1377262 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 [0001] 本發明涉及一種真空鍍膜裝置，尤其涉及一種藏鐘式真 空鍍膜裝置。 [先前技術] [0002] 濺鍍係利用電漿産生之離子去撞擊陰極靶材，將乾材内 之原子撞出而沈積於基材表面堆積成膜。由於錢鐘玎以 同時達成較佳之沈積效率、大尺寸之沈積厚度控制、精 確之成份控制、以及較低之製造成本，因此於工業上被 廣泛應用。 [0003] 當前手機數碼相機鏡頭之應用已曰漸普及，因此有必要 提升其關鍵零元件之製造技術，以有敢地降低其製造成 本及提升其良率。而手機數碼相機鏡頭之光學模組便係 一關鍵零元件’其通常包括鏡筒，以及收容在鏡筒内之 塑膠鏡片、玻璃鏡片、墊片（Sp红cejc)、光圈片、紅外截 { · * • - · 止濾光片（IR-cut Filtef)等元件由於手機數碼相機 鏡頭里之影像感測器，如電荷耦合感測器（CCD Sensor) 係藉由感應光之能量來產生電流的，所以即使於光線很 暗之環境下仍然會因為溫度、红外線、電磁波等因素的 影響而產生雜訊（Noise);而紅外截止濾光片則可以經由 其形成於玻璃基材上之紅外截止光學膜層將紅外光濾除 掉以降低其雜訊》 [0004] 隨著對高階手機數碼相機鏡頭之需求越來越高，於紅外 截止遽光片背面再鍍上一抗反射光學膜層 (Anti-Reflective Coating，簡稱AR Coating)以提 096103148 表單編號A0101 第4頁/共17頁 1013251031-0 升光通過红外截止h片之玻璃基材之穿透率之需求亦 逐漸産生一鍵方式製作具有抗反射光學膜層 之紅外“以下步驟：⑴將玻璃基材装載於 工作腔内並對該工作憋進行第一次抽真空，然後經由第 —側沈積紅外截止光學膜層，以 獲得半成…（2)第〜次破真空，從工作腔内取出該半 成抑並對該半成aQ⑦行第_次清洗，⑺將上述清洗完 之半成品再次裝載於工作腔内並對該工作腔進行第二次 抽真空’然後經由第二:欠舰於破璃基材之相對之另一 侧沈積抗反射光學膜層，以獲得具有抗反射光學膜層之 紅外截止濾光片成品；（4 )?第异来破真空1從工作腔内 出該成品並進行再次清洗g而角鍍工藝每 次只能對玻璃基材進行單面1¾¾¾¾行兩次破 真空及兩次清洗，其於一定程度上增加了人工成本及半 成品管理成本。 【發明内容】 intelfccfud 有鑒於此，有必要提供一^¾¾¾¾¾壤置，其可達成 對基材進行雙面鍍膜之目餐低生産成本及提升 生產效率。 一種濺鍍式鍍膜裝置，其包括：本體、承載件、致動件 、第 乾電福 '及第二乾電極；所述本體形成有工作室 :所述承載件設置於所述工作室内且設置有容置通孔， 所述容置通孔用以收容待鍍工件並暴露所述待鍍工件之 兩相對的待鍍表面；所述第一靶電極與第二靶電極相對 地設置於所述本體上，分別用以裝載第一靶材及第二靶 表單編號A0101 第5真/兴17頁 1013251031-0 1377262 材；所述致動件設置於所述本體上且與承載件機械執人 ，用以驅動所述承載件沿垂直於所述容置通孔之開口方 向的軸線轉動’以使裝載於所述第一靶電極與第二乾電 極上之第一靶材與第二靶材交替地對所述待鍍工件之待 鍍表面進行鍍膜。 [0007] 相對於先前技術，所述濺鍍式鍍膜裝置經由設置致動件 及於工作室内設置具有容置通孔之承载件，其可使得裝 載於相對設置之第一乾電極與第二乾電極上之第一把材 與第二靶材交替地於收容於容置通孔之待鑛工件之某一 待鍍表面進行鍍膜。另，經由致動件驅動該承載件轉動 一定角度如180度，還可於同一製程中實現對另一相對之 待鍵表面進行艘膜。因此，所述滅鍍式链膜裝置<於一 次製程中完成對待锻工件進行雙面錢膜，其可節賓先前 技術中第一次破真空、第二次抽真空及第一次清洗之時 間以及半成品之管理成本進而丨可大大降彳^生產成本及 提升生産效率。 」： 【實施方式】 • •备...
[0008] 下面將結合附圖，對本發明作進一步之詳細說明。 [0009] 請參閱圖1及圖2 ’本發明實施方式提供之一種濺鍍式鍍 膜裝置100 ’其包括本體110，承載件13〇，致動件150， 第一靶電極170，及第二靶電極190。 [0010] 所述本體110形成有一個工作室112 »該工作室112用以 提供一真空滅缠環境。通常，該本體11〇還包括與工作室 112相連通之氣體入口與氣體出口（圖中均未示出其中 ，氣體入口用於向工作室112内導入放電氣體，例如氬氣 096103148 表單编號Α0101 第δ頁/共17頁 1013251031-0 [0011] 1377262 '氮氣等。該氣體出口用於使工作室11 2獲得初始之真空 度以及於濺射過程中保持一定之真空度，其通常與一個 真空泵（圖未示）相連。 所述承載件130設置於工作室112内，且設置有至少一個 容置通孔132。該容置通孔132用以裝載待鍍工件（圖未示 出）並使該待鍍工件之兩相對的待鍍表面暴露給第一靶電 極170與第二靶電極190。該承載件130可由導電材料， 如鐵、鋁等金屬製成，其於濺鍍過程充當陽極。該容置 通孔132之形狀與待鍍工件之形狀相配合以固持待鍍工件 ;例如，當該容置通孔132用於裝載製作具有抗反射光學 膜層之紅外截止濾光片之玻_基材時 ':其1可設置為方形 ··,·... ! ' · ί. · -—yj « .ϋ, ;v' . n 通孔。可以理解的是，為後無童承載件130 可設置複數容置通孔132 ;如圖1及圖2所示，該複數容置 通孔132以陣列式排布且開口方向一致。另，為適應不同 尺寸之待鍍工件，該承載件13011：設置為可更換式之承載 , inrelteciuai 件。 ， rrooenrv [0012] 所述致動件150設置於本體Γϊ()ϋ也與所述承載件130機 械耦合，用以驅動承載件130沿如圖2虚線所示軸線136轉 動。從圖2中可以得知，該軸線136與容置通孔132之開口 方向基本垂直。該致動件150可為旋轉馬達組件或旋轉汽 缸組件。 [0013] 所述第一靶電極170與第二靶電極190相對地設置於本體 110上，用以裝載由形成薄膜之材料製成的靶材。該第一 靶電極170與第二靶電極190可為板狀電極，其於濺鍍過 程通常充當陰極且其開關狀態可分別獨立控制。該第一 096103148 表單编號Α0101 第7頁/共17頁 1013251031-0 1377262 靶電極170與第二靶電極190於對裝載於承載件130上之 待鍍工件進行鍍膜時，所述第一靶電極170與第二靶電極 190分別位於所述承載件130之相對的兩側（亦即容置通孔 132之兩側）。本實施方式中，所述濺鍍式鍍膜裝置100設 置有兩個第一靶電極170及兩個第二靶電極190 ;優選地 ，該兩個第一靶電極170之開關狀態分別獨立控制，該兩 個第二靶電極190之開關狀態分別獨立控制。 [0014] 另，本實施方式中，所述本體110還包括固設於其上且位 於工作室112内之複數遮擋板114 ;如圖1及圖2中示出之 兩個相對設置之遮擋板114。該遮擋板114與承載件130 相配合將工作室112間隔成兩個相對獨立之工作區域，以 避免於對待鍍工件之某一待鍍表面進行濺射成膜時造成 對該待鍍工件之另一相對待鍍表面之污染；而所述第一 靶電極170與第二靶電極190則分設於該兩個相對獨立之 工作區域内。當然，可以理解的是，亦可以經由對工作 室112形狀之設置，而無需設置ife擋板Ϊ14:，其仍可以達 ； .· · ··'、. 到上述效果》 [0015] 下面將簡要描述一種利用本實施方式所提供之濺鍍式鍍 膜裝置100製作具有抗反射光學膜層之紅外截止濾光片之 操作過程。 [0016] (1)具體的，將兩個折射率不同之高折射率靶材分別裝載 於兩個第一靶電極170上，將兩個折射率不同之低折射率 靶材分別裝載於兩個第二靶電極190上；所述高折射率靶 材與低折射率靶材之材質可依最终之抗反射光學膜層與 紅外截止光學膜層之材質選擇。將用於製作具有抗反射 096103148 表單编號Α0101 苐8頁/共17頁 1013251031-0 光學膜層之紅外截止渡光片之方形玻璃基材裝載於設置 於承載件130之容置通孔132内。經由致動件15〇將承載 件130轉動至兩相對之遮擋板114之間以使承載件130處 於工作位置’此時’承载件130與遮擔板114相互配合將 工作至112間隔成兩個相對獨立之工作區域 。經由與工作 至112相連通之氣體出口對工作室112抽真空至預定壓力 之真工狀態°經由與工作室112相連通之氣體入口向工作 室112通入放電氣體如氬氣。 (2 )選擇性地述兩個第一㈣極丨7Q以由外部電源（ [0017] [0018] 圖未不）向該第―乾電極170施加負電壓，承載件130接地 。當裝載於第-_17隱論面上産生放 電氣體之電離時’電裝氣擊高iU率靶材 將能量傳遞給高折射率乾材，該高ί射ϋ材於離子之 揸擊下被撞擊出原子或原子團，進而於玻璃基材之一個 待錢表面形成—層高折料薄心
. infefeci'UiiS (3)關閉第一乾電極170，#餘態卿〇將承載件！30轉 動180度’使上述形成有高_龜^膜之待錄表面暴露於 第二靶電極190。選擇性地開啓上述兩個第二靶電極丨9〇 ，以於高折射率薄膜上形成一低折射率薄膜β於形成低 折射率薄膜之後，可再經由致動件15〇將承載件13〇轉動 180度以準備在該低折射率薄膜上沈積一高折射率薄膜。 [0019] (4)根據實際需要’重復一次或多次上述步驟（？）與（3) ，於玻璃基材之一待鍍表面上交替形成高折射率薄膜與 低折射率薄膜，進而於該玻璃基材上形成一紅外截止光 學膜層。 表單编號Α0101 第9頁/共17頁 1013251031-0 印7262 [0020] (5)對於於上述玻璃基材之另一相對之待鐘表面沈積一抗 反射光學膜層之步驟與上述形成紅外截止光學膜層之步 驟係基本相同的，無需破真空，經由致動件150轉動承載 件130使玻璃基材上需要沈積抗反射光學膜層之待鍍表面 對應地暴露於第一靶電極170或第二靶電極190，即可於 該待鍍表面上沈積一抗反射光學膜層’故於此不再贅述 〇 [0021] (6)獲得具有抗反射光學膜層之紅外截止濾光片；該紅外 截止濾光片包括玻璃基材，以及分別沈積於該玻璃基材 之兩相對之表面的紅外截止光學膜層與抗反射光學膜層 〇 • · [0022] 可以理解的是，本發明實施方式提供之濺鍍式鍍膜裝置 100並不僅限於製作具有雙面光學膜層之紅外截止濾光片 ，其還可以應用到其它領域，如半導體晶圓製造領域等 - - I ' · ,> - [0023] 由上可知’本發明實施方式提:供之濺鍍式鍍膜裝置1〇〇經 由設置致動件150及於工作室112内設置具有容置通孔 132之承載件130 ’其可使得裝載於相對設置之第一靶電 極170與第二靶電極190上之靶材交替地於收容於容置通 孔132之待鍍工件（如玻璃基材）之某一待鍍表面進行鍍 膜。另外，經由致動件150驅動該承載件130轉動一定角 度如180度，還可於同一製程中實現對另一相對之待鍍表 面進行鍍膜。因此，所述濺鍍式鍍膜裝置1〇〇可於一次製 程中完成對待鍍工件進行雙面鐘膜之目的，其可節省先 前技術中第一次破真空、第二次抽真空及第一次清洗之 096103148 表單編號A0101 第10頁/共17頁 1013251031-0 1377262 時間以及半成品之管理成本，進而可大大降低生產成本 及提升生産效率。 [0024] 進一步的，所述濺鍍式鍍膜裝置ι〇〇經由設置複數（如， 兩個）第一靶電極170與複數第二耙電極190，可以執行複 數靶材之共濺射，以適應待鍍工件對薄膜成份多樣化之 需求’進而提升所述濺鍍式錢臈裝置1〇〇之效能。 [0025] [0026] 综上所述，本發明符合發明專利要件，爰依法提出專利 申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施例，舉凡 熟習本案技藝之人士，在援依本案發明夂精神所作之等 效修飾或變化，皆應包含玲α 了H請專利範圍内。 【圖式簡單說明】 圖1係本發明實施方式提供ϋ :鍍g裝置之分解 示意圖。 [0027] 圖2係圖1所示濺鍍式鍍膜裝置之巧部剖示圖 [0028] 【主要元件符號說明】 濺鍍式鍍膜裝置：100 irvial^ec?uai ProDer^/ - / Unite [0029] 本體：110 [0030] 工作室：112 [0031] 遮擋板：114 [0032] 承載件：130 [0033] 容置通扎：132 [0034]軸線：136 096103148 令單編號A01O1 第11頁/共17茛 1013251031-0 1377262 [0035] 致動件：150 [0036] 第一靶電極：170 [0037] 第二靶電極：190 096103148 表單編號A0101 第12頁/共17頁 1013251031-0