TWI375735B - Methods and apparatus for tuning a set of plasma processing steps - Google Patents

Methods and apparatus for tuning a set of plasma processing steps Download PDF

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Description

1375735 Π) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 一般言之，本發明係關於基板製造科技，且特別係關 於調整一組電漿處理步驟之方法與裝置。 【先前技術】
在基板之處理中，例如半導體基板或玻璃面板，譬如 用於平面面板顯示器製造者，經常係採用電漿。例如，作 爲基板處理之一部份，基板係被分成許多晶片，或矩形區 域，各將會變成積體電路。然後，此基板係在一系列之步 驟中加以處理，其中材料係選擇性地經移除（蝕刻）及沉 積（堆積），以在其上形成電子組件》 在舉例之電漿處理中，係在蝕刻之前，將基板以一層 已硬化之乳化液薄膜（亦即譬如光阻罩）塗覆。然後，選 擇性地移除已硬化之乳化液區域，造成從屬層之組件變爲 曝露。接著，將基板放置在基板支撐結構上之電漿處理室 中，該結構包含單極或雙極電極，稱爲卡盤或基座。然後 ，激發適當電漿，以蝕刻基板上多層已曝露之層。 電漿一般係由部分離子化之氣體所組成。由於電漿放 電係爲RF驅動，且經弱離子化，故電漿中之電子不會與 離子熱平衡。亦即，當重離子藉由碰撞而與環境氣體（例 如氬氣等）有效地交換能量時，電子會吸收熱能。由於電 子具有實質上小於離子之質量，電子熱速率係遠大於離子 熱速率。這傾向於造成較快速移動之電子離去電漿處理系 -5- (2) 1375735 統內之表面，隨後在電漿與表面之間產生帶正電離子披覆 。然後，進入該披覆之離子係經加速進入表面中。
較低RF頻率傾向於造成電漿離子在少於一次RF循 環內橫越該披覆，產生離子能量上之大變型。同樣地，較 高RF頻率傾向於造成電漿離子花費數次RF循環橫越該 披覆，產生較一致之離子能源組。較高頻率相較於當在類 似功率位準下藉由較低頻率激磁時傾向於導致較低披覆電 壓。 現在參考圖1，其係顯示電漿處理系統組件之舉例圖 表，一般而言.，一組適當組之氣體係自氣體分配系統122 ，經過入口管108，流進102室中。此等電漿處理氣體可 相繼地經離子化，以形成電漿1 1 〇，以處理（例如蝕刻或 沉積）基板114已曝露區域，譬如半導體基板或玻璃方框 ，其係以邊緣環 Π5，位在靜電基座116上。此外，線 117係提供介於電漿與電漿處理室間之障壁，以及幫助使 基板114上之電漿110達最佳化。 氣體分配系統122通常係由含有電漿處理氣體（例如 C4Fg ' C4F6 ' CHF3 ' CH2F3 ' CF4 ' HBr ' CH3F ' C2F4 ' n2 、〇2、Ar、Xe、He、H2、NH3、SF6、BC13、Cl2、WF6 等 )之壓縮氣筒124a-f所組成。氣筒124a-f可進一步由提 供局部排氣換氣之圍欄128加以保護。大量氣流控制器 126 a-f通常爲獨立完備之裝置（包括轉換器、控制閥及控 制與訊號處理電子器材）.，通常係用於半導體產業上，以 度量並調節進入電漿處理系統之大量氣體流。注射器109 -6- (3) 1375735 係將電漿處理氣體124導入102室中》 誘導線圈131係由誘電窗104與電漿分隔，且一般係 在電漿處理氣體中引致隨時間變化之電流，以產P電漿 110。該窗既能保護誘電線圈遠離電漿，亦能允許所產生 之RF域滲透至電漿處理室中。在引線13 Oa-b處進一步接 合至誘電線圈131者，係爲相配網路132，其可進一步接 合至RF發電機138。相配網路132企圖將RF發電機138 > <·
之阻抗，其典型上係在13.56赫茲與50歐姆下運轉，與 電漿1 1 〇之阻抗相配。 一般而言，一些類型之冷卻系統係接合至基座，以在 —旦電漿已被點燃之後，即達到熱平衡。此冷卻系統本身 通常係由將冷凍劑幫浦打入基座內空腔中之急冷器，與被 幫浦打入基座與基板間之氦氣所組成。除了移除所產生之 熱以外，氦氣亦允許冷卻系統迅速地控制熱消散。亦即》 連續增加氦氣壓力亦會增加熱移轉率。大部分電漿處理系 統亦由包含操作軟體程式之卓越電腦所控制。在一典型操 作環境中，製造處理參數（例如電壓、氣流混合流、氣流 速率、壓力等）一般係根據特定電漿處理系統與特殊製作 法而架構。 一般而言，有三種蝕刻處理類型用以蝕刻基板上之多 層：純化學蝕刻、純離子蝕刻及活性離子蝕刻。 純化學蝕刻一般係未涉及物理衝擊，而是中性分子（ 中子）與基板上之材料（例如鋁等）之化學相互作用。其 次，化學反應速率可以非常高或非常低，依製程而定。例 (4) 1375735 如，以氟爲基礎之分子傾向於以化學方式與基板上之誘電 材料反應，其中以氧爲基礎之分子傾向於以化學方式與基 板上之有機材料反應，譬如光阻。 純離子蝕刻，經常被稱爲濺鍍，係用以自基板上逐出 材料（例如氧化物等）。常用惰性氣體，譬如氬，係在電 漿中離子化，接著朝向帶負電之基板加速。純離子蝕刻係 爲非等向性（亦即大部分呈一個方向）與非選擇性兩者。 Φ 亦即，對特定材料之選擇性傾向於非常少，因爲大部分材 料之濺鍍速率都類似》此外，純離子蝕刻之蝕刻速率通常 爲低，.一般係依離子衝擊之通量與能量而定。 活性離子蝕刻（RIE )，亦稱爲增強離子蝕刻，係將 化學與離子製程兩者合倂，以自基板上移除材料（例如光 阻劑、底部抗反射層、氮化鈦、氧化物等）。一般而言， 電漿中之離子會增強化學製程，其方式是激發基板之表面 ，接著阻斷表面上原子之化學鍵結，以使得彼等較敏感以 % 與化學製程中之分子反應。由於離子蝕刻主要爲垂直性， 然而化學蝕刻爲垂直性與平行性兩者，故垂直蝕刻速率傾 向於比呈水平方向較快速。此外，活性離子鈾刻傾向於具 有非等向性分佈型態。 但是，一項純化學蝕刻及活性離子蝕刻兩者已遭遇之 問題’一直爲不均勻之蝕刻速率。蝕刻速率一般係爲材料 在蝕刻製程中被移除之速率之度量。其一般係經由度量鍤 . 刻製程前後之厚度，並將厚度差異除以蝕刻時間計算而得 -8 · (5)1375735 鈾刻前之厚度一蝕刻後之厚度 蝕刻前之厚度-蝕刻後之厚度 蝕刻速度= 蝕刻時間
不均勻一般係以基板厚度作圖加以度量，經由在蝕刻 製程前後之某些點下進行度量，且計算在此等時間點下之 蝕刻速率。度量之一般値（或平均値）係爲：
X = X1+X2 + X3 + ...+XN
圖2 其中X爲基板上特定點下之蝕刻速率，且N爲點之總 數。 最大一扣除一最小之不均勻係定義如下：
TsTTJk. = (Xmax ~ Xrran )
例如，基板之一區域可在比另一區域較快之速率下蝕 刻。一般而言，不均勻蝕刻可在溝槽之側壁造成底切。典 型上，底切會降低導電線之厚度，或在一些情況中，造成 線破損，其可導致裝置失效。又進一步，不均勻蝕刻一般 會增加蝕刻處理之時間，其會降低處理生產量。 此問題係進一步因爲不同類型之後續蝕刻製程化學而 惡化。例如，經常在化學或活性離子蝕刻製程中，蝕刻速 率在基板之邊緣處典型上係爲較高，其中局部蝕刻速率可 受到無論是表面上之化學反應，或受到有限蝕刻劑輸送至 基板表面支配。 現在參考圖2A-C ’ 一組經簡化之圖表係顯示包含離 子與中子之電漿覆蓋基板之上。在基板之處理中，經常有 -9 - (6) 1375735
利地的是盡可能在單一處理期間內蝕刻基板層（亦即當場 )。例如，當場處理傾向於使各基板之處理降至最低，且 因此改善良率，改善整體生產量，及幫助使所需之電漿處 理室數目降至最低。因此，有利的是架構一電漿處理室， 以致使中子與離子之密度在多種類型之電漿化學中，係爲 實質上均勻，因爲實質上均勻電漿密度一般會產生實質上 均勻蝕刻。圇2A係顯示電漿處理室經簡化之圖式，其中 中子密度li〇a與離子密度110b係爲均勻橫越基板114之 表面。 此外，延伸超出基板邊緣之電漿部份·，可產生較大量 之中子，能夠在與中心相反時蝕刻基板之邊緣。圖2B係 顯示電漿處理室經簡化之圖式，其中中子密度非實質上均 勻，隨後產生不均勻蝕刻分布型態橫越基板114之表面。 其他解決方式可爲使電漿室之直徑變窄，以實質上使 中子覆蓋基板之數量均一。但是，對於實質上使用離子之 % 製程而言，使室變窄可能會造成經由與室壁碰撞而消耗較 多離子。這會傾向於減祗離子濃度，且因此減低基板邊緣 之蝕刻速率。圖2係顯示電漿處理室經簡化之圖式，其中 中子密度非實質上均勻，隨後產生不均勻蝕刻分布型態橫 越基板1 1 4之表面。 鑒於前述，因而需要用於調整一組電漿處理步驟之方 法與裝置。 【發明內容】 -10- (7) 1375735 於一項具體實施例中，在一電漿處理系統中，本發明 係關於調整一組電漿處理步驟之方法。本方法包括在電漿 處理系統之電漿反應器中，激發包含中子與離子之第一電 漿。本方法亦包括在第一個蝕刻步驟中，蝕刻基板上之一 組層系；定位可移動之均勻環，環繞該基板，其中該均勻 環之底部表面，係大約與基板之頂部表面等高；並在電漿 處理系統之電漿反應器中，激發基本上包含中子之第二電 φ 獎。本方法進一步包括在第二個蝕刻步驟中，蝕刻基板上 之該組層系；且其中第一個步驟中之蝕刻與第二個步驟中 之蝕刻係實質上一致。 於另一項具體實施例中，在包括電漿反應器之電漿處 理系統中，本發明係關於一種調整一組電漿處理步驟之方 法。本方法包括定位可移動之均勻環環繞基板，其中該均 勻環之頂部表面，係位在高於電漿反應器之底部表面之第 一高度下。本方法亦包括在電漿反應中激發包含中子與離 % 子之第一電槳；在第一個步驟中，蝕刻基板上之一組層系 ，其中係達到該基板上蝕刻均勻性之第一數量；且定位可 移動之均勻環重新環繞基板，其中均勻環之頂部表面，係 位在高於電漿反應器之底部表面之第二高度下。本方法進 一步包括激發實質上包含中子之第二電漿：且在第二個蝕 刻步驟中，蝕刻基板上之該組層系，其中係達到該基板上 蝕刻均勻性之第二數量。其中蝕刻均勻性之第一數量與蝕 刻均勻性之第二數量，係實質上一致。 於另一項具體實施例中，在一電漿處理中，本發明係 -11 - (8) (8)
1375735 關於一種調整一組電漿處理步驟之裝置。本裝置包 漿處理系統之電漿反應器中，激發包含中子與離子 電漿之方式。本裝置亦包括在第一種蝕刻步驟中蝕 上之一組層系之方式；定位可移動之均勻環環繞該 方式，其中均勻環之底部表面係大約與基板之頂部 高；及在電漿反應器中激發實質上包含中子之第二 方式。本裝置進一步包括在第二個蝕刻步驟中蝕刻 之該組層系之方式。其中第一個步驟中之蝕刻與第 驟中之蝕刻係爲實質上一致。 於另一項具體實施例中，在包括電漿反應器之 理系統中，本發明係關於一種調整一組電漿處理步 置。本裝置包括定位可移動之均勻環環繞基板之方 中均句環之頂部表面係位在高於電漿反應器之底部 第一高度下。本裝置亦包括在電漿反應器中激發包 與離子之第一電漿之方式；在第一個蝕刻步驟中蝕 上之一組層系之方式，其中係達到該基板上蝕刻均 第一數量；及定位可移動之均勻環重新環繞基板之 其中均勻環之頂部表面係位在高於電漿反應器之底 之第二高度下。本裝置進一步包括激發實質上包含 第二電漿；在第二個步驟中蝕刻基板上之該組層系 係達到該基板上蝕刻均勻性之第二數量。其中蝕刻 之第一數量與蝕刻均勻性之第二數量，係爲實質上· 本發明之此等及其他特徵將更詳細地描述於下 明之詳細說明中，並搭配下列圖表。 括在電 之第一 刻基板 基板之 表面等 電漿之 基板上 二個步 電漿處 驟之裝 式，其 表面之 含中子 刻基板 勻性之 方式， 部表面 中子之 ，其中 均勻性 —致。 文本發 •12- (9) 1375735 【實施方式】
現在將參考如隨文所附圖畫所說明之本發明之一些較 佳具體實施例，詳細描述本發明。在下文說明中係提出許 多特定詳述’以提供本發明之完整了解。但是，熟諳此藝 者將明瞭本發明可經實施，無需此等特定詳述之一些或全 部。於其他情況下，並未詳細描述習知之製程步驟及/或 結構，以非必要性地遮蔽本發明。 雖然不希望受到理論所束縛，但本文發明人相信可移 動之均勻環可使用於電漿處理應用中，以使基板蝕刻均勻 性最佳化。 以一種不明顯之方式，可移動之均勻環可產生實質上 之物理界線，介於基板之邊緣與電漿室延伸超出基板之部 份之間，以使電漿在基板邊緣上之回擴散降至最低。亦即 ’可移動之均勻環可經定位，以一道牆環繞基板，其會阻 擋中子（化學）反應物之一部分，尤其是位於高密度中子 反應物區域之中子反應物，擴散至基板中。 此外，經由允許均勻環被當場調整，各製程步驟之均 勻性可被最佳化，而無需首先移離基板，然後調整均勻環 。亦即，若完全蝕刻應用包括一組其中需要均勻環之處理 步驟（亦即，蝕刻速率受到表面上之化學反應速率之限制 )，及其中不需要均勻環之處理步驟，則固定均勻環或不 均勻環之使用，會導致亞適整體均勻性。 —般而言，由於在處理期間，經由將可移動之結構放 -13- (10)1375735
置於基板上所造成之潛在污染所致，故可移動之均勻環一 般並非使用在電漿處理。亦即’此種結構呈現沉積蝕刻副 產物（例如聚合物）之表面。當移動均勻環時，沉積物會 剝落在基板上’造成粒子污染。但是，以一種不明顯之方 式’本發明係經設計爲使用對電漿侵襲具抵抗性之材料， 以降低污染。此種材料可包括氧化釔（Υ2〇3 )、氧化鍩（ Zr02)、碳化砂（SiC)、氧化錯（Αΐ2〇3)、氧化鈽（ Ce02 )及石英。 當曝露至電漿化學時僅會產生揮發性蝕刻產物之替代 材料，譬如鐵氟龍、聚醯亞胺，及其他純塑料，可用以製 造可移動之均勻環。此外，在各個已處理之晶圓之後，使 用無晶圓自動清理處理清理室，係使可剝落之沉積物集結 降至最低。
應注意的是，“已蝕刻之特徵”一詞，此處係涵蓋譬如 溝、觸點、道等之特徵。蝕刻係發生在基板排列於電漿處 理室內之基座上時。 於一項具體實施例中，均勻環可當場被移動，無論是 實質上相等於基板（以致使均勻環之底部係大約與基板等 高），或低於基板（以致使均勻環之頂部相等於低於基板 之頂部）。 於另一項具體實施例中，均勻環可當場被移動至相等 於基板到低於基板之位置範圍。 於另一項具體實施例中，均勻環可當場被移動至高於 基板（以致使均勻環之底部與基板之頂部之間有一間隙） -14- (11) 1375735 到基板之底部之位置範圍。 於另一項具體實施例中，可移動之均勻環較佳係製自 一材料，其係實質上對在室內藉由本發明電漿之蝕刻具抵 抗性（亦即對活性物種爲惰性）。可移動之均勻環應製自 —材料，其能夠經得起電漿環境，而不會不適當地污染基 板。 於另一項具體實施例中，係採用铈材料。於另一項具 φ 體實施例中，可使用譬如氧化釔（Υ2〇3 )、氧化銷（ΖΓ〇2 )、碳化矽（Sic)、氧化鋁（Α1203 )、氧化铈（Ce〇2) 或石英之材料。於另一項具體實施例中，可使用包括釔、 锆、鋁或铈之材料。再者，均勻環可製自具有上文所提及 材料之塗層之替代材料。 於另一項具體實施例中，可移動之均句環可製自具有 揮發性鈾刻產物之材料，譬如鐵氟龍、聚醯亞胺等。 於另一項具體實施例中，可移動之均勻環係經加熱， % 以在整個鈾刻製程中提供均勻溫度，且降低聚合物集結在 均勻環表面上之數量。一般而言，電漿製程沉積係關於表 面溫度。亦即，溫度愈冷，必須加以清理之沉積愈多。因 此，可移動之均勻環較佳係經架構爲足夠熱’以預防均勻 環側壁上之聚合物沉積。 例如，可移動之均勻環可藉由傳導或輻射加熱。這可 藉由加熱線圈（以電方式）、加熱燈、液體流經等’在 均勻環內部或外部施行。於另一項具體實施中，可移動之 均勻環之溫度可以自動方式控制。例如，當電漿係經載電 (12) (12)
1375735 時，室內部之熱係一般性地升起，因此，扫 成降低加熱器能源，以維持適當溫度。相历 漿時，熱係藉由加熱器產生。 圖3 A-B係顯示根據本發明一項具體| 均勻環經簡化之圖式組。現在參考圖3A， 環3 02係定位低於基板3 03。亦即，可移雲 自靜電基座304提高。均勻環亦包括開口 構以使電漿物種朝向基座314。再者，均4 有實質上之牆厚度及/或錐形，其會幫助控 期間分佈至基板之數量。 如前文所陳述，電漿310b中之離子密 密度320a係測定沉積在基板表面上之材和 。一般而言，當中子反應物在基板邊緣處5 產生基板中心與邊緣間之不均勻蝕刻。 現在參考圖3B，可移動之均勻環302 等高於基板303。亦即，可移動之均勻環 314被提高304達一數量318。與圖3A中戶J 導入均勻環高於基座，並環繞基板之外圍， 之中子反應物，係實質上經阻斷，免於與3 。基板邊緣附近之中子反應物通量之減少， 較均勻整體中子密度32 0a，及因此蝕刻速 經由當場選擇性地調整可移動之均勻 多種類型之電漿化學中，其可使用在單一 子與離子之密度實質上地最佳化。此調整 I制器係經設計 【地，當沒有電 【施例之可移動 可移動之均勻 [I之均勻環並未 308，其係經架 丨環可經架構具 制物種在處理 度320b與中子 f之蝕刻均勻性 :密度高時，係 係實質上定位 3 02已自基座 亍示不同，經由 基板邊緣附近 i板之邊緣反應 係傾向於產生 [〇 !之高度，可於 i理期間，使中 【後可幫助改善 -16- (13) 1375735 良率，及整體生產量。 基板均勻性之改善可爲實質上的。例如，參考圖4， 根據本發明之一項具體實施例，舉例基板經簡化之層堆疊 組，係在TCP 23 00電漿反應器中當場經蝕刻，該反應器 係得自 Lam Research 公司，Fremont，CA。 在層堆疊之底部，係顯示氧化矽414。於層414上係 排列包含氮化鈦之層4 1 2。於層4 1 2上係排列包含鋁之層 φ 410。於層410上係排列再度包含氮化鈦之層408。於層 406上有底部抗反射層排列。及最後，於層406上有光阻 排列。 一般而言，各製程步驟包含對於欲被蝕刻之材料爲最 適宜之一組電漿製程條件與電漿製作法。於步驟1中，光 阻4 04與底部抗反射層 406係使用活性離子蝕刻，以氟 爲基礎之蝕刻製程蝕刻（例如10mT壓力、1 000瓦特導電 能源、200瓦特偏能源、100 seem CF4流，於攝氏4 0度之 % 基板溫度下）。由於離子一般會抵抗化學製程，故可移動 之均勻環需要被定位實質上等高於基板。 於步騍2中，氮化鈦 408係使用以氯爲基礎之蝕刻 製程，使用活性離子蝕刻（例如10mT壓力、1 000瓦特導 電能源、200瓦特偏能源、1〇〇 SCCM Cl2、100 SCCM BC13、可能添力口劑CH4、N2及/或CHF3，以小於30 SCCM 之流速，及具有攝氏40度之基板溫度）。 於步驟3中，鋁410係使用化學製程，使用以氯爲基 礎之蝕刻製程（例如lOmT壓力、600瓦特導電能源、 -17- (14) 1375735
200 瓦特偏能源、100 SCCM Cl2、100 SCCM BC13、添加 劑N2、CH4及/或CHF3，以小於30 SCCM之流速，及具有 攝氏40度之基板溫度）。但是，與先前步驟不同，可移 動之均勻環已經被定位，以致使均勻環之底部，係大約與 基板等高。如前文所述，可移動之均匀環會實質上地阻斷 中子與基板之邊緣反應，產生較均勻之蝕刻。隨著可移動 之均勻環在適當位置，可達到約8%至約15%之最大一扣 除一最小不均勻性。然而無需可移動均勻環之存在，最 大一扣除一最小不均勻性爲約2%至約5%。 於步驟4中，如同步驟2，氮化鈦408係使用活性離 子蝕刻，使用以氯爲基礎之蝕刻劑蝕刻。 及最後於步驟5中，氧化矽係使用活性離子蝕刻或化 學製程蝕刻（例如10mT壓力' 800瓦特導電能源' 200瓦 特偏能源、100 SCCM Cl2、100 SCCM BC13，及具有攝氏 4〇度之基板溫度），而無可移動之均勻環之需要。 雖然本發明已經以數項較佳具體實施例觀之而加以描 述，但仍有落在本發明範圍內之替代、變更及等效事物。 例如，雖然本發明已經連接得自 Lam Research公司之電 發處理系統（例如 ExelanTM、ExekanTM HP、ExelanTM HPT、2300TM、VersysTM Star等）而經描述，但可使用其 他電漿處理系統。本發明亦可以多種直徑之基板使用（例 如200毫微米、3 00毫微米、液晶螢幕等）。亦應注意的 是，有許多施行本發明方法之替代方式。 優點包括使電漿處理系統中之可調性達最佳化之方法 -18- (15) 1375735 與裝置。其他優點包括改善電漿室中之蝕刻均勻性涵蓋一 組飩刻製程，使製造良率問題降至最低，及使電漿處理生 產量最佳化。 擁有所揭示之舉例具體實施例與最佳模式，所揭示之 具體實施例可實行修正與變型，同時仍然在本發明如藉由 下述申請專利範圍所定義之主題與精神之內。
【圖式簡單說明】 本發明係以實例方式說明於隨文所附圖畫之圖表中， 而非限制之，且其中相同參考數字係指稱相同元件，且其 中： 圖1係說明電漿處理系統組件經簡化之圖式； 圖2 A- C係說明一組經簡化之圖表，顯示包含離子與 中子之電漿覆蓋在基板上： 圖3 A-B係說明根據本發明之一項具體實施例之可移 動均勻環經簡化之圖式組；及 圖4係說明根據本發明之一項具體實施例之舉例基板 經簡化之層堆疊組，其係在TCP 23 00電漿反應器中當場 飽刻。 【主要元件之符號說明】· 102 ：室 1 04 :誘電窗 1 08 :入口管 -19- (16)1375735 109 :注射器 1 1 0 :電漿 1 1 0 a :中子密度 1 10b :離子密度 114 :基板 115 :邊緣環 1 1 6 :基座
1 1 7 :線 122 :氣體分配系統 124a:壓縮氣筒 124f :壓縮氣筒 126a :大量氣流控制器 126f :大量氣流控制器 1 28 :圍欄 130a :引線
130b :引線 1 3 1 :誘導線圈 1 3 2 :相配網路 138 : RF發電機 3 02:可移動之均勻環 3 03 :基板 3 04 :提高 308 :開口 3 1 Ob :電漿 -20- 1375735 基座 某一數量 :中子密度 :離子密度 光阻 底部抗反射層 氮化鈦 鋁 氮化鈦 氧化砂 %

Claims (1)

1375735 y 丨年+月ίι日修正本 附件3Α :第094133162號申請專利範圍修正本 民國101年4月11曰修正 十、申請專利範圍 1. 一種在電漿處理系統中調整一組電漿處理步驟之 方法，包含： 將可移動之均勻環狀物放置在基板的周圍，其中，該 均勻環狀物之底部表面的高度係異於該基板之頂部表面的 φ 高度； 激發電漿於:該電漿處理系統之電漿反應器中； 於第一蝕刻步驟中，蝕刻該基板上之一組的層； 於原位將該可移動之均勻環狀物重放置在該基板的周 圍，其中，在該重放置之後，該均勻環狀物之該底部表面 的高度係約與該基板之該頂部表面的高度相等；及 於第二鈾刻步驟中，在該重放置之後’蝕刻該基板上 之該組的層。
2.如申請專利範圍第1項之方法，另包含清理該電 漿反應器之步驟，其中，清理該電漿反應器之該步驟係實 施於激發該電漿之該步驟之前。 3. 如申請專利範圍第2項之方法’其中’清理該電 漿反應器之該歩驟包含無晶圓自動清理處理° 4. 如申請專利範圍第1項之方法’其中，該可移動 之均勻環狀物包含抵抗電漿攻擊之材料。 5. 如申請專利範圍第4項之方法，其中’該材料包 含石英 1375735 6.如申請專利範圍第 含氧化釔（Y203)。 7 .如申請專利範圍第 含釔。 8 .如申請專利範圍第 含氧化铈（Ce02)。 9 .如申請專利範圍第 含铈。 10.如申請專利範圍第 含氧化鋁（aio3)。 1 1 .如申請專利範圍第 含鋁。 1 2 .如申請專利範圍第 含氧化锆（Zr02)。 1 3 .如申請專利範圍第 含銷。 1 4 .如申請專利範圍第 之均勻環狀物包含當曝露於 刻產物之材料。 1 5 .如申請專利範圍第 含鐵氟龍（Teflon)。 1 6 .如申請專利範圍第 含聚醯亞胺（Vespel)。 1 7 .如申請專利範圍第 項之方法，其中，該材料包 項之方法，其中，該材料包 項之方法，其中，該材料包 項之方法，其中，該材料包 項之方法，其中，該材料包 項之方法，其中，該材料包 項之方法，其中，該材料包 項之方法，其中，該材料包 項之方法，其中，該可移動 電槳時會產生一組揮發性蝕 項之方法，其中，該材料包 項之方法，其中，該材料包 項之方法，其中，該材料包 -2- 1375735 含實質上之純塑料。 18. 如申請專利範圍第4項之方法，其中，該材料包 含陶瓷材料。 19. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，該可移動 之均勻環狀物係經過加熱。
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