TWI414038B - 用以支撐基底之台座單元與包括該台座單元之處理基底之裝置 - Google Patents

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Description

用以支撐基底之台座單元與包括該台座單元之處理基底之裝置
本發明是有關於一種支撐基底之台座單元與包括該台座單元之處理基底之裝置，且特別是有關於一種支撐基底之台座單元，用以製造積體電路裝置，與包括該台座單元之處理基底之裝置。
通常，平面顯示裝置係經由一系列單元製程製造，例如附著製程，蝕刻製程，微影照相製程，離子植入製程等，對於例如半導體基底或玻璃基底等基底進行處理。
上述單元製程通常在處理基底之裝置(以下稱為處理裝置)中進行，包括提供進行單元製程空間之處理室以及在處理裝置中放置基底之台座單元。亦即，基底從處理裝置之外部放入處理室之空間中，且放置並固定於安裝在處理室中之台座單元。
當各種單元製程在同一處理裝置進行時，處理裝置之處理室經歷各種處理環境與條件。例如，當沉積製程與蝕刻製程在同一處理裝置進行時，各種來源氣體，例如沉積氣體與蝕刻氣體，均提供至同一處理室中。又，習知沉積製程與蝕刻製程在處理裝置之處理室中需要低內部壓力，幾乎為真空狀態，以及極高之內部溫度。特別是，當沉積與蝕刻製程使用電漿進行時，處理室之高內部溫度需求係為處理裝置中沉積與蝕刻製程之前提條件。
處理室中之台座單元通常包括固定於處理室底部之 基座以及接觸於基座之本體。基底係放置於台座單元之本體上。
台座單元之本體包括具有內建電極之板以及從板之底面突出且具有連接至電極之複數線路之管。基底通常位於板上。
每一線路係由絕緣層包覆且密集彼此鄰接排列於管中。當台座單元在處理裝置中進行線性與旋轉動作時，相鄰線路之絕緣層在管與板之接合部可能容易磨損，因此相鄰線路可能發生短路。
又，基座通常包括具有良好剛性之金屬，因此基座損傷之機率較低。然而，本體通常包括陶瓷為主之材料以防止因電漿造成之損傷，因此本體在處理室之高溫狀態下因基座與本體之間熱膨脹係數不同而造成損傷之機率較高。
實施例提供一種用於處理裝置之台座，可減少相鄰線路之電性短路與本體因基座熱膨脹之損傷。
實施例提供一種處理裝置，具有上述台座。
根據本發明之某些實施例，提供一種用於處理裝置之台座，包括本體以及第一絕緣區段。本體用以放置基底，包括一板，具有一電極構件，以及一管，由該板之底面突出，且線路從該電極構件經由該管延伸。第一絕緣區段可插入該管中，且具有複數第一孔，分別用以供該線路插入。
在一實施例中，台座單元可更包括一填充構件，插入於該管之內壁與該第一絕緣區段之間，使得該管與該第一 絕緣區段之間之間隙距離沿該管之該內壁均勻。該填充構件更包括一突出部，接觸於該第一絕緣區段。
在一實施例中，該板之該電極構件包括一加熱電極，用以產生熱，且該基座包括一基座板，用以安裝該本體，以及一緩衝器，插入於該基座板與該本體之該管之間，該緩衝器具有較該本體之該管高且較該基座板低之熱膨脹係數。
在一實施例中，該緩衝器包括第一通孔，連接於該管，且該基座板包括第二通孔，連接於該第一通孔與該管。該第一絕緣區段可穿過該緩衝器以及該基座之該基座板，使得該第一絕緣區段延伸至該台座之外部。另外，台座可更包括第二絕緣區段，經由該第一通孔與該第二通孔結合於該第一絕緣區段，該第二絕緣區段包括複數第二孔，供該等線路分別插入。
在一實施例中，台座可更包括一保護塊，插入於該板與該基座板之間且包覆該本體之該管，使得該基座板被該保護塊覆蓋且隔絕於處理該基底之處理氣體。
該保護塊可與具有該加熱電極之該板分離，因而防止熱從該板傳導至該保護塊。
該保護塊可分成至少兩部分。
在一實施例中，台座可更包括第一密封單元，插入於該管與該緩衝器之間，以及第二密封單元，插入於該基座板與該緩衝器之間，使得該管之內部由該第一密封單元與該第二密封單元與外部密封。
在一實施例中，台座可更包括第一接合構件，用以結 合該管與該緩衝器，以及第二接合構件，用以結合該緩衝器與基座板。
根據本發明之某些實施例，提供另一種台座，用以支撐一基底，包括本體、基座板以及緩衝器。本體用以放置該基底，可包括一板，具有一加熱電極，用以產生熱，以及一管，由該板之底面突出。基座板用以安裝該本體，且緩衝器可插入於該基座板與該本體之該管之間。緩衝器可具有較該本體之該管高且較該基座板低之熱膨脹係數。
在一實施例中，台座可更包括一保護塊，插入於該板與該基座板之間且包覆該本體之該管，使得該基座板被該保護塊覆蓋且隔絕於處理該基底之處理氣體。
根據本發明之某些實施例，提供一種處理基底之裝置。該裝置可包括處理室、氣體供應器以及放置該基底之台座。處理室可具有一空間，供該基底進行處理；氣體供應器可連接至該處理室，且將用以處理該基底之處理氣體供應至該處理室。台座可位於該處理室內，支撐該基底。台座可包括用以放置該基底之本體以及第一絕緣區段。本體可包括一板，具有一電極構件，以及一管，由該板之底面突出，且線路從該電極構件經由該管延伸；第一絕緣區段可插入該管中，且具有複數第一孔，分別用以供該線路插入。
在一實施例中，該板之該電極構件可包括一加熱電極，用以產生熱，且該基座包括一基座板，用以安裝該本體，以及一緩衝器，插入於該基座板與該本體之該管之間，該緩衝器具有較該本體之該管高且較該基座板低之熱 膨脹係數。
在一實施例中，該台座可更包括一保護塊，插入於該板與該基座板之間且包覆該本體之該管，使得該基座板被該保護塊覆蓋且隔絕於處理該基底之處理氣體。
根據本發明之某些實施例，台座之本體之管中線路係分別插入於絕緣區段之孔中，因此可有效防止線路之移動與電性短路。
又，基座板之熱膨脹可由緩衝器吸收，且可不直接影響本體。因此，可防止本體因基座板之熱膨脹而損傷。
因此，可有效減少台座之破壞，因而增進使用該台座之處理室中進行之製程效率。
為讓本發明之上述內容能更明顯易懂，下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
以下請參照相關圖式，詳細說明本發明適用之具體實施例。然而，本發明可適用於各種不同形態，不應限定於所揭露之實施例。實施例係用以揭露完整之技術，且提供熟悉此技藝之人士本發明之技術，且提供熟悉此技藝之人士本發明之完整內容。在圖式中，塗層與區域之尺寸及相關比例可能因明確繪示而誇大。
當元件或塗層之說明係為「在其上」、「連結於」或「接續於」另一元件或塗層時，可為直接在其上、連結或接續，也可有中介之元件或塗層。相反地，當元件之說明係為「直接在其上」、「直接連結於」或「直接接續於」另一元件或 塗層時，沒有中介之元件或塗層。相同之標號係標示相同之元件。名詞「及/或」係包括所列出項目之任何所有組合。
雖然說明中可能採用第一、第二、第三等名詞描述各種元件、配件、區域、塗層及/或區段，這些元件、配件、區域、塗層及/或區段不應限定於此。上述名詞僅用於區分不同之元件、配件、區域、塗層及/或區段。因此，以下所述之第一元件、配件、區域、塗層及/或區段可在不脫離本發明之教示之下做為第二元件、配件、區域、塗層及/或區段。
空間性相對名詞，例如「在其下」、「低於」、「在其上」、「高於」等，可用以便於描述元件或特徵與其他元件或特徵在圖式中繪示之相對關係。這些空間性相對名詞係為涵蓋裝置除圖示以外在使用或操作時之不同方向。舉例而言，若圖中之裝置被反置，所述之在其他元件或特徵「之下」或「較低」之元件則會變為在其他元件或特徵「之上」或「較高」。因此，實施例中之名詞「在其下」可涵蓋在其上與其下。裝置也可以其他方向放置(旋轉90度或其他方向)，故空間性相對名詞也需做對應之解讀。
在此所使用之名詞僅為描述特定實施例，且並非用以限制本發明。如下所述，除非內容明確另行指示，單數形之「一」與「該」係為包括複數。使用於本說明書中之名詞「包括」係指明特徵、整數、步驟、操作、元件及/或配件之存在，但並未限制一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、配件及/或群組之存在或添加。
本發明之實施例係以做為本發明理想化實施例(及其中間結構)之示意圖之剖面圖顯示。如此，製造技術及/或公差等圖式形狀之改變係可預期之。因此，本發明之實施例並非用以限制區域之特殊形狀，而應包括製造時等形狀之變形。舉例而言，圖示為矩形之植入區域通常在其邊緣具有圓角或曲角之特徵及/或植入濃度之梯度而非從植入到未植入區域之二元化改變。相似地，由植入形成之埋入區域可能導致埋入區域與植入所進行之表面之間區域產生部分植入。因此，圖式中之區域係為示意，其形狀並非裝置之區域實際形狀，也非用以限定本發明之範圍。
除非另行定義，在此使用之所有名詞(包括技術與科學名詞)均具有與熟習本發明相關技藝之人士所普遍理解之相同意義。除非明確定義，否則這些名詞例如一般使用之字典中所定義，應解讀為與相關技藝之內容中意義一致而非解讀為理想化或過度正式化。
以下請參照相關圖式，詳細說明本發明適用之具體實施例。
第1圖係根據本發明之實施例之用於處理裝置之台座單元之剖面圖。第2圖係第1圖中台座單元之分解圖。
請參見第1圖與第2圖，根據本發明一實施例之用於處理裝置之台座單元100可包括本體10、第一絕緣區段50以及基座70。
在一實施例中，本體10可包括一板20以及一管30。基底W可放置於板20上。例如，基底W可包括用以製造半導體裝置之矽晶圓以及形成用於平面顯示裝置之薄膜 電晶體(TFT)或彩色濾波器之平板玻璃基底。
電極構件22可安裝於板20之內部。在本實施例中，電極構件22可包括產生靜電力之第一電極以及產生熱之第二電極。驅動電壓可供應至第一電極23且靜電力可由第一電極產生，因而基底W可由靜電力固定於板20上。第一電極23可包括具有低電阻以及低熱膨脹係數之材料，例如鎢(W)、鉬(Mo)、銀(Ag)與金(Au)。本實施例中，第一電極23可具有約10μm至約200μm之厚度。
驅動電壓可供應至第二電極24且熱可由第二電極產生，因而加熱基底W。因此，在基底W上之製程，例如沉積製程或蝕刻製程，可在處理裝置中實行。第二電極24可包括實質上與第一電極相同之材料，且可具有約50μm至約300μm之厚度。
本實施例中，第一電極23可位於第二電極24上方，因而基底W可容易固定於板20。
電極構件22可更包括一接地電極(未圖示)，用以施加高頻電壓，因而當沉積或蝕刻製程在處理室中進行時，電漿可在處理室之空間中產生。特別是，第一電極23可用以做為接地電極，如熟習此技藝人士所知。
在一實施例中，板20可包括具有良好機械剛性之陶瓷材料，因此板20中之電極構件22可電性絕緣於周圍環境。陶瓷材料之範例可包括氮化鋁(AlN)、氧化鋁(Al2 O3 )、氧化釔(Y2 O3 )、碳化矽(SiC)等。這些材料可單獨或混合使用。
在一實施例中，管30可由板20之底面突出。例如， 中空管可由板20底面之中間部突出。管30可包括與板20相同之材料，且可與板20一體成形在本體中。另一方面，管30與板20可在分別製造後，將管30與板20彼此結合。
至少兩條線路32可位於管30中，因而驅動動力可經由線路32供應至電極構件22。例如，當電極構件22之第一電極23係單極(monopolar)型時，管30中可提供三條線路。然而，線路32之數量可根據電極構件22之數量與形狀而改變，如熟習此技藝人士所知。
第一絕緣區段50可插入管30中，因而線路可由第一絕緣區段50彼此絕緣且緊密固定。因此，第一絕緣區段50可包括具有絕緣特性以及高抗熱材料。
例如，第一絕緣區段50可包括具有低熱傳導性與低熱膨脹係數之陶瓷材料以及高溫樹脂。陶瓷材料之範例可包括氧化鋁(Al2 O3 )、氧化釔(Y2 O3 )、石英等。這些材料可單獨或混合使用。
以下請參考第3圖與第4圖，詳細說明第一絕緣區段50。
第3圖係第1圖中沿I-I’線之剖面圖。第4圖係第1圖中A部分之部分放大剖面圖。
請參照第3圖與第4圖，第一絕緣區段50可包括複數第一孔52，分別用以供線路插入。
特別是，第一絕緣區段50可插入管30中，且在管30緊密貼附於板20，且管30中之線路32分別插入於第一絕緣區段50之第一孔52。因此，線路32係由第一絕緣區段50彼此電性絕緣且緊密固定於管30中。
在一實施例中，第一絕緣區段50可從管30之內壁分離一間隙距離，因而在第一絕緣區段50與管30之間可實行插入與分隔。特別是，第一絕緣區段50可具有小於管30內徑之外徑。
填充構件54可插入於第一絕緣區段50與管30之內壁之間，因而可防止第一絕緣區段50移動，且第一絕緣區段50與管30之間隙距離可變為均勻。
複數突出部55可位於填充構件54之表面，且突出部55可接觸於第一絕緣區段50之外表面，因而固定第一絕緣區段50於管30，且防止第一絕緣區段50在管30內移動。本實施例中，突出部可沿圓周線排列於第一絕緣區段50之外表面。
第一絕緣區段50與管30之間之接觸區域可由填充構件54減少。因此，即使熱從板20中之第二電極24傳導至管30，熱傳導至第一絕緣區段50也可由填充構件54減少。因此，從第二電極24產生之熱可更集中傳導至板20之上部，因而板20上之基底W可由第二電極24更均勻地加熱。
填充構件54之表面可進行表面處理，因而減少與管30之內壁之摩擦。又，填充構件54之端部可圓角化，因而做為在管30與填充構件54之間之接觸區域。
填充構件54可與第一絕緣區段50以及本體之管其中之一一體成型。特別是，填充構件54可形成於第一絕緣區段50之外表面或是管30之內壁。
線路32可分別插入於由填充構件54從管30均勻分 離之第一絕緣區段50之第一孔52。因此，第一絕緣區段50可由填充構件54防止在管30內移動，且可穩定位於管30中而不移動。因此，線路32也可穩定位於管30中之第一絕緣區段50而不移動，因而防止因管30與板20之相對移動而造成線路32之電性短路。
因此，電極構件22之電性故障可由線路32之穩定性有效減少，且第二電極24之熱可有效傳導至板20上之基底W，因而有效增進台座100之處理效率。
基座70可位於本體10下方，且支撐本體10以形成台座100。例如，基座70可位於處理室(未圖示)之底部，且本體10係放置於基座70上。
在一實施例中，基座70可包括做為本體功能之基座板72，以及緩衝器75，插入於基座板72與本體10之管30之間。
例如，基座板72可包括具有良好熱傳導性之金屬，因而板20中之第二電極24產生之熱可經由管30向外散發。因此，基座板72可包括鋁(Al)、鎳(Ni)、不鏽鋼等。
至少一冷卻構件73可安裝於基座板72之內部，因而傳導至基座板72之熱可有效從基座板72去除，因此可維持在管30與基座板72之間穩定之溫差。本實施例中，冷卻構件73可包括冷水可流動之管路。
由於高熱傳導性，基座板72之熱膨脹係數可高於包括陶瓷材料之本體10。
因此，緩衝器75可在基座板72與本體10之管30之間吸收基座板72之熱膨脹。緩衝器75之熱膨脹係數可較 基座板72低且較本體10之管30高。
例如，緩衝器75可包括金屬，例如Kovar(美國Carpenter Technology Corporations公司製造之鎳鈷鐵合金之商標)、殷鋼(Invar，FeNi36，美國Imphy Alloys Inc.公司製造之鎳鋼合金之商標)、鎢(W)與鉬(Mo)，或非金屬，例如碳化矽(SiC)。
因此，插入於基座板72與本體10之管30之間之緩衝器75可具有低於基座板72之熱傳導性，因而基座板72之熱膨脹可由緩衝器75限制。因此，由基座板72之熱膨脹而造成之本體10損傷可由緩衝器75有效防止。
本實施例中，當製程在不高於400℃之溫度下對本體10之板20上之基底W進行時，可非永久性防止由基座板72之熱膨脹造成之本體損傷。
因此，可有效減少線路32之電性短路與本體10之損傷，因而減少台座100之破壞，且增進對台座100上基底W進行之製程效率。
第一通孔76可穿過緩衝器75而形成，且第二通孔74可穿過基座板72而形成。管30之內部可經由第一與第二通孔76與74露出，因而管30中之線路32可經由第一與第二通孔76與74延伸出管30。
第一絕緣區段50也可在本體中與線路32一體經由第一與第二通孔76與74延伸出管30。
另外，第一絕緣區段50可只位於管30內，以實行第一絕緣區段50與管30之結合，且可更在第一與第二通孔76與74內提供第二絕緣區段60。第二絕緣區段60可插 入至第一與第二通孔76與74且連接於第一絕緣區段50。
第一與第二絕緣區段50與60可如下所述彼此連接。第一絕緣區段50可插入本體10之管30中，然後包括基座板72之基座70與緩衝器75可組合至本體10之管30。然後，第二絕緣區段60可插入第一與第二通孔76與74且連接於第一絕緣區段50。
因此，台座100可包括第一與第二絕緣區段50與60以電性絕緣線路32，因此基座70與管30可不管線路32而彼此結合。
在一實施例中，台座100可更包括一保護塊80，包覆管30且安裝於基座70。保護塊80可面對板20之下表面，且覆蓋基座70之基座板72。因此，基座70之基座板72，包括金屬，可防止由處理基底W之處理氣體而損傷。
在保護塊80與板20之間可提供間隙G，因此可防止從板20中之第二電極24產生之熱傳導至保護塊80。
因此，從第二電極24產生之熱可傳導至板20之上部而非板20之下部，因而板20上之基底W可均勻加熱。特別是，基底W上之沉積與基底W上薄層之蝕刻可由保護塊80與本體10之板20之間之間隙G而在台座100上更均勻進行，因而增進沉積與蝕刻製程之製程品質。
例如，間隙G可定義為板20與保護塊80之間之最小間隙，以防止電漿從沉積與蝕刻製程之處理室中之處理氣體產生。
當板20與保護塊80之間之間隙距離小於0.05公釐時，板20可能太接近於保護塊80而使第二電極24產生 之熱可傳導至保護塊80。相反地，當板20與保護塊50之間之間隙距離大於約7公釐時，處理室中之處理氣體可能容易轉換成電漿。因此，板20與保護塊80之間之間隙距離板20可在約0.05公釐至約7公釐之範圍，且特別在約0.1公釐至約5公釐之範圍。亦即，間隙G可係約0.05公釐至約7公釐之範圍。
本實施例中，保護塊80可包括相對於管30彼此對稱之第一塊82以及第二塊84。特別是，第一塊82與第二塊84可位於管30之周圍，以管30被第一塊82與第二塊84圍繞之方式配置。第一塊82與第二塊84可由負載向下安裝於基座70。
又，保護塊80分成第一塊82與第二塊84可實行台座100之維護。做為本實施例之修正，突起與對應於突起之凹槽可插入於第一塊82與第二塊84以及基座70之間，因而可有效防止保護塊80與基座70之間之相對移動。當保護塊80之尺寸根據處理條件與需求變大時，保護塊80可分成多個部分，如熟習此技藝人士所知。
在一實施例中，第一與第二密封單元90與95可位於第一與第二通孔76與74周圍，因而當沉積製程與蝕刻製程在處理室中進行時，可維持包括台座100之處理室中真空狀態。
第一密封單元90可插入於管30之端部與緩衝器75之間，且第二密封單元95可插入於基座板72與緩衝器75之間。
第一與第二密封單元90與95可包括高抗熱與高抗蝕 材料，例如矽(Si)、Viton(美國DuPont公司製造之合成橡膠與氟聚合高彈體之商標)以及氟(F)。因此，第一與第二密封單元90與95可有效抵抗包括台座100之處理室在高溫之電漿製程條件。然而，第一與第二密封單元90與95也可根據包括台座100之處理室中之製程條件包括習知合成橡膠，如熟習此技藝人士所知。
特別是，第一與第二密封單元90與95可由基座板72中之冷卻構件73冷卻，因而即使在包括台座100之處理室之高溫狀況，也可由冷卻構件73防止密封單元90與95之熱損壞。
在一實施例中，第一與第二接合構件96與97可更提供至台座100，因而管30與緩衝器75由第一接合構件96彼此固定，且緩衝器75與基座板72由第二接合構件97彼此固定。螺栓可用以做為第一與第二接合構件96與97。
緩衝器75可在管30與基座板72之間熱膨脹，因此緩衝器75可能需要由第一與第二接合構件96與97取代接著劑而固定於管30與基座板72。
當緩衝器75由接著劑固定於管30與基座板72時，由接著劑造成之雜質可能由於緩衝器、管30與基座板72之相對移動而從台座100產生。因此，緩衝器75與管30及/或基座板72使用第一與第二接合構件96與97取代接著劑之結合可有效防止台座100中由雜質造成之污染。
第5圖係根據本發明之實施例之處理基底之裝置之結構之剖面圖。
第5圖中，處理裝置1000中之台座100可具有實質 上與第1圖至第4圖所述之台座100相同之結構。因此，第5圖中，相同之標號標示第1圖至第4圖中之相同元件，且省略相同元件之詳細說明。
請參見第5圖，根據本發明一實施例之處理裝置1000可包括處理室200、氣體供應器300以及台座100。
在一實施例中，處理室200可提供一內部空間，其中薄層可在基底W上由沉積製程形成，且基底W上之薄層可由蝕刻製程去除。處理室200之內部壓力可維持在低壓，例如真空狀態，以增進沉積製程或蝕刻製程之效率。
在一實施例中，氣體供應器300可連接至處理室200。用以處理基底W之處理氣體可由氣體供應器300從外部儲存槽(未圖示)供應至處理室200。台座可位於該處理室內，支撐該基底。氣體供應器300可位於處理室200之上部。
例如，處理氣體可包括用於沉積製程之來源氣體、從來源氣體產生電漿之鈍氣、以及用於蝕刻製程之蝕刻氣體。特別是，當氣體供應器300放置於處理室200之上部時，高頻電力可施加於氣體供應器300以產生電漿。
台座100可位於處理室200內部。例如，當氣體供應器300放置於處理室200之上部時，台座100可放置於處理室200之較下部以面對氣體供應器300。基底W可放置於台座100上，且在進行沉積製程或蝕刻製程時，處理氣體可在處理室200中向下移動。
在一實施例中，台座100可包括具有板20以及管30之本體10、第一絕緣區段50以及基座70。本體板20可 包括電極構件22，且基底W可放置於板20上，管30可由板20之底部突出。電性連接於電極構件22之線路可經由管30延伸。第一絕緣區段50可插入管30中，電性絕緣管30中相鄰之線路。基座70可放置於處理室200之底部，且本體10可安裝於基座70。
例如，線路32可經由基座70延伸出處理室200。另外，線路32也可只延伸至處理室200之底部，且可提供一附加之連接器(未圖示)至處理室200以電性連接線路32至外部電源(未圖示)。例如，附加之連接器可包括連接插頭，可插入至處理室200之底部。
基座70可安裝於處理室200之底部，且可包括基座板72，具有較本體10高之第一熱膨脹係數，以及緩衝器75，插入於基座板72與本體10之管30之間，且具有較基座板72之第一熱膨脹係數低之第二熱膨脹係數。亦即，緩衝器75可較基座板72因熱而膨脹較少。因此，基座板72之熱膨脹可由緩衝器75吸收而不會對本體10直接影響。因此，可有效防止本體10因基座板72之熱膨脹而損傷。
包覆本體10之管30之保護塊80可安裝於基座70上，且可面對本體10之板20之底面。因此，包括金屬之基座70可由保護塊覆蓋而隔絕於處理室200中之處理氣體。
在一實施例中，第一、第二與第三密封單元90、95與96可安裝至台座100，因而即使線路32從電極構件22延伸至處理室200外部，也不會破壞處理室200之真空狀 態。
第一密封單元90可插入於管30之端部與緩衝器75之間，且第二密封單元95可插入於基座板72與緩衝器75之間。第三密封單元96可插入於基座板72與處理室200之底面之間。
台座100上之基底W可包括矽基底，例如用以製造半導體裝置之晶圓，以及用於例如液晶顯示裝置(LCD)之平面顯示裝置之玻璃基底。特別是，玻璃基底可包括形成複數薄膜電晶體(TFT)之TFT基底以及形成彩色濾波器之彩色濾波器基底。
根據本發明之實施例，可防止管中線路之電性短路，且即使基座之基座板熱膨脹，也可防止台座之本體之管損壞。
綜上所述，雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧台座單元
10‧‧‧本體
20‧‧‧板
22‧‧‧電極構件
23‧‧‧第一電極
24‧‧‧第二電極
30‧‧‧管
32‧‧‧線路
50‧‧‧第一絕緣區段
52‧‧‧第一孔
54‧‧‧填充構件
55‧‧‧突出部
60‧‧‧第二絕緣區段
70‧‧‧基座
72‧‧‧基座板
73‧‧‧冷卻構件
74‧‧‧第二通孔
75‧‧‧緩衝器
76‧‧‧第一通孔
80‧‧‧保護塊
82‧‧‧第一塊
84‧‧‧第二塊
90‧‧‧第一密封單元
95‧‧‧第二密封單元
96‧‧‧第一接合構件
97‧‧‧第二接合構件
1000‧‧‧處理裝置
200‧‧‧處理室
300‧‧‧氣體供應器
W‧‧‧基底
G‧‧‧間隙
第1圖係根據本發明之實施例之用於處理裝置之台座單元之剖面圖。
第2圖係第1圖中台座單元之分解圖。
第3圖係第1圖中沿I-I’線之剖面圖。
第4圖係第1圖中A部分之部分放大剖面圖。
第5圖係根據本發明之實施例之處理基底之裝置之結構之剖面圖。
100‧‧‧台座單元
10‧‧‧本體
20‧‧‧板
22‧‧‧電極構件
23‧‧‧第一電極
24‧‧‧第二電極
30‧‧‧管
32‧‧‧線路
50‧‧‧第一絕緣區段
52‧‧‧第一孔
54‧‧‧填充構件
60‧‧‧第二絕緣區段
70‧‧‧基座
72‧‧‧基座板
73‧‧‧冷卻構件
74‧‧‧第二通孔
75‧‧‧緩衝器
76‧‧‧第一通孔
80‧‧‧保護塊
82‧‧‧第一塊
84‧‧‧第二塊
90‧‧‧第一密封單元
95‧‧‧第二密封單元
96‧‧‧第一接合構件
97‧‧‧第二接合構件
W‧‧‧基底
G‧‧‧間隙

Claims (13)

  1. 一種台座，用以支撐一基底，包括：一本體，用以放置該基底，該本體包括一板，具有一電極構件，以及一管，由該板之底面突出，且一線路從該電極構件經由該管延伸；一第一絕緣區段，插入該管中，且具有複數第一孔，分別用以供該線路插入；一填充構件，插入於該管之內壁與該第一絕緣區段之間，使得該管與該第一絕緣區段之間的間隙距離沿該管之該內壁均勻；以及一基座，該基座包括一基座板，用以安裝該本體，以及一緩衝器，插入於該基座板與該本體之該管之間，該緩衝器具有較該本體之該管高且較該基座板低之熱膨脹係數；其中該填充構件包括一突出部，接觸於該第一絕緣區段。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之台座，其中該第一絕緣區段穿過該緩衝器以及該基座之該基座板，使得該第一絕緣區段延伸至該台座之外部。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之台座，其中該緩衝器包括一第一通孔，連接於該管，且該基座板包括一第二通孔，連接於該第一通孔與該管，且更包括一第二絕緣區段，經由該第一通孔與該第二通孔結合於該第一絕緣區段，該第二絕緣區段包括複數第二孔，供該等線路分別插入。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之台座，更包括一保護塊，插入於該板與該基座板之間且包覆該本體之該管，使得該基座板被該保護塊覆蓋且隔絕於處理該基底之處理氣體。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之台座，其中該保護塊係與具有一加熱電極之該板分離，因而防止熱從該板傳導至該保護塊。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之台座，其中該保護塊與該板之間隙距離係在約0.05公釐至約7公釐之範圍。
  7. 如申請專利範圍第4項所述之台座，其中該保護塊係分成至少兩部分。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之台座，更包括一第一密封單元，插入於該管與該緩衝器之間，以及一第二密封單元，插入於該基座板與該緩衝器之間，使得該管之內部由該第一密封單元與該第二密封單元與外部密封。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之台座，更包括一第一接合構件，用以結合該管與該緩衝器，以及一第二接合構件，用以結合該緩衝器與該基座板。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之台座，其中該板之該電極構件包括一加熱電極，用以產生熱。
  11. 一種處理基底之裝置，包括：一處理室，具有一空間，供該基底進行處理；一氣體供應器，連接至該處理室，且將用以處理該基底之處理氣體供應至該處理室；以及一台座，位於該處理室內，支撐該基底； 其中該台座包括：一本體，用以放置該基底，該本體包括一板，具有一電極構件，以及一管，由該板之底面突出，且線路從該電極構件經由該管延伸；一第一絕緣區段，插入該管中，且具有複數第一孔，分別用以供該線路插入；一填充構件，插入於該管之內壁與該第一絕緣區段之間，使得該管與該第一絕緣區段之間的間隙距離沿該管之該內壁均勻；及一基座，該基座包括一基座板，用以安裝該本體，以及一緩衝器，插入於該基座板與該本體之該管之間，該緩衝器具有較該本體之該管高且較該基座板低之熱膨脹係數；其中該填充構件包括一突出部，接觸於該第一絕緣區段。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之裝置，其中該台座更包括一保護塊，插入於該板與該基座板之間且包覆該本體之該管，使得該基座板被該保護塊覆蓋且隔絕於處理該基底之處理氣體。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之裝置，其中該板之該電極構件包括一加熱電極，用以產生熱。
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