TWI357501B - Evaluation circuit for capacitance and method ther - Google Patents

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TWI357501B
TWI357501B TW097110489A TW97110489A TWI357501B TW I357501 B TWI357501 B TW I357501B TW 097110489 A TW097110489 A TW 097110489A TW 97110489 A TW97110489 A TW 97110489A TW I357501 B TWI357501 B TW I357501B
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Yu Kuang
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Raydium Semiconductor Corp
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R27/00Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
    • G01R27/02Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
    • G01R27/26Measuring inductance or capacitance; Measuring quality factor, e.g. by using the resonance method; Measuring loss factor; Measuring dielectric constants ; Measuring impedance or related variables
    • G01R27/2605Measuring capacitance

Description

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^ TW4167PA 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種電容值偵測電路,且特別是有關 於一種透過觀察對待測電容進行充電與放電操作時充電 與放電之反應時間,來得到待測電容之電容值的電容值感 測電路。 【先前技術】 • 傳統上,多半以機械式開關來實現使用者控制介面裝 置。由於傳統機械開關需直接與使用者進行接觸,始可回 應於使用者之控制指令進行操作,傳統機械式裝置具有容 易在使用者操作過程中發生結構壞損。 在科技發展日新月異的現今時代中,觸控式開關係以 存在。傳統上,觸控式開關例如是電容式開關,其係透過 感應待測電容之電容值隨使用者之接近與否之變化來進 行控制。然而,如何設計出可有效地偵測待測電容之電容 ^ 值變化之電容值偵測電路,以提升電容式開關為業界不斷 致力的方向之一。 【發明内容】 本發明係有關於一種電容值偵測電路,相較於傳統電 容值偵測電路,本實施例之電容值偵測電路可更準確地對 待測電容進行電容值偵測。 根據本發明提出一種電容值量測電路,包括積分器電 1357501 路、第一、第二控制電路及處理器電路。積分器電路具有 輸入端輸出端,輸出端上具有積分電壓,積分器電路用以 回應於控制訊號在電壓設定期間中將積分電壓設定為起 始位準。第一控制電路包括第一輸出端及待測電容,第一 控制電路用以回應於第一組時脈訊號切換待測電容之至 ' 少一端上之電壓,並選擇性地使待測電容之一端與第一輸 入端電性連接,以在第一積分期間中控制積分器電路進行 電壓積分,將積分電壓自起始位準調整為終止位準,待測 • 電容之電容值相關於終止位準與起始位準之差值。第二控 制電路包括第二輸出端與被動元件,被動元件具有已知特 性值。第二控制電路用以回應於第二組時脈訊號切換被動 元件之至少一端上之電壓,並選擇性地使被動元件之一端 與第二輸入端電性連接,以在第二積分期間中控制積分器 電路進行電壓積分,將積分電壓之位準自終止位準調整為 起始位準。處理器電路用以提供第一組及第二組時脈訊號 來驅動第一及該第二控制電路,並用以根據第一及第二積 赛 分期間之時間長度及已知特性值來計算得到待測電容之 電容值。 根據本發明提出一種電容值量測電路包括積分器電 路、第一、第二控制電路及處理器電路。積分器電路具有 輸入端及輸出端,輸出端上具有積分電壓,積分器電路用 以回應於控制訊號在電壓設定期間中將積分電壓設定為 起始位準。第一控制電路包括第一輸出端與被動元件,被 動元件具有已知特性值。第一控制電路用以回應於第一組 1357501
. ^ TW4167PA 時脈訊號切換被動元件之至少一端上之電壓,並選擇性地 使被動元件之一端與第一輸入端電性連接,以在第一積分 期間中控制積分器電路進行電壓積分,以將積分電壓之位 準自起始位準調整為終止位準。第二控制電路包括第二輸 出端及待測電容,第二控制電路用以回應於第二組時脈訊 ' 號切換待測電容之至少一端上之電壓,並選擇性地使待測 電容之一端與第二輸入端電性連接,以在第二積分期間中 控制積分器電路進行電壓積分,將積分電壓自終止位準調 • 整為起始位準,待測電容之電容值相關於終止與該起始位 準之差值。處理器電路用以提供第一組及第二組時脈訊號 來驅動第一及該第二控制電路,並用以根據第一及第二積 分期間之時間長度及已知特性值來計算得到待測電容之 電容值。 根據本發明提出一種電容值量測方法應用於電容值 量測電路,電容值量測電路包括稹分H路-1稹分-器慮路_ 之輸出端具有積分電壓,待測電容電性連接至積分器之輸 % 入端。電容值量測方法包括下例之步驟:首先回應於第一 組時脈訊號切換待測電容之至少一端上之電壓,以在第一 積分期間中將積分電壓之位準自起始位準調整為終止位 準,待測電容之電容值相關於終止位準與起始位準之差 值;接著回應於第二組時脈訊號在第二積分期間中將積分 電壓之位準自終止位準調整為起始位準;以及之後根據第 一、第二積分期間及已知特性值運算得到待測電容之電容 1357501
TW4167PA * ^ 根據本發明提出電容值量測方法,應用於電容值量测 電路,電容值量測電路包括積分器電路,積分器電路之輸 出端具有積分電壓,待測電容電性連接至積分器之輸入 端。電容值量測方法包括下列之步驟:首先回應於第一組 時脈訊號在第一積分期間中將積分電壓自起始位準調整 為終止位準;接著回應於第二組時脈訊號切換待測電容之 至少一端上之電壓,以在第二積分期間中將積分電壓之位 準自終止位準調整為起始位準,待測電容之電容值相關於 • 終止位準與起始位準之差值;以及之後根據第一、第二積 分期及已知特性值間運算得到待測電容之電容值。 為讓本發明之上述内容能更明顯易懂,下文特舉一較 佳實施例,並配合所附圖式,作詳細說明如下: 【實施方式】 本實施例之電容值偵測電路係分別以待測電容及已 知電容來對一節點上之電壓進行充電及放電操作,並以充 % 電操作及放電操作對應到之操作時間的比值來計算得到 待測電容之電容值。 第一實施例 請參照第1圖,其繪示本發明第一實施例之電容值量 測電路的方塊圖。電容值量測電路10包括控制電路12、 14、積分器電路16及處理器電路18。控制電路12及14 分別用以控制積分器電路16將積分器電路16之輸出端 { 5 >· 9 1357501
TW4167PA ―上之積分_ %自起始位準設終 自終止_設4起純準。在本實施财及將其 之位準冋於起始位準的情形為例作說明。處理 位準 二產t對應之訊號驅動控制電路12、14及積分WI 16執行前述操作 頁刀益電路 並用以回應於積分電壓Vx之位準變化 來進订待测電容Cx$雷六估从·富曾^ 千文化 X之電谷值的運异。接下來,係對電交 里'貝1〇中各個元件之操作作進一步說明。 、^二°。電路16包括輸入端ndi、輸出端ndo、開關Sc、 及運算放大器(Operational Amplifier)OPl。開 關Sc之兩端及積分電容Ci之兩端係跨接於運算放大器 〇P1,負輸入端及輸出端ndo,開關Sc被致能之控制訊號 CS1導通。運算放大器〇ρι之正輸入端係接收參考電壓 Vr。其中’參考電壓Vr為本實施例之電容值量測電路1〇 之最向電壓VDD與接地電壓間的任何特定參考電壓,舉 例來說’參考電壓Vr實質上等於電壓VDD/2。 控制電路12包括輸出端OE1、開關電路SW1及待測 電容Cx ’其係耦接至節點ndl。開關電路swi包括開關 Sal及Sa2 ’其之—端係耦接至節點ndl,另一端分別接收 電壓Vfl及耦接至運算放大器0P1之負輸入端。開關Sal 及Sa2分別被致能之時脈訊號ck—al及CK_a2導通。待 測電容Cx之兩端分別耦接至節點ndl及接收電壓Vfl。 電壓Vfl例如為接地電壓。 控制電路14包括輸出端0E2、開關電路SW2及已知 電容Cc,其係耦接至節點nd2。開關電路SW2包括開關 1357501
;^ TW4167PA
Sbl及Sb2,其之一端耦接至節點nd2,另一端分別接收電 壓Vf2及耦接至運算放大器OP1之負輸入端。開關Sbl 及Sb2分別被致能之時脈訊號CK_bl及CK_b2導通。已 知電容Cc之兩端分別耦接至節點nd2及接收電壓Vfl。電 壓Vf2例如為最高電壓VDD。 ' 請參照第2圖,其繪示乃第1圖之電容值量測電路10 的相關訊號時序圖。本實施例之電容值量測電路10例如 包括電壓設定期間TP PS、積分期間TP IT1及TP IT2等 • 三個操作期間,處理器電路18用以在對應之操作期間中 產生對應之控制訊號,以對電容值量測電路10進行時序 控制。 更詳細的說,在電壓設定期間TP_PS中,處理器電路 18係致能控制訊號CS1,以導通開關Sc。如此,運算放 大器OP1之負端及輸出端ndo彼此電性連接,使運算放大 器OP1實質上被偏壓為一個單位增益緩衝器(Unit Gain Buffer),而運算放大器OP 1之正輸入端及輸出端ndo具有 — 實質上相等之電壓(=參考電壓Vr)。又運算放大器OP1之 正負輸入端彼此為虛短路之特性,如此,在電壓設定期間 TP_PS中,運算放大器OP1之正、負輸入端及輸出端ndo 上之位準均被設定為參考電壓Vr。在電壓設定期間TP_PS 中,時脈訊號CK_al、CK_a2、CK_bl及CK_b2持續地為 非致能,使得開關Sal、Sa2、Sbl及Sb2為關閉。舉例來 說,控制訊號CS1之致能位準例如為高位準;時脈訊號 CK al、CK_a2、CK_bl及CK_b2之非致能位準例如為低
TW4I67PA 位準。 在積分期間TP iTl 士 * 。 ^ CK_al ^ CK_a2: rr:r^ 舉例來說’在第〜子操作期間 Sa2分別為導通及為關p _ Ύ開關Sal及 為接地電壓,使待測電容/此_ndl之電壓被設定 電路Ci兩端之跨壓=nCx兩端之跨壓實質上為〇,積分 關4為〇。在第二子操作期間TP2中,開 關Sa及a2刀別為關々 放大哭OP1之倉耠Λ ]及導通即點ndl被耦接至運算 放大口口 OP1之負輸入端。由於待 相互耗接之節點,即e m合。[、槓77 “ Cl 浮接⑽a㈣,待測電^=7 tP1之負輸入端)為 期間TP1中儲存之總電x所、刀電谷Cl在第一子操作 TP2中儲存之總電荷,即===在第二子操作期間 Cxx(vfi-vn)+cix[vr.Vx(t〇)]=CxxVr+cix[Vr_Vx(ti)i 二中上述方裎式的左式為在第—子操作期間TP1中待 測電谷Cx及積分電容Ci儲存的總電荷,右式為在第二子 _期間TP2中待測電容Cx及積分電容ci儲存的總電 何。電壓Vx(t0)為積分電壓Vx之起始位準,電壓Vx(ti) 為積分電壓Vx經過一次積分操作後之電壓。由於在第一 子操作期間TP1之積分電壓Vx⑼)實質上等於參考電壓 Vr,即是實質上等於電壓VDD/ yDDx(Cx + Ci) 2xCi
Vx(ti) = ^iCixVr-VDD,rcx.cn 很據上述方私式可推付.
Ci 1357501
TW4167PA 1 % ιΛΤ1 Λ…、',…VDDx(Cx + Ci) ” VDDxCx AV l = Vx(t l) - Vx(tO) =-----Vr =- 2 x Ci 2 x Ci 根據上述推導可知,在經過一次積分操作後,積分電 壓VX實質上提升一個差值電壓AVI。本實施例之積分期 - 間TP_ITl例如包括N個時脈訊號CK_al之週期(即是N 個第一子操作期間及N個第二子操作期間),在各個時脈 訊號CK_al之週期中,控制電路12與積分器電路16係執 行相似之積分操作,N為自然數。如此,透過反覆執行N 次上述之積分操作,係將積分電壓Vx自其之起始位準(等 • 於參考電壓Vr之位準)提升為終止位準Vx_Tr :
Vx Tr = Vr + N X AV I = Vr + N X VDD-X 仝X - 2xCi
在積分期間TP_IT2中,處理器電路18提供時脈訊號 CKJdI及CK—b2,來驅動控制電路14執行與控制電路12 相近之操作,以對積分電壓Vx進行積分。其中,控制電 路12與14之操作不同之處在於開關Sbl係接收電壓 Vf2(即是最高電壓VDD),使得控制電路14執行積分操作 時之積分差值電壓AV2為負值,以使積分電壓Vx自終止 位準Vx_Tr下降至積分電壓Vx之起始電壓(即是參考電壓
Vr之位準)。其中,差值電壓AV2滿足: aV2 = _vddxC〇 2xCi 根據上述推導可知,在一次積分操作中,積分電壓 Vx下降一個差值電壓AV2。本實施例之積分期間TP_IT2 例如包括Μ個時脈訊號CK_bl之週期,在各個時脈訊號 CK_al之週期中,控制電路14與積分器電路16係執行相 似之積分操作,]VI為自然數。如此,透過反覆執行Μ次 13 1357501 TW4167,PA 上述之積分操作,係將積分電壓VX自其之終止位準Vx Tr 拉低為起始位準,即是滿足方程式:
Vr = Vx Τγ + ΜχΔΥ2 + (-Μχ =Vr + Nx VDDxCx 2xCi VDDxCc 2xCi } 整理後可得到待測電容Cx與數值M、N及已知電容
Cc之關係式 Νχ VDDxCx 2xCi Μ: VDDxCc 2xCi => Cx M ν'
Cc 如此,處理器電路18更根據上述方程式來根據數值 M、N及已知電容Cc之電容值求得待測電容Cx之電容值。 請參照第3圖,其繪示乃第1圖之處理器電路18的 詳細方塊圖。更詳細的說,處理器電路18包括邏輯電路 18a、比較器電路18b、振盪器電路18c、計數器電路18d、 拴鎖器電路18e及運算電路18f。邏輯電路18a包括邏輯 單元18al及18a2。邏輯單元18a2用以回應於致能之控制 訊號CS2來產生時脈訊號CK_al及CK_a2,並用以回應 於致能之控制訊號CS3來產生時脈訊號CK_bl及CK_b2。 舉例來說,邏輯單元18a2之詳細方塊圖示如第4圖 所示。邏輯單元18a2包括及閘(And Gate)and—1、and_2、 and_3及and_4,其分別接收控制訊號CS2與時脈訊號 CK_1、控制訊號CS2與時脈訊號CK_2、控制訊號CS3 與時脈訊號CK_1及控制訊號CS3與時脈訊號CK_2,並 對應地輸出時脈訊號CK_al、CK_a2、CK_bl及CK_b2。 其中,時脈訊號CK_1及CK_2係由振盪器電路18c振盪 產生。 邏輯單元18al用以在電壓設定期間TP_PS產生控制 14 < S ^ 1357501
TW4167PA * « 訊號CSl,以控制積分器電路16將充電電壓Vx之電壓設 定為參考電壓Vr。邏輯單元18al用以在積分期間TP_IT1 及TP IT2中,分別產生致能之控制訊號CS2及CS3,以 控制邏輯單元18a2產生時脈訊號CK_al與CK_a2及 CK_bl及CK_b2。邏輯單元18al更用以記錄積分期間 TP JT2對應5至多少個時脈訊號CK—1之週期時間。 在本實施例中,邏輯單元18al用以決定並自積分期 間TP_IT2之起始時點Txl起產生致能之控制訊號CS3。 • 邏輯單元18al更用以偵測操作事件是否觸發,並回應於 ‘ 此操作事件來決定積分期間TP_IT2之終止時點Tx2。 舉例來說,此操作事件為比較器電路18b產生之控制 訊號CS4為致能之事件。比較器電路18b用以接收並比較 積分電壓Vx及參考電壓Vr之位準,並對應地產生控制訊 號CS4。當積分電壓Vx大於參考電壓Vr時,控制訊號 CS4係為非致能。當積分電壓Vx之位準實質上小於參考 電壓Vr時,比較器電路18b係致能控制訊號CS4。如此, _ 經由回應比較器電路18b觸發之操作事件,邏輯單元18a 1 可有效地決定積分期間TP_IT2之終止時點Tx2。 在本實施例中,邏輯單元18al例如用以在時點Txl 與Tx2間致能驅動訊號En,來驅動計數器電路18d進行 每隔一個時脈訊號C K_ 1之週期時間(等於時脈訊號C K_b 1 之週期)遞增1之計數操作。如此,本實施例之處理器電路 18可透過計數器電路18d之計數操作得到數值Μ。 舉例來說,計數器電路18d為i位元計數器電路,其 15 1357501 TW4167PA 定(介於數值0到數值2的i + 1次方減1),使用者係經由 調整數值N之大小,來調整電容值量測電路10,以使其 適用於不同待測電容Cx之量測操作。舉例來說,當數值 N被設定為數值Μ之最大值Mmax的X分之一倍時,根據 方程式:
Cx =——X Cc => N
Cx M Mmax _ = .〈 . Cc Mmax/ _ Mmax/ / x / x 電容量測電路10可對電容值小於或等於已知電容Cc φ 之電容值之X倍的待測電容Cx進行電容值量測,X為實 數。最大值Mmax等於2的i+Ι次方減1。如此,使用者 可視欲量測之待測電容Cx之電容值與已知電容Cc大約之 倍數關係,來決定數值N。 在本實施例中,雖僅以積分電壓Vx之終止位準Vx_Tr 高於積分電壓Vx之起始位準(等於參考電壓之位準)的 情形為例作說明,然,本實施例之終止位準Vx_Tr並不侷 限於高於起始位準。在另一個例子中,終止位準Vx_Tr低 • 於起始位準。如此在第一及第二積分期間積分TP_IT1及 TP—ΙΤ2中,積分電壓Vx係分另ij地由起始位準下降為終止 位準Vx_Tr,及由終止位準Vx—Tr上升為起始位準。 在本實施例中,雖僅以在電壓設定期間TP_PS之後依 序地由控制電路12及14來控制積分器電路16進行積分 操作的情形為例作說明,然,本實施例之電容量測電路10 並不侷限於依序地由控制電路12及14來控制積分器電路 16進行操作。在另一個例子中,本實施例之電容值量測電 17 1357501
TW4167PA » t 路10亦可先由控制電路14控制積分器電路16進行積分 操作,之後再由控制電路12控制積分器電路16進行積分 操作,如第5圖所示。 本實施例之電容值量測電路係分別使用待測電容及 已知電容來將充電電壓自起始位準設定為終止位準,及將 充電電壓自終止位準設定為起始位準,並根據與前述充電 與放電操作對應之時脈週期數量與已知電容之電容值求 得待測電容之電容值。如此,使用者可經由調整充電操作 • 對應之時脈週期數量來調整本實施例之電容值量測電路 可量測之待測電容的數值範圍。這樣一來,相較於傳統電 容值量測電路,本實施例之電容值量測電路具有可彈性地 量測不同數值範圍之待測電容之優點,並可有效地提供另 一種電容值量測電路的設計選擇。 另外,本實施例之電容值量測電路係在積分期間内之 多個時脈週期内執行多次積分操作。如此,本實施例之電 容值量測電路可透過累計數量較高之積分操作次數,來抵 ® 銷電路雜訊對各次積分操作中之差值電壓之影響,並降低 雜訊對最終累計積分電壓之影響,使本實施例之電容值偵 測電路可準確地對待測電容進行電容值偵測。 第二實施例 本實施例之電容值量測電路係以包括四個開關之開 關電路來實現本實施例之兩個控制電路中對應之開關電 路。請參照第6圖,其繪示依照本發明第二實施例之電容 18 \ 5 Ί 1357501 TW4167fA 值量測電路的方塊圖。本實施例之電容值量測電路與第一 實施例之電容值量測電路10不同之處在於本實施例之控 制電路22與24係具有另一種電路設計。
控制電路22包括間關電路SW1’及待測電容Cx,其 中開關電路SW1’包括開關Sa3、Sa4、Sa5及Sa6。開關 Sa3及Sa5之一端耦接至待測電容Cx之第一端,開關Sa3 及Sa5之另一端分別接收電壓Vf2及參考電壓Vr。開關 Sa4及Sa6之一端耦接至待測電容之一第二端,開關Sa4 及Sa6之另一端分別接收參考電壓Vr及耦接至運算放大 器OP2的負輸入端。電壓Vf2例如等於最高電壓VDD, 參考電壓Vr例如等於二分之一的最高電壓VDD。 開關Sa3及Sa4係回應於時脈訊號CK_al於第一子操 作期間導通,使待測電容Cx之第一及第二端分別接收電 壓Vf2及參考電壓Vr。開關Sa5及Sa6係回應於時脈訊號 CK_a2於第二子操作期間導通,使待測電容Cx之第一及
第二端分別接收參考電壓Vr及耦接至運算放大器OP2之 負輸入端。由於在第二子操作期間中,待測電容Cx之第 二端與積分電容Ci相互耦接之節點(即是運算放大器OP2 的負輸入端)為浮接,待測電容Cx與積分電容Ci在第一 子操作期間中儲存之總電荷實質上等於其在第二子操作 期間中儲存之總電荷,即是滿足方程式:
Cx X (Vr - Vf2) + Ci x [Vr - Vx(tO)] = Cx x (Vr - Vr) + Ci x [Vr - Vx(t 1)] 根據上式推導可得到與第一實施例相同之結果:
Vx(tl) =
Cx + Ci
Ci xVr = VDD x (Cx + Ci) 2xCi 19 1357501
, TW4167PA AVl=Vx(tl)-Vx(tO)^VDDx(Cx + Ci)-Vr = VDDxCx 2xCi 2xCi VDD X Cx
Vx Tr = Vr + NxAVl = Vr + Nx —-- - 2xCi 控制電路24包括開關電路SW2’及已知電容Cc,其中 開關電路SW2’包括開關Sb3、Sb4、Sb5及Sb6。控制電 路24之操作可根據控制電路22及第一實施例之控制電路 14之操作類推得到。根據以上敘述可知,本實施例之電容 值量測電路具有可彈性地量測不同數值範圍之待測電 容、可有效地提供另一種電容值量測電路的設計選擇及可 ^ 準確地對待測電容進行電容值偵測之優點。 第三實施例 本實施例之電容值量測電路係以積分電容與開關的 串聯電路來實現積分器電路。請參照第7圖,其繪示依照 本發明第三實施例之電容值量測電路的方塊圖。本實施例 之電容值量測電路30與第一及第二實施例之電容值量測 φ 電路10及20不同之處在電容值量測電路30中之積分器 電路36係省略運算放大器之使用,而直接以積分電容Ci’ 與開關Sc’之串聯電路來實現。積分電容Ci’與開關Sc’之 一端相互耦接,其耦接節點之電壓為積分電壓Vx,積分 電容Ci’與開關Sc’之另一端分別接收電壓Vfl及Vr。舉 例來說,電壓Vfl及Vr分別為接地電壓及最高電壓VDD 之二分之一。本實施例之控制電路32與34與第一實施例 之電容值量測電路10中對應之控制電路12與14不同之 處在於開關電路SW1”與SW2”接收之電壓分別改為電壓 20 < S > 1357501
TW4167PA
Vf2 及 Vfl。 請參照第8圖,其綠示乃第7圖之電容值量測 的相關訊號時序圖。由於在積分器電路36中省略了 放大器之使用,本實施例之積分電壓\^在各次積分猡算 中之增減之差值電壓AVI及AV2係非為固定,而作 為等比級數相關。 胃上 更詳細的說’在積分期間TPJT1中,起始積分命 Vx(t〇)(等於參考電壓Vr)與第一次積分操作後之積分= Vx(tl)滿足:
Cx X (Vf2 - Vfl) + Ci X [Vx(tO) - vn] = Cx X (Vx(tl) - Vfl) + Ci X [Vx(ti) _ Vfl] 其中電壓Vfl及Vf2分別為接地電麼及最高電璧 VDD。如此,根據上述方程式整理得到: VDD+ OcxVD^ 2 2x(Cx + Ci) 根據相似的方法推導得到:
Vx(t2) =翌+ C^~VDD 2 2x(Cx + Ci) 2x(Cx+C〇2 根據上述條件類推,假設本實施例之控制電路32與積八 器電路36在積分期間TP一IT1中執行N次積分操作,7 分期間TP一IT1終止時得到之N次積分操作後之積分電壓 Vx(tN)等於:
Vx(tN): 2 台 2x(Cx + Ci)x VDD i 爹 VDDxCxxCr1 相似地’假設本實施例之控制電路34與積分器+路 36在積分期間TP-IT2中執行M次積分操作,在積分^門 TP—IT2終止時得到之M次積分操作後之積分電壓v 等於: ) 1357501
TW4167PA 本實施例之電容值量測電路係以積分電阻與開關來 實現用以控制積分器電路進行放電積分操作之控制電 路。請參照第9圖及第10圖,第9圖繪示依照本發明第 四實施例之電容值量測電路的方塊圖,第10圖繪示乃第9 圖之電容值量測電路的相關訊號時序圖。本實施例之電容 值量測電路與第三實施例之電容值量測電路10不同之處 在於本實施例之控制電路44以已知電阻Rc與開關Sb7取 代第三實施例中已知電容Cc與開關電路SW2之電路結 • 構。已知電阻Rc與開關Sb7之一端相互耦接,另一端分 別接收電壓Vfl及耦接至積分電容Ci與開關Sc’之耦接 點。其中電壓Vfl例如為接地電壓。開關Sb7係受控於控 制訊號CS3來進行操作。
在積分期間TPJT2中,控制訊號CS3為致能,以導 通開關Sb7。如此,控制電路44係實質上形成放電路徑, 以對積分電壓Vx進行放電,而積分電壓Vx之曲線係為連 續的電容電阻放電曲線。假設本實施例之控制電路42與 積分器電路46在積分期間TP_IT1中執行N次積分操作, 在積分期間TP_IT1終止時得到之N次積分操作後之積分 電壓Vx(tN)等於:
Vx(tN)= VDD 2 +Σ x=\ VDDxCxxCi^1 2x(Cx + Ci)x 相似地,假設本實施例之控制電路44與積分器電路 46在積分期間TP_IT2中執行Μ次積分操作,在積分期間 ΤΡ_ΙΤ2終止時得到之Μ次積分操作後之積分電壓Vx(tM) 等於: 23 1357501
. TW4167PA * « 本實施例之電容值量測電路具有誤差校正電路,用以 對電容值量測電路中之運算放大器與比較器進行偏移電 壓(Offset Voltage)校正。請參照第11及第12圖,第11圖 繪示依照本發明第五實施例之電容值量測電路的方塊 圖,第12圖繪示乃第11圖之電容值量測電路的相關訊號 時序圖。 本實施例之電容值量測電路50與第一實施例之電容 值量測電路10不同之處在於本實施例之控制電路54中更 鲁包括開關Sb8及Sb9,而電容值量測電路50中之處理器電 路58更用以在校正期間TP_AJ中產生控制訊號CS5、 CS6、時脈訊號CK_cl及CK_c2來分別控制開關Sb8、 Sb9 、 Sbl 及 Sb2 。 在校正期間TP_AJ之前,處理器電路58亦產生控制 訊號CS1,以設定積分電壓Vx接近參考電壓Vr。在校正 期間TP—AJ中,時脈訊號CK_cl及CK_c2係週期性地切 換於高位準與低位準之間,以週期性地導通開關Sbl及 • Sb2。時脈訊號CK_cl及CK_c2彼此互為反相訊號,其之 頻率等於時脈訊號CK_1之頻率。 校正期間TP_AJ包括校正子期間TP—AJ1、TP_AJ2及 TP—AJ3。在校正子期間TP_AJ1中,控制訊號CS5為致能, 以導通開關Sb8。如此,在校正子期間TP_AJ1中,控制 電路54與第一實施例中之控制電路12具有相近之操作, 以將積分電壓Vx自其之起始位準(等於參考電壓Vr之位 準)提升至終止位準Vx_Tr。控制電路54與12不同之處在 25 1357501 △V3 = VDDxCc 2xCi
TW4167PA 於控制電路54係經由已知電容Cc來對積分電壓Vx進行 積分操作,如此,積分電壓Vx於各次積分操作中之差值 電壓AV3與終止位準Vx_Tr分別滿足方程式: VDDxCc 2xCi
Vx_Tr = Vx(tO) + Ν'χΔΥ3 = Vx(tO) + N'x 其中,Vx(tO)為積分電壓VX在未執行校正子期間 TP—AJ1及TP_AJ2之校正操作時,積分電壓Vx的初始值。 在校正子期間TP_AJ2中,控制訊號CS6為致能,以 導通開關Sb9。如此,在校正子期間TP_AJ2中,控制電 路54與第一實施例中之控制電路14具有相近之操作,以 將積分電壓Vx自終止位準Vx_Tr拉低。如此,積分電壓 Vx於各次積分操作中之差值電壓AV4與經過M’次積分 操作後之最終積分電壓Vx(tM)分別滿足方程式: AW/I VDDxCc △V4 二-- 2xCi
Vx(tM) = Vx_Tr + Μ'χΔΥ4
Vx(tO) + N'x VDDxCc 2xCi + (-M'x VDDxCc 2xCi }
=> Vx(tM) - Vx(tO)= (N'-M')x VDDxCc 2xCi 在運算放大器OP3及比較器電路58b為理想的情況 下,積分電壓Vx(to)與最終之積分電壓Vx(tM)均等於參考 電壓Vr,而數值]VT與Ν'為實質上相等。然而,當運算放 大器ΟΡ3之正負輸入端或或比較器電路58b之兩端間有偏 差電壓存在時,數值M'與Ν’非為相等。舉例來說,當運 算放大器ΟΡ3之正及負輸入端具有偏差電壓Vofl,比較 器電路58b之兩端具有偏壓電壓Vof2時,積分電壓Vx(tO) 26 1357501
TW4167PA 及最終之積分電壓Vx(tM)分別等於:
Vx(t0) = Vr + Vofl Vx(tM)= Vr-VoG 此時上述積分電壓Vx(tO)與最終之積分電壓Vx(tM) 之關係式係改寫為: VDDxCc 2xCi
Vx(tM) - Vx(tO) = (Vr + Vofl) - (Vr - Vof2) = (N'-M') x => v〇n+v〇o = (N'-M')x VDDxCc 2xCi VDDxCc 2xCi
如此,透過上述操作可得到與偏差電壓Vofl與Vof2 之和對應之差值D。在往後正常操作時,透過將記錄得到 之數值Μ與差值D相加,即可對運算放大器OP3進行偏 差電壓校正。 在本實施例中,雖僅以電容值量測電路50之控制電 路54中額外設置開關Sb8及Sb9,以進行偏差電壓校正操 作的情形為例作說明,然,本實施例之控制電路54並不 侷限於具有如第11圖所繪示之結構。在另一個實現例子 中,控制電路54’係由已知電容Cc、開關Sb3'、Sb4’、Sb5'、 Sb6’、Sb8'及Sb9’實現,如第13圖所示。其中,開關833' 及Sb4’係受控於時脈訊號CK_c卜開關Sb5·及Sb6’係受控 於時脈訊號CK_c2。如此,如此,電容值量測電路50’亦 可對其内部之運算放大器OP3’與比較器電路58b’進行偏 差電壓校正之操作。 在本實施例中,雖僅以積分電壓Vx之終止位準Vx_Tr 高於積分電壓Vx之起始位準(等於參考電壓Vr之位準)的 情形為例作說明,然,本實施例之終止位準Vx_Tr並不侷 27 1357501
• , TW4167.PA 限於高於起始位準。在另一個例子中,終止位準Vx_Tr低 於起始位準。如此,差值電壓AV3及AV4分別為負實數 及正實數,而在校正子期間TP—AJ1及TP—AJ2中,積分 電壓Vx係分別地由起始位準下降為終止位準Vx_tr,並搖 終止位準Vx_Tr上升為起始位準。 根據以上敘述可知,本實施例之電容值量測電路具有 可彈性地量測不同數值範圍之待測電容、可有效地提供另 一種電容值量測電路的設計選擇及可準確地對待測電容 • 進行電容值偵測之優點。 另外,本實施例之電容值量測電路更具有可對内部之 運算放大器與比較器電路進行偏壓電壓校正之優點。 綜上所述,雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上, 然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通 常知識者,在不脫離本發明之精神和範圍内,當可作各種 之更動與潤飾。因此,本發明之保護範圍當視後附之申請 *專利範圍所界定者為準。 28 ^57501
' .TW4167PA 【圖式簡單說明】 第1圖繪示本發明第一實施例之電容值量測電路 塊圖。 ' 第2圖繪示乃第1圖之電容值量測電路10的相關訊 號時序圖。 第3圖繪示乃第1圖之處理器電路18的詳細方塊圖。 第4圖繪示乃第3圖之邏輯單元18a2的詳細方塊圖。 第5圖繪示乃第1圖之電容值量測電路10的另—相 _ 關訊號時序圖。 第6圖繪示依照本發明第二實施例之電容值量測電路 的方塊圖。 第7圖繪示依照本發明第三實施例之電容值量測電路 的方塊圖。 第8圖繪示乃第7圖之電容值量測電路3〇的相關訊 號時序圖。 第9圖繪示依照本發明第四實施例之電容值量測電路 零的方塊圖。 第10圖繪示乃第9圖之電容值量測電路的相關訊號 時序圖。 第11圖繪示依照本發明第五實施例之電容值量測電 路的方塊圖。 第12圖繪示乃第11圖之電容值量測電路的相關訊號 時序圖。 第13圖繪示依照本發明第五實施例之電容值量測電 29 1357501
, ,TW4167PA 路的另一方塊圖。 【主要元件符號說明】 10、20、30、40、50、50’ :電容值量測電路 12、14、22、24 ' 32、34、42、44、54、545 :控制電 路 SW1、SW2、SW1,、SW2,、SW1”、SW2” :開關電路 16、36、46 :積分器電路 • 18、28、38、48、58、58’ :處理器電路 18a :邏輯電路 18al、18a2 :邏輯單元 18b、58b、58b’ :比較器電路 18c :振盪器電路 18d :計數器電路 18e :拴鎖器電路 18f:運算電路 • OP1、OP2、OP3、OP3’ :運算放大器
Sal 、 Sa2 、 Sbl 、 Sb2 、 Sa3 、 Sa4 、 Sa5 、 Sa6 、 Sb3 、 Sb4、Sb5、Sb6 ' Sb7、Sb8、Sb9、Sb3’、Sb4’、 Sb5, ' Sb6’、Sb8’、Sb9’、Sc、Sc’ :開關 Cx :待測電容 Cc :已知電容 Ci、Ci’ :積分電容 ndo :輸出端 30 ( 5 .¾ 1357501
TW4167PA * and—1 〜and—4 :及閘 Rc :已知電阻 ndl、nd2 :節點

Claims (1)

1357501 TW4167PA 十、申請專利範圍: 1. 一種電容值量測電路,包括: 减上且::二=路具有一輸入端以及-輸出端,該輸出 鈿上/、有一積/刀電壓,該積分器電路用以回應於一控制訊 號在-設定期間中將該積分電壓設定為一起始位準; 一第-控制電路’包括—第—輸出端以及—待測電’ π-輸出端電性連接於該輸入端’該第一控制電路 用以回應於-第-組時脈訊號切換該待測電容之至少一 端上之電壓’並選擇性地使該待測電容之一端與該 入端電性連接,以在一第一藉八湘 别 违粁雷懕接八 帛積刀』間中控制該積分器電路 位^ 將該積分電壓自該起始位準調整為-終止 第二控制電路,包括一第二輪出端與-被動元件, 二件具有—已知特性值,該第二輸出端電性連接於 心::;亥第一控制電路用以回應於-第二組時脈訊號 件之至少一端上之電壓,並選擇性地使該被 牛之端與該第二輸人端電性連接以在—第二積分 Z中控制該積分器電路進行電塵積分,將該積分電慶之 準自該終止位準調整為該起始位準;以及 f 卢央2理器電路,用以提供該第一組及該第二組時脈訊 3驅動該第-及該第二控制電路,並用以根據該第一及 :二Γ分期間之時間長度及該已知特性值來計算得到 待測電容之電容值。 如申吻專利範圍第1項所述之電容值量測電路,其 32 TW4167PA 中該第一控制電路更包括: -第-開關電路,包括第一端、第二端及第三端,分 ,輕接至祕測電容之第—端、純至該輸人端及接收一 第 > 電壓,泫第一開關電路用以回應於該第一組時脈訊號 之第-狀態及第二狀態分別使該待測電容之第一端輕接 至該輸入端及使該待測電容之第—端接收該第一電壓。 3·如申請專利範圍第!項所述之電容值量測電路,其 中該被動元件為-已知電容,該第二控制電路更包括: -第二開關電路’包括第一端、第二端及第三端,分 別_接至該已知電容之第—端、減至該輸人端及接收一 第二電壓γ該第二開關電路用以回應於該第二組時脈訊號 之第狀態及第二狀態分別使該已知電容之第一端叙接 至該輪入端及使該已知電容之第—端接收該第二電壓。 4.如申請專利範圍帛3項所述之電容值量測電路,其 中該第二控制電路更包括: 一第三開關電路’包括第一端、第二端及第三端,分 別難至該已知電容之第二端、接收該第二電壓及接收一 第三電壓,該第三開關電路用以回應該第二組時脈气號之 第一狀態及第二狀態分別提供該第二電壓及該第三電壓^ 至該已知電容之第二端; 其中’該第二電壓之位準實質上等於該起始位準。 5.如申請專利範圍第2項所述之電容值量測電路,其 中該第一控制電路更包括: ’、 第二端及第三端,分 一第四開關電路,包括第一端、 33 〜ουι ,TW4167PA 待測電容之第二端、接收該 之第-狀離^ 用以回應於該第—組時脈訊號 靨m 二狀態分別提供該第—電壓及該第四電 壓至該待測電容之第二端; X弟四電 6其1由該第一電壓之位準實質上等於該起始位準。 中额動元利範圍第1項所述之電容值量測電路,其 β-第已知電阻,該第二控制電路更包括: 該已知路,包括第一端及第二端,分別相接至 用以回一端及純至該輸入端,該第二開關電路 別使’ L、: 組時脈訊號之第一狀態及第二狀態分 第一端_至該輸入端及使該已知電 阻之第一知為實質上浮接。 中二二申:青專,範圍第1項所述之電容值量測電路,其 二i Λ該第二組時脈訊號具有實質上相同之一時 則固二::一及該第二積分期間之長度實質上分別包括 Μ個該時脈週期,該處理器電路根據數 Μ為大於1之比算該待測電容之電容值,數值㈣ 為電路’用以振盤產生一第三時脈訊號及-第 四^^ ’該第三及該第四時脈訊號係為實質上反相; 帛化輯1路,用以在該電壓^定期間產生該控制 sfL 就, < S > 34 1357501 ? TW4167PA 一第二邏輯電路,用以在該第一積分期間中產生該第 一組時脈訊號,並用以在該第一積分期間後之一第一時點 產生該第二組時脈訊號; 一比較器電路,用以比較該積分電壓之位準及該起始 位準之高低,並於該積分電壓之位準滿足一臨界條件之一 第二時點時,觸發一操作事件; 一計數器電路,用以自該第一時點起執行計數操作, 使一計數次數自零開始每隔該第二組時脈訊號之時脈週 • 期遞增1,該計數器電路更用以回應於該操作事件於該第 二時點停止計數操作,以計數得到一數值Μ,Μ為大於1 之自然數;及 一拴鎖(Latch)電路,用以回應於該操作事件記錄該數 值Μ ; 其中,該第一及該第二時點係定義出該第二積分期 間,該處理器電路係根據該數值Μ及該第二組時脈訊號之 時脈週期來得到該第二積分期間。 ® 9.如申請專利範圍第1項所述之電容值量測電路,其 中該積分器電路包括: 一運算放大器(Operational Amplifier),正輸入端接收 該起始位準,負輸入端為耦接至該第一及該第二控制電路 之該輸入端,輸出端為耦接至該處理器電路之該輸出端; 一積分電容,該積分電容之兩端分別耦接至該運算放 大器之負輸入端及該輸出端;及 一第五開關電路,第一端及第二端分別耦接至該運算 35 < % 1357501 .TW4167.PA 放大器之負輸入端及該輸出端,該第五開關電路用以回應 於該控制訊號導通,以短路連接該運算放大器之負輸入端 與該輸出端,以設定該運算放大器之負輸入端與該輸出端 之電壓為該起始位準。 10.如申請專利範圍第1項所述之電容值量測電路, 其中該積分器電路包括: 一第五開關電路’第-端及第二端分別接收一參考電
壓及麵接至該輸出端,該參考電壓之位準實質上等於 始位準;及 〜 接二至該輸出端及 如巾w專利犯11第1項所述之電容值量測電路, -第六組時脈訊號,分別在一第於上五組時脈訊號及 期間中控制該積分器電路嫩-第四積分 電壓之位準自該起始位準調整為該心二:該積分 電壓位準職為糾 間之一時間差值來據=第三及該第四積分期 iOffsetVolt—校正/合里測電路進行偏差電壓 12.如申凊專利範圍第11 路’其中該被動元件為-已知^ 電容值量測電 括: 屯奋,该第二控制電路更包 一第六開關電路,句妊楚山 路包括第一端、第二端、第三端及第 S 36 1357501 ,TW4167PA 四端,分別耦接至該已知電容之第一端、耦接至該輸入 端、接收一第一電壓及接收一第二電壓,該第六開關電路 用以回應於該第五組時脈訊號之第一狀態及第二狀態分 別使該已知電容之第一端耦接至該輸入端及使該已知電 谷之第一端接收該第一電壓,該第六開關電路更用以回應 於該第六組時脈訊號之第一狀態及第二狀態分別使該已 知電谷之第一端輕接至該輸入端及使該已知電容之第一 端接收該第二電壓。 13.如申凊專利範圍第丨1項所述之電容值量測電 路,其中該被動元件為一已知電容,該第二控制電路更包 括: 一第七開關電路,包括第一端、第二端及第三 分 ^搞接至該已知電容之第一端、祕至該輸入端及接收一 第二電壓,該第七開關電路用以回應於該第五組及該第六 組時脈訊號之第一狀態使該已知電容之第一端耦接至該 輸入端,並用以回應於該第五組及該第六組時脈訊號之第 一狀fe使έ亥已知電容之第一端接收該第三電壓,·及 一第八開關電路,包括第一端、第二端、第三端及第 四端,分別耦接至該已知電容之第二端、接收該第三電 壓、接收一第一電壓及接收一第二電壓,該第八開關電路 用以回應於該第五組時脈訊號之第一狀態及第二狀態分 別使S亥已知電容之第二端接收該第三電壓及接收該第一 電壓,並用以回應於該第六組時脈訊號之第一狀態及第二 狀態分別使該已知電容之第二端接收該第三電壓及接收 37 1357501 . ,TW4167PA 該第二電壓。 14. 如申請專利範圍第11項所述之電容值量測電 路,其中該第五組及該第六組時脈訊號具有實質上相同之 . 一時脈週期,該第三及該第四積分期間之長度實質上分別 為J個該時脈週期及K個該時脈週期,該處理器電路根據 數值J與K之差值與該時脈週期來得到該時間差值,數值 J與K為大於1之自然數。 15. —種電容值量測電路,包括: • 一積分器電路,具有一輸入端以及一輸出端,該輸出 端上具有一積分電壓,該積分器電路用以回應於一控制訊 號在一電壓設定期間中將該積分電壓設定為一起始位準; 一第一控制電路,包括一第一輸出端與一被動元件, 該被動元件具有一已知特性值,該第一輸出端電性連接於 該輸入端,該第一控制電路用以回應於一第一組時脈訊號 切換該被動元件之至少一端上之電壓,並選擇性地使該被 動元件之一端與該第一輸入端電性連接,以在一第一積分 ® 期間中控制該積分器電路進行電壓積分,以將該積分電壓 之位準自一起始位準調整為一終止位準; 一第二控制電路,包括一第二輸出端以及一待測電 容,該第二輸出端電性連接於該輸入端,該第二控制電路 用以回應於一第二組時脈訊號切換該待測電容之至少一 端上之電壓,並選擇性地使該待測電容之一端與該第二輸 入端電性連接,以在一第二積分期間中控制該積分器電路 進行電壓積分,將該積分電壓自該終止位準調整為該起始 38 < S ^ 1357501 ,TW4167.PA 位準,該待測電容之電容值相關於該終止與該起始位準之 差值;以及 一處理器電路,用以提供該第一組及該第二組時脈訊 . 號來驅動該第一及該第二控制電路,並用以根據該第一及 該第二積分期間之時間長度及該已知特性值來計算得到 該待測電容之電容值。 16. —種電容值量測方法,應用於一電容值量測電 路,該電容值量測電路包括一積分器電路,該積分器電路 Φ 之一輸出端上具有一積分電壓,一待測電容電性連接於該 積分器之一輸入端,該電容值量測方法包括: (a) 回應於一第一組時脈訊號切換該待測電容之至少 一端上之電壓,以在一第一積分期間中將該積分電壓之位 準自一起始位準調整為一終止位準; (b) 回應於一第二組時脈訊號在一第二積分期間中將 該積分電壓之位準自該終止位準調整為該起始位準;以及 (c) 根據該第一、該第二積分期間及一已知特性值運 ® 算得到該待測電容之電容值。 17. 如申請專利範圍第16項所述之電容值量測方 法,在步驟(a)之前更包括: (d) 在一電壓設定期間中設定該積分電壓之位準至該 起始位準。 18. 如申請專利範圍第16項所述之電容值量測方 法,在步驟(a)之前更包括: (e) 回應於一第三組時脈訊號切換一已知電容之至少 39 < S》 1357501 , t TW4167PA 一端上之電壓,以在一第三積分斯間中將該積分電壓之位 準自該起始位準調整為該終止位準; (f) 回應於一第四組時脈訊號切換該已知電容之該至 . 少一端上之電壓,以在一第四積分期間中將該積分電壓之 位準自該終止位準調整為該起始位準;及 (g) 根據該第三與該第四積分期間之差值運算得到一 偏差校正值; 其中,步驟(c)係根據該第一、該第二積分期間及該偏 鲁 差校正值運算得到該待測電容之電容值。 19. 如申請專利範圍第16項所述之電容值量測方 法,其中該第一及該第二積分期間係分別對應至N個時脈 週期及Μ個時脈週期,步驟(c)係包括: 根據該已知電容之電容值、數值Ν及Μ來計算得到 該待測電容之電容值。 20. 如申請專利範圍第19項所述之電容值量測方 法,其中步驟(c)包括: — 根據該偏差校正值來對修正數值Μ ;及 根據該已知電容之電容值、數值Ν及修正後之數值Μ 運算得到該待測電容之電容值。 21. —種電容值量測方法,應用於一電容值量測電 路,該電容值量測電路包括一積分器電路,該積分器電路 之一輸出端上具有一積分電壓,一待測電容電性連接於該 積分器電路之一輸入端,該電容值量測方法包括: (a)回應於一第一組時脈訊號在一第一積分期間中將 1357501 , ,TW4167PA 一積分電壓自一起始位準調整為一終止位準; (b) 回應於一第二組時脈訊號切換一待測電容之至少 一端上之電壓,以在一第二積分期間中將該積分電壓之位 . 準自該終止位準調整為該起始位準;以及 (c) 根據該第一、該第二積分期間及一已知特性值運 算得到該待測電容之電容值。 22. 如申請專利範圍第21項所述之電容值量測方 法,在步驟(a)之前更包括: # (d)在一電壓設定期間中設定該積分電壓之位準至該 起始位準。 23. 如申請專利範圍第21項所述之電容值量測方 法,在步驟(a)之前更包括: (e) 回應於一第三組時脈訊號切換一已知電容之至少 一端上之電壓,以在一第三積分期間中將該積分電壓之位 準自該起始位準調整為該終止位準; (f) 回應於一第四組時脈訊號切換該已知電容之該至 ® 少一端上之電壓,以在一第四積分期間中將該積分電壓之 位準自該終止位準調整為該起始位準;及 (g) 根據該第三與該第四積分期間之差值運算得到一 偏差校正值。 24. 如申請專利範圍第23項所述之電容值量測方 法,其中該第一及該第二積分期間係分別對應至N個時脈 週期及Μ個時脈週期,步驟(c)係包括: 根據該已知電容之電容值、數值Ν及Μ來計算得到 41 1357501 ,TW4167PA 該待測電容之電容值。 25.如申請專利範圍第14項所述之電容值量測方 法,其中步驟(c)包括: 根據該偏差校正值來對修正數值Μ ;及 根據該已知電容之電容值、數值Ν及修正後之數值Μ 運算得到該待測電容之電容值。
42 < S ^
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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI361280B (en) * 2008-07-18 2012-04-01 Raydium Semiconductor Corp Evaluation circuit for capacitance and method thereof
US7863966B1 (en) * 2009-09-17 2011-01-04 Himax Technologies Limited Readout circuit for touch panel
US8274489B2 (en) * 2009-09-17 2012-09-25 Himax Technologies Limited Readout apparatus and multi-channel readout apparatus for touch panel
CN102043504B (zh) * 2009-10-22 2012-06-27 奇景光电股份有限公司 触控面板的读取电路
US9298303B2 (en) * 2009-12-31 2016-03-29 Google Technology Holdings LLC Duty cycle modulation of periodic time-synchronous receivers for noise reduction
US20110163768A1 (en) * 2010-01-05 2011-07-07 Sain Infocom Touch screen device, capacitance measuring circuit thereof, and method of measuring capacitance
US9203489B2 (en) 2010-05-05 2015-12-01 Google Technology Holdings LLC Method and precoder information feedback in multi-antenna wireless communication systems
TWI414977B (zh) * 2010-05-18 2013-11-11 Au Optronics Corp 觸控偵測方法及具有內嵌式觸控面板之平面顯示器
TWI433451B (zh) * 2011-02-10 2014-04-01 Raydium Semiconductor Corp 觸控感測裝置
US9372582B2 (en) * 2012-04-19 2016-06-21 Atmel Corporation Self-capacitance measurement
WO2014003792A1 (en) * 2012-06-29 2014-01-03 Intel Corporation Pulsed testing of through-body-vias
US9813262B2 (en) 2012-12-03 2017-11-07 Google Technology Holdings LLC Method and apparatus for selectively transmitting data using spatial diversity
US9591508B2 (en) 2012-12-20 2017-03-07 Google Technology Holdings LLC Methods and apparatus for transmitting data between different peer-to-peer communication groups
US9979531B2 (en) 2013-01-03 2018-05-22 Google Technology Holdings LLC Method and apparatus for tuning a communication device for multi band operation
US10229697B2 (en) 2013-03-12 2019-03-12 Google Technology Holdings LLC Apparatus and method for beamforming to obtain voice and noise signals
TWI470527B (zh) * 2013-06-04 2015-01-21 An integrated circuit that achieves touch capacitance sensing with charge sharing
US9386542B2 (en) 2013-09-19 2016-07-05 Google Technology Holdings, LLC Method and apparatus for estimating transmit power of a wireless device
US9549290B2 (en) 2013-12-19 2017-01-17 Google Technology Holdings LLC Method and apparatus for determining direction information for a wireless device
US9491007B2 (en) 2014-04-28 2016-11-08 Google Technology Holdings LLC Apparatus and method for antenna matching
US9478847B2 (en) 2014-06-02 2016-10-25 Google Technology Holdings LLC Antenna system and method of assembly for a wearable electronic device
DE102015008485A1 (de) * 2015-07-01 2017-01-05 Leopold Kostal Gmbh & Co. Kg Verfahren zum Messen eines Kapazitätswertes
EP3343335B1 (en) * 2016-10-26 2019-07-31 Shenzhen Goodix Technology Co., Ltd. Capacitance variation detection circuit, touch screen, and touch detection method
TWI621984B (zh) * 2016-12-02 2018-04-21 瑞鼎科技股份有限公司 電容値量測電路及電容値量測方法
CN106802372B (zh) * 2017-03-15 2019-06-14 圣邦微电子(北京)股份有限公司 一种检测电容容值变化的方法
CN107980115B (zh) * 2017-11-08 2021-01-29 深圳市汇顶科技股份有限公司 电容检测装置、触控装置和终端设备
TW202009676A (zh) * 2018-08-14 2020-03-01 瑞鼎科技股份有限公司 觸碰感測裝置及觸碰感測方法
WO2020047844A1 (zh) * 2018-09-07 2020-03-12 深圳市汇顶科技股份有限公司 电容检测电路、触控芯片及电子设备
CN110196653B (zh) * 2019-04-26 2020-09-11 北京集创北方科技股份有限公司 触摸检测电路、触控显示装置以及触摸检测方法
CN111257648A (zh) * 2020-02-19 2020-06-09 南京英锐创电子科技有限公司 电容检测方法及装置
US11302387B2 (en) * 2020-07-13 2022-04-12 Micron Technology, Inc. Input/output capacitance measurement, and related methods, devices, and systems

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7301350B2 (en) * 2005-06-03 2007-11-27 Synaptics Incorporated Methods and systems for detecting a capacitance using sigma-delta measurement techniques
US7288946B2 (en) * 2005-06-03 2007-10-30 Synaptics Incorporated Methods and systems for detecting a capacitance using sigma-delta measurement techniques
JP4906006B2 (ja) * 2006-03-29 2012-03-28 ローズマウント インコーポレイテッド 静電容量検出回路

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