TWI374345B - Method and system for dynamically controlling metrology work in progress - Google Patents

Description

974345 九、發明說明： 、 【發明所屬之技術領域】 , 本發明大致係關於工業製程，更詳言之，係關於動態 ,.控制量測中之工件（metr〇1〇gy work in pr〇gress)之各種 方法及系統。 【先前技術】 在完整地參閱了本申請案之後’熟悉相關技術者將可 了解：本發明可廣泛應用於涉及各種不同類型的裝置或工 鲁件的製造之各種工業。舉例而言，將在製造積體電路裝置 曰寸所遭遇的各種問題之環境下討論本申請案的背景。然 而’並不將本發明視為只限於使用於半導體製造工業内。 半導體工業中一直有驅策力來提高諸如微處理器、記 憶體裝置等的積體電路裝置之品質、可靠性、及產出率。 客戶對於可更迅速且更可靠地工作的較高品質之電腦及電 子裝置的需求更強化了此種驅策力。這些需求已使得諸如 ⑩電晶體等的半導體裝置之製造以及設有此種電晶體的積體 電路裝置之製造有了持續的改良。此外，若能減少典型電 晶體的各組成部分製造時之缺陷，則亦可降低每一電晶體 .的整體成本'及設有此種電晶體的積體電路裝置之成本。 一般而言，係利用其中包括光學微影步進機 (photolithography stepper)、蝕刻工具、沈積工且、研 磨工具、熱退火製程工具、植入工具等的各種製程工具， 而對一批晶圓執行一組製程步驟。在過去數年中，構成半 導體製程工具的·基礎之技術已獲致更多的注意，而造成了 5 93238 ⑧ 1374345 -% _ -·此種製程工具的精進。然而，儘管該領域中已有這些進展 人但是目前在市場上可購得的許多該等製程工具仍然有某些 缺點。更具體而言，此種工具經常缺乏諸如以使用者易於 …使用的格式提供歷史性參數資料的能力等的先進製程資料 瓜視此力，也缺乏事件記錄（event 1〇gging)、目前製程參 數及整批次的製程參數之即時圖形顯示、以及遠端（亦即本 地及世界各地）監視。這些缺點可能對諸如產出率、正確 性、穩定性及可重複性、製程溫度、以及機械工具參數等 ♦的關鍵性製程參數造成了非最佳㈣制。由於批次内的差 異性（within-run disparities)、各批次間之差異性（run一 to-run disparities)、及各工具間之差異性（t〇〇1_t〇_ tool disparities)可能造成產品品質及效能的偏差，所以 顯露了前文所述的變化性；反之，用於此類工具的理想之 監視及診斷系統將提供一種監視該變化性之裝置，並提供 一種對關鍵性參數的控制之最佳化裝置。 鲁 改善半導體生產線的作業之一種技術包括使用遍及全 工廠的（factory wide)控制系統來自動地控制各種製程工 具的作業。该專製造工具與由若干製程模組構成的製造架 '構或網路通訊。每一個製造工具通常連接到設備介面。該 設備介面連接到用來協助該製造工具與該製造架構間之通 訊的機器介面。該機器介面通常可能是先進製程控制 (Advanced Process Control ;簡稱 APC)系統中的一部分。 該APC系統根據製造模型而啟動控制描述語言程式 (control script) ’該控制描述語言程式可以是用來自動 6 93238 ⑧ 1374345 行所需的資料之軟體程式。半 逐步經過多個製造工具，以便進行多個製程，而產 經過處理的半導體裝置的品質有關之資料。 ” 之各=程，可能發生會影響到所製造裝置的性能 之各種事件。亦即，製程步驟中的變化可能造_ b 置的各特徵部位之變化、以及裝置性能的變化 ：、 =寸、摻雜濃度一s)、接觸電阻、及:: W專的ϋ切有可能影㈣該裝置的最終 祀據 ::能模::控制生產線中的各種工具，以便減少::: 文化。一般被控制的工具包括微影步進機、研磨工具、蝕 尤積工具。將處理前及(或)處理後的量測資料 ==料工具㈣雜㈣。該等製餘制隸據該性 =模i及該量測資訊來計算諸如製程時間等的操作方式泉 ’以便嘗試使處理後的結果儘量接近目標值。以此種方 式j少變化時’將可獲致更高的產出率、更低的成本、及 更而的裝置性能等成效，所有這些成效都㈣於更高的獲 利率。 通常係根據所製造裝置的設計值而執行各種製程的目 標值。例如，特定的製程層可具有目標厚度。可自動控制 各沈積工具及（或）研磨工具的操作方式，以便減少與該目 標厚度有關的變化。在另一例子中’電晶體閑電極的關鍵 尺寸可具有相關聯的目標值。可自動控制各微影工具及（或） 蝕刻工具的操作方式，以便得到目標關鐽尺寸。 通常將控制模型用來產生控制動作，以便根據所收集 93238 7 1374345 的與所控制的製程工具所進行的處理有關之反饋 (feedback)或前饋（feedf〇rward)量測資料，而 ^ 口 工具的操作方式設定值。為了有效地運作 L 衣長 提供給控制模型時，必須適時地且 上：測資料 該控制模型預測其所控制的製程工具的未來力維持 方式，將量測資料提供給該控制横型。 。、b之 地執投入了相當大的努力以確保精確 轨订了製鞋作業，以便使所產生的 此種情形尤其適用於半導體彭 .°軚規格。 業令料夕夏測工具及感測器用來取得大 料，以便決定在製程工且中勃 、置測貝 確性，⑽定所…=符程::?=正 !該目的，-般半導體製造工廠可能投注大量 :此種量測資料。現代的半導體製造工廉通常將：：二 執仃各種量測作業的許多量測工具又來 量測資料可包括製程声 _ 'J作站。例示的 ，部位之關鍵尺才在基材之上形成的的特徵 〜 * 表面的平坦度等的量測資料。草此 測)，而其他的量測工具可執(例關鍵… 的半導體製造工廠可：有了種靖作。此外，-般 具。 廠U可執行相同量測操作的多種工 在半導體製造環境中，係針對各種製程作業 冽抽樣率。可根據諸如閉極 名、 里 及_程操作在可控制性的穩=4之特各=^的關鍵性 心往度之各種因素而改變 93238

1374345 抽樣率。在半導體製造環境中，通常將量測抽樣率設定在 j於被選擇進行抽樣的所有產品總和將完全使用所有可用 置測處理量〇netrology capacity)之水準。通常可將該抽 樣水準稱為基線抽樣率。將基線抽樣率設定在小於最大抽 2水準，以便在-個或多個量測工具因諸如例行維護及直 量測工具發生計劃外的問題等的各種理由而無法: 作之後，可讓量測工具“趕上（catch_up)，，累積的在製品 (w〇rk-in-Pr〇gress;簡稱 WIp)。例如，如果四 測工具中之一個量測工具無法工作，則在該無法工作= ^工=復工作之前，在製品（WIp)將緩緩累積在量測仵 列。騎，所有四個可用量測工具都將在高於正常使 =用率下運作’直到在製品（WIp)仔列減少到正常值為 儘管努力地控制量測操作，但是 :品⑽)。亦即’由於許多原因，用於各種量測;t 製品符列會超過量測工具之可用的處 i 動來減少量測中之工件或量測仵列。例如，== =低減少到可以接受的程度的時候為止： :之有效性之較少的量測資料。結果，於製造設= 問題可能無法如所期望般快速地偵測到。於3， 诸 製造效率可能由於使用此種減少量測 ^生產率與 低。 又工件之方法而降 本發明係有關克服或至少減少前文所述的一種或多種 93238 9 f * * • 問題之影響。 9 . 【發明内容】 本發明大致關於動態控制量測中 纟& 士 里叫Τ之工件之各種方法及 糸，.先。在一個實施例中，該方 决出从, 々次匕祜5又置適合控制量測工 作机於至少一個量測工具量 ..^ J控制早兀*，識別於量測佇 列内之複數個晶圓批，Μ該等晶圓批將由至少一個量測 工具處理’並且其中該量測控制單元選擇該等晶圓批中之 至少-個晶圓批用於在該至少—個量測工具内之量測處 理，並且根據在該至少―個量測工具内之該選擇之至少一 個晶圓批之量測處理而選擇將要從量測㈣中移除之該複 數個晶圓批中之至少另一晶圓批。 、在另-個實施例中，該方法包括設置適合控制量測工 作流於至少-個量測工具之量測控制單元；識別於量測仔 列内之複數個晶圓批，其中該等晶圓批將由至少一個量測 工具處理，其中該量測控制單元：（a)選擇該等晶圓批中之 鲁至少一個晶圓批用於在該至少一個量測工具内之量測處 理，該選擇之至少一批晶圓係經受先前的製程操作；以及 (b)根據在該至少一個量測工具内之該選擇之至少一個晶 圓批製程之量測處理，在該選擇之至少一個晶圓批從量測 佇列中移除之前，選擇經受該製程操作之該複數個晶圓批 中之至少另一個晶圓批。 【貫施方式】 用以說明之實施例將討論如後。為了清楚說明之目 的’说明書中並未討論實際上實施之所有特徵。應當理解 93238 10 • 定實際實施例的發展過程中’必須做出許 系二二3 = 者之料目標’例如符合與 之情況。:者=:之限制，該等限制將改變各個實施 冉者應理解的是，此發展結果之努力 θ 於與耗時的’但對於所屬技術領域中具有通常知識 '了解本說明書㈣如_行程序般地騎本發明。。 的參照所附圖示來說明本發明。為了說明之目 >以使於=意方式例示出各種結構、系統與裝置， 之細節二技:1Τ具有通常知識者不致於為了已理解 本發明之iL:庫發明。然而，仍加上附圖以說明及解釋 了解的是’此處之用詞與用語與所屬技 I項太中具有通常知識者所了 意義。沒有任何特別的術語或用达之定義^具ΐ 一致的 :::=Γ知識者所了解的慣常定義不同)是由此處 °。或用的一致使用而暗示。然而，具有特別音義之術 | 亦即’與所屬技術領域具有通常知識者所了解的 、吊疋不同）將以直接且明確表達術語或用語特別定義 之方式陳述於說明書中。 第1圖所示係本發明之製造系統10之簡化方塊示音 圖。在所示實施例中，該製造系統10適於製造半導體裝 置。本發明雖然以半導體製造設備來說明，但是本發明、並 不限於此而可應用於其他製造環境。此處所描述之技術可 應用於各種工件或製造用品—ufaetured i tern)。例如， ’本發明可用於有關製造個種積體電路裝置，包括但不限 93238 ⑧ 1374345 .於.微處理器、記憶體裝置、數位訊號處理器 積體電路（aPPlicatl〇n specific integratedcircui；；s. A:s)或其他裝置。此項技術亦可應用於不同於積體電路 裝置之工件或製造用品。 網路20逹接製造系統1〇之各種組件，以使各组件互 相交換資訊。所圖示之製造系統10包括複數個工具％至 80。該工具3〇至8〇中的每一個可連接至電腦（未示出）以

介接^網2 2〇。將工具3〇至8〇中類似的工具編H I如^央文字母在字尾表示。舉例來說，工具組舰至咖 表不某特疋類型之工具’例如化學機械平坦化工且。一個 ㈣的晶圓或許多晶圓在製造時經由工具30至80、前進， 而每-個工具3〇至8〇在處理流程令執行一項特別的作 用。於半導财置製造環境之製程卫具之範例包括量測工 具、、光刻步進機、钱刻工具、沉積工具、研磨工具、快速 熱退火工具、植入工具等。圖示中之工具至之排列 與分組僅為例示之目的。於實際之製造設備中，該工具 至80可以任何順序或群組來排列。另外，於特別群組中之 工具間之連接係表示與網路20之連接，而非工具3〇至8〇 間之互相連接。 衣 l執行系、統（manufacturing executi〇n ”討⑽IK) 飼服器或控制器90管理高等級之製造系統ig之操作。該 MES伺服器90可監視於製造系統1()中各種實體（耐出⑷ (亦即’批（lots)、工具3〇至8〇)之狀態，並透過製程流 (Pr〇CeSS n〇W)控制製造物品流（How of artlcles of 12 93238 ⑧ 1374345 manUfacture)’例如半導體晶圓批。資料庫伺服器丄⑽係 用以儲存與各種實體之狀態以及在製程流中製造2物品有 關之資料。該資料庫伺服器1〇〇可將資訊儲存於—個或多 個資料儲存器110内。該資料可包括預處理與後處理量測 貧料、工具狀態、批之優先權（1〇t pri〇rities)、操作方 式等。該控制器90亦可提供操作方式至如第丨圖所示之一 個或多個工具，或提供將各種操作方式執行於一個或多個 工具之命令。當然，該控制器9〇不需要執行所有的這些功 再者，對於控制器9G所描述之功能可藉由散佈於該系 統10中之一台或多台電腦來執行。 =本發明與相對應之詳細說明係以軟體或操作之演 付號表不法來表示於電腦記憶體内之資料位元。 ==表示法係用來將所屬技術領域中具有通常知識者 ^^,,,ff(substanceof thelrwork)^^#is :::戶二屬技術領域中具有通常知識者。演算法(如此處 = 及如同其通常所使用之情形)係想像成- 致=el一stent)序㈣ =車該步驟需要物理量之物理操作。這些物理量通 ::非必要以下列形式呈現：可用於儲 操作之光學的、電性的、或· 位ΓΓΓ原因已證明為便利以涉及這些訊號作為 位-值、-素、符號、字元、術語、數字等。 然而應了解的是，所古4 + A 物理詈右關，與類似之術語係與合適之 里__為應用至這些物理量之便利標記。除非 93238 13 特別叙述’或由說明7 θ s易地理解，諸如處理（processing) 或運异（c〇mputing)^ p w (d一㈤或4:d“r atlng)或判定 或類似電子計算€置之Aplaylng)等術語，涉及電腦系統 *統之暫存器與二丁;和=’將操作及轉換在電腦 盥在雷腦為 電子量之資料成為 兴在冤細糸統記憶體或靳 次暫存益或其他資訊儲存、傳輸、或 顯不裝置内相似表示為物理量之其他資料。 制时衣^系統=亦包括執行於例示之工作站15 0之量測控 姑ΓγΓΙ ,該里測控制單元12可用以控制執行於製造系 ’’先10中與製造操作有關 關之各種使用之1測工具。該量測控 早兀12可與控制11 90通訊，及/或與個別的工具30-80 2關之-個❹個製程控· 145通訊，其目的將於後文 :說：。由製程控制器145所使用之特定的控制模型係根 正又控制之工具3〇至80之類型。該控制模型可使用公 知$線性或非線性技術憑經驗來發展。該控制模型可為相 對f單之以方耘式為基礎之模型（例如線性、指數、加權平 均等）或較複雜之模型，例如神經網路模型、主成分分析 (Principal component analysis ; pcA)模型、部分最小平 方投影至潛在結構（partianeast squares pr〇jecti〇n 仂 latent structures ; PLS)模型。該控制模型之具體實施可 根據所選擇之模型技術與所控制之製程而改變。特定控制 模型之選擇與發展為所屬技術領域内具有通常知識者=能 力所能及，因此，為了清楚之目的此處將不再贅述控制模 型之更細節部分以避免模糊本發明之焦點。 93238 14 1374345 適合用於製造系統1 〇之例示的資訊交換與製程控制 架構為先進製程控制（advanced process control ； APC) 架構，例如可使用KLA-Tencor公司先前所提供之催化劑系 統（Cata 1 y s t sy st em)來實施。該催化劑系統使用半導體設 備暨材料國際（Semiconductor Equipment and Materials International ; SEMI)電腦整合製造（Computer Integrated Manufacturing; CIM)架構相容之系統技術， 且係根據先進製程控制（APC)架構。CIM(SEMI E8卜0699用 籲於 CIM 架構領域構造（Framework Domain Architecture) 之暫時性的規格）與APC(SEMI E93-0999用於CIM架構先進 製程控制組件之暫時性的規格）規格係由其總部位於美國 加州Mountain View之SEMI所公開而可取用。 製程與資料儲存功能係分佈於如第1圖所示之不同電 腦或工作站之間，以提供一般之獨立與中心資訊儲存。當 然，可使用不同數量之電腦與不同之排列而不違背本發明 之精神及範疇。

第2圖為根據本發明之一個實施例之更詳細的量測系 統5 0之簡化方塊圖。如第2圖中所示，量測控制單元12 連接至複數個量測工具14而操作。在所示實施例中，示意 地繪示出四個此種量測工具14-1、14-2、14-3、以及14-η。 然而，本發明可使用於任何數量之量測工具。該例示的量 測工具14可執行一個或多個各種量測操作。例如，該量測 工具14可執行以下之量測操作，例如測量處理層之厚度、 測量特徵結構之關鍵尺寸（cr i t i ca 1 dimens i on)、測量表 93238 ⑧ 丄 3/434：) =千^度、薄膜電阻率、薄膜光學性質（例如η及k)、 缺I覆蓋物對準（Qverlay aHgnment)等。 —弟2圖亦顯示即將經受在_個或多個量測工 ;丁之-個或多個量測操作之複數個晶圓批23句執 =、以及23,該等批含有複數個(如2〇 2 為b曰圓之半導體基板。該等批23 型地，該等批23係在每_批23内夕a门為代表性的。典 個製程操作之製造階段，且期望在二=已，行至少一 之批23内之晶圓上執:夕固夏测工具上 U内之晶圓上執行任何各種不作T等批 ::製程、退火製程、化學機械研磨:離 或擴散製程、光學微影製料。 & #子植入 * 14^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ 行大致相同情況下，量…執 某特徵結構之關鍵尺某層之厚度、測量 :完全交換所有的量測操作:舉; 具…量測操作，則該兩個二1兩個量測工 不需=:r於該三個量測操作中= 工 且/單元12具有控制與決定哪一批23將在旦列 量二理r本發明之-個觀點，= 與邏輯’⑽W_12

93238 1374345 23在一個或多個量測工具丨4内 。 •‘且14能夠以古。此情形使該量測工 -'、 ,之方式來使用，同時亦提升經由萝$ π | --之晶圓批23之流程，可導致制I#*捉开工由衣&叹備 ^ H +，、 導致1造效率與生產力之提升。 另又而〇’以不需要在苴 _ -作之方式，藉由消除或降低多 &计劃的量測操 ” J 4 /7¾之杲些晶圓批H可去丨θ 控制單元12來控制累藉Μ曰+ J用夏測 心制累積的置測在製品。舉 實施例中，在同一個旦、目& 牛例來。兄，在一個 J個里測刼作之佇列中可能有藉齡拙μ 參亦即，複數批係送至量測工且ί4田 匕有禝數批23， 間電極結構之關鍵尺十:1以測量形成於晶圓上之 不m ^ 者，這些晶圓批23可能以各種 不叼-人數與/或於不同製 且 县，舳—旦、… 例如蝕刻工具）來處理。於 疋執仃里測㈣於所有送至量測工具Η之批 非必須的且浪費珍貴的量測資源。因 此，·、、 除或排除a—et，t)欲用於 二發:^ 里測刼作之某些批23。亦即， 、中 於各種量測工具14之在f。的/庚用本發明以明智地降低 的量：資料來正確地監視執行於製造設備中之製二:夠 一批^ 一個觀點中，將由一個或多個量測工具_理的每 number) ^ staran) ^ ::與^批有關之量測規則表-起識別。可藉= ^2使用此識別資訊以採取各種控制行動。 可為任何期望之格式或組構，且該識別資訊可包 別的特定用品多或少之資訊。舉例來說，在一 個“例中，某給定之批23之識別資訊可為下列之形式： 93238 17 1374345 批號 時間戳記 匹配規則 J20 2004 I 0130 02 ： I 37 : 42 I ET40M1CD R02M1CD 1 年 1 曰期 1 時間 其中該時間戳記表示執行於該標的晶圓批之前一個製程操 作之時間。ET40M1 CD表示金屬1關鍵尺寸（MlCD)量測操作 將在蝕刻工具號碼40(ET40)處理之批中執行。第二項規則 R02M1CD表示金屬1關鍵尺寸（M1CD)量測操作將在經由微 影製程使用光罩（reticle)號碼2(R02)處理之批中執行。 單一個批可滿足數個量測規則。 根據本發明之一個觀點，因為各種原因（例如若有其他 批於量測工具14中處理與/或在量測佇列中有於隨後處理 之批（more recently processed lots)時，則欲要處理之 量測操作可為多餘的）可將量測在製品之批23移除或排 除。下列表格提供例示性之範例：

批號 時間戳記 匹配規則 J20 2004 0130 02 ： 37 ： 42 ET40M1CD R02M1CD J30 2004 0130 03 ： 05 ： 02 ET39M1CD R02M1CD J40 2004 0130 03 : 42 : 55 ET40M1CD S64M1CD 其中，ET39表示蝕刻工具號碼39，S64表示步進機工具號 碼6 4，而其他資訊與前述表示相同。在此例示之範例中， 若所有之批均在量測佇列中時，根據本發明，若希望或需 18 93238 ⑧ I374345 要2可將批J20從量測佇列中移除。可將批J2〇移除是因 為母一個滿足批J20之量測規則與隨後處理之批匹配或同 樣地滿足，當在量測仔列中由較晚的時間戮記所指示。亦 即，批J30匹配批J2kR〇2M1CD規則，而批烟匹配批 J20之E40M1CD規則。因此，批J2〇不需要執行量測操作， 因為較晚的時間戳記之批滿足所有與J2〇有關之量測操作 與規則。當然，若希望的話，可單純地延遲批j2〇所執行 之量測作，以代替完全免除。亦即，批J2〇可等待，直到 量測在製品之程度降低至夠低之程度，才在量測工具Η 中處理批則。然而’在一個實施例中，-旦該批J20使 用本發明而排除，則不會執行於批J2〇執行之量測操作， ^ 疋下游對批J2G内之晶圓執行額外的製程摔

If 0 Μ 作中特定中’用於篁測抽樣之規則在特定製程操 作中月匕特疋用於母—個（Ε_製程工具或任何（ΑΝΥ)製 八於#個製程工具所建立之規則保證由每一個個 抽樣。用於任何製程工具所建立之規則將 保證由至少其中一個制鞀 τ 卜t ^ 衣転具所抽樣。若規則係定義用於 二固ACH)製程工具’則當批成功通過量測操作時，則 Π未進入量測工具以進行處理之任何其他之批以及⑵ 在通過該量測操作之批之處理時間之前已於製程工（） 之任何其他之批，都將從旦钿於η Α ，、處理 音，若佶用用μ 自動排除與移除。請注 :右使用用於任何（_製程工具之量測規則，則 知作％將從量測仵列移除所有其他在 93238 19 1374345 該批：：之特定製程操作處理之批，而不論使用何種工I 本發明亦可依據此處所描述之方法使用各種。 夕，規則。舉例來說，-開始必然需要 ^ 測=或規則係由此處所描述之排除方法加^ methodol〇gles)所處理。給定的製 处β 的以至於不容許排除„戈不#— ^ '、 Β肊疋非常關鍵

My 纟此_操作所處理之各批 :里測#作。在此情況下，在量測佇列中將不 處所描述之方法至此種關鍵批23。此種批可盘： 符（identifier) έ士人，以#旦、目丨。k的識別 批23不其心 測控制單元識別出這些關鍵 吕 < 何理由均不可從量測佇列中移除。 另一個需討論的問題就是考慮抽樣 之合適標細帅其目的在於從量測二又= ΓΓ他之批。大致上，若批展現出在設備中處=多 數之批23之特性，則可將該批 作為代表批之確㈣數可㈣姓Γ 代表。何種資格可 >數了根據特疋之操作而改變。舉例來 於-個實施例中，代表批典型地是具有完㈣晶圓 Γι ΠΓοίwafers)<"b 5 需由工程師測試新製程或工具等之特殊批。 排广之加/之另一個觀點，可限制可使用本發明略過或 批23之數量。可使用此一限制以確定並沒有過多之 量彻。舉例來說，對於某特定量測操細 件列可含有二十批純刻工具 I )°此大量许列之發生有各種理由，例如-個或多個 可用以執行量測操竹旦 '、乍之里測工具14之定期维護或緊急停

93238 20 1374345 .•機。在此情況中，一旦CD量測操作恢復而沒有 檢視最近期處理的二十批將排除或移除前面的十九批」 -建立限制而使得略過不超過四個連續之批;右 將僅排除或移除批16-19。檢視批15將排除㈣見:20 視批10將排除批6-9、以及檢視批5將排除批w 目的可將分隔之限制數量加入量測規則中。若想要，亦。 使用例如1 〇批作為内定之限制規則。 “ ’、可 I發明亦可使用特別之規則，該規則說明可影變 •測控制單力12採取行動之㈣事件之發生。舉例來說，若 在近期已在製程工具或量測工具上執行預防的維護操作， 則：確保於所選擇數量之批23執行量測操作，該批㈡在 該罝測控制單元12能執行此處所描述之排除活動之前經 由該標的工具（subject t〇〇1)而處理。所選擇之數量可根 據特定工具與/或事件種類而改變。根據此特別事件之發" 生，該量測控制單元12可免除排除在該標的工具處理^ φ j，直到當量測操作已於該標的工具中處理執行達特定數 量之批時為止。在如此選擇數量之批23經由量測而處理之 後，該控制單元12接著可使經由該標的工具處理之隨後之 各批能夠根據本發明而予排除。 此處所描述之排除演算法可連續地或間歇地操作。舉 例來說，此處所描述之方法可能總是在進行中、可能當量 測在製品超過預先設定的程度時或當下游處理之在製品程 度太低時才啟動。若有需要，此處所描述之排除演算法亦 可終止。 93238 2] 1374345 本發明大致關於動態控制量測中之工件之各種方法及 系統。在-個實施例中，該方法包括設置適合控制量測工 作流於至少-個量測工具之量測控制單元；識別於量測仔 列内之複數個晶圓批，其中該等晶圓批將由至少一個量測 工具處理’並且其中該量測控制單元選擇該等晶圓批中之 至少-個晶圓㈣於在該至少―個量測卫具内之量測處 理’並且根據在該至少一個量測工具内之該選擇之至少一 個晶圓批之量測處理而選擇將要從該量測仔列中移除之該 複數個晶圓財之至少另一個晶圓批。在進一步之實施例 令，該方法包括執行量測操作於複數個額外之晶圓批。 :另-個實施例中，該方法包括設置適合控制量測工 旦二^ 一個量測工具之量測控制單元；識別複數個於 二之圓批’其中該等晶圓批將由至少一個量測 該㈣㈣單元⑷選擇該等 用r在該至少一個量測工具内之量測處理， ⑻祀|至）一批晶圓係經受先前的製程操作；以及 (b)根據在至少—個量 批之量測處理，㈣選摆/,該選擇之至少一個晶圓 ία:經受該製程操作之該一 Μ之 習此= : = 例示性之說明，於熟 發明可用不同但均内容後可很顯然地了解本 述之處理步驟可，乍^改或貫作。舉例來說，前 了以不同之順序來執行。再者，除了後述.之 93238 22 1374345 申請專利範圍所描述者外，其餘於此顯示之詳細構造或設 计並非要用來限制本發明。因此很明顯的，以上所揭露之 特定實施例可在不違背本發明之精神及料τ進行修飾盘 改變。由i，本發明之權利保護範圍，應如後 杜真 利範圍所列。 寻 【圖式簡單說明】 _藉由參照所附之圖示可更了解本發明上述之說明，圖 不中類似元件標有類似的參考符號，且其中： 弟1圖係根據本發明之一個杳办丨+击丨. 心個貫轭例之製造系統之簡化 方塊圖； 第2圖係根據本發明— 之簡化方塊圖；以及 個實施例之更詳細描述的系 統 第3圖係根據本發明 方法之簡化流程圖。 【主要元件符號說明】 ^ 10 製造系統 14 量測工具 '20 網路 30A至30C工具 50 量測系統 60A至60B工具 80A至80C工具 10 0 資料庫伺服器 145 製程控制器 之一個實施例之控制量測操作之 u 量測控制單元 14-1至l4-n量測工具 23-1至23-n晶圓批 40A至40D工具 50A至50C工具 70A至70C工具 90 製造執行系統伺服器 110 資料儲存器 150 工作站 93238 23

Claims (1)

1374345

、申請專利範圍： 一種用來動態控制量測中 之工件之方法 設置適合控制量測工作流於至少 量測控制單元； 第94131591號專利申請案 101年7月4日修正替拖百 |〇|^Γ|月午日修正本 ，包 一個量測工具之 識別於量測仔列内之複數個晶圓批（仙f叶（的）， 其中，該等晶圓批將由該至少_個量測工具處理；以及 其中’該量測控制單元選擇該等晶圓批中之至少一 個晶圓批用於在該至少一個量測工具内之量測處理，並 且根據在該至少-個量測工具内之該選擇之至少一個 晶圓批之量測處理而選擇將要從該量測佇列中移除之 該複數個晶圓批中之至少另一個晶圓批。 2. 如申請專利範圍帛1項之方法，其中，職少一個量測 工具係適合執行至少一個量測操作。 3. 如申料利範圍们項之方法，其中，該複數個晶圓批 中之每一個晶圓批具有與其相關聯之唯一的批識別號 碼、顯示先前之製程操作執行於該批之日期與時間之時 間戳記（time stamp)、以及至少一個量測規則，每一個 規則表示將要執行於該批之量測操作之類型與執行先 前製程操作於該批之處理實體（pr〇cessing entity)。 4·如=請專利範圍第丨項之方法，其中，用於在該至少一 個量測工具内之量測處理之該至少一個晶圓批之該選 擇係根據在該量測佇列内經受先前製程操作之最近期 之批。 5.如申請專利範圍第丨項之方法，其中，用於在該至少一 (修正本)93238 24 im i ; Γ巩寻刊甲請案 摆仫拍/ 處理之該至少一個晶圓批之該選 '、根據與該批相關聯之量測規則。 6.2請專利範圍第1項之方法，其中，用於在該至少-置測工具内之量測處理之該至少一個晶圓批之 擇係根據在該量測仔列内經受先前製程操作之最 之批以及與該批相關聯之量測規則。 7. 專利範圍第1項之方法’其中’該選擇之用於量 理之晶圓批係經受先前製程操作，且其中 量測仔列中移除之該複數批中之該至少—批之該選擇/ =包=識别至少—個於該選擇之晶圓批之前經受該製 矛王操作之晶圓批。 8· 2請專利範圍第！項之方法，進—步包括從該量_ 列中移除該至少-個選擇用來移除之晶圓批。 9·=申請專利範圍第！項之方法，進—步包括限制可從該 里測仵列中移除之晶圓批之數目。 申請專利範圍第！項之方法，進一步包括執行量測操 作於複數個額外之晶圓批。 ’、 η.如申請專利範圍第！項之方法，其中，該量測控制單元 適合用以控制複數個量測工具。 12.如申請專利範圍第！項之方法，其中，該至少一個量測 工f適合用以執行至少一個量測操作’該量測操作包括 測里關鍵尺寸（critical dimension)、測量層之厚.产、 測量表面之平坦度（p丨anari ty)、測量電特性、測量夂薄 膜電阻率、測量薄膜光學性質、測量缺陷、以及測量覆 (修正本)93238 25 13/4J4D 第94131591號專利令請案 101年7月4日修正替換百 蓋物對準之至少其中之一者。 13· =請專利範圍第β之方法，進—步包括識別 該1測佇列中移除之該複數批中之至少一批。 14.-種用來動態控制量測中之卫件之方法，包括： 設置適合控制量測工作流於至少-個量測工且之 量測控制單元； '乂 識別複數個於量測仵列内之晶圓批，其中，該 圓批將由該至少一個量測工具處理；以及 " 其中’該量測控制單元： ⑷選擇該等晶圓批中之至少—個晶圓批用於在該至少 以具内之量測處理，其中’用於量測處理之該 ^擇之至一批係經受先前製程操作；以及 ⑻根據在該至少—個量測工具内之該選擇之至少一個 晶圓批之該量财理，㈣選敎 ==除之前，選擇經受該製程操作之= 日曰0批中之至少另一晶圓批。 汛如申請專利範圍第14項之方法，其i該至少 測工具適合用以執行至少―個量測操作。 16.^料利f圍第14項之方法，其中，該複數個晶圓 批中之母-個曰曰圓批具有與其相關聯之唯一的批 號碼、顯4前之製程操作執行於該批之 時 時間戳記、以及至少一個詈、目，丨招a, — a兴子間之 要執行於該批之量測摔作：:’母一個規則表示將 作於該批之處理實體之類型與已執行先前製程操 (修正本)93238 26 第94131591號專利申請f 101年7月4日修正替換頁 ,ΐγ | 101年7月4日修正替換] •一申請專利範圍第u項之方法，其中，用於在該至少 !個1測工具内之量測處理之該至少一個晶圓批之該 1選擇係根據與該選擇之批相關聯之量測規則。 ^申明專利範圍第14項之方法，進一步包括從該量測 佇列中移除該至少一個選擇用來移除之晶圓批。 .如：請專利_ 14帛之方法，進一步包括限制可從 該量測佇列中移除之晶圓批之數目。 20.如申請專利範圍第14項之方法，其中，該量測控制單 70適合用以控制複數個量測工具。 21·如申請專利範圍第14項之方法、，* 一步包括識別可不 從該量測佇列中移除之該複數批中之至少一批 故如申請專利範圍第14項之方法，其中，該至少一個量 適合用以執行至少—個量測操作，該量測操作包 括測里關鍵尺寸、測量層之厚度、測量表面之平坦产、 測量電特性、測量薄膜電阻率、測量薄膜光學广 量缺陷、以及測量覆蓋物對準之至少其中之一者 (修正本)93238 27 10 10 1374345

第94131591號申請專利申請案 中文圖式修正本1 97年9肖9、曰 90- 〇 鲁、 100 Tff-Vi °\mmm 工具 工具 工具 30A —► 30B 30C 工具 工具 工具 工具 40A 40B —W 40C _^ 40D .110 工具 工具 工具 製程控制器 50A 50B 50C 145 2cr ❿ 150

-> 工具 工具 工具 製程控制器 70A W 70B 70C 145 工具 工具 工具 製程控制器 80A 80B 80C + - 145 V 1374345

月Ί曰修正替Μ

\\ t/ 批 23-1 批 23-2 批 23-3 批 23-n