TWI358071B - Manufacturing method of over-current protection de - Google Patents

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TWI358071B TW096118270A TW96118270A TWI358071B TW I358071 B TWI358071 B TW I358071B TW 096118270 A TW096118270 A TW 096118270A TW 96118270 A TW96118270 A TW 96118270A TW I358071 B TWI358071 B TW I358071B
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Description

九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種過電流保護元件之製作方法,更具體 而言,係關於一具有正溫度係數(positive temperature coefficient: PTC)導電複合材料之過電流保護元件之製作方 法。 【先前技術】 由於具有正溫度係數(Positive Temperature Coefficient ; PTC)特性之導電複合材料之電阻具有對温度變化反應敏銳 的特性,可作為電流感測元件之材料,且目前已被廣泛應 用於過電流保護元件或電路元件上。由於PTC導電複合材 料在正常溫度下之電阻可維持極低值,使電路或電池得以 正常運作。但是,當電路或電池發生過電流(over-current) 或過高溫(over-temperature)的現象時,其電阻值會瞬間提高 至一高電阻狀態(至少104ohm以上),而將過量之電流反向抵 銷,以達到保護電池或電路元件之目的。 一般而言,低阻值PTC過電流保護元件(體積電阻值小於 0.1 Ω-cm)之製作方法如下。首先將結晶性高分子聚合物(例 如高密度聚乙稀及低密度聚乙稀)及無氧導電陶瓷粉末(例 如碳化鈦)置入混鍊機(例如Hakke-mixer)内,進料溫度定在 160°C,以50rpm之轉速混合15分鐘,以形成PTC材料。再 將該PTC材料倒出置於一熱壓機内,以鋼板及鐡弗龍 (Teflon)脫模布置於該PTC材料之上下兩側,在180°C下壓製 成PTC之薄片。接著,將兩張電極箔分別置於該PTC薄片之 1358071
上下兩側。在180°C下壓合製成厚度為0.4 5 mm至0.6 5 mm之 PTC複合材料,亦即電極箔/PTC薄片/電極箔之結構。之後, 利用模具將該結構衝切成2.8mm X 3.5mm大小之晶片(以下 稱過電流保護元件)。表一係使用上述製作方法製成之12個 過電流保護元件樣本之啟始電阻值、大小尺寸及經10次循 環壽命測試(cycle life test,其係施加12伏特/10安培於該過 電流保護元件上,持續10秒後,中斷60秒,如此稱為1次循 環)後之電阻值。其啟始電阻值之分佈由最小值之0.0101Ω 至最大值之0.0195Ω,標準差為0.003。在實際的低電阻應 用中,如表一之啟始電阻變異太大,其分佈(distribution) 亦有待改善。
表一 樣本 啟始電阻(Ω) 寬度(mm) 厚度(mm) 10次循環壽命測試後之電阻值(Ω) 1 0.0180 2.81 0.75 0.0251 2 0.0146 2.83 0.73 0.0276 3 0.0194 2.82 0.74 0.0258 4 0.0163 2.84 0.74 0.0301 5 0.0195 2.84 0.75 0.0192 6 0.0165 2.81 0.73 0.0226 7 0.0124 2.84 0.73 0.0184 8 0.0101 2.83 0.73 0.0189 9 0.0135 2.83 0.71 0.0283 10 0.0140 2.85 0.70 0.0209 11 0.0119 2.85 0.69 0.0208 12 0.0116 2.85 0.67 0.0221 平均值 0.0148 2.8333 0.7225 0.0233 最小值 0.0101 2.8100 0.6700 0.0184 最大值 0.0195 2.8500 0.7500 0.0301 1358071 標準差 0.0030 0.0137 0.0238 〇〇〇38 至於應用於耐咼電壓(大於250伏特)之PTC過電流保護元 件,其製作方法與上述之低阻值之PTC過電流保護元件製 作方法類似’已為熟知此項技術領域之人士所知,只需適 當改變PTC材料的成分及比例(例如換成高密度聚乙烯、氫 氧化鎂及碳黑等)即可。另外’為了達到对高電壓之目的’ 其厚度(大於2.5mm)通常較低阻值pTC過電流保護元件厚, 也因此依上述方法製作之耐高電壓PTC過電流保護元件較 缺乏均勻之啟始電阻。表二係使用上述製作方法製成之2〇 個耐咼電壓PTC過電流保護元件樣本之啟始電阻值及厚 度。其中啟始電阻之分佈(標準差為1.814)劣於表一之分佈 (標準差為0.003)。 表二 樣本 啟始電阻(Ω) 厚度(mm) 1 6.83 3.58 2 7.75 3.56 3 6.93 3.59 4 7.58 3.56 5 4.55 3.46 6 5.84 3.44 7 4.51 3.43 8 6.90 3.54 9 10.18 3.57 10 5.49 » 3.48 11 9.94 3.57 12 4.64 3.51 13 6.03 3.52 14 9.64 3.56 15 4.73 3.50 16 4.25 3.51 17 5.89 3.59 18 4.37 3.49 19 7.23 3.58 20 5.55 3.51 平均值 6.44 3.53 標準差 1.814 0.049 最大值 10.18 3.59 最小值 4.25 3.43 1358071 • · 【發明内容】 本發明之主要目的係提供一種過電流保護元件之製作方 法’藉由在一特定預設溫度下之加壓步驟,使至少一過電 流保護元件内之正溫度係數導電材料層之側邊生成至少— 溢流部’以改善該至少一過電流保護元件啟始電阻之分佈。 為了達到上述目的,本發明揭示一種過電流保護元件之 製作方法,其包含提供至少一電流感測元件及一加壓步 驟。該電流感測元件包含一第一電極箔、一第二電極箔及 一正溫度係數(PTC)導電材料層,係物理接合於該第一及該 第二電極箔之間’且包含至少一結晶性高分子聚合物及一 導電填充料。該加壓步驟係於一預設溫度下,加壓每該電 流感測元件使該PTC導電材料層之側邊生成至少一溢流部 以形成該過電流保護元件,其中該預設溫度係高於該pTC 導電材料層之軟化點(較佳地,高於該PTC導電材料層之融 點)。該第一及第二電極箔含瘤狀(n〇duie)突出之粗糙表 面,並與該PTC導電材料層直接物理性接觸。 於另一實施例中,該電流感測元件另包含一設置於該第 一電極羯外侧之第一導電片及一設置於該第二電極箱外側 •8- 之第二導電片。該無氧導電陶瓷粉末之粒徑大小係介於 〇.〇1//m至30 A m之間,較佳粒徑大小係介於〇丨# m至10# m之間,該無氧導電陶瓷粉末之體積電阻值小於5〇〇 # ◦ -cm,且均勻分散於該至少一結晶性高分子聚合物之中。該 複數個結晶性高分子聚合物可選自:高密度聚乙烯、低密 度聚乙烯、聚丙烯、聚氟乙烯及其共聚合物。該過電流保 護元件具有較佳之電阻分佈;適用於製作低阻值(體積電阻 值小於0.1 Ω-cm)之過電流保護元件及耐高電壓(大於250伏 特)之過電流保護元件。 【實施方式】 以下說明本發明過電流保護元件製作方法之各種實施 例。圖1係本發明過電流保護元件製作方法之流程圖。圖2(a) 及2(b)係圖1之圖示流程。首先提供至少一電流感測元件 1 〇(步驟S10)。該電流感測元件丨〇之製備方法如下。將批式 混鍊機(Hakke-mixer)進料溫度定在16〇。〇,加入至少一結晶 性高分子聚合物(於本實施例係為高密度聚乙烯(HDPE)4.8 克、低密度聚乙烯(LDPE)9_8克)及一導電填充料(於本實施 例為碳化鈦(TiC) 117.6克),以50rmp之轉速混合15分鐘,以 形成PTC材料。接著’將該PTC材料倒出置於一熱壓機内, 以鋼板及鐡弗龍脫模布置於該pTC材料之上下兩側,在 180°C下壓製成PTC導電材料層11。之後,將兩張電極箔12 及12'分別置於該ptc導電材料層11之上下兩侧。在下 壓合製成厚度為0.45mm至0.65mm之PTC複合材料,亦即電 極箔/PTC薄片/電極箔之結構。然後,利用模具將該結構沖 切(punch)成2.8mmx3.5mm大小之晶片(即電流感測元件 10)。步驟S10之後,在一高於PTC導電材料層11之軟化點溫 度(較佳地’可高於PTC導電材料層11之融點溫度),加壓電 流感測元件10,使PTC導電材料層11之側邊生成至少一溢流 部13,以形成過電流保護元件1 〇·(步驟S20)。每一溢流部13 之面積小於其所在該PTC晶片(即電流感測元件1〇)之面積。 於本發明第一實施例中,步驟S20之詳細步驟敍述如下。 參圖3(a),首先將於步驟S10完成之電流感測元件1〇放置於 一容具14之凹槽15内,該凹槽15具一固定深度D1且該固定 深度D1係小於電流感測元件1 〇之厚度D2。參圖3(b),接著 將一熱壓頭(hot bar)16以高於195 °C之溫度及大於 2.5MPa(2.5xl06Pa)之壓力’施加在電流感測元件1〇上方, 直到電流感測元件10之厚度D2被壓縮至固定深度D1,並持 續5秒。藉此’部分之PTC導電材料層11將被擠壓而溢流出 電極箔12或121生成至少一溢流部13,而形成電流保護元 件 10,。 本發明第二實施例係將第一實施例中之圖3(b)(即步驟 S20)改為圖3(c)之方式實施,其方法如下。將於步驟si〇完 成之電流感測元件10放置於一熱壓頭16,上,並於電流感測 元件10兩侧放置二具一固定高度D3之間隔件(spacer)17,其 中該固定高度D3係小於電流感測元件1 〇之厚度D2。再利用 另一熱壓頭16"以高於195°C之溫度及大於2.5MPa之壓力, 施加在電流感測元件10上方,直到電流感測元件1 〇之厚度 D2被壓縮至固定深度D3 ’並持續5秒。藉此,部分之ptc 1358071 導電材料層11將被擠壓而溢流出電極箔12或12',生成至少 一溢流部13 ’而形成過電流保護元件丨。 於本發明第三實施例中,步驟S20之詳細步驟敍述如下。 參圖4(a),首先將於步驟si〇完成之電流感測元件1〇放置於 一容具18之凹槽18’内,該凹槽18,具一固定深度D5且該固定 深度D5係大於電流感測元件10之厚度〇2。之後,利用複數 個鎖固件19將一上蓋20鎖固在該容具18上方,使得上蓋20 • 與電流感測元件10之間具一間隙18·,。參圖4(b),接著將容 具18連同上蓋20及電流感測元件1 〇放入一熱烘箱(〇ven),加 熱至140 C並維持至少3小時。電流感測元件1 〇受熱膨脹後 (即於第一方向膨脹)因受固定深度D5之限制,其厚度將相 當於固定深度D5且部分之PTC導電材料層11將被擠壓(即 於與第一方向相互垂直之第二方向被撥壓)而溢流出電極 箔12或12’,生成至少一溢流部13,而形成過電流保護元件 10,。 修 上述各實施例之圖示均以單一電流感測元件為例。然, 實際上可放置複數個電流感測元件同時進行加壓步驟(即 步驟S20)。當針對複數個電流感測元件同時進行加壓步驟 後’其所形成之複數個電流保護元件係具相同之厚度。此 外’在進行加壓步驟之前可先將圖2(a)之電流感測元件1〇 上下兩側(即電極箔12及12,之外側)分別設置一導電片,其 係在電極落12及12’之外側先塗抹錫膏再利用迴焊製程 (reflow process)完成。 -11- 1358071 表三係使用本發明第一實施例之過電流保護元之製作方 法製成之12個過電流保護元件樣本之啟始電阻值、大小尺 寸及經10次循環壽命測試(cycle life test,其係施加12伏特 /10安培於該過電流保護元件上,持續10秒後,中斷60秒, 如此稱為1次循環)後之電阻值,其所使用之樣本係將表一 中之過電流保護元件再施予加壓步驟(即步驟S20)後而形 成之過電流保護元件。表三樣本之啟始電阻值分佈由最小 值之0.0074 Ω至最大值0.0089 Ω,平均啟始電阻為 0.0083 Ω (標準差為0.0004),較表一中之平均啟始電阻 0.0148Ω(標準差為0.003)為佳。另,經10次循環壽命測試後 之電阻平均值為0.0098 Ω(標準差為0.0003),較表一中之經 10次循環壽命測試後之電阻平均值0.0233 Ω (標準差為 0.0038)為佳。而表三最後一櫊位則顯示該12個過電流保護 元件樣本之體積電阻值均明顯小於0.1 Ω-cm。
表三 樣本 啟始電阻(Ω) 寬度(mm) 厚度(mm) 10次循環壽命測試 後之電阻值(Ω) 體積電阻值(Ω-cm) 1 0.0083 3.02 0.54 0.0095 0.0151 2 0.0082 3.03 0.53 0.0094 0.0152 3 0.0082 3.01 0.53 0.0099 0.0152 4 0.0074 3.03 0.53 0.0098 0.0137 5 0.0089 3.01 0.53 0.0104 0.0165 6 0.0083 3.08 0.53 0.0096 0.0153 7 0.0086 3.04 0.53 0.0095 0.0159 8 0.0087 3.15 0,53 0.0097 0.0161 9 0.0086 3.12 0.53 0.0100 0.0159 10 0.0082 3.02 0.52 0.0102 0.0155 11 0.0081 3.03 0.52 0.0099 0.0153 -12- 1358071 12 0.0080 3.13 0.53 0.0097 0.0148 平均值 0.0083 3.0558 0.5292 0.0098 0.0154 最小值 0.0074 3.0100 0.5200 0.0094 0.0137 最大值 0.0089 3.1500 0.5400 0.0104 0.0165 標準差 0.0004 0.0484 0.0049 0.0003 0.0007 表四係使用本發明第三實施例之過電流保護元件之製作 方法製成之20個财高電壓(大於250伏特)PTC過電流保護元 件樣本之啟始電阻值及厚度,其中啟始電阻之標準差為 0.772。表四樣本中之PTC導電材料係包含高密度聚乙烯 21.84克、氫氧化鎂17.92克及碳黑16.24克等,其製作方法 除了加壓步驟S20外,係與表二中樣本之製作方法相同。
表四 樣本 啟始電阻(Ω) 厚度(mm) 1 6.20 3.51 2 6.63 3.45 3 5.92 3.46 4 6.74 3.48 5 5.94 3.41 6 8.62 3.51 7 7.66 3.50 8 6.96 3.47 9 7.19 3.50 10 6.64 3.48 11 7.82 3.51 12 6.16 3.51 13 7.17 3.51 14 7.57 3.50 15 7.62 3.52 16 6.13 3.51 17 5.67 3.53 -13- 18 6.17 3.51 19 6.70 3.52 20 5.91 3.46 平均僅1 6.77 3.49 標準差 0.772 0.029 最大值 8.62 3.53 最小值 5.67 3.41 1358071 比較表三及表一以及比較表四及表二可知,利用本發明 製作之低阻值之過電流保護元件相較於習知方法製作之低 阻值之過電流保護元件具有較佳之啟始電阻分佈、較佳啟 始電阻值及較佳之經循環壽命測試後之電阻值;利用本發 明製作之耐高電壓之過電流保護元件具有較佳之啟始電阻 分佈。因此,本發明過電流保護元件之製作方法確能達到 本發明之預期目的。 本發明之技術内容及技術特點已揭示如上,然而熟悉本 項技術之人士仍可能基於本發明之教示及揭示而作種種不 背離本發明精神之替換及修飾。因此,本發明之保護範圍 應不限於實施例所揭示者,而應包括各種不背離本發明之 替換及修飾,並為以下之申請專利範圍所涵蓋。 【圖式簡單說明】 圖1係本發明過電流保護元件製作方法之流程圖; 圖2(a)及2(b)係圖1之圖示流程; 圖3(a)〜3(c)顯示本發明第一及第二實施例之過電流保護 元件之製作流程;以及 •14· 1358071 圖4(a)及4(b)係本發明第三實施例之圖示流程。 【主要元件符號說明】 10 電流感測元件 10' 過電流保護元件 11 . PTC導電材料層 12、12' 電極箔 13 溢流部 • 14、18容具 15、18’ 凹槽 . 16、16'、16"熱壓頭 . 17 間隔件 18" 間隙 19 鎖固件 20 上蓋 S10、S20 步驟 -15-

Claims (1)

  1. 第096118270號專利申請案 申請專利範園替換本(100年11月) fU卜日修(it)Af、狯R * —— 電流感測元件係包含一 十、申請專利範圍: ..一種過電流保護元件之製作方法 提供至少一電流感測元件,該 第一電極II、一第二電極箔及一物理接合於該第一及該第 二電極箔間之正溫度係數(PTC)導電材料層之複合材料, 該PTC導電材料層包含至少一結晶性高分子聚合物及一 導電填充料;以及 於一預設溫度下,加壓該電流感測元件,使該PTC導電 材料層之側邊生成至少一1流部而形成該過電流保護元 件; 其中該電流感測兀件之厚度介於〇 45至〇 65mm之間, 其體積電ίΐ值小於,且其起始之標準差及經 1 〇次施加12伏特、10安培持續丨〇秒及中斷6〇秒之循環壽命 測試後之電阻值的標準差係小於等於〇 〇〇〇4。 根據請求項1之過電流保護元件之製作方法其中該預設 溫度係高於該PTC導電材料層之軟化點。 根據請求項1之過電流保護元件之製作方法,其中該預設 溫度係高於該PTC導電材料層之融點。 根據請求項1之過電流保護元件之製作方法,其中該溢流 部之面積係小於其所在該電流感測元件之面積。 根據請求項丨之過電流保護元件之製作方法,其中該電流 感測元件另包含: 一第一導電片,係設置於該第一電極落之外側;以及 一第二導電片’係設置於該第二電極箔之外側。 13.58071 I卜#。月P日修($)正替換IT 6. 根據請求項1之過電流保護元件之製作^法,其中該電流^ 感測元件於加壓形成溢流部前係經衝切而成。 7. 根據請求項1之過電流保護元件之製作方法,其中該加壓 電流感測元件之步驟包含: 將該電流感測元件置於一具一固定深度之容具内,該 固定深度係小於該電流感測元件之厚度;以及 使用一熱壓頭施壓於該第一電極箔,以使該電流感測 元件之厚度被壓縮至該固定深度。 8·根據請求項1之過電流保護元件之製作方法,其中該加壓 電流感測元件之步驟係使用二熱壓頭分別施壓於該電流 感測70件之第一及第二電極箔,以使該電流感測元件被 壓縮至一固定厚度。 9,根據請求項8之過電流保護元件之製作方法,其中該固定 厚度係小於該電流感測元件之原厚度。 10. 根據請求項丨之過電流保護元件之製作方法,其中該加壓 電流感測元件之步驟係利用侷限該電流感測元件於第一 方向熱膨脹至一固定厚度,而於垂直於第一方向之第二 方向將該PTC導電材料層擠壓而生成該至少一溢流部。 11. 根據請求項10之過電流保護元件之製作方法,其中該固 疋尽度係大於該電流感測元件之原厚度。 12. 根據請求項k過電流保護元件之製作方法,其中該加麼 電流感測元件之步驟之壓力係大於2.5 M p a。 13. 根據請求項i之過電流保護元件之製作方法其中該結晶 性尚分子聚合物包含一高密产_ 7、膝麻 门在度祆乙烯及一低密度聚乙 -2- 14. 根據請求項1之過電流保護元件之製作方法,其中該導電 填充料係碳化鈦。 15. —種過電流保護元件之製作方法,包含以下步驟: 提供至少一電流感測元件,該電流感測元件係包含一 第電極箔、一第二電極箔及一物理接合於該第一及該第 二電極箔間之正溫度係數(PTC)導電材料層之複合材料, 該PTC導電材料層包含至少一結晶性高分子聚合物及一 導電填充料;以及 於預没溫度下’加壓該電流感測元件,使該ρτο導電 材料層之側邊生成至少一溢流部而形成該過電流保護元 件; 其中該電流感測元件之厚度介於3.41至3.53mm之間, 其起始電阻之標準差為0.772,且該電流感測元件可承受 之電壓大於等於250伏特。 16·根據請求項15之過電流保護元件之製作方法,其中該結 晶性高分子聚合物包含一高密度聚乙烯。 i7.根據請求項15之過電流保護元件之製作方法,其中該導 電填充料係碳黑。 丄8.根據請求項15之過電流保護元件之製作方法,其中該電 流感測元件於加壓形成溢流部前係經衝切而成。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8933775B2 (en) 2012-09-28 2015-01-13 Polytronics Technology Corporation Surface mountable over-current protection device
TWI584308B (zh) * 2015-07-16 2017-05-21 聚鼎科技股份有限公司 過電流保護元件

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100928131B1 (ko) 2007-11-08 2009-11-25 삼성에스디아이 주식회사 Ptc 소자, ptc 소자를 포함하는 보호회로기판 및보호회로기판을 포함하는 이차전지
US7708912B2 (en) * 2008-06-16 2010-05-04 Polytronics Technology Corporation Variable impedance composition
CN102490431B (zh) * 2011-11-29 2014-07-23 镇江奥力聚氨酯机械有限公司 层压输送机的夹心板厚度调整用垫块
CN103198910B (zh) * 2012-01-06 2016-04-06 聚鼎科技股份有限公司 热敏电阻元件
CN103258607B (zh) * 2012-02-16 2016-03-23 聚鼎科技股份有限公司 过电流保护元件
US9764769B2 (en) 2015-02-09 2017-09-19 Honda Motor Co., Ltd. Vehicle frame structural member assembly and method
US9613736B1 (en) * 2015-09-30 2017-04-04 Fuzetec Technology Co., Ltd. Positive temperature coefficient circuit protection chip device
CN106710756A (zh) * 2016-12-20 2017-05-24 上海长园维安电子线路保护有限公司 具有外部电气测试点的电路保护组件
CN114274658B (zh) * 2021-12-22 2022-12-20 江苏盛矽电子科技有限公司 一种溢流阻隔式丝网与pi膜贴合装置及其贴合方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW309619B (zh) * 1995-08-15 1997-07-01 Mourns Multifuse Hong Kong Ltd
US6143206A (en) * 1998-06-24 2000-11-07 Tdk Corporation Organic positive temperature coefficient thermistor and manufacturing method therefor
TWI286412B (en) * 2002-07-25 2007-09-01 Polytronics Technology Corp Manufacturing method of over-current protection devices

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8933775B2 (en) 2012-09-28 2015-01-13 Polytronics Technology Corporation Surface mountable over-current protection device
TWI584308B (zh) * 2015-07-16 2017-05-21 聚鼎科技股份有限公司 過電流保護元件
US10056176B2 (en) 2015-07-16 2018-08-21 Polytronics Technology Corp. Over-current protection device

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