TWI410928B - 畫素結構、顯示面板及其驅動方法 - Google Patents

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畫素結構、顯示面板及其驅動方法
本發明是有關於一種畫素的結構,且特別是有關於一種有機發光二極體的畫素結構。
隨著電子技術的進步,人們對於消費性電子產品在提供視覺上的服務的要求也越來越高。不論是在傳統的電視機,乃至於較為先進的個人電腦、行動電話等,對於顯示的畫質都非常講究。現今最為人們所熟知的顯示面版,要算是液晶顯示(liquid crystal display,LCD)面板了。然而,在液晶顯示面板的技術的發展上雖已具有高度的成熟度,但是,一些因為液晶材質所造成的先天限制,卻成為液晶面板的發展瓶頸,例如,液晶顯示器的反應速度。也因此,許多不同種類的顯示面板正被積極的研究開發,如有機發光二極體(organic light emitting diode,OLED)顯示面板。
有機發光二極體顯示面板為一種自發光的顯示面板,其具有高光亮度、高反應速度以及大視角等優點。此外,主動式(active matrix,AM)的有機發光二極體顯示面板為了可以實現其最好的表現度,通常採用低溫多晶矽(low temperature polycrystalline silicon,LTPS)的製程來做為其驅動電晶體,亦即一般所謂的薄膜電晶體(thin-film transistors,TFT)。這種低溫多晶矽製程所製作出來的電晶 體通常具有較大的電流驅動能力,更能有效驅動有機發光二極體這種顯示面板,並使其展現最高的畫質。
然而,由於這種低溫多晶矽製程在製程上的控制較為不易。因此,所製造出的薄膜電晶體的電性參數卻常有比較大的製程漂移,尤其是電晶體的臨界電壓(threshold voltage)。而上述的因素,也造成了有機發光二極體面板在顯示灰階或顏色上的不均勻,因此,許多關於這方面的研究分別被提出。
以下請參照圖1A,圖1A繪示習知技術的有機發光二極體畫素100的結構。此種習知有機發光二極體畫素100的結構包括作為開關的電晶體SW1~SW4、用以驅動有機發光二極體D1的電晶體T1、電容C1以及電容C2,並且搭配資料線DT、掃描線S1~S3。
並請同時參照圖1B,圖1B繪示圖1A繪示之習知技術的有機發光二極體畫素的驅動時序圖。此驅動時序可以分為三個步驟。其中,在時期TA時,電晶體SW4、SW3被導通而使電晶體T1的閘極被預充電至系統電壓VDD。在時期TB則關閉電晶體SW4,使之前被預充到系統電壓VDD的電晶體T1的閘極開始放電,並放電至等於電晶體T1以及有機發光二極體D1的臨界電壓的總和,並利用電容C1儲存這個電壓。並且在時期TC導通電晶體SW1及關閉電晶體SW4,使資料線DT的資料透過電容C1傳輸到電晶體T1上,並使有機發光二極體D1發光。
此種習知技術雖可以降低有機發光二極體對上述的 薄膜電晶體的製程漂移的影響,但由於使用了過多的電晶體以及掃描線,不但具有較大的電路面積,還在驅動動作上較為複雜,並不是一個很完善的作法。
有鑑於此,本發明提供一種畫素結構。此種畫素對於面板之各個畫素電路中薄膜電晶體因製程條件差異所造成電性之不一致導致各畫素電路之有機發光二極體發光均勻性下降的問題有較高的免疫力。
本發明提供一種顯示面板,使用對薄膜電晶體的臨界電壓的電性不均勻有較高的免疫力的畫素,使顯示面板不隨溫度變化而改變其表現。
本發明提供一種畫素的驅動方法,用以驅動一種對於薄膜電晶體的臨界電壓的溫度漂移有較高的免疫力的畫素。
本發明提出一種畫素結構,包括有機發光二極體、電晶體、第一開關、第二開關及第三開關、第一電容以及第二電容。其中,有機發光二極體電性連接至第一電壓。電晶體的第一源/汲極電性連接至有機發光二極體的第二端。第一開關電性連接在第二電壓與電晶體的第二源/汲極間,並受控於第二掃描線。第二開關電性連接在電晶體的第二源/汲極與電晶體的閘極間,受控於第一掃描線。第三開關電性連接在資料線與第一電容和第二電容相接端之間,受控於第二掃描線。此外,第一電容電性連接至電晶 體的閘極,第二電容則電性連接在第一電容與第一電壓間。其中,藉由利用第一掃描線與第二掃描線交互導通或關閉第一開關、第二開關及第三開關,便可以進一步驅動畫素。
本發明還提出一種顯示面板,包括多個第一畫素、第一掃描線以及第二掃描線。而每一個第一畫素都包括第一有機發光二極體、電晶體、第一電容、第一開關、第二開關、第三開關以及第二電容。其中,第一有機發光二極體與第一電晶體電性連接,第一電容電性連接至第一電晶體,而第一開關電性連接在第一電晶體與第二電壓間,第二開關電性連接至在第一電晶體與第一電容間,第三開關電性連接至在第一資料線與第一電容和第二電容相接端之間,並且,第二電容電性連接在第一電容與第一電壓間。
此外,在上述所提的顯示面板中,其第一掃描線及第二掃描線分別電性連接至這些第一畫素,用來掃描這些第一畫素。而在此顯示面板中的多數個資料線,則電性連接至這些第一畫素,並且用以驅動這些第一畫素。值得一提的是,藉由利用第一掃描線與第二掃描線交互導通或關閉第一畫素中的第一開關、第二開關及第三開關,進而驅動這些第一畫素。
本發明更提出一種畫素的驅動方法,用來驅動畫素。其中所述的畫素包括第一開關、第二開關、第三開關、第一電容、第二電容、電晶體以及有機發光二極體,其驅動步驟包括:首先,於第一時期導通第一開關及第二開關且 關閉第三開關,並使電晶體的閘極端被預充電;接著,於第二時期關閉第一開關並導通第二開關及第三開關,使電晶體及有機發光二極體上的跨壓被放電至其臨界電壓;然後,於第三時期關閉第一開關及第二開關及導通第三開關,並提供資料線的電壓至畫素;最後,於第四時期導通第一開關並關閉第二開關及第三開關,使有機發光二極體發光。
基於上述,本發明因採用兩組掃描線交互切換開關的結構來驅動有機發光二極體的畫素及顯示面板,因此,可以使此種有機發光二極體的畫素及顯示面板的發光效能,不受薄膜電晶體的臨界電壓隨溫度變化而影響。並且,本發明所提的畫素及顯示面板,使用較少的開關,節省畫素的電路面積。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉較佳實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如下。
第一實施例:
以下針對本發明的有機發光二極體的畫素提出一實施例加以說明,期使本領域具通常知識者,更能了解本發明的精神。
請參照圖2A,圖2A繪示本發明之有機發光二極體的畫素的一實施例。畫素200包括發光二極體D1(在此為有機發光二極體)、電晶體DTFT、開關SW1~開關SW3(此些 開關均由電晶體連接成開關的方式所構成)、電容C1以及電容C2。
其中的電晶體DTFT第一源/汲極電性連接至有機發光二極體D1的陽極,有機發光二極體D1的陰極則電性連接至第一電壓(在本實施例為接地電壓GND)。開關SW1電性連接在第二電壓(在本實施例為系統電壓VDD)與電晶體DTFT的第二源/汲極間,並受控掃描線SCAN2。開關SW2則電性連接在電晶體DTFT的第二源/汲極與閘極間,並受控於掃描線SCAN1。開關SW3則電性連接在資料線DT與電容C1間,並受控於掃描線SCAN2。而電容C1電性連接至電晶體DTFT的閘極且電容C2電性連接在電容C1與接地電壓GND間。
而關於本第一實施例所提的畫素200的作動方式,則請參照圖2B所繪示本發明之畫素的一實施例的驅動時序圖。首先值得一提的是,在本實施例中,開關SW2、開關SW1為控制訊號高準位時導通,而低準位時關閉。開關SW3則為控制訊號低準位時導通,而高準位時關閉。另外,開關SW3的動作則恰與開關SW1相反。本驅動時區分為四個時期,在時期P1時,使掃描線SCAN1以及掃描線SCAN2均為高準位,藉以導通開關SW2以及開關SW1。如此,系統電壓VDD將可以經由開關SW1以及開關SW2預充電到電晶體DTFT的閘極。
接著,在完成電晶體DTFT的預充電後,進入時期P2。並使掃描線SCAN2轉態為低準位,維持掃描線SCAN1 在高準位,並藉以關閉開關SW1,且使開關SW2保持導通。在此時期P2中,由於開關SW1已被關閉,因此提供預充電的路徑已被關閉,而開關SW2保持導通,使得原本被預充電到系統電壓VDD的電晶體DTFT的閘極開始放電。這個放電動作使得電晶體DTFT以及有機發光二極體D1逐漸關閉,也使得電晶體DTFT的閘極電壓放電到等於電晶體DTFT以及有機發光二極體D1的臨界電壓的總和才停止。
緊接著進入時期P3,此時則使掃描線SCAN1轉態為低準位,維持掃描線SCAN2在低準位,並藉以關閉開關SW1及開關SW2,且導通開關SW3。同時,開始由資料線DT傳輸資料,並透過開關SW3的導通動作,將資料線DT的資料傳輸到電容C1上。此時電容C2將儲存這個由資料線DT傳送的資料,而電容C1則藉由推舉(boost)效應,使電晶體DTFT的閘極上的電壓,由原本等於電晶體DTFT以及有機發光二極體D1的臨界電壓的總和,更被往上推舉等於資料線DT所傳輸的資料的電壓值加上電晶體DTFT以及有機發光二極體D1的臨界電壓的總和。並且,電容C1將同時儲存這個電壓。
最後進入時期P4,此時則使掃描線SCAN2轉態為高準位,維持掃描線SCAN1在低準位,並藉以導通開關SW1及關閉開關SW2以及開關SW3。此時系統電壓VDD將致使電晶體DTFT傳送電流至有機發光二極體D1上,並使有機發光二極體D1發光。
綜合上述動作可以清楚了解,當在有機發光二極體D1發光時,負責傳送驅動電流的電晶體DTFT的閘極保持在時期P3中電容C1所儲存的電晶體DTFT以及有機發光二極體D1的臨界電壓的總和再加上資料線DT所傳輸的資料的電壓值。若以數學式來表示,即如同式(1)所示:VGATE=VDATA+VTH+VTO (1)其中,VGATE為電晶體DTFT的閘極上的電壓,VDATA為資料線DT所傳輸的資料的電壓,而VTH以及VTO則分別為電晶體DTFT以及有機發光二極體D1的臨界電壓。
又因為電晶體DTFT保持在飽和區,因此可以計算出流經有機發光二極體D1的電流如同式(2)所示: 其中,ID1為有機發光二極體D1上流過的電流,而VGS_DTFT為電晶體DTFT的閘極與源極上的跨壓,VD則為有機發光二極體D1導通時所造成的壓降,KDTFT為電晶體DTFT的電流常數。另外,式(2)可以更進一部改寫為式(3),如下所示:
由式(3)不難發現,流經過有機發光二極體D1的電流與電晶體DTFT的臨界電壓VTH並沒有關係,也就是說,利用這種畫素200所點亮的有機發光二極體D1的亮度,與電晶體DTFT的臨界電壓VTH沒有關係。
值得一提的是,由於有機發光二極體的臨界面壓會隨著時間增加,進而使得有機發光二極體的發光效率及亮度劣化,而本第一實施例所提供一個如式(3)所示的迴授補償。由式(3)可以得知電晶體DTFT將會產生更大的電流以補償上述亮度劣化的現象,使有機發光二極體的亮度均勻的上昇。
以下將針對上述的第一實施例提出模擬的結果,並佐以圖示,來証明上述的推論是為正確。
其中,所選擇要驅動的有機發光二極體D1的面積為19200μm2,而其寄生電容為25nF/cm2,資料線DT所傳輸的資料電壓VDATA為3V,有機發光二極體D1與電晶體DTFT的臨界電壓總和為VTH+VTO=2V。
請參照圖2C,圖2C繪示電晶體DTFT的閘極、源極以及汲極電壓的模擬結果,其中的曲線211~213分別代表第一實施例中所述之驅動時序的四個時期P1~P4的電壓值。曲線211為電晶體DTFT的汲極的電壓波形,曲線212為電晶體DTFT的閘極的電壓波形,且曲線213為電晶體DTFT的源極的電壓波形。請注意在時期P2結束時,電晶體DTFT的閘極的電壓dV1放電到約等於有機發光二極體D1與電晶體DTFT的臨界電壓總和為VTH+VTO=2V。
而在時期P4時,也就是在有機發光二極體D1發光時,電晶體的閘極與源極的電壓差dV2幾乎都維持在不變,而這個電壓差dV2也幾乎等於資料線DT上傳輸的資料電壓VDATA=3V(此時電壓差dV2的準確值應該等於 VDATA+VTO-VD),與上述的推論相符合。
另外,請參照圖2D,圖2D繪示第一實施例中之資料線、掃描線與有機發光二極體的陽極電壓變化的模擬結果。其中,曲線221代表掃描線SCAN2的電壓變化,曲線223為代表資料線DT的電壓變化,曲線224則是表示掃描線SCAN1的電壓變化,而曲線222則是表示有機發光二極體D1的陽極的電壓變化。
請同時參照圖2E,圖2E繪示圖2D的曲線222在進入時期P4時的局部放大波形圖。其中的曲線222_1代表當電晶體DTFT的臨界電壓VTH漂移-0.33V時,有機發光二極體D1的陽極電壓波形。曲線222_3代表當電晶體DTFT的臨界電壓VTH漂移+0.33V時,有機發光二極體D1的陽極電壓波形,而曲線222_3代表當電晶體DTFT的臨界電壓VTH不漂移時的電壓波形。
此外,有機發光二極體D1的陽極電壓隨電晶體DTFT的臨界電壓VTH漂移所產生的錯誤率ER的計算方式如下式(4)所示: 其中的VA為有機發光二極體D1的陽極電壓,VA(△VTH=±0.33V)則是代表在電晶體DTFT的臨界電壓VTH漂移了正或負0.33V時的有機發光二極體D1的陽極電 壓,而VA(△VTH=0V)則代表在電晶體DTFT的臨界電壓VTH沒有漂移時的有機發光二極體D1的陽極電壓。
配合圖2E以及式(4),便可以計算得到在此第一實施例中所產生的錯誤率介於0.28%~-0.33%之間。此計算出來的錯誤率非常的小,也就是代表之前所推論的利用畫素200所點亮的有機發光二極體D1的亮度,與電晶體DTFT的臨界電壓VTH關係甚小,而可以被忽略。
第二實施例:
在此則提出一種以畫素200所建構成的顯示面板的實施例,來說明畫素200在整個顯示面板上的作動情形。
請參照圖3,圖3繪示本發明之顯示面板的一實施例。在顯示面板300動作時,先針對配置到畫素310的掃描線S1、S2調整準位,並使其如同第一實施例中所說明的驅動時序開始動作(個別驅動時序如同第一實施例中之說明,在此不再重述)。並且分別利用資料線D1~D3點亮各個畫素310。在結束了點亮畫素310的四個時期後,轉使用配置到畫素320的掃描線S3、S4調整準位,並驅動畫素320。如此依序重複執行驅動的動作,便可以完成驅動整個顯示面板300。
第三實施例:
本發明更提出一種驅動方式的實施例,使本領域具通常知識者更能了解本發明所提之畫素的驅動方式。
以下請參照圖4,圖4繪示本發明之畫素的驅動方法的一實施例。並請同時參照圖2A,其步驟包括:首先,於 第一時期導通開關SW1及開關SW2(S410),使電晶體DTFT及有機發光二極體D1被預充電,並且關閉開關SW3,以切斷資料線與畫素200的連接;然後,於第二時期關閉開關SW1並導通開關SW2,使電晶體DTFT及有機發光二極體D1上的跨壓被放電至等於其臨界電壓(S420);接著,於第三時期關閉開關SW2及開關SW1,並提供資料至畫素200(S430),此時由於開關SW3被導通,因此資料線DT上的資料可以傳輸至畫素200;最後,於第四時期導通開關SW1並關閉開關SW2,點亮有機發光二極體D1(S440),並同時關閉開關SW3,進而使資料線DT上的資料不會影響到畫素200的發光亮度。
第四實施例:
最後再針對本發明所提出之畫素再舉另一個實施例,來說明本發明的畫素所可能的另一種結構。
圖5繪示本發明之畫素的另一實施例。請參照圖5,圖5繪示的畫素500與第一實施例中的畫素200不同點在於開關SW3由N型的薄膜電晶體所構成,而非畫素200中的開關SW3為由P型的薄膜電晶體所構成。另外,為了使畫素200與畫素500的驅動方式相同,特別增加一個反閘INV1作為處理開關SW3的控制訊號,如此,畫素500便可以使用第一實施例中所說明的驅動時序來作動,與畫素200具有相同功效。
在此更值得一提的是,本發明所提的實施例中均以有機發光二極體為範例在說明。然而,另外還有一種大分子 結構的有機發光二極體(polymer light emitting diode,PLED),也適合使用於此種畫素。
綜上所述,本發明所提出的畫素、顯示面板以及其驅動方法僅需要至少三個開關,再加上一個驅動電晶體,配合利用兩組的掃描線所組合出來的四個驅動時期,便可以使有機發光二極體的發光亮度不受驅動電晶體的臨界電壓漂移而影響。較之習知技術更簡單,且需要更少的電路元件,有效的減低生產成本。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作些許之更動與潤飾,因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100、200、500‧‧‧畫素
300‧‧‧顯示面板
211、212、213、221、222、223、221_1、222_2、222_3‧‧‧曲線
S410~S440‧‧‧步驟
SW1~SW4‧‧‧開關
C1、C2‧‧‧電容
S1~S3、SCAN1、SCAN2‧‧‧掃描線
DT‧‧‧資料線
T1、DTFT‧‧‧電晶體
D1‧‧‧有機發光二極體
VDD‧‧‧系統電壓
GND‧‧‧接地電壓
TA、TB、TC、P1~P4‧‧‧時期
圖1A繪示習知技術的有機發光二極體的畫素結構。
圖1B繪示圖1A繪示之習知技術的有機發光二極體畫素的驅動時序圖。
圖2A繪示本發明之有機發光二極體的畫素的一實施例。
圖2B所繪示本發明之畫素的一實施例的驅動時序圖。
圖2C繪示電晶體DTFT的閘極、源極以及汲極電壓的模擬結果。
圖2D繪示第一實施例中之資料線、掃描線與有機發光二極體的陽極電壓變化的模擬結果。
圖2E繪示圖2D的曲線222在進入時期P4時的局部放大波形圖。
圖3繪示本發明之顯示面板的一實施例。
圖4繪示本發明之畫素的驅動方法的一實施例。
圖5繪示本發明之畫素的另一實施例。
200‧‧‧畫素
DT‧‧‧資料線
SCAN1、SCAN2‧‧‧掃描線
C1、C2‧‧‧電容
SW1~SW3‧‧‧開關
D1‧‧‧有機發光二極體
DTFT‧‧‧電晶體
VDD‧‧‧系統電壓

Claims (17)

  1. 一種畫素結構,包括:一有機發光二極體,具有第一端及第二端,其第一端電性連接至一第一電壓;一電晶體,具有閘極、第一源/汲極以及第二源/汲極,其第一源/汲極電性連接至該有機發光二極體的第二端;一第一開關,電性連接在一第二電壓與該電晶體的第二源/汲極間,並受控於一第二掃描線;一第二開關,電性連接在該電晶體的第二源/汲極與該電晶體的閘極間,並受控於一第一掃描線;一第一電容,具有第一端及第二端,其第一端電性連接至該電晶體的閘極;一第二電容,電性連接在該第一電容的第二端與該第一電壓間;以及一第三開關,電性連接在該第一電容以及該第二電容的共同電性連接端與一資料線間,並受控於該第二掃描線;其中,藉由利用該第一掃描線與該第二掃描線交互關閉或導通該第一開關、該第二開關及該第三開關,進而驅動該畫素。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構,其中該第一開關與該第三開關的關閉或導通的動作相反。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構,其中該第一開關、第二開關以及第三開關分別包括一第一電晶體、一第二電晶體以及一第三電晶體,其中,該第一電晶體、 該第二電晶體以及該第三電晶體皆電性連接成開關電路。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構,其中當該第一開關與該第二開關皆被導通時,該電晶體的閘極被預充電至該第二電壓,接著,該第二開關被導通而該第一開關被關閉,該電晶體的閘極透過該第二開關被放電至等於該電晶體與該有機發光二極體的臨界電壓的和,接著,該第一開關與該第二開關皆被關閉,電晶體的閘極電壓透過該第一電容被推舉至該資料線的電壓加上該電晶體與該有機發光二極體的臨界電壓的和,接著,該第一開關被導通而該第二開關被關閉,該有機發光二極體被驅動發出對應到該資料線的電壓亮度的光。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之畫素結構,其中該電晶體隨著該有機發光二極體工作時間的增長增加所產生的電流,用以補償該有機發光二極體因臨界電壓隨工作時間的增長而增加的劣化現象。
  6. 一種顯示面板,包括:多數個第一畫素,其中各該第一畫素包括:一第一有機發光二極體;一第一電晶體,電性連接至該第一有機發光二極體;一第一電容,具有第一端點以及第二端點,該第一電容的第一端電性連接至該第一電晶體;一第一開關,電性連接在該第一電晶體與該第二電壓間; 一第二開關,電性連接至在該第一電晶體與該第一電容間;一第二電容,電性連接在該第一電容的第二端與該第一電壓間;以及一第三開關,電性連接在該第一電容以及該第二電容的共同電性連接端;一第一掃描線,電性連接至該些第一畫素,用以掃描該些第一畫素;以及一第二掃描線,電性連接至該些第一畫素,用以掃描該些第一畫素;以及一第一資料線,電性連接至各該第三開關,用以驅動該些第一畫素;其中,藉由利用該第一掃描線交互關閉或導通各該第一開關及各該第三開關,與利用該第二掃描線交互關閉或導通各該第二開關,進而驅動該些第一畫素。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之顯示面板,其中該第一開關與該第三開關的關閉或導通的動作相反。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之顯示面板,其中該第一開關、第二開關以及第三開關分別包括一第一電晶體、一第二電晶體以及一第三電晶體,其中,該第一電晶體、該第二電晶體以及該第三電晶體皆電性連接成開關電路。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之顯示面板,其中當該第一開關與該第二開關皆被導通時,該電晶體的閘極被預充電至該第二電壓,接著,該第二開關被導通而該第一開 關被關閉,該電晶體的閘極透過該第二開關被放電至等於該電晶體與該有機發光二極體的臨界電壓的和,接著,該第一開關與該第二開關皆被關閉,該電晶體的閘極電壓透過該第一電容被推舉至該資料線的電壓加上該電晶體與該有機發光二極體的臨界電壓的和,接著,該第一開關被導通而該第二開關被關閉,該有機發光二極體被驅動發出對應到該資料線的電壓亮度的光。
  10. 如申請專利範圍第6項所述之顯示面板,其中更包括:多數個第二畫素,其中各該些第二畫素包括:一第二有機發光二極體;一第二電晶體,電性連接至該第二有機發光二極體;一第三電容,具有第一端及第二端,其第一端電性連接至該第二電晶體的閘極;一第四開關,電性連接在該第二電晶體與該第二電壓間;一第五開關,電性連接至在該第二電晶體與該第三電容間;以及一第四電容,電性連接在該第三電容的第二端與該第一電壓間;一第六開關,電性連接在該第三電容以及該第四電容的共同電性連接端;一第三掃描線,電性連接至該些第二畫素,用以掃描 該些第二畫素;一第四掃描線,電性連接至該些第二畫素,用以掃描該些第二畫素;以及一第二資料線,電性連接至各該第六開關,用以驅動該些第二畫素;其中,藉由利用該第三掃描線交互關閉或導通各該第四開關及各該第六開關,利用該第四掃描線交互關閉或導通各該第六開關,進而驅動該些第二畫素。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之顯示面板,其中各該第二畫素的該第二電晶體隨著各該第二畫素的各該第二有機發光二極體工作時間的增長增加所產生的電流,用以補償各該第二有機發光二極體因臨界電壓隨工作時間的增長而增加的劣化現象。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之顯示面板,其中該第四開關、第五開關以及第六開關分別包括一第一電晶體、一第二電晶體以及一第三電晶體,其中,該第一電晶體、該第二電晶體以及該第三電晶體皆電性連接成開關電路。
  13. 如申請專利範圍第6項所述之顯示面板,其中各該第一畫素的該第一電晶體隨著各該第一畫素的各該第一有機發光二極體工作時間的增長增加所產生的電流,用以補償各該第一有機發光二極體因臨界電壓隨工作時間的增長而增加的劣化現象。
  14. 一種畫素的驅動方法,用以驅動一畫素,該畫素包 括一第一開關、一第二開關、一第三開關、一第一電容、一第二電容、一電晶體以及一有機發光二極體,其驅動步驟包括:於一第一時期導通該第一開關及該第二開關,使該電晶體的閘極端被預充電;於一第二時期關閉該第一開關並導通該第二開關,使該電晶體及該有機發光二極體上的跨壓被放電至等於其臨界電壓;於一第三時期關閉該第一開關及該第二開關,並提供一資料至該畫素;以及於一第四時期導通該第一開關並關閉該第二開關,點亮該有機發光二極體。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之驅動方法,其中於該第三時期更包括導通該第三開關,用以使該畫素接收該資料。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之驅動方法,其中該第四時期更包括關閉該第三開關,用以切斷該資料與該畫素的傳輸路徑,進而使該資料不會影響到該畫素的發光亮度。
  17. 如申請專利範圍第14項所述之畫素的驅動方法,其中該有機發光二極體的該電晶體隨著該有機發光二極體工作時間的增長增加所產生的電流,用以補償該有機發光二極體因臨界電壓隨工作時間的增長而增加的劣化現象。
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