TWI397682B - 液晶顯示裝置之基板檢測儀器及其檢測方法 - Google Patents

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Description

液晶顯示裝置之基板檢測儀器及其檢測方法
本發明關於一種液晶顯示裝置之基板檢測儀器，尤其關於一種能夠透過減少基板檢測時間來提高生產率的液晶顯示裝置之基板檢測儀器及其檢測方法。
通常，液晶顯示裝置(LCD)被設計依照視頻訊號調整液晶單元的透光率，以在液晶基板上形成對應視頻訊號的影像，其中液晶基板上液晶單元以陣列方式排列。
液晶顯示裝置包含兩塊透過封裝材料彼此接合的基板，以及形成在兩塊基板之間的液晶層。這兩塊基板中，下基板形成有薄膜電晶體和畫素電極等，上基板形成有彩色濾光片和共同電極等。就是說，下基板稱為薄膜電晶體陣列基板，上基板稱為彩色濾光陣列基板。
薄膜電晶體陣列基板和彩色濾光陣列基板分別透過獨立的製程完成，然後透過接合製程彼此接合。
同時，在接合製程之前，進行檢測處理以確定薄膜電晶體陣列基板上提供的每個畫素的薄膜電晶體是否正常操作。檢測處理需要檢測儀器。檢測儀器的設計方式是當其在薄膜電晶體陣列基板上垂直和水平移動時，檢測形成在薄膜電晶體陣列基板整個表面上的所有畫素電極。
上述檢測儀器包含調節器和相機。調節器包含共同電極和液 晶層，共同電極與形成在薄膜電晶體陣列基板上的畫素電極相結合產生電場，並且液晶層的透光率透過共同電極和畫素電極產生的電場變化。
「第1圖」所示為使用上文所述的習知技術的檢測儀器檢測薄膜電晶體陣列基板缺陷的方法。如「第1圖」所示，複數個薄膜電晶體陣列基板位於單一母板10上。
為了獨立檢測薄膜電晶體陣列基板，在檢測第一薄膜電晶體陣列基板1後，標號為22的檢測儀器水平移動以檢測第二薄膜電晶體陣列基板2。檢測儀器22再次在對角線方向移動以檢測第三薄膜電晶體陣列基板3。透過這種方式，檢測儀器22可依次檢測所有第一薄膜電晶體陣列基板1、第二薄膜電晶體陣列基板2、第三薄膜電晶體陣列基板3、第四薄膜電晶體陣列基板4、第五薄膜電晶體陣列基板5和第六薄膜電晶體陣列基板6。
檢測儀器22內包含的調節器不具有足夠覆蓋單一薄膜電晶體陣列基板所有區域的尺寸。因此，為了檢測單一薄膜電晶體陣列基板整個表面上的所有畫素，必需提前進行將薄膜電晶體陣列基板分成複數個區段並將調節器定位在每個區段上方的操作。
為此，對形成在單一基板上的所有畫素的檢測需要配向操作，用於移動調節器至每個區段，並精確地將調節器與區段配向。無論何時畫素的任何區段被檢測，這種配向操作必需提前進行。由於大量的區段，習知技術的檢測儀器的問題是整體處理時間過 度增加。
為了解決上述問題，盡管可以嘗試增加調節器尺寸至至少一個薄膜電晶體陣列基板的大小，但還有下述問題。
「第2圖」所示為當增加調節器尺寸時可能的問題。如「第2圖」所示，如果調節器30具有增加的面積，那麼調節器30的中央可能由於重力產生凹陷。調節器30的面積越大，其凹陷程度越大。
調節器30的這種凹陷不利地導致調節器30的中央部份接觸薄膜電晶體陣列基板1。考慮到薄膜電晶體陣列基板1的畫素電極暴露在外的因素，如果畫素電極位於薄膜電晶體陣列基板1與調節器30之間的接觸區域，那麼畫素電極的損壞是不可避免的。
當然，即使調節器30的中央凹陷，也有辦法防止調節器30與薄膜電晶體陣列基板1接觸。特別地，考慮到凹陷程度可增加調節器30與薄膜電晶體陣列基板1之間的空隙。然而，由於薄膜電晶體陣列基板1的中央部份距離調節器30仍然比薄膜電晶體陣列基板1的邊緣部份近，因此存在透過薄膜電晶體陣列基板1的中央部份的透光率與透過薄膜電晶體陣列基板1的邊緣部份的透光率之間存在巨大偏差的問題。這種透光率偏差不能令薄膜電晶體陣列基板1整個表面的畫質檢測的精確實現。為此，上述習知技術的檢測儀器22內包含的調節器30具有限制性尺寸，因此具有上文所述的處理時間增加的問題。
鑒於上述問題，本發明的主要目的在於提供一種解決習知技術的局限和缺陷導致的一個或多個問題的液晶顯示裝置之基板檢測儀器及其檢測方法。
本發明另一目的在於提供一種液晶顯示裝置之基板檢測儀器及其檢測方法，其中調節器具有複數個支撐柱，其表面對應薄膜電晶體陣列基板的非畫素區域，以在防止調節器中央凹陷的同時防止調節器與薄膜電晶體陣列基板接觸，因此與習知技術相比，可使用更大的調節器。
關於本發明之其它特徵及優點將於接下來的內容中提出，有些於內容敘述中即可明顯得知，而有些可於本發明之實施例中得知。本發明之目的以及其它優點，可藉由揭露之結構以及方法而實現，也可從揭露之圖式而得知。
因此，為達上述目的，本發明所揭露之一種液晶顯示裝置之基板檢測儀器，包含有：底座，基板位於底座上；調節器，位於底座上方，與基板相對，調節器用於檢測形成在基板上之各個畫素是否有缺陷；以及複數個支撐柱，形成在基板和調節器相對的其中一個表面。
本發明所揭露之另一種液晶顯示裝置之基板檢測儀器，包含有：底座，基板位於底座上；調節器，位於底座上方，與基板相對，調節器用於檢測形成在基板上之各個畫素是否有缺陷；以及 保護層，形成在與基板相對的調節器的一個表面。
本發明所揭露之一種液晶顯示裝置之基板檢測方法，係使用液晶顯示裝置之基板檢測儀器，液晶顯示裝置之基板檢測儀器包含：底座，基板位於底座上；調節器，位於底座上方，與基板相對，調節器用於檢測形成在基板上之各個畫素是否有缺陷；以及複數個支撐柱，形成在基板和調節器相對的其中一個表面，液晶顯示裝置之基板檢測方法包含：安座基板於底座上；配向調節器與基板；以及朝向基板移動調劑器，使支撐柱與基板接觸。
本發明所揭露之另一種液晶顯示裝置之基板檢測方法，係使用液晶顯示裝置之基板檢測儀器，液晶顯示裝置之基板檢測儀器包含：底座，基板位於底座上；調節器，位於底座上方，與基板相對，調節器用於檢測形成在基板上之各個畫素是否有缺陷；以及保護層，形成在與基板相對的調節器的一個表面，液晶顯示裝置之基板檢測方法包含：安座基板於底座上；配向調節器與基板；以及朝向基板移動調劑器，使支撐柱與基板接觸。
有關本發明的特徵與實作，茲配合圖式作最佳實施例詳細說明如下。
以下將結合附圖詳細描述本發明較佳實施例。附圖中相同的標號代表盡可能相同或相似的元件。
第一實施例
「第3圖」所示為本發明第一實施例液晶顯示裝置的基板檢測儀器的剖面圖。
如「第3圖」所示，本發明第一實施例液晶顯示裝置的基板檢測儀器包含：底座103，其上放置有薄膜電晶體陣列基板104；位於底座103上方與薄膜電晶體陣列基板104相對的調節器105，調節器105用於檢測形成在薄膜電晶體陣列基板104上的畫素是否有缺陷；形成在調節器105表面與薄膜電晶體陣列基板104相對的複數個支撐柱450；位於底座103下方的光源101；以及相機106，用於分析從光源101發出並依次通過第一偏光片102a、底座103、薄膜電晶體陣列基板104、調節器105和第二偏光片102b的光柱，以確定畫素是否有缺陷。
第一偏光片102a位於光源101和底座103之間。第二偏光片102b位於相機106和調節器105之間。第一偏光片102a和第二偏光片102b具有交叉的光傳輸軸。
薄膜電晶體陣列基板104包含複數條位於一個方向上的閘極線，複數條與閘極線交叉的資料線以及形成在閘極線與資料線交叉處附近的薄膜電晶體TFT。
畫素電極PE分別形成在閘極線和資料線定義的畫素內。
相機106是電荷耦合顯示器(CCD)相機106。
調節器105包含上基板111b、下基板111a、液晶層510、第一定向層222a、第二定向層222b以及共同電極244。
第一定向層222a形成在下基板111a的上表面。複數個支撐柱450形成在下基板111a的下表面。支撐柱450可具有3~20 μm的高度。
下基板111a和上基板111b彼此接合使第一定向層222a和第二定向層222b彼此相對。液晶層510形成在下基板111a和上基板111b之間。液晶層510包含扭轉向列液晶，液晶材料內的液晶分子被有機物質製成的囊包裹。
共同電極244和第二定向層222b依次形成上基板111b的下表面。第一和第二定向層222a和222b用於在一個方向定向液晶層510的液晶分子。
複數個柱狀間隔粒654形成在下基板111a和上基板111b之間。柱狀間隔粒654用於保持下基板111a和上基板111b之間不變的間隔。柱狀間隔粒654和支撐柱450由樹脂製成。
如「第3圖」所示，各個柱狀間隔粒654和各個支撐柱450可位於彼此對應的位置。
上基板111b的共同電極244與薄膜電晶體陣列基板104的各個畫素電極PE之間產生電場。電場可作用於位於畫素電極PE和共同電極244液晶層510的透光率。
支撐柱450形成在下基板111a的下表面。更特別地，支撐柱450形成在下基板111a的下表面，並對應薄膜電晶體陣列基板104的非畫素部份區域。更特別地，為了防止在薄膜電晶體陣列基板 104與調節器105彼此配向時支撐柱450接觸畫素電極PE，支撐柱450形成在下基板111a的下表面，以對應畫素電極PE。
為此，支撐柱450形成在下基板111a的下表面對應閘極線或資料線的位置，或對應閘極線和資料線交叉處的位置。
「第4圖」所示為薄膜電晶體陣列基板分佈的示意圖，「第5圖」所示為沿「第4圖」I－I線的剖面圖。
如「第4圖」和「第5圖」所示，支撐柱450位於非畫素的位置，以不接觸畫素電極PE。在「第4圖」和「第5圖」中，支撐柱450位於閘極線GL和資料線DL的交叉處。當然，選擇性地，支撐柱450可以形成在與閘極線GL相同的位置或與資料線DL相同的位置。
同時，如「第5圖」所示，薄膜電晶體TFT包含：形成在薄膜電晶體陣列基板104上的閘極GE；形成在包含閘極GE的薄膜電晶體陣列基板104的整個表面上的閘極絕緣層GI；形成在閘極絕緣層GI上以與閘極GE重疊的半導體層740；形成在半導體層兩側以與閘極GE的兩個邊緣重疊的歐姆接觸層741；以及形成在歐姆接觸層741上的源極SE/汲極DE。此處，標號770代表保護層。
如上所述，在本發明中，透過向調節器105提供複數個支撐柱450，即使調節器105的面積增加也可以防止調節器105的中央凹陷。
同時，考慮到調節器105中央的凹陷，位於調節器105中央的支撐柱450高於位於調節器105邊緣的支撐柱450。
現在，描述利用上文所述的液晶顯示裝置的基板檢測儀器的檢測薄膜電晶體陣列基板104的方法。
「第6圖」所示為使用「第3圖」所示的檢測儀器檢測薄膜電晶體陣列基板的方法。
首先，置備其上形成有薄膜電晶體TFT和畫素電極PE的薄膜電晶體陣列基板104。置備的薄膜電晶體陣列基板104安座在底座103上。
接著，將調節器105置於薄膜電晶體陣列基板104上方，並與之配向。此處，假定調節器105與薄膜電晶體陣列基板104尺寸相同。
透過上述的配向操作，安裝在調節器105上的支撐柱450被置於薄膜電晶體陣列基板104的非畫素區域。
接著，調節器105朝向薄膜電晶體陣列基板104降低直至接觸薄膜電晶體陣列基板104。在這種情況下，當支撐柱450接觸薄膜電晶體陣列基板104時，調節器105停止降低。
此處，由於支撐柱450支撐調節器105，因此調節器105的中央沒有凹陷。
然後，掃描脈沖(也就是用於測試的掃描脈沖)被依次加載至薄膜電晶體陣列基板104的閘極線GL，一次一條閘極線GL， 使連接至各條閘極線GL的薄膜電晶體TFT依次被開啟。此外，無論何時掃描脈沖加載至各條閘極線GL，資料電壓(也就是用於測試的資料電壓)被加載至資料線DL以向所有畫素提供資料電壓。同時，共同電壓(也就是用於測試的共同電壓)被加載至調節器105的共同電極244。
因此，各個畫素電極PE和共同電極244之間產生電場。電場變化畫素電極PE和共同電極244之間的液晶層510的透光率。
底座103下方的光源101發出的光柱依次通過第一偏光片102a、底座103、薄膜電晶體陣列基板104、第二偏光片102b和調節器105，以進入相機106。相機106分析光柱，以確定畫素是否有缺陷。
在這種情況下，薄膜電晶體陣列基板104和調節器105的整個表面均被分為複數個攝影區段D1至D9。相機106在從攝影區段D1至攝影區段D9移動時，透過對每個區段多次攝影捕捉薄膜電晶體陣列基板104整個表面的影像。
例如，「第6圖」所示為薄膜電晶體陣列基板104和調節器105，其中薄膜電晶體陣列基板104和調節器105均被分為九個攝影區段D1至D9。
當然，相機106具有對應薄膜電晶體陣列基板104面積的更寬的透鏡，可以一次對薄膜電晶體陣列基板104的所有面積進行攝影，而不用將其分成攝影區段D1至D9。然而，大尺寸的透鏡 的缺點是需要相當高的解析度。
因此，在本發明中，可嘗試增加調節器105尺寸，使之對應單一薄膜電晶體陣列基板104的尺寸，以允許調節器105和薄膜電晶體陣列基板104透過用於每個薄膜電晶體陣列基板104的單一配向操作彼此配向。
「第7圖」所示為使用「第3圖」的調節器對母板上形成的複數個薄膜電晶體陣列基板的檢測方法。
如「第7圖」所示，為了透過使用本發明的檢測儀器檢測單一母板800內的所有畫素，其中母板800上形成有複數個薄膜電晶體陣列基板104，用於將各個薄膜電晶體陣列基板801至806與調節器105配向的操作必需提前進行。此處，總共六片薄膜電晶體陣列基板801至806形成在單一母板800上，需要總共六次配向操作以檢測六片薄膜電晶體陣列基板801至806上形成的所有畫素。
同時，調節器105可具有對應母板800的尺寸，更確且地說，對應其上形成的複數個薄膜電晶體陣列基板801至806的母板800的尺寸。在這種情況下，調節器105可透過單一配向操作與所有下述六片薄膜電晶體陣列基板，即第一薄膜電晶體陣列基板801、第二薄膜電晶體陣列基板802、第三薄膜電晶體陣列基板803、第四薄膜電晶體陣列基板804、第五薄膜電晶體陣列基板805和第六薄膜電晶體陣列基板806配向。
為了檢測各個薄膜電晶體陣列基板801至806，在檢測完第一薄膜電晶體陣列基板801後相機106在水平方向移動，以檢測第二薄膜電晶體陣列基板802。然後，相機106再次在對角線方向移動，以檢測第三膜電晶體陣列基板803。透過這種方式相機106依次檢測所有第一至第六薄膜電晶體陣列基板801至806。
相機106分析通過薄膜電晶體陣列基板801至806的光柱，以確定形成在薄膜電晶體陣列基板801至806上的所有各個畫素是否有缺陷。
尤其是相機106使用預設的穿透率－電壓特性曲線判定每個畫素的透光率是否在允許範圍內，以確定每個畫素是有缺陷還是正常。特別地，如果已經通過任何畫素的光柱的透光率處於上述特性曲線中定義的透光率的允許範圍內，那麼相機106判定畫素為正常。相反，如果透光率偏離允許範圍，相機106判定畫素有缺陷。
第二實施例
「第8圖」所示為本發明第二實施例液晶顯示裝置的基板檢測儀器的剖面圖。
如「第8圖」所示，第二實施例液晶顯示裝置的基板檢測儀器包含：底座103，底座103上放置有薄膜電晶體陣列基板104；位於底座103上方與薄膜電晶體陣列基板104相對的調節器105，用於檢測形成在薄膜電晶體陣列基板104上形成的畫素是否有缺 陷；形成在調節器105表面與薄膜電晶體陣列基板104相對的複數個支撐柱450；發出光柱的光源101；用於將光源101發出的光柱偏光的第一偏光片102a；改變第一偏光片102a發出的光線的路徑的反射器199；光柱分離器188，用於當底座103反射的光柱傳輸時，朝向底座103改變反射器199發出的光線路徑；改變光柱分離器188發出的光柱相位的相襯板177(phase－contrast plate)；對相襯板177發出的光柱進行偏光的第二偏光片102b；以及相機106，用於分析第二偏光片102b發出的光柱以確定是否形成在薄膜電晶體陣列基板104上的所有各個畫素是有缺陷還是正常。
調節器105、第一偏光片102a、第二偏光片102b和相機106與第一實施例的調節器105、第一偏光片102a、第二偏光片102b和相機106相似，因此不再描述。
底座103的表面塗覆有反射材料。如果光柱從光柱分離器188傳輸至底座103，那麼光柱被反射材料反射，以再次傳輸至光柱分離器188。在被底座103反射以通過光柱分離器188後，光柱依次通過相襯板177和第二偏光片102b。
第二實施例的調節器105具有與第一實施例的調節器105相同的結構和效果。
第三實施例
「第9圖」所示本發明第三實施例液晶顯示裝置的基板檢測儀器的剖面圖。
第三實施例液晶顯示裝置的基板檢測儀器幾乎與上述第一實施例相似。差別僅在於「第9圖」所示的保護層123代替了支撐柱450。
保護層123形成在調節器105包含的下基板111a的整個下表面。
不同於上述支撐柱450，保護層123與畫素電極PE物理接觸。依照保護層123的尺寸，保護層123與薄膜電晶體陣列基板104上形成的所有畫素電極PE接觸，或者可以僅接觸薄膜電晶體陣列基板104上形成的部份畫素電極PE。
保護層123可選自下述材料組成的群組中的任何一種材料形成：聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚丙烯(PP)、低密度聚乙烯(LDPE)、高密度聚乙烯(HDPE)、聚苯乙烯(PS)、聚氯乙烯(PVC)和奈米纖維或上述材料的任何兩種或多種的組合。
由於保護層123接觸畫素電極PE，所以即使調節器105的尺寸增加也可以防止調節器105的中央凹陷。
第四實施例
「第10圖」所示本發明第四實施例液晶顯示裝置的基板檢測儀器的剖面圖。
本發明第四實施例液晶顯示裝置的基板檢測儀器幾乎與上述第二實施例相似。差別僅在於「第10圖」所示的保護層123代替了支撐柱450。
本發明第四實施例的保護層123與上文所述的第三實施例所述的保護層123相似。
顯然從上文的描述中，本發明的液晶顯示裝置的基板檢測儀器具有下述效果。
依照本發明，保護層或支撐柱形成在調節器的較低側，以防止調節器中央凹陷。因此，與習知技術相比，調節器可具有更大的面積，並且本發明的效果是減少調節器與薄膜電晶體陣列基板配向所需的時間。
此外，透過調節器和薄膜電晶體陣列基板之間的空氣間隔，本發明還具有提高調節器感應能力的效果。
雖然本發明以前述之實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。在不脫離本發明之精神和範圍內，所為之更動與潤飾，均屬本發明之專利保護範圍。關於本發明所界定之保護範圍請參考所附之申請專利範圍。
1、801‧‧‧第一薄膜電晶體陣列基板
2、802‧‧‧第二薄膜電晶體陣列基板
3、803‧‧‧第三薄膜電晶體陣列基板
4、804‧‧‧第四薄膜電晶體陣列基板
5、805‧‧‧第五薄膜電晶體陣列基板
6、806‧‧‧第六薄膜電晶體陣列基板
10、800‧‧‧母板
22‧‧‧檢測儀器
30、105‧‧‧調節器
101‧‧‧光源
102a‧‧‧第一偏光片
102b‧‧‧第二偏光片
103‧‧‧底座
104‧‧‧薄膜電晶體陣列基板
106‧‧‧相機
111a‧‧‧下基板
111b‧‧‧上基板
123‧‧‧保護層
177‧‧‧相襯板
188‧‧‧光柱分離器
199‧‧‧反射器
222a‧‧‧第一定向層
222b‧‧‧第二定向層
244‧‧‧共同電極
450‧‧‧支撐柱
510‧‧‧液晶層
654‧‧‧柱狀間隔粒
740‧‧‧半導體層
741‧‧‧歐姆接觸層
770‧‧‧保護層
PE‧‧‧畫素電極
TFT‧‧‧薄膜電晶體
GL‧‧‧閘極線
DL‧‧‧資料線
GI‧‧‧閘極絕緣層
GE‧‧‧閘極
SE‧‧‧源極
DE‧‧‧汲極
D1至D9‧‧‧攝影區段
第1圖為使用習知技術的檢測儀器檢測薄膜電晶體陣列基板缺陷的方法的示意圖；第2圖為增加調節器尺寸時可能導致的問題的示意圖；第3圖為本發明第一實施例液晶顯示裝置之基板檢測儀器的剖面圖；第4圖為薄膜電晶體陣列基板的分佈示意圖； 第5圖為沿第4圖I－I線的剖面圖；第6圖為使用第3圖所示的檢測儀器檢測薄膜電晶體陣列基板的方法的示意圖；第7圖為使用第3圖的調節器依次檢測形成在母板上的複數個薄膜電晶體陣列基板的方法的示意圖；第8圖為本發明第二實施例液晶顯示裝置之基板檢測儀器的剖面圖；第9圖為本發明第三實施例液晶顯示裝置之基板檢測儀器的剖面圖；以及第10圖為本發明第四實施例液晶顯示裝置之基板檢測儀器的剖面圖。
101‧‧‧光源
102a‧‧‧第一偏光片
102b‧‧‧第二偏光片
103‧‧‧底座
104‧‧‧薄膜電晶體陣列基板
105‧‧‧調節器
106‧‧‧相機
111a‧‧‧下基板
111b‧‧‧上基板
222a‧‧‧第一定向層
222b‧‧‧第二定向層
244‧‧‧共同電極
450‧‧‧支撐柱
510‧‧‧液晶層
654‧‧‧柱狀間隔粒
PE‧‧‧畫素電極

Claims (20)

  1. 一種液晶顯示裝置之基板檢測儀器，包含有：一底座，一基板位於該底座上；一調節器，位於該底座上方，與該基板相對，該調節器用於檢測形成在該基板上之各個畫素是否有缺陷；以及複數個支撐柱，形成在該基板和該調節器相對的其中一個表面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置之基板檢測儀器，其中：該基板包含形成在各個畫素內的複數個畫素電極以及複數條交叉的閘極線和資料線；以及該支撐柱形成在該基板與該調節器相對的其中一個表面，使該支撐柱位於一非畫素區域。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之液晶顯示裝置之基板檢測儀器，其中該支撐柱形成在該基板與該調節器相對的其中一個表面，使該支撐柱位於該閘極線和該資料線處。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置之基板檢測儀器，其中該支撐柱形成在該調劑器之一表面。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置之基板檢測儀器，其中該調節器包含：一上基板，形成有一共同電極；一下基板，位於該上基板與該基板之間，並與該上基板接 合；以及一液晶層，形成在該上基板與該下基板之間，該液晶層的透光率藉由該基板之該畫素電極與該共同電極之間產生之一 電場變化。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之液晶顯示裝置之基板檢測儀器，其中該支撐柱形成在與該上基板之一表面相對之該下基板之一表面。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之液晶顯示裝置之基板檢測儀器，其中該調節器更包含：複數個間隔體，形成在該上基板與該下基板之間，以保持該上基板與該下基板之間之間隔；以及一封裝材料，用於接合該上基板與該下基板；其中，該支撐柱與該間隔體或該封裝材料由相同材料製成。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置之基板檢測儀器，其中更包含：一光源，用於發射一光柱；一第一偏光片，用於將該光源發出的該光柱偏光；一第二偏光片，用於接收並偏光該光柱，該光柱由該光源發射並依次通過該第一偏光片、該底座、該基板以及該調節器；以及 一相機，用於分析該第二偏光片發出之該光柱，以確定形成在該薄膜電晶體陣列基板上之該畫素是否有缺陷。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置之基板檢測儀器，其中更包含：一光源，用於發射一光柱；一第一偏光片，用於將該光源發出的該光柱偏光；一反射器，用於改變該第一偏光片發出之該光柱之一路徑；一光柱分離器，用於在該底座反射的該光柱傳輸時，將該反射器的該光柱的路徑朝向該底座改變；一相襯板，用於改變該光柱分離器發出的該光柱的相位；一第片偏光片，用於將該相襯板發出的該光柱偏光；以及一相機，用於分析該第片偏光片發出之該光柱，以確定形成在該薄膜電晶體陣列基板上之該畫素是否有缺陷。
  10. 如申請專利範圍第8項或第9項所述之液晶顯示裝置之基板檢測儀器，其中：與該基板相對之一檢測單元之表面具有覆蓋該基板所有區域的尺寸；該相機將拍攝的該基板的一區域小於該基板的整個面積；以及當該相機移動以拍攝整個基板時，該檢測單元保持在一固 定位置。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之液晶顯示裝置之基板檢測儀器，其中該相機為電荷耦合顯示器(CCD)相機。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置之基板檢測儀器，其中該支撐柱彼此高度不同。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之液晶顯示裝置之基板檢測儀器，其中位於該調節器中央的該支撐柱高於位於該調節器邊緣的該支撐柱。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置之基板檢測儀器，其中該支撐柱高度為3~20 μm。
  15. 一種液晶顯示裝置之基板檢測儀器，包含有：一底座，一基板位於該底座上；一調節器，位於該底座上方，與該基板相對，該調節器用於檢測形成在該基板上之各個畫素是否有缺陷；以及一保護層，形成在與該基板相對的該調節器的一個表面。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之液晶顯示裝置之基板檢測儀器，其中該保護層由選擇下述材料組成的群組中的任何一種材料形成：聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚丙烯(PP)、低密度聚乙烯(LDPE)、高密度聚乙烯(HDPE)、聚苯乙烯(PS)、聚氯乙烯(PVC)和奈米纖維或上述材料的任何兩種或多種的組合。
  17. 如申請專利範圍第15項所述之液晶顯示裝置之基板檢測儀 器，其中該保護層形成在與該基板相對的該調劑器之一表面。
  18. 一種液晶顯示裝置之基板檢測方法，係使用一液晶顯示裝置之基板檢測儀器，該液晶顯示裝置之基板檢測儀器包含：一底座，一基板位於該底座上；一調節器，位於該底座上方，與該基板相對，該調節器用於檢測形成在該基板上之各個畫素是否有缺陷；以及複數個支撐柱，形成在該基板和該調節器相對的其中一個表面，該液晶顯示裝置之基板檢測方法包含：安座該基板於該底座上；配向該調節器與該基板；以及朝向該基板移動該調劑器，使該支撐柱與該基板接觸。
  19. 一種液晶顯示裝置之基板檢測方法，係使用一液晶顯示裝置之基板檢測儀器，該液晶顯示裝置之基板檢測儀器包含：一底座，一基板位於該底座上；一調節器，位於該底座上方，與該基板相對，該調節器用於檢測形成在該基板上之各個畫素是否有缺陷；以及一保護層，形成在與該基板相對的該調節器的一個表面，該液晶顯示裝置之基板檢測方法包含：安座該基板於該底座上；配向該調節器與該基板；以及朝向該基板移動該調劑器，使該支撐柱與該基板接觸。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之液晶顯示裝置之基板檢測方法，其中更包含： 保持該調節器於一固定位置；以及於該調節器上移動一相機時拍攝通過該基板和該調節器之一光柱。
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