TWI412819B - 電容式觸控面板 - Google Patents

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電容式觸控面板
本發明係有關觸控面板，特別是關於一種具高產能、高觸控靈敏度之電容式觸控面板結構。
觸控面板(touch panel)逐漸普遍應用於電子裝置中，特別是可攜式或手持式電子裝置，例如個人數位助理(Personal Digital Assistant，PDA)或行動電話。觸控面板的觸控原理主要有電阻式、電容式及光學式。傳統電阻式觸控面板的結構主要包含兩層氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)薄膜，並以間隙子(spacer)隔離這兩層ITO薄膜。當手指按壓造成ITO薄膜的形變時，使得兩層ITO薄膜於觸碰點互相接觸。藉由偵測觸碰點的電壓值改變，因而得以定位出觸碰點。由於電阻式觸控面板需藉由觸控面板的形變以達成定位，因此會造成接觸磨損及耐用度降低等缺點。
傳統電容式觸控面板主要包含二層ITO薄膜及一絕緣層所形成的電容結構。當手指觸碰到觸控面板時，會干擾二層ITO薄膜間的電場，因而改變電容結構之電容值。藉由驅動電路及讀取電路以偵測電容值的改變，因而得以定位出觸碰點。圖1A顯示一種傳統電容式觸控面板的圖案化(patterned)ITO薄膜，其中，上層ITO薄膜10A的菱形圖案與下層ITO薄膜10B的菱形圖案係互相交錯的。對於圖1A的觸控面板結構，必須對上、下層ITO薄膜10A、10B分別進行驅動才能得到觸碰點。然而，當有二觸碰點同時發生時，將無法確定所有觸碰點。圖1B顯示另一種傳統電容式觸控面板的圖案化ITO薄膜，其中，上層ITO薄膜12A的長形圖 案與下層ITO薄膜12B的長形圖案互相重疊處可定義出多個偵測區。藉由驅動其中一層ITO薄膜，可偵測得到一或多個觸碰點。
無論是圖1A或圖1B所示的傳統電容式觸控面板，其ITO薄膜的圖案化(patterning)主要係使用半導體製造技術，例如微影、曝光、蝕刻等技術。由於製程中必須繁複進行多次的步驟，因此，造成觸控面板良率的無法提升，也無法降低製造成本及製造時間。再者，受到製程解析度的限制，傳統觸控面板的觸控精確度也無法突破瓶頸。
鑑於此，近來因而有使用奈米碳管薄膜或稱為碳奈米管(carbon nanotube,CNT)薄膜以取代ITO薄膜的作法。CNT薄膜具電阻抗異向性(anisotropic impedance)，亦即，其在某一方向具最小的電阻抗，而在垂直的另一方向具最大的電阻抗。圖1C顯示使用CNT薄膜之電容式觸控面板，其主要包含上層CNT薄膜14A、下層CNT薄膜14B及其之間的絕緣層。其中，上層CNT薄膜14A的最小電阻抗方向係垂直於下層CNT薄膜14B的最小電阻抗方向。圖1C所示的CNT電容式觸控面板的產能(throughput)遠較圖1A、圖1B所示的ITO電容式觸控面板來得大，然而，當手指觸碰到觸控面板時，二層CNT薄膜14A、14B之間的電場卻不易受到干擾，造成電容值的變化不夠大，因而無法提升觸碰靈敏度(sensitivity)。
鑑於此，因而亟需提出一種新穎的電容式觸控面板，其不但能維持高產能，且具高觸控靈敏度。
鑑於上述先前技術中傳統觸控面板的諸多缺點，本發明實施 例的目的之一在於提出一種電容式觸控面板的結構，其使用電阻抗異向性之導電膜，例如奈米碳管(CNT)薄膜，用以提升觸控面板良率及觸控精確度，並降低製造成本及製造時間。再者，同時使用圖案化之導電膜，用以提高觸控靈敏度。
根據本發明實施例，電容式觸控面板包含具電阻抗異向性的第一導電膜、具複數導電結構的第二導電膜及位於第一導電膜和第二導電膜之間的絕緣層。其中，第二導電膜之導電結構的導電方向係垂直於第一導電膜之最小電阻抗方向。於一較佳實施例中，第一導電膜為奈米碳管(CNT)薄膜，而第二導電膜則具圖案化(patterned)之複數長形導電結構，其互為平行且互相分隔一預設距離。
圖2A顯示本發明第一實施例之電容式觸控面板的上視圖，其主要包含第一導電膜20及第二導電膜22，分解圖如圖2B所示。其中，第一導電膜20具電阻抗異向性(anisotropic impedance)。於圖2A中，第一導電膜20於縱軸方向具最小的電阻抗，而在橫軸方向具最大的電阻抗。在本實施例中，第一導電膜20為奈米碳管(CNT)薄膜，然而也可以使用其他具電阻抗異向性之材質。CNT薄膜的製造方法係首先長出奈米碳管，接著，以拉伸技術將一根根的奈米碳管逐一拉出。這些奈米碳管藉由凡得瓦力(van der Waals force)而得以前後端相連，形成定向、平行排列的導電結構。所形成的奈米碳管薄膜會在拉伸的方向具最小的電阻抗，而在垂直於拉伸方向具最大的電阻抗，因而形成電阻抗異向性。
第二導電膜22包含圖案化(patterned)之複數個導電結構， 例如長形導電結構，其大致上互為平行且互相分隔一預設距離。一般來說，第二導電膜22之導電結構的導電方向係垂直於第一導電膜20之最小電阻抗方向。在本實施例中，第二導電膜22為圖案化之氧化銦錫(ITO)薄膜，然而，也可以使用其他傳統導電材質或者使用圖案化之電阻抗異向性薄膜，例如CNT薄膜。在本實施例中，第二導電膜22的每一長形導電結構之寬度與相鄰長形導電結構之節距(pitch)比例大約為5%-50%，但不限定於此。例如，如果長形導電結構之節距為5mm，則長形導電結構之寬度大約為0.25-2.5mm。
圖2C顯示電容式觸控面板沿圖2A之剖面線2C/2C’的剖面圖。根據圖2C，第一導電膜20及第二導電膜22之間包含一絕緣層21，藉此，三者構成一電容結構，其電容值標示為Cm。通常，位於第一導電膜20的外側還包含有第一保護層23，而位於第二導電膜22的外側還包含有第二保護層24。上述絕緣層21、第一保護層23或第二保護層24可以選用傳統透明絕緣材質，例如聚乙烯(Polyethylene，PE)、聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)、聚對苯二甲酸二乙酯(Polyethylene Terephthalate，PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(PolyMethyl MethAcrylate，PMMA)或薄化之玻璃。此外，絕緣層21還可選用氧化物或紫外線硬化膠(UV膠)；第一保護層23、第二保護層24還可選用氧化物。上述絕緣層21、第一保護層23或第二保護層24可以用光學膠作貼合，例如OCA(Optical Clear Adhesive)光學膠。
上述圖2C所示之觸控面板結構，其製造方法可使用雙邊製程技術，也可使用單邊製程技術，或者其他可行之適當製程技術。以雙邊製程技術為例，係以絕緣層21作為製程的基板，於基板21 的兩側分別形成第一導電膜20及第二導電膜22；最後，再分別於第一導電膜20及第二導電膜22的外側分別形成第一保護層23及第二保護層24。以單邊製程技術為例，係以第一保護層23作為製程的基板，於基板23上依序形成第一導電膜20、絕緣層21、第二導電膜22及第二保護層24。圖3顯示另一種觸控面板的單邊製程。首先，以第二保護層24作為基板，於基板24上形成第二導電膜22。接著，依序覆蓋絕緣層21及第一導電膜20。最後，於第一導電膜20上形成第一保護層23。
根據圖2C所示之電容結構，當手指觸碰到觸控面板，亦即，碰觸於第二導電膜22的上方時，會干擾第一導電膜20和第二導電膜22間的電場，因而改變電容結構之電容值Cm。由於第二導電膜22的複數個長形導電結構之間具有間隔空隙，使得電場干擾的程度增大，與圖1C所示的傳統CNT觸控面板相較之下，得以提升觸碰靈敏度(sensitivity)。一般來說，長形導電結構之間隔大小的設計準則，係以最大電場干擾為依據，並兼考慮到製程的良率、產能等因素。
當第一導電膜20和第二導電膜22分別耦接至驅動電路30及讀取電路32，如圖2D所示，藉由偵測電容值的改變，而得以定位出觸碰點。圖2D中的第一電容C1係代表第二導電膜22至地的電容值，而第二電容C2則代表第一導電膜20至地的電容值。雖然本實施例中的第一導電膜20耦接至驅動電路30，第二導電膜22耦接至讀取電路32；然而，在其他實施例中，也可將第一導電膜20耦接至讀取電路32，而第二導電膜22則耦接至驅動電路30。
圖4A顯示觸碰點定位的一種具體實施作法。在本實施例中，第一導電膜20的一側設有複數個第一金屬電極200，耦接至驅動 電路30用以作為掃描端；第二導電膜22的一側也設有複數個第二金屬電極220，耦接至讀取電路32用以作為讀取端。於圖式中，掃描端包含有掃描線1至掃描線m，而讀取端包含有讀取線1至讀取線n。圖4B顯示本實施例之掃描時序圖。首先，於期間T1，驅動電路30經由掃描線1輸入方波信號，而讀取電路32則藉由讀取線1至讀取線n分別讀取對應至縱軸或Y軸位置的n個電壓數值。依相同原理，於期間T2，驅動電路30經由掃描線2輸入方波信號，而讀取電路32則藉由讀取線1至讀取線n分別讀取對應至縱軸或Y軸位置的n個電壓數值。重複相同步驟直到掃描線m，即完成一個掃描週期。經過一個掃描週期後，將可得到m*n個數值。圖5A例示觸控面板未經觸碰的一般讀取信號波形，而圖5B則例示觸控面板經觸碰的讀取信號波形，亦即，其電壓幅度會異於或小於一般讀取信號的電壓幅度。若將得到的m*n個數值作數值的統計比較，可得到如圖5C所示的曲線，其中，具最小電壓幅度之位置即代表觸碰點的位置。值得注意的是，本實施例之觸控面板結構及掃描定位方法可用以偵測得到同時發生的多個觸碰點(multi-touch)。
圖6A顯示本發明第二實施例之電容式觸控面板的上視圖，其分解圖如圖6B所示。和第一實施例不同的是，本實施例之第一導電膜20，例如CNT薄膜，其沿著最小電阻抗方向，如圖式中的縱軸方向，經切割而形成互相隔離的區塊。本實施例之剖面結構、材質選用、製程方法及掃描方法都和第一實施例相同，因此不予贅述。
雖然本發明以前述之較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習相像技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍 內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之專利保護範圍須視本說明書所附之申請專利範圍所界定者為準。
10A‧‧‧ITO薄膜
10B‧‧‧ITO薄膜
12A‧‧‧ITO薄膜
12B‧‧‧ITO薄膜
14A‧‧‧CNT薄膜
14B‧‧‧CNT薄膜
20‧‧‧第一導電膜
21‧‧‧絕緣層
22‧‧‧第二導電膜
23‧‧‧第一保護層
24‧‧‧第二保護層
30‧‧‧驅動電路
32‧‧‧讀取電路
200‧‧‧第一金屬電極
220‧‧‧第二金屬電極
Cm‧‧‧電容結構之電容值
C1‧‧‧第一電容值
C2‧‧‧第二電容值
圖1A顯示一種傳統電容式觸控面板的圖案化ITO薄膜。
圖1B顯示另一種傳統電容式觸控面板的圖案化ITO薄膜。
圖1C顯示使用CNT薄膜之電容式觸控面板。
圖2A顯示本發明第一實施例之電容式觸控面板的上視圖。
圖2B顯示本發明第一實施例之電容式觸控面板的分解圖。
圖2C顯示電容式觸控面板沿圖2A之剖面線2C/2C’的剖面圖。
圖2D顯示將第一導電膜和第二導電膜分別耦接至驅動電路及讀取電路，用以定位出觸碰點。
圖3顯示另一種觸控面板的單邊製程。
圖4A顯示觸碰點定位的一種具體實施作法。
圖4B顯示本實施例之掃描時序圖。
圖5A例示觸控面板未經觸碰的一般讀取信號波形。
圖5B例示觸控面板經觸碰的讀取信號波形。
圖5C例示經過一掃描週期後所得到的數值曲線。
圖6A顯示本發明第二實施例之電容式觸控面板的上視圖。
圖6B顯示本發明第二實施例之電容式觸控面板的分解圖。
20‧‧‧第一導電膜
22‧‧‧第二導電膜

Claims (22)

  1. 一種電容式觸控面板，包含：一第一導電膜，具電阻抗異向性；一第二導電膜，具複數導電結構；一絕緣層，位於該第一導電膜和該第二導電膜之間；及一驅動電路及一讀取電路，二者其中一個耦接至該第一導電膜，而二者中的另一個耦接至該第二導電膜；其中，該第二導電膜之導電結構的導電方向係垂直於該第一導電膜之最小電阻抗方向。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電容式觸控面板，其中，上述之第一導電膜為奈米碳管(CNT)薄膜。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之電容式觸控面板，其中，上述第二導電膜之複數導電結構為長形導電結構，其互為平行且互相分隔一預設距離。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之電容式觸控面板，其中，上述之第二導電膜為氧化銦錫(ITO)薄膜。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之電容式觸控面板，其中，上述之第二導電膜為電阻抗異向性薄膜。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之電容式觸控面板，其中，上述之第二導電膜為奈米碳管(CNT)薄膜。
  7. 如申請專利範圍第3項所述之電容式觸控面板，其中，上述每一該長形導電結構之寬度與相鄰之該長形導電結構的節距比例為5%-50%。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之電容式觸控面板，其中，更包含 一第一保護層，位於該第一導電膜背離該絕緣層之一側。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之電容式觸控面板，其中，更包含一第二保護層，位於該第二導電膜背離該絕緣層之一側。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之電容式觸控面板，其中，上述之絕緣層包含下列材質之一或其組合：聚乙烯(PE)、聚碳酸酯(PC)、聚對苯二甲酸二乙酯(PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、薄化之玻璃、氧化物、光學膠及紫外線硬化膠(UV膠)。
  11. 如申請專利範圍第8或9項所述之電容式觸控面板，其中，上述之第一保護層或第二保護層包含下列材質之一或其組合：聚乙烯(PE)、聚碳酸酯(PC)、聚對苯二甲酸二乙酯(PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、薄化之玻璃、光學膠及氧化物。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之電容式觸控面板，其中，上述之第一導電膜包含複數第一金屬電極，藉以連接至該耦接之驅動電路或讀取電路。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之電容式觸控面板，其中，上述之第二導電膜包含複數第二金屬電極，藉以連接至該耦接之驅動電路或讀取電路。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之電容式觸控面板，其中，上述第一導電膜於最小電阻抗方向經切割而形成互相隔離的區塊。
  15. 一種電容式觸控面板，包含：一奈米碳管(CNT)薄膜；一導電膜，具圖案化(patterned)之複數長形導電結構，其互為平行且互相分隔一預設距離；一絕緣層，位於該奈米碳管薄膜和該導電膜之間；及 一驅動電路及一讀取電路，二者其中一個耦接至該奈米碳管薄膜，而二者中的另一個耦接至該導電膜；其中，該導電膜之長形導電結構的導電方向係垂直於該奈米碳管薄膜之最小電阻抗方向。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之電容式觸控面板，其中，上述之導電膜為氧化銦錫(ITO)薄膜或電阻抗異向性薄膜。
  17. 如申請專利範圍第15項所述之電容式觸控面板，其中，上述每一該長形導電結構之寬度與相鄰之該長形導電結構的節距比例為5%-50%。
  18. 如申請專利範圍第15項所述之電容式觸控面板，其中，更包含：一第一保護層，位於該奈米碳管薄膜背離該絕緣層之一側；及一第二保護層，位於該導電膜背離該絕緣層之一側。
  19. 如申請專利範圍第15項所述之電容式觸控面板，其中，上述之絕緣層包含下列材質之一或其組合：聚乙烯(PE)、聚碳酸酯(PC)、聚對苯二甲酸二乙酯(PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、薄化之玻璃、氧化物、光學膠及紫外線硬化膠(UV膠)。
  20. 如申請專利範圍第18項所述之電容式觸控面板，其中，上述之第一保護層或第二保護層包含下列材質之一或其組合：聚乙烯(PE)、聚碳酸酯(PC)、聚對苯二甲酸二乙酯(PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、薄化之玻璃、光學膠及氧化物。
  21. 如申請專利範圍第15項所述之電容式觸控面板，其中，更包含：複數第一金屬電極，設於該奈米碳管薄膜，藉以將該奈米碳管 薄膜連接至該耦接之驅動電路或讀取電路；及複數第二金屬電極，設於該導電膜，藉以將該導電膜連接至該耦接之驅動電路或讀取電路。
  22. 如申請專利範圍第15項所述之電容式觸控面板，其中，上述奈米碳管薄膜於最小電阻抗方向經切割而形成互相隔離的區塊。
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