TWI352867B - Pixel and liquid crystal display panel - Google Patents

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TWI352867B
TWI352867B TW096102845A TW96102845A TWI352867B TW I352867 B TWI352867 B TW I352867B TW 096102845 A TW096102845 A TW 096102845A TW 96102845 A TW96102845 A TW 96102845A TW I352867 B TWI352867 B TW I352867B
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Ming Tsung Wang
Yueh Ping Chang
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Chunghwa Picture Tubes Ltd
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Description

1352867 0610082ITW 21264twf.d〇c/n 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種晝素結構及具有此晝素結構之 液晶顯示面板,且特別是有關於一種能改善色偏(c〇l〇r shift) 現象之液晶顯示面板及其畫素結構。 【先前技術】 薄膜電晶體液晶顯示器(TFT-LCD)由於具有高晝質、 空間利用效率佳、低消.耗功率、無輕射等優越特性,因而 已逐漸成為市場之主流。目前,市場對於液晶顯示器的性 能要求是朝向高對比(High Contrast Ratio )、快速反應與 廣視角等特性。其中’能夠達成廣視角要求的技術,一般 疋採用多域垂直配向(Multi-domain Vertically Alignment, MVA )薄膜電晶體液晶顯示器、多域水平配向 (Multi-domain Horizontal Alignment,MHA )薄膜電晶體 液晶顯示器等。 圖1繪示為習知的多域垂直配向薄膜電晶體液晶顯示 器的剖面示意圖。請參照圖1,此多域垂直配向薄膜電晶 體液晶顯示器1〇〇包括:薄膜電晶體陣列基板n〇、彩色 處光基板120以及液晶層130。特別是,在薄膜電晶體陣 列基板110及彩色濾光基板120上設置了突起物14〇或狹 缝圖案(未繪示)。所以,當在兩基板12〇、130之間形成 電場時’可使液晶層130中的液晶分子132往不同的方向 傾倒而形成4個區域(4 domain)的分佈。如此一來,可 達到廣視角的顯示效果。 5 1352867 〇61〇〇82iTW 2l264tw£doc/n 。。=夕域垂直配向或水平配向之薄膜電晶體液晶顯示 β ^句到廣視角的目的,但是其仍存在色偏(color shift) 所明的色偏指的是:當使用者以不同的視角觀看 別了顯不的影像時,會看見不同色彩階調的影像。特 自制者在較大的視角進行觀看時,所見的影像會 ^色偏白(eGlG1· washGut)的現象。在斜視角方向產 是在巾、減_的輝度偏大,欲改善色偏 疋將此時的輝度有效地降低。因此,在美國專利US 1〇05=_439號中,揭露了—種將晝素進—步分割,而形 夕重區域分佈(multi_d〇maindesign)的晝素設計。 圖2繪示為美國專利us 2〇〇5/〇〇3〇439號的彩色濾光 广j上視示思圖。圖3繪示為美國專利us 2005/0030439 號的薄膜電晶断縣板的上視示意圖 與圖3,第-晝素魏施解二畫素電極丨勤^位 於一,素的左右兩個區域。其中,第一晝素電極携a透過 接觸窗開π 181而舰極175電性連接。並且,沒極175 延伸到第二晝素電極190b的下方。因此,第二畫素電極 1/Ob的電壓經由電雜合效應而產生電壓降,使得施加在 第二晝素電極190b上的電壓小於施加在第—圭音雷 _上的電壓。如此,由於第-晝素電極190a;3 素電極190b的電壓不同,所以可達到在中、低灰階時,第 一旦素電極190b的區域較暗,而在高灰階時,第一書素電 極190a與第二晝素電極190b的區域輝度相近的效果。 另外,汲極175具有不透光的特性。因此,為了避免 6 1352867 0610082ITW 21264twf.doc/n 降低晝素的開口率,汲極175需對應如圖2繪示之彩色滅 光基板上的突起物272而設置。 ~ 然而,在不同的面板尺寸與晝素解析度下,存在著必 須維持突起物或狹缝的間距’以使面板的反應時間、光透 過率等特性最佳化的需求。所以,上述將晝素分為左右兩 個部分的畫素设计,不但難以調整不同的晝素電極的面積 比例’並且當面板偏移而沒有使汲極175對應突起物272 而設置時,將會嚴重地影響到面板的開口率。 【發明内容】 有鑑於此,本發明之目的是提供一種晝素結構,具有 此晝素結構的液晶顯示面板可改善影像色偏,並能任意地 調整子晝素的面積比例’以及防止晝素結構的開口率下降。 本發明之另一目的疋知1供一種液晶顯示面板,可解決 影像色偏的問題。 ' 為達上述或是其他目的,本發明提出一種晝素結構, 適於設置在一基板上,此晝素結構包括掃描線與資料線、 薄=電晶體、主晝素電極以及至少—副畫素電極。掃描線 與資料線設置於基板上。薄膜電晶體設置於基板上且與掃 描,及龍線f性連接。主晝素電極藉* _接觸窗開口、而 與薄膜電晶體的-沒極電性連接。副晝素電極位於及極的 上方,且汲極與副晝素電極電性耦合。 在本發明之一實施例中,上述之位於副晝素電極下方 的汲極圍繞副晝素電極的周圍區域。 在本發明之一實施例中,上述之位於副晝素電極下方 7 〇610〇82rTW 2i264rw£d〇c/n 的汲極包括一主體部與一 極—側的底Ti鄰近射措° 。主體部設置在副畫素電 素電極且與主晝素電極ΐ性連^伸部自主體部延伸到主晝 士本發明之—實施例中’上述之主 副晝素電極的面積比例介於i: ·· 2_之間I極的兩積與 第一副晝素f極及第素電極,且主晝素電極、 在本發明之積比例為m 電極、第-副晝素電極、第二 晝素 極,且主書音雷炻笙—京电極,、第二田丨】畫素電 電 副畫素電極、第二副晝素,掩及 弟二釗晝素的面積比例為1 ·· i : i : 2。 一'電極及 用雷i本發明之—實施例中,上述之晝素結構更包括-丘 素電極電==板上’且共用電極與主晝素電極及副晝 在本發明之一實施例中,上述之晝素結構更包括一第 二配向圖案’配置於主晝素電極以及副畫素電極上。此第 -配向圖案例如是配向凸起圖案或配向狹缝圖案。 為^上述或是其他目的,本㈣再提出—種液晶顯示 ^板丄包括_電晶體陣職板、彩μ光基板以及液晶 曰·。薄膜電晶體陣列基板具有多個畫素結構,其中每一書 素結構包括掃描線與資料線、薄膜電晶體、主晝素電極以 及至少一副畫素電極。掃描線與資料線設置於薄膜電晶體 陣列基板上。薄膜電晶體設置於薄膜電晶體陣列基板上且 1352867 0610082ITW 21264nvf.d〇c/n 與掃描,及資料線電性連接。主畫素電極藉由—接 口而與薄膜電㈣的—祕紐連接 極的上方’錢極與副畫素電接電_合:=== 配置於薄膜電晶體陣列基板的對向 配 晶體陣列基板以及彩色Μ基板之間。 置於箱包 在本發明之-實施例中,上述之位於副畫素電極 的汲極圍繞副晝素電極的周圍區域。 /、
在本發明之一實施例中,上述之位於副畫素電極下方 、汲極包括-主體部與—延伸部。域部設置在 ^一侧的底下讀近掃描線。延伸部自主體部延制主| 素電極且與主晝素電極電性連接。 一 實施例中’上述之主畫素電極的面積與 田J忠素電極的面積比例介於1 : l〜i : 2之間。 在本發明之一實施例中,上述之晝素結構包括主書 ,極:第-副晝素電極與第二副晝素電極,且主晝素電極乂 —副晝素電極及第二副晝素電極的面積比例為i: i: 2。 +在本發明之-實施例中,上述之晝素結構包括主晝素 ,極、第—副畫素電極m素電極與第三副晝素電 =且主晝素電極、第-副晝素電極、第二副晝素電極及 第二副晝素電極的面積比例為1 : 1 ·· 1 : 2。 在本發明之一實施例中,上述之畫素結構更包括一共 用電極’設置於基板上’且制電極與主晝素電極及副^ 素電極電性耦合。 在本發明之一實施例中,上述之液晶顯示面板更包括 9 1352867 0610082ITW 21264twf.doc/n 一第一配向圖案,配置於主晝素電極以及副晝素電極上。 此第一配向圖案例如是配向凸起圖案或配向狹縫圖案。 在本發明之一實施例中’上述之液晶顯示面板更包括 一第二配向圖案,配置於彩色濾光基板上。此第二配向圖 案例如是配向凸起圖案或配向狹缝圖案。 本發明因採用晝素分割設計,將晝素分成兩個或三個 以上的子晝素(sub-pixel),並藉由薄膜電晶體的汲極與 主晝素電極電性連接且與副晝素電極耦合,進而調整耦合 電谷、儲存電容與液晶電容的比例。所以,使不同的子晝 素具有不同的晝素電位,進而可改善斜視角色偏的問題。 另外,藉由汲極形狀的設計,可達到輕易調整輕合電容的 功效,此外,也可使特殊形狀的汲極取代位於彩色渡光基 板的遮光層’以對顯示異常區域進行遮蔽。 為讓本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯 易懂,下文特舉較佳實施例,並配合所附圖式,作詳細說 明如下。 【實施方式】 圖4繪示為本發明第一實施例之晝素結構的上視示意 圖。請參照圖4’此晝素結構400適於設置在基板3〇〇上。 此晝素結構400包括掃描線410與資料線420、薄膜電晶 體430、主晝素電極440以及至少一副晝素電極45〇(圖中 僅繪不1個)。掃描線410與資料線420設置於基板3〇〇 上。薄膜電晶體430設置於基板300上且與掃描線41〇及 資料線420電性連接。主晝素電極44〇藉由一接觸窗開口 1352867 0610082ITW 21264twf.d〇c/, 480而與薄膜電晶體43〇的一汲極432電性連接。副書素 電極450位於汲極432的上方,且汲極432與副晝W旦’、 450電性輪合。 — 請參照圖4,畫素結構400可以更包括一共用電極 470 ’此共用電極470設置於基板3〇〇上’且共用電極470 與主晝素電極440及副畫素電極450電性耦合。因此,共 用電極470與主畫素電極440及副晝素電極450之間形^ ,存電容器’而使施加在主晝素電極44〇及副畫素電極 上的電壓能維持一段較長的時間。 另外,晝素結構400也可以更包括第一配向圖案46〇, =於主晝素電極44〇以及副畫素電極45〇上。此第一配 46G例如是配向凸起圖案或配向狹缝圖案。藉由配 = 設置,可使具有此晝素結構彻的液晶顯示 面板產生廣視角的效果。 ,者’薄膜電晶體430是形成在掃描線上,並且 包括410的一部份作為其閑極。此薄膜電晶體430 i Γ指線410的—部份)、汲極432、源極434 熟知技;者二電晶體430的詳細構造,本領域 以^ 進行適#_化,在此將不予 與副照圖4 ’晝素結構_具有主畫素電極440 薄」;且分別擁有4區域分佈⑷―。 、電晶體430的汲極432愈a丨去t & 電性輕人與"❽素電極450之間會產生 I,並且及極432藉由接觸窗開口 而與主晝素 1352867 0610082ITW 21264twf.doc/n ^ 由資料線420供給相 的區域切__電場料。亦即,位敎^電^ I50區域中的液晶分子會進-步產生不同的傾财 付到8區域分佈(8 d〇main)的效果。 f上述’在中、低灰階的顯示晝面時,副晝素電極450 的區域較暗’而在高灰階的顯示晝面時,主晝素電極440 與副畫素電極45G的區域輝度相近。其結果是,可以改善 在較大=斜㈣方向觀看影像時所產生的影像色偏現象。 值付庄意的是,在圖4所繪示的畫素結構4〇〇中,位 於副畫素電極450下方的汲極极圍繞副畫素電極的 周圍區域。因此,此没極432可取代位於彩色滤光基板(未 繪示)_遮光層(未―)以對顯示異常區域進行遮蔽。 並且’另外,在薄膜電晶體43〇製程中及製作此具有遮光 功能的沒極432,也可避免在組立彩色渡光基板(未繪示) 和基板300_產生偏移所導致的顯示不均問題。 圖5緣不為本發明第二實施例之晝素結構的上視示意 圖。請參照圖5,此畫素結構4〇2與圖4所緣示的晝素結 構獅相類似,相同的構件標示以相同的標號,且類似的 構件已如上述,在此不予以重述。值得注意的是,圖5中, 主畫素電極440與副晝素電桉45〇的面積不相同。 承上述,藉由調整主晝素電極44〇與副畫素45〇的面 積比例,可以更佳地改善影像色偏的㈣。制是,在一 12 1352867 0610082ITW 21264twf.doc/n 實施例中,如圖4與圖5所繪示之畫素結構4〇〇、4〇2 ’其 主晝素電極440的面積與副晝素電極450的面積比例是介 於1. 1〜1.2之間。另外’主畫素電極440與副書素電極 450是各自獨立的並且分別設置於共用電極47〇的兩側。 因此,相對於如習知中的畫素結構(如圖2所繪示),本 發明可輕易地利用調整共用電極470的位置的方式,進而 調整主晝素電極440與副晝素電極450的面積比例。 φ 圖6繪示為本發明第三實施例之晝素結構的上視示竟 圖。請參照圖6,此晝素結構404與圖4所繪示的晝素二 構400相類似’相同的構件標示以相同的標號,且不予以 重述。 值得注意的是,在此實施例中,位於副畫素電極45〇 下方的汲極432包括一主體部432a與一延伸部432b。主 體部432a設置在副晝素電極450 —側之下且鄰近掃描線 410。延伸部432b自主體部432a延伸到主晝素電極44〇 且與主晝素電極440電性連接。 •同樣地’薄膜電晶體430的汲極432與副晝素電極45〇 之間產生電性耦合,並且汲極432的延伸部432b藉由接觸 窗開口 480而與主晝素電極44〇電性連接。因此,經由資 • 料線420供給相同的資料電壓時,在主畫素電極440的區 域以及副畫素電極450的區域中將形成不同的電場分佈, 藉此改善影像色偏的情形。 值知注意的是,汲極432具有主體部432a與延伸部 432b’所以可輕易地藉由改變主體部432a的面積以調整耦 13 1352867 0610082ITW 21264twf.doc/n 合電容。並且,藉由延伸部432b的適當設計,也可防止區 域分佈不均(uneven domain)的情形。再者,此中及 極432因為遠離資料線42〇,也可避免短路的情形發生: 圖7繪示為本發明第四實施例之晝素結構的上^示音 圖。此晝素結構406與圖6所繪示的晝素結構4〇4相類似& 相同的構件標示以相同的標號,且類似的構 '
^此不予以重述。值縣意的是,圖7中,主晝素電/物 與副晝素電極450的面積不相同。在—實施例中,如圖6 與圖7所繪示之畫素結構404、406的主晝素電極44〇 ^面 積與副晝素電極450的面積比例介於丨:丨〜丨:2之間。藉 此’可更佳地改善晝素結構4〇4、4〇6的影像色偏情形。曰 然而,上述的晝素結構400、4〇2、4〇4、4〇6中,均是 以個主晝紊電極440與一個副畫素電極45〇的情形 ^例而進行制,實際上本發明的晝素結構並不限於二 有一個副畫素電極45G,而可以具有多個副晝素電極45〇。 一立圖W示為本發明較佳實闕之晝素結構的等效電路 參照圖8’此晝素結構採用晝素分割設計, ‘::;成固以上的子晝素。,並藉由調整 :奋儲存電容與液晶電容的比例,使不同的子蚩辛 具有不主同的晝素電位,以改善斜視角色偏的問題的子至素 14 1352867 0610082ITW 21264twf.doc/n 可視為主晝素電㈣ 的儲f雷-J、CCPl分別代表第1個副晝素電極450 電容與齡電容。咖、咖、^ 刀別代表弟N個副畫素電極450的儲存雷六、广曰恭―A 其中’第_副晝素電極的晝:電
VaN = (Va〇) x__CcPN CcpN + ClcN + CstN Ίν_ c_ .............(l) 以下將繼續說明N=2 (即具有三個子晝素)以及N=3 (即具有四個子晝素)時的畫素結構。 圖Μ㈣為树明第五實_之畫素結構的上視示 j。圖9Β繪不為圖9Α之晝素結構的等效電路示意圖。 Μ同時參照圖9Α與圖9Β,本實施例為Ν=2的情形,此晝 素結構502與上述所述之晝素結構彻、、4〇4、楊旦、 5〇〇類似,相同的構件標示以相同的符號而不予以重述。 —值得注意的是,此晝素結構5〇2包括主畫素電極獨、 弟一副晝素電極450a與第二副畫素電極45%,且主書素 電極44G、第—副晝素電極45Ga及第二_素電極^Ob 的面積比例為1 : 1 : 2。 一並且,由圖9A與圖9B中可知,此晝素結構5〇2分為 二個子晝素,其中,主晝素電極440具有儲存電容cst〇、 液晶電容ClcO;第一副晝素電極450a具有儲存電容匚沿、 液晶電容Clcl及耦合電容Ccpl ;第二副晝素電極45〇fc>具 有儲存電容Cst2、液晶電容Clc2及耦合電容ccp2。 請再參照圖9A,利用汲極432經過接觸窗開口 48〇 15 1352867 0610082ITW 2i264twf.doc/n 連接主晝素電極440,並且,汲極432位於第—副晝素電 極450a與第二副畫素電極45〇b的下方以作為耦合^極电 因此,此晝素結構502並不需要再另外設計耦合用的電 極,進而可加大畫素結構502的開口率。 圖10繪示為本發明第六實施例之晝素結構的上視示 意圖。請參照圖10,本實施例為N=3的情形,此晝素結 構504與上述所述之晝素結構4〇〇、4〇2、4〇4、4〇6、、
502類似,相同的構件標示以相同的符號而不予以重述。 ^值得注意的是,此畫素結構504包括主晝素電極44〇、 第一副畫素電極450a、第二副畫素電極45〇b與第三副畫 ,電極450c ’且主晝素電極44。、第一副晝素電極视汪、 第二副晝素電極45Gb及第三副晝素電極徽的面積比例 為 1 : 1 : 1 : 2。 並且,由圖10可知’此晝素結構504分為四個子畫. ,中:主晝素電極440具有儲存電容⑽、液晶電容❽
第一副晝素電極450a具有儲存電容cst卜液晶電容c 及编合電谷Ccpl ;第二副畫素電極45〇b具有儲存霄 CSt2 ’夜日曰電容Clc2及耦合電容Ccp2 ;第三副晝素Ί 4他f有儲存電容Cst3、液日日日電* Cle3及耦合電容Cc】 也就是說,將晝素結構分割成越多的子晝素,其影像色 改善的效果將更好。 f上所述,將晝素結構分割為多個子畫素(包括主畫 素1旦素)’其中的主晝素與薄膜電晶體的及極電性連 接,田1j晝素與薄膜電晶體峡極電絲合。因此,在提供 16 1352867 0610082ITW 21264twf.doc/n 相同的資料電壓時,各個子晝素利用了不同的Ccp比例而 將具有不同的晝素電壓,進而藉以改善影像色偏的情形。 圖11繪示為本發明較佳實施例之液晶顯示面板的立 體示意圖。請參照圖11,此液晶顯示面板8〇〇包括薄膜電 晶體陣列基板810、彩色濾光基板820以及液晶層830。薄 膜電晶體陣列基板810具有多個畫素結構(未繪示),此 晝素結構例如是上述之晝素結構4〇〇、402、404、406、500、 502、504中的任何一種’在此不予以限定。另外,關於晝 素結構的詳細構造已如上所述,所以在此不予以重述。彩 色渡光基板820配置於薄膜電晶體陣列基板81〇的對向。 液晶層830配置於薄膜電晶體陣列基板81〇以及彩色濾光 基板820之間。 此液晶顯示面板800因具有上述的晝素結構,所以當 使用者於斜視方向進行觀察時,此液晶顯示面板800將可 以有效地改善色偏現象。 另外,液晶顯示面板800更包括一第二配向圖案(未 繪示),配置於彩色濾光基板820上。此第二配向圖案例 如是配向凸起圖案或配向狹缝圖案。藉由第二配向圖案搭 配設置於薄膜電晶體陣列基板81〇上的第一配向圖案460 (參照圖4),可達到更佳的廣視角效果。當然,本發明 並不限定配向凸起圖案與配向狹缝圖案的設置方式與形 狀’其可以是多域垂直配向之結構,或是其他種變化。 綜上所述,本發明的晝素結構與液晶顯示面板具有以 下優點: 17 1352867 0610082ITW 21264nvf.doc/n %極電性連接 儲存電容與液 素電也,以 (1)藉由薄膜電晶體的没極與主晝素 且與副晝素電極耦合,進而調整耦合電容、 晶電容的比例,使不同的子畫素具有不同的 改善斜視角色偏的問題。
(2)可將晝素設計成具有三個以上@ (sub-pixel),進而更佳地改善影像色偏的問題。 子晝素 (3)畫素結構易於調整主晝素 面積比例而提昇畫素設計的餘裕度, 色偏現象。 電極與副晝素電極的 並能更佳地改善影像 (4)藉由汲極的形狀設計,而能夠輕易地調整耦人 容,並避免汲極與資料線之間產生短路的現象。再者:仓 特殊形狀的汲極也可取代位於彩色濾光基板的遮光層 對顯不異常區域進行遮蔽。 一
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上,然其並非用C 限,本發明,任何熟習此技藝者,在不脫離本發明之精中 =範圍内,當可作些許之更動與潤飾,因此本發明之保驾 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 — 【圖式簡單說明】 圖1繪示為習知的多域垂直配向薄膜電晶體液晶顯4 益的剖面示意圖。 圖2繪示為美國專利US 2005/0030439號的彩色濾^ 基板的上視示意圖。 〜 圖3繪示為美國專利us 2〇〇5/〇〇3〇439號的薄膜 體陣列基板的上視示意圖。 18 1352867 0610082ITW 21264twf.doc/n 圖4繪示為本發明第—實施例之畫素結構的上視示意 圖。 圖5繪示為本發明第二實施例之晝素結構的上視示意 圖。 圖6繪示為本發明第三實施例之畫素結構的上視示意 圖。 圖7繪示為本發明第四實施例之晝素結構的上視示意 圖。 圖8繪示為本發明較佳實施例之晝素結構的等效電路 示意圖。 圖9A繪示為本發明第五實施例之晝素結構的上視示 意圖。 圖9B繪示為圖9A之晝素結構的等效電路示意圖。 圖10繪示為本發明第六實施例之晝素結構的上視示 意圖。 圖11繪示為本發明較佳實施例之液晶顯示面板的立 體示意圖。 【主要元件符號說明】 100、800 .液晶顯示面板 110、810 :薄膜電晶體陣列基板 120、820 .彩色處光基板 130、830 :液晶層 132 :液晶分子 140、272 :突起物 1352867 06i0082ITwT 21264twf.doc/n 175、432 :汲極 181 ·•接觸窗開口 190 ·•晝素 190a :第一晝素電極 ' 190b :第二晝素電極 • 300 :基板 400、402、406、500、502、504 :晝素結構 鲁 410、G(m)、G(m+1):掃描線 420、S(n)、S(n+1):資料線 430 :薄膜電晶體 432a :主體部 432b :延伸部 434 :源極 436 :通道層 440 :主晝素電極 450 :副晝素電極 • 450a:第一副晝素電極 450b :第二副畫素電極 • 450c:第三副晝素電極 • 460 :第一配向圖案 • 470 :共用電極 480 :接觸窗開口 610、620、630、710、720、730 : γ 曲線 CstO、Cstl、Cst2、Cst3、CstN :儲存電容 20 1352867
0610082ITW 21264twf.doc/n
ClcO、Clcl、Clc2、Clc2、ClcN :液晶電容 Ccpl、Ccp2、Ccp3、CcpN :麵合電容 VaO、Val、Va2 :資料電壓 VaN :晝素電壓 21

Claims (1)

1352867 100-7-2° 十、申請專利範圍: L—種晝素結構,適於設置在一基板上,該晝素結儀 包括: 一掃描線與一資料線,設置於該基板上; —薄膜電晶體’設置於該基板上且與該掃描線及該資 料線電性連接; 主晝素電極,藉由一接觸窗開口而與該薄膜電晶體 的一汲極電性連接;以及 —副晝素電極’位於該汲極的上方,且該没極與 ㈣合,其巾位贿财«極下方的该 及極圍繞該副晝素電極的周圍區域。 料利範圍第1項所述之晝素結構,其中位於 石亥田]旦素電極下方的該汲極包括: 掃描:設置在該副晝素電極-側的底下且鄰近该 畫素連i該主體部延伸到該主畫素電極且與該去 書素範圍第1項所述之畫素結構,其中該主 1 : 2之間i U副晝素電極的面積比例介於1 : 1〜 專利範圍第1項所述之晝素結構,其中該畫 電極、—第—副晝素電極與—第二副 旦素電極,且該主畫素電極、 米 副畫素電極的面積比例為1:1:2。田旦’、i及該第二 ,月妁日修β 5. 如㈣專利II圍第 ί結攝包括該主畫素1,所34之畫素結構,其中該畫 f素電極與-第三副ί素電:第一副畫素電極、1二副 —畫素電極、該第二副書’且該,晝素電極、該第-積比例為1 : 1 : 1 : 2。里。1及該第三副晝素電極的面 6. 如申請專利範圍第 共用電極,設置於該基板上項更包括-極及該副畫素電極電性耦合。用电極與该主晝素電 7. 如申請專利範圍第卜 第一配向㈣於魅㈣電極 8. 如申請專利範圍笛7 τ5^、、久忒田』至素電極上。 -配向圖案包括配向凸起、述之畫素結構’其中該第 凸起圖案或配向狹縫圖案。 9. 一種液a日顯示面板,包括· 其中 晶體陣列基板,其具有多㈣ 每一晝素結構包括: 基^線與一貝料線’設置於該薄膜電晶體陣列 且ϋΪ晶體’設置於該薄膜電晶體陣列基板上 该知描線及該資料線電性連接; 曰ί畫素電極’藉由一接觸窗開口而與該薄膜電 曰曰,的一汲極電性連接; 田丨丨畫素電極,位於該汲極的上方, 一,與該副晝素電極電_合; 七及 和色濾光基板,配置於該薄膜電晶體陣列基板的對 23 1352867 ,月π日修正替換頁 100-V-2U * 向;以及 一液晶層,配置於該薄膜電晶體陣列基板以及該彩色 濾光基板之間,其中位於該副晝素電極下方的該汲極圍繞 該副晝素電極的周圍區域。 10. 如申請專利範圍第9項所述之液晶顯示面板,其中 位於該副晝素電極下方的該汲極包括: 一主體部,設置在該副晝素電極一側的底下且鄰近該 掃描線;以及 一延伸部,自該主體部延伸到該主畫素電極且與該主 晝素電極電性連接。 11. 如申請專利範圍第9項所述之液晶顯示面板,其中 該主晝素電極的面積與該副晝素電極的面積比例介於1 ·· 1 〜1 : 2之間。 12. 如申請專利範圍第9項所述之液晶顯示面板,其中 該晝素結構包括該主晝素電極、一第一副晝素電極與一第 二副畫素電極,且該主晝素電極、該第一副晝素電極及該 第二副晝素電極的面積比例為1 : 1 : 2。 13. 如申請專利範圍第9項所述之液晶顯示面板,其中 該晝素結構包括該主晝素電極、一第一副晝素電極、一第 二副晝素電極與一第二副畫素電極’且該主畫素電極、該 第一副晝素電極、該第二副晝素電極及該第三副晝素電極 的面積比例為1 : 1 : 1 : 2。 14. 如申請專利範圍第9項所述之液晶顯不面板,更包 括一共用電極,設置於該薄膜電晶體陣列基板上,且該共 24 1352867 W月>〇日侉正替换頁I 用電極與該主晝素電極及該㈣素電極電性糕合。 =·如申請專利範圍第9項所述之液晶顯示面板,更包 括一第—配向圖案’配置於駐晝素電極以及該副晝素電 極上。 16. 如申請專利範圍第16項所述之液晶顯示面板,其 中該第一配向圖案包括配向凸起圖案或配向狹縫圖案。 17. 如申請專利範圍第9項所述之液晶顯示面板,更包 括一第二配向圖案,配置於該彩色濾光基板上。 18·如申請專利範圍第9項所述之液晶顯示面板,其中 該第二配向圖案包括配向凸起圖案或配向狹縫圖案。 25
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