KR20180001452A - 베이스 플레이트 구조체 및 그 제조방법, 기판 고정 장치 - Google Patents

베이스 플레이트 구조체 및 그 제조방법, 기판 고정 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 알루미늄제 베이스 플레이트에 신뢰성 높은 수로를 형성한 기판 고정 장치를 제공한다.
본 발명의 기판 고정 장치는, 흡착 대상물을 흡착 유지하는 정전 척과 상기 정전 척을 탑재하는 베이스 플레이트를 구비한 기판 고정 장치로서, 알루미늄제 베이스 플레이트와, 상기 베이스 플레이트에 설치되며 알루미늄보다 내식성이 높은 금속제의 수로 형성부와, 상기 수로 형성부에 설치되며 상기 수로 형성부가 벽면을 구성하는 수로를 포함하고, 상기 베이스 플레이트와 상기 수로 형성부가 직접 접합되어 있다.

Description

베이스 플레이트 구조체 및 그 제조방법, 기판 고정 장치{BASE PLATE STRUCTURE, METHOD OF MANUFACTURING THEREOF, AND SUBSTRATE FIXING DEVICE}
본 발명은 베이스 플레이트 구조체 및 그 제조방법, 기판 고정 장치에 관한 것이다.
종래에 IC, LSI 등 반도체 장치를 제조할 때에 사용되는 성막 장치(예를 들어, CVD 장치, PVD 장치 등), 플라즈마 에칭 장치 등은, 웨이퍼를 진공 처리실 내에 높은 정밀도로 유지하기 위한 스테이지를 가진다. 이와 같은 스테이지로서, 예를 들어, 베이스 플레이트에 탑재된 정전 척에 의해 흡착 대상물인 웨이퍼를 흡착 유지하는 기판 고정 장치가 제안되어 있다.
기판 고정 장치를, 예를 들어, 반도체 드라이 에칭 공정에 사용하는 경우, 웨이퍼가 플라즈마에 의해 용이하게 가열되어 웨이퍼의 온도가 상승하여, 에칭 마스크의 포토 레지스트가 열 손상을 받거나 에칭 형상이 악화되거나 한다. 따라서, 에칭 중에는 웨이퍼를 소정 온도로 냉각할 필요가 있어서, 예를 들어, 베이스 플레이트에 수로를 설치하여 온도 제어가 행해지고 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).
일본국 공개특허공보 특개2006-156691호
그러나, 알루미늄제 베이스 플레이트를 사용하는 경우, 알루미늄에 직접 수로를 형성하면, 알루미늄으로 형성된 수로의 벽면이 물에 의해 부식되는 문제점이 있다. 그 대책으로서, 예를 들어, 알루미늄으로 형성된 수로의 벽면에 대해 알마이트 처리하는 대책도 검토되어 있으나, 에지부에서 알마이트가 벗겨지는 등 신뢰성이 충분하지는 않다.
본 발명은, 상기 문제점을 고려하여 이루어진 것으로서, 알루미늄제 베이스 플레이트에 신뢰성 높은 수로를 형성한 기판 고정 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
본 기판 고정 장치는, 흡착 대상물을 흡착 유지하는 정전 척과 상기 정전 척을 탑재하는 베이스 플레이트를 구비한 기판 고정 장치로서, 알루미늄제 베이스 플레이트와, 상기 베이스 플레이트에 설치되며 알루미늄보다 내식성이 높은 금속제의 수로 형성부와, 상기 수로 형성부에 설치되며 상기 수로 형성부가 벽면을 구성하는 수로를 포함하고, 상기 베이스 플레이트와 상기 수로 형성부가 직접 접합되어 있는 것을 요건으로 한다.
개시된 기술에 의하면, 알루미늄제 베이스 플레이트에 신뢰성 높은 수로를 형성한 기판 고정 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 제1 실시형태에 따른 기판 고정 장치를 간략화하여 예시하는 단면도이다.
도 2는 제1 실시형태에 따른 베이스 플레이트의 조립 전 사시도이다.
도 3은 제2 실시형태에 따른 기판 고정 장치를 간략화하여 예시하는 단면도이다.
도 4는 제3 실시형태에 따른 기판 고정 장치를 간략화하여 예시하는 단면도이다.
이하에서, 도면을 참조하여 발명을 실시하기 위한 형태에 대해 설명한다. 한편, 각 도면에 있어서 동일한 구성 부분에는 동일한 부호를 붙이고, 중복되는 설명을 생략하는 경우가 있다.
<제1 실시형태>
도 1은 제1 실시형태에 따른 기판 고정 장치를 간략화하여 예시하는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 기판 고정 장치(1)는 주요한 구성 요소로서, 베이스 플레이트(10)와 정전 척(50)을 가진다. 한편, 도 1에서는, 기판 고정 장치(1)가 정전 척(50) 상에 흡착 대상물인 웨이퍼(100)를 흡착 유지하고 있는 상태를 나타내고 있다. 웨이퍼(100)의 직경은, 예를 들어, 8, 12, 또는 18인치 정도로 할 수 있다.
베이스 플레이트(10)는 정전 척(50)을 탑재하기 위한 부재이다. 베이스 플레이트(10)의 두께는, 예를 들어, 20~50㎜ 정도로 할 수 있다. 베이스 플레이트(10)는, 플라즈마를 제어하기 위한 전극 등으로서도 이용되므로, 알루미늄으로 형성되어 있다. 베이스 플레이트(10)에 소정의 고주파 전력을 공급하여 발생한 플라즈마 상태에 있는 이온 등을 웨이퍼(100)에 충돌시키기 위한 에너지를 제어하여, 에칭 처리를 효과적으로 실시할 수 있다.
베이스 플레이트(10)의 내부에는, 수로 형성부(20)가 설치되어 있다. 그리고, 수로 형성부(20)에는, 수로 형성부(20)가 벽면을 구성하는 수로(30)가 설치되어 있다. 즉, 수로(30) 안을 흐르는 냉각수가 수로 형성부(20) 이외의 부분(즉, 알루미늄)에 닿지 않는 구조로 되어 있다. 수로(30)는, 일단에 냉각수 도입부(30a)를 구비하고, 타단에 냉각수 배출부(30b)를 구비하고 있다. 수로 형성부(20)의 두께(벽면의 두께)는, 예를 들어, 1~3㎜ 정도로 할 수 있다. 수로(30)의 폭은, 예를 들어, 5~15㎜ 정도로 할 수 있다.
수로 형성부(20)는 알루미늄제 베이스 플레이트(10)보다 내식성이 높은 금속으로 형성되어 있다. 수로 형성부(20)는, 예를 들어, 스테인레스, 구리, 티탄 등으로 형성할 수 있다. 한편, 베이스 플레이트(10)를 구성하는 알루미늄과, 수로 형성부(20)를 구성하는 스테인레스 등의 금속은, 납땜재 등을 개재하지 않고 직접 접합되어 있다.
수로(30)는, 기판 고정 장치(1)의 외부에 설치된 냉각수 제어 장치(미도시)에 연결되어 있다. 냉각수 제어 장치(미도시)는, 냉각수 도입부(30a)로부터 수로(30)에 냉각수를 도입하고, 냉각수 배출부(30b)로부터 냉각수를 배출한다. 수로(30)에 냉각수를 순환시켜 베이스 플레이트(10)를 냉각시킴으로써, 정전 척(50)을 사이에 두고 웨이퍼(100)를 냉각할 수 있다.
베이스 플레이트(10)에는, 수로(30) 외에도, 웨이퍼(100)를 냉각하는 불활성 가스를 도입하는 가스 통로, 웨이퍼(100)를 가열하는 발열체 등을 설치할 수도 있는데, 이들을 설치함으로써 정전 척(50)을 사이에 두고 웨이퍼(100)의 온도를 제어할 수 있다.
한편, 베이스 플레이트(10)와, 베이스 플레이트(10)에 설치된 수로 형성부(20)와, 수로 형성부(20)에 설치된 수로(30)를 포함하는 부분을, 베이스 플레이트 구조체라고 하는 경우가 있다.
정전 척(50)은, 베이스 플레이트(10)의 상면 중앙부에, 열전도율이 좋은 실리콘 등으로 이루어지는 접착층(40)을 사이에 두고 고정되어 있다. 정전 척(50)은 기체(基體,51)와 정전 전극(52)을 가지고 있다. 정전 척(50)은, 예를 들어, 존슨-라벡 타입 정전 척이다. 다만, 정전 척(50)은 쿨롱 타입 정전 척일 수도 있다.
기체(51)는 유전체인데, 기체(51)로는, 예를 들어, 산화 알루미늄(Al2O3), 질화 알루미늄(AlN) 등 세라믹을 이용할 수 있다. 기체(51)의 두께는, 예를 들어, 1~10㎜ 정도, 기체(51)의 비유전율(1kHz)은, 예를 들어, 9~10 정도로 할 수 있다.
정전 전극(52)은 박막 전극이며 기체(51)에 내장되어 있다. 정전 전극(52)은, 기판 고정 장치(1)의 외부에 설치된 직류 전원(200)에 연결되어 소정 전압이 인가되면, 웨이퍼(100)와의 사이에 정전기에 의한 흡착력이 발생하여 정전 척(50) 상에 웨이퍼(100)를 흡착 유지할 수 있다. 흡착 유지력은, 정전 전극(52)에 인가되는 전압이 높을수록 강해진다. 정전 전극(52)은, 단극 형상일 수도 있고 쌍극 형상일 수도 있다. 정전 전극(52)의 재료로는, 예를 들어, 텅스텐, 몰리브덴 등을 사용할 수 있다.
포커스 링(60)은, 베이스 플레이트(10) 상면의 주변부에, 정전 척(50)을 둘러싸도록 설치되어 있다. 포커스 링(60)은, 베이스 플레이트(10) 상면의 알루미늄이 플라즈마에 노출되지 않도록 보호하는 것인데, 예를 들어, 유리, 세라믹 등으로 형성할 수 있다.
도 2는 제1 실시형태에 따른 베이스 플레이트의 조립 전 사시도인데, 베이스 플레이트(10)에 수로 형성부(20)를 접합하기 전의 상태를 나타낸다. 다만, 도 2의 각 부재는, 도 1의 베이스 플레이트(10)와는 상하가 반전된 상태로 나타내어져 있다.
베이스 플레이트(10)는, 제1 부재(101)와 제2 부재(102)가 수로 형성부(20)를 사이에 끼고 접합된 것이다.
제1 부재(101)는, 원반 형상의 부재이며, 냉각수 도입부(30a)에 대응하는 부분에 위치하는 관통 구멍(10x)과, 냉각수 배출부(30b)에 대응하는 부분에 위치하는 관통 구멍(10y)이 형성되어 있다. 제1 부재(101)는, 예를 들어, NC 가공(Numerical Control machining)에 의해 제작할 수 있다.
제2 부재(102)는, 제1 부재(101)보다 판두께가 두껍고 제1 부재(101)와 대략 동일한 직경을 갖는 원반 형상 부재이며, 수로 형성부(20)를 매설하기 위한 꾸불꾸불하며 바닥 있는 홈(10z)이, 수로 형성부(20)의 형상에 맞추어 구비되어 있다. 제2 부재(102)는, 예를 들어, NC 가공에 의해 제작할 수 있다.
베이스 플레이트(10)는, 예를 들어, HIP(Hot Isostatic Pressing: 열간 등방압 가압 가공)법 등 확산 접합에 의해 제작할 수 있다. 한편, 확산 접합이란, 모재(母材)를 밀착시키고, 모재를 융점 이하의 온도 조건에서 가능한한 소성 변형이 일어나지 않을 정도로 가압하여, 접합면 사이에 발생하는 원자의 확산을 이용하여 접합하는 방법이다.
HIP법에 의해 베이스 플레이트(10)를 제작하려면, 먼저 제2 부재(102)의 홈(10z) 안에 수로 형성부(20)를 매설한다. 그리고, 제2 부재(102) 상에 제1 부재(101)를 겹쳐 맞추고, 진공에서 가열 및 가압하여 접합한다. 이 때, 압력은 상하 방향 뿐 아니라 다방향에서 인가할 필요가 있다(전체 방향에 있어 대략 균등한 압력으로 할 필요가 있다).
예를 들어, 제1 부재(101) 및 제2 부재(102)로서 알루미늄(A6061)을 사용하고, 수로 형성부(20)로서 스테인레스(SUS316L)를 사용하는 경우에는, 가열 온도를 400~550℃ 정도로, 압력을 0.5~1.0t/cm2으로 할 수 있다.
HIP법에 의해 접합된 제1 부재(101)와 제2 부재(102)는, 계면이 없는 상태(즉, 틈이 전혀 없는 상태)에서 일체화되어 직접 접합된다. 마찬가지로, 제1 부재(101) 및 제2 부재(102)와 수로 형성부(20)는, 계면이 없는 상태(즉, 틈이 전혀 없는 상태)에서 일체화되어, 베이스 플레이트(10)와 수로 형성부(20)의 외벽이 직접 접합된다.
베이스 플레이트(10)와 수로 형성부(20)의 접합부에 계면이 형성되지 않는 이유는, HIP법에서는, 베이스 플레이트(10)를 구성하는 알루미늄과 수로 형성부(20)를 구성하는 금속이 양자의 접합부에서 상호 확산되어 원자 레벨에서 접합되기 때문이다.
또한, 수로(30)를 구비한 수로 형성부(20)를 형성하려면, 예를 들어, 도 2의 수로 형성부(20)를 상하 방향으로 2분하는 부재를 NC 가공 등에 의해 제작하고, 2분된 부재 끼리를 상기와 마찬가지로 HIP법에 의해 직접 접합하면 된다. 이로써, 내부에 수로(30)를 구비하며 계면이 없는 수로 형성부(20)를 형성할 수 있다. 다만, 수로(30)를 구비한 수로 형성부(20)를 형성하는 방법은, HIP법 등 확산 접합에 한정되는 것은 아니다.
이와 같이, 제1 실시형태에 따른 기판 고정 장치(1)에서는, 알루미늄제 베이스 플레이트(10)에 직접 수로를 형성하는 것이 아니고, 베이스 플레이트(10)의 내부에 수로 형성부(20)를 설치하고, 수로 형성부(20)에 수로(30)를 형성하고 있다. 이 때, 수로 형성부(20)의 재료로서 알루미늄보다 내식성이 높은 금속을 선택하여, 베이스 플레이트(10)와 수로 형성부(20)를 확산 접합에 의해 직접 접합한다.
이로써, 베이스 플레이트(10)와, 수로(30)를 갖는 수로 형성부(20)가 계면 없는 상태에서 일체화되므로, 알루미늄제 베이스 플레이트(10)에 신뢰성 높은 수로(30)를 형성할 수 있다.
또한, 알루미늄보다 내식성이 높은 금속으로 이루어지는 수로 형성부(20)가 수로(30)의 벽면을 구성하므로, 수로(30) 안을 흐르는 냉각수가 수로 형성부(20) 이외의 부분(즉, 알루미늄)에 닿지 않는 구조로 된다. 그 결과, 냉각수에 의한 알루미늄의 부식을 방지하는 것이 가능하다.
<제2 실시형태>
제2 실시형태에서는 제1 실시형태와는 구조가 다른 기판 고정 장치의 예를 나타낸다. 한편, 제2 실시형태에 있어서, 이미 설명한 실시형태와 동일한 구성부에 대한 설명은 생략하는 경우가 있다.
도 3은 제2 실시형태에 따른 기판 고정 장치를 간략화하여 예시하는 단면도이다. 도 3을 참조하면, 기판 고정 장치(2)는, 베이스 플레이트(10) 및 수로 형성부(20)가 베이스 플레이트(10A) 및 수로 형성부(20A)로 치환된 점이 기판 고정 장치(1, 도1 참조)와 다르다.
기판 고정 장치(2)에 있어서, 베이스 플레이트(10A)의 내부에는 수로 형성부(20A)가 설치되어 있다. 보다 바람직하게는, 베이스 플레이트(10A)는, 하측으로 개구되어 있는 원통 형상의 개구부를 구비하고, 베이스 플레이트(10A)의 개구부 안에는 원반 형상의 수로 형성부(20A)가 매설되어 있다. 또한, 수로 형성부(20A)에는, 수로 형성부(20A)가 벽면을 구성하는 수로(30)가 설치되어 있다. 즉, 수로(30) 안을 흐르는 냉각수가 수로 형성부(20A) 이외의 부분(즉, 알루미늄)에 닿지 않는 구조로 되어 있다.
수로 형성부(20A)는, 알루미늄으로 이루어지는 베이스 플레이트(10A)보다 내식성이 높은 금속으로 형성되어 있다. 수로 형성부(20A)는, 예를 들어, 스테인레스, 구리, 티탄 등으로 형성할 수 있다. 또한, 베이스 플레이트(10A)를 구성하는 알루미늄과 수로 형성부(20A)를 구성하는 스테인레스 등의 금속은, HIP법 등 확산 접합에 의해 직접 접합되어 있다.
한편, 베이스 플레이트(10)와 마찬가지로, 베이스 플레이트(10A)에도 고주파 전력을 급전하기 위해 정전 척(50) 쪽에 알루미늄 영역이 필요하다. 그러므로, 베이스 플레이트(10A) 자체를 스테인레스 등의 금속으로 형성할 수는 없다.
이와 같이, 기판 고정 장치(2)에서는, 기판 고정 장치(1)와 마찬가지로, 베이스 플레이트(10A)와, 수로(30)를 갖는 수로 형성부(20A)가 계면 없는 상태에서 일체화되므로, 알루미늄제 베이스 플레이트(10A)에 신뢰성 높은 수로(30)를 형성할 수 있다.
또한, 알루미늄보다 내식성이 높은 금속으로 이루어지는 수로 형성부(20A)가 수로(30)의 벽면을 구성하므로, 수로(30) 안을 흐르는 냉각수가 수로 형성부(20A) 이외의 부분(즉, 알루미늄)에 닿지 않는 구조로 된다. 그 결과, 냉각수에 의한 알루미늄의 부식을 방지하는 것이 가능하다.
한편, 베이스 플레이트(10A)와, 베이스 플레이트(10A)에 구비된 수로 형성부(20A)와, 수로 형성부(20A)에 구비된 수로(30)를 포함하는 부분을 베이스 플레이트 구조체라고 하는 경우가 있다.
<제3 실시형태>
제3 실시형태에서는 제1 실시형태와는 구조가 다른 기판 고정 장치의 다른 예를 나타낸다. 한편, 제3 실시형태에 있어서, 이미 설명한 실시형태와 동일한 구성부에 대한 설명은 생략하는 경우가 있다.
도 4는 제3 실시형태에 따른 기판 고정 장치를 간략화하여 예시하는 단면도이다. 도 4를 참조하면, 기판 고정 장치(3)는, 베이스 플레이트(10) 및 수로 형성부(20)가 베이스 플레이트(10B) 및 수로 형성부(20B)로 치환된 점이 기판 고정 장치(1, 도1 참조)와 다르다.
기판 고정 장치(3)에 있어서, 베이스 플레이트(10B)의 외부에는 수로 형성부(20B)가 설치되어 있다. 보다 상세하게는, 베이스 플레이트(10B)는 원반 형상으로 형성되며, 원반 형상의 베이스 플레이트(10B)의 하측에, 베이스 플레이트(10B)와 대략 동일한 직경을 갖는 원반 형상의 수로 형성부(20B)가 설치되어 있다. 또한, 수로 형성부(20B)에는, 수로 형성부(20B)가 벽면을 구성하는 수로(30)가 설치되어 있다. 즉, 수로(30) 안을 흐르는 냉각수가 수로 형성부(20B) 이외의 부분(즉, 알루미늄)에 닿지 않는 구조로 되어 있다.
수로 형성부(20B)는, 알루미늄으로 이루어지는 베이스 플레이트(10B)보다 내식성이 높은 금속으로 형성되어 있다. 수로 형성부(20B)는, 예를 들어, 스테인레스, 구리, 티탄 등으로 형성할 수 있다. 또한, 베이스 플레이트(10B)를 구성하는 알루미늄과 수로 형성부(20B)를 구성하는 스테인레스 등의 금속은, HIP법 등 확산 접합에 의해 직접 접합되어 있다.
한편, 베이스 플레이트(10)와 마찬가지로, 베이스 플레이트(10B)에도 고주파 전력을 급전하기 위해 정전 척(50) 쪽에 알루미늄 영역이 필요하다. 그러므로, 베이스 플레이트(10B) 자체를 스테인레스 등의 금속으로 형성할 수는 없다.
이와 같이, 기판 고정 장치(3)에서는, 기판 고정 장치(1)와 마찬가지로, 베이스 플레이트(10B)와, 수로(30)를 갖는 수로 형성부(20B)가 계면 없는 상태에서 일체화되므로, 알루미늄제 베이스 플레이트(10B)에 신뢰성 높은 수로(30)를 형성할 수 있다.
또한, 알루미늄보다 내식성이 높은 금속으로 이루어지는 수로 형성부(20B)가 수로(30)의 벽면을 구성하므로, 수로(30) 안을 흐르는 냉각수가 수로 형성부(20B) 이외의 부분(즉, 알루미늄)에 닿지 않는 구조로 된다. 그 결과, 냉각수에 의한 알루미늄의 부식을 방지하는 것이 가능하다.
한편, 베이스 플레이트(10B)와, 베이스 플레이트(10B)에 구비된 수로 형성부(20B)와, 수로 형성부(20B)에 구비된 수로(30)를 포함하는 부분을 베이스 플레이트 구조체라고 하는 경우가 있다.
이상, 바람직한 실시 형태 등에 대해 설명하였으나, 전술한 실시 형태 등에 제한되는 것은 아니며, 특허청구범위에 기재된 범위를 일탈하지 않으면서 전술한 실시 형태 등에 다양한 변형 및 치환을 가할 수 있다.
본원은 일본 특허청에 2016년 6월 27일에 출원된 기초 출원 2016-126895호의 우선권을 주장하는 것이며, 그 전체 내용을 참조로써 여기에 원용한다.
1,2,3 기판 고정 장치
10,10A,10B 베이스 플레이트
101 제1 부재
102 제2 부재
10x,10y 관통 구멍
10z 홈
20,20A,20B 수로 형성부
30 수로
30a 냉각수 도입부
30b 냉각수 배출부
40 접착층
50 정전 척
51 기체
52 정전 전극

Claims (12)

  1. 흡착 대상물을 흡착 유지하는 정전 척과 상기 정전 척을 탑재하는 베이스 플레이트를 구비한 기판 고정 장치로서,
    알루미늄제 베이스 플레이트와,
    상기 베이스 플레이트에 설치되며 알루미늄보다 내식성이 높은 금속제의 수로 형성부와,
    상기 수로 형성부에 설치되며 상기 수로 형성부가 벽면을 구성하는 수로를 포함하고,
    상기 베이스 플레이트와 상기 수로 형성부가 직접 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 고정 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 베이스 플레이트와 상기 수로 형성부의 접합부에서, 상기 베이스 플레이트를 구성하는 알루미늄과 상기 수로 형성부를 구성하는 금속이 상호 확산되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 고정 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 수로 형성부는 상기 베이스 플레이트에 설치된 꾸불꾸불한 홈에 매설되어 있고,
    상기 베이스 플레이트와 상기 수로 형성부의 외벽이 직접 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 고정 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 수로 형성부를 구성하는 금속은 스테인레스, 구리 또는 티탄인 것을 특징으로 하는 기판 고정 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 수로 형성부를 구성하는 금속은 스테인레스, 구리 또는 티탄인 것을 특징으로 하는 기판 고정 장치.
  6. 흡착 대상물을 흡착 유지하는 정전 척과 상기 정전 척을 탑재하는 베이스 플레이트를 구비한 기판 고정 장치에 사용하는 베이스 플레이트 구조체로서,
    알루미늄제 베이스 플레이트와,
    상기 베이스 플레이트에 설치되며 알루미늄보다 내식성이 높은 금속제의 수로 형성부와,
    상기 수로 형성부에 설치되며 상기 수로 형성부가 벽면을 구성하는 수로를 포함하고,
    상기 베이스 플레이트와 상기 수로 형성부가 직접 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 베이스 플레이트 구조체.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 베이스 플레이트와 상기 수로 형성부의 접합부에서, 상기 베이스 플레이트를 구성하는 알루미늄과 상기 수로 형성부를 구성하는 금속이 상호 확산되어 있는 것을 특징으로 하는 베이스 플레이트 구조체.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서,
    상기 수로 형성부는 상기 베이스 플레이트에 설치된 꾸불꾸불한 홈에 매설되어 있고,
    상기 베이스 플레이트와 상기 수로 형성부의 외벽이 직접 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 베이스 플레이트 구조체.
  9. 제6항 또는 제7항에 있어서,
    상기 수로 형성부를 구성하는 금속은 스테인레스, 구리 또는 티탄인 것을 특징으로 하는 베이스 플레이트 구조체.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 수로 형성부를 구성하는 금속은 스테인레스, 구리 또는 티탄인 것을 특징으로 하는 베이스 플레이트 구조체.
  11. 흡착 대상물을 흡착 유지하는 정전 척과 상기 정전 척을 탑재하는 베이스 플레이트를 구비한 기판 고정 장치에 사용하는 베이스 플레이트 구조체의 제조방법으로서,
    알루미늄보다 내식성이 높은 금속제의 수로 형성부에, 상기 수로 형성부가 벽면을 구성하는 수로를 형성하는 공정과,
    알루미늄제 베이스 플레이트에, 상기 수로 형성부를 확산 접합에 의해 직접 접합하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 베이스 플레이트 구조체 제조방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 수로 형성부를 구성하는 금속은 스테인레스, 구리 또는 티탄인 것을 특징으로 하는 베이스 플레이트 구조체 제조방법.
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