．．．矩形波導元件
26．．．印刷電路板
27．．．晶片
30．．．轉態殼體
31．．．波導殼體
31a．．．前寬壁
31b．．．後寬壁
31c．．．底短壁
31d．．．頂短壁
32．．．基板支撐塊
33．．．孔
33a．．．外壁開口
33b．．．內開口
34．．．調整腔
40．．．轉態裝置
41．．．平面轉態基板
41a．．．第一部份
41b．．．第二部份
42．．．印刷CPW傳輸線
42a．．．中心導體
42b．．．接地導體
43．．．探針
44．．．轉態區
44a．．．端子
45．．．接地平面
46．．．通道包覆
47．．．金屬圖案
50．．．轉態裝置
51．．．轉態載體基板
51a．．．基板部份
51b．．．基板
52．．．CPS傳輸線
52a．．．導體
52b．．．第二導體
53．．．探針
54．．．轉態區
54a．．．端子
55．．．接地平面
56．．．通道包覆
57．．．底部金屬圖案
a．．．寬壁
a’．．．高度
b．．．短壁
B0 ．．．背短路器開口
B、B1．．．背短路器
B2．．．背短路器
C．．．波導腔
Gs．．．寬度
g．．．寬度
H．．．高度
hs．．．高度
h．．．高度
L1．．．長度
Lp．．．長度
Ls．．．延伸距離
PT ．．．轉態埠
Pw．．．波導輸入埠
s．．．間隔距離
t．．．厚度
W1 、W2 、ws．．．寬度
x．．．距離
圖1A和1B係根據本發明一示例性實施例之一傳輸線至波導之轉態裝置10之透視示意圖；圖1C描述矩形波導腔C描述主要TE10傳播模式；圖2係根據本發明一示例性實施例之封裝組件20之透視示意圖，封裝組件20包含與外部電路積體封裝之傳輸線至波導之轉態模組；圖3A~3D根據本發明一示例性實施例描述金屬轉態殼體30之結構細節；圖4A~4C係根據本發明一示例性實施例之傳輸線至波導之轉態裝置之透視示意圖：圖5A~5C係根據本發明一示例性實施例之傳輸線至波導之轉態裝置之透視示意圖；圖6根據本發明一示例性實施例概括描述背導體式(conductor－backed)CPW饋入結構，其中，半孔邊緣包覆金屬化用於抑制不需要之波導模式及共振；圖7根據本發明一示例性實施例概括描述非背導體式CPW饋入結構，其中，半孔邊緣包覆金屬化用於抑制不需要之波導模式及共振；圖8根據本發明一示例性實施例概括描述背導體式CPS饋入結構，其中半孔邊緣包覆金屬化用於抑制不需要之波導模式及共振；圖9根據本發明一示例性實施例概括描述非背導體式CPS饋入結構，其中，半孔邊緣包覆金屬化用於抑制不需要之波導模式及共振。
10．．．轉態裝置
11．．．側壁
11b．．．側壁
12．．．轉態基板
12a．．．印刷傳輸線
12b．．．探針
13．．．孔
a．．．寬壁
b．．．短壁
B．．．背短路器
C．．．波導腔
Pw．．．波導輸入埠

Claims (15)

  1. 一種轉態裝置，包含：一轉態殼體，包含一矩形波導通道及配置貫通於該矩形波導通道之一寬壁之一孔；一基板，具有一第一表面及相對於該第一表面之一第二表面，及配置於該第一表面上之一傳輸線與一探針，其中該傳輸線包含一第一導帶和一第二導帶，其中該探針連接於並延伸自該第一導帶之一端，且其中該第二導帶之一端終止於一端子，其中該端子藉由邊緣包覆金屬化而與該基板之該第二表面上之一導電性接地圖案連接；其中該基板置於該孔中，以使該探針突出進入該矩形波導通道內，且其中該第一與第二導帶之該端終止於該矩形波導通道之該寬壁之一內表面，其中該孔具有一步進式寬度開口，能對準及安置該基板在該孔和該矩形波導通道中。
  2. 如請求項1所述之轉態裝置，其中該矩形波導通道之一端係封閉端，並為該探針提供一背短路器。
  3. 如請求項2所述之轉態裝置，其中該背短路器為可調。
  4. 如請求項2所述之轉態裝置，其中該矩形波導通道之一端開放於該轉態殼體之一配合表面上，其中該配合表面可與 一矩形波導凸緣共介面。
  5. 如請求項1所述之轉態裝置，其中該傳輸線係一共平面帶線(CPS)。
  6. 如請求項1所述之轉態裝置，其中該傳輸線係一不對稱共平面帶線(ACPS)。
  7. 如請求項1所述之轉態裝置，其中該傳輸線係一共平面波導(CPW)。
  8. 如請求項1所述之轉態裝置，其中該基板之該第二表面上之該導電性接地圖案連接於該轉態殼體之一金屬表面。
  9. 如請求項1所述之轉態裝置，其中該基板之該第二表面上之該導電性接地圖案非電性連接於該轉態殼體之一金屬表面。
  10. 如請求項1所述之轉態裝置，其中該邊緣包覆金屬化與該金屬轉態殼體電隔離。
  11. 如請求項1所述之轉態裝置，其中該轉態裝置與一單石微波積體電路(MMIC)為一體封裝。
  12. 如請求項1所述之轉態裝置，更包含：提供於該矩形波導通道之一第二寬壁上之一調整腔，該調整腔相對於該孔並與該孔對齊。
  13. 如請求項1所述之轉態裝置，其中該轉態殼體由一金屬材料塊形成。
  14. 如請求項1所述之轉態裝置，其中，該轉態殼體由一塑料形成，該塑料之表面塗覆一金屬材料。
  15. 如請求項1所述之轉態裝置，其中該端子終止於該寬壁之該內表面並延伸自該寬壁之該內表面，以對準該步進式寬度開口之一外表面。
TW096110324A 2006-03-31 2007-03-26 建構及包裝供毫米波應用的波導至平面傳輸線轉態之裝置及方法 TWI414103B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/395,098 US7479842B2 (en) 2006-03-31 2006-03-31 Apparatus and methods for constructing and packaging waveguide to planar transmission line transitions for millimeter wave applications

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200807798A TW200807798A (en) 2008-02-01
TWI414103B true TWI414103B (zh) 2013-11-01

Family

ID=38557962

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096110324A TWI414103B (zh) 2006-03-31 2007-03-26 建構及包裝供毫米波應用的波導至平面傳輸線轉態之裝置及方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7479842B2 (zh)
EP (1) EP2008216A4 (zh)
JP (1) JP5147826B2 (zh)
CN (1) CN101496279B (zh)
TW (1) TWI414103B (zh)
WO (1) WO2008062311A2 (zh)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009002464A2 (en) * 2007-06-22 2008-12-31 Vubiq Incorporated System and method for wireless communication in a backplane fabric architecture
US8164397B2 (en) * 2009-08-17 2012-04-24 International Business Machines Corporation Method, structure, and design structure for an impedance-optimized microstrip transmission line for multi-band and ultra-wide band applications
EP2467897B1 (en) * 2009-08-19 2019-07-03 Vubiq, Incorporated Precision waveguide interface
US9893406B2 (en) 2009-08-19 2018-02-13 Vubiq Networks, Inc. Method of forming a waveguide interface by providing a mold to form a support block of the interface
US8587482B2 (en) 2011-01-21 2013-11-19 International Business Machines Corporation Laminated antenna structures for package applications
US8884716B2 (en) * 2011-02-14 2014-11-11 Sony Corporation Feeding structure for cavity resonators
CN102122760A (zh) * 2011-03-17 2011-07-13 东南大学 印刷l形探针馈电的微带天线
DE102011075219A1 (de) * 2011-05-04 2012-11-08 Siemens Ag HF-Generator
US9368855B2 (en) * 2012-03-19 2016-06-14 Mitsubishi Electric Corporation Planar circuit to waveguide transition having openings formed in a conductive pattern to form a balance line or an unbalance line
CN102931491B (zh) * 2012-11-13 2014-08-27 北京航空航天大学 一种宽带介质加载的天线单元
JP2015126025A (ja) * 2013-12-25 2015-07-06 株式会社東芝 半導体パッケージ
JP2015149649A (ja) * 2014-02-07 2015-08-20 株式会社東芝 ミリ波帯用半導体パッケージおよびミリ波帯用半導体装置
SE541830C2 (en) * 2015-02-19 2019-12-27 Trxmems Ab Mems based waveguide chip
US10522894B2 (en) * 2015-05-19 2019-12-31 Mitsubishi Electric Corporation Coaxial line to microstrip line conversion circuit, where the conversion circuit comprises a waveguide in which the coaxial line and the microstrip line are disposed
AU2016100894B4 (en) * 2015-06-18 2017-09-21 Shaun Joseph Cunningham Galvanic isolator for coaxial distribution networks
CN104934676B (zh) * 2015-06-23 2018-03-09 西安空间无线电技术研究所 一种毫米波频段波导‑微带过渡结构的实现方法
CN105261815B (zh) * 2015-10-23 2018-03-20 中国电子科技集团公司第十六研究所 一种具有工作频段可调功能的波导与微波过渡电路
CN105609489B (zh) * 2015-12-29 2019-06-18 中国工程物理研究院电子工程研究所 基于改进的波导探针过渡对芯片进行模块化封装的结构
CN106374231A (zh) * 2016-10-19 2017-02-01 京航泰（北京）科技有限公司 一种四脊喇叭天线及加工方法
WO2018175392A1 (en) 2017-03-20 2018-09-27 Viasat, Inc. Radio-frequency seal at interface of waveguide blocks
CN107317081B (zh) * 2017-07-05 2020-11-10 电子科技大学 太赫兹无跳线倒置共面波导单片电路封装过渡结构
KR102041548B1 (ko) * 2017-11-02 2019-11-06 지앨에스 주식회사 웨이브가이드 피딩 정렬 장치 및 방법
US10818997B2 (en) 2017-12-29 2020-10-27 Vubiq Networks, Inc. Waveguide interface and printed circuit board launch transducer assembly and methods of use thereof
WO2019201683A1 (en) * 2018-04-18 2019-10-24 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Waveguide interface and non-galvanic waveguide transition for microcircuits
CN109216847A (zh) * 2018-09-21 2019-01-15 成都博芯联科科技有限公司 一种微带垂直过渡结构
CN109742494B (zh) * 2018-12-13 2024-04-05 中国电子科技集团公司第五十五研究所 一种单层表贴型毫米波滤波器
FI20206003A1 (en) * 2020-10-13 2022-04-14 Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Oy Disc level capsule for millimeter and terahertz signals
CN112310587B (zh) * 2020-10-27 2022-02-01 华东光电集成器件研究所 一种波导输出承载装置
RU2760763C1 (ru) * 2020-12-01 2021-11-30 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" Переход с волновода на несимметричную полосковую линию
CN112864598B (zh) * 2021-01-12 2022-04-01 北京邮电大学 适用于毫米波通信的圆极化天线及通信设备
CN113904076B (zh) * 2021-12-13 2022-02-15 成都雷电微晶科技有限公司 一种w波段具有镜频抑制特性的h面探针过渡结构
CN116982218A (zh) * 2022-02-28 2023-10-31 京东方科技集团股份有限公司 波导转换装置及电子设备
CN115411481B (zh) * 2022-09-07 2023-07-18 北京邮电大学 波导型集成utc-pd装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3157847A (en) * 1961-07-11 1964-11-17 Robert M Williams Multilayered waveguide circuitry formed by stacking plates having surface grooves
US3924204A (en) * 1973-05-07 1975-12-02 Lignes Telegraph Telephon Waveguide to microstrip coupler
US4754239A (en) * 1986-12-19 1988-06-28 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Waveguide to stripline transition assembly
US5361049A (en) * 1986-04-14 1994-11-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Transition from double-ridge waveguide to suspended substrate
US5773887A (en) * 1996-06-03 1998-06-30 Motorola, Inc. High frequency semiconductor component
US6002305A (en) * 1997-09-25 1999-12-14 Endgate Corporation Transition between circuit transmission line and microwave waveguide
US6987429B2 (en) * 1999-11-03 2006-01-17 Yi-Chi Shih Universal millimeter-wave housing with flexible end launchers
US7002431B2 (en) * 1999-07-22 2006-02-21 Marconi Commucations Gmbh Transition from a waveguide to a microstrip having a secured arrangement

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1010595B (de) * 1956-03-17 1957-06-19 Pintsch Electro Gmbh Anordnung zur Ankopplung einer koaxialen Energieleitung an einen Rechteckhohlleiter zur Anregung der H-Welle
US3638148A (en) * 1970-06-25 1972-01-25 Collins Radio Co Lid interaction protected shield enclosed dielectric mounted microstrip
JPH02223202A (ja) * 1988-11-12 1990-09-05 Matsushita Electric Works Ltd 平面アンテナ用コンバータ
TW212252B (zh) * 1992-05-01 1993-09-01 Martin Marietta Corp
JP3298604B2 (ja) * 1995-07-10 2002-07-02 日本電信電話株式会社 コプレーナガイド伝送線路
JP3610715B2 (ja) * 1997-01-17 2005-01-19 株式会社日立製作所 多層実装ｍｍｉｃ回路
CA2312128A1 (en) * 1999-08-16 2001-02-16 The Boeing Company Mmic-to-waveguide rf transition and associated method
DE10010713B4 (de) * 2000-03-04 2008-08-28 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Füllstandmeßgerät zum Aussenden und Empfangen breitbandiger hochfrequenter Signale
FR2850793A1 (fr) * 2003-01-31 2004-08-06 Thomson Licensing Sa Transition entre un circuit micro-ruban et un guide d'onde et unite exterieure d'emission reception incorporant la transition

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3157847A (en) * 1961-07-11 1964-11-17 Robert M Williams Multilayered waveguide circuitry formed by stacking plates having surface grooves
US3924204A (en) * 1973-05-07 1975-12-02 Lignes Telegraph Telephon Waveguide to microstrip coupler
US5361049A (en) * 1986-04-14 1994-11-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Transition from double-ridge waveguide to suspended substrate
US4754239A (en) * 1986-12-19 1988-06-28 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Waveguide to stripline transition assembly
US5773887A (en) * 1996-06-03 1998-06-30 Motorola, Inc. High frequency semiconductor component
US6002305A (en) * 1997-09-25 1999-12-14 Endgate Corporation Transition between circuit transmission line and microwave waveguide
US7002431B2 (en) * 1999-07-22 2006-02-21 Marconi Commucations Gmbh Transition from a waveguide to a microstrip having a secured arrangement
US6987429B2 (en) * 1999-11-03 2006-01-17 Yi-Chi Shih Universal millimeter-wave housing with flexible end launchers

Also Published As

Publication number Publication date
WO2008062311A2 (en) 2008-05-29
US7479842B2 (en) 2009-01-20
CN101496279B (zh) 2012-05-23
EP2008216A4 (en) 2009-12-23
EP2008216A2 (en) 2008-12-31
JP5147826B2 (ja) 2013-02-20
JP2009531923A (ja) 2009-09-03
US20070229182A1 (en) 2007-10-04
WO2008062311A3 (en) 2009-04-23
CN101496279A (zh) 2009-07-29
TW200807798A (en) 2008-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI414103B (zh) 建構及包裝供毫米波應用的波導至平面傳輸線轉態之裝置及方法
US6856131B2 (en) Magnetic sensor, side-opened TEM cell, and apparatus using such magnetic sensor and side-opened TEM cell
US8839508B2 (en) Method of making a high frequency device package
US9088058B2 (en) Waveguide interface with a launch transducer and a circular interface plate
WO1993022802A2 (en) Waveguide to transmission line transition
JP2005045815A (ja) ミリ波信号変換デバイス
CN113871880A (zh) 一种基于带状线的同轴馈电微带天线
US20030048151A1 (en) Coplanar directional coupler for hybrid geometry
US20020097108A1 (en) Transmission line to waveguide mode transformer
Jakob et al. WR12 to planar transmission line transition on organic substrate
Ellis et al. A wideband CPW-fed microstrip antenna at millimeter-wave frequencies
CN114050407B (zh) 波导模式激励结构、方法及其应用
Hebeler et al. Design and evaluation of a Substrate Integrated Waveguide with solid side walls for H-Band applications on organic substrate
CN116093569B (zh) 微带线与矩形波导的转换装置
Atabay Design and realization a Quasi Yagi antenna array and its feed system printed on a ceramic substrate for X-Band radar applications
Mishra Microstrip-to-Waveguide transition for 140 GHz using Gap waveguide technology
US10950562B1 (en) Impedance-matched through-wafer transition using integrated heat-spreader technology
Yu et al. A 60-GHz On-chip Slot Antenna on Integrated Passive Device (IPD) Process
Gao et al. $ W $-Band Waveguide-to-Chip Transition Based on Y-Shaped Quasi-Yagi Antenna Concept
Tong Differential feed antenna in millimeter wave Radar applications/submitted by Ziqiang Tong
Yoshioka et al. A Study of Millimeter Wave Transmission Between Two Grounded Coplanar Lines with U-shaped Slot
Bayat-Makou New Integrated Waveguides Concept and Development of Substrate Integrated Antennas with Controlled Boundary Conditions
CN116525596A (zh) 一种太赫兹芯片三维封装结构及实现方法
Dravet et al. Flip Chip and TAB Interconnects for Millimeter Wave MMICs a Comprehensive Study
Lee LTCC-Based System-in-Package (SiP) Technology for Microwave System Applications