TWI356951B - Liquid crystal panel, method for producing liquid - Google Patents

Description

(3) 1356951 1官能基，最好是 的羥基之反應性很 之密接性。 向膜最好是斜向蒸 別是因爲高密度地 向膜的液晶面板適 水分等對液晶層侵 能基，最好係與前 的無機配向膜與密 最好被構成爲以具 赛2官能基，最好 部之密接性》 中之前述化合物的 (含有率）在此範 或前述化合物的種 成爲以Si〇2或Al2〇3爲主材料，前述第 烷基甲矽烷基或羥基0 這些官能基，與存在於無機配向膜 高，可以謀求提高充塡物與無機配向膜 在本發明之液晶面板，前述無機配 鍍膜。 根據斜向蒸鍍膜之無機配向膜，特 存在著細孔，所以在具備相關的無機配 用本發明的話，可以更顯著的發揮防止 入的效果。 在本發明之液晶面板，前述第2官 述密封部形成共有結合之基。 藉此，可以更爲提高中介著充塡物 封部之密接性。 在本發明之液晶面板，前述密封部 有聚合性基的樹脂材料爲主材料，前述: 係與前述聚合性基進行聚合之基。 藉此，可以謀求提高充塡物與密封 在本發明之液晶面板，前述充塡物 含量最好在50重量百分比以上。 藉由在充塡物使前述化合物的含量 圍，可以不受密封部的構成材料的種類 類的影響，而得到密封部與充塡物之充分的密接性。 在本發明之液晶面板，前述化合物之平均分子量最好 (4) (4)1356951 爲 100-500° 相關的分子量之化合物，在常溫爲液狀或者在比較低 溫爲液狀，所以容易操作，對各種溶媒之溶解性很高。因 此’在液晶面板的製造工程容易進行充塡物組成物的調製 或操作。 本發明之液晶面板之製造方法，係具有：一對基板， 被設於前述各基板之對向的面側，具有複數細孔之無機配 向膜，被設於前述無機配向膜彼此之間的液晶層，及在前 述無機配向膜彼此之間，沿著前述無機配向膜的外周部被 設置之密封前述液晶層的密封部之液晶面板之製造方法， 其特徵爲具有：於一方之面側準備一對具有前述無機配向 膜的基板之第1工程，於前述各無機配向膜之外周部，以 塡滿前述細孔內，且以覆蓋表面的方式，充塡以包含具有 與前述無機配向膜之親和性高的第1官能基，及與前述密 封部之親和性高的第2官能基的化合物之充塡物的第2工 程，在前述各無機配向膜之前述充塡物被充塡的區域內， 供給供形成前述密封部的液狀密封材的第3工程，將前述 一對基板，以在其間形成間隙的方式，使前述密封材彼此 接觸配置之後，使前述密封材硬化之第4工程，於前述間 隙注入液晶組成物，形成前述液晶層之第5工程，及密封 使用於注入前述液晶組成物的注入口之第6工程。 藉此，可以製造可防止水分等透過密封部與無機配向 膜之界面，或無機配向膜的細孔而侵入液晶層的液晶面板 ，亦即可製造耐久性優異的液晶面板。 -8 - (5) 1356951 在本發明之液晶面板之製造方法’於前述第2工 前述充塡物之充塡，最好係藉由將含有該充塡物的液 塡物組成物供給至前述各無機配向膜而進行的。 藉由這樣的方法，亦即使用液相製程，可以更爲 充塡物對細孔的塡充率。 在本發明之液晶面板之製造方法，前述充塡物組 之黏度，最好係比前述密封材之黏度還低。 藉此，可以將充分量之充塡物充塡入無機配向膜 孔的更深處。 本發明之電子機器，其特徵爲具備本發明之液晶 〇 藉此，可得可信賴性高的電子機器。 【實施方式】 〔供實施發明之最佳型態〕 • 以下參照附圖詳細說明本發明之液晶面板，液晶 之製造方法及電子機器。 圖1係模式顯示本發明之液晶面板的實施型態之 面圖’圖2係擴大顯示圖1所示之液晶面板的外周部 之縱剖面圖。又，在圖1省略配線等記載。此外，在 之說明’將圖1及圖2中之上側簡稱爲「上」，將下 稱爲「下」。 圖1所示之液晶面板（TFT液晶面板）1，具有 基板（液晶驅動基板）17，被接合於TFT基板17的 程， 狀充 提高 成物 的細 面板 面板 縱剖 附近 以下 側簡 TFT 無機 (6) 1356951 配向膜3，液晶面板用對向基板1 2，被接合於液晶面板用 對向基板12之無機配向膜4，含有被封入無機配向膜3與 無機配向膜4之空隙的液晶分子之液晶層2，被設於液晶 面板1的外周部之密封部（封止部）5，被接合於TFT基 板（液晶驅動基板）17的外表面（上面）側之偏光膜7, 被接合於液晶面板用對向基板1 2的外表面（下面）側之 偏光膜8。 φ 液晶面板用對向基板12，具有微透鏡基板11，被設 ' 於相關的微透鏡基板11的表層114上，被形成開口 131 之黑矩陣13，以在表層114上覆蓋黑矩陣13的方式設置 之透明導電膜（共通電極）14。 微透鏡基板11，具有設置具凹曲面之複數（多數）之 凹部（微透鏡用凹部）112之微透鏡用附凹部之基板111 ，及在相關的微透鏡用附凹部之基板ill之設置凹部112 之面透過樹脂層（黏接劑層）115而被接合的表層114。 # 此外，在樹脂層115，藉由被充塡於凹部112內的樹 脂形成微透鏡1 1 3。 微透鏡用附凹部之基板111’係由平板狀的母材（透 明基板）所製造，於其表面被形成複數（多數）凹部112 〇 凹部112，例如可以藉由使用遮罩之乾蝕刻法、濕鈾 刻法等來形成》 此微透鏡用附凹部之基板111 ’例如以玻璃等構成。 前述母材之熱膨脹係數最好是幾乎等於玻璃基板171 -10- 1356951

之熱膨脹係數者（例如二者之熱膨脹係數之比在l/io至 10之程度）。藉此，在所得到的液晶面板1，防止了在溫 度改變時由於二者的熱膨脹係數的不同而產生的翹曲、彎 曲、剝離等。 從相關的觀點來看，微透鏡用附凹部之基板111與玻 璃基板171最好是以同種類的材質構成。藉此，有效地防 止溫度變化時由於熱膨脹係數的不同而導致翹曲、彎曲、 Φ 剝離。 " 特別是，在後述之TFT基板17，最好使用不容易受 到製造時的環境影響而改變特性的石英玻璃。因此，使與 此對應，最好以石英玻璃構成微透鏡用附凹部之基板111 。藉此，不容易產生翹曲、彎曲，可得安定性優異的液晶 面板1。 微透鏡用附凹部之基板111之上面，設有覆蓋凹部 1 1 2的樹脂層（黏接劑層）1 1 5。 • 於凹部112內，藉由被充塡樹脂層115之構成材料， 形成微透鏡1 1 3。 樹脂層115例如可以較微透鏡用附凹部之基板111的 構成材料的折射率更高折射率的樹脂（黏接劑）來構成， 例如可以丙烯酸系樹脂、環氧系樹脂、丙烯基環氧系之類 的紫外線硬化樹脂等來適切地構成。 於樹脂層115的上面，設有平板狀的表層114。 表層（玻璃層）Π 4，例如可以玻璃構成。在此場合 ，表層114之熱膨脹係數，最好是幾乎等於微透鏡用附凹 -11 - 1356951

部之基板111之熱膨脹係數者（例如二者之熱膨脹係數之 比在1/10至10之程度）。藉此，防止由於微透鏡用附凹 部之基板111與表層114之熱膨脹係數的不同所導致的翹 曲、彎曲、剝離等。這樣的效果，在以同種類的材料構成 微透鏡用附凹部之基板111與表層114時，有更好的效果 表層114的平均厚度，由可得必要的光學特性的觀點 來看，通常爲5~1〇〇〇μιη程度，更佳者爲1〇〜150μιη程度 〇 又，表層（玻璃層）114，例如可以陶瓷構成。又， 作爲陶瓷，例如可以舉出AIN、SiN、TiN、ΒΝ等氮化物 系陶瓷，Al2〇3、Ti02等氧化物系陶瓷，WC、TiC、ZrC、 TaC等碳化物系陶瓷等。 以陶瓷構成表層114的場合，表層114的平均厚度並 未特別限定，以20nm〜20μπι程度較佳，以40ηιη~1μηι程 度更佳。 又，這樣的表層114可以應需要而省略。 黑矩陣13具有遮光功能，例如可以Cr、Al、Α1合金 、Ni、Zn、Ti等金屬，分散碳或鈦等之樹脂等來構成。 透明導電膜1 4具有導電性，例如以銦錫氧化物（ITO )、氧化銦（10)、氧化錫（Sn02)等構成。 TFT基板1 7，係驅動（配向控制）液晶層2含有的液 晶分子之基板，具有玻璃基板171，及設於相關的玻璃基 板171上，被配設爲矩陣狀（行列狀）的複數（多數）畫 -12- 1356951 Ο) 素電極172，及對應於各畫素電極172的複數（多數）薄 膜電晶體（TFT) 173。 玻璃基板171，由前述的理由，最好以石英玻璃構成 〇 畫素電極172藉由在與透明導電膜（共通電極）14之 間進行充放電，驅動液晶層2之液晶分子。此畫素電極 172例如以與前述之透明導電膜14同樣的材料構成。 φ 薄膜電晶體172被連接於附近的對應之畫素電極172 。此外，薄膜電晶體173，被連接於未圖示的控制電路， 控制對畫素電極172供給的電流。藉此，控制畫素電極 172的充放電。 . TFT基板17的外表面（圖1中上面）側被配置偏光 膜（偏光板、偏光薄膜）7。同樣地，於液晶面板用對向 基板12的外表面（圖1中下面）側，被配置偏光膜（偏 光板、偏光薄膜）8。 • 作爲偏光膜、8的構成材料，例如可以舉出聚乙烯醇 . (PVA )等。此外’作爲偏光膜可以使用在前述材料摻雜 碘元素者等。 作爲偏光膜，例如可以使用使以前述材料構成的膜延 伸於一軸方向者。 藉由配置這樣的偏光膜7、8可以更爲確實地進行藉 由通電量的調節而控制光的透過率。 偏光膜、8的偏光軸的方向，通常因應於無機配向膜 3、4的配向方向（在本實施型態，爲施加電壓時）而決定 -13- (10) (10)1356951 此外，於TFT基板17，接合於畫素電極172設有無 機配向膜3，於液晶面板用對向基板172，接合於透明導 電膜14設有無機配向膜4。 在本實施型態，藉由TFT基板17與無機配向膜3構 成第1電子元件用基板，藉由液晶面板用對向基板12與 無機配向膜4，構成第2電子元件用基板。 接著，這些無機配向膜3與無機配向膜4之間中介插 入（設置）液晶層2。液晶層2含有液晶分子（液晶材料 )’對應於畫素電極172的充放電改變相關的液晶分子的 配向。 作爲液晶分子，例如可以採用苯基環己烷誘導體、聯 苯誘導體、聯苯基環己烷誘導體、聯三苯誘導體、苯基醚 誘導體、苯酚酯誘導體、二環己烷誘導體、甲亞胺誘導體 、氧化偶氮基誘導體 '嘧啶誘導體、二噁烷誘導體、立方 烷（cubane)誘導體，進而還有在這些誘導體導入氟基、三 氟甲基、三氟甲氧基、二氟甲烷基等氟系置換基者等。 又，如後所述，使用無機配向膜3、4的場合，液晶 分子容易垂直配向，但作爲適於垂直配向的液晶分子可以 舉出下列化學式1至化學式3所表示之化合物等。 -14- (11) (11)1356951 〔化學式1〕

〔化學式2〕

〔式中，環A〜I分別獨立，顯示環己烷環或者苯環， R1〜R6分別獨立，顯示烷基、烷氧基或者氟原子之任一， X1〜X18分別獨立，顯示氫原子或氟原子〕 無機配向膜（垂直配向膜）3、4，具有限制液晶層2 -15- (12) (12)1356951 含有的液晶分子的（無電壓施加時之）配向狀態。 又，針對這些無機配向膜3、4的構成將於稍後詳述 〇 在這樣的液晶面板1，通常有1個微透鏡113，及對 應於相關的微透鏡113的光軸Q之黑矩陣13的1個開口 131，1個畫素電極172，及被連接於相關的畫素電極172 的1個薄膜電晶體173等對應於1畫素。 由液晶面板用對向基板12側入射的入射光L，通過 微透鏡用附凹部之基板111，在通過微透鏡113時被聚光 ，透過樹脂層115、表層114、黑矩陣13的開口 131、透 明導電膜14、液晶層2、畫素電極172、玻璃基板171。 此時，因爲於微透鏡基板11的入射側設有偏光膜8, 所以入射光L透過液晶層2時，入射光L成爲直線偏光。 此時，此入射光L的偏光方向對應於液晶層2的液晶 分子的配向狀態而被控制。亦即，藉由使透過液晶面板1 的入射光L透過偏光膜7，而可以控制射出光的亮度。 如此，液晶面板1，具有微透鏡1 1 3，而且通過微透 鏡113的入射光L，被聚光而通過黑矩陣13的開口 131。 另一方面，在黑矩陣13的未被形成開口 131的部分 ,入射光L被遮擋住。亦即，在液晶面板1，防止由畫素 以外的部分洩漏不要的光，而且抑制在畫素部分之入射光 L的衰減。因此’液晶面板1，在畫素部具有高的透光率 〇 接著，無機配向膜3、4，分別如圖2所示，爲具有複 -16- (13) (13)1356951 數細孔30、40的構造，各細孔30、40之軸，對TFT基板 17(液晶面板用對向基板12)的上面（被形成無機配向膜 3、4之面），以傾斜的狀態一軸配向。 此處，各細孔30、40之軸爲一軸配向，係指大多數 之細孔30、40之軸朝向幾乎相等的方向（細孔30、40之 軸的平均的方向係被控制的），於複數之細孔30、40之 Φ ’亦可含有軸的方向與大多數之細孔朝向不同的方向的 細孔3 0、4 0。 如此，藉由各細孔3 0、40規則地排列，無機配向膜3 ' 4具有很高的構造規則性。 藉由如此構成，液晶層2含有的液晶分子變得容易垂 直配向（垂面（homeotropic)配向）。亦即，這樣構成的無 機配向膜 3、4，對於構築垂直配向（VA，Vertical Alignment)型的液晶面板很有用。 此外，因爲無機配向膜3、4具有很高的構造規則性 ，所以液晶分子的配向方向可以更正確地排列整齊於一定 方向（垂直方向）。結果，可以謀求液晶面板1的性能（ 特性）的提高。 又，細孔30、4〇與TFT基板17或者液晶面板用對向 基板12之上面之夾角（圖2中之角度0)雖未有特別限 定，但以45~85°程度較佳，尤以55〜75°程度更佳。藉此， 可以使液晶分子更確實地垂直配向。 這樣的無機配向膜3、4例如可以藉由斜向蒸鍍膜、 電子束蒸鍍膜、磁控管濺鍍法或離子束濺鍍法所形成的膜 -17- (14) (14)1356951 等來構成，特別以斜向蒸鍍膜構成較佳。斜向蒸鍍膜因爲 細孔30、40之配向性很高，此外其形成可以高尺寸精度 來進行所以較佳。 此外，根據斜向蒸鍍膜之無機配向膜3、4，特別是因 爲高密度地存在著細孔，所以在具備相關的無機配向膜3 ' 4的液晶面板1適用本發明的構成，可以更顯著的發揮 後述之本發明的效果。 無機配向膜3、4較佳者爲以無機氧化物爲主材料來 構成。一般而言，無機材料，與有機材料相比，具有優異 的化學安定性（光安定性）。因此，無機配向膜3、4與 以有機材料構成的配向膜相比，具有特別優異的耐光性。 此外，構成無機配向膜3' 4的無機氧化物，以其介 電率相對比較低者較佳。藉此，可以更有效果地防止於液 晶面板1產生燒焦等。 作爲這樣的無機氧化物，例如可以舉出Si02、SiO之 類的砂氧化物 ’ Al2〇3、MgO、TiO、Ti〇2、In2〇3，Sb2〇3 ，Ta205、Y2〇3、Ce02、W03、Cr03、Ga03、Hf02、Ti305 、：NiO、ZnO、Nb205 ' Zr02 ' Ta205 等金屬氧化物，可以 使用其中一種或者組合2種以上來使用，特別是以si02 或ai2o3爲主成分者較佳。si〇2或ai2o3介電率特別低， 而且具有高的光安定性。 這樣的無機配向膜3、4細孔3 0、4 0所佔的比例越多 ’亦即規則排列的細孔3 0、40存在的密度越高，就越會 顯示對液晶層2含有的液晶分子之配向性（依存於無機配 "18 - (15) (15)1356951 向膜的形狀之配向性）越大的傾向，另一方面，細孔30、 40所佔的比例太多時，露出存在於無機配向膜3、4的表 面以及細孔30、40內面的活性羥基的數目變多，各種不 純物的附著或是與液晶分子的反應會隨著時間經過而發生 ，顯示垂直錨繫力降低，會有變得容易產生配向異常的傾 向。 亦即，於無機配向膜3、4，藉由將細孔30、40所佔 的比例設定於適度範圍，可以跨長期，發揮對液晶分子之 優異的配向性。 又，作爲前述不純物，例如可以舉出密封液晶層2的 密封材（封固材）中的不純物以及未反應成分，液晶層中 的不純物以及水分，在製造過程中附著的污漬等。 此處，無機配向膜3、4之細孔3 0、40所佔的比例， 可以分別對TFT基板1 7的上面以及液晶面板用對向基板 12的上面，亦即，對被形成無機配向膜3、4的基板之一 方之面的表面積之無機配向膜3、4的表面積之比爲指標 。又’所謂無機配向膜3、4的表面積之値，係合計無機 配向膜3、4之表面的面積，與細孔30、40之內面的面積 之値。 此表面積之比之値越大，顯示無機配向膜3、4之細 孔30、40所佔的比例越多。 各表面積之測定方法，適合使用BET ( B runauer-Emmett-Teller)法。作爲表面積之測定方法，有氣體吸附 法（BET法、Harkins-Jura之相對法）、液相吸附法、浸 -19- (16) (16)1356951 漬熱法、透過法等，根據此BET法，可以正確地測定複雜 形狀之無機配向膜3、4之表面積，亦即無機配向膜3、4 的表面以及細孔30、40之內面的全面積。 又，此表面積之比之値，亦受到（依存於）無機配向 膜3、4的膜厚的影響而改變。 考慮此情形，本案發明人經過銳意檢討之後，發現無 機配向膜、4滿足以下關係的話，可使液晶分子的配向性 得到很好的結果。 亦即，無機配向膜3、4，以BET法測定的TFT基板 17、液晶面板用對向基板12的上面之表面積爲Sl[nm2]， 以BET法測定的無機配向膜3、4的表面積爲S2[nm2]， 無機配向膜 3、4的平均厚度爲 t[nm]時，滿足 0_551ogetSS2/Si$0.551oget + 4.4 的關係較佳。 藉此，可以防止面積比S 2 / S i過小，亦即無機配向膜 3、4之細孔3 0、40所佔的比例過小所導致之初期的液晶 分子的配向性顯著降低的情形。另一方面，可以防止面積 比S2/S i過大，亦即存在於無機配向膜3、4之活性羥基 的數目過多所導致之隨著時間進展之液晶分子的配向性的 降低。 於此BET法，可以使用BET多點法，BET —點法之 任一，但以採用BET多點法較佳。根據bet多點法，可 以更正確地測定無機配向膜3、4的表面積。 進而作爲使用於BET法的吸附氣體，例如可以使用氪 氣體、氖氣體之類的稀有氣體、氮氣體等，稀有氣體，特 -20- (17) (17)1356951 別是以使用氪氣體較佳。根據使用氪氣體的BET法，特別 是可以再現性佳且正確地進行表面積的測定。 此外，面積比 SVS!與平均厚度t，只要滿足 〇.551ogetSS2/S丨$0.551oget + 4.4之關係即可，但以滿足 0.551(^^582/840.551(^4 + 3.5之關係較佳，尤以滿足 0.55108 4 + 0.5332/3,50.551(^4 + 2 之關係更佳。 又，無機配向膜3、4之表面積，可以藉由適當設定 無機配向膜3、4之成膜時的條件（例如，後述之斜向蒸 鍍時之蒸鍍裝置內的真空杜、蒸鍍速率等各種條件）而調 整。 平均厚度t之具體値，以20~300nm程度較佳，以 20〜150nm程度更佳，又以40〜80nm程度最佳。無機配向 膜3、4的厚度太薄的話，液晶分子直接接觸於畫素電極 172 (透明導電膜14)，而有無法充分防止短路的危險。 另一方面，無機配向膜3、4的厚度太厚的話，液晶面板1 的驅動電壓變高，會有耗電量變大的可能性。 此外，面積比S2/S,之具體値以2~5程度較佳，以 2.5〜4程度更佳。藉此，可以使液晶分子的配向性更爲提 高。 又，在前述記載，係以無機氧化物爲主材料構成無機 配向膜3、4的場合爲代表來說明，但無機配向膜3、4亦 可以例如SiN之類的無機氮化物，MgF2之類的無機氟化 物等爲主材料，此外，無機氧化物、無機氮化物以及無機 氟化物之中任意二種以上組合之材料作爲主材料來構成亦 -21 - (18) 1356951 可。於這些場合’面積比S2/S,與平均厚度t之關係、面 積比S2/Si以及平均厚度t的具體數値也以在前述範圍較 佳° 此外，無機配向膜3、4以無機氧化物爲主材料構成 的場合，於無機配向膜3、4，至少其表面（較佳者爲表面 以及細孔30、40的內面）以施加減少羥基處理較佳。 此減少羥基處理，係使存在（露出）於無機配向膜3 φ 、4的活性羥基，與可和此羥基反應的化合物進行反應之 處理。 藉此處理，可以減少存在於無機配向膜3、4的活性 羥基的數目，可以防止對無機配向膜3、4之各種不純物 的附著，或是無機配向膜3、4與液晶分子反應等情形。 因此，例如，可以防止無機配向膜3、4之對液晶分子的 垂直錨繫力降低，結果，可以更爲確實地防止液晶分子發 生配向異常。 • 特別是藉由使存在於細孔30、40內面的羥基也與前 述化合物化學結合，而使得前述效果更爲顯著。 又，藉由使無機配向膜3、4滿足前述之關係（面積 比S2/S,與平均厚度t的關係），可以使不僅在無機配向 膜3、4的表面，連細孔30、40的內面所存在的羥基也可 確實與前述化合物化學結合。 作爲相關的化合物，適於使用醇。 在此場合，無機配向膜3、4以同組成（同種）的醇 進行處理，於無機配向膜3與無機配向膜4，化學結合之 -22- (19) 1356951 醇的平均分子量變得相同亦可，於^ 向膜4，化學結合之醇的平均分子邏 在本實施型態，設於TFT基板 之平均分子量，以比設於液晶面板 膜4之醇的平均分子量更大者較佳 膜3比起無機配向膜4其分子量大 行更多的化學結合所以較佳。藉此 的特性的提高。 一般而言，從防止液晶面板1 來看，使液晶分子配向的力如果比 產生燒焦的傾向變高，所以應該使 子間力弱化若干程度，作爲化學結 之醇，以選擇分子量比較小（碳數_ 另一方面，從存在於無機配向 分子之反應所伴隨著的液晶面板1 高耐光性、耐久性）之觀點來看’ 面所殘存的羥基應儘可能的使液晶 結合於無機配向膜3、4的醇’以 數較多）者較佳。 然而，TFT基板17’因爲具備 面板用對向基板12容易變成高溫 的羥基，藉由加熱使其活性更高。 與液晶層2的界面’液晶分子與活 容易變質、劣化的狀態。亦即’於 無機配向膜3與無機配 t以不同較佳。 1 7側之配向膜3的醇 對向基板1 2側的配向 。亦即，使在無機配向 (碳數多的）醇可以進 ，可以謀求液晶面板1 的燒焦（焦屏）的觀點 必要的還強出很多時， 液晶分子與配向膜之分 合於無機配向膜3、4 绞少）者較佳。 膜3、4的羥基與液晶 的配向異常的發生（提 無機配向膜3、4的表 分子遠離，作爲被化學 選擇分子量比較大（碳 f TFT173，所以對液晶 ，殘存於無機配向膜3 因此，於無機配向膜3 性高的羥基反應而成爲 TFT基板17側的無機 -23- (20) (20)1356951 配向膜3，使與分子量更大的醇進行化學結合，而確實防 止液晶分子與無機配向膜3接觸，是特別有效的。 另一方面，在液晶面板用對向基板12側之無機配向 膜4，因爲只要著眼於防止燒焦（燒屏）即可，以積極地 選擇分子量較小的醇較佳。 又，在此場合，於各無機配向膜3、4之醇，其平均 分子量之差只要存在即可，作爲醇，適當組合高分子量之 醇與低分子量之醇亦可。 特別是在應該使用高分子量的醇的無機配向膜3，如 果組合使用低分子量的醇的話，存在於高分子量的醇彼此 之間的羥基，或是存在於細孔3 0深處的羥基也可以使與 醇化學結合，具有可以使殘存於無機配向膜3的羥基的數 目更確實地減少的優點。 由此情形，在本實施型態，設於TFT基板17側之無 機配向膜3的醇之平均分子量，以比設於液晶面板對向基 板12側的配向膜4之醇的平均分子量更大的方式選擇使 用於處理的醇者較佳。 此處’分子量在醇又>醇丫>醇2的場合，無機配向膜 3的醇的平均分子量，作爲比無機配向膜4的醇的平均分 子量更大的組合方式，例如可以舉出下列組合。

I:無機配向膜3:X、 無機配向膜4:Y或Z Π :無機配向膜3 : Χ + Υ、 無機配向膜4 : Χ + Υ (但是、Χ/Υ :無機配向膜3>無機配向膜4) ΠΙ:無機配向膜3:Χ + Υ、無機配向膜4:Υ + Ζ -24- (21) 1356951

IV:無機配向膜3:x、 無機配向膜4: X + Z 此外，無機配向膜3之醇以及無機配向膜4之醇之中 之任一方係包含複數種醇者，另一方係由1種醇所構成的 場合，一方配向膜之醇，以包含與他方配向膜之醇同種的 醇者較佳（參照前述IV)。 此外，無機配向膜3之醇以及無機配向膜4之醇之雙 • 方，係包含複數種醇的場合，無機配向膜3之醇以及無機 ' 配向膜4之醇，以包含同種的醇者較佳（參照前述III) 〇 如此般，藉由使無機配向膜3之醇以及無機配向膜4 ’之醇包含同種之醇，而調整對液晶分子之垂直錨繫力的場 合，可以防止無機配向膜3、4之垂直錨繫力產生較大的 差異，換句話說，微小的力差的控制可以容易地進行。亦 即，具有調整對液晶分子之垂直錨繫力變得容易的優點。 Φ 無機配向膜3的醇的平均分子量以100〜4 00程度較佳 ，以120〜4 00程度更佳。藉此，於液晶面板1，可以更確 實地延長發生配向異常所需要的時間，亦即，可以更確實 地提高耐久性（耐光性）。 此外，無機配向膜3之醇以碳數6〜3 0者（特別是碳數 8〜30者）爲主成分者較佳。藉此，可使前述效果更爲顯著 〇 此外，這樣的碳數的醇，在常溫爲液狀，或者即使是 是半固體狀（固形狀）也可以在比較低溫的情況下使其成 -25- (22) (22)1356951 爲液體。因此，藉由後述之處理液處理無機配向膜3、4 時之操作相當容易。此外，因爲對液晶分子的親和性更高 ，所以可以確實增大對液晶分子之垂直錨繫力。 作爲這樣的醇，可以舉出脂肪族醇、芳香族醇、脂環 醇、複素環醇、多價醇或者這些之鹵素置換體（特別是氟 置換體），其中最好是脂肪族醇、脂環醇或者其氟置換體 (氟醇，fluoroalcohol )。藉由使用脂肪族醇、脂環醇或 者其氟置換體，可進而增大對液晶分子之垂直錨繫 (anchoring)力，可以使液晶分子更確實地垂直配向。 此外，脂環醇或者其氟置換體，以具有類固醇骨骼者 更佳。具有類固醇骨骼的脂環醇或者其氟置換體，具有平 面性很高的構造，所以配向控制液晶分子的功能特別優異 〇 由這些情形，無機配向膜3之醇，最好以辛醇、壬醇 、癸醇、--醇、十二醇、十三醇、十四醇、十五醇、十 六醇、十七醇、十八醇、二十醇、二十一醇、二十二醇、 二十三醇、二十四醇等脂肪族醇，膽固醇、表膽固醇、膽 巢烷醇、表膽巢烷醇 '麥角甾烷醇、表麥角甾烷醇、糞巢 烷醇、表糞巢烷醇、α -麥角甾醇、谷巢醇、豆留醇、 菜油甾醇等脂環醇或者這些之氟置換體爲主較佳° 此外，脂肪族醇或者其氟置換體，其碳氫部分或者氟 化碳部分（主骨骼部分）可以是直鏈狀’或者是分枝狀之 任一種。 另一方面，無機配向膜4的醇的平均分子量以3 2~70 -26- (23) 1356951 程度較佳，以32〜6 0程度更佳。藉此，可以更有 止於液晶面板1產生燒焦等。 此外，無機配向膜4之醇以碳數1〜4者（特 1~3者）爲主成分者較佳。藉此，可使前述效果 〇 此外如此碳數之醇，因爲分子尺寸小，可以 至細孔40的深處。此外，因爲在常溫爲液狀， 之處理液處理無機配向膜3、4時之操作相當容易 作爲這樣的醇，可以舉出脂肪族醇、多價醇 之鹵素置換體（特別是氟置換體），其中最好是 或者其氟置換體（氟醇）。 由此，作爲無機配向膜4之醇，最好以甲醇 丙醇或者這些之氟置換體爲主。 又，於液晶分子，因爲被氟化者很多，藉由 換體，可以提高與液晶分子之親和性，使液晶分 向的效果可更爲提高。 此外，於無機配向膜3、4，改變醇的平均分 的，除了防止配向異常的發生或者燒焦（燒屏） 外，例如還可以舉出解消一對配向膜之電氣差異 此外，於減少羥基處理，除了使醇化學結合 外，例如可以舉出使具有前述之醇的碳氫部分的 劑等各種耦合劑進行化學結合的處理。在使用使 合劑化學結合的處理的場合，也可以得到與前述 果》 效果地防 別是碳數 更爲顯著 確實浸透 藉由後述 〇 或者這些 脂肪族醇 、乙醇、 使用氟置 子垂直配 子量的目 的發生以 等。 之處理以 p烷耦合 相關的耦 同樣的效 -27- (24) (24)1356951 又’醇由於容易獲得可廉價地進行，以及特別容易操 作等原因，在減少羥基處理最好使用醇處理。 又’減少羥基處理可以應需要而省略。 此外’在液晶面板1，如圖1及圖2所示，在無機配 向膜3、4間’沿著其外周部設有密封部5。 ’ 此密封部5，具有密封液晶層2，防止往液晶面板i 的外部流出的功能。 作爲密封部5的構成材料’例如可以舉出環氧系樹脂 (環氧樹脂、丙烯基變性環氧樹脂）、丙烯酸系樹脂、乙 烯基系樹脂之類的具有聚合性基的樹脂材料、聚碳酸酯、 聚醯亞胺 '聚醯胺等。 在本發明，在與各無機配向膜3、4之密封部5重疊 的區域’以塡滿細孔30、40內且覆蓋表面的方式，塡充 包含具有與無機配向膜3、4之親和性高的第1官能基， 及與密封部5之親和性高的第2官能基之化合物的塡充物 6 ° 藉此’可以謀求提高密封部5與無機配向膜3、4之 密接性。因此，可以防止水分等由密封部5與各無機配向 膜3、4之界面（邊界部）侵入液晶層2。 此外，於各無機配向膜3、4之外周部，細孔30、40 以充塡物塡滿。因此，可以防止水分等透過細孔30、40 侵入液晶層2。 由此，藉由使液晶層2中的液晶分子接觸水分，可以 防止在短期間內變質、劣化。亦即，可以謀求液晶面板1 -28- (25) (25)1356951 的長壽命化。 特別是滿足前述關係（面積比S2/St與平均厚度t的 關係）之無機配向膜3、4，細孔3 0、40所佔的比例很高 。因此，在具備相關的無機配向膜3、4的液晶面板1，雖 然無法忽視透過細孔30、40之往液晶層2的水分等之侵 入，但根據本發明，因爲細孔30、40以充塡物6塡滿， 所以即使使用這樣的細孔3 0、40所佔的比例很高的無機 配向膜3 ' 4，也可以確實防止水分等進入至液晶層2。 亦即，對具備滿足前述關係（面積比S2/S,與平均厚 度t之關係）的無機配向膜3、4之液晶面板1，適用本發 明的話，可以跨長期而發揮對液晶分子之優異的配向性， 同時可以構築不易產生液晶分子的變質、劣化之液晶面板 1’亦即跨長期維持優異特性的液晶面板1。 充塡物6亦可以前述化合物爲主成分，亦可爲前述化 合物與其他材料之混合物。 後者的場合’作爲其他材料，適於使用與前述化合物 之反應性貧乏者。作爲相關的材料，例如可以舉出聚乙烯 、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚合物、乙烯-乙酸乙烯共聚合物 (EVA)等聚鏈烯烴、環狀聚鏈烯烴、變性聚鏈烯烴、聚 氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚苯乙烯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚 醯胺醯亞胺、聚碳酸酯、聚-(4 -甲基戊烯-1)、離子鍵聚 合物、丙烯酸系樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯腈-丁二 烯-苯乙烯共聚合物（ABS樹脂）、丙烯腈-苯乙烯共聚合 物（AS樹脂）、丁二烯-苯乙烯共聚合物、聚甲醛、聚乙 -29- (26) 1356951 燃醇（PVA )、乙烯-乙烯醇共聚合物（EV0H )、 二甲酸乙二醇酯（PET)、聚對苯二甲酸丁二醇酯 )、聚對苯二甲酸環己二醇酯（PCT)等聚酯，苯 、聚鏈烯烴系、聚氯乙烯系、聚尿烷系、聚酯系、 系、聚丁二烯系、反式聚異戊二烯、含氟橡膠系、 乙烧系等各種熱可塑性橡膠、環氧樹脂、酚醛樹脂 樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯、矽樹脂、聚尿 的樹脂材料，可以使用其中一種或者組合2種以上{ 此外’充塡物6中之前述化合物之含量，未有 定’以50重量百分比以上較佳，以7〇重量百分比 佳。塡充物6之前述化合物的含量（含有率）太低 隨著密封部5的構成材料的種類或前述化合物的種 有密封部5與充塡物6之密接性降低的傾向。 於這樣的化合物，第1官能基最好係與無機配 、4形成共有結合之基，另一方面，第2官能基最 密封部5形成共有結合之基。藉此，可以更爲提高 塡充物6的無機配向膜3、4與密封部5之密接性 可以更確實地防止水分侵入液晶層2。 無機配向膜3、4，如前所述，較佳者爲分別以 化物（特別是Si02或者A1203)爲主材料來構成。 ’作爲第1官能基，可以舉出烷基甲矽烷基、鹵化 基、羥基、硫代基、鹵基等，其中特別以烷基甲矽 者羥基較佳。這些官能基，與存在於無機配向膜3 羥基之反應性很高，可以謀求提高塡充物6與無機 聚對苯 (PBT 乙烯系 聚醯胺 氯化聚 、尿醛 烷之類 吏用。 特別限 以上更 的話， 類，會 向膜3 好係與 中介著 。結果 無機氧 此場合 甲矽烷 烷基或 、4的 配向膜 -30- (27) 1356951 3、4之密接性。 另一方面’密封部5係以具有聚合性基的樹脂材料爲 主材料而構成的場合’前述第2官能基，最好係與前述聚 合性基進行聚合之基。藉此’可以謀求提高塡充物6與密 封部5之密接性。 例如，構成密封部5的樹脂材料，作爲聚合性基具有 環氧基的場合，作爲第2官能基’可以舉出環氧基、（間 φ 位）丙烯基、乙烯基、氨基等，特別以環氧基較佳，作爲 聚合性基，具有（間位）丙締基的場合，第2官能基可以 舉出（間位）丙烯基、環氧基、乙烯基等，特別以（間位 )丙烯基或乙烯基較佳。 這樣的化合物的分子量以100〜5 00程度較佳，以 130~400程度更佳。相關的分子量之化合物，在常溫爲液 狀或者在比較低溫爲液狀，所以容易操作，對各種溶媒之 溶解性很高。由此，後述之充塡物組成物的調製或操作變 § 得容易。 此外，藉由使用相關的分子量之化合物，充塡物6採 與其他材料之混合物的場合，因爲可謀求這些之均勻的混 合所以較佳。 作爲這樣的化合物的具體例，例如可以舉出乙烯基甲 氧基矽烷、乙烯基乙氧基矽烷、N-(2-氨基乙基）3-氨基 丙基甲基二甲氧基矽烷、N - (2-氨基乙基）3-氨基丙基三 甲氧基矽烷、3-氨基丙基三乙氧基矽烷、3-氨基丙基三甲 氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧 -31 - (28) 1356951 基丙基甲基二甲氧基矽烷、2-(3，4-環氧基環己基）乙基三 甲氧基矽烷、3 -甲氧基丙基三甲氧基矽烷、N，Ν’-雙[3-( 三甲氧基甲矽烷基）丙基]乙撐二胺之類的矽烷系耦合劑 、乙燃醇、Ν-(2 -氨乙基）3 -氨基丙醇、3 -氛基丙醇、3 -環 氧丙氧基丙醇、2-(3，4-環氧基環己基）乙醇、3-甲氧基丙 醇、N，N’-雙[3-(羥基）丙基]乙撐二胺之類的的醇類等， 可以使用其中的1種或者組合2種以上使用。 φ 又，於前述化合物，可以使用具有前述之第1官能基 * 以及第2官能基的高分子。 這樣的液晶面板1，例如可以下述方法製造。 〔1〕首先，藉由習知的方法製造TFT基板17與液晶 面板用對向基板12,在TFT基板17上以覆蓋畫素電極 1 72以及TFT1 7 3的方式形成無機配向膜3，另一方面，於 液晶面板用對向基板12之透明導電膜14上形成無機配向 膜4 (第1工程）。 • 無機配向膜3、4之形成方法（形成工程）也是相同 的，以下以無機配向膜3之形成方法爲代表來說明。 此處針對藉由斜向蒸鍍法形成無機配向膜3的場合加 以說明。 在斜向蒸鍍法，如圖3所示，在真空室（未圖示）內 ，設置收容無機氧化物（原料）8 00的蒸鍍源810、TFT 基板17，於這些之間配置形成狹縫821之狹縫板820。 又，TFT基板17’被固定於驅動裝置830，在維持後 述之蒸鍍角度（圖3中角度02)的狀態下，可平行移動 -32- (29) 1356951 。此外’ TFT基板17，可以藉由未圖示的加熱手段來加熱 〇 在此狀態’藉由設於蒸鍍源810的加熱手段（未圖示 )加熱無機氧化物800而使其蒸發（氣化）。接著，使無 機氧化物800之蒸發粒子透過狹縫板820之狹縫821到達 TFT基板17之上面（形成無機配向膜3之面）。 又’此時，藉由前述加熱手段將TFT基板17加熱至 φ 特定溫度，同時藉由驅動裝置以特定速度平行移動TFT基 ' 板 17。 藉此’於TFT基板17上，得到具有複數細孔30之無 機配向膜3。 此處，藉由適當地設定由蒸發源氣化的無機氧化物（ 蒸發粒子）800，到達TFT基板17上面的蒸鍍角度（圖3 中之角度02)，可以調整細孔30對TFT基板17之上面 的角度。 φ 此外，無機配向膜3的表面積32，大幅依存於在氣化 之無機氧化物800到達基板時形成的構造（管柱構造）之 狀態，可以藉由適當調整蒸銨時真空室內的真空度、蒸鍍 速率、TFT基板17之溫度（基板溫度）、蒸鍍角度02等 各種條件而調整。 真空室（蒸鍍裝置）內的真空度以1χ1(Γ5~1χ l〇-2Pa程度較佳，以5χ10·5〜5xl(T3Pa程度更佳。 此外，蒸鏟時的基板溫度’以20~150°C程度較佳，以 50~12(TC程度更佳。 -33- (30) (30)1356951 此外，蒸鍍速率，以2.5 ~2 5 A/秒程度較佳，以4〜2 0 A /秒程度更佳。 此外，蒸鍍角度02，以45〜85°程度較佳，以50〜75° 程度更佳。 藉由將各種條件分別設於前述範圍，可以高精度地形 成目的之面積比S2/S !之無機配向膜3 » 例如，將真空度設定爲高真空的話，顯示表面積S2 變小的傾向，提高設定基板溫度的話，顯示表面積S2變 小的傾向，蒸鍍角度02設定得越大，自我遮蔽（自己投 影）效果導致表面積s2有增大的傾向。 此外，藉由適當地設定蒸鍍源810與TFT基板17之 方位角度（圖3中的角度01)，或TFT基板17與蒸鍍源 810之間隔距離（圖3中之L)、狹縫板820的厚度（圖 3中之T)或狹縫821之寬幅（圖3中之W)等，控制管 柱構造之方向均勻性，亦即可以控制無機配向膜3之配向 性。 〔2〕其次，對無機配向膜3施以減少羥基處理。 此減少羥基處理，例如使用圖4所示之處理裝置9〇〇 〇 圖4所示之處理裝置9 00，具有真空室910，設於真 空室910內之台（stage)950，被配置於台950上之容器92〇 、對容器920內供給處理液S之供液手段960、排出容器 920內的處理液S之排液手段940、進行真空室910內的 排氣之排氣手段930。 -34- (31) 1356951 此外’於台950 ’例如設有電熱器等加熱手段（未圖 示）。 排氣手段930，係以泵932、連通泵932與真空室910 之排氣管線931、設於排氣管線931途中的閥933所構成 〇 此外，排液手段940，係以回收處理液S之回收槽 944、連通回收槽944與容器920之排液管線941、設於排 φ 液管線941途中的泵942及閥943所構成。 • 此外，供液手段960，係以貯留處理液S之貯留槽 964、由貯留槽9 64將處理液S導向容器920之供液管線 961、設於供液管線961途中的泵962及閥963所構成。 此外，於排液手段940與供液手段960，分別設有未 圖示之加熱手段（例如電熱器等），被構成爲可以加熱處 理液S。 此處，以作爲處理液使用醇的場合爲例加以說明。 • 〔2-1〕首先，把被形成無機配向膜3的TFT基板17 浸漬於含有如前述之醇的處理液S。 具體而言，開放真空室910，搬入被形成無機配向膜 3的TFT基板17，設置於容器920內。 其次，成爲密閉真空室910的狀態，啓動栗962，在 此狀態，藉由開啓閥963而透過供液管線961將處理液S 由貯留槽964供給至容器920內。 接著，在容器920內供給了特定量的處理液’亦即使 TFT基板17可以完全浸入的量的處理液之後’停止栗962 -35- (32) (32)1356951 同時關閉閥963。 此處，作爲醇，亦可使用常溫爲液狀者，或者常溫爲 固形狀或半固形狀亦可。 使用常溫爲液狀之醇的場合，於處理液S，可以使用 此醇自身（含醇量幾乎100%者），其他亦可於適當之溶 媒混合醇而使用。 此外，使用常溫爲固形狀或半固形狀之醇的場合，於 處理液S，可以藉由加熱使此醇成爲液狀者，，其他亦可 於適當之溶媒使醇溶解而使用。 將醇混合或者溶解於溶媒的場合，於溶媒，選擇可以 混合或溶解醇，且極性比醇還低者。藉此，可以防止溶媒 妨礙無機配向膜3之羥基與醇的反應，可以使化學反應確 實發生。

〔2-2〕其次，藉由減壓真空室910內（設置處理液S 的空間），使處理液S浸透至無機配向膜3的細孔30內 〇 具體而言，成爲密閉真空室910的狀態，啓動泵932 ，在此狀態，藉由開啓閥933而透過排氣管線931將真空 室910內的氣體排出至處理裝置900外。 藉由真空室910內的壓力徐徐下降，處理液中以及無 機配向膜3之細孔3 0內的氣體（例如空氣等）被取除， 處理液進透至細孔30內。 接著，真空室910內成爲特定壓力時，停止栗932同 時關閉閥9 3 3。 -36- (33) (33)1356951 此真空室910內（空間）的特定壓力，亦即，真空室 910內的真空度，以lxl〇_4〜lxl〇4Pa程度較佳，lx 1(Γ2〜lxl03Pa程度更佳。藉此，充分將空氣由無機配向膜 3的細孔30內取除，可以使處理液S充分浸透至細孔30 內。 其次’開動栗942'在此狀態’藉由打開閥943，使 容器920內的剩餘處理液S透過排液管線941回收至回收 槽 9 4 4 〇 接著，當處理液S幾乎全部由容器920內回收時，停 止泵942同時關閉閥943。 〔2-3〕其次，於無機配向膜3的表面以及細孔30之 內面，使醇化學結合。 具體而言，藉由使設於台9 50的加熱手段啓動，加熱 被形成無機配向膜3的TFT基板17。 藉此，存在於無機配向膜3的表面以及細孔30之內 面的羥基、與醇具有的羥基之間產生脫水聚合反應，在無 機配向膜3的表面以及細孔30的內面，醇進行化學結合 〇 又，先於此加熱之進行，亦可應需要再度減壓真空室 9 1 0 內。 TFT基板17之加熱溫度並未特別限定，但以80〜2 5 0 °C程度較佳，以1〇〇〜200 °C程度更佳。加熱溫度太低的話 ，隨著醇的種類，或無機配向膜3的構成材料的種類，| 有無法使醇充分化學結合於無機配向膜3之虞，另一方面 -37- (34) (34)1356951 ’即使讓加熱溫度超過前述上限値，也沒有增大效果的可 能性。 此外，TFT基板1 7之加熱時間並未特別限定，但以 20〜180分程度較佳’以40〜100分程度更佳。加熱時間太 短的話，隨著加熱溫度等其他條件，會有無法使醇充分化 學結合於無機配向膜3之虞，另一方面，即使讓加熱時間 超過前述上限値，也沒有增大效果的可能性。 如以上所述，作爲使存在於無機配向膜3的表面以及 細孔30的內面之羥基，與醇反應的方法，藉由使用加熱 的方法，可以比較容易而且確實地進行前述反應。 又’前述反應，不限於根據加熱之方法，例如也可藉 由紫外線的照射、紅外線的照射等來進行。這些場合，進 行各處理所必要的機構（手段）被設於處理裝置900。 又，使用複數種之醇的場合，亦可於前述處理液中同 時混合複數種醇。在此場合，化學結合於無機配向膜3的 複數種醇的比率，例如可以藉由適當的設定處理液中之複 數種醇之配合比、種類或分子量、處理條件等而調整。 此外’準備分別含有各醇的複數處理液，依序使用各 處理液，如前述進行而處理TFT基板17亦可。在此場合 ’以由含有分子量小的醇之處理液開始，往含有分子量較 大的醇的處理液依序變更而處理TFT基板17較佳。藉此 ，可以使低分子量的醇更確實地化學結合至細孔30的深 處爲止。 進而’在只要於無機配向膜3的表面附近選擇地使醇 -38- (35) (35)

1356951 化學結合即可的場合，只要單純使處理液接觸於無穩 膜3的表面即可。藉此，可以省略如前述之處理裝價 的使用’可以謀求液晶面板丨的製造工程的簡化，或 成本的降低。 作爲使處理液S接觸無機配向膜3的方法，可以 例如將處理液S塗布於無機配向膜3的方法（塗布法 將形成無機配向膜3的TFT基板17浸漬於處理液S 法（浸漬法）、將無機配向膜3暴露於處理液s的蒸 方法等，可以使用其中一種，亦可組合2種以上的方 又’塗布法例如可以使用旋轉塗布法，拋擲法、 相凹版塗布法、照相凹版塗布法、棒塗布法、輥塗布 線棒塗布法、滴下塗布法、噴霧塗布法 '網版印刷法 瑞術（F1 eX 〇 gr aphy )法、平版印刷法、噴墨印刷法等 〔3〕其次，於無機配向膜3、4之外周部（形成 部5)的區域，以塡滿其細孔30、40內且覆蓋表面的 ，充塡含有如前述之化合物的充塡物6 (第2工程） 首先，準備含有塡充物6的液狀充塡物組成物。 充塡物6在常溫爲液狀的場合，充塡物組成物可 持充塡物6原樣，或者使溶解於適當的溶媒而調製。 ，充塡物6爲固形狀的場合，充塡物組成物可以藉由 使成爲液狀，或者使溶解於適當的溶媒而調整。 其次，將此充塡物組成物選擇性供給至無機配向 、4之外周部，其後因應需要而乾燥。藉此，可使充 6塡滿無機配向膜、4之細孔30、40內，而且以覆蓋 !配向 I 900 :製造 ，舉出 )' 的方 氣之 法。 微照 法、 、富 〇 密封 方式 以維 此外 加熱 膜3 塡物 表面 -39- (36) (36)1356951 的方式充塡。 將充塡物組成物選擇性供給至無機配向膜3、4的外 周部的方法，可以舉出藉由噴墨印刷法（液滴吐出法）將 充塡物組成物以液滴的方式吐出之方法、在以遮罩覆蓋設 置液晶層2的區域（不要充塡充塡物6的區域）藉由旋轉 塗布法或滴下塗布法等供給充塡物組成物的方法等。 此充塡物組成物的黏度以儘可能低者較佳，在次一工 程〔4〕使用的液狀密封材以黏度更低爲佳。藉此，可以 將充分量之充塡物6充塡入無機配向膜3、4的細孔30、 40的更深處。 具體而言，充塡物組成物的黏度以0.1~100cP程度較 佳，以0.5〜5〇cP程度更佳。 又’充塡物6例如可以藉由真空蒸鍍法之類的物理氣 相成膜法、或化學氣相成膜法等氣相程序供給至無機配向 膜3、4，但最好使用前述之液相程序。藉由使用液相程序 ，可以使充塡物6對細孔30、40的塡充率更爲提高。 此外，此充塡物6之覆蓋無機配向膜、4的表面的部 分之平均厚度（圖2中m)，雖未有特別限定，但以 l~25nm程度較佳，尤以2〜l〇nm程度更佳。 又，本工程〔3〕亦可先於前述工程〔2〕而進行。 〔4〕其次，於無機配向膜3、4之被充塡充塡物6的 區域內，供給供形成密封部5之用的液狀密封材（第3工 程）。 於此密封材，使用密封部5之構成材料或者包含其前 -40- (37) (37)1356951 驅體之組成物》 密封材的黏度，最好被設定爲比前述充塡物組成物之 黏度更高，以50〜lOOOOOcP程度較佳，以i〇〇~50000cP程 度更佳。 此外’作爲密封材之供給方法，可以使用與前述工程 〔3〕同樣的方法。 〔5〕其次’將TFT基板17與液晶面板用對向基板 1 2 ’以在其間形成間隙的方式使密封材彼此接觸而配置之 後，使密封材硬化（第4工程）。 具體而言，使無機配向膜3、4對向，在將TFT基板 17與液晶面板用對向基板12以隔開特定距離的方式使密 封材彼此接觸之後，使密封材硬化。 作爲使此密封材硬化的方法，例如可以舉出乾燥（脫 除溶媒或者脫除分散媒）、紫外線照射、加熱等方法。 又，前述工程〔4〕以及本工程〔5〕，以在密封材的 硬化物之一部分形成貫通孔的方式進行。此貫通孔，於次 一工程〔5〕構成供把液晶組成物注入無機配向膜3、4與 密封材的硬化物所包圍的空間（間隙）之用的注入口。 〔6〕其次，由注入口對前述空間注入液晶組成物， 形成液晶層2 (第5工程）。 〔7〕其次，密封前述注入口（第6工程）。 作爲使用於此密封口的密封之材料，亦可與前述密封 材相同，亦可不同。 經過以上的工程，製造出液晶面板1。 -41 - (38) 1356951 又，先於前述工程〔2〕’亦可進行於無機配向膜3、 4除去形成這些時所附著的有機物或粒子等污漬之處理。 藉此，可以謀求使充塡物6與無機配向膜3、4之密接性 更爲提高，或使減少羥基處理高效率化。 作爲除去有機物的處理，以使用紫外線照射、電漿處 理，或於圖4所示之處理裝置900使用洗淨液（例如超純 水）作爲處理液之洗淨處理較佳，作爲除去粒子的處理， φ 以前述洗淨處理爲佳。 在以上說明的液晶面板1，使用TFT基板作爲液晶驅 動基板，但於液晶驅動基板亦可使用TFT基板以外之其他 液晶驅動基板，例如TFD基板、STN基板等。 其次，作爲本發明之電子機器之一例，說明使用前述 液晶面板1之電子機器（液晶投影機）。 圖5係模式顯示本發明之電子機器（投射型顯示裝置 )的光學系之圖。 Φ 如該圖所示，投射型顯示裝置300具有：光源301、 具備複數積分透鏡之照明光學系、具備複數二色性反射鏡 等之色分離光學系（導光光學系）、對應於紅色之（紅色 用的）液晶光閥（液晶光快門陣列）24、對應於綠色之（ 綠色用的）液晶光閥（液晶光快門陣列）25、對應於藍色 之（藍色用的）液晶光閥（液晶光快門陣列）26、被形成 僅反射紅色光的二色性反射鏡面2 1 1以及僅反射藍色光之 二色性反射面212的二色性稜鏡（色合成光學系）21、及 投射透鏡（投射光學系）22。 -42- (39) 1356951 此外，照明光學系具有積分透鏡302及303。色分離 光學系具有反射鏡304、306、309、反射藍色光與綠色光 (僅透過紅色光）的二色性反射鏡3 05、僅反射綠色光的 二色性反射鏡307、僅反射藍色光的二色性反射鏡（或者 反射藍色光之鏡）308、及聚光透鏡310' 311、312、313 以及3 1 4。 液晶光閥2 5，具備前述之液晶面板1。液晶光閥24、 φ 26也與液晶光閥25具有相同的構成。具備這些液晶光閥 " 24、25以及26的液晶面板1，分別被連接至未圖示的驅 動電路。 又，在投射型顯示裝置3 00以二色性稜鏡21與投射 透鏡22構成光學區塊20。又，以此光學區塊20，與對二 色性稜鏡21固定設置的液晶光閥24、25以及26構成顯 示單元。 以下，說明投射型顯示裝置3 00之作用。 # 由光源301射出的白色光（白色光束），透過積分透 鏡302及3 03。此白色光的強度（亮度分部）藉由積分透 鏡302以及303而均勻化。由光源301射出的白色光，以 其強度比較大者較佳。藉此，可以使形成於螢幕3 20的畫 像更爲鮮明。此外，在投射型顯示裝置300，因爲使用耐 光性優異的液晶面板1，所以即使在從光源3 0 1射出的光 的強度很大的場合，也可得到優異的長期安定性。 透過積分透鏡3 02及3 03的白色光以反射鏡3 04在圖 5中的左側反射，反射光之中的藍色光（B)以及綠色光 -43- (40) 1356951 (G )分別以二色性反射鏡3 0 5在圖5中之下側反射’紅 色光（R)則透過二色性反射鏡3 05。 透過二色性反射鏡305的紅色光，以反射鏡306於圖 5中之下側反射，其反射光藉由聚光透鏡310整形，入射 至紅色用液晶光閥24。 以二色性反射鏡305反射的藍色光以及綠色光之中的 綠色光，以二色性反射鏡307在圖5中的左側反射，藍色 φ 光則透過二色性反射鏡307。 ' 以二色性反射鏡307反射的綠色光，藉由聚光透鏡 311整形，入射至綠色用液晶光閥25。 此外，透過二色性反射鏡307的藍色光’以二色性反 射鏡（或者反射鏡）308於圖5中之左側反射，其反射光 以反射鏡3 09反設於圖5中之上側。前述藍色光’藉由聚 光透鏡3 1 2、3 0 3以及3 1 4整形，入射至藍色用液晶光閥 26 > # 如此，由光源3〇1射出的白色光，藉由色分離光學系 ，色分離爲紅色、綠色以及藍色之三原色，分別被導往而 入射至對應的液晶光閥。 此時，具有液晶光閥24的液晶面板1之各畫素（薄 膜電晶體173即被連接於此的畫素電極172)藉由根據紅 色用影像訊號而動作的驅動電路（驅動手段）控制開關（ 開/關），亦即被調變》 同樣地，綠色光以及藍色光，分別入射至光閥2 5以 及2 6，以分別的液晶面板1調變，藉此形成綠色用畫像以 -44- (41) 1356951 及藍色用畫像。此時，具有液晶光閥25的液晶面板1之 各畫素，藉由根據綠色用畫像訊號而動作的驅動電路控制 開關，具有液晶光閥26的液晶面板1之各畫素，藉由根 據藍色用畫像訊號而動作的驅動電路控制開關。 藉此，紅色光、綠色光以及藍色光，分別以液晶光閥 24、25以及26調變，分別形成紅色用畫像、綠色用畫像 以及藍色用畫像。 .轟 φ 藉由前述液晶光閥24形成的紅色用畫像，亦即來自 ' 液晶光閥24的紅色光，由面213入射至二色性稜鏡21， 以二色性反射鏡面2 1 1在圖5中之左側反射，透過二色性 反射鏡面2 1 2，由射出面2 1 6射出。 此外，藉由前述液晶光閥25形成的綠色用畫像，亦 即來自液晶光閥25的綠色光，由面214入射至二色性稜 鏡21，分別透過二色性反射鏡面211及212在圖5中之左 側反射，而由射出面2 1 6射出。 # 此外，藉由前述液晶光閥26形成的藍色用畫像，亦 即來自液晶光閥26的藍色光，由面215入射至二色性稜 鏡2 1，以二色性反射鏡面21 2在圖5中之左側反射，透過 二色性反射鏡面211，由射出面216射出。 如此，來自前述液晶光閥24、25以及26的各色光， 亦即藉由液晶光閥24、25以及26形成的各畫像，藉由二 色性稜鏡21合成，藉此形成彩色的畫像。此畫像藉由投 射透鏡22在設置於特定位置的螢幕320上投影（擴大投 射）。 -45- (42) (42)1356951 本實施型態之投射型顯示裝置300，說明了具有3個 液晶面板，而這些全部適用液晶面板1者，但這些裝置之 中只要有一係液晶面板1即可。在此場合，至少於藍色用 液晶光閥適用液晶面板1較佳。 又，本發明之電子機器，除了圖5所示之投射型顯示 裝置以外，例如還可以舉出：個人電腦（可攜型個人電腦 )、行動電話機（包含PHS)、數位相機、電視、攝影機 、觀景窗式攝影機、螢幕直視型攝影機、汽車導航裝置、 呼叫器、電子筆記（含附有通訊功能者）、電子字典、計 算機、遊戲機、文書處理機、工作站、電視電話、防犯罪 用影像監視器，電子望遠鏡、POS終端，具備觸控面板的 機器（例如金融機關的提款機、自動售票機）、醫療機器 (例如電子體溫計、血壓計、血糖計、心電顯示裝置、超 音波診斷裝置、內視鏡用顯示裝置）、魚群探知機、各種 測定機器、計測儀表類（例如車輛、飛機、船舶之儀表類 )、飛行模擬器等。接著，於這些各種電子機器於顯示部 、監視器部具備的液晶面板，當然可以適用本發明。 以上，根據圖示之實施型態說明本發明之液晶面板， 液晶面板之製造方法及電子機器，但本發明並不以此爲限 〇 例如，在本發明之液晶面板以及電子機器，各部的構 成可以置換爲發揮同樣功能之任意構成，此外也可以附加 任意的構成。 此外，在本發明之液晶面板的製造方法，可以追加任 -46- (43) (43)1356951 意之一種或2種以上之工程。 〔實施例〕 其次，說明本發明之具體實施例。 1 ·液晶面板之製造 (實施例1 ) <1>首先，準備圖1所示之TFT基板，在圖3所示之 真空蒸鍍裝置之真空室內，以使對蒸鍍源夾角度βι成爲 5〇°的方式設置基板面。此外，狹縫板的厚度爲1.5 cm，狹 縫的寬幅爲2.〇cm，蒸鍍角度02爲60°，蒸鍍距離爲1.5m ，基板的處理速度（移動速度）爲2.5 cm/分。 .接著，減壓（1x10 a)真空室內，以基板溫度110 °c， 蒸鍍速率10 A /秒，斜向蒸鍍Si02，製作具有無機配向膜 之TFT基板。 又，所得到的無機配向膜，各細孔之對TFT基板上面 的角度約爲70°，平均厚度爲45nm，細孔的平均開口徑爲 0.0 0 3 μπι ° 此外，此無機配向膜之表面積S2，與TFT基板之表 面積8丨之面積比32/31爲2,85。 這是與前述同樣將製作的具有無機配向膜的TFT基板 切斷爲特定的尺寸（1.5cmxl.8cm)，將此切片分別封入5 枚至試管內，使用高精度全自動氣體吸附裝置（日本 BELL公司製，「BELSORP 36」）進行表面積的測定。 -47- (44) 1356951 具體而言，在被封入各切片的試管內以氨氣 ，在l〇〇°C真空脫氣。接著，對含有無機配向膜 全體，以吸附溫度77K (液態氮的溫度）使氪氣 定範圍，爲相對壓（P/P0) = 0.0~0.4，對各平衡相對 秒爲平衡時間。又，表面積的測定，適用了 BET 如此測定的各切片全體的表面積S減去未被形成 膜的部分的幾何表面積S ，算出無機配向膜的表: φ 此外，對無機配向膜形成前之TFT基板也同 ' 測定表面積S!。 接著，根據測定的S!與S2之値，算出面積t <2>其次，將具有無機配向膜之TFT基板， 箱中，加熱200°C x90分，加熱結束之後立刻移 氮氣環境中，保持原狀地放置。 <3>其次，對無機配向膜，照射10分鐘波長 強度3 0 m w / c m 2之紫外線。 • <4>其次，於圖4所示之處理裝置內，搬入 配向膜之基板，在容器（聚四氟乙烯製）內，使 膜設置在上，密封真空室。 接著，將準備之超純水（洗淨液）供給至容 具有無機配向膜的基板浸漬於洗淨液。其後，將 減壓至133 Pa，維持此狀態十分鐘。藉此，使無 的細孔內之氣體置換爲超純水。 又’超純水之溫度爲3 0 C。 接著，使真空室內回到大氣壓後，使超純水 置換之後 之各切片 吸附。測 壓以1 8 0 理論。由 無機配向 10 積 S2。 樣進行， ::s2/s,。 在乾淨烤 動至乾燥 2 5 4 n m、 具有無機 無機配向 器內，使 真空室內 機配向膜 由容器排 -48- (45) (45)1356951 出。其後，將真空室內減壓，將基板加熱200°CX90分。 藉此，使無機配向膜乾燥。 加熱結束後，維持減壓狀態，靜放冷卻。 <5>其次，準備1-辛醇（分子量：130)，使用濾過過 濾器除去離子性不純物後，藉由氮氣氣泡除去微量含有水 分。 接著，使用圖4所示之處理裝置，與前述工程<3 >同 樣，將無機配向膜的細孔內的氣體置換爲1-辛醇。 接著，使真空室內回到大氣壓後，使1-辛醇由容器排 出。其後，將真空室內減壓至133Pa，將基板加熱15 0°Cx 1小時。藉此，於無機配向膜的表面以及細孔之內面，使 1-辛醇化學結合。 加熱結束後，維持減壓狀態，靜放冷卻。 <6>另一方面，準備圖1所示之液晶面板用對向基板 ’取代1-辛醇而使用2-丙醇（分子量：60)以外，與前述 工程<1>~<5>相同，得到具有無機配向膜的液晶面板用對 向基板。 <7>其次，沿著各無機配向膜的外周部，作爲充塡物 (充塡物組乘物）將3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷（分 子量：220 )藉由噴墨印刷法供給，塡滿細孔內，且覆蓋 表面。又’覆蓋無機配向膜的表面的部分的平均厚度爲 5nm。 又，充塡物組成物之黏度爲3cP。 <8>其次，供給（充塡）3 -環氧丙氧基丙基三甲氧基 -49- (46) (46)1356951 矽烷的部分，殘留成爲注入口的部分，印刷熱硬化型黏接 劑（日本化藥社製造，「ML3 804P」），加熱80°C X 10分 而除去溶媒。 又，熱硬化型黏接劑，係混合直徑約3μιη的二氧化矽 球之環氧樹脂，其黏度約爲25000 CP。 <9>其次，使無機配向膜爲在內側，壓接2枚基板， 藉由加熱14(TC Μ小時而貼合。又，2枚基板，以無機配 向膜的配向方向相互成爲180°的方式配置。 <1〇>接著，於貼合2枚基板形成的內側的空間，由注 入口，藉由真空注入法注入氟素系的負的介電向異性液晶 (Mel cu 社（音譯）製造，「MLC-6610」）。 <1 1>其次，將注入口以丙烯基系UV黏接劑（Henkel Japan (音譯）社製造，「LPD-204」）密封’並照射 3000mJ/cm2波長3 65 nm之紫外光，密封注入口。 如以上所述進行，製造液晶面板。 (實施例2) 作爲充塡物，除了使用2-(3’ 4_環氧基環己基）乙基 三甲氧基矽烷（分子量：246)與乙烯-乙酸乙烯共聚物之 混合物以外，以與前述實施例1同樣的方法製造液晶面板 〇 又，2-(3，4 -環氧基環己基）乙基三甲氧基砂院：乙 烯·乙酸乙烯共聚物= 70: 3〇(重量比）。 此外，此混合物溶解於己烷而調製充塡物組成物’藉 -50- (47) (47)1356951 由噴墨印刷法供給至無機配向膜。 又，充塡物組成物之黏度爲20cP。 (比較例） 除了省略充塡物的充塡以外，以與前述實施例1同樣 的方法製造液晶面板》 2.液晶面板之耐久性試驗 把在各實施例與比較例製造的液晶面板，放置於高溫 多濕的環境（80°C、80%RH )，確認隨著時間經過之顯示 性能，測定其到產生顯示異常爲止的時間。 結果，確認了在各實施例製造的液晶面板，均比在比 較例製造的液晶面板其產生顯示異常爲止的時間明顯地更 長。 此外，取代Si〇2而使用Al2〇3製作具無機配向膜的 TFT基板及具無機配向膜之液晶面板用對向基板，與前述 同樣製造液晶面板，與前述同樣進行評估，得到與前述相 同的結果。 【圖式簡單說明】 圖1係模式顯示本發明之液晶面板之實施型態之縱剖 面圖。 圖2係擴大顯示圖i所示之液晶面板的外周部附近之 縱剖面圖 -51 - (48) (48)1356951 圖3係顯示使用於圖1所示之液晶面板的製造方法之 真空蒸鍍裝置的構成之模式圖。 圖4係顯示使用於圖1所示之液晶面板的製造方法之 處理裝置的構成之模式圖。 圖5係模式顯示適用本發明之電子機器之投射型顯示 裝置的光學系之圖。 【主要元件符號說明】 1 :液晶面板 2 :液晶層 3、4 :無機配向膜 3 0、4 0 :細孔 5 :密封部 6 :充塡物 11 :微透鏡基板 111:微透鏡用附凹部之基板 112 :凹部 113 :微透鏡 1 1 4 :表層 1 1 5 :樹脂層 12:液晶面板用對向基板 13 :黑矩陣 13 1 :開口 14 :透明導電膜 -52- (49) (49)1356951 1 7 : TFT基板 171 :玻璃基板 1 7 2 :畫素電極 1 7 3 :薄膜電晶體 20 :光學區塊 . 21 :二色性稜鏡 211、212:二色性反射鏡面 213-215 ：面 2 1 6 :射出面 2 2 :投射透鏡 23 :顯示單元 2 4~26 :液晶光閥 300 :投射型裝置 3 0 1 :光源 302、3 03 :積分透鏡 304、 306、309 ：反射鏡 305、 307、308:二色性反射鏡 3 1 0〜3 14 :聚光透鏡 320 :螢幕 8 〇 〇 :無機氧化物（原料） 8 1 0 :蒸鍍源 820 :狹縫板 821 :狹縫 8 3 0 :驅動裝置 -53 (50) 1356951 900 :處理裝置 9 1 0 :真空室 920 :容器 9 3 0 :排氣手段 9 3 1 :排氣線 932 :幫浦 93 3 :閥

940 :排液手段 941 :排液線 942 :幫浦 943 ：閥 9 44 :回收箱 9 5 0 ：台 960 :給液手段 9 6 1 :給液線 962 :幫浦 963 :閥 9 6 4 :貯留箱 900 :處理液

Claims (1)

1356951 月丨丨曰修正本 第095137606號專利申請案中文申請專利範圍修正本 民國100年5'月11曰修正 十、申請專利範圍 1 · 一種液晶面板’其特徵爲具有：一對基板，被設於 前述個基板之對向的面側，具有複數細孔之無機配向膜， 被設於前述無機配向膜彼此之間的液晶層，及在前述無機 配向膜彼此之間，沿著前述無機配向膜的外周部被設置之 ( 密封前述液晶層的密封部；於前述各無機配向膜之與前述 ' 密封部重疊的區域’以塡滿前述細孔內，且以覆蓋表面的 方式充塡以包含具有與前述無機配向膜之親和性高的第1 官能基，及與前述密封部之親和性高的第2官能基的化合 物之充塡物。 2 .如申請專利範圍第1項之液晶面板，其中前述第1 官能基，係與前述無機配向膜形成共有結合之基。 3 ·如申請專利範圍第2項之液晶面板，其中前述無機 配向膜係被構成爲以Si〇2或Ah〇3爲主材料，前述第1官 能基，係烷基甲矽烷基或羥基。 4.如申請專利範圍第1至3項之任一項之液晶面板， 其中前述無機配向膜係斜向蒸鑛膜。 5 .如申請專利範圍第1至3之任一項之液晶面板，其 中前述第2官能基，係與前述密封部形成共有結合之基。 6.如申請專利範圍第5項之液晶面板，其中前述密封 部係被構成爲以具有聚合性基的樹脂材料爲主材料，前述 第2官能基，係與前述聚合性基進行聚合之基。 1356951 7 ·如申請專利範圍第1至3項之任一項之液晶面板， 其中前述充塡物中之前述化合物的含量在50重量百分比 以上。 8. 如申請專利範圍第1至3項之任一項之液晶面板， 其中前述化合物之平均分子量爲100〜500。 9. 一種液晶面板之製造方法，係具有：一對基板，被 設於前述各基板之對向的面側，具有複數細孔之無機配向 膜，被設於前述無機配向膜彼此之間的液晶層，及在前述 無機配向膜彼此之間，沿著前述無機配向膜的外周部被設 置之密封前述液晶層的密封部之液晶面板之製造方法，其 特徵爲具有：於一方之面側準備一對具有前述無機配向膜 的基板之第1工程，於前述各無機配向膜之外周部，以塡 滿前述細孔內，且以覆蓋表面的方式，充塡以包含具有與 前述無機配向膜之親和性高的第1官能基，及與前述密封 部之親和性高的第2官能基的化合物之充塡物的第2工程 ，在前述各無機配向膜之前述充塡物被充塡的區域內，供 給供形成前述密封部的液狀密封材的第3工程，將前述一 對基板，以在其間形成間隙的方式，使前述密封材彼此接 觸配置之後，使前述密封材硬化之第4工程，於前述間隙 注入液晶組成物，形成前述液晶層之第5工程，及密封使 用於注入前述液晶組成物的注入口之第6工程。 1 〇.如申請專利範圍第9項之液晶面板之製造方法， 其中於前述第2工程，前述充塡物之充塡，係藉由將含有 該充塡物的液狀充塡物組成物供給至前述各無機配向膜而 -2- 1356951 進行的。 1 1 .如申請專利範圍第1 0項之液晶面板之製造方法， 其中前述充塡物組成物之黏度，係比前述密封材之黏度還 低。