TWI351716B - Dynamic metrology sampling with wafer uniformity c - Google Patents

Description

1351716 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種用於處理晶圓之系統及方法，尤關於一種 使用製程間反饋（run-to-run)控制以改善晶圓均勻度之系統及方 、 法0 』 【父叉參考之相關申請案】 本申請案係關於同在審查中的美國專利申請案號 10/705200(案名「Process System And Method For Chemically Treating Wafer」，提申於2003/11/12);同在審查中的美國專利申請 φ 案號 1 〇"〇4969(案名「Processing System And Method For Thermally Treating A Wafer」’提申於2003/11/12);同在審查中的美國專利申請 案號 10/705397(案名「Method and Apparatus for Thermally Insulating Adjacent Temperature Controlled Chambers」，提申於 2003/11/12);同在審查中的美國專利申請案號i〇/944463(案名 「Iso/Nested Cascading Trim Control With Model Feedback

Updates」；提申於2004/9/20);同在審查中的美國專利申請案號。 11/046903(案名「Iso/Nested Control For Soft Mask Processing」；提 申於2005/2/1;美國專利申請案號****** ，事務所案號313^30- φ P0024(案名「Dynamic Metrology Sampling With Wafer Uniformity

Control」，提申於同曰）;及美國專利申請案號*****事務所案號 313530-P0027(案名「Dynamic Metrology Sampling for a Dual

Damascene Process」，提申於同曰）。此等申請案的内容引入於此作 ~ 為參考。 < 【先前技術】 前饋控制器之使用，在半導體製造設施(Fab)製造半導體積體 電路，已被樹立很久。直到最近，晶圓係以一批次(Batch)或一批 (lot)對待，對於該批中的各晶圓施以相同處理。批之大小取決於 該晶圓製造廠之製造規範，一般而言，限制於至多25片晶圓。 6 1351716 對於該批的一些晶圓進行例行測量，並基於此等樣本測量調整該 處理》基於該批的樣本測量及調整下一批之處理配方的控制方 法，稱為逐一批次(lot-to-lot，L2L)控制《用於L2L控制之該處理 模式及調整該處理配方的資訊被保持，且數值計算係於晶圓製造 廠層級實施。最近，半導體處理設備(SPE)製造商已具備在該處理 剛被實施前或後，測量各晶圓之能力。該於該處理設備上測量各 晶圓之能力，稱為整合式量測(IM)。IM能夠在晶圓對晶圓 (wafer-to-wafer) (W2W)層級測定及調整該處理配方。

半導體晶圓上的結構，不僅尺寸減小，而且密度增加，造成 額外的處理控制問題。在特定區域内，基於結構密度，半導體晶 圓的區域被識別為孤立狀是埃减巢套區域，且由於此等不 度，在半導體處理中產生問題。^ ^ 一 修整侧之需要性已為—般性的，且已有許多方法用於修整 ^行閘極長度控制。孤立狀/巢套控制已成為 遮罩以處理的ϋ，包域由侧機進行該處理之模型化。 然而該，立狀/巢套賴型設計為該遮罩之處理，係相關於一孤立 狀的或巢套的結構對單-CD目標最適化 制

學及處理校正(OPQ ’有時稱為光學趨近校正工控=J ^調整以增減必需的光線，來增加圖案 立於該補鮮，崎雜巾導入氣㈣UJii構建 【發明内容】 本發明之原則在於一種處理Θ圓夕古& ^ 數晶粒(die)，各晶粒具有—經圖^ 晶圓包括多 層包括-軟遮罩層及-硬遮罩層。一針Ϊ。該遮草 的雙層結構之量測資料，或遮罩ΐ料上至少-巢套 理預測興圖，基於該前處理測量輿圖被計前處 1升忑第1前處理預測 7 |g| J ^於該晶圓上的該多數晶粒，包括一第1組預測的測量資 輿圖針對該晶圓之一前處理信賴度舆圖被計算。該前處理信賴度 中圖」^括針對該晶圓上的該多數晶粒之一組信賴度資料，其 之丄该信賴度資料係使用介於該第1前處理預測舆圖及歷史資4 於^異而決定。當對一個或一個以上晶粒之該信賴度資料未落 信賴度界限内，計算一優先的測量位置。接著，產生包括該 的測置位置之一新的測量配方。 本發明之其他態樣將由以下敘述及附屬的圖式而顯明。 【實施方式】 鲁（實施發明之最佳形態） 代矣本發明具體例將參照附圖詳述，其中，對應的參考符號 〜衣對應的部分。 #阳於材料處理方法學圖案⑽ 1包含塗布感光材料薄層，例如 = 晶圓’其隨後經圖案化以便提供―軟遮罩，用於在钱 1將二^圖案至下面的材料。該感光材料之圖案化，通常涉 著，列如一微形微影系統’曝露於一發光源，接 阻之=讀’移除該感光材料之經照射之區域(於正型光 之ft)，或未經照射之區域(於負型抗蝕劑之情形）。 罩/二如可if Γ 一及/或多層遮罩。可使用軟遮罩及/或硬遮 之i，將絲以二7:二7二射7，料祕刻步驛 較小特徵===不抗刪料或可相容於 數種材料，包括但不限 器！20，搞合於處—處理設備110;一控制 於處理設備110及該控制写i2〇 又備系御㈣)130 ’麵合 徑心120 °該處理設備110可包括一些處 1351716 理模組115，此等可耦合於一傳送系統15〇。 熟此ΐ 式量賴組(IMM)14G可耦合讀觀備⑽。 Λ

雋 例如，該IMM14〇可轉合於傳送系統15〇。或者，該immi4〇可 以不同的方幼合於纽韻11G。贿觀備UG 120、該MES130，及該IMM14〇之中至少一者，可 =且^形用Z面(GUI)構件及/或一資料庫構件(未顯示):於其 他具體例，一個或一個以上此等構件可不為必要。 供二態資訊可從虹鑛統130藉由該處理設 備〇及/或5玄控制益120獲得。工廠層級商務規則可用於建立一 ，制階層。商務規射用於特定正钱理採取之動作及錯誤情形 採^之該等動作。例如，該處理設備u。及域該控㈣Η。可獨 立細作，或可某個程度受該工廠系統13〇控制。並且，工廠層級 商務規則可縣決定何時將—處理暫停及/或停止，及#一處^被 ，停及/或被停止時’要做什麼H讀層贿務規則可用於 決定何時改變一處理及如何改變該處理。 、 商務規則可限定於一控制策略層級、一控制方案層級或一控 ，模式層級。商務規則可指定為，每當遇到一特定情況時執行^ 當於一較高層級及較低層級遇到匹配的情況時，與較高層級相關 連的》亥商務規則可被執行。GUI螢幕(screens)可用於定義及維護 該商務規則。商務規則定義及指定可允許用戶擁有大於正常的^ 全層級。該商務規則可維護於該資料庫。文件及幫助螢幕可提供 如何定義、指定以及維護該商務規則。 該MES130可配置為使用從與該處理設備n〇及/或該控制器 120有關之該資料庫報告的資料，監視某些系統處理，。工廠^ 級商務規則可用於決定監測哪些處理及使用哪些資料。例如，該 處理设備110及/或該控制器12〇可獨立地收集資料，或該資料收 集處理可某個程度受控制於該工廠系統13〇。並且，工廠層級商 務規則可用於決定當一處理被改變、暫停及/或停止時，如何管理 該資料。 9 1351716 此外，該MES130可提供運作時間(run-time)組態資訊給該處 理設備110及/或該控制器120。資料可使用GEMSECS溝通協定 (GEM SECS communications protocol)交換。例如，APC 設定、目

讀 標、界限、規則，及演算法可從工廠下载至該處理設備11〇及/ 或該控制器120，以作為一「APC配方」、一「APC系統規則」， 及「APC配方參數」。測量系統配方及設定可從該工廠下載至該 處理設備110及/或該控制器12〇，作為「IMM配方」、一「IMM 系統規則」’及「IMM配方參數」。 一般而言，規則允許系統及/或設備操作基於該處理系統1〇〇 之該動態狀態改變。某些設定及/或組態資訊，當起初由該處理系 統100配置時，可由該處理設備11〇及/或該控制器12〇決定。 此外，設備層級規則可用於建立一控制階層於該設備層級。例 如’該處理設儀no及/或該ιΜΜ140可獨立地操作，或該IMM14〇 個程度受控於贿理設備11G ^並且，設備層減則可用於 1定^時將處理暫停及/或停止，及# —處理被暫停及/或被停止 時，執行什麼。此外，設備規則可用於決定何時改變一處理、如 何改變該處理，及如何管理該資料。 ”圖1，顯示-處理設備110 ’及一控制器12〇，但在此發明 可勺二該ί導體處理系統，除了獨立的處理設備及模組， if理設備，具有與其關連的任意數目的控制器。 理-i或該控制器120除了任意數目之獨立的處 用於配置具有與其關連的任意數目處理設 處理設備、處二 ”冰收集、提供、處理、存儲，及顯示資料。 豆包;控制器m可包含—些應用程式，尤 =用程式、至少—模組相關之應用程 式至少-感應器相關之應用程式、至少一界 1351716 ^少資料庫相關之應用程式、至少—⑽相關之應用程 式，及至少一組態應用程式。 巧如’該系统1〇〇可包含一來自於東京威力科創(股)公司之 机#系，，其可連繫Umty<8>設備、一 Telius<8>設備及/或一 Trias® 其等關連的處理子系統及處理模組。此外，該系統可包含 二，，間反饋控制(run_t〇_mn，簡稱跋)控制器，例如來自於東 公司之Ingeni〇②几於伺服器，及來自於東京威 ”Γί it t司之一整合式量測模、组(IMM)。選擇性地，該控制器 可支挺其他處理設備及其他處理模組。 冓件(未顯示)可提供容易使用的界面，能使用戶:觀看 =備狀態及處理模組狀態;針對被選擇的晶圓建立及編輯^ ^及原始（追蹤)參數資料;觀看設備警示日誌;配置資料收集方 y ΙτΔ體指定將資料寫人該資料庫或輸出謎之條件;輸入檔案 if計予上的處理控制(SpC)製圖、模型化及試算表程式；針對認 曰圓檢驗晶圓處理資訊’及重閱目前存在該資料庫中的 ，立及編輯處理參數SPC表，及設^產 ’ 警示;運作多變量主成分分析(PCA)及/或部分最小方差(p二 麵。s ’簡稱PLS)模式;及觀看診斷晝面以便解決問題及以

^控希i器120報告問題。熟知此項技藝之人士應瞭解，該GUI ^疋要提供所有功能的界面。而是該GUI可提供此等功能 之任思次組或其他未列示於此者。 12^可包括一記憶體(未顯示），其可包括一個或一個 ^上資，庫°來自於該設備之資料可以檔案形式儲存於-資料 崦 庫。此外’ IM資料及主量測資料可儲存於該資料庫。資料量取決 ^己置的該倾收集方案，以及處理實施的頻率，以及所運作的 。Ϊ自於該處理設備、該處理腔室、該感應器，及該： 作系統之該資料，可儲存於該資料庫。 呆 於另一具體例，該系統100可包含:一客戶王作站(未顯示）。 该系統1GG可支援多數客戶工作站。—客戶工作站可允許—用)戶 11 1351716 執行組^程序;觀看狀態，包括設備、控制器、處理，及工廠狀態; 觀f目前的及歷史資料;執行模型化及製圖功能;及對該控制器 入資料。例如，一用戶可能被賦予管理權，以允許其控制由一 統控制所執行的一個或一個以上處理。 ’、 處理設備110及該控制器12〇可耦合於MEW30及可為 E_DiagnostiC/系統之一部分。該處理設備11〇及/或該控制器12〇 可與一工廠系統交換資訊。此外，該MES130可對該處理設備11〇 及/或該控制器120傳送指令及/或撤銷資訊。例如，該碰阳❹ 可^對任-數目之處理模組、設備，及測量裝置，前饋可下載的 =方的變數參數至贿理設備iig及/或該控制器 變*數參數可包括最終CD目標、界限、偏移量，及設備層級 二1之I數，其必需是依批而可調整的。此外，量測資料可從工 ，例如備(細力科峨)公 鹏13〇可用於^^亥控制器120提供測量資料，例 =界尺寸掃描式電顯(CD SEM)f訊。選擇性地，該cd蠢^

地提供。調整因子係用於調整介於該IM及CDSEM 門=偏ίΓ 1測量及/或歷史資料，可包括晶圓識別資 夺間例如:日期，用以適當地安插於該資料庫。 要。i握設備110顯示於圖卜但在此發明中並非必 机備t f額外的4理設備。於—具體例中，一處理 或一個以上處理模組。處理設備別可包含 -侧模組、-沉積模組、— 組、-顯影模組，或一孰處 二賴、，且被覆核 虚理讀ηηΐνΐΐ_組’或其2種以上的任意組合。 口又 可匕3連結件112，用以輕合於至少一苴他虚 理設備及/或控制器。例如，1^乂祸〇於主V具他處 在此處理之前所執行的一處理備//或控制器可關聯於 處理被實施之-處理。連制11可關聯於在此後 如，前错眘π可勺人命運、、广件112可用於别饋及/或回饋資訊。例 5 L3 、一進入晶圓有關的資料。此資料可包括批 1351716 (lot)資料、批次(batch)資料，整批(run)資料，組成資料，及晶圓 歷史資料。 該IMM140可包括一光學數位輪廓量測(0ptical Digital Profiling，簡稱ODP)系統。該處理設備no尚能包括與模組關連 、 的測量裝置、設備關連的測量裝置，及外部測量裝置。例如，資 料可得自於耦合於一個或一個以上處理模組之感應器及耦合於 』處理設備之感應器。感應器可包括一光學發射光譜(Optical Emission Spectroscopy，簡稱〇ES)感應器或一光學終點檢測感應 器。例如’此等感應器之波長範圍可從200nm延伸至900nm。此 ’外，資料可得自於一外部裝置，例如一掃描式電顯(Scanning 籲 Electron Microscopy ’ 簡稱 SEM)設備、一穿透式電顯(Transmission Electron Microscopy，簡稱TEM)設備，及一光學數位輪廓量測 (0DP)設備。 0DP 設備可從 Timbre Technologies Inc(— TEL 的相關公司） 購得，其提供一取得專利的技術，用以測量半導體裝置之中的結 構輪廓。例如’ 0DP技術可用於得到臨界尺寸(CD)資訊、結構輪 廓資訊’或通孔(via)輪廓資訊。 控制器120耦合於處理設備no及MES130，且資訊，例如 刖處理資料及後處理資料，可於其中互相交換。例如，當於該設 鲁備產生一内部錯誤事件，該控制器120可傳送含有關於該事件之 資訊的訊息給該MES130。此可允許工廠系統及/或工廠人員做必 要的改變，以將在大改變例如矯正性或預備性維修之後，面臨風 險的晶圓數目極小化。 於圖1尚顯示一單一控制器120，但在此發明中並非必要。 "*選擇性地，可使用額外的控制器。例如，該控制器120可包含至 少一製程間反饋控制(R2R)控制器、一前饋(FF)控制器、一處理模 型控制器、一回饋(FB)控制器，及一處理控制器（皆未顯示於圖1)。 。控制器可包含連結件122，以耦合於至少一其他的控制 器。例如’其他控制器可關連於在此處理之前施行的一處理，及 13 1351716 /或其他控制器可關連於在此處理之後被實施的一處理。連結件 122可用於前饋及/或回饋資訊β 於一情形中，該控制器120辨別針對該晶圓之輸入狀態及該 所望狀態的模式方程式，及該控制器決定可實施之一組配^^ 實施於該晶圓以將該晶圓從該輸入狀態改變至一經處理狀態。於 其他情形中，該控制器120針對該晶圓決定輸入狀離及所g壯 態，且該控制器12〇 *定-組配方，其可被實施於^曰圓以= 晶圓從輸入狀態改變為該所望的狀態。例如，該組配方可描述涉 及一組處理模組之多步驟處理。 一針對該控制器120時間常數，可基於介於測量間的時間。 虽一批完成後，測量資料可得時，該控制器的時間常數可基於 完成後，測量資料可得時’該控制器之時間 於晶圓之時間。當測量資料在處理翻以即時提 ΐ理?m夺ϊϊ數可基於晶圓中的處理步驟。當晶圓正在 器成*或該批完成後’當測量資料可得時，該控制 i或介 瞻，其伽蝴_、介於晶圓， 多控制器120可操作於任意時間點。例如，-㈣写m :° 11刼作於模擬模式。一控制器可包含單一迴園式容舌 工H時序批次(baich)時序、腔室時序、設備時序，及/或 =制器可基於該輸入狀態、該處理特性， 算— 錯誤翻及分_dc)模式，及錢量分析a模式、 1351716 中處ΪίίΐΓ,接收並利用外部提供的資料’於一處華且 中處f參數界限。例如，該控制器GUI構件提供一穿置以丰叙从 組，提供處理的界^卫廠層級控制器可針對各處理模 ^繼12G可接收及執行μ可制顯軟 Ϊ傳2=器可接收及執行外部應用程式所建立的模Ϊ 值例/，㈣11120可餘運作FDC應_式，並可 關於一警示/錯誤狀態之資訊。例如，該控制器可 廠層級控制器或一設備層級控制器傳送並接收FDC:資 =此f訊在_—錯亂紐，可經由❿ ，稱、電子郵件，或傳呼器傳送。於另 g 可運作於不_控㈣。 L應用私式 ，控制II 120可回應於警示/錯誤，取決於該警示/錯誤之 严itt·各種動作。對警示纖誤之動作，可基於針對該系統配方、 ίΐ ί 形式、模組識別數目、載璋數目、®盒數目、批 且# 作ID、處理工作、槽_數目及/或舆圖形態所 二體心疋的情況而建立的商務規則。於—具體例，該控制器決定 採取的動作。選擇性地’該控制器可由FDC系統之指引採取一些 特別的動作。 一 該控制H 12〇可包含-資料庫構件，用以保存輸入及輸出資 料。例如，尤其，於一歷史資料庫中，該控制器可保存接收的輸 入、傳送的輸出，以及該控制器採取的動作。此外，該控制器12〇 可包含用於資料備份及回復的硬體及/或軟體。並且，該"歷^資料 庫了包括模型^訊、組態資訊，及歷史資訊，且該控制器12〇可 使用該資料庫構件以備份及回復歷史及目前的模型資訊及模型 組態資訊。再者，該歷史資料庫可包括舆圖資訊，例如晶圓興圖 及/或處理舆圖、組態資訊，及歷史資訊，且該控制器可使用該資 料庫構件，以備份及回復該歷史及目前的興圖資訊及舆圖組態資 15 1351716 訊 々ί控120可包含—用戶界面網頁。例如，該控制器120 頁可用的⑽構件，以觀看該資料庫中之資料。該控 ΐ二3:ί全構件，可取決於由一安全管理員所給予的核 級的存取。該控制器120並且可包含-組於安裝 時提供的預叹模式，並有能力重設為預設條件。 =控=器有能力管理在同時執行的多重處理模式，且受不同 3 32所管制。該控制器可以3财同的模式運作:模擬 ίί桓ίίϋ及標準模式…控㈣可以平行於實際處理模 式模场作。此外，FDC應用程式可平行地運作，並產生 即時結果。 當該半導體處理系統包括一主機系統及一個或一個以 可當成該控制(Mast峨統操作，且能控制及 /或監f該處_作料要部分。社齡統可建立-處理 列至該處理系統。於—具體例中，該處理序列 訪及處理模組到訪之序列。可針對各測量模組 到訪及各處理模組到訪，建立處理工作(PJ)。 -及/=當控制器於模擬模式執行時，可進行虛擬測 處理漂移及/或潛在的錯錄ϋ。 於圖1尚顯示-單-處理設備11〇，但本發明不一定僅 -處理設備11G。選擇性地’可使⑽外的處理設備，一 ，中，該處理設備110可包含所述用以實施—修整程序之裝^。 ^者’該處理設備110尤可包含—侧模組、—沉積模組: 磨模組、-被覆模組、-顯影模組…灰化模組、」氧化模組， 或一熱處理模組，或其2種以上的任意組合。 、、' 圖2為-簡化財麵，顯示韻本發明之—具體例之 賴明的具體财，所顯示的處理系統 (TELIUS )包含:-處理賴、—整合式制模組(1及一= 1351716 備層級APC控湘〇對於熟悉此技藝之人士而言，應瞭解該整 合處理系、統100'之構件僅意欲作為本發明之系統的例示。對於熟 悉此技藝之人士而言，及由以下討論中應瞭解，本發明構件之缸 合的變化為_的。各觀猶在此未討論，纽包含在明 範疇内。 該系統100’，例如圖2所示，可提供ΙΜΜ晶圓取樣，且該 晶圓槽之選擇可使用-(PJ設立)函數決定。該㈣控制組態之變 數中’可包括:讀控制方案魏、回饋控制方案變數、量測校正 參數、控祕限，及SEMI鮮魏參數。制㈣報告之中， 可包括晶ffl、位置、結構，及齡資料，且該賴可報 晶圓的實際設定。 該MM系統可包括一光學測量系統，例如伽⑻ Technologies的光學數位輪廓量測(〇ptical吨制pn)fii_ ，ODP)祕，其伽翻糾量測儀、反射法，或其他光 器:以測量晶圓的真實的裝置制ρ、精確的臨界尺寸仰）， 層薄膜厚度。Timbre Technologies為一加州公司，為TEL百八 百持股的子公司。 該處理赠上執行，可不需要將實施齡析之日日日圓破壞。 可與現有之用於線上分布及CD測量的馳制設備併用， =與TEL處理設傭整合，以提供即時處理監控及控制用Dp ^機可為-高精測賴，以提供實際轉、CD，及膜 及—產率增加設備，以侧線上處理偏離 (^^^^^具有^^關鍵的構件:咖⑨輪廓儀 庫，匕3 .一應用程式指定光學圖譜資料庫，以及苴掛 S半導體輪扉、CD，及膜厚度。輪_™應用程式舰pAs 包3 :—電腦伺服器，與光學硬體及電腦網路連 ίϊ通：Ρρί=、Λ量處理、結果產生、結果；=以 輸出該ODP輪靡儀W軟體，包括安裝在PAS之該軟體，用 17 1351716 以管理測量配方、ODP®輪廓儀TM庫、〇DP®輪廓儀™資料、 ODP®輪廓儀™結果搜尋/比對，ODP®輪廓儀TM結果計算/分 析、資料溝通，及對各種量測設備及電腦網路的PAS界面。 同在審查中的美國申請案號09/727530(案名「System and

Method for Real-Time Library Generation of Grating profile j ， Jakatdar等人提申於2000A1/28)，敘述一例示之光學量測系統， 引入於此作為參考。 ODP技術可用於測量一經圖案化之晶圓的特徵部中，被覆的 存在及/或厚度，及/或殘渣。此等技術教示於同在審查中的美國

專利申請案號 10/357705(案名「Model Optimization for structurs with additional Materials」’ Niu 等人於 2003/2/3 提申），又涵蓋額 外材料測量之ODP技術教示於美國專利號碼6608690(案名

「Optical Profilometry of Additional-material Deviations in 汪 periodic Grating」，提申於2001/12/4)’及美國專利號碼6839145(案 名「Optical Profilometry Of Additional-Material Deviations In A

Periodic Grating」，提申於2003/5/5)，皆引入於此作為參考。 用於建立一量測模式之ODP技術，教示於同在審查中之美 國專利申明案號 10/206491 (案名「Model and Parameter Selection in Optical Metrology」，Voung 等人提申於 2002/7/25)，涵蓋整合 式量測應用之ODP技術教示於美國專利號碼6785638(案名： 「Method And System of Dynamic Learning Through A Regression-Based Library Generation Process」，提申於 2001/8/6)， 皆引入於此作為參考。 、 一控制系統，例如來自於東京威力科創(股)公司之Ingeni〇® 系統’可包含管理應用程式，例如，一配方管理應用程式。例如， =配方#顧賊式可餘觀看及/或控娜存於該Ingeni〇®系統 =貝料庫之配方’其經由-網路環境從該Ingenio®$統與設備同步 化。一 Ingen/o客戶可與工廠為遠距，並能提供對於多重設備單 元的廣泛的管理功能。 1351716 配方可組織成樹狀結構，可包含配方組、類型，且配方可以 顯示，物件。配方可包括處理配方資料、系統配方資料，及IMM 配方資，。資料可使用一配方組以保存及組織。位於該處理設備 110之該IMM配方，可用於決定晶圓取樣及介於槽及舰配方之 間的關係。IM配方可存在於IMM140，可從Tdius® IMM配方選 擇’可包含圖案酬資訊，可驗在各晶圓識職晶片以取樣， 及可用於決定使用哪-PAS配方。PAS配方可用於決定使用哪一 ODP庫，及界定欲報告的該測量項，例如頂部CD、底部CD、 、㈣度、溝渠寬度，及適合度(gocKin⑽fflt，簡 i二統，例如該1啊以、統，可包括APC應用程式， 二 作作*控制策略’且—控制策略可相關於-可包括-姓刻 方控制方案。於運作時間比對晶圓層級情況，能容許自 ^ j(槽、晶圓ω、批ID等。）組態。一控制策略可包括一個 ί，且受控制之—處理模組及/或測量模組具有 針對對於該處理模組及/或測量模組之造訪定 案可含有觸、模型、控制界限、目標，且可包括靜 I配方、配方模型，及回饋方案。 ㈣ΐΐ控㈣統，祕及/相饋鮮藉由配置控制策略、 控制方案，及控制模型而實施。一控制策略可 的各系f處理撰寫。當—策略受到保護，所有月其i物 内可執行-個或-個以上該控制方案。各控 =二 饋及/或回鎖資訊修改該配方。 各控制方案可用於基於前 宰.決可=設Γ處理配方及處理設備;決定控制方 而建立—轉；建立航；建立一 控制幵人態(標準’模擬或測試)；建立一控制動 立-控制狀態(受保護/未受保護）。 動作(v/失此);及建 控制策略可包含鮮控制策略及模擬控制策略。該標準控制 1351716 策略可配置為控制該處理設備110。一模擬控制策略可關連於一 或多個模擬控制方案。基於選擇的模型，該控制方案將調整該配 方變數。該配方變數可藉由該控制器記錄日誌，但不傳送給處理 設備。多重模擬控制策略可被同時執行，但是對於一給定晶圓， 僅有一控制方案之標準形態會被執行。

再者’一控制策略可包括其他可操作之領域(fleld)。例如， 一或多個批ID領域可用於輸入/編輯該批識別符;該一或多CJID 領域，可用於輸入/編輯該控制工作識別符。該一或多個pjID領 域了用於輸入/編輯該處理工作識別符。該一或多個匠盒id領域 可用於輸入/編輯該匣盒識別符。該一或多個載架ID領域可用於 輸入/編輯該载架識別符。該一或多個槽領域可用於輸入/編輯該 槽數目。該一或多晶圓形式領域，可用於輸入/編輯該晶圓形式。 該一或多個刻晝(scribed)的晶圓ID領域，可用於輸入/編輯該刻 ，的晶I®朗符。該-或多晶圓ID領域，可祕輸人/編輯該晶 圓識別符。較賴為早的賴時間，可用於輸人/轉該起始時 間。此外，晚於領域之起始時間，可用於輸入/編輯該結束時間。 控制方案可於-模組中涵蓋多重處理步驟，並可由工薇控 制。參數範圍可針對各處理及/或測量模組界定，變數來 限範圍」，針對各控制參數提供。 歎界 巧制系統可包括APC應用程式，其可用於分析該收集的資 η，立錯誤狀態。當—情祕配時，可執行—分析應用程式。 於^析，程式執行期間，可執行—個或—個以上分析方案。 =執行單變量SPC模式/方案，且可能觸發spc警示；可 ίϊ 3 模式/方案’且可能觸發spc警示;可執行多 幹出方牵5 且可能觸發SPC警示;且，可執行其他檔案 翰出方案，並且可能觸發軟體警示。 立-1 、發生執行問題她侧題，—方案可建 策略二τ ϋ &發生’該方案可產生—警示訊息;該起源㈣伽） Α略狀L可改H錯誤狀態;該方餘態可改變為一錯誤狀態； 20 i35l7l6 万荼，且其狀態可改變為一錯誤 〃调忒個以上 不好的進入晶圓，一控制方案可檢“A當檢測到一 入晶圓。此外，當-回饋方幸獅触此其為-錯誤的進 他方案，略過已被識別為有瑕庇及/或=之^饋方3藉由其 案可拒絕針對該晶圓之所有測量位置戈的曰 所設立的舆圖未能符合均句度界限，而拒絕該=為使用該負料 於一具體例中，回饋方案失敗不一定中止言 且舆·生錯誤’並不巾止簡略或其财^ y方 菜略及/或觸產生，並科立細警桃！、/的方案、 該控制系統可包括- FDC系統，包括針對管理夢 ?=c用ίί。Γ測到一錯誤、警示，及/或錯“態= 2傳送訊息以暫停該目前的處理或停止該目前的 ίί而ΐί —賴之暫停/停止’可藉由改變維修計數器 次預先指定之針對策略及/或方案錯誤之失敗的動作，可保存於 一資料庫，且可於錯誤發生時，從該資料庫取出。失敗動作'，可 ，括:針對此晶圓及模組，使用該名目（n〇minal)處理配方；針對此 晶圓及模組，使用一虛無(null；)處理配方;暫停該處理模組及並等 待介入;或暫停整個設備，並等待介入。例如，一處理設備可能僅 於當帶有錯誤的該晶圓到達該發生R2R失敗之目標處理模組，才 採取動作，且該處理設備可能可以繼續處理其他批、配方'或於其 他模組中之晶圓。一虛無配方可為一控制配方，用於一處理設備 及/或處理系統以允許晶圓不經處理而通過處理腔室。例如，虛無 配方用於當處理設備暫停或當一晶圓不需要處理。 該FDC系統可檢測錯誤、預測設備效能，預測預防性維修行 程、減少維修停機時間’並延長該處理設備中的消耗性零件^使 21 1351716

琢構件可實施一系列Westem Electric運作規則評估 違反運作規則時， ’產生一 SPC警示。 ’計算概 。例如， &，並於 操作APC系統及該FDC系統可由該客戶配置，並可依據 被處理之該晶圓的情況配置。情況資訊，包括:配方、批、槽、g 制工作，及處理工作。對於APC系統及該FDC系統之用戶&面， ，網路可用的，並提供接近於即時之設備狀態及即時警示狀態顯 圖3為一視圖例，顯示依照本發明之一具體例之光學量測系 統。於該說明的具體例中，顯示一光學量測系統3〇〇，其可配置 為檢驗週期性柵格304，以得到輪廓(overiay)測量。此外，光學 量測系統300可包括一電磁源310。週期性栅格3〇4由來自於電 磁源310之入射信號312而發光。電磁源31〇可包括對焦光學儀 器’以控制入射信號312之光點徑。 … 於一具體例中，入射信號312之光點徑可小至含有週期性栅 格304之晶圓302上的測試區的大小。例如，可使用約見 方，或更小者》此外’電磁源310可包括一圖案辨識模組，以將 該光點對準於晶圓302上的測試區。再者，電磁源31〇可包括一 鲁偏極化元件’例如偏極化器(未顯示）。 如圖3所示，入射信號312相關於週期性柵格304之法線污， 及方位角Φ(亦即，介於入射信號312平面及該週期性柵格304 • 之週期性方向之角），以入射角$射入週期性栅格304。 如圖3所示，繞射信號322以相對於法線ή，以角度0d射出。 ' 此外，繞射信號322包括多數繞射階次》為求說明簡便，圖3說 明一繞射信號322，具有一零階繞射(繞射信號322A)、一正的一 階繞射(繞射信號322B)，及一負的一階繞射(繞射信號322C)。然 而應瞭解，繞射信號322可包括任意數目之繞射階。 繞射信號322被偵測器320接收並由信號處理系統330分 22 1351716 备光學量測系統3()0包括—橢圓儀，強觀耐 =2之:目位△被接收並檢測。當光學量測系統3〇〇包括=J 计，繞射信號322之相對強度被接收並檢測 可包括-偏極化元件(未顯示），例如一分析器。此卜❹指320 # ^一具if/，週期性拇格3〇4呈傾斜的及圓錐形的發 =表不人射角$不等於〇度，且該方位角φ不等於0度。可得 ί ΪΪ正，極化測量，且接著可基於該零階正交偏極化測量得 到輪廓測量。 τ

例如，於該晶圓302被製造的一個或一個以上時段，可檢驗 一個或一個以上週期性柵格304以得到量測測量。如上所述，電 磁源310將傾斜的及圓錐形的入射信號射入週期性柵格3〇4。偵 測器320接收該零階繞射信號322Α。可得到該零階正交偏極化 測量，且该信號處理系統330可接著基於該得到的測量，決定特 徵f數。於某些情形，零階正交偏極化測量可從週期性柵格3〇4 上單一地點/位置得到，且該信號處理系統330可提供一些量測資 料而不需要移動晶圓302，此具有增加產量的優點。零階光係指 反射光以和入射角相同的角度反射。再者，該信號處理系統33〇 可估算介於該零階正交偏極化測量之差異，並使用該估算之差 異’以提供額外的量測資料。信號處理系統330可包括配置為處 理零階正交偏極化測量的任何便利的電腦系統。 光學測量系統及技術教示於美國專利號碼6947141(案名 Overlay Measurements Using Zero Order Cross Polarizarization

Measurements，提申於2004/9/8)、美國專利號碼6928395(案名

Method And System For Dynamic Learning Through A

Regression_Based Library Generation Process，提申於 2004/5/27)， 及美國專利號碼 6839145 (案名：Optical Profilometry Of Additional Material Deviations In A Periodic Grating，提申於 2003/5/5)，以上 皆已讓渡予Timbre Technologies (屬於TEL公司），並將其全部引 入於此作為參考。 23 1351716 該控制器120於不同的纽方式，可使帛基於方程式之 術、基於配*方的技術，及基於表⑽匕如冲的技術。當該控制器 120使用此等技術’該前饋及/或回饋控制變數能為可組態的。° 腿’可操作為如同單—輸人二輸出 (SISO)裝置、如同早-輸人多重輸出(SIM〇)裝置、如 f(MISO)裝置’及/或如同多重輸人多重輸出⑽^裝 置。此外’輸入及輸出可在-控制器12〇内及/或介於一個 以上控制H 120之間。於包括多重模組之多重處理之情形， 資訊可從一控制器前饋或回饋給另一控制器。 /、

當-處理設備及/或處賴轉送#料給該資料庫，此資 由該控制H 120存取。例如，此資料可包含設備追蹤資料、、維修 貝料二及終點侧(EPD)資料。該舰資料讀供關於該處理之 重要肓訊。該追縱資料可於晶圓處理期間或晶圓處理完成之後更 新及儲存。 該控制H 120可接收並利用外部提供之資料，以處理在處理 模組之參數界限。例如，該控制n GUI構件提供—裝置以用 ，輸入該處轉數界限。此外，—工廢層級控制^可提供針對各 處理模組之處理參數的界限。 該控制H 120可接收並執行由市售模擬軟體建立的模式 如，該控制器120可接收及執行外部應用程式建立 PCA等。）並傳送給該控制器12〇。 、^ & 舆圖及/或模型更新之實施，可藉由運作監測晶圓，更動該處 理，定並觀察結果，接著更新該舆圖及/或模型。例如，可以藉由 測望:監測晶圓之刖及之後的特性，每N處理小時進行更新。藉由 隨時改變設定以檢查不同的操作區域，能夠隨時確認該完整^操 作空間’或以不同的配方設定—次運作數個監測晶圓。該更新程 序可發生於該投備或工廠之該控制器12〇，允許該工廠控制以管 理該監測晶圓及模型更新。 該控制器12G可針對下-晶圓估算更新的配方及/或更新的 24 1351716 。於一情形中，該控制器12〇可使用前饋資訊、模型化資訊， 曰=回，資訊以決定是否要在運作該目前的晶圓之前、運作下一 曰曰圓=前，或運作下一批之前，改變該目前的配方。 ‘里測資料來源被用於提供處理結果資料，可指定一路徑 一，!·使得—晶圓在該處理中的正確點遞送到該ΪΜΜ140。例如， 在進入處理模組U5之前及/或該晶圓已經於處理模組 彳處理，遞送至該][_14〇。此外，可指定一 im配方，使得 祕預定啦，並提供—職峰出資料。例如，該資料在 十句之前先經過濾並由該控制器12〇使用。 量测^制器12G可包含—個或—個以上過濾、器(未顯示)來過遽 抵ψ ^ .讀移賴赫訊。越A ^(Gutliei>)過濾、器可用於移除 旦Φπ财值在料學上並非有效且不應在晶®測量之平均測 二不考慮。雜訊_11可用於移除隨機雜訊並穩定該控制 11 Ϊ用指數加權移動平均(EXP_tially Wdghed M()ving Average ’簡稱勝祖)或κ— 一過濾器。 可接可接收並利用回饋:“。例如，該控制器120 針對已處理過之晶_朗資訊，並基於該資料調整該處 12〇 送錯誤狀態，如’該控制器 或」疋I層級控制器、—娜控制器’及/ 傳，:備 ^作 該模擬動作可記錄於敎資料庫，料立即採取 〜控制120可基於進入的材料狀態及處理配方，選 25 1351716 雜刪咖酬請可計算有

^該控制器12〇輸入，尤其可包括針對前饋/回饋迴圈之時間 吊數、針對累積的重設事件、一 IMM步驟，及ODP偏移量 (〇饱1) 1示可包括尤其是:目標、容忍度(tolerances)、計算機指 令、貝料收集方案，演算法、模型、係數，及配方◊該晶圓狀態 可包括’資訊，例如，來自於該被處理的晶圓(位置、晶圓、批、 批次狀4)、輪#，及物理上或電性測量之特性。模組物理的狀態 可包括該馳及構件目前的或上次已知的記錄狀態，其將用於處 理該晶圓-RF小時 '晶圓數目、消耗性零件狀態。該處理狀態 可，括來自於該處理環境之感應器的該目前的或上次已知測量 狀態，包。括追輯料’及概要統計。該控娜參數可包括針對配 方/控制H設定點之前-次設定，及建立該晶圓狀態 狀態，及處理狀態之處理目標。 ^ 该控制器12G可包含至少―電腦及支援操作軟體例如該 Ingenio軟體之軟體。於一情形中，該操作軟體可包括:一组離模 組、一資料管理模組、一 GU;[模組、一錯誤管理模組，或一疑 難排莫組’或其2種以上的任意組合。並且，組態Gu幕 用於配置介_魏及該處理元制_界面、決定騎該處理 兀件(即設備、模組、感應器等。）之該裝置形態。資料管理⑽ 螢幕可用於蚊欲收㈣料的量及形式，並決定將該已收集 ，如何及存放在何處。再者’錯誤管理GUI躲可胁將錯誤 態通知一用戶。 、 一般而言，前饋控制係在該晶圓到達該處理模組之 對該晶圓測量的前處理資料，更新一處理模組配方。於一 中，量測資料及處理目標資料由該控制II 12G接收^此等^ 比較，且結果為該所望的處理結果(例如，該所望的修整量 著，此所望的處理結果可被送到該控制器以用於模式^ 適當的處理配方參數。此新的配方被送到該處理模組，該晶圓使 26 用該新的配方被處理(被修整）。 於該系統100,可在該控制器12〇 案久及控制模式實施前饋控制。—控制策略可施前^ 寫。當此系·统配方執行於該處理設備110， 控制方案。各控财案可基於前饋資訊， 料夾；控=„輸入資料來源。可使用不同數目的輸入資 2來源=輸入資料來源可具有一· ⑧Λ為—⑽設備，且可械處理賴之一部分， 其他資料來源可為—SEM，及該參數/值可 為實際測里資料，例如，CD-SEM資料。 #使用來自於此等資料來源之輸入，一用戶可針對一目標計 f ’來，定H此計算結果接著用於選擇執行哪一控制模 式。該系統以名目配方(存在於該設備之配方)起始。 接著，加入來自於各被執行之控制方案的更新。一旦所有該 控制方案被執行(於該匹配(matching)控制策略），則最終配方被傳 送至該設備。 該控制器120可操作為如同一配方參數解答者，其依照適當 的處理模型、處理模型限制、處理目標，及處理參數限制，產生 配方參數。該控制器120具有能力管理執行於同一時間並受到單 二組處理配方限制之多重處理模式。如果控制發生錯誤，該控制 器120可配置為使用該設備處理配方(名目配方）、使用該虛無配 方’或停止製程間反饋控制(Run_t〇_Run)控制(依照設備參數設 定）。欲暫停該設備110時，該控制器120可配置為暫停該處理模 組’或暫停完整的系統100。 該處理系統100可用於處理晶圓及控制策略可用於界定該處 理序列。 當一擊盖私的界尽土^^项值大於或等於巢套的臨界尺寸 (Nested-CD)i，可執行孤立狀奴大(Iso_Greater)控制策略及該關連

_____ ""'W 27 1351716 的控制方案。該控制方案可包括以下至少之一:一孤立狀/巢套控 制方案，用以控制一孤立狀/巢套的處理;一修整控制方案，用以 控制一修整處理，及一底部抗反射被覆(BARC)鏤空控制方案，用 以控制一 BARC蝕刻處理。當該孤立狀的臨界尺寸(Is〇_CD)值等 於該巢套的臨界尺寸(Nested-CD)值’或當需要的修整量實質上相 等於零，或當不需要BARC钱刻，-虛無配方可被送到該處理^ 備。選擇性地，一配方可不傳送至該處理設備。 當該孤立狀的臨界尺寸(Iso_CD)值大於巢套的臨界尺 (Nested-CD)值’該孤立狀/巢套的處理可包括一蝕刻處理。例如， 可使用一接近10mT之腔室壓力、一接近2〇〇 w之較高奸功 -接近0W之較低RF功率；—接近7〇s_之&流速，來運作一 孤立狀/巢套姓刻處理。 六，ϋ 壓力，於中間區域’可接近3 Torr，該背侧He壓 -辟、、：f緣，域’ 了接近3 TGrr’該頂板溫度可接近⑽。C，該腔 皿X可接近60。(： ’該晶圓支托件溫度可接近 36:。此外，針對巢套的特徵部測量，該AS 針對孤立狀的特徵部測量，該CD改變量為 該巢罩理實相冗=的軟遮罩特徵部及 整處理被實施之後，該孤立^^目^祕整(_侧）。該修 的軟遮罩特徵部尺寸。於部尺寸仍大於該巢套 能被部分蝕刻。 L整處理期間’一硬遮罩(BARC)層可 其次’可實施一孤立狀/巢套_處理，其中從該孤立狀的軟 28 丄/16 =特徵部及該巢套的軟遮罩特徵 理期=-硬遮罩(BARC)層可能被部。分侧。、立狀/巢套餘刻處 軟遮罩ί徵^ $介_孤立狀的 尺寸實質上等於該巢套的孤=的軟遮罩特徵部之 ，巢套的硬遮_ Β ΐ上部及該巢套二 狀較大(Iso-Greater)控制策略要求該修-孤f 鏤空侧處理被第2執行，及該孤立狀/巢套_處=最g 該巢=以理實其質:相從等==軟，徵部及 整處理被實施之後，該孤立雜整(編姆j)。該修 的軟遮罩特徵部尺和於一 罩，徵部尺寸仍大於該巢套 能被部分钮刻。 多整處理期間，一硬遮罩(BARC)層可 被移；二鏤空蝕刻處理，其中該殘留的BARC ,BARC射㈣*的硬遮罩特徵部及巢套的硬遮罩特徵部。於 ΪίΓΧίίίΪίίίίί之後，該孤立狀的軟遮罩特徵部^ 處=ίί =。此外，於該_ _刻 徵部。 硬遮罩特徵。Ρ之尺寸實質上等於該軟遮罩特 最1可實施孤立狀/巢套银刻處理，其中從該孤立狀的軟 29 1351716 部，不糧修整_ 等於該巢套的軟遮罩特徵^尺寸實質上 硬遮罩_c)層可能被部絲刻孤二^巢==期?，- 2行，該修整處理被第2執行’及二狀:=== 特徵部孤立狀的軟遮罩 期間^硬遮罩(BARC)層可能被^分_孤立狀/巢套侧處理 及該巢套的處立狀的軟遮罩特徵部 狀 (BARC)層可能被部分蝕刻。、 > 整處理期間，一硬遮罩 軟遮罩特徵部及該巢套中介於該孤立狀的 空蝕刻處理被實施之後，誃☆、认4此外，於該BARC鏤 等於該巢套的硬遮軍特徵:;。於該二? 30 1351716 後，該孤立狀的硬遮罩特徵部及該巢套的硬遮罩特徵部 質上相等於該要求的CD » 了貫 圖仍顯示-第4修整程序，該孤立狀的軟遮 尺寸可大於該巢套的軟遮罩(光阻)特徵部尺寸，及一第 ，大(IS〇-Greater)控制策略可要求該孤立狀/巢套蝕刻處理 該BARC鐘空侧處理被第2執行，及該修整處理最後執 可先實施一第1孤立狀/巢套蝕刻處理，其中從 遮罩特徵部及該巢套的軟遮罩特徵部，不等量 徵权尺寸實f上等於該巢套陳遮罩特徵部。於 蝕刻處理期間，一硬遮罩(BARC)層可能被部分姓刻^立狀/巢套 軟鏤空蝕刻處理’其中介於該孤立狀的 i _之後，該孤立狀的軟 質上萼於该巢套的軟遮罩特徵部。此外，於該BARr綠办 於徵?广立狀的硬遮输^ 硬遮罩部及該巢套的 可等於或小於該硬遮罩===後’該軟遮罩特徵部之尺寸 策略行1=狀_糾職侧 處理元件，例如一 後執订。資料收集方案可從 n又備、-模組、-腔室’及， 31 1351716 料统、卿系統、SEM系統、TEM系統，及廳系 66 =,貝料轉方案之選擇及起始尚能為基於情況(e〇nteXt) r祕提供資料’以進行與該孤立狀較大(is〇-g输） J制關連之應用程式舆圖。該DC方案決定收集什麼資料、 ，何收，該資料’及料存放於何處。該控騎對物理的 核組’自動產生資料收集方案。—般而言，—資料收集方案可一 次對-活化，且該控㈣能選擇並使贿 ^ 方案。㈣可包括追縱資料、處理日諸資^ ^ f料、0DP f料、0ES f料、嫌電流⑽ 朱（）資料，或類比資料，或其2種以上的組合。測量带置及 /或感應器可藉由- DC方案而開始及停止。一 DC方案尚能提供 用於修整資料、修剪資料，及處理料(spike)㈣及财值之資 訊0 、 對於孤立狀的臨界尺寸(Is〇_CD)值小於該巢套的臨界尺寸 (NesteiCD)值之晶圓，可執行巢套較大控制策略 及其關連的方案。該控制方案可包括以下至少之一:一孤立狀/巢 套(Iso/nested)控制方案，用以控制一孤立狀/巢套蝕刻處理;一修整

控制方案，用以控制一修整處理;及一 BARC鏤空控制方’用 以控制一 BARC餘刻處理。 虽该巢套的臨界尺寸(Nested-CD)值大於該孤立狀的臨界尺 寸(Iso-CD)值，該孤立狀/巢套的處理可包括一沉積處理。例如， 孤立狀/巢套的沉積處理運作於接近1〇 mT之一腔室壓力、一接 近200 W之較高RF功率、一接近100 w之較低即功率；一接 近20〇SCCm之CHF3流速，該背侧He壓力在中間區域，^接近 3Torr，該背側He壓力在邊緣區域，可接近3 T〇rr，該頂板溫度 可接近80。(：，該腔室壁溫度可接近6(rc，該晶圓支托件溫度可 接近30oC，且該處理時間可接近185秒。此外，巢套的特徵部之 該CD改變量，測量為接近+丨5nm，且孤立狀的特徵部之該 32 1351716 改變量，測量為接近+30nm。 ⑽5修整程序如圖5A所示，該巢套的軟遮罩(光阻)-特徵 1 β大於該孤立狀的軟遮罩(光阻)特徵部尺寸，及一第】巢 =大(Nes-Greatei*)控㈣略’要求該修整處理被首先執行，一 套的沉積處理被第2執行，及該barc鏤空侧處理 兮里Ιΐϊ施—修整處理，其中，從該孤立狀的軟遮罩特徵部及 遮罩特徵部，㈣上相等量被修整(側向侧）。該修 ΪίΐίΪ施之後’該巢套的軟遮罩特徵部尺寸仍大於該孤立狀 部尺寸。於一修整處理期間，—硬遮罩(BARC)層可 _ϊΐ ’可實施—孤立狀/巢套的沉積處理’其中’對該孤立狀 的軟遮罩特徵部及該巢套的軟遮罩特徵部，沉積不等量。於該孤 ^狀/巢套的沉積處雜間，該沉積速率可於該孤域的特徵部較 大，且該沉積處理被實施之後，該孤立狀的軟遮罩(光阻)特徵 尺寸可大於或實質上等於該巢套的軟遮罩(光阻)特徵部尺寸。; =立狀/巢套的沉積處理期間，-硬遮罩(BARC)層可能被部分被 復0 最後，可實施一 BARC鏤空餘刻處理，其中，介於該孤立 的軟遮罩特徵部及該巢套的軟遮罩特徵部的殘留BARC被移除。 於該BARC鏤空侧處理被實施之後，該孤域的軟遮罩特徵 之尺寸實質上等於該巢套的軟遮罩特徵部。此外，於該Barc& 空蝕刻處理被實施之後，該孤立狀的硬遮罩特徵部之尺寸實 等於該巢套的硬遮罩特徵部。於該BARC鏤空蝕刻處理被實施 後，該孤立狀的硬遮罩特徵部及該巢套的硬遮罩特徵 質上相等於該要求的CD。 了貫 於一第6修整程序顯示於圖5B，該巢套的軟遮罩(光阻 部尺寸可大於該孤立狀的軟遮罩(光阻)特徵部尺寸，及一第2 1 套較大(Nes-Greater)控制策略，要求該修整處理被首先執行，誃 33 1351716 鏤雜魏戦第2執行，麟孤域/巢麵沉積處理最 可先實施一修整處理，且由" 該巢套的軟遮罩特徵部，暂Ϋ，從該孤立狀的軟遮罩特徵部及 整處理被實施之後，^鱗量被修整(㈣射i)。該修 的軟遮罩特徵部尺寸。於-丈部尺寸仍大於該孤立狀 能被部分蝕刻。 /堂處理期間，一硬遮罩(BARC)層可

被移除以形成It狀:签其中該殘留的BARC 寸仍大於該孤立狀的軟遽套的軟遮罩特徵部之尺 =皮實施之後，該硬遮罩特徵部之尺寸實 軟遮罩特徵部及該巢套的1對該孤立狀的 且該沉積處理被實施之後，狀丄的特徵部較大， 可大於或實質上等於該巢套的軟遮罩徵部尺寸 狀/巢 套，大(Nes-Greater)控制策略可要求該‘， =行’該修整處理被第2執行，及該 首先，可實施一孤立狀/巢套的沉積處理， 軟，寺徵部及該巢套的軟遮罩特徵部沉積不G。= =沉積處理被實施之後’該孤立狀的軟遮n 可大於或實質上等於該巢套的軟遮罩(光阻)特徵部 34 1351716 的沉積處理期間，—硬料(BARQmw__ 軟遮㈡徵:二:：S=5:殘ί::::狀的 ，該孤立狀的硬遮罩特 於該巢套的硬遮罩特徵部◊於該Β」之之丁貫質上·# ί上軍cr部及該巢套的硬“ 徵部的尺寸實 於一第8修整程序顯示於圖5d，兮盟农 ίίίΓ te_策略，可要求該孤立狀/巢套的沉 ϊί=，該BARC物刻處理被第2執行’ ίϊ修;;： (=_處_， 其次’可實施一 BARC鏤空蝕 軟遮罩特徵部及該巢套的軟遮罩特徵；殘留狀： 35 1351716 立狀的硬遮罩特徵部之尺寸 部，實質上滅曰的硬遮罩特徵部及該巢套的硬遮罩特徵 小於該硬遮罩===後，該軟遮罩特徵部之尺寸可等於ϊ 集(D^i^=^=SffiGreater)控制策略關連的該資料收 及/4德勃二^枚集方案應用程式可於控制方案被運作前、中 收集方案可從處理元件例如—設備、一料 ，至’及-感應器;測量元件，例如，—〇 = ^ mes ' 宰可用於接收集方案之選擇及起動尚能基於情況。DC方 ί 咖巢套較大， ΪΪί料。該DC方案決㈣集什麼資料，如何收 ^產生資料跄存放於何處。該控制器能對於物理的模組自 -特定槿心ί方案。—般而言，―資料收集方案可於一時間對 - id該控制器能選擇並使用匹配於該晶圓情況之 料、、馨案。資料可包括追縱資料、處理日諸資訊、配方資 i料資料、odp資料、⑽資料、νιρ資料，或類比 古種以上的組合。測量裝置及/或感應器可藉由一 DC 方案而開始及停止。 八把ί外、’當一孤立狀較大(IS〇-Greater)或巢套較大Wes-Greater) 71 略被執行’晶圓資料、處理資料’及/或模組資料可被分析， 及可識別警示/錯誤情況。與該分析策略有關之該分析方案尚能被 36 1351716 -包?Γ修整控制分析方案，用以分析一修整 方案，用以分析—孤立狀/巢套侧處 2種^上的任*tT案，用以分析一驗“刻處理;或其 此外，判斷及/或介入方案可被執行 後，ΐ資料可被送到-判斷及/或介人方案，用以 =界限可基於歷史資料而自動地計算，或基於該消費者乍的經驗 或處理知識人工輸人’或從電齡機制。該雜可舰告

: 2違反運作規則，可產生一警示，—“ 超過統计學上的界限。 U ί者’當一孤立狀較大(Is〇_Greater)或巢套較大(Nes-Greater) 为析菜略被執行，晶圓資料舆圖、處理資料舆圖，及/或模組資料 舆圖"I被刀析，及可識別警示/錯誤情況。此外，當興圖分析方 與該分析策略有酸，料可被執行。例如，該、分析方案^ 包括:一用於修整控制舆圖之分析方案，當分析一修整處理;二用 於孤立狀/驗類之分析方案，當分析_孤立狀/巢套侧處理; 及一分析方案BARC鏤空興圖，當分析一 BARC蝕刻處理。 此外，當判斷及/或介入方案與興圖應用程式有關連，該等可 被執行。例如，於一與圖已被設立之後，該興圖可使用運作規則 評估技術被分析。錯誤界限可基於歷史資料或基於該消費者的經 驗或處理知識人工輸入，而自動地計算，或從電腦主機得到。該 舆圖可與警告及控制界限比較，及當違反運作規則，可產生一g 示’代表該處理已超過統計學上的界限。 θ ^產生一警不，該控制器可實施通知或介入。通知可經由電 子郵件或藉由電子郵件所啟動的傳呼器(pager^此外，該控制器 可實施一介入，在該目前批的終點暫停該處理’或於該目前晶圓 的終點暫停該處理。該控制器可識別導致產生該警示的該處理模 組。 ' 一策略可包括一資料錯誤區’其可用於輸入/編輯該資料錯誤 37 1351716 當：舆圖應用程式錯誤或—輿圖未歧成，可能發 料發生錯誤，該系統回應可為擇自以下的 jf)使用权備處理配方(名g配方)—軟體傳送該指示至 ^設備及使肋設備處舰方之域理設免附使用處理= 方日軟體舰與該晶®酸之該虛無財資訊至該處 =組或_、統暫停—暫停該系統包括傳送系統。其他 見'心此項技藝者應為顯而易知的。來自分析方案、判斷方，、^ 介入方案之結果，可前饋及/或回饋資料至其 ^

案可使賊㈣叫算其料如。 ㈣以其他方 pR(rp) = |：An[DV(rp)] 當檢驗-修整程序…鋪策略可包括―個或—個以上方程 式，其可被建立以模型化該處理空間。於一具體例中， 下形式的模型方程式。於一情形中，外印)可等於哼 晶圓上於半徑位置(r)之所望處理結果。例如’ y(rp)可為一所望= 處理結果，例如「修整量」[TA(rp)]，及 <印)可等於一與〆 鲁關之處理參數(控制變數）。於該處理空間，一個或一個以上模式 方程式可藉由建立-多項式並找出鮮項式之係數決定，該多以 式將該處理空間之第i部分的處理氣體流速相關至一修整^。例 如，可使用一 Nth階次多項式 . 其中’DV〇P)為一動態變數’其可與半徑位置(rp)連動，PR(rp) 為一要求之處理結果，其可與半徑位置(rp)連動， 含一常數，具有一正值、一負值，或零值。於一具體例中，該 Nth階次多項式可被求解以決定一 DV(rp)值。 μ 選擇性地，一反向方程式可藉由建立一不同的多項式並找出 該不同多項之係數而決定’多項式可將該反向處理空間之不同部 38 1351716 結果(修整量）。例如，可使 分中的處理變數(氣體流速)相關至處理 用一 Nth階次多項式。 DV(rp) = |：Cm[PR(rp)] 為H數’其可與半徑位置(Φ)連動，PR(ip) >=卜及Cm，可包含一常數’具有一正值:一;值置

該控制器能針對此模式形態建立一術語(term)*】操#值此 =術邊可由馳制H定義並可於祕理中 = 擇，可設立一配方參數輿圖，其中各術語被指工值， 裎』6 一依照本發明之一具體例之處理系統的流 «例。程序600起始於任務605。於一具體例中，— 下载配方及/或變數參數至—處理設備，例如處理設備i剛’i)。 此外主祕可決定晶®序列。該經下載之資料可包括處理配 方、量測配方’及晶圓序列。當所有在該隨㈣策略中被該控 制方案參考的該系統配方皆已被驗證，該控制器120傳送一訊息 至該處理絲11G，指示_統配方驗證為成功。如果該系^己 方已經驗證，該批可利用R2R控制起始。如果未經驗證，則該批 無法以R2R控制起始。 於任務610，當一晶圓由一處理系統1〇〇(圖丨)接受，與該晶 圓及/或批相關之該前處理資料可被接收。針對於一進來的晶圓及 /或進來的批，前處理資料可包括一或多參考興圖、一或多測量興 圖、一或多預測舆圖，及/或一或多信賴度舆圖。前處理資料可^ 括從與微影系統關連的測量模組而來的測量資料，例如，來自於 東厅、威力科創(知)公司之Lithius®系統，及/或從東京威力科創(股) 公司之蝕刻系統例如，Telius®系統而來的測量資料。 於任務615 ’可實施詢問以決定何時實施一前處理測量處 理。當該處理成熟(mature)，該處理結果應為恆定，且不應對所有 39 要該前處理測量處理。㈣，可將某些晶圓 ’且可對減等晶S)實猶處理測量處理。#該處 1熟(immature)，且該處理結果為變動’該前處理測量處理可 實施於較大量晶®。當前處理測量處料需要，程序_可分^ 至任務625，及當後處理測量處理不需要序_ 分歧至任務685。 ^ 〇：>ϋ 於任務620，一前處理測量處理可被實施。於一具體例 一控制策略可被執行並用以設立—前處理測量處理配方。例如， 該晶圓可被送到-IMM140(圖υ，於該處，晶圓上一經圖案化 軟遮罩層之特徵部可在-修整程序被實施之前被測定。可使用一 個或一個以上資料收集(DC)方案及/或舆圖應用程式。或者，可 用不同的量測系統。 /圖7Α顯示一簡化的視圖’為一包括多數晶片/晶粒71〇之圓 形晶圓700上的一前處理測量舆圖72〇。目7Β顯示一簡化的視 ，，為一包括多數晶片/晶粒710之方形晶圓75〇上的一前處理測 量舆圖720。於該說明的具體例中，顯示125個晶片/晶粒，但在 此發明中並非必要。或者，可顯示不同數目的晶片/晶粒。此外， 所顯示的形狀係用於說明，並非對本發明為必要。例如，晶片/ 晶粒亦可具有矩形形狀。 該列(row)及行(column)以〇至12之數字標號用於說明。此 外，12個晶片/晶粒730被標記(M2)，及此等晶片/晶粒可用於定 義針對於該說明的前處理測量舆圖720的該測量位置。或者，也 可使用其他前處理測量方案及/或其他測量位置。 “一刖處理測量方案可基於儲存於一歷史資料庫之資料，由一 半導體製造商具體指定。例如，一半導體製造商可能當進行SEM 測里時，已歷史地選擇一些該晶圓上的位置，且想要將來自於一 ，合式量測設備之該測量資料使用於使用一 SEM設備測量的該 資料。其他製造商可使用TEM及/或聚焦離子束(F〇cused I〇n Beam，簡稱FIB)資料。 1351716 於一具體例中，測量特徵Αβ九丨_ 性柵格，可於圖7Α及7Β顯示之 經則處理晶圓之週期 以上測量。例如，於—經過前（:位置中的-個或-個 一光阻層，如® 4A-4D及5A灿=曰一曰圓二，特徵部’可位於 括針對該晶圓之已測量的量測資料所^;測量舆圖可包 構=:針對該晶圓上至; 量。=運理二量門處理一74時且可能影響-處理系統的產 之情況，選擇;μ μ政;5為匱况導，並可基於該晶圓 ::?曰= 咸或方案。例如’可能不測定-個或- & 測4處理可能使用包括於該前處_ 里興圖720中之測量位置次組合實施。 乂⑴処埋州 於一具體例中，於發展該半導體處理之期間，可 儲存以備之後使用為歷史資料。-參考ί =圖可ίΪ較刚處理測量舆圖720所示更多位置之測量資料。 與圖相量與圖可使㈣組的測量位置，或衫要二參考 -參考預測舆圖可包括較前處理測量舆圖72〇中所顯示於 2置資或者，-參考預測舆圖可使用同組測量 位置’或可不需要一參考預測舆圖。 一參考信賴度舆圖，可包括較前處理測量興圖72〇 於更多位置之鋪度資料。或者’―參考信賴度 測量位置衫f要-參相織期。 ®遭用门組 該測量、預測，及/或信賴度舆圖，可包括一個或一個以上 Goodness〇fFit(GOF)輿圖、一個或一個以上格柵厚度舆圖、一 或一個以上臨界尺寸(CD)輿圖、一個或一個以上CD輪廓盥 一個或一個以上材料厚度興圖、一個或一個以上材料截面、 圖、-個或-個以上溝渠截面積輿圓、—個或—個以上側壁^ 41 1351716 圖、一個或一個以上寬度微分興圖，或其組合。該前處理資料尤 其尚能包括位置結果資料、位置數目資料、CD測量旗標資料、 測量位置資料數目、X座標資料，及γ座標資料。、/' =任務625 ’ 一個或一個以上前處理預測舆圖可被計算。圖 8顯示一前處理預測舆圖800簡化的視圖，一包括:多數晶片/晶粒 810、該前述12個測量位置830被標號(M2)，及一可指示一凹 口位置之參考侧840。於-具體例巾，曲線擬合(eurve fming)程 序可被實施，以針對未被測量之晶圓上的該位置計算資料。於其

他具體例，該預測舆圖可使用表面推估、表面擬合技術，或其他 數學技術決定。 〃 旦於一具體例中，一第1前處理方程式可使用來自於第6列(測 量位置2、3 ’及11)之該測量決定，且此第丨前處理方程式可被 使用及(或修改，以針對晶片/晶粒(6_3、6_4、6_6、6_7、6_8，及 6-9)汁算該預測值(期望測量資料），及該第丨前處理方程式可被使 用及/或修改以外插晶片/晶粒(6_〇、6_丨、，及6_12)之預測值。 或者J f他測量位置可被使用以決定該第1前處理方程式。 该第1前處理方程式及/或一經修改之版本，可用於計算/預 測第5列及第7列之晶片/晶粒值。該第丨前處理方程式可視需要 t =修改以擬合第5列(測量位置9)及第7列(測量位置8)之該測 ，資料。當該第1祕理絲式不能被蚊及/或適當地修改，可 旦告一錯誤狀態。此外，當一個或一個以上該測量值及/或計算/ 預測值落於針對該晶圓建立之一均勻度界限以外，可宣告一錯誤 狀態。 _ 口 ’ a、 概細計 ^於一具體例中，該整個第丨前處理預測舆圖，可使用該第1 刚，理方程式及/或一經修改之版本被計算。當一個或一個以上該 測量值及/或計算/預測值落於針對該晶圓建立之一均勻度界限^ 外，可宣告一錯誤狀態。 又 42 ⑶ 1716 計算二前程式及/或一經修改之版本可被使用以 一個以上P分的值。例如，該部分可包括一個或 7、8此9外Π2前處理方程式尚能使用來自於第7行(測量位置 /或修改料^，及此帛2雜奸被使用及 修改以Ϊ Α ^ 2偷網爾用及/或 他測量ί t ΪΓ柳 及12_7)外插預測值。或者，其 了被使用以決定該第2前處理方程式。 及第理方程式及/或一經修改之版本，可用於針對5行 要予以体ί 4晶粒計异7賴值。該第2前處理方程式可視需 (到量位錢更佳地擬合於第6行(測量位置5，及6)及第5行 ί 地修改：·可宣告一錯誤狀態。此外，當―

勻产界值ΐϊί异/預測值^於針對於該晶圓建立之一均 J度界限之外，可宣告一錯誤狀態。 J 對兮=或—經修改之版本，尚能被使用以針 圓上的其餘位置計算/預測值。於—具體例中，1 刖處理預測輿圖可使用該第2前處理方 η巧2 值^算=以 對於該S日圓建立之-均勾度界限之外，可宣告 二 該第2前處理方程式及/或—經修改之版本，可ϋ用‘二^ ΓΓίΐ該晶圓之—部分之L該部分可包括-個或1 或者，該第1前處理預測舆圖可僅使用該第 及/或該第2預測前處理興圖可僅使用該第4 = 時Γ，像這種程序可用於針上為均勾的處理= 於任務63G ’-個或-個以上前處理信賴度興圖可被計算。 43 賴度旦舆圖900簡化的視圖，包括多數晶片/晶粒910 與^ΐ使用^^^(1_12)。於—具體例中，—前處理信賴度 丄差ΪΪ 1 _理預測舆圖及該第2前處理預測 二前處理預，圖二參考算 「5已月的，體例中所示，一信賴度舆圖可使用如值「Cl」 i心二2示的不同區域，且該不同的值及/或規則可針對4 个j $者，可使用不同數目的區域。 他賤例，—前4理信賴度麵可使麟介於—前處理 預測，’及針對該晶圓建立之均勻度界限之差異予 如測輿圖中之值，接近於均勻度界限，該信賴么可ΐ 低於田預;則興圖非接近於均勾度界限時之值。 b 戚635 ’可實施詢問以決定何時基於該前處理資料建立 置。當於該信賴度興圖中的所有區域為高，不需建立-於其他具體例，當該介於該預測舆圖異 小或虽该"於該前處理預測輿圖及參考測量舆圖里 小，則不需，立一新的優先位置^ 異 一=針對—特定處理，信賴度舆圖之值皆為高 立一，使用較少數目測量位置’並減少總處“間 Ϊ=’|可:該等區域建立一個或-個以上新的優先位置ί 處理預測舆圖及參考測量輿圖之差異大，可建立—個 新的優先位置。例如，優紐置可針對完整的晶 例如特定象限(Ql、Q2、q3，或Q4)建立。 符疋&域， ^需要一優先位置，程序_可分歧至任務64〇， -優先位置，程序_可分歧至任務64^ 胃不而要 於任務640，可建立一個或一個以上優先位置。圖1〇顯示一 1351716 舆圖1020簡化的視圖，包括多數晶片/晶粒 :，請5、該前述12個測量位置ι〇3〇(標 記Ϊ M2)，及一參考側1_，該參考侧1040指示晶圓上的凹口 位置或基板上的特定側^或者，—賴前處_量輿圖，可包括 該晶圓上在不同位置的多數優綠置。當於該晶1]中-區域的作 S3署可建立—個或一個以上優先位置以作為前i 理測夏位置、。例如’當於該第i象限(Q1)晶片/位置(3_2)之信賴度 值低’其可被識別為該優先位置，並指示該量測設備於該 行測量。 β β亥則處理信賴度輿圖可為該經計算前處理預測值之信賴度 值1 ’且可為該經測量之前處理資料及落於必要規格内之前處理 之經預測資料之信賴度值量。 當需要一新的前處理優先位置，可建立一新的前處理量測配 方，且該新的配方可用於指示該量測設備在一個或一個以上優先 位置進行額外的前處理測量。 於一具體例中，該新的前處理優先位置可從一組預先定義的 位置中選擇。例如，於設定及/或驗證程序期Μ，測量可能已在多 於4〇個」立置進行’且可使用此等位置中一個或一個以上。或者， 該新理優先位置可不選自於一組預先定義的位置。 當計算該前處理信賴度舆圖之同時該晶圓仍在該量測設備 :在延遲極小量的狀態實施額外的新建立的優先位置測 里。當信賴度舆圖係於該晶圓已離開該量測設備時被計算，新的 配方可較晚使用，且該額外的優先位置測量可在延遲一段時間後 實施。 口 =於二具體例中，當針對一優先位置之該測量資料被建立，其 可該與=處理預測輿圖中的資料比較。或者，當針對一優先位置 之量資料被建立，可以儲存並且之後與該前處理預測舆圖中 之賣料比較。當針對一優先位置之該測量資料，落於由晶圓均勻 度規格所建立之界限外時，可宣告一錯誤狀態。 45 1351716 之值當之鮮 1*㈣接近於某—特定預測舆圖 或Γ於該優先位置周圍的區域。例如，當一個 第1别處理預測興圖中之-或多個值，則該 可用於該第1象限。 j飞第1刖處理預測舆圖 之值當位置之該測量資料非接近於預測舆圖中 域。例如，並使祕該優先位置周圍的區 戍多測量值個以上優先位置落於該第1象限，且該一 ，夕㈣值不接近於該前處理預測興圖之

處理預測輿圖，並使用於該第1象限。 m 又立新的刖 度興=2測朗改變，可計算-新的信賴度與圖或-新信賴 =任務645，如果信賴度舆圖落於要求的界限内，該晶圓可 被處理。於-具_巾’―紐程序可被實施，域修整程序可 以一些不同方式實施，如圖4A-4D及圖5A-5D所示。或者，可 實施一不同的程序。 於一修整程序期間，可以計算一個或一個以上處理配方及一 組=上控制設定(配方參數）。當圓形晶圓被處理時，可以針對於 半徑方向之改變，調整處理配方，當非圓形晶圓被處理時，可以 針對於橫向發生的改變，調整處理配方。 於一具體例中，可實施橫向修整處理，以改變特徵部的尺寸 及/或形狀。該處理系統100(圖丨)可使用一修整配方(如此處所述) 以處理該晶圓《例如，該修整程序可包括一化學性氧化物去除 (Chemical Oxide Remova卜簡稱COR)處理。用以實施COR處理 之方法與系統教示於同在審查中的美國專利申請案號 10/736983(案名「Method of Operating a System For Chemical Oxide

Removal」’ Tomoyasu等人提申於2003/12/17)，及美國專利申請 案號 10/7〇5201 (案名「Processing System and Method For Treating a Substrate」，Hamelin等人提申於2003/11/12)，皆引入於此作為 46 1351716 參考。 視圖圖於之ί體例^形成處理的簡_ 測量處理1125、-清潔處理U3〇一 T、一選擇性 者，可使用-組不同的處理。例如及;:f =置處理收。或 或可於該硬遮罩鐘空_)步驟之前實施測^賤步驟’及/ 於一具體例中，該第1測量處理 序，及可使用該第1測量處理 舆圖，例如測量舆圖、預測舆圖、传 、刖處理 如圖u所示，-第軸方案圖可第圖;^參考舆圖。 但在此發明中並非必要。或者，二第丨番二’、量处理1110， 該第画料可隨日編變，ί麟歧—要。 於不成^的處理被實施時，可測量(取樣)百分之百=圓，^ 成熟時兮:測量(取樣)少於百分之百的晶圓。田

序’且後處理興圖，例如測量額、預測舆圖里J 立。如圖u所示，一第施財案可關連 又 但在此發明中並非必要^者，一第2測量處理11351=f’ 該第2IMM轄可_間改變，且可祕蚊—取 於不成，的處理被實施時，可至多測量(取樣)百分之百鬥，’ 及當成熟的處理被實施時，可測量(取樣)少於百分之的= ^者皮選雜糧纽1125可為-前處理職料或二 理測量程序，且前處理/後處理舆圖，例如測量興圖=1處 信賴度輿圖’及/或參考興圖’可使用在選擇性測量處理、’、 間得到的資料建立。如圖11所示，一選擇性ΙΜΜ方 於 該選擇性測#處理1125，但在此發明中並非必要^或^，一、 性測量處理1125可非必要。該選擇性ΙΜΜ方案可隨時間變^擇 1351716 且可用=決定一取樣程序。例如，於不成熟的處理被實施時，可 至多測量(取樣)百分之百的晶圓，及當成熟的處理被實施時，可 測量(取樣)少於百分之百的晶圓。 包括輿圖之資料可前饋㈣及/或回饋㈣，以改良該晶圓處 • 理。 ▲ 一修整處理1115可用於處理具有孤立狀及巢套特徵部的晶 圓，且控制策略可用於定義該處理序列。於一孤立狀/巢套的測量 序列，該處理設備選用一 IM配方，並且可針對孤立狀及巢套的 結構，使用分別的IMM配方。各晶圓可針對各間距❻icth)及結 構，分別地測量。 # 於一測量程序期間，可將晶圓載入-整合式量測_模組； 一 IM g己方可載入於該iM模組;及一輪廓儀應用程式伺服器(pAS) 配方載入於該IM控制器。其次，可測量該晶圓，且將配方載 入於該ΙΜ控制器。然後，可使用該經測量之譜系，搜尋該資料 庫，並識別一個或一個以上孤立狀的結構。當測量孤立狀的結 構，可使用ΙΜ、PAS，及用於孤立狀結構之〇Dp配方。 隨後，其他IM配方可載入於一整合式量測(IM)模組，及一 其=PAS配方可載入於該IM控制器。該晶圓可被測量或可使用 先則的測量資料’且其他〇Dp配方可載入於該M控制器。其次， 鲁然後’可使用該經測量之譜系(spectrum)，搜尋該資料庫，並識別 一個或一個以上巢套的結構^當巢套的結構測量時，可使用IM、 PAS ’及針對巢套結構的〇Dp配方。測量序列可針對晶圓上一個 •或一個以上不同位置實施，且可將該晶圓卸載。 -射一於二具體例中，提供:一具有一第1間距之測量格柵，其與針 特疋產品及技術之該孤立狀的結構/特徵部一致;一具有一第 H距之其他測量格拇，其與針對此產品及技術之該巢套的結構/ ，徵部-致。例如，595nm格柵可用於孤立狀的結構，245膽格 冊可用於巢套的結構。於選擇性的具體例，額外的測量格桃可以 不同間距提供。於其他實施例，可使用612nm格柵。 48 1351716 、於該說明的具體例中，光阻特徵部顯示於位於閘極層頂部之 遮罩層上。或者，可存在多層光阻特徵部。此外，該遮罩層可包 括抗反射被覆(AntiReflective Coating ,簡稱 ARC)、BARC，及/ 或可調抗#刻(Tunable Etching Resistance ARC，簡稱 TERA)材 -料。再者，該閘極層可包括半導體材料、介電材料，及/或金屬材 料。 於一具體例中，一先前計算的預測輿圖被用為該測量資料興 圖。或者，可使用一經修改的預測興圖。 ^ 圖12顯示依照本發明之處理結果的舆圖簡化視圖。圖12顯 示處理結果舆圖1220之簡化視圖，包括多數晶片/晶粒121〇、前 述12個測量位置1230(標記為M2)，及一參考侧124〇，該參考 側1240指示晶圓上的凹口位置或基板的特定侧。於一具體例 >中，

處理結果舆圖可使用測量舆圖及/或處理舆圖決定。或者，處理結 果興圖可使用處理模型決定。 Q 如已說明的具體例中所示，處理結果興圖可使用「pR1」及 「PR2」值分割成不同的區域，且可針對該不同的區域建立不同 的值及/或規則。或者，可使用不同數目的區域。該第丨群位置 PR1」可具有與其關連的一第1組處理結果，該第2群位置「pR2」 了具有與其關聯的一第2組處理結果。對本發明，不必要為2群， 鲁僅為例示。或者，可使用不同數目的群。例如，當預計為一組實 質均勻之處理結果時，可使用單一群，及2群技術可用於說明中 ，區域及一邊緣區域之差異。此外，一 2區帶(z〇ne)技術可用於 .簡化該計算處理，或可於每當預計針對一中間區域及一邊緣區 域，發生不同的處理結果及/或不同的測量結果時使用β 當實施一修整程序，可使用一個或一個以上處理結果舆圖。 例如，修整舆圖可用於描述橫向钱刻量，侧壁角調整舆圖可用於 描述側壁角量改變，容忍度興圖可用於識別於一個或一個以上資 料項目中的可容許變異。 於任務650，可實施詢問以決定何時執行後處理測量處理。 49 1351716 ^該處理成熟’鱗理結果應為蚊，且不麟要該後處理測量 處理。然而，有些晶圓可識別為處理驗證晶圓，可對此等晶圓實 理測量處理。當該處理不成熟，處理結果為變動的， 該後處理測量處理可被實施。倾處糊量處理不需要，程序_ 可分歧至任務685，及當需要後處理測量處理，程序 至任務655。 叹 _於任務655，可實施後處理測量處理。於一具體例中，可執 行了控制策略並用以設立該後處理測量處理配方。， 可被送到_ IMM14。(圖”，於該處，可在實絲餘序後了測量 經過圖案化之晶圓的特徵部。或者，可使用不同 如可進行TEM及/或SEM測量。 m紙例 夕示於一包括多數晶片/晶粒_之圓形晶圓_ 理測置舆圖132〇的簡化視圖。圖13B顯示於包括多數晶 片曰曰粒1310之方形基板1350上之後處理測量興圖13加視 圖。於該說明的具體例令，顯示125個晶片/晶粒，但在此 並非必要。或者，可顯示不同數目的晶片/晶粒。此外，所^ :用於說明’對本發明並不是必要的。例如’晶片/晶粒‘可‘ 列(row)及行(c〇lumils)，為了說明，標以〇至12 外，12個晶片/晶粒1330標以i_12，及此等晶片/晶粒可用於 ，後處理測量興圖132〇，定義測量位置之位置。或者，可使^ 其他後處理測量方案及/或其他測量位置。 一 後處理測衫案可基於儲雜歧㈣庫L 3 ^ 二t導體製造商可歷史性地在進行^測 :關連於以SEM設備測量之該資料。其他; 貝料。 干i ^立具署體φΠ處理/曰圓之該特徵部可在圖以及⑽所 不1-12位置中的-個或-個以上位置測量。例如，後處理晶圓上 50 1351716 之該特徵部可如圖4A-4D及5A-5D所示。

Of Fif 量輿圖可包括一個或一個以上適合度(—s -個以、—個或—似上格栅厚度舆圖、一個或 個i (CD)舆圖、—個或一個以上⑦輪摩舆圖、一 - ur上材料厚度舆圖、—個或—個以上材料截面積舆圖、 個以上溝渠截面積舆圖一個或一個以上側壁角， ‘，或個以上寬度微分(differential wi 包括位置結果資料、位置數目資測 位置數目資料、χ座標資料，及γ座標資料。 顯干計算""錢—個社後纽_朗、。圖14 =、\142G的簡化視圖，包括多數晶片/晶粒 “刖述12個測量位置143〇標以M2，及一來者 ^ 1440 0 =e-fming)辩以計算晶圓上未被測量之位置的U曲3 他具體例，該預測興圖可使用表測 = 數學技術蚁。 π，或其他 一第1後處理方程式可使用來自於第6列 (=)(射位置2、3 ’及η)之測量f料決定，且 = 程式可5f於f /或修改以針對晶片/晶粒(《、6·4、6·6、6-7处6 及6-9)計算預計之後處理測量資料，及該第】後處理:亦二 使用及/或修改以外插針對晶片/晶粒(6_〇、6· 被 該第1前處理方程式。 使用，、他>則量位置以決定 ，第1後處理方程式及/或一經修 置8)之後處理測量資料。當該第mm7=量位 或適當地修改，可宣告-錯誤㈣。^卜定及/ 測量值及/或計算/預測值’落於對該晶圓建:之均該 51 ^51716 可宣告一錯誤狀態。 置/Hi錢理方程式及/或-峰改之版本尚馳使用於計 ί =針對該晶81上其他位置之值。於—具體财，該整個第1 期可伽該第1航理方程式及/或—歸改之版 一個或一個以上計算及/或預測值落於針對該晶圓建立 J 1限外，可宣告一錯誤狀態。或者，該第1後處理方程 ί及或一經修改之版本可使用於計算/預測針對該晶圓一部分之 值。例如，該部分可包括一個或一個以上象限。 此外，第2後處理方程式尚能使用來自於第7行(測量位置 、、9，及10)之該後處理測量資料決定，且此第2後處理方程 式可使用於及/或修該以針對晶片/晶粒(3_7、4_7、6_7、、9_7， ^〇·7)計算預計之後處理測量資料’該第2後處理方程式可被使 修改以外插針對晶片/晶粒(〇-7、Μ ’及12-7)之預計後處 測篁資料值。或者，其他測量位置可被使用以決 理方程式。 处 斜斜ϋ纽方程纽/或—轉改之版本可胁計算/預測 愛ΐϊ Γ第6行之晶片/晶粒之值。該第2後處理方程式可視 要予以L改以更為良好地擬合於第6行(測量位置5及及 ^則量位置4及3)之該測量資料。當該第2後處理方程式不能被 决疋及/或適當地修改，可宣告一錯誤狀態。此外，當一個或一個 =該測量值及/或計算/_值落於針_晶圓建立之均句度界 限外，可宣告一錯誤狀態。 該第2後處理方程式及/或經修改之版本尚能被使用以計算/ ，測針對該晶圓上其他位置之值。於一具體例中，完整的 ^預測舆圖可使用該第2後處理方程式及/或—經修改之版本 叶异。當一個或一個以上計算值及/或預測值落於針對該晶 ^均勻度界限外，可宣告-錯誤狀態。或者，該第2後處理方程 :及/或一經修改之版本可被使用於計算/預測該晶圓一部分之 值。例如’該部分可包括一個或一個以上象限。 52 1351716 或者’該第1後處理制舆圖可僅使肋第i 或該第2預測後處理舆圖可僅使用該第2後處理方程^ ίί理：針對實質上均勻之處理，可使用例如此程序於‘ 15 計算—個或-似上後處理_度舆圖。圖 12個測量位置153G標以μ12之數字，及參考^ = ^考側1540可指示凹口位置^於―具體例巾，後處理信賴产 1後處理預測舆圖及該第2後處理預“ 參考測圖3差=$信賴度舆圖可利用後處理預測舆圖及 如已說，的具體例中所示，信賴度舆圖可使用「C1」及「C2 值分割成所示^ _區域，且/或針雜不同的區域建立規則。例 如，2區域可用於說明介於一中間區域及一邊緣區域之差 者，可使用不同數目的區域。 、< 於其他具體例，後處理信賴度興圖可使用介於後處理 圖及針對該晶®建立之該均勻度界限之差異計算。例如，當一^ 測舆圖之值接近於均勻度界限，該信賴度值可能低於當一 圖之值非接近於均勻度界限。 =一具體例中，一第1種後處理信賴度興圖提供該測量資料 中的信賴度值估計值，換言之，即該細測量資料是否為正確。 ，為測量完整的晶圓可能花費太久時間，因此使用較少數目的測 量位置，且必需建立信賴度因子以確認該預測測量資料精確地代 ，使用對於該晶圓上更多位置或更大部分測量時可能得到的資 ，。一第2種後處理信賴度興圖可提供修整處理中的信賴度值估 計值。，因為測量經過處理之完整的晶圓可能花費太久時間，且半 導體製造商希望蜂認該處理已被正破地實施，因此可將實際測量 資料及/或預測測量資料與預計的目標值比較，當此等數目落於指 定界限内，即使未測量完整的晶圓，半導體製造商可確保該處理 53 1351716 已被正確地實施。 於任務670，可實施詢問以決定何時基於後處理之資料建立 優先位置。當該後處理信賴度興圖中所有區域之值為高，需要建 立新的優先位置。於其他具體例，當介於該預測舆圖之差昱小， 及/或當介於該後處理預測舆圖及參考測量舆圖之差異 ^ 要建立新的優先位置。 、 、 一此外，當針對某一特定處理，後處理信賴度舆圖之值皆為 J ’可建讀的測量方案，使用較少數目測量位置，以能降低總 處理睹Ρβ气。

一當該後處理信賴度舆圖之中一個或一個以上區域的一個或 一個以上值為低，可在該等區域建立一個或一個以上新的優先位 置。於其他具體例，當介於該後處理預測興圖之間的差異大，及 /或當該後處理預測舆圖和參考測量舆圖間之差異大，可建立一個 ，-個以上新的優紐置0例如，可針對完整的晶圓或一特定區 域’例如—特定象限(Q1、Q2、Q3，或Q4)建立優先位置。 /當後處理優先位置為必要，程序600可分歧至任務675，告 後處理優先位置不必要，程序6〇〇可分歧至任務68〇。

於任務675 ’可建立一個或一個以上優先位置。圖16顯示一 1^後處^測量舆圖1620的簡化視圖，包括:多數晶片/晶粒 i 新的後處理測量位置1635、該前述12個測量位置1630 私,己為1-12 ’及一參考们_，該參考侧測可指示晶圓上之 =口位置或基板上的特❹卜或者，—新的後處理測量興圖可包 f晶圓上在不同位置之多數優先位置。當該晶圓之—區域的信 建立—個或—個以上優先位置以作為後^ =里位置。例如，當該第！象限㈣晶驗置(3_2)之信賴度 值低丄可獅為肢健’並指示該制賴在齡置進行測量。 方曰^二新的後處理縣位置，可設立—新的後處理量測配 方，且賴的配村用於指補量酿備在-個或-個以上優先 位置進行額外的後處理測量。當該後處理信賴度舆圖被計算的同 54 比 1716 ΐ，該晶圓位於該量測設備，該在新建立之優纽置的額外測 極小量，施°當該後處理信賴度舆圖在該晶圓已離 後被計算’該新的配方可於之後使用，且於該優先 4置之該額外的測量可在之後的時間實施。 齡ϊζί體例中’ #針對—優先位置之該測量資料被建立，可 興圖中i資料比較。或者’當針對—優先位置之 料比# 乂 可儲存並且之後與該後處理預測舆圖中之該資 建立=界限外，可宣告一錯誤狀態。 吓 枯二針對優先位置之該測量資料接近於一特定預測盥圖之 興圖可用於優先位置周圍的區域。例如，當η固 該第1象限，且該-或多個測量值接上 1象限，H、圖之值，則該第1後處理預測舆圖可用於該第 圖」針^7優先位置之麵量資料非接近於於—特錢測座 的預測舆圖，並使用優先位置周圍的區上 =蔷或—個以上優先位置位於該第1象限，且該一或多 一新的近於該前處理預測興圖中之—或多個值，則可設立 新^處理預測舆圖，並使用於該第i象限。 圖或計算-新的後處理信賴度舆 配方配方設立’簡的測量 優先位置進行^例如，減、_丨、^4測設備在-個或—個以上 他晶圓。或者，該目前：晶圓方可用於_下-晶圓或其 新的後處理測量配方再次曝。到—制設備巾’並使用該 圖理，興圖改變，可計算-新的後處理信賴度輿 55 1351716 或一if Ϊ域’例如—特定象限(Q卜Q2、Q3，或齡+置。 當該處理成熟，其他後處理測量處 冰 々果應為桓疋，且該不雲龙;ίέ產ϊΦ通丨 於任務680 理。 然而糊“要後處理測 晉處理 程序Ϊ量處理。當不需要其他後處理測量處理， %序600可分歧至任務685， 里外卫 可分歧至任務655。 及田而要後處理測里處理，程序600

，一具體例中，t已識別一個或一個以上優先位置 -個或-似上優紐置實錢處糊量歧。 ⑴ BI C具’使用先前計算之預測舆圖作為該測量資料與 圖。或者，可使用經修改的預測舆圖。 貝付/、 -實2= 685此:!施詢問以決定何時需要額外的晶圓處理。 處理，-些數目之晶圓可以批或批次之方式處理 要額外的晶®纽，斜_可分歧至任務㈣， 的晶圓處理，程序600可分歧至任務61〇。 而要額卜 程序600可結束於690。 於選擇性的具體例，可使用可腿刻抗#(Tunable触 —ARC ’簡稱為TERA)材料’作為一驗。材 一g ARC材料及/或-硬遮罩材料，且該間極材料可包括、驗， 及應變石夕(strained silicon)。 圖17A-17C說明依照本發明之具體例，用以實施動態取樣之 不同處理方法。估算晶圓測量配方設定(針對量測之變^配方 用程式，可以3種不同的方法實施:該第丨方法使用制量分析系 統(Timbre PAS)，該第2方法使用該設備處理控制系統 (Telius®/Ingenio®)，且該第3方法使用工廠主機。 — 於圖17A所示’該說明的具體例中，一個或一個以上動態取 樣應用程式可在測量分析系統藉由PAS控制器實施。於1A，配 方表可與晶圓情況一起送到IM，且可使用PJ開始指令'。於2A， 56 1351716 該IM可傳送晶圓情況至一 pAS控制器，且可包括一選擇性晶圓 ，圖。於3A，該PAS控制器可呼叫一或多動態取樣(DS)應用程 式。於4A , DS應用程式可用於估算該晶圓舆圖位置位置調整。 於5A，該PAS控制器可傳送變數調整訊息至IM〇於6A，該IM 可利用經修改的配方進行測量。 圖1所示，於該說明的具體例中，一個或一個以上動態 似用^程式了於一先進處理控制(Advancecj process Control，簡 系統以—控制器實施。於1B ’配方表可與晶圓情況一起 5二ΔΡ二且可，用1^開始指令。於2b，該設備可傳送晶圓情況 控制器，且可包括一選擇性晶圓舆圖。於3Β，該APC f呼叫7個或一個以上DS應用程式。於4Β，一 DS應用 Γ估算該晶圓舆圖位置之位置調整。於5 B，該設備控制 制器接收變數調整訊息。於6B，該設備控制器可 行測量。5訊息至IM。於7B ’該1M可利用經修改的配方進 揭雇示’該說明的具體例中，-個或-個以上動態取 以i曰鬥二0 乂一主系統中藉由一控制器實施。於1C，配方表可 3C，主；^_至機控齡，可包括—選擇性晶圓舆圖。於 DS廇用t Λ呼叫一個或一個以上DS應用程式。於4C， 應用程式可用於估算該晶圓翻位·置調整。於5C， L叙、、變數調整訊息至該處理麟。於6C ’該^:餘制3可傳送 變數調整訊息至IM。於7r心又備控制器叮傳达 稽夂昭HM 士於7C，該1M可利用經修改的配方測量。 測、選擇，或計算一植虚踩失齡，以、垂il，、圖間之差異以預 狀離碰入dn—處理參數達成所望的結果，將該晶圓 數；為‘方之'坌〒為該所望的狀態。例如’此組預測的處理參 _於提供均勻處理。此外，可從 于N量與圖及/或處理結果輿圖，並可用於更新該第 57 1351716 1估計值。 該控制器120可基於一個或一個以上輸入狀態輿圖、一個 一個以上處理模組特性舆圖，及一個或一個以上處理模型，針 該晶圓估算預測的狀態興圖，例如，修整速率舆圖與處理時間一 起使用於估算預測的修整量舆圖。選擇性地，蝕刻速率興圖可鱼 處理時間-起使用於估算侧深度興圖，且—沉積速率舆圖可[ 處理時間一起使用於估算一沉積厚度興圖。 /、

該控制器120可使用該後處理測量舆圖及/或資料，以估 第1組處理誤差。此組估算的組處理誤差可基於一個或一個以 所望的處理結果翻決定，且從—個或—似上該後處理測 圖決定該實際處理結果舆圖。於-情形中，雜㈣12G得^ 必要舆圖，及該控制器12〇使用一個或一個以上輿圖決定於 所望的狀態及該實際狀態之差異1此方式，可將-個或一個^ 上測量之實際處理結果舆圖與一個或一個以上所望的處理結 與圖比較，以便決定對該處理配方之修正量。例如，該「結果 舆圖可包括頂部CD舆圖、底部CD舆圖、侧壁角舆圖，U I針對祕整纽、該BARC鏤紐域理，及/或娜立狀/巢 套蝕刻處理，而對該處理配方進行。 、於其他情形中，該控制器12〇可針對該晶圓得到一個或一個 以上預，，態舆圖及—個或—個以上輸出狀態舆圖，及該控制器 20決定该介於該預測狀態舆圖及該輸出狀態興圖之間的差異。 =此方式’測#的實際處理結果期可與賴處理結果興圖比 較’以便核-個或-似上處賴魏/或朗之修正量 該結果」興圖可包括頂部0〇興圖、底部CD舆圖、側壁 2圖，，正可針對該修整處理、該BARC鏤空侧處理及/ 或該孤立狀/巢套蝕刻處理，而對該處理模型進行。 々更新’可藉由運作晶81監控、測試，及/或生產而產生 之回饋貝料，更改該處理設定並觀察結果，接著更新—個或一個 以上不R的輿圖來實施。例如舆圖更新可藉由測量監控晶圓之前 58 1351716 及之後特性，以每N處理小時之間隔更新。藉由隨時間更改設定， 以檢查不同的操作區域，該完整的操作空間可隨時確認，或者一 次以不同的配方設定運作數個監測晶圓。該興圖更新可發生於該 控制器120、該處理設備，或工薇，允許該工廠去控制及/或管理 該監測晶圓及舆圖更新。該控制器12〇可於處理序列之一個或一 個以上的點更新輿圖。於一情形中，該控制器12〇可使用前饋資 訊、模型化資訊，及該回饋資訊，以決定是否要在運作該目前的 晶圓之前、運作下一晶圓之前，或運作下一批之前，改變一個或 一個以上該目前使用之舆圖。 於決定對一處理之信賴度因子時，可使用一必要的處理結果 /、圖該必要的處理結果舆圖可包含介於該所望的處理結果舆圖 ^玄實際測量資料興關之差異。所望的處理結果，例^目 払資料，可與測量資料比較。例如，該所望的處理結果輿圖可包 含至少一所望的溝渠面積舆圖、一所望的材料厚度舆圖、一所望 =側壁角觸、-所望的格柵厚度翻、-所望的橫截面面積舆 所望的CD寬度舆圖、一所望的CD深度興圖、一所望的 ，徵部輪_圖、—所錢修整量翻、—所望的深度微分舆 ° “所望的均勻度舆圖，及一所望的寬度微分興圖。 ^舆圖應用程式被實行時，與圖之來 事先識f。例如，興圖可在外部產生，或產生於内部 蚀用生的翻可由該順130提供。該内部產生的舆圖可 以決— GUI輸人以建立。此外’可提供商務規則 传用火」產生的舆圖或一内部產生的舆圖之時機。與圖在 使用則，需先經評估以及預先檢查合格。 人士雖本發明之某一具體例，但是熟悉此項技藝之 可將且體^不偏離本發明之新穎教示及優點的範圍内， 明之：Γ 因此’所有此等修改意欲被包括於本發 因此該敘述並不用於限制本發明，且敘述不意欲限制本發 59 之，及之本發明組態、操作及動作，可作修飾及變更。综古 範圍以或意欲限定本發明’本發明: 【圖式簡單說明】 ，，方塊圖例，顯示依照本發明一具體例之處理系統 處理H為一簡化的方塊圖，顯示依照本發明之一具體例之另一 圖3為-視_ ’顯示依照本發明之—具體朗光學量測系 統， 圖4A-4D說明依照本發明之具體例之修整程序例； 圖5A-5D說，依照本發明之具體例之修整程序例； 操作圖程圖，說明依照本發明之—具體例之用於 測量it及7Β為一視圖例’顯示依照本發明之具體例之前處理 測興Ξ;8為—視圖例，說明依照本發明之—具體例之—前處理預 产興ΐ 9為—棚例，說明依照本發明之具體例之一前處理信賴 理測圖為—視圖例，說明依照本發明之具體例之—新的前處 = 11=照本發明之具_之—例示之_形成處理； ‘曰’化的視圖’顯示依照本發明之具體例的處理結 果興圖， 理測認ϋ及13B為―視圖例’顯示依照本發明之具體例之後處 圖14為-視圖例，顯示依照本發明之一具體例之後處理預 測興圖； 1351716 圖is為一視圖例，說明依照本發明之具體例之後處理信賴 度興圖； 動態取樣之不同的處理方法。 【主要元件符號說明】 100 處理系統 100， 整合處理系統 110 處理設備 112 連結件 115 處理模組 120 控制器 122 連結件 130 製造設備系統(工廠系統)(MES) 140 整合式量測模組(IMM) 150 傳送系統 300 光學量測系統 302 晶圓 304 週期性柵格 310 電磁源 312 入射信號 320 偵測器 322 繞射信號 322A 繞射信號 322B 繞射信號 322C 繞射信號 330 信號處理系統 700 圓形晶圓 圖16為一視圖例’顯示一依照本發明具體例之新的後處理 圖17A、17B及17C，說明依照本發明之具體例，、 抱娱夕笊问沾虎理方法。 乂實施 1351716

710 晶片/晶粒 720 前處理測量舆圖 730 晶片/晶粒 750 方形晶圓 800 前處理預測舆圖 810 晶片/晶粒 830 測量位置 840 參考側 900 信賴度興圖 910 晶片/晶粒 1010 晶片/晶粒 1020 前處理測量舆圖 1030 測量位置 1035 前處理測量位置 1040 參考側 1105 處理設備 1110 第1測量處理 1115 修整處理 1120 閘極蝕刻處理 1125 選擇性測量處理 1130 清潔處理 1135 第2測量處理 1210 晶片/晶粒 1220 處理結果興圖 1230 測量位置 1240 參考側 1300 圓形晶圓 1310 晶片/晶粒 1320 後處理測量興圖 62 1351716 1330晶片/晶粒 1350 方形基板 1410 晶片/晶粒 1420後處理預測舆圖 , 1430測量位置 1440 參考側 1510晶片/晶粒 1520後處理信賴度輿圖 1530測量位置 1540 參考側 籲1610晶片/晶粒 1620後處理測量興圖 1630測量位置 1635後處理測量位置 1640 參考側

Claims (1)

1351716 聯气4月1-¾修至4換頁 申請專利範圍： 1.一種處理晶圓之方法，包含： 案化的雙層ΐ瓢於，粒具有一經圖 遮箪層· '、 /、 w又層遮罩匕括一軟遮罩層及一硬 使用&亥晶圓之測量得之量測^ ^ 圖’該測量得之量測資料包括:該圓至===輿 量測資料;該晶圓上至少一巢套曰孤立狀雙層結構的 料； 果砮又層結構的I測資料，或遮罩資 座圖基ΐί^ί?測量輿圖，針對該晶圓計算一第1前處理預測 測與圖包括針對該晶圓上的該多數晶。 一弟1組預測之測量資料； 7双日日 句括算一前處理信賴度輿圖，該前處理信賴度舆圖 賴产資料多粒的—組信賴度資料，其中該信 ，度貝·使用料丨祕理_簡與歷史f料間之差異而決 疋5 展ρρΪ針個ίΓ個以上晶粒之信賴度資料未落於該信賴度 界限内，決疋一優先的測量位置； ^生包括該優先的測量位置之—新的測量配方； =對實質上所有該晶粒之信賴度資料該 内，針對該晶圓計算控制設定； & 1「 使用5亥經计异之控制設定以處理該晶圓； 使用Abb圓上至少-孤立狀的結構的特徵部尺決定一 罩層包含光阻材料’且該硬遮罩層包含底部抗 反射被覆(BARC)層； 使用该晶圓上至少-巢套的結構的特徵部尺寸，決定一第2 值； ，該第丨值大於鱗2值，執行—孤立錄彻 控制朿略，其中該孤立狀較大(Iso_Grea㈣控制策略包含:一孤立 64 1351716 ,,一 溱10遏85(^與線).: 案’用以控制-孤立狀/巢套蝕刻 制BARC蝕刻處理，或其2種以上的纟人. 當該第1值小於該第2值，執行一巢^ 、 ΐ 物，用以控制 2·如申請專利範圍第1項之處理晶圓之方法，尚包含：

旦盥^用ΐί，之新測量得之量測資料，產生—新的前處理測 以量該！圓量配方係當產生該新的前處理測 、計算針對該晶圓之一新的前處理預測興圖，該新的前處理預 測輿圖包括針對該晶圓上的該多數晶粒之一組新的預測測量 料； ' 計算針對該晶圓之一新的信賴度興圖，該新的信賴度舆圖包 括^對該晶圓上的該多數晶粒之一組新的信賴度資料，其/中該新 的信賴度資料係使用該第i前處理預測舆圖、該歷史資料、或該 新的前處理預測興圖，或其組合決定； 當一個或一個以上晶粒之該新的信賴度資料未落於該信賴 度界限内，建立一錯誤狀態;及 Q、 當實質上所有該晶粒之該新的信賴度資料落於該信賴度界 限内，處理該晶圓。 、 3.如申請專利範圍第1項之處理晶圓之方法，尚包含： 、 計算針對該晶圓之一第2前處理預測興圖，該第2前處理預 測舆圖包括針對該晶圓上的該多數晶粒之一第2組預測測量資料; 及 、 計算針對該晶圓之該前處理信賴度舆圖，該前處理信賴度舆 圖包括該晶圓上的該多數晶粒之一組信賴度資料，其中該信賴度 65 丄刀丄7丄6 100年4丹f終替換頁 資料利用該第丨舒一理花 卜咏68%f[ 異決定。^刖處理預測舆圖和該第2前處理 4‘如利範圍第3項之處理晶圓之方法，尚包含： 測量輿圖針新量得之ί測資料，產生-新的前處理 時用於測量^晶f、測1配方係當產生該新的前處理測量輿圖 測興圖新的前處理預測舆圖’該新的前處理預 轧括針為该曰曰圓上的該多數晶粒的一組新的預測的測量資 括針ΐϊΐίΐίΐϊ—新的信賴度舆圖，該新的信賴度舆圖包 的信賴;;曰曰粒之一組新的信賴度資料，其中該新 圖、，1前處理預測興圖、該第2前處理預测興 亥新的剛處理預測舆圖，或其組合決定； 界限之該新的信賴度資料未落於該信賴度 内，有該晶粒之該新的信賴度資料落於該信賴度_ 5·如!專利範圍第1項之處理晶圓之方法，尚包含： 圓；虽需要後處理量測資料’於一量測模組中測量該處理過之晶 區域不需要後處理量測資料，將該處理過之晶圓傳送至一支持 接收一新的晶圓。 6.如申請气利範圍第5項之處理晶圓之方法，尚包含： 於一量測模組中測量該處理過之晶圓； 使，針對該處理過之晶圓之經測量得之量測資料，產生一後 ^理測量興圖’該量測資料包括:針對該晶圓上至少-經處理之孤 θ狀結構的量測資料;針對該晶圓上至少一經處理之巢套結構的 夏測資料； 66 1351716 頁 十 =¾¾扉替換 ，處理預測輿圖包括針對於處理- 第1組預測之測量資料； u上的及夕歎曰曰杻之_ 賴度，，圖，該後處理信 S間2ΪΪ;貝枓係利用該第1後處理預測輿圖與該歷： 當針對一個或一個以上晶粒古 ^ 度界限内，決定-後處理優先的測量位 1賴f貝枓未洛於該信賴 7如H包括該優先的測量位置之—新的測量配方。 7.如申請巧賴* 5項之處理晶ϋ之枝=含： 於一罝測杈組中測量該處理過之晶圓. 處理:===== 量測資料，針對該晶 計算針對該處理過之晶_—第 後處理:則:圖第2後處理預測舆圖，該第2 粒之預測之測量資料；、、且、’、於處理過之晶圓上的該多數晶 賴度^ ’職處理信 度資料，其中該信賴度資料使用該第數晶粒之一組信賴 後處理細俱_之差異決定；Λ<理預測舆®及該第2 界限;’:定j度資料未落於該信賴度 產生包括該優先_量位置之—新_量配方。 67 丄丄/丄Ο ΐ4 S俾轉替換頁 8.如申請專利範圍 IL1 68 MM 當該新的測/m r法，尚 模組中，於該量賴^，使用：4^處曰理過之晶圓位於量測 過之晶圓；、使用μ新的測I配方重新測量該處理 計算一用於測置該處理過之晶圓； 後處理預測興圖之新的後處理預測興圖，該新的 新的預測之測Ξίΐ對處理過之純上的該多數晶粒之一組 計算針對該處理過之晶圓 度輿圖包括針對於處理過二上輿圖，該新的信賴 賴度資料，其中該新m夕數曰曰粒的一組新的信 %第2後處理預物 信賴該新的信賴度資料未落於該 限内；資料落於該信賴度界 使用-第！前處理方:圓之方法，其中： 預測輿圖，該第！前處理該晶圓之該第1前處理 個以上測量位置的測^用來自位於—第1方向之2 使用一第2前處理方采口十丄狀 預測舆圖，該第2前處心二:丨算針對該晶圓之該第2前處理 個以上測量位置的測係利用來自位於—第2方向之2 使用一第】前處理=處，圓之方法’其中： 測興圖，該第1前處理异針對該晶圓之該第1前處理預 個以上測量位置的來自位於—第1半徑方向之2 68 ,年04月1傳.絛1_換頁 使用一第2前處理表面，計曾鈕铒^ 硎興圖，該第2前處理声面伤士丨二=對该晶圓之 個以上測量位置 用來1位於-第r半以t預2 2申請專利範圍第1項之處理晶圓之方沐甘 ，前處理信賴度輿圖之計算，係該針對該晶圓 弟1丽處理預测興圖、一歷史處;Ί ;—參考測量興圖及該 理預測舆圖間之差異。 j處理預測輿圖，或-平均的前處 12.如申請專利範圍第i項之處理晶 1前處理信賴度興圖之計算，係^該針對該晶圓 一歷史前處理預測興圖間之差異。μ弟1剐處理預測輿圖和 13_如申請專利範圍第3項之處理晶圓之方 之該前處理信賴度輿圖之計算中該針對該晶圓 第2前處理預測輿圖，或一平均的:2則處理預測舆圖、該 一個以上均勻度界限。 处里預，則輿圖，比較一個或 如申請專利範圍第3項之處理晶圓之方法，a 中厂個或一個以上晶粒於該第1前處理預測;中!，1區域 則興圖，或-平均的前處理預測輿圖有^二，第2前處理 上均勻度界限，縣定於該晶圓之該第f個或-個以 置。 弟1Q域建立優先的測量位 如申請專利範圍第3項之處理晶圓之方 中-個或-個以上晶粒具有—差異超過於第丨=自二第1區域 以上均勻度界限，則決定於該晶圓之該第=之-個或-， 位置，其中該差異值係使用介於—參考:=立優先的測量 預測舆圖、該第2前處理預測輿圖，^—=^第1前處理 間之差異計算。 十均的則處理預測興圖 16.如申請專利範圍第3項之處理晶圓之方法， 中-個或-個以上晶粒之差異超過該第j區域二：:” ，勻度界限嫌定於該晶圓找第丨優先上 ”中該差異健介於-和度界限和卿丨前處理里預#輿 69 1351716 2前處理預測輿圖，“ ,， 異0十异。 "平岣的前處理 17·如申請專利範圍第7項 後處理 方向之2 使用一第1後處理方程^理;曰f之方法，其中： 預測舆圖，該第1後處理方二2針對該晶圓之該第i 個以上測量位置的測量資 =、W來自位於一第i 使用一第2後處理方裎式弋，及― 預測興圖，該第2後處理方^ 針對該晶圓之該第2後處理 個以上測量位置的測量資料決^ 1用來自位於一第2方向之2 18.如申請專利範圍第7項之處理 使用-第1後處理表面，法，其中： f舆圖，該第1後處理表面係:用：自=圓，第1後處理預 個以上测量位置的測量資料決定及位於一第1半徑方向之2 使用-第2後處理表面，計’ ，圖，該第2後處理表面係利用圓，第2後處理預 個以上測量位置的測量資料決定。 ；第2半徑方向之2 19.如申凊專利範圍第7 曰 之該後處理信賴度輿圖之;，=該針對該晶圓 第！後處理預測舆圖、該夂後測f舆圖和該 理預測興圖間之差異決定。 '1、圖，或—平均的後處 20.如申5旁專利範圍第7項之處理晶圓夕古、土甘 該後處理信賴度興圖之計算，係利二第|後卢亥晶圓之 第2後處理制輿關之差異州用知1後處理_興圖及該 2曰專利範圍第7項之處理晶圓之方法，其甲該計算針對兮 2曰後广後處理信賴度舆圖’係對該第1後處理預測興圖、^ 個以:或一平均的後處理預測興圖，比較-個ΐ- 如申凊專利範圍第7項之處理晶圓之方法，其中當一第1 個或—個以上晶粒於該第1後處理預測舆圖、該第2後^二 Ϊ351716 替換頁 預剩舆圖’或一平均的後處理預測興圖有一值超 ^均勻度界限’則決定於該晶圓之該第！區域建立優先的測量位 23.如申請專利範圍第7項之處理晶圓之方法，其中當該 卜個或W自以上日日日粒之差異值超賴第丨區域之_ = 士均巧界限’則決定於該晶圓之該第丨區域建立優先 置，其中該差異值係利用介於-參考測量舆圖和該第 ^ 計J第2後處理預測輿圖’或-平均的後處理預测興圖· 24. 如申請專利範圍第7項之處理晶圓之方法，其中當 中-個或-個以上晶粒之差異值超過該第丨區域之—個或= 上均勻度雜，縣定於該晶D之該第丨區域建 置’其，，值係利用介於一均勾度界限及和第二 ί，: ί弟2後處理預測輿圖，或—平均的後處理預測輿圖間乂 差異计异。 25, 一種處理晶圓之方法，包含： 接收一晶圓，其中該晶圓包含多數晶粒，於各 經圖案化的軟遮罩層及一底部層； 上具有— 使用針對該晶圓之測量得之量測資料，產生一前處理盥 圖，該量測㈣包括:針_晶圓上至少—孤立狀 士 ^ ，料、針對該晶圓上，咖_結=㈡的 軟遮罩層資料、或底部層資料； 處理測量輿圖，計算針對該晶圓之前處理預測盥 = 包括針對該晶圓上的該多數晶粒的—_ 計算針對該晶圓之—前處理信賴度舆圖，該前處理 二賴的/;多數晶粒的一咖 g賴度貝枓係使用-參考輿圖和該前處理預測興圖間之差異決 1351716 1.00年4月fi參修降 1替換頁 彘10^585$畫f,》 當針對一個或一個以上晶粒之信賴度資料未^ 界限内，計算一優先的測量位置； 產生包括該優先的測量位置之一新的測量配方； 田針對實質上所有該晶粒之彳§賴度資料落於該信賴度界限 内’針對該晶圓計算控制設定； 使用該經計算之控制設定以處理該晶圓； 使用§亥晶圓上至少一孤立狀的結構的特徵部尺寸，決定一第 1值’其巾雜遮罩層包含光阻材料，且該硬遮罩層包含底部抗 反射被覆(BARC)層； 一 使用該晶圓上至少一巢套的結構的特徵部尺寸，決定一第2 值； ' 當该第1值大於該第2值，執行一孤立狀較大(Is〇_Greater) 控巧策略，其中該孤立狀較大(iS0_Greater)控制策略包含:一孤立 狀/巢套控制方案，用以控制一孤立狀/巢套蝕刻處理;一修整控制 f案’用以控制-修整處理;或一 BARC毅控制方案，用以控 制一 BARC蝕刻處理，或其2種以上的組合;及 # ^ 4弟1值小於§亥弟2值，執行一巢套較大(^jes_Greater)控 J策略，其中该巢套較大(Nes-Greater)控制策略包含:一孤立狀/巢 ^控制方案，用以控制一孤立狀/巢套的沉積處理;一修整控制方 案’用以控制-修整處理，或一 BARC鏤空控制方案，用以控制 —BARC蝕刻處理，或其2種以上的組合。 十一、圖式： 72 1351716 ίο鼻年角月裂換頁 9?1096各5(無’摊充j 圊式 '605 開始 處理系統接收基板 彳610 否 是否實行前處理測量處理？ 實行前處理測麵 計算前處理預測輿圖 計算前處理ί 澳圖 ,615 /620 '625 .630 '635 否 是否基於謙處理餓駐優先位置？ 基於麵處理顏數優先位置 進行基讎理 J45 '640 650 655- 660- 是否實行鋪理測量處理？ 實行雛理測量處理 計算麵理預測輿圖 是 否 計算麵理信賴度輿圖 670 是否基於該雛理麵建立優先位置？ 基於該麵理觀建立優先位置 是否實行另—麵理測量處理？ 是 處理另一晶圓 -680 結束 •690 600 圖6 第|2_頁