TWI401426B - 用於批次非接觸式材料特性化之裝置及方法 - Google Patents

Description

用於批次非接觸式材料特性化之裝置及方法

本申請案主張2008年2月15日申請之美國臨時專利申請案第61/066,074號之申請日期之權益，該臨時申請案之揭示內容以引用方式併入本文中。

各種非接觸式材料特性化技術已廣為人知且其普遍用於量測半導體晶圓。非接觸式材料特性化技術除包含其他技術外還包含：X射線繞射(「XRD」)、渦流量測及光致發光光譜術。舉例而言，光致發光光譜術係一種將光自一幫浦束引導至一樣本(諸如一半導體晶圓)上的技術。此光可首先被材料吸收且然後諸如藉由光發射(亦稱為「發光」)而消散。藉由依靠收集光學器件來量測發光之強度及光譜內容可探明各種重要材料性質。藉由光致發光所顯現之此等性質除包含諸多其他性質外還包含：帶隙之確定、材料品質(包含雜質之濃度及缺陷)、不同半導體層之組成。一種分析資料之有用方式可包含將光致發光強度標繪為波長的函數。然後可量測及標繪半高寬(「FWHM」)。

當前，在其中形成半導體晶圓之外延生長設備的外面執行此等材料特性化技術。普遍地，將晶圓自外延生長設備移除並放置在晶圓盒中。然後循環過一遍該等盒，並逐個晶圓地執行非接觸式材料特性化技術，其中一次測試一個晶圓。此程序可花費大量時間。

進一步添加當前處理次數係典型處理設備除主要處理室以外還利用一稱為一「加載鎖」之室之事實。將一基板或一固持大量基板之晶圓載體插入該加載鎖中並使其與和外延生長程序相容之加載鎖中之一惰性氛圍達到平衡。該等基板與該加載鎖中之該惰性氛圍處於平衡之後，加載鎖與處理室自身之間的一門則打開，並將該等基板送進處理室中。處理之後，經由該加載鎖將該等基板自處理室移除。多次運送進及運送出外延生長設備花費相當多的時間，而此又延緩該程序。

關於光致發光技術，例如，通常將晶圓放置在一平臺上且以一光柵掃描或一向外螺旋模式來移動幫浦束及收集光學器件。亦即，在光柵掃描之情形下，在一第一方向上自晶圓之一個端至另一個端跨越表面線性地移動幫浦束及收集光學器件。在跨越晶圓完全掃描一第一線之後，幫浦束及收集光學器件垂直於該第一方向移動一小、遞增距離，且然後，其平行於且毗鄰於該第一線跨越表面繼續進行線性掃描。重複此程序直至已掃描晶圓之整個表面為止。此技術類似於(例如)跨越一頁之表面自左至右且遞增地自上線至下線移動來讀取文字線。然而，在一向外螺旋模式之情形下，幫浦束及收集光學器件在晶圓之中心處開始掃描，且然後其自該中心向外螺旋地繼續進行直至已掃描晶圓之整個表面為止。

上文所闡述之執行非接觸式材料特性化技術之先前技術方法可係效率極低。尤其在擬對一群組半導體晶圓執行多個程序(其中材料特性化發生於每一程序之間)之情形下，完成全程序可花費大量時間。具體而言，以下步驟可極消耗時間：在完成一個程序之後首先將所有晶圓自外延生長設備移除，然後一次一個地對每一晶圓執行測試且然後將該等晶圓重新坐落在一晶圓載體上並將該等晶圓引入至同一或一不同設備以用於進一步處理。

本發明之一個態樣提供一種用於對基板執行非接觸式材料特性化之設備。期望地，根據本發明之此態樣之設備包含一晶圓載體及一非接觸式材料特性化裝置。期望地，該晶圓載體具有一經構造及配置以在其上固持至少一個基板之頂表面。期望地，該非接觸式材料特性化裝置經構造及配置以對固持在該晶圓載體上之至少一個基板之至少一部分執行一非接觸式材料特性化技術。

該設備可進一步包含一具有一加載鎖之外延生長設備。期望地，該非接觸式材料特性化裝置經構造及配置以在該晶圓載體被設置在外延生長設備之加載鎖內時執行非接觸式材料特性化技術。

一計算裝置可連接至非接觸式材料特性化裝置且連接至一外延生長設備。該計算裝置較佳地經構造及配置以處理來自非接觸式材料特性化裝置之資料。此外，該計算裝置可係運作以基於該計算裝置所處理之資料調整該外延生長設備中之條件。

非接觸式材料特性化裝置可包括一用於執行光致發光光譜術之裝置。

本發明之再其他態樣提供用於對基板執行非接觸式材料特性化之方法。

為清楚起見，將在對附圖中所圖解說明之本發明之較佳實施例之闡述中使用特定術語，附圖中相同參考編號表示相同元件。然而，本發明並非意欲限定於如此選定之特定術語，且應瞭解，每一特定術語皆包含所有以一相似方式運作來達成一相似目的之技術等價術語。

圖1中圖解說明一根據本發明之一個實施例之設備。一晶圓載體10顯示為固持複數個基板，諸如晶圓12。晶圓12較佳地由諸如凹槽(未顯示)之結構固持。晶圓載體10較佳地通常呈圓形形狀，雖然此並非必需，且載體10較佳地由一諸如石墨之材料組成。

晶圓載體10顯示為安裝在一轉軸14上，轉軸14可在諸如馬達16之一旋轉控制裝置之影響下圍繞軸15旋轉。馬達16較佳地連接至一控制裝置18，下文中將詳細論述控制裝置18。馬達16較佳地適於精確地控制晶圓載體10之角位置及旋轉速度。例如，用於此申請案之有用馬達16可包含步進馬達及伺服機。

轉軸14與晶圓載體10之間的連接(未顯示)經設計以使得晶圓載體10可與轉軸14可釋放地配合。該連接較佳地經構形以使得晶圓載體10可以此一方式緊固至轉軸14以使得晶圓載體10及轉軸14可以一固定角關係旋轉。該連接亦較佳地經構形以允許將晶圓載體10與轉軸14容易地拆開，以便可移動晶圓載體10。

如圖2中所示意性地顯示，晶圓載體10顯示為在一外延生長室100之加載鎖102中。加載鎖102裝備有一室門104及一外部門106。在打開室門104時，加載鎖102內之內部空間與外延生長室100之內部空間連通。在閉合門104時，加載鎖102與外延生長室100隔離。在門106打開時，加載鎖102係與設備之外部互通，且最通常係與室內空氣互通。加載鎖102內之內部空間連接至一大致惰性氣體源，以使得可將加載鎖102內之內部空間維持在該大致惰性氣體之一氛圍下。如在此揭示內容中所使用，術語「大致惰性氣體(substantially inert gas)」係指一在加載鎖中盛行之條件下不與基板或設置在基板上之層引起大量、有害反應之氣體。僅舉例說明，對於承載III-V半導體層之典型基板，可採用諸如氮、氫、VIII族惰性氣體等氣體及此等氣體之混合物。

可在加載鎖102內提供一輸送機(未顯示)，該輸送機係經構形以在室門104打開時將晶圓載體10移入或移出外延生長室100。該輸送機可包含任一類型能夠操作晶圓載體10之機械元件，舉例而言(例如)機械手臂、線性滑塊、取放型機構、行動鏈或帶或此等元件之組合。

在本發明設備之一較佳使用期間，實行以下步驟以對晶圓12執行一非接觸式材料特性化技術。在於晶圓12上完成一個外延生長處理循環之後，打開門104並將晶圓載體10與轉軸116拆開。然後藉由輸送機將載體10自外延生長室100移動至加載鎖102中。然後將載體10與轉軸16緊密配合。因此將晶圓載體10設置在加載鎖102內時，執行至少一種非接觸式材料特性化技術，如下文中詳細闡述般。

應注意，藉由在晶圓載體10處於加載鎖102中時執行非接觸式材料特性化量測，較佳地將降低基板之總處理時間。具體而言，消除將載體10經由門106移入及移出加載鎖102以對該等基板執行測試所需的時間量。亦消除允許加載鎖102中之氛圍達到平衡所需的額外時間，此乃因不需要在測試期間將晶圓載體10自加載鎖102移除且不需要打開外部門106。

在加載鎖102中執行材料特性化技術之另一益處係自測試所收集之資訊可用來控制程序中之一者或多者的事實。舉例而言，所收集之資訊可由一與外延生長設備整合在一起之程式化計算裝置進行處理。可將該計算裝置連接至控制裝置18或與其合併在一起。該計算裝置較佳地與外延生長設備以一方式整合在一起以使得可基於該計算裝置所收集之資訊調整生長室100中之條件以最佳化用於下一組基板之條件。另一選擇為或額外地，該計算裝置可使用藉由非接觸式量測所獲取之資訊來調整擬在一後續步驟中(例如，在處理室100中或在一不同處理室中進一步處理期間)應用於此特定載體10上之基板之程序。

在一典型外延生長設備中，首先將晶圓12自該外延生長設備移除，且然後在一遠端實驗室中對其進行測試，在此之後可使用獲自測試之資料最佳化生長室中之條件。執行此等步驟所花費之時間形成明顯的「迴路延遲」，此乃因在基於材料特性化測試修改條件之前已在生長室中於先前處理條件下執行數個程序。相反，藉由在加載鎖102中執行材料特性化技術且因此快速提供資訊以控制後續程序，本發明設備減低任何此「迴路延遲」。

現在將論述用於根據本發明較佳實施例執行非接觸式材料特性化之機構。再參照圖1，所示安裝在晶圓載體10上方者係一非接觸式材料特性化裝置，舉例而言，諸如一光致發光裝置20。光致發光裝置20可包含一幫浦束發射器22及收集光學器件24。幫浦束發射器22可經構形以將一精確界定之光束投射在晶圓載體10之頂表面40處，以使得該光可反射回至收集光學器件24或者以使得收集光學器件24可量測載體10之頂表面40處之材料發光。

光致發光裝置20較佳地經構形以精確地控制所發射光束之頻率。對光致發光系統之各種參數(諸如所發射光之頻率)之精確控制將較佳地使整個系統更準確。此外，可改變自幫浦束發射器22發射之光的頻率以將半導體之不同層作為分析目標。亦即，由於一半導體中具有不同帶隙之不同層將吸收光之不同頻率，因此可藉由選擇欲被彼層吸收之適當光頻率將該半導體之該等不同層作為分析目標。

如上文所述之光致發光裝置20本身係一習用裝置。

根據本發明之一較佳實施例，較佳地，將裝置20安裝至一平移機構30，平移機構30運作以沿一導引設備(諸如一導軌32)平移光致發光裝置20。平移機構30可包括用於沿至少一個維度平移一裝置之任一已知機構。適當平移機構30可包含(例如)線性致動器、帶式驅動器、螺桿式驅動器等。

平移機構30及導軌32較佳地經配置以使得光致發光裝置20可至少掃描晶圓載體10之一部分。在圖1中所圖解說明之實施例中，平移機構30及導軌32經配置以使得光致發光裝置20可沿一個維度跨越晶圓載體10之頂表面40來回平移。具體而言，在所圖解說明之實施例中，光致發光裝置20較佳地相對於軸15徑向地掃描頂表面40(在晶圓載體10之中心42與外邊緣44之間移動)。以此方式，裝置20可掃描晶圓載體10之整個頂表面40。亦即，光致發光裝置20可在一徑向方向上自(例如)晶圓載體10之中心42至邊緣44跨越頂表面40掃描一線。裝置20到達邊緣44之後，馬達16則較佳地使晶圓載體10圍繞軸15旋轉一小度增量。然後，裝置20再(例如)自邊緣44至中心42掃描。重複此程序，其中晶圓載體10之位置隨著光致發光裝置20之每一次通過而遞增地旋轉，直至晶圓載體10繞轉一周為止。

在光致發光裝置之上述移動期間，在幫浦束發射器22將光投射在晶圓載體10之頂表面40處時，收集光學器件24量測材料之目標部分之發光。收集光學器件24所接收之資訊可包含諸如所收集光之強度及波長等資料。此資料收集為一系列樣本，該等樣本表示對應於晶圓載體10之頂表面40上每一離散取樣位置之每一變量的量測值。藉由在諸多分立位置(其彼此極接近)處取樣，可準確地映射晶圓載體10之整個頂表面40，包含晶圓12之頂表面。

自光致發光裝置20收集之資料較佳地儲存在一記憶體裝置46中，記憶體裝置46可係控制裝置18之一組件。該資料較佳地與每一取樣點P之幾何位置相關聯。可以諸多方式闡述每一點P之位置，諸如笛卡爾坐標。然而，在一個實施例中，每一樣本點P之位置可藉由彼點之關於軸15之徑向坐標來闡述。為界定徑向坐標，晶圓載體10較佳地具有一自晶圓載體10之中心42延伸之參考軸50。因此，每一點P可由其距晶圓載體10之中心42之徑向距離R及其自參考軸50之角度θ來界定。

在完成對晶圓載體10之一掃描之後，記憶體裝置46將較佳地具有所有關於頂表面40之光致發光資料。記憶體裝置46亦較佳地含有關於晶圓載體10之幾何之資訊，包含凹槽(其固持晶圓12)與參考軸50之關係及此等凹槽距中心42之徑向距離。依據此資料，可計算出關於每一半導體晶圓12之資訊。亦即，藉由使輸入資料與其對應徑向坐標相配，並藉由將坐標與所儲存之關於晶圓載體10之幾何之資訊相比較，控制裝置18可正確地將來自每一光致發光量測之資料與適當晶圓12且與晶圓12上之一特定位置鏈接。

在本發明設備之此實施例中，一控制裝置18係經設計以充分運作該設備之所有組件。亦即，控制裝置18可適於控制馬達16之移動。控制裝置18亦較佳地經構形以藉由為平移機構30提供適當信號來控制光致發光裝置20之移動。此外，控制裝置18較佳地控制光致發光裝置20本身(包含幫浦束發射器22)及自其所發射之光之強度及頻率。如上文所述般，控制裝置18亦較佳地接收並處理來自收集光學器件24之輸入。控制裝置18可包含一程式化通用電腦或此一電腦之一部分，或可包含複數個實體上彼此分離但彼此連接之計算元件。

如上文所述之設備將較佳地加速基板(諸如半導體晶圓12)之總處理時間。除了消除如上所述自加載鎖102移除晶圓12以進行測試之所需時間以外，本發明設備可藉由批次地處理多個晶圓12進一步增加效率。亦即，該設備較佳地係經構造以掃描固持諸多晶圓12之晶圓載體10之整個頂表面40，而非一次一個地掃描每一晶圓12。

本發明包含較佳實施例之諸多替代方案，本文中並不對其全部進行闡述。舉例而言，雖然上文所述參考軸50較佳地係一由馬達16界定之軸，但在一替代實施例中可存在一連接至轉軸14之旋轉編碼器(未顯示)，該旋轉編碼器為控制裝置18提供關於角度θ之資料。另一選擇為一實體軸或晶圓載體10之頂表面40上的標記52可界定軸50。此標記52較佳地可藉由光致發光裝置20觀察到，諸如藉由用具有已知光致發光性質之材料構造標記52。以彼方式，控制裝置18可能夠在完成對表面40之完全掃描且使資料與所觀察到之參考軸50對準之後推斷出晶圓載體10之徑向定向。在另一替代方案中，實體標記52無需存在，且晶圓載體10之頂表面40之幾何可係旋轉不對稱的，舉例而言(例如)藉由使晶圓凹槽間之至少一個間隙比其他間隙大。在此實施例中，可比較來自頂表面40之完全掃描之資料與已知關於晶圓載體10之幾何之資訊，且控制裝置18可因此推斷出每一樣本點P之旋轉坐標並給適當晶圓12指派正確資料。藉由用不具光致發光性質之材料構造晶圓載體10，控制裝置18將能夠辨別晶圓12與載體10，且因此，裝置28將能夠給適當晶圓12指派正確資料。

此外，本發明不限於上述掃描晶圓載體10表面40之方式。可採用與本發明一致之替代方法。舉例而言，光致發光裝置20可藉由在同心圓中掃描來掃描表面40。例如，來自光致發光裝置20之束可在晶圓載體10之中心42處開始且沿一徑向方向向外步進一增量。然後，裝置20可在馬達16圍繞軸15完整旋轉晶圓載體10一次時進行掃描。然後，裝置20可再度向外步進且可再次旋轉載體10。可繼續此程序直至已掃描整個頂表面為止。在一類似替代方案中，裝置20可藉由在晶圓載體10持續旋轉時自中心42徑向向外逐漸移動來執行一向外螺旋式掃描。

在另一替代實施例中，平移機構30及導軌32可經配置以使得光致發光裝置20可沿二個維度跨越晶圓載體10之頂表面40平移。例如，可將導軌32安裝至諸如一第二導軌(未顯示)之另一裝置上，該另一裝置經構形以沿一垂直於導軌32之軸平移。根據本發明之此一實施例，可藉由(例如)以如上所述之一光柵掃描、一向外螺旋模式或一同心圓模式在載體10之整個頂表面40上方移動光致發光裝置20來掃描晶圓載體10。

在另一替代實施例中，可用一樞轉機構代替平移機構30，該樞轉機構可藉由沿一個或二個維度樞轉來到處移動光束。

應進一步注意，本發明並不限於將諸如光致發光裝置20等非接觸式材料特性化裝置定位在晶圓載體10之正上方之一位置中。可使用裝置20之替代配置。舉例而言，可將一鏡或其他光學裝置附接至平移機構30代替光致發光裝置20。在此一實施例中，可將光致發光裝置20設置在離光學裝置遙遠之一位置中，其中光致發光裝置20可經構形以朝向光學裝置投射光束並接收自光學裝置反射回之光。然後，光學裝置可朝向晶圓載體10之頂表面40重定向此等光束。然後，藉由以上文所述之方式相對於光致發光裝置20平移光學裝置，可類似地掃描晶圓載體10之頂表面40而無需平移光致發光裝置20本身。如上文所述，此光學裝置可類似地樞轉代替平移。

在另一替代方案中，無需將根據本發明之一設備與加載鎖102合併在一起。而可將該設備定位在一轉移室中並與其合併在一起，諸如在2008年2月15日申請且標題為「III-V材料之集群工具及程序(Cluster Tool and Process for III-V Materials)」[在後文中稱為「集群工具申請案」]之美國臨時申請案第61/066，031號中所顯示及闡述之轉移室，該臨時申請案之全部揭示內容以引用方式完全併入本文中。集群工具申請案之該轉移室係一與複數個毗鄰處理室連通之室。如在此申請案中所述，在擬對一基板執行多個不同程序(每一程序皆具有不同處理室)之情況下使用此一構形可係有益的。為加速此基板之總處理時間，該轉移室可適於提供一惰性氛圍，藉由該惰性氛圍可將該基板自一個處理室轉移至另一處理室。根據本發明，將本發明之設備併入此轉移室中可進一步加速基板之總處理時間，其中其可經構形以在該晶圓載體10位於該轉移室中時對其執行非接觸式材料特性化。

應進一步注意，雖然已結合一具體非接觸式材料特性化技術(亦即，光致發光光譜術)闡述本發明之上述實施例，但本發明並不限定於使用此技術。可結合本發明之設備使用任一其他非接觸式材料特性化技術。舉例而言，可藉由將一光束引導至一晶圓12之一表面上並偵測所反射束之位置來進行非接觸式表面曲率量測。此一表面曲率量測技術顯示及闡述於(例如)2005年5月12日申請、公開案第2005/0286058號且標題為「用於量測反射表面之曲率之方法及設備(Method and Apparatus for Measuring the Curvature of Reflective Surfaces)」之待審中之美國申請案第11/127，834號('834申請案)中，該申請案之全部揭示內容以引用方式完全併入本文中。

本發明之設備亦不限定於在完成一外延生長處理循環之後執行非接觸式材料特性化技術。該設備亦可在晶圓載體10在加載鎖102或轉移室中時，且在將晶圓載體10移動至一外延生長室100中用於處理之前對晶圓12執行一預運行檢查。舉例而言，根據本發明之一非接觸式材料特性化裝置可包含一撓度計，該撓度計可類似於'834申請案中所闡述之非接觸式表面曲率量測設備運作。具體而言，此撓度計可將一光束引導至一晶圓12之一表面上並偵測所反射束之位置。若所反射束之位置偏離其被期望之位置，則其可指示晶圓12未適當地坐落載體10上。例如，在將晶圓12加載在晶圓載體10上時一粒子在晶圓12下面時此可發生，且因此晶圓12不平行於載體10坐落。在對晶圓12執行處理之前獲取此資訊將係有益，此乃因不平行坐落在處理期間將可能引起至晶圓12之不均勻熱轉移。

此外，本發明涵蓋亦可與本發明一致地執行涉及與晶圓12實體接觸之材料特性化技術。舉例而言，可用一具有一探針之裝置代替上文所述之光致發光裝置20，該探針經構形以延伸至晶圓載體10之表面40，其中該探針測試與其接觸之材料。可將此裝置安裝至一如上所述之平移機構30，平移機構30可類似地移動該探針以使得其可掃描晶圓載體10之整個表面40。

雖然本文中已參照特定實施例對本發明進行了闡述，但應理解此等實施例僅圖解說明本發明之原理及應用。因此，應瞭解，可對說明性實施例進行大量修改且可在不背離隨附申請專利範圍所界定之本發明之主精神及範疇之情況下設計其他配置。

10．．．晶圓載體

12．．．晶圓

14．．．轉軸

15．．．軸

16．．．馬達

18．．．控制裝置

20．．．光致發光裝置

22．．．幫浦束發射器

24．．．收集光學器件

30．．．平移機構

32．．．導軌

40．．．頂表面

42．．．中心

44．．．外邊緣

46．．．記憶體裝置

50．．．參考軸

52．．．標記

100．．．外延生長室

102．．．加載鎖

104．．．室門

106．．．外部門

116．．．轉軸

P．．．樣本點

R．．．徑向距離

θ．．．角度

圖1係一根據本發明之一個實施例之一設備之示意圖。

圖2係一結合根據本發明之一個實施例之一設備之外延生長設備及加載鎖之一示意圖。

10．．．晶圓載體

12．．．晶圓

14．．．轉軸

15．．．軸

16．．．馬達

18．．．控制裝置

20．．．光致發光裝置

22．．．幫浦束發射器

24．．．收集光學器件

30．．．平移機構

32．．．導軌

40．．．頂表面

42．．．中心

44．．．外邊緣

46．．．記憶體裝置

50．．．參考軸

52．．．標記

P．．．樣本點

R．．．徑向距離

θ．．．角度

Claims (37)

1. 一種用於對基板執行非接觸式材料特性化之設備，其包括：(a)具有一或多個處理室之一外延生長設備，該處理室之第一者係適於在固持在一晶圓載體上之至少一基板上沈積物質，該外延生長設備具有一與該一或多個處理室連通且經組態以接收該晶圓載體之輔助室，該輔助室係一加載鎖或係一與複數個該處理室連通之轉移室；(b)一非接觸式材料特性化裝置，該非接觸式材料特性化裝置係經構造及配置，當該晶圓載體係設置於該輔助室中時，可對沈積在固持在該晶圓載體上之至少一個基板上之材料執行一非接觸式材料特性化技術；及(c)一控制器，其連接至該非接觸式材料特性化裝置且連接至該處理室之至少一者，該控制器係經構造及配置以自該非接觸式材料特性化裝置收集數據，並基於該經收集的數據調整在該處理室之至少一者中之處理條件。
2. 如請求項1之設備，其中該輔助室係一加載鎖。
3. 如請求項1之設備，其中該輔助室係一與複數個該處理室連通之轉移室。
4. 如請求項1之設備，其中該控制器係連接至該第一處理室，且其中該控制器係經構造及配置以基於該經收集的資訊調整在該第一處理室中之處理條件。
5. 如請求項1之設備，其中該控制器係連接至該處理室之 第二者，且其中該控制器係經構造及配置以基於該經收集的資訊調整在該第二處理室中之處理條件。
6. 如請求項1之設備，其中該非接觸式材料特性化裝置包括一用於執行光致發光光譜術之裝置。
7. 如請求項6之設備，其中該晶圓載體係由一大致不具有光致發光性質之材料構造而成。
8. 如請求項1之設備，其中該非接觸式材料特性化裝置係經構造及配置以引導至少一個輻射能束朝向該晶圓載體。
9. 如請求項8之設備，其進一步包括一用於移動該輻射能束跨越該晶圓載體表面之構件。
10. 如請求項9之設備，其中該用於移動該束之構件包括一樞轉機構。
11. 如請求項8之設備，其進一步包括一用於移動該輻射能束跨越該晶圓載體表面之平移機構。
12. 如請求項11之設備，其中該平移機構係經構造及配置以沿一個維度移動該束。
13. 如請求項11之設備，其中該晶圓載體具有一中心及一外邊緣，該平移機構係經構造及配置以在該中心與該外邊緣之間移動該束。
14. 如請求項11之設備，其中該平移機構係經構造及配置以沿二個維度移動該束。
15. 如請求項11之設備，其中該非接觸式材料特性化裝置係經構造及配置以跨越該晶圓載體表面執行一光柵掃描。
16. 如請求項11之設備，其中該非接觸式材料特性化裝置係經構造及配置以跨越該晶圓載體表面執行一向外螺旋式掃描。
17. 如請求項11之設備，其中該非接觸式材料特性化裝置係經構造及配置以跨越該晶圓載體表面執行一同心圓掃描。
18. 如請求項1之設備，其進一步包括一旋轉控制裝置，其連接至該晶圓載體，該旋轉控制裝置係經構造及配置以旋轉該晶圓載體。
19. 如請求項1之設備，其中該非接觸式材料特性化裝置係設置在該晶圓載體上方。
20. 一種用於對基板執行非接觸式材料特性化之方法，其包括以下步驟：(a)當晶圓載體係設置於一外延生長設備之一處理室中時，於固持在該晶圓載體上之至少一基板上沈積材料；(b)將該晶圓載體從該處理室移動至該外延生長設備之一輔助室中，該輔助室係一加載鎖或係與多個處理室連接之一轉移室；(c)當該晶圓載體係設置於該輔助室中時，對沈積在固持在該晶圓載體上之至少一個基板上之物質執行一非接觸式材料特性化技術；及(d)基於在執行該非接觸式材料特性化技術期間所獲得的資訊，調整在該外延生長設備中之處理條件。
21. 如請求項20之方法，其中該執行一非接觸式材料特性化技術之步驟包含執行光致發光光譜術。
22. 如請求項20之方法，其中該執行一非接觸式材料特性化技術之步驟包含引導至少一個輻射能束朝向該晶圓載體。
23. 如請求項22之方法，其中該引導步驟包含移動該輻射能束跨越該晶圓載體表面。
24. 如請求項23之方法，其中該移動該輻射能束之步驟包括沿一個維度移動一平移機構。
25. 如請求項23之方法，其中該晶圓載體具有一中心及一外邊緣，該移動該輻射能束之步驟包括在該中心與該外邊緣之間移動該束。
26. 如請求項23之方法，其中該移動該輻射能束之步驟包括沿二個維度移動一平移機構。
27. 如請求項22之方法，其進一步包括圍繞該載體之中心軸旋轉該晶圓載體的步驟。
28. 如請求項22之方法，其進一步包括監視該至少一個輻射能束所接觸之材料之若干性質中之一者或多者的步驟。
29. 如請求項28之方法，其進一步包括將該等所監視之性質儲存在一記憶體裝置中。
30. 如請求項28之方法，其進一步包括識別該至少一個輻射能束所接觸之該晶圓載體上之一位置的幾何坐標，且進一步包括使該等所監視之性質與對應於其之該幾何坐標相關聯。
31. 如請求項20之方法，其中該輔助室係一加載鎖。
32. 如請求項20之方法，其中該輔助室係與多個處理室連接之一轉移室。
33. 如請求項32之方法，其進一步包括基於在執行該非接觸式材料特性化技術期間所獲得的資訊，來選擇該等處理室中之一者以進行額外處理的步驟。
34. 如請求項32之方法，其中該調整在該外延生長設備中之處理條件之步驟包括調整在第二處理室中之處理條件。
35. 如請求項34之方法，其進一步包含將該晶圓載體移動至該第二處理室中以進行額外處理。
36. 如請求項20之方法，其中該調整在該外延生長設備中之處理條件之步驟包括調整在該處理室中之處理條件，以對欲於該處理室中執行之固持在該晶圓載體上之至少一個基板進行後續處理。
37. 如請求項20之方法，其中該調整在該外延生長設備中之處理條件之步驟包括調整在該處理室中之處理條件，以對欲於該處理室中執行之固持在第二晶圓載體上之至少一個第二基板進行處理。