TWI381783B

TWI381783B - 熱壓機構

Info

Publication number: TWI381783B
Application number: TW97124793A
Authority: TW
Inventors: Chien Fa Wang; Wen Chun Chen; Ming Hui Chen
Original assignee: Au Optronics Corp
Priority date: 2008-07-01
Filing date: 2008-07-01
Publication date: 2013-01-01
Also published as: TW201004522A

Description

熱壓機構

本發明係一種熱壓機構，特別是一種在熱壓頭之側壁包覆隔熱材的熱壓機構。

習知的液晶面板係透過熱壓機構將電子晶片與液晶面板做熱壓接合。請參照第1圖，習知的熱壓機構包含熱壓著頭10及夾具43，其中熱壓著頭10具有壓著面11以及側壁12。熱壓著頭10係由不銹鋼或高導熱陶瓷等高導熱材質所製成，以使熱壓著頭10迅速地加熱至工作溫度。

在熱壓過程中，熱壓著頭10係被加熱至工作溫度，工作溫度約230℃至450℃。接著壓制於基板上的待熱壓件，以高溫加熱待壓著件，使銲料或接合劑融熔。移除熱壓著頭10，待銲料或接合劑固化後，即完成固定待熱壓件於基板上的作業。然而，基板上其餘區域的元件並不必然能承受高溫；以液晶面板為例，玻璃基板上的偏光片僅可耐熱至80℃。對於早期的液晶面板而言，由於顯示區域以外的面積較為寬廣，待熱壓著的電子晶片與偏光片的距離也較遠，因此熱壓著頭10的高溫並不會對不甚耐熱的偏光片造成影響。

然而在日益要求各種電子產品必須輕薄短小的今日，薄框窄邊的液晶顯示器已經成為市場主流，因此液晶面板顯示區域外的面積愈來愈小，連帶使得電子晶片與偏光片的距離愈來愈近，儘管透過各種冷卻方式加以冷卻，在實務上，仍然可見偏光片因熱壓著頭的高溫而損壞的情況發生。

熱壓著頭對外導熱的路徑包含熱傳導及熱輻射，其中熱傳導係透過被壓著的基板傳遞，熱輻射不需要介質，且空間熱通量會隨熱壓著頭之溫度上升而上升。熱對流由周遭空氣對流傳遞，在適當的開放空間下，經由自然對流傳遞的熱量會立即逸散至周遭空氣中。

針對熱傳導的問題，主要的方式係以冷卻氣流對基板受熱區域進行冷卻，但冷卻氣流同時也直接帶走熱壓著頭之熱量，使熱壓著頭之加熱效率降低。日本專利公開號JP 2005-121709專利案，提出一種間接冷卻方式，係將基板放置於一端子部上進行熱壓，對端子部進行氣冷，以端子部吸收基板熱量，藉以避免冷卻氣流降低熱壓著頭之加熱效率。然而，日本專利公開號JP 2005-121709專利案並未提出隔絕熱輻射的辦法。

針對熱輻射問題，日本專利公開號JP 2001-201727專利公開案，揭露一種將遮蔽部材放置於熱壓著頭與偏光片之間的裝置，使熱壓著頭之熱能無法經由熱輻射傳遞至偏光片。但JP 2001-201727專利的遮蔽部材會對基板進行氣冷造成阻礙，反而無法避免熱壓著頭之熱能透過熱傳導的方式，經由基板傳遞至偏光片。

有鑑於此，本發明目的在於提供一種熱壓機構，係可隔絕熱輻射，又可避免對基板進行氣冷而造成熱壓機構加熱效率不佳的問題。

為了達成上述目的，本發明提出一種熱壓機構，包含：一熱壓著頭及一隔熱材。熱壓著頭具有提一壓著面與一鄰接於壓著面的側壁，隔熱材係覆蓋在熱壓著頭的側壁上，其中隔熱材的熱傳導係數的範圍可介於0.13×10^-2 W/m-K至2.00 W/m-K之間，且熱壓著頭之熱傳導係數應大於隔熱材之熱傳導係數。隔熱材隔絕熱壓著頭以熱輻射與熱對流方式傳遞熱量至非熱壓壓著區域，避免熱壓過程中，導致進行熱壓的基板因高溫而損壞的問題。

由於熱壓著頭之側壁係被隔熱材所包覆，因此在將電子晶片熱壓於液晶面板上的過程中，熱壓著頭與偏光片之間的熱輻射路徑被隔熱材所阻絕，使熱壓著頭之熱能難以傳遞至偏光片，進一步使得未被熱壓著頭熱壓的區域不致因熱壓著頭之高溫而損壞。此外，進行氣冷時，隔熱材可避免熱壓著頭被氣流冷卻，維持對熱壓著頭之加熱效率。

因此，本發明解決了習知的熱壓機構所伴隨的偏光片容易因熱壓著頭的高溫而損壞的問題。

如第2圖、第3A圖與第3B圖所示，為本發明第一實施例所揭露的一種熱壓機構，包含：熱壓著頭10、隔熱材20、加熱平台30與傳動裝置40。加熱平台30作為一主體支撐結構，置放於地面。傳動裝置40連接加熱平台30，帶動熱壓著頭10移動，以改變熱壓著頭10於加熱平台30上的位置。

請參閱第3A圖與第3B圖，熱壓著頭10具有壓著面11與側壁12，其中側壁12鄰接於壓著面11，且環繞壓著面11之邊緣。熱壓著頭10用以被加熱後產生高溫，以壓著面11接觸待熱壓的銲料或融接件，藉以對銲料或融接件加熱。隔熱材20披覆於側壁12上，用以隔絕熱量自側壁12以熱輻射或熱對流方式逸散，避免未被壓著面11接觸的部分收到高溫影響，同時，降低熱量自側壁12逸散也提高對熱壓著頭10的加熱效率。為了有效隔絕熱量自側壁12逸散，隔熱材20需要在熱壓著頭10的側壁12外形成相對較高熱阻，因此熱壓著頭10之熱傳導係數應大於隔熱材20之熱傳導係數，以使熱傳導係數相對較低的隔熱材20於側壁12外部形成高熱阻。

如第2圖與第4圖所示，加熱平台30包含底板31、基座32及鉆台33，底板31放置於地面，且基座32及鉆台33設置於底板31上。鉆台33係供基板50放置於其上，基板可為但不限定於設置偏光片51的玻璃基板。待壓著件52(例如晶片)係放置於基板50上，且基板50的位置經調整過後，可使待壓著件52移動至鉆台33正上方，並位於熱壓著頭10之下。基座32係設置於底板31上，且傳動裝置40連接基座32與熱壓著頭10，使基座32垂直於壓著面11。傳動裝置40用以帶動熱壓著頭10朝向鉆台33移動，而壓制於待熱壓件52上。基座32具備水平導軌321，傳動裝置40係設置水平導軌321上，而可沿第一水平方向移動。傳動裝置40包含水平調整件41、傾角調整件42及夾具43。水平調整件41與傾角調整件42係互相連接，且夾具43連接於傾角調整件42。熱壓著頭10係被夾具43夾持，水平調整件41微調夾具43於第二水平方向上移動，且傾角調整件42可微調夾具43之傾斜角，以將熱壓著頭10移動至預定位置，並使壓著面11平行於基板50。

再參照第4圖所示，熱壓機構另包含散熱裝置60，對應於隔熱材20設置，用以降低隔熱材20之表面溫度，並對基板50進行冷卻。散熱裝置60係為一空氣冷卻裝置，用以產生一冷卻氣流通過隔熱材20表面，以降低隔熱材20表面溫度。當熱壓著頭10於基板50上壓著待熱壓件52時，熱量主要經過兩個途徑對外傳導：其一為直接熱輻射傳遞至基板50其他部分，但由於隔熱材20已經阻絕了高溫熱輻射的途徑，因此熱壓著頭10並不會透過熱輻射的途徑，傳遞大量熱能至基板50其他部分。其二為基板50直接由壓著面11接受的熱量，可在基板50局部位置產生高溫，且以直接熱傳導的途徑傳遞至基板50其他部分，而導致其餘的元件同樣遭受高溫。冷卻氣流吹向基板50之受熱區域可以帶走熱量，使基板50局部不會聚積熱量產生高溫。以較佳的實施方式而言，氣流可橫向吹過基座50，使吸熱的氣流由側向流走，而不會通過偏光片51，但本發明並不以此為限。

請參閱第2圖、第5A圖與第5B圖，其分別揭示不同的冷卻氣流流向。冷卻氣流可由基座32吹向基板50上表面，帶走基板50表面局部高溫區域的熱量，並冷卻隔熱材20表面，亦即冷卻氣流之方向垂直於隔熱材20之表面，且平行於基板50之表面。冷卻氣流亦可直接吹向基板50下表面，僅集中冷卻基板50的局部區域，亦即冷卻氣流之方向平行於隔熱材20之表面，且垂直於基板50之表面。

熱壓著頭10工作時的中心溫度範圍為230℃至450℃，以融化銲料或是融接件。為了使熱壓著頭10表面，特別是壓著面11的溫度與中心溫度之間不會有過大的溫差，熱壓著頭10之材質須具備高導熱係數，此外熱壓著頭10之材質，應當在230℃至450℃的工作溫度時，不致於產生晶型變化或化學反應，以維持材質的物理特性。針對上述需求，熱壓著頭10之材質可為不銹鋼或高導熱陶瓷，但本發明並不以此為限。不銹鋼係選用熱傳導係數相對較高且熱膨脹係數相對較低的類型，其可為麻田散鐵系不銹鋼(martensitic stainless steel)、肥粒鐵系不銹鋼(Ferritic stainless steel)或析出硬化型不銹鋼(Precipitation hardening stainless steel)。以JIS規範為例，麻田散鐵系不銹鋼包含：SUS403或SUS420，肥粒鐵系不銹鋼包含：SUS405、SUS430或S430LX，析出硬化型不銹鋼則包含SUS630，但本發明並不以此為限。

陶瓷具備高硬度、低熱膨脹係數的優點，且陶瓷係以極高溫度燒結而成，因此在中心溫度到達230℃至450℃時，不易出現晶格變化或是化學反應。燒結陶瓷的原料中，只要加入高導熱材質共同燒結為高導熱陶瓷，就可以使陶瓷進一步具備高導熱係數，以製作熱壓著頭。高導熱材質主要為氮化物陶瓷，例如：氮化鋁陶瓷、氮化鋁之同素異構物、氮化矽陶瓷、氮化矽之同素異構物、氮化硼陶瓷或氮化硼之同素異構物。

隔熱材20於工作時，較佳的表面溫度範圍可介於23℃至80℃之間，如此即可避免高溫熱輻射影響未被熱壓著頭10之壓著面11接觸的元件，也可以避免吹過熱壓著頭10周遭的冷卻氣流被加熱為高溫熱風，但本發明並不以此為限。以較佳的實施方式而言，隔熱材20之厚度範圍介於50μm至150μm之間，為了使隔熱材20表面之溫度能介於23℃至80℃之間，隔熱材20之熱傳導係數的範圍可介於0.13×10^-2 W/m-K至2.00 W/m-K之間，但本發明並不以此為限。隔熱材20之材質包括：隔熱陶瓷或耐火氧化物。

隔熱陶瓷係於陶瓷燒結過程中，加入高熱阻材質，亦即低熱傳導係數的材質，例如氧化鋯，共同燒結形成隔熱陶瓷，但本發明並不以此為限。氧化鋯之晶型一般可由燒結溫度與冷卻速率決定，包括單斜晶型、四方晶型或立方晶型。為加強氧化鋯隔熱耐火特性，氧化鋯另可添加穩定劑，以形成穩定型氧化鋯，其中穩定劑可選自由氧化鈣、氧化鎂、氧化鈰與氧化釔所組成的群組，但本發明並不以此為限。

耐火氧化物可為氧化釷、氧化鎂、氧化鋅、氧化鋁、氧化鋯、氧化矽、或鋁鎂氧化物(尖晶石MgAl₂O₄)等氧化物；氧化物也可以是矽酸鹽或鈦酸鹽，例如：矽酸鈣或矽酸鋁(高嶺土Al₂O₃‧2SiO₂‧2H₂O/富鋁紅柱土3Al₂O₃‧2SiO₂)等；此外，常見的耐火隔熱礦物亦可作為隔熱材20的材料，例如：雲母或石綿等。

請參照第6圖，其為熱壓著頭10與隔熱材20的溫度分佈示意圖。熱壓著頭10中心具備最高溫度，如前所述，此一最高溫度介於230℃至450℃。隨著距離中心的水平距離增加，溫度也隨之遞減，使熱壓著頭10的側壁12具備較低的溫度。熱壓著頭10整個外表面需要具備均勻的溫度分佈，且必須接近中心溫度，因此熱壓著頭10之材質必須以高熱傳導係數的材質製成，以降低溫度向外遞減的比率。圖中溫度曲線之斜率與導熱係數成反比，當熱傳導係數越高時，溫度曲線之斜率越小，而使得側壁12的溫度越接近中心溫度。低熱傳導係數的隔熱材20披覆於側壁12之上，隔熱材20於側壁12之上形成一熱阻，因此於隔熱材20中的溫度曲線斜率，將遠大於在熱壓著頭10中的溫度曲線斜率，因此只要很小的水平距離變化，就可以有足夠的溫度遞減。此外，隔熱材20與熱壓著頭10之間也會形成一接觸熱阻，造成溫度變化的不連續現象。因此，隔熱材20在極短的距離內(約100μm)，將溫度自230℃至450℃下降至23℃至80℃之間。也就是說，在不降低熱壓著頭10之中心溫度的前提下，隔熱材20外表面的溫度可控制在23℃至80℃之間，大幅降低對周遭的熱傳量。

請再參閱第7圖及第8圖，其為本發明第二實施例所揭露的一種熱壓機構。於第二實施例中，熱壓著頭10與隔熱材20之間具有一間隙21，除可減少熱壓著頭10與隔熱材20之間的接觸面積外，更可進一步提升熱壓著頭10與隔熱材20之間的接觸熱阻。以較佳的實施方式而言，間隙21可為一真空間隙，熱傳路徑將會僅存熱輻射，使真空間隙的等效熱傳導係數降低至約0.13×10^-2 W/m-K左右，但本發明並不以此為限。如第8圖所示，真空間隙造成更大的溫度曲線斜率，使溫度下降現象更明顯，因而可進一步縮小隔熱材20之厚度，達成相同的隔熱效果。

請參閱第9圖，其為本發明第三實施例所揭露的一種熱壓機構。熱壓著頭10在反覆地以壓著面11施壓於銲料或融接件的過程中，會逐漸受到磨損，而使得表面不平整。不平整的壓著面11除了無法均勻的接觸待加熱件表面且施加壓力外，也容易被融熔的物質沾粘，而影響熱壓效果。於本發明第三實施例中，熱壓著頭10之壓著面11可設置一硬化膜13，以硬度相對高於熱壓著頭10硬度的材質製作，用以保護壓著面11不致因反覆熱壓的過程而損壞。壓著面11經過化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，CVD)或物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition)製程，可於壓著面11上形成鑽石膜或類鑽碳膜，其即為硬化膜13，但本發明並不以此為限。以較佳的實施方式而言，為提升穩定性，硬化膜13可再進行鈍化處理，以滲入氣體原子或分子，例如：氮、氟、氫或氧，使硬化膜13之物理或化學性質不受高溫影響，但本發明並不以此為限。此外，於沈積硬化膜13之前，壓著面11上可先形成一接合層14(例如金屬層或陶瓷層)，用以接合硬化膜13於壓著面11上，以避免熱壓著頭10之材質與硬化膜13之材質無法有效結合的問題發生。

如第10圖與第11圖所示，其為本發明第四實施例所揭露的一種熱壓機構。如前所述，熱壓著頭10為不銹鋼或高導熱陶瓷等剛性相對較高的材料所製成，必須施加極大的接觸壓力才能使壓著面11與被加熱件有緊密的面接觸。於第四實施例中，熱壓機構可另包含一彈片15，設置於壓著面11上，彈片15之一端或二端連接於壓著面11邊緣。當熱壓著頭10進行熱壓時，彈片15可被壓縮為平整狀，且介於壓著面11與待熱壓件之間，待彈片15經壓縮變形之後，即可與待熱壓件產生緊密的面接觸，以使熱壓著頭10能均勻地對待熱壓件施壓並進行加熱。

請參閱第12A圖與第12B圖，其為本發明第五實施例所揭露的一種熱壓機構。於第五實施例中，熱壓著頭10之壓著面11形成複數個突出的壓著部111。當熱壓著頭10將待壓著件熱壓著於基板時，突出的壓著部111恰可壓著於每一接點，而僅對接點周圍的局部區域加熱，藉以同時壓著複數個接點，又不會過度對基板加熱。壓著部111之排列配置，需依據待壓著元件之接點排列狀況而定。

如第13A圖與第13B圖所示，其為本發明第六實施例所揭露的一熱壓機構，此一熱壓機構包含複數個連動的熱壓著頭10，且各熱壓著頭10之壓著面11係位於不同水平高度。當熱壓著頭10共同被傳動裝置帶動朝向基板50進行壓著時，各熱壓著頭10可構成不同的壓著高度。因設置位置或結構的差異，基板50上可配置不同類型的待壓著件52，每一待壓著件52可具備不同的壓著高度。當複數個連動的熱壓著頭10之壓著面11高度不同，且壓著面11配合各待壓著件52之壓著高度配置時，就可以同時對複數個不同類型的待壓著件52進行壓著，以降低生產週期並達到大量生產的目的。此外，每一熱壓著頭10之壓著面11的高度均可獨立調整，以配合待壓著件52之變化。熱壓著頭10之連動方式，除了同步連動外，亦可採取非同步連動。

於前述實施例中，係以矩型橫截面的熱壓著頭作為說明，但熱壓著頭之型態並不限定於矩型截面的柱體。

請參閱第5A圖、第5B圖與第14A圖，其為本發明第七實施例所揭露的熱壓著頭10，其中熱壓著頭10為一柱體，其橫截面為任意多邊形，隔熱材20係設置於熱壓著頭10之側壁12上。此外，熱壓著頭10之側壁12包含複數個平面，隔熱材20可披覆於該等平面其中之一上，特別是接近未被熱壓著頭10壓著的元件(例如：偏光片51)的那一面，但本發明並不以此為限。

如第14B圖所示，其為本發明第八實施例所揭露的熱壓著頭10，其中熱壓著頭10為一圓柱體，其橫截面為圓形，隔熱材20係披覆於熱壓著頭10之側壁12上。

如第15A圖及第15B圖所示，其為本發明第九實施例所揭露的熱壓著頭10，其中熱壓著頭10為非對稱型，其壓著面11為長方形，隔熱材20係披覆於熱壓著頭10之側壁12上。

如參閱第16A圖及第16B圖，其為本發明第十實施例所揭露的熱壓著頭10，側壁12之至少一表面上具有複數個溝槽70，藉以降低突出區域之剛性，而平衡加熱面之壓著力量。

請參閱第17A圖及第17B圖，其為本發明第十一實施例所揭露的熱壓著頭10。隔熱材20除可完整地覆蓋在側壁12上以外，隔熱材20亦可覆蓋於部分的側壁12上。以橫截面為矩型的熱壓著頭10為例，熱壓著頭10之側壁12係由四個平面互相連結而成，隔熱材20可覆蓋於四個平面其中之一上。以較佳的實施方式而言，此一平面可位於冷卻氣流吹過之一側，以避免熱壓著頭10之熱量被帶走，影響熱效率，同時也避免冷卻氣流被直接加熱成具備高溫的熱風，而對基板進行加熱，但本發明並不以此為限。

雖然本發明的技術內容已經以較佳的實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何具有本發明所屬技術領域之通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，皆應涵蓋在本發明的範疇內，因此本發明之保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10‧‧‧熱壓著頭

11‧‧‧壓著面

111‧‧‧壓著部

12‧‧‧側壁

13‧‧‧硬化膜

14‧‧‧接合層

15‧‧‧彈片

20‧‧‧隔熱材

21‧‧‧間隙

30‧‧‧加熱平台

31‧‧‧底板

32‧‧‧基座

321‧‧‧水平導軌

33‧‧‧鉆台

40‧‧‧傳動裝置

41‧‧‧水平調整件

42‧‧‧傾角調整件

43‧‧‧夾具

50‧‧‧基板

51‧‧‧偏光片

52‧‧‧待壓著件

60‧‧‧散熱裝置

70‧‧‧溝槽

第1圖為習知的熱壓機構之側面示意圖。

第2圖為本發明第一實施例之立體圖。

第3A圖為第一實施例中，熱壓著頭與隔熱材的立體圖。

第3B圖為第一實施例中，熱壓著頭與隔熱材的剖面示意圖。

第4圖為第一實施例中，部分元件之側面示意圖。

第5A圖為第一實施例中，部分元件之側面示意圖。

第5B圖為第一實施例中，部分元件之側面示意圖。

第6圖為第一實施例中，熱壓著頭與隔熱材的溫度分佈示意圖。

第7圖為本發明第二實施例之剖面示意圖。

第8圖為第二實施例中，熱壓著頭與隔熱材的溫度分佈示意圖。

第9圖為本發明第三實施例之剖面示意圖。

第10圖與第11圖為本發明第四實施例之剖面示意圖。

第12A圖與第12B圖為本發明第五實施例之立體圖。

第13A圖與第13B圖為本發明第六實施例之側面示意圖。

第14A圖為本發明第七實施例之立體圖。

第14B圖為本發明第八實施例之立體圖。

第15A圖為本發明第九實施例之立體圖。

第15B圖為第九實施例之剖面示意圖。

第16A圖為本發明第十實施例之立體圖。

第16B圖為第十實施例之剖面示意圖。

第17A圖為本發明第十一實施例之立體圖。

第17B圖為本發明第十一實施例之剖面示意圖。

10‧‧‧熱壓著頭

11‧‧‧壓著面

12‧‧‧側壁

20‧‧‧隔熱材

Claims

一種熱壓機構，包含：一熱壓著頭，具有一壓著面與一側壁鄰接於該壓著面；以及一隔熱材，覆蓋在該側壁上，該隔熱材之熱傳導係數範圍介於0.13×10^-2 W/m-K至2.00 W/m-K之間，且該熱壓著頭之熱傳導係數大於該隔熱材之熱傳導係數。
如申請專利範圍第1項所述之熱壓機構，其中該隔熱材的厚度範圍介於50μm至150μm之間。
如申請專利範圍第1項所述之熱壓機構，其中該隔熱材為隔熱陶瓷。
如申請專利範圍第3項所述之熱壓機構，其中該隔熱陶瓷包含氧化鋯。
如申請專利範圍第4項所述之熱壓機構，其中該氧化鋯的晶型係選自由單斜晶型、四方晶型與立方晶型所構成的群組。
如申請專利範圍第4項所述之熱壓機構，其中該氧化鋯另添加一穩定劑，該穩定劑係選自由氧化鈣、氧化鎂、氧化鈰與氧化釔所組成的群組。
如申請專利範圍第1項所述之熱壓機構，其中該熱壓著頭與該隔熱材之間存在一間隙。
如申請專利範圍第7項所述之熱壓機構，其中該間隙為一真空間隙。
如申請專利範圍第1項所述之熱壓機構，其中該熱壓著頭之中心溫度範圍介於230℃至450℃之間。
如申請專利範圍第1項所述之熱壓機構，其中該隔熱材之表面溫度範圍介於23℃至80℃之間。
如申請專利範圍第1項所述之熱壓機構，其中該熱壓著頭之材質包含不銹鋼。
如申請專利範圍第11項所述之熱壓機構，其中該不銹鋼係選自由SUS403、SUS420、SUS405、SUS430、S430LX與SUS630所構成的群組。
如申請專利範圍第1項所述之熱壓機構，其中該熱壓著頭之材質包含一高導熱陶瓷。
如申請專利範圍第13項所述之熱壓機構，其中該高導熱陶瓷係選自由氮化鋁、氮化鋁之同素異構物、氮化矽、氮化矽之同素異構物、氮化硼與氮化硼之同素異構物所構成的群組。
如申請專利範圍第1項所述之熱壓機構，另包含一硬化膜，設置於該壓著面上。
如申請專利範圍第1項所述之熱壓機構，另包含一彈片，設置於該壓著面上。
如申請專利範圍第1項所述之熱壓機構，另包含一散熱裝置，對應於該隔熱材設置，用以降低該隔熱材之表面溫度。
如申請專利範圍第17項所述之熱壓機構，其中該散熱裝置係為一空氣冷卻裝置。
如申請專利範圍第1項所述之熱壓機構，其中該壓著面上形成有複數個突出的壓著部。
一種熱壓機構，包含：一熱壓著頭，具有一壓著面與一側壁鄰接於該壓著面；以及一隔熱材，覆蓋在該側壁上，且該熱壓著頭之熱傳導係數大於該隔熱材之熱傳導係數；其中，該隔熱材係由隔熱陶瓷、耐火氧化物或耐火隔熱礦物所製成。