TWI356395B - Acoustic device - Google Patents

Acoustic device Download PDF

Info

Publication number
TWI356395B
TWI356395B TW97124106A TW97124106A TWI356395B TW I356395 B TWI356395 B TW I356395B TW 97124106 A TW97124106 A TW 97124106A TW 97124106 A TW97124106 A TW 97124106A TW I356395 B TWI356395 B TW I356395B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
sounding
carbon nanotube
electromagnetic wave
sounding device
wave signal
Prior art date
Application number
TW97124106A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201002096A (en
Inventor
Kai-Li Jiang
Lin Xiao
Zhuo Chen
Shou-Shan Fan
Original Assignee
Hon Hai Prec Ind Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hon Hai Prec Ind Co Ltd filed Critical Hon Hai Prec Ind Co Ltd
Priority to TW97124106A priority Critical patent/TWI356395B/zh
Publication of TW201002096A publication Critical patent/TW201002096A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI356395B publication Critical patent/TWI356395B/zh

Links

Landscapes

  • Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Description

100年.11.月17日按正替换頁 1356395 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 [0001] 本發明涉及一種發聲裝置,尤其涉及一種基於奈米碳管 的發聲裝置。 【先前技術】 [0002] 發聲裝置一般由信號輸入裝置和發聲元件組成。通過信 號輸入裝置輸入電信號給發聲元件,進而發出聲音。先 前技術中的發聲元件一般爲一揚聲器。該揚聲器爲一種 把電信號轉換成聲音信號的電聲器件。具體地,揚聲器 可將一定範圍内的音頻電功率信號通過換能方式轉變爲 失真小並具有足夠聲壓級的可聽聲音。揚聲器的種類很 多,雖然它們的工作方式不同,但一般均爲通過産生機 械振動推動周圍的空氣,使空氣介質産生波動從而實現 “電-力-聲”之轉換。 [0003] 請參閱圖1,先前的電動式揚聲器100通常由三部分組成 :音圈102、磁鐵104及振膜106。音圈102通常採用一導 體,當音圈102中輸入一個音頻電流信號時,音p 102相 當於一個載流導體。若將其放在固定磁場裏,根據載流 導體在磁場中會受到洛倫茲力作用,音圈102會受到一個 大小與音頻電流成正比、方向隨音頻電流方向變化而變 化的力。故,音圈102就會在磁場作用下産生振動,並帶 動振膜106振動,振膜106前後的空氣亦隨之振動,將電 信號轉換成聲波向四周輻射。然而,該電動式揚聲器100 的結構較爲複雜,且其必須在有磁的條件下工作。
I
[0004] 進一步地,先前技術中的發聲裝置的發聲原理爲“電-力 097124106 表單編號A0101 第3頁/共23頁 1003423497-0 1356395 「100年11月17曰俊正销ξτί" 耳之轉換原理》即發聲的最基本條件爲電信號的輸入 。在極端環境’如無電環境下,則無法應用上述發聲裝 置進行發聲。 [_衫效應係指當物質受到周期性強度調㈣光照射時, 會産生聲《的現象。當物質受到光照射時物質因吸 收光能而受激發,並通過非輕射躍遷使吸收的光能全部 或部分轉變爲熱。如果照射的光束經過周期性的強度調 製,則在物質内産生周期性的溫度變化,使這部分物質 及其鄰近的媒質熱脹冷縮而産生應力(或壓力)的周期 性變化’因而産生聲信號,此種信號稱光聲信號。光聲 k號的頻率與光調製頻率相同,其強度和相位則决定於 物質的光學、熱學、彈性和幾何的特性。目前,利用光 聲效應製造的光聲譜儀及光聲顯微鏡已經被廣泛應用於 物質組分分析檢測領域。例如,先前技術中的光聲譜儀 一般包括一光源 '—樣品室及一信號檢測器。該光源一 般爲一調製的脈衝雷射源或連續雷射源》該信號檢測器 一般爲一麥克風。該樣品室中放置有待測的樣品,該樣 品材料不限,可以爲氣體、液體或固體材料,如一固體 粉末或一生物樣品等《該雷射源發射雷射照射到樣品室 中的樣品上,由於光聲效應中産生的聲能直接正比於物 質吸收的光能,而不同成分的物質在不同光波的波長處 出現吸收峰值,故當具有多譜線或連續光譜的光源以不 同波長的光束相繼照射樣品時,樣品内不同成分的物質 將在與各自的吸收峰相對應的光波波長處産生光聲信號 極大值。該信號檢測器通過檢測該光聲信號的極大值’ 097124106 表單编號A0101 第4頁/共23頁 1003423497-0 1356.395 100年11-月17日核正雜頁 從而判斷待測樣品的材料種類。 ' [0006] 然而,一般材料受到光吸收能力的限制,産生的光聲信 號強度較弱,且頻率範圍在兆赫茲以上,只能通過麥克 風或壓電傳感器等換能裝置接收,故,先前技術中還沒 有利用光聲效應製造的發聲裝置使其産生的聲音信號能 直接被人耳感知。另外,先前技術中也沒有將廣義的電 磁波應用光聲效應製造的發聲裝置。 [0007] 自九十年代初以來,以奈米碳管(請參見Helical microtubules of graphitic carbon, Nature, Sum-io Iijima,vol 354,p56(1991))爲代表的奈米材料 以其獨特的結構和性質引起了人們極大的關注。近幾年 來,隨著奈米碳管及奈米材料研究的不斷深入,其廣闊 的應用前景不斷顯現出來。例如,由於奈米碳管所具有 的獨特的電磁學、光學、力學、化學等性能,大量有關 其在場發射電子源、傳感器、新型光學材料、軟鐵磁材 料等領域的應用研究不斷被報道。然而,先前技術中卻 尚未發現奈米碳管作爲發聲元件用於聲學領域。 [0008] 有鑒於此,提供一種結構簡單,可在無磁、無電的條件 下直接發出能夠被人耳感知的聲音的發聲裝置實為必要 〇 【發明内容】 [0009] 一種發聲裝置,其包括一電磁波信號輸入裝置及一發聲 元件。該發聲元件與該電磁波信號輸入裝置間隔設置。 其中,所述發聲元件包括一奈米碳管薄膜,該奈米碳管 薄膜包括多個相互纏繞的奈米碳管,該電磁波信號輸入 097124106 表單編號 A0101 第 5 頁/共 23 頁 1003423497-0 1356395 _^ 100年.11月17日梭正替換頁 裝置傳遞電磁波信號至該奈米碳管薄膜,使該奈米碳管 薄膜通過吸收該電磁波信號發熱,從而加熱氣體介質發 出聲波。 [0010] 相較於先前技術,所述發聲裝置具有以下優點:其一, 由於所述發聲裝置中的發聲元件僅由奈米碳管薄膜組成 ,無需磁鐵等其它複雜結構,故該發聲裝置的結構較爲 簡單,有利於降低該發聲裝置的成本。其二,該發聲裝 置利用輸入信號造成該奈米碳管薄膜溫度變化,從而使 其周圍氣體介質迅速膨脹和收縮,進而發出聲波,故該 奈米碳管薄膜組成的發聲裝置可在無磁的條件下工作。 其三,由於該奈米碳管薄膜由相互纏繞的奈米碳管組成 ,故該奈米碳管薄膜具有較小的熱容和大的比表面積, 故該奈米碳管薄膜具有升溫迅速、熱滞後小、熱交換速 度快的特點,故該奈米碳管薄膜組成的發聲裝置可以發 出很寬頻譜範圍内的聲音(ΙΗζ-lOOkHz),且具有較好 的發聲效果。其四,由於奈米碳管薄膜中奈米碳管相互 纏繞,具有較好的機械強度和韌性,所述奈米碳管薄膜 可以彎曲折叠成任意形狀而不破裂,從而有利於製備由 奈来碳管薄膜組成的各種形狀、尺寸的發聲裝置,進而 方便地應用於各種領域。其五,由於奈米碳管具有極大 的比表面積,在凡德瓦爾力的作用下,奈米碳管薄膜本 身有很好的黏附性,故奈米碳管薄膜可方便地直接黏附 於支撐結構表面。 【實施方式】 [0011] 以下將結合附圖詳細說明本技術方案實施例的發聲裝置 097124106 表單编號A0101 第6頁/共23頁 1003423497-0 1356395 100年11.月17日核正_頁 〇 [0012] 請參閱圖2 ’本技術方案第一實施例提供一種發聲裝置1〇 ,該發聲裝置1〇包括一電磁波信號輸入裝置112 , 一發聲 兀件114,一支撐結構116及一調製裝置118。該發聲元 件114設置於該支撐結構116上。該支撐結構丨丨6爲一可 選擇結構,用於支撐和gj定該發聲元件114。該電磁波信 號輸入裝置112與該發聲元件114對應且間隔設置,用於 長:供電磁波k號1 20 »該調製裝置118設置於該電磁波 信號輸入裝置112與發聲元件ι14之間,用於對所述電磁 波信號12G騎強度或頻㈣婦1該電磁波信號輸入 裝置112發出的電磁波信號120通過該調製裝置H8進行 強度和頻率的調製後傳遞至該發聲元件114表面。 [0013] 所述發聲元件114包括-奈米碳管薄膜。該奈米碳管薄膜 包括多個相互緯繞的奈米碳管,其掃描電鏡照片請參見 圖3。所述奈米碳管薄膜中,奈米碳管爲各向同性,均勻 分佈’無規則排列。所述奈Μ管之間通過凡德瓦爾力 相互吸引、纏繞,形成網絡狀結構,進而形成大量的微 孔。該微孔的孔徑小於10微米。大量微孔的存在可確保 所述發聲元件114具有較大的比表面積。所述奈来碳管的 長度較長且相互纏繞,故,該奈米碳管薄膜具有自支撐 結構。所述奈米碳管薄膜中的奈米碳管可爲單壁奈米碳 管、雙壁奈米碳管及多壁奈米碳管中的一種或多種。所 述單壁奈米碳管的直徑爲0.5奈米~5〇奈米,所述雙壁奈 米碳管的直徑爲1.0奈米〜50奈米,所述多壁奈米碳㈣ 直徑爲1. 5奈米〜50奈米。所述奈米碳管薄膜的長度及寬 097124106 表單編號Α0101 1003423497-0 1356395 100年.11月17日孩正替換百 度不限,可根據實際需求製備。 [0014] 可以理解,所述奈米碳管薄膜的厚度不能太厚,太厚則 影響奈米碳管與周圍氣體介質進行熱交換,從而影響該 發聲元件114的發聲效果。另外,該奈米碳管薄膜的厚度 不能太薄,太薄則該奈米碳管薄膜強度較差,在發聲過 程中容易損壞。當所述奈米碳管薄膜的厚度比較小時, 例如小於10微米,該奈米碳管薄膜具有較高的透明度, 故採用該奈米碳管薄膜的發聲元件11 4爲透明發聲元件 114,此時,可以將該發聲元件114直接設置在各種顯示 裝置、手機顯示屏或油晝的上表面,從而達到節省空間 的目的。優選地,所述奈米碳管薄膜的厚度爲0.5奈米~1 毫米。本技術方案實施例中,所述奈米碳管薄膜的長度 爲3厘米,寬度爲3厘米,厚度爲50奈米。 [0015] 另外,由於奈米碳管相互纏繞,故所述奈米碳管薄膜具 有很好的韌性,可以彎曲折叠成任意形狀而不破裂。本 技術方案實施例中的奈米碳管薄膜爲一平面結構。 [0016] 所述支撐結構116主要起支撐作用,其形狀不限,任何具 有確定形狀的物體,如一牆壁或桌面,均可作爲本技術 方案第一實施例中的支撐結構116。具體地,該支撐結構 116可以爲一平面或曲面結構,並具有一表面。此時,該 發聲元件114直接設置並貼合於該支撐結構11 6的表面上 。由於奈米碳管具有極大的比表面積,在凡德瓦爾力的 作用下,該奈米碳管薄膜本身有很好的黏附性,故採用 該奈米碳管薄膜作發聲元件114時,可以將奈米碳管薄膜 直接黏附於支撐結構116表面。進一步地,所述支撐結構 097124106 表單编號A0101 第8頁/共23頁 1003423497-0 1356395 100年.11.月17日梭正替換頁 116與所述發聲元件114之間還可以通過黏結劑相互黏結 ,從而使所述發聲元件114更好地固定在支撐結構116表 面上。所述黏結劑可以爲一耐高溫的矽膠。 [0017] 由於該發聲元件114整體通過支撐結構116支撐,故該發 聲元件114可以承受強度較高的電磁波信號120輸入,從 而具有較高的發聲強度。另外,該支撐結構11 6也可以爲 一框架結構、桿狀結構或不規則形狀結構。此時,該發 聲元件114部分與該支撐結構116相接觸,其餘部分懸空 設置。此種設置方式可以使該發聲元件114與空氣或周圍 介質更好地進行熱交換。該發聲元件114與空氣或周圍介 質接觸面積更大,熱交換速度更快,故具有更好的發聲 效率。 [0018] 該支撐結構116的材料不限,可以爲一硬性材料,如金剛 石、木質材料、玻璃或石英。另外,所述支撐結構11 6還 可爲一柔性材料,如紙質材料、塑膠或樹脂。優選地, 該支撐結構116的材料應具有較好的絕熱性能,從而防止 該發聲元件114産生的熱量過度的被該支撐結構11 6吸收 ,無法達到加熱空氣發聲的目的。另外,該支撐結構116 優選爲具有一較爲粗糙的表面,從而可以使設置於上述 支撐結構116表面的發聲元件114與空氣或其他外界介質 具有更大的接觸面積。 [0019] 可以理解,由於上述發聲元件114中的奈米碳管薄膜爲一 自支撐結構,故該支撐結構11 6爲一可選擇結構。 [0020] 所述電磁波信號輸入裝置112包括一電磁波信號源,該電 097124106 表單編號A0101 第9頁/共23頁 1003423497-0 1356395
100年11月17日修正替换頁I 磁波彳§號源可以發出強度或頻率可變的電磁波,形成一 電磁波信號120。該電磁波信號120的強度或頻率可不斷 變化,從而能夠使作爲發聲元件Π4的奈来碳管薄膜吸收 該電磁波信號120間歇加熱空氣,使空氣不斷膨脹收縮, 進而持續發出聲音。該電磁波信號12〇的頻率範圍包括無 線電波、紅外線、可見光、紫外線、微波、χ射線及τ射 線等。優選的,該電磁波信號源爲一光信號源,所發出 的電磁波信號120可以爲一光信號,該光信號的波長包括 從紫外至遠紅外波長的各種光波。該電磁波信號丨2〇的平 均功率控度在1/zW/mm2〜20W/min2範圍内。可以理解,該 電磁波信號1 20的強度不能太弱,太劈則無法使奈米碳管 薄膜充分加熱周圍空氣發出聲音,並且,該電磁波信號 120的強度不能太強’太強使奈米碳管薄膜與空氣中的氧 發生反應’從而破壞該奈米碳管薄膜。優選地,該電磁 波信號源爲一脈衝雷射發生器。 [0021]該電磁波信號輸入裝置112發出的電磁波信號120在發聲 元件114上的入射角度與位置不限。另外,該電磁波信號 1 輸入裝置112與發聲元件114之間的距離不限,但應確保 從該電磁波信號輸入裝置11 2發出的電磁波能夠傳遞至該 發聲元件114表面。優選地,當該電磁波信號爲一光信號 ’且該電磁波信號輸入裝置112與該發聲元件114距離較 遠時,該電磁波信號輸入裝置112可以進一步包括一光纖 ,該光纖一端與所述光信號源連接,另一端延伸至所述 奈米碳管薄膜附近,從而使通過上述雷射發生器發出的 電磁波信號120通過光纖遠距離傳遞至發聲元件114表面 097124106 表單编號Α0101 第10頁/共23頁 1003423497-0 1356395 100年.11月17日核正替&頁 [0022] 所述調製裝置118爲一可選擇結構,設置於該電磁波信號 120的傳輸路徑上,包括強度調製器、頻率調製器或兩者 的結合。所述發聲裝置10通過調製裝置118對電磁波信號 120的強度及頻率進行調製,從而實現使發聲元件114所· 發出的聲音的強度及頻率的改變。具體地,可以通過以 不同頻率開關電磁波信號120調製電磁波信號1 20的強弱 ,或者以不同頻率變化電磁波信號120的強度調製電磁波 信號120的強弱。電磁波信號120強弱的變化影響發聲元 件114發聲頻率的變化。通過對該電磁波信號120進行調 製,可以使該發聲元件114發出不同頻率的聲音。可以理 解,該調製裝置118可以與所述電磁波信號輸入裝置11 2 集成或間隔設置。當所述電磁波信號輸入裝置11 2包括一 光纖時,該調製裝置118可設置於光纖的起始端或結束端 上。本實施例中,該調製裝置118爲一電光晶體。 [0023] 本技術方案實施例發聲裝置中採用奈米碳管薄膜作爲發 聲元件,由於奈米碳管對電磁波的吸收接近絕對黑體, 從而使發聲裝置對於各種波長的電磁波具有均一的吸收 特性。另外,奈米碳管具有較小的熱容和較大的散熱面 積。故,當發聲元件114中的奈米碳管受到如雷射等電磁 波的照射時,奈米碳管因吸收光能而受激發,並通過非 輻射使吸收的光能全部或部分轉變爲熱。奈米碳管溫度 迅速升高,並和周圍的空氣或其他介質進行迅速的熱交 換。如果照射的電磁波經過周期性的強度調製,則在奈 米碳管内産生周期性的溫度變化,從而使其周圍的氣體 097124106 表單編號A0101 第11頁/共23頁 1003423497-0 1356395 100年11月17日梭正替換頁 介質也產生周期性的溫度變化,造成周圍空氣或其他介 質迅速的膨脹和收縮,從而發出聲音《進一步地,本實 施例中,所述發聲元件114包括由大量相互纏繞的奈米碳 管組成的奈米碳管薄膜,故當電磁波信號輸入裝置112發 • 出的電磁波信號120的頻率合適,且發聲元件114周圍介 質爲空氣時,發聲元件114發出的聲音可以直接被人耳感 知。可以理解,當電磁波信號120的頻率增高時,該發聲 元件114可以發出超聲波。 [0024] 請參閱圖4,本技術方案第二實施例提供一種發聲裝置20 ,該發聲裝置20包括一電磁波信號輸入裝置212、一發聲 元件214、一支撐結構21 6及一調製裝置218。 [0025] 該支撐結構21 6爲一框架結構、桿狀結構或不規則形狀結 構。該發聲元件214部分與該支撐結構216相接觸,其餘 部分懸空設置,從而使聲音能夠透過該發聲元件214傳遞 。該電磁波信號輸入裝置212與該發聲元件214對應且間 隔設置。該調製裝置218設置於該電磁波信號輸入裝置 212與發聲元件214之間。 [0026] 該發聲裝置20與第一實施例中的發聲裝置10的結構基本 相似,與第一實施例中的發聲裝置1〇的區別在於,該發 聲裝置20進一步包括一攏音結構222,該攏音結構222間 隔設置在所述發聲元件214遠離電磁波信號220輸入的一 侧。該攏音結構222與該發聲元件214相隔設置,從而使 發聲元件214發出的聲波通過攏音結構222反射,增強該 發聲裝置20的發聲效果。根據發聲元件214的大小,該距 離可以爲1厘米~1米。可以理解,該攏音結構222可以爲 097124106 表單编號A0101 第12頁/共23頁 1003423497-0 1356395 核正 1100年11月17日 具有一較大表面的各種結構,如一平面结構或一曲面結 構。本實施例中,該攏音結構222爲一平板。該攏音結構 222可以通過支架與該發聲元件214間隔。另外,該攏音 結構222與該支撐結構216也可爲一集成設置的整體,如 一具有狭窄開口的腔體,該發聲元件214平舖於該腔體的 開口上,從而形成一亥姆霍茲共振腔。該攏音結構222的 材料爲木質、塑膠、金屬或玻璃等。 [0027] 本技術方案實施例提供的發聲裝置的發聲強度可達1〇〇分 貝聲壓級,發聲頻率範圍爲丨赫茲至1〇萬赫茲(即 ΙΗζ-lOOkHz) °另外,本技術方案實施例中的奈米碳管 薄膜由多個相互纏繞的奈米碳管組成,故該奈米碳管薄 膜具有較好的韌性和機械強度,利用所述奈米碳管薄膜 可方便地製成各種形狀和尺寸的發聲裝置,該發聲裝置 可方便地應用於各種音樂設備中,如音響、手機、Mp3、 MP4、電視、計算機等電子領域及其它發聲裝置中。另外 ,由於電磁波,尤其係雷射,可以在真空中遠距離傳播 ,該發聲裝置可以用於遠距離信號傳輸領域,如將聲音 信號通過電磁波的形式遠距離傳輸。進一步地,由於上 述發聲元件通過電磁波照射即可發聲,故,當該電磁波 爲紅外線、可見光、紫外線、微波、χ射線及了射線時, 該發聲元件可以在-無電、無磁的極端環境下工作。 [0028] 本技術方案實施例提供的發聲裝置具有以下優點:其一 ,由於所述發聲裝置中的發聲元件僅由奈米碳管薄膜組 成,無需磁鐵等其它複雜結構,故該發聲裝置的結構較 爲簡單,有利於降低該發聲裝置的成本。其」由於所 097124106 表單编號Α0101 第13買/共23頁 1003423497-0 1356395 100年.11月17日接正替換頁 述由奈米碳管薄膜組成的發聲元件可以通過輸入一電磁 波信號發聲,故,該發聲元件可以在一無電環境下工作 。其三,該發聲裝置利用輸入信號造成該奈米碳管薄膜 溫度變化,從而使其周圍氣體介質迅速膨脹和收縮,進 而發出聲波,故該奈米碳管薄膜組成的發聲裝置可在無 磁的條件下工作。其四,由於該奈米碳管薄膜由相互纏 繞的奈米碳管組成,故該奈米碳管薄膜具有較小的熱容 和大的比表面積,故該奈米碳管薄膜具有升溫迅速、熱 滯後小、熱交換速度快的特點,故該奈米碳管薄膜組成 的發聲裝置可以發出很寬頻譜範圍内的聲音( ΙΗζ-lOOkHz),且具有較好的發聲效果。其五,由於奈 米碳管薄膜中奈米碳管相互纏繞,具有較好的機械強度 和韌性,所述奈米碳管薄膜可以彎曲折叠成任意形狀而 不破裂,從而有利於製備由奈米碳管薄膜組成的各種形 狀、尺寸的發聲裝置,進而方便地應用於各種領域。其 六,由於奈米碳管具有極大的比表面積,在凡德瓦爾力 的作用下,奈米碳管薄膜本身有很好的黏附性,故奈米 碳管薄膜可方便地直接黏附於支撐結構表面。其七,當 該發聲元件厚度比較小時,例如小於10微米,該發聲元 件具有較高的透明度,此時,可以將該發聲元件直接設 置在各種顯示裝置、手機顯示屏的顯示表面或油畫的上 表面,從而達到節省空間的目的。其八,所述發聲裝置 可進一步包括支撐結構及攏音結構,該支撐結構可以提 高發聲裝置的發聲'強度,該攏音結構可以反射發聲元件 發出的聲波,增強所述發聲裝置的發聲效果。 097124106 表單编號A0101 第14頁/共23頁 1003423497-0 [0029]1356395 100年11月17日修正_頁I 综上所述,本發明確已符合發明專利之要件,遂依法提 出專利申請。惟,以上料者僅林判之較佳實施例 ,自不能以此限制本案之申請專利範 技藝之人士援依本發明之精神所作之 皆應涵蓋於以下申請專利範圍内。 圍。舉凡習知本案 等致修稀或變化, [0030] [0031] [0032] [0033] [0034] [0035] [0036] [0037] [0038] [0039] [0040] [0041] [0042] 【圖式簡單說明】 圖1係先前技術中揚聲器的結構示意圖。 圖2係本技術方案第一實施例發聲裝置的& 巧、、告構示意圖。 圖3係本技術方案第一實施例發聲裝置 掃描電鏡照片。 圖4係本技術方案第二實施例發 【主要元件符號說明】 揚聲器:100 音圈:102 磁鐵:104 振膜:106 奈米碳管薄膜的 聲裴置的結構示意圖 發聲裝置:10,20 電磁波信號輸入裝置:112,212 發聲元件:114,214 支撐結構:116,216 調製裝置:118,218 097124106 表單編號A0101 第15頁/共23頁 1003423497-0 100年11月17日梭正替換百 1356395 [0043] 電磁波信號:120,220 [0044] 攏音結構:222 1003423497-0 097124106 表單编號A0101 第16頁/共23頁

Claims (1)

1356395 ______ 100年.11月17日修正_頁 七、申請專利範圍: 1 . 一種發聲裝置,其包括: 一電磁波信號輸入裝董; 一發聲疋件,該發聲元件與該電磁波信號輸入裝置對應且 間隔設置, 其改良在於’該發聲元件包括一奈米碳管薄膜該奈米碳 管薄膜包括多個相互纏繞的奈米碳管,該電磁波信號輪入 裝置傳遞電磁波信號至該奈米碳管薄膜,使該奈米碳管薄 膜通過吸收該電磁波信號發熱,從而加熱氣體介質發出聲 波。 2. 如申請專利範圍第丨項所述的發聲裝置,其中,所述奈米 碳官薄膜中的奈米碳管之間通過凡德瓦爾力相互吸引、纏 繞,形成網絡狀結構。 3. 如申請專利範圍第i項所述的發聲裝置,其中,所述奈米 碳管薄膜中的奈求碳管各向同性,均句分佈,無規貝^非列 〇 4·如申請專利範圍第丨項所述的發聲裝置,其中,所述奈米 碳管為單壁奈求碳管、雙壁奈米碳管及多壁奈米碳管中的 一種或多種® 5. 如申請專利範圍第4項所述的發聲裝置,其中,所述單壁 奈米碳管的直徑為〇. 5奈米〜50奈米,所述 壁·ϊ|η 的直徑為1.0奈米〜50奈米,所述多壁奈米碳管的直徑為 15奈米〜50奈米。 一 6. 如申請專利範圍第丨項所述的發聲裝置,其中,所述夬米 碳管薄膜包括孔徑小於10微米的微孔結構。 097124106 表單編號A0101 第17頁/共23頁 1003423497-0 1356395 100年.11月17日核正替換百 7.如申請專利範圍第1項所述的發聲裝置,其中,所述奈米 碳管薄膜的厚度爲0.5奈米〜1毫米。 8 .如申請專利範圍第1項所述的發聲裝置,其中,該發聲裝 置進一步包括一支撐結構,所述發聲元件通過該支撐結構 固定設置。 9 .如申請專利範圍第8項所述的發聲裝置,其中,所述支撐 結構爲一平面或曲面結構,並具有一表面,所述發聲元件 直接設置並貼合於該支撐結構的表面。 10 .如申請專利範圍第8項所述的發聲裝置,其中,所述支撐 結構爲一框架結構、桿狀結構或不規則形狀結構,所述發 聲元件通過該支撐結構部分懸空設置。 11 .如申請專利範圍第10項所述的發聲裝置,其中,所述發聲 裝置進一步包括一攏音結構,所述攏音結構設置於發聲元 件遠離電磁波信號輸入裝置的一側,與所述發聲元件相對 並間隔設置。 12 .如申請專利範圍第8項所述的發聲裝置,其中,所述支撐 結構的材料爲金剛石、玻璃、石英、塑膠、樹脂、木質材 料或紙質材料。 13. 如申請專利範圍第1項所述的發聲裝置,其中,所述發聲 裝置進一步包括一攏音結構,所述攏音結構包括一亥姆霍 茲共振腔,所述發聲元件通過該攏音結構固定設置。 14. 如申請專利範圍第1項所述的發聲裝置,其中,所述電磁 波信號爲無線電波、紅外線、可見光、紫外線、微波、X 射線及7射線中的一種或多種。 15. 如申請專利範圍第1項所述的發聲裝置,其中,所述電磁 波信號輸入裝置包括一光信號源,所述電磁波信號輸入裝 097124106 表單编號A0101 第18頁/共23頁 1003423497-0 1356395 100年.11.月17日梭正替換頁 置通過該光信號源發出光信號,該光信號的波長範圍爲從 紫外區至遠紅外區之間。 16 .如申請專利範圍第15項所述的發聲裝置,其中,所述光信 號源爲一脈衝雷射發生器。 17. 如申請專利範圍第15項所述的發聲裝置,其中,所述電磁 波信號輸入裝置包括一光纖,該光纖一端與所述光信號源 連接,另一端延伸至所述奈米碳管薄膜附近,所述光信號 通過光纖傳遞至所述奈米碳管薄膜。 18. 如申請專利範圍第1項所述的發聲裝置,其中,該發聲裝 置進一步包括一調製裝置,該調製裝置設置於所述電磁波 信號輸入裝置與發聲元件之間,且位於所述電磁波信號的 傳輸路徑上,該調製裝置包括強度調製裝置、頻率調製裝 置或兩者的結合。 19 .如申請專利範圍第1項所述的發聲裝置,其中,所述電磁 波信號的平均功率密度爲1 //W/mm2〜20W/min2。 097124106 表單編號A0101 第19頁/共23頁 1003423497-0
TW97124106A 2008-06-27 2008-06-27 Acoustic device TWI356395B (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW97124106A TWI356395B (en) 2008-06-27 2008-06-27 Acoustic device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW97124106A TWI356395B (en) 2008-06-27 2008-06-27 Acoustic device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201002096A TW201002096A (en) 2010-01-01
TWI356395B true TWI356395B (en) 2012-01-11

Family

ID=44825078

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW97124106A TWI356395B (en) 2008-06-27 2008-06-27 Acoustic device

Country Status (1)

Country Link
TW (1) TWI356395B (zh)

Also Published As

Publication number Publication date
TW201002096A (en) 2010-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4555384B2 (ja) 熱音響装置
TWI356396B (en) Acoustic device
JP4555387B2 (ja) 熱音響装置
US8068626B2 (en) Thermoacoustic device
EP2138998B1 (en) Thermoacoustic device comprising a carbon nanotube structure
JP5270460B2 (ja) 熱音響装置
JP5270461B2 (ja) 熱音響装置
JP5270459B2 (ja) 音伝送システム
Wang et al. New high fidelity (hi-fi) three-dimensional thermophone CNT sponge
TWI356395B (en) Acoustic device
JP5356992B2 (ja) 熱音響装置
TWI385938B (zh) 聲音傳輸系統
TWI356397B (en) Acoustic device
TWI353584B (en) Acoustic device
KR101145459B1 (ko) 음향발생장치와, 이 음향발생장치를 이용한 음향전송시스템, 전자기파신호 검출방법 및, 검출장치
TWI375944B (en) Acoustic device
TW201001394A (en) Acoustic device