CN101736298A - 镀膜装置 - Google Patents

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Abstract

一种镀膜装置,其包括本体、承载体、第一靶电极、第二靶电极以及驱动模组。该本体形成有工作室。该承载体设置在该工作室内,该承载体设置有具有中心轴线的容置通孔,用以收容待镀工件。该第一靶电极与第二靶电极相对设置在该本体上,且位于该承载体的两侧,其分别用以装载第一靶材及第二靶材。该驱动模组设置在该本体上,该驱动模组与承载体机械耦合,其用以驱动该承载体以平行于该容置通孔的中心轴线为轴转动,以使装载在该第一靶电极与第二靶电极上的第一靶材与第二靶材分别对该待镀工件的两个待镀表面进行镀膜。

Description

镀膜装置
技术领域
本发明涉及一种真空镀膜装置。
背景技术
随着电子产品的迅速发展,其应用范围也越来越广。同时,人们对对电子产品的性能要求的也日益提高,很多光学镜片或滤光片等光学工件表面的两面皆需要镀膜,以改善其性能。例如,由于手机数码相机镜头里的影像感测器,如电荷耦合感测器是通过感应光的能量来产生电流的,所以即使在光线很暗的环境下仍然会因为温度、红外线、电磁波等因素的影响而产生噪声(Noise);而红外截止滤光片则可以经由其形成在玻璃基材上的红外截止光学膜层将红外光滤除掉以降低其噪声。随着对高端手机数码相机镜头的需求越来越高,在红外截止滤光片背面再镀上一抗反射光学膜层(Anti-Reflective Coating,简称AR Coating)以提升光通过红外截止滤光片的玻璃基材的穿透率的需求也逐渐产生。
目前镜片镀膜制程中,一般以溅镀为主,溅镀是利用等离子体产生的离子去撞击阴极靶材,将靶材内的原子撞出而沉积在基材表面堆积成膜。由于溅镀可以同时达成较佳的沉积效率、大尺寸的沉积厚度控制、精确的成份控制、以及较低的制造成本,因此在工业上被广泛应用。
然而,现有的采用溅镀方式进行镀膜时,一般包括以下步骤:(1)将待镀工件装载在工作腔内并对该工作腔进行第一次抽真空,然后通过第一次溅镀在待镀工件的一侧沉积光学膜层,以获得一半成品;(2)第一次破真空,从工作腔内取出该半成品,并对该半成品进行第一次清洗;(3)将上述清洗完的半成品再次装载在工作腔内并对该工作腔进行第二次抽真空,然后通过第二次溅镀在玻璃基材的相对的另一侧沉积光学膜层,以获得具有双面膜层的成品;(4)第二次破真空,从工作腔内取出该成品并进行再次清洗。
由于现有的溅镀工艺每次只能对待镀基材进行单面镀膜,导致需要进行两次破真空及两次清洗,从而增加了镀膜时间以及镀膜成本。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种能同时进行双面镀膜的镀膜装置,以降低生产成本,提升生产效率。
一种镀膜装置,其包括本体、承载体、第一靶电极、第二靶电极以及驱动模组。该本体形成有工作室。该承载体设置在该工作室内,该承载体设置有具有中心轴线的容置通孔,用以收容待镀工件。该第一靶电极与第二靶电极相对设置在该本体上,且位于该承载体的两侧,其分别用以装载第一靶材及第二靶材。该驱动模组设置在该本体上,该驱动模组与承载体机械耦合,其用以驱动该承载体以平行于该容置通孔的中心轴线为轴转动,以使装载在该第一靶电极与第二靶电极上的第一靶材与第二靶材分别对该待镀工件的两个待镀表面进行镀膜。
相对于现有技术,该镀膜装置通过设置驱动模组及在工作室内设置具有容置通孔的承载体,其可使得装载在相对设置的第一靶电极与第二靶电极上的第一靶材与第二靶材对收容于容置通孔的待镀工件的两个待镀表面同时进行镀膜。同时,可以通过更换第一靶材与第二靶材,以使两个待镀表面分别镀不同的靶材。并且该驱动模组驱动该承载体转动一定角度以使两个待镀的表面均匀镀膜。因此,该镀膜装置可在一次制程中完成对待镀工件进行双面镀膜,其可节省现有技术中第一次破真空、第二次抽真空及第一次清洗的时间,进而提升生产效率。并且该镀膜装置可以同时对两个待镀表面镀不同的靶材。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种镀膜装置的部分分解示意图。
图2是图1所示镀膜装置的局部剖示图。
具体实施方式
下面将结合附图,对本发明作进一步的详细说明。
请参阅图1及图2,本发明实施例提供的一种镀膜装置100,其包括本体110、承载体120、第一靶电极130、第二靶电极140、以及驱动模组150。
该本体110形成有一个工作室111。该工作室111用以提供一真空镀膜环境。该本体110还包括与工作室111相连通的气体入口112与气体出口113。通过该气体入口112向工作室111内导入放电气体,例如氩气、氮气等。通过该气体出口113对该工作室111抽真空,以使该工作室111获得初始的真空度以及在镀膜过程中保持一定的真空度。
该承载体120设置在工作室111内。在本实施例中,该承载体120呈圆盘状,该承载体120的形状与该本体110的形状相配合。该承载体120位于该工作室111的中间部位,以将该工作室111间隔成两个相对独立的工作区域。该承载体120包括一个第一表面1201以及一个与该第一表面1201相对的第二表面1202。该承载体120设置有多个容置通孔121,该多个容置通孔121贯穿该第一表面1201以及该第二表面1202且具有中心轴线160。在本实施例中,该容置通孔121阵列排布,其用于装载待镀工件(图未示)。该承载体120可由导电材料,如铁、铝等金属制成,其在溅镀过程充当阳极。该容置通孔121的形状与待镀工件的形状相配合以固持待镀工件。当然,为适应不同尺寸的待镀工件,该承载体120可设置为可更换式的承载体。
该驱动模组150设置在本体110上且与该承载体120机械耦合,用以驱动承载体120以中心轴线160为轴进行转动。该驱动模组150可为旋转马达或旋转汽缸。
该第一靶电极130与第二靶电极140相对地设置在本体110上,用以装载由形成薄膜的材料制成的靶材。该第一靶电极130与第二靶电极140分别设置在该承载体120的两侧,也即该容置通孔121的两侧。具体的,该第一靶电极130与该承载体120的第一表面1201相对,该第二靶电极140与该承载体120的第二表面1202相对,以使承载在该容置通孔121上的待镀工件的相对两个待镀表面分别暴露给第一靶电极130与第二靶电极140。本实施例中,该镀膜装置100设置有两个板状的第一靶电极130及两个板状的第二靶电极140。该两个第一靶电极130与该两个第二靶电极140的开关状态分别独立控制。当然,该第一靶电极130与第二靶电极140也可为其他形状,并且其开关状态也可以同时控制。
当使用该镀膜装置100对待镀工件进行镀膜时,先将第一靶材与第二靶材分别装载在该第一靶电极130与第二靶电极140上。该第一靶材与第二靶材分别根据所需镀膜的材质进行选择。将待镀工件放置于承载体120的容置通孔121内。
通过与工作室111相连通的气体出口113对工作室111抽真空至预定压力的真空状态。通过与工作室111相连通的气体入口112向工作室111通入放电气体,如氩气。
开启该第一靶电极130与第二靶电极140,由外部电源向该第一靶电极130与第二靶电极140施加电压。
通电压后,装载在第一靶电极130与该第二靶电极140的第一靶材与第二靶材的表面上产生放电气体的电离,气体离子通过撞击靶材并将能量传递给靶材,以使第一靶材与第二靶材在离子的撞击下释放出原子或原子团,进而在待镀工件的两个表面分别形成一层薄膜。
在镀膜过程中,开启该驱动模组150,通过驱动模组150带动该承载体120旋转,以使第一靶材与第二靶材可以均匀的镀于待镀工件的两个表面。
本发明提供的镀膜装置100通过相对设置的第一靶电极130与第二靶电极140上的第一靶材与第二靶材对收容于容置通孔121内的待镀工件的两个待镀表面同时进行镀膜。同时,可以通过更换第一靶材与第二靶材,以使两个待镀表面分别镀不同的靶材。并且在镀膜过程中,通过驱动模组150带动该承载体120旋转,可使靶材均匀地镀于该待镀工件的两个表面。因此,该镀膜装置100可在一次制程中完成对待镀工件进行双面镀膜,且镀膜均匀,并且可以同时对待镀工件的两个待镀表面镀不同材质的薄膜。该镀膜装置100可节省现有技术中第一次破真空、第二次抽真空及第一次清洗的时间,进而提升生产效率。
可以理解的是,该镀膜装置100可通过设置多个第一靶电极130与多个第二靶电极140,以适应待镀工件对薄膜成份多样化的需求,适应待镀工件对薄膜成份多样化的需求,进而提升该镀膜装置100的效能。
另外,本领域技术人员还可于本发明精神内做其它变化,例如,改变该多个容置通孔121的形状、数量以及排布方式等用于本发明,只要其不偏离本发明的技术效果,这些依据本发明精神所做的变化,都应包含在本发明所要求保护的范围之内。

Claims (10)

1.一种镀膜装置,其包括:本体、承载体、第一靶电极、第二靶电极以及驱动模组;该本体中形成有工作室;该承载体设置在该工作室内;该第一靶电极与第二靶电极相对设置在该本体上,分别用以装载第一靶材及第二靶材;该驱动模组设置在该本体上;其特征在于:
该承载体设置有具有中心轴线的容置通孔,用以收容待镀工件;
该第一靶电极与第二靶电极分别设置在该承载体的两侧;
该驱动模组与承载体机械耦合,其用以驱动该承载体以平行于该容置通孔的中心轴线为轴转动,以使装载在该第一靶电极与第二靶电极上的第一靶材与第二靶材分别对该待镀工件的两个待镀表面进行镀膜。
2.如权利要求1所述的镀膜装置,其特征在于,该承载体呈圆盘状。
3.如权利要求1所述的镀膜装置,其特征在于,该承载体由金属制成
4.如权利要求1所述的镀膜装置,其特征在于,该驱动模组为旋转马达或旋转汽缸。
5.如权利要求1所述的镀膜装置,其特征在于,该第一靶电极与第二靶电极分别独立控制。
6.如权利要求1所述的镀膜装置,其特征在于,该第一靶电极与第二靶电极均为板状电极。
7.如权利要求1所述的镀膜装置,其特征在于,该承载体可更换式地设置在工作室内。
8.如权利要求1所述的镀膜装置,其特征在于,该承载体设置在该工作室的中间部位,以将该工作室间隔成两个相对独立的工作区域。
9.如权利要求1所述的镀膜装置,其特征在于,该容置通孔为多个,且该多个容置通孔阵列排布。
10.如权利要求1所述的镀膜装置,其特征在于,该承载体包括一个第一表面以及一个与该第一表面相对的第二表面,该容置通孔贯穿该第一表面与该第二表面,该第一靶电极与该第一表面相对设置,该第二靶电极与该第二表面相对设置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103233211A (zh) * 2013-04-27 2013-08-07 电子科技大学 金属有机物化学气相沉积加热装置
CN103466954A (zh) * 2012-06-08 2013-12-25 冠晶光电股份有限公司 隔板式沉积装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1226973A (zh) * 1997-05-16 1999-08-25 保谷株式会社 将光学镜片底料设定于支座上的机构
CN101225503A (zh) * 2007-01-19 2008-07-23 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 溅镀式镀膜装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3844924A (en) * 1970-08-03 1974-10-29 Texas Instruments Inc Sputtering apparatus for forming ohmic contacts for semiconductor devices

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1226973A (zh) * 1997-05-16 1999-08-25 保谷株式会社 将光学镜片底料设定于支座上的机构
CN101225503A (zh) * 2007-01-19 2008-07-23 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 溅镀式镀膜装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103466954A (zh) * 2012-06-08 2013-12-25 冠晶光电股份有限公司 隔板式沉积装置
CN103233211A (zh) * 2013-04-27 2013-08-07 电子科技大学 金属有机物化学气相沉积加热装置

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