TWI345307B - Display device and method of manufacturing the same - Google Patents

Description

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三達編號：TW3357PA 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種顯示裝置及其製造方法，且特別 是有關於一種發光顯示裝置及其製造方法。 、 【先前技術】 有機發光顯示裝置係為一種自發光性裝置，具有由直 流低電壓驅動、高亮度、高效能、高對比性、輕薄化及可 撓性等優點。因此，有機發光顯示裝置將期待成為世 代平面顯示器之主流。 ‘ ' . 第1圖為一種傳統之有機發光顯示裝置100之示音 圖。有機發光顯示裝置100之結構包括數個矩陣式排列之 次晝素（sub-pixeDllO。每一次晝素110包括一開關構件 120及一發光構件130。開關構件120 —般係為一薄膜電 晶體（thin film transistor，TFT) ’用以驅動發光構件 φ 130。發光構件130 —般係為一有機發光二極體（〇rganic light emitting diode，0LED)。如第 1 圖所示，開關構 件120包括一閘極121、一源極122及一汲極123。發光 構件130包括一第一電極131、一第二電極132及一發光 層133。在實際應用時，發光層133例如是單層之一有機 薄膜或是包括複數層有機薄膜之一多層結構。第—電極 131係配置於絕緣層111之上並填滿導電通孔ma，以電 性連接發光構件130及開關構件120。開關構件ι2〇提供 發光構件130 —驅動電壓或電流，並控制其發光。 5 1345307

三達編號：TW3357PA 一般來說’顯示裝置100之製造方法主要區分為開關 構件120製程及發光構件130製程。在製程步驟中，尤其 在開關構件120製程中’無可避免地會由於空氣中的灰 塵、機器製程、含雜質之原物料等原因而產生汙染顯示裝 置的微粒子(particle)。即使僅有一微粒子被包覆於顯示裝

置之任一層，也會使在微粒子之後所形成的層造成不平坦 的情況而形成不正常的凸出物’而凸出物的形成可能造成 知·路（例如凸出物造成次晝素之正負電極相接觸而短 路）。除此之外，若微粒子黏附在發光區（如晝素區），可能 造成光散射（light- scattering)或光吸收(light abs〇rpti〇n)所 導致的影像缺陷，顯示裝置之良率也因此降低。 第2A圖至第2C圖繪示一種傳統之顯示裝置1〇〇製 程之缺陷。首先請參照第2A圖，提供一基板14〇，且其 上表面140a上具有一緩衝層141。接著請參照第2B圖， 開關構件120包括一閘極12卜一源極122及一汲極123。 ,5又於形成開關構件120之製程時，微粒子191意外地掉 洛並黏附於薄膜中。之後，進行發光構件130之製程，發 光構件130包括一第一電極131、一發光層133及一第二 電極132 ’如第2C圖所示，且第一電極131係填滿通孔 UU以電性連接發光構件130和開關構件120。如2C圖 =變Γ:::191掉落在一區域(且該區域在後續製 in 域p)，會造成覆蓋錄子191的絕_ A有凸起現象，進而在第—電極131上形成—凸 可月b導致第-電極131及第二電極132接觸而短路。 6 1345307

三達編號：TW3357PA 除前述微粒子產生的問題之外，石夕結晶化過程中晶體 成長亦可能導致顯示裝置的缺陷。第3圖繪示另一種傳統 之顯示裝置100製程之缺陷。由於近年來顯示裝置的趨勢 為將邏輯電路和記憶體電路等内建於顯示基板上，因考量 基板耐熱限制’及高積集度、高載子遷移率等需求，業界 係發展出一種低溫多晶梦（low-temperature poly silicon， LTPS)製程。其中，低溫多晶矽製程中多結晶化方法之技 術主要包括準分子雷射退火(excimer laser annealing, ELA) 及金屬誘導結晶（metal induced crystallization，MIC)製 私。由低溫多晶石夕製程產生之顯示裝置100，除前述製程 中微粒子產生的問題之外，更包括主動層124上殘留的問 題。就準分子雷射退火技術而言，在主動層124之結晶化 製糕中’晶界處之晶體會因晶體成長和相互擠壓而隆起； 而蝕刻主動層124後，緩衝層丨41上可能因主動層殘留產 生凸塊150而形成粗糙表面。另外，就金屬誘導結晶技術 而言，於晶界處會殘留矽化鎳(Nisi2)，亦可能形成凸塊15〇 ，使緩衝層141產生不平滑的表面。同樣地，在後續的發 光構件130蒸鍍製程完成後，第一電極131和第二電極132 可能因一連串的凸塊而不當接觸而造成短路。 如上所述，在顯示裝置製程中無論是多晶矽或非晶矽 製程皆可能存在微粒子黏附而造成缺陷的問題，而低溫多 晶矽製程中更可能產生不平滑的緩衝層141表面（如凸塊 150) 〇 7 1345307

- 三雜號：TW3357PA 【發明内容】 本發明係有關於一種顯示元件及其製造方法，以解決 在顯示裝置之發光區或畫素區中’微粒子落在薄膜及不平 滑表面產生後所造成之㈣，藉此可提升生產良率及降低 製造成本。

很爆不赞明之苐一方面，提出一種顯示裝置。顯示裝 置包括基板、-下凹區、一發光構件及一開關構件。基 板具有-上表面，且下凹區具有一下表面及數個斜壁。發 光構件包括配置於下凹區上之m-阻障層係分 隔第-電極和基板^發光層位於第—電極上，且一第二 電極位於發光層上。開關構件位於基板上並電性連接至發 光構件。下凹區之下表面係低於主動層之下表面。 晉勺:月：第二方面’提出-種顯示裝置。顯示裝 二、一面之一基板及數個次晝素。每-次晝素 ° 發光構件、一開關構件及-主動層。下 = 及數個斜壁。發光構件包括一第一電 凹區，並藉由阻障層層。第—電極位於下 上，第二雷搞g?罟和/、基板刀隔。發光層配置於第一電極 、 一 - ;發光層上。開關構件包括一間極、一 源極及一汲極。開關# 發光構件。主動層4==面並電性連接至 極，區之下表面係低:==:至源酿 根據本發明之第三方而钽山 田 法，包括以下步驟。开二棱出一種顯示裝置之製造方 %成一主動層於一基板之一上表面。 8

—達編戚：TW3357PA =成:開關構件於基板上。形成—下凹區，其一下表面及 二ς係低於主動層之下表面。形成—發光構件於下凹區上 連接至開關構件，且—阻障層係介於發光構件和基 凹 區時ίΓίΓ:之顯不襞置及其製造方法，係在形成下^ ;成門：燼：立子和/或凸塊的材料層-同移除，其中於 I成開關構件的製程中 發光構㈣iiw 缺嫌好直祕落在形成 ° <疋有凸塊產生於發光構件形成的區 i之上述内容能更明顯易懂，下文特舉較 佳實化例’錢合所_式，作詳細㈣如下： 【實施方式] 本發明所提★ 決上述先前技術—種顯示裝置之製造方法，可用來解 第-及第二實_之短路問題。以下係根據本發明提出 中，其下凹區之。其中，第一和第二實施例之顯示裝置 下方。 下表面係分別位於基板之上表面的上方和 本發=保例係用以作為範例說明，並不會限縮 ，mu &圍。再者，實施例中之圖示亦省略不必 要70件以凊楚顯示本發明之技術特點。 第一實施例 第4A〜第4F pi * π _ 裝置製造方法&圖為依照本發明第一實施例之一種顯示 之°丨面圖。在第一實施例中，下凹區之下表 1345307 三達編號：TW3357PA 面係位於基板之上方。 ，先&供基板201 ’並形成至少一緩衝層203 (即 ^ -阻障層）於基板2()1之上表面上。基板可為堅硬或 =二，'質構A，在此實施例中，係以硬質之玻璃作為基 t A衝層Μ3可為單—層或複數層（包括氧化物及 备 s )’在此實施例中，例如是以厚度3000埃之單一 主動^9做為緩衝層2Q3。接著，在緩衝層203上形成一 -4(例如多㈣或非料層），而第一材料層則以 層2〇4之形式形成於緩衝I 203上並覆蓋主動 緣居204 κ第4A圖所示。接著，形成一閘極221於閘極絕 閑二Si:第二材料層以一介電層2°6之形一 料例如覆蓋間極221。閑極絕緣層m之材 如介電層206例如是單-層或複數層(例 及氮化物層)。雖然在此實施例中係繪示單 可為上二，緣層2°4做說明，但實際上閘極絕緣層204 所構Γ埃之氣切和下層厚度_埃之氧财 用，介電。㈣地’在此實施例中為了說明之 ，氣切和下層厚度細為上層厚度綱 結構。另外，一第一金屬層（未给 = 夕所構成之複數層 置於間極絕緣層綱上並經圖案第4A圖中）可配 極221可兔眉危9C；nn从 後从形成閘極221。閘 構成。為厚度2500埃之箱、銘合金或其他導電物質所 接著，藉由移除開關構件之外的邹份間極絕緣層2〇4 1345307

—戚· TW3357PA 及介電層206，以形成一下凹區208 ;其中下凹區208具 有一下表面208a、斜壁208c及一傾斜曲面208b，傾斜曲 面208b從下底面向上傾斜至斜壁，下凹區2〇8形成後係 暴露出緩衝層203之表面’如第4B圖所示。下凹區208 可藉由乾蝕刻（dry etching)、濕蝕刻（wet etching)或合 併兩種方式而形成。另外，形成通孔2〇7a和207b以暴露 出部份主動層224之表面。 之後，形成一第二金屬層（未繪示於圖中）於介電層 206上，並圖案化第二金屬層後形成源極222及汲極223， 如第4C圖所示。另外如第4C圖所示，第二金屬層亦填入

通孔207a和207b(第4B圖），因此，源極222及汲極223 係透過第二金屬層電性連接至主動層m。—開_件22〇 (包括閘極22卜源極222及汲極223)此時係建造於基 板201上。接著，形成一絕緣層210 (如氮化石夕層）於介 電層206上，用以覆蓋源極222、汲極223及下凹區汕8。 接著，部分地移除第4C圖所繪之絕緣層 露出緩衝層2G3之表面’使絕緣層21()僅殘留 綱 之斜壁，下凹區208之下表面則無殘留絕緣層，如第^ 圖所示。、絕緣層210可為單一層或複數層 Π 化矽或有機層構成）。在卜眚 氧化矽、 埃之單-層氮切Μ實+ Μ厚度3000 、 氮匕夕做為絕緣層210。同樣地，來 212於絕緣層咖以暴露出部分之汲極223。接tTi 一第一電極231 (如透明之氧化麵錫層)並圖ί:於= €極231係覆盍下凹區208，並填入通孔 1345307

三達編號：TW3357PA » 212以電性連接至汲極223。如第4D圖所示，在下凹區2〇8 之底邊處，緩衝層203係位於第一電極231及基板2〇1之 間；在下凹區208之斜壁處，絕緣層21〇a則位於第一電 極231及介電層206之間。 接著，形成一保護層214於絕緣層21()&上，並覆蓋 第一電極231，再移除一部份之保護層214以暴露出下凹 區208之底邊，如第4E圖所示。根據第4E圖，保護層214 係位於下凹區208之斜壁，但下凹區208之底邊則無殘留 # 任何保護層214。保護層214可由氧化矽、氮化矽或有機 層所構成。在此實施例中係以厚度1微米之單一層有機層 形成保護層214。 如第4F圖所示，一間隔物216可選擇性地形成於保 護層214上，以作支撐遮罩之用，其中遮罩係用以定義出 後續發光層之沉積區域。接著，形成一發光層232 (如複 數有機電激發光層）於保護層214上，再形成一第二電極 233以覆蓋間隔物216及發光層232。經上述步驟，包括 鲁 第一電極231、發光層232及第二電極233之發光構件230 已完成建構。值得注意的是’在此實施例中，發光層232 僅於下凹區208底邊（不超過發光（晝素）區域p)接觸第 一電極231。在下凹區208斜壁處，發光層232和第一電 極231係藉由保護層214分隔開。 依據第一實施例的方法，下凹區208下表面係低於主 動層224下表面。因此，如第2C圖所示因微粒子191所 產生的缺陷以及如第3圖所示因凸塊所產生的缺陷皆能被 12 1345307

三Μϋ號：TW3357PA 除去，進而提高顯示裝置之顯示品質。另一優點為，絕緣 層210a覆蓋閘極絕緣層2〇4及介電層206可改善錐角 (taper-angle)。由於絕緣層2i〇a形成於下凹區2〇8斜 壁，絕緣層21〇a之後之各個材料層可一層一層良好地沉 積於絕緣層21〇a上。此外，在下凹區2〇8中閘極絕緣層 204、介電層206、絕緣層21〇a及保護層214之開口尺寸 分別逐次地減少（即，在下凹區208中，閘極絕緣層204 具最大之開口’保護層214具最小之開口）。 此外，下凹區208具以下特徵：如之前所述及第 圖所示，下凹區208具有一下表面208a和一傾斜曲面 208b，傾斜曲面208b係自下凹區之下表面208a向上傾斜 至斜壁208c。另外，傾斜曲面208b自一頂端末梢τ至一 底端末梢Β係具有一水平距離hd和一垂直距離VD，且水 平距離HD係大於垂直距離VD。再者，在此實施例中，上 述所提之傾斜曲面208b之剖面圖為非線性。如第4Β圖所 示，傾斜曲面208b之剖面圖為一單調曲線（mono tonic curve)° 儘管第4A〜4F圖繪示之緩衝層203為單一層，在此 發明中並不限於此，缓衝層203可由複數層組成。第5圖 為依照本發明第一實施例之另一種顯示裝置製造方法之 剖面圖。第5圖之顯示裝置係包含兩層緩衝層203。一第 一緩衝層（或稱阻障層）203a係位於基板201之上表面， 一第二緩衝層203b係位於第一緩衝層203a上。缓衝層 203a位於下凹區208之底邊上，並介於第一電極231和基 13 1345307

三達編號：TW3357PA 基 緩 板201之間。另外，依據本發明之第一實施例’形成於 板201之上表面的4F圖之緩衝層203和第5圖之苐 衝層203a (即阻障層），係位於第一電極231和開關構^ 220之下。再者，下凹區之下表面係低於主動層224之下 表面。 第二實施例 第6A〜6F圖為依照本發明第二實施例之一種顚示敦 # 置製造方法之剖面圖。在第二實施例中，下凹區之下表面 係低於基板之上表面。 首先，提供一基板301，並形成至少一緩衝層3〇3在 • 其上表面。板301可為堅硬或柔軟之材質構成，且緩衝層 - 303可為單一層或複數層。在第二實施例中，緩衝層3〇3 係以單一層作說明。接著，形成一主動層324於緩衝層3〇3 上，且形成一閘極絕緣層304於緩衝層303上並覆蓋閘極 絕緣層304 ’如第6A圖所示。接著’形成一閘極321於閘 _ 極絕緣層304上，且形成一介電層3〇6於閘極絕緣層3〇4 上以覆蓋閘極321。介電層306可為單一層或複數層（包 括氧化物及氣化物層）。在此實施例中為了說明之用，介 電層306為單一層。 接著’形成具有一下表面308a之一下凹區308，下 表面308a不僅低於主動層324之下表面，亦低於基板3〇1 之上表面301a’如第6B圖所不。另外，形成通孔3〇7&和 307b以暴露出部份主動層324之表面。在實際應用時，下 1345307

三達編號：TW3357PA 凹區308例如是低於基板301之上表面301a約3〇〇〇A至 4000A，但在此發明中不在此限。 接著參照第6C圖，配置一第二金屬層（未繪示於圖 中）於介電層306上並經圖案化後以形成源極322及汲極 323。將第二金屬層填滿通孔307a和307b(第6B圖所示;)， 因此，源極322及汲極323係透過第二金屬層電性連接至 主動層324。如第6C圖所示，包括閘極321、源極322及 汲極323之一開關構件320此時係建造於基板301上。接 著，配置一絕緣層310 (例如是氮化石夕層）於介電層306 上，以覆蓋源極322、汲極323及下凹區308。此外，形 成一電洞通孔312於絕緣層310上以暴露出部分汲極323。 請參照第6D圖’接著形成一第一電極331 (例如是 透明之氧化銦錫層）並圖案化於絕緣層31〇上。第一電極 331覆蓋下凹區308 ’並填滿導電通孔312以電性連接至 没極323。如第6D圖所示’在下凹區3〇8之底邊和斜壁處 配置絕緣層310(如一阻障層）於第一電極331及基板301 之間。 接著，如第6E圖所示，形成一保護層314於絕緣層 310上並覆蓋第一電極331 ^再部份移除保護層314以暴 露出下凹區308之底邊。如第6E圖所示，保護層314覆 蓋下凹區308之斜壁處，而下凹區3〇8之底邊則無殘留保 護層314。 如第6F圖所示，一間隔物316可選擇性的形成於保 護層314上，以作支撐遮罩之用，其中遮罩係用以定義出 15 1345307

二達編號：TW3357PA 後續發光層之沉澱區域。接著，形成一發光層332 (如複 數有機電激發光層）於保護層314上，再形成一第二電極 333以覆蓋間隔物316及發光層332，如第6F圖所示。經 上述步驟，包括第一電極331、發光層332及第二電極333 之發光構件330已完成建構。值得注意的是，在此實施例 中’發光層332僅於下凹區308底邊（不超過發光（晝素） 區域P)接觸第一電極331。類似第一實施例所揭露之結 構’在下凹區308斜壁處，發光層332和第一電極331係 藉由保護層314分隔開。根據第二實施例，絕緣層310(如 阻障層）係位於開關構件320之上，並覆蓋下凹區308之 斜壁和下表面，以使第一電極331和基板301係藉由絕緣 層310分隔開。 依據第二實施例的方法，如第2C圖所示因微粒子191 所產生的缺陷以及第3圖所示因凸塊所產生的缺陷皆能被 除去，進而提高顯示裝置之顯示品質。此外，絕緣層310 覆蓋閘極絕緣層304及介電層306可改善錐角 (taper-angle)。由於一部份之絕緣層310形成於下凹區 308斜壁處，絕緣層310之後之各個材料層可一層一層良 好地沉積於絕緣層310上。 根據上述說明，使用本發明之製程所製成之顯示裝置 具有特殊特徵及多個優點。在結構上，第一電極231和331 並無分別直接接觸基板201和301。介於第一電極（231 或331)和基板（201或301)之間之一阻障層可能為基板 上表面上之缓衝層203 (第一實施例，第4F圖），或為基 1345307

三達編號：TW3357PA 板上表面上之緩衝層203a(第5圖），或為絕緣層31〇 (第 二實施例，第6F圖）。另外，接近基板上表面之下凹區（如 在基板上暴露出缓衝層或位於基板之上表面之下）可有效 移除不期望產生之包覆於薄膜裡的微粒子或不平滑表 面。因此’如習知技術所提到的由凸出物所造成第一電極 和第二電極短路之現象和光散射和光吸收之現象均可被 排除’以使顯示裝置之良率大大地提升，並獲得穩定之產 品品質。 儘管上述實施例中係顯示開關構件具有一頂間極 (top gate)結構，本發明並不限於此。例如，本發明領域 中具有通常知識者當知本發明亦可應用於具有一底閉極 (bottom gate)結構之一開關構件。具頂閘極結構之顯示 裝置和具底閘極結構之顯示裝置中，除開關構件之結構外 其餘的結構與製程係相同。第7圖為根據本發明之具有底 閘極結構之一種顯示裝置的剖面圖，其中頂閘極顯示裝置 (如第4F圖所示）和底閘極顯示裝置（如第7圖所示） 之不同處為開關構件之結構。如第7圖所示，由非晶石夕製 程形成之開關構件420包括一閘極421和源極/沒極區422 並配置於基板201上。一主動層424係位於緩衝層203上， 且緩衝層203作為一閘極絕緣層以分隔閘極421和主動層 424。開關構件420係電性連接至發光構件23〇。第7圖之 顯示裝置結構之其餘細節係相似於第4F圖之結構，包括 第一電極231與基板201藉由阻障層（即緩衝層2〇3)而 分隔’阻障層形成於基板之上表面並位於第一電極之下等 17 1345307

三達編號：TW3357PA 多項特徵。 綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然 其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常 知識者，在不脫離本發明之精神和範圍内，當可作各種之 更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專 利範圍所界定者為準。

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134 53〇7 ： TW3357PA f _式簡單說明】 第1圖繪示一種傳統之有機發光顯示裝置之示意圖 第2A〜第2C圖繪示一種傳統之顯示裝置製程之缺 第3圖繪示另一種傳統之顯示裝置製程之缺陷； 第4A〜第4F圖為依照本發明第一實施例之一種顯示 襄f製造方法之剖面圖；

第5圖為依照本發明第一實施例之另一種顯示骏 數造方法之剖面圖； 尾 二實施例之一種|貝系 第6A〜第6F圖為依照本發明第 裝置製造方法之剖面圖；以及 種黑員帑 第7圖為根據本發明之具有底閘極結構之-裝置之剖面圖。

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三號：TW3357PA 【主要元件符號說明】 201、3G1 :基板 203、 203b、303 :緩衝層 203a :阻障層 204、 304 :閘極絕緣層 206、306 :介電層 207a、207b、307a、307b :通孔 208、308 :下凹區 • 208a、308a :下表面 208b :傾斜曲面 208c :斜壁 210、210a :絕緣層 212 :導電通孔 214、314 :保護層 216、316 :間隔物 220、320、420 :開關構件 * 22卜32卜421 :閘極 222、 322 :源極 223、 323 :汲極 224、 324、424 :主動層 230、 330 :發光構件 231、 331 :第一電極 232、 332 :發光層 233、 333 :第二電極

Claims (1)

1345307 Ρ060741ΑΤΖ5ΤΨ-ΜΙΐΛ®^〇.9.ϊ.) ' 日修轉換頁丨 申請專利範圍： 1. 一種顯示裝置，包括： 一基板，具有一上表面； 〆下凹區，位於該基板上，該下凹區具有一下表面； 一發光構件，包括： 一第一電極，位於該下凹區； 一阻障層，係分隔該第一電極及該基板； 一發光層，位於該第一電極上；和 一第二電極，位於該發光層上； 一開關構件，係配置於該基板上’並電性連接至兮·發 光構件；以及 關構 一主動層，位於該阻障層上’並電性連接至該開 件 其中，該下凹區之該下表面係低於該主動層之 一保護層位於該第一電極上方和位於 面；其中， 斜壁處。 2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝^置 少一部分之該阻障層係位於該下凹區之斜壁。 3. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裳置， 阻障層位於該基板之該上表面上，且位於該第 下表 凹區 其中 至 其中讀 電極和讀 開關構件之下’使該阻障層可分隔該第—電植愈^ .4·如申請專利範圍第3項所述之顯示裝置、謂基板 下凹區之該下表面係暴露出該阻障層之一上表面 5·如申請專利範圍第1項所述之顯示農置， 其中讀 其中謗 21 1345307 P060741ATZ5TW-無劃線替換頁(99,@ 下凹區之該下表面係低於該基板之該上表面。 6.如申請專利範圍第5項所述之顯示裝置，其中該 下凹區之該下表㈣低於該基板之該上表面大約3G00A至 4000A。 7·如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該 阻障層位於該開關構件上，且該轉層覆錢下凹區斜壁 =下凹區之該下表面，使該第—電極與該基板藉由該阻 障層而分隔。 _ 8.如申印專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中在 該下凹區斜壁處’該保護層分隔該發光層及該第一電極。 關播It申料利範圍第1項所述之顯*裝置，其中該開 m件包括-源極和—汲極’電性連接至該主動層。 ίο·如申請專利範圍第丨項所述之顯示裝置7其中在 該下凹區之—底邊，該發光層僅接觸該第-電極/、 n.如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，立中該 ::區具有複數個斜壁’每一斜壁係具有一傾斜曲面，該 …：曲面係自該下凹區之該下表面向上傾斜至該斜壁。 I2.如申請專利範圍第11項所述之顯示裝置，其 :傾斜曲©具有—綱及_底端，朗端至該底端之一水 平距離係大於該頂端至該底端之一垂直距離。 13.如申請專利範圍第11項所述之 該傾斜曲面之一剖面曲線為非線性。 顯示裳置，其中 22 1345307 ' P060741ATZ5TW-無劃線替換頁(99.9.¾) 14. 如申請專利範圍第13項所述之顯示裝置，其中 該傾斜曲面之該剖面曲線為一單調曲線，該單調曲線自該 下底面向上延伸至該斜壁。 15. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該 開關構件係為一薄膜電晶體。 16. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該 發光構件係為一有機發光二極體。 17. —種顯示裝置，包括： 一基板，具有一上表面；以及 複數個次晝素，每一次晝素包括： 一下凹區，位於該基板上，該下凹區具一下表 面； - 一發光構件，包括： 一第一電極’位於該下凹區； 一阻障層，係分隔該第一電極及該基板； 一發光層’位於該第一電極上；和 一第二電極，位於該發光層上； 一開關構件，包含一閘極、一源極及一汲極， 該開關構件係配置於該基板之該上表面，並電性連接至該 發光構件且該發光構件在於該下凹區上；和 一主動層，位於該阻障層上，並電性連接至該 源極及該汲極； 其中，該下凹區之該下表面係低於該主動層之一下表 面。 23 1345307 P060741ATZ5TW-無劃線替換頁(99 9名 * 如申請專利範圍第17項所述之顯示裝置，其中 至少。卩分之該阻障層係位於該下凹區之斜壁。 19. 如申請專利範圍第17項所述之顯示裝置，苴 該阻障層位於該基板之該上表面上，錄於該第—電極和 該開關構件之下，使該阻障層可分隔該第一電極與該基 板。 土 20. 如申請專利範圍第19項所述之顯示裝置，其中 該下凹區之該下表面係暴露出該阻障層之一上表面。 21. 如申請專利範圍第17項所述之顯示裝置，其中 該下凹區之該下表面係低於該基板之該上表面。八 22. 如申請專利範圍第ι7項所述之顯示裴置，其中 ，下凹區具複數個斜壁，該阻障層位於該開關構件上並覆 蓋該斜壁及該下凹區之該下表面，使該第一電極與該基板 藉由該阻障層而分隔。 23. 如申請專利範圍第17項所述之顯示裝置，其中 具一保護層位於該第一電極上方和位於該下凹區斜壁處。 24·如申請專利範圍第23項所述之顯示裝置，其中 在該下凹區斜壁處，該保護層分隔該發光層及該第一電 極。 25.如申請專利範圍第17項所述之顯示裝置，其中該 下凹區具有一傾斜曲面，該傾斜曲面係自該下凹區之該下 表面向上傾斜至該斜壁。 26·如申請專利範圍第25項所述之顯示裝置，其中 該傾斜曲面具有一頂端及一底端，該頂端至該底端之一水 平距離係大於該頂端至該底端之一垂直距離。 24 丄扣3〇7 P060741ATZ5TW-無劃線替類(99 9术 ^ 27.如申請專利範圍第25項所述之顯示裴置，i 該傾斜曲面之一剖面曲線為非線性。 〃、 ^ 28·如申請專利範圍第27項所述之顯示裝置，其中 X傾斜曲面之该剖面曲線為一單調曲線，該單調曲線自該 下底面向上延伸至該斜壁。 ， 以 29.如申請專利範圍第17項所述之顯示裝置，苴 該開關構件係為一薄膜電晶體。 3〇.如申請專利範圍第17項所述之顯示裴置，其中 該發光構件係為一有機發光二極體。 31.如申請專利範圍第17項所述之顯示裝置，其令 在該下凹區之一底邊，該發光層僅接觸該第一電極。 32.種顯示裝置之製造方法，包括以下步驟： 提供一基板，該基板具有一上表面及位於該上 之一主動層； 、 面上 形成一開關構件於該基板上； 上形成=下凹區於該基板上，該下凹區具有一下表面， S亥下表面係低於該主動層之一下表面； 並電性連接該發光構 形成一發光構件於該下凹區上， 件至該開關構件；以及 形成一阻障層於該發光構件與該基板之間。 33. 如申請專利範圍第32項所述之製造方法，其中 形成該阻障層之該步驟包括： 於5亥下凹區斜壁，形成至少一部分之該阻障層。 34. 如申請專利範圍第32項所述之製造方法，其甲 25 1345307 P060741ATZ5TW，無劃線替換頁(99.9j)〇 形成該開關構件之該步驟包括· 形成一閘極； 形成一源極及一汲極；以及 在形成該下凹區之同時形成一通孔，該通孔係暴露部 分之該沒極。 35. 如申請專利範圍第34項所述之製造方法，其中 形成該發光構件之該步驟包括： 形成一第一電極於該下凹區上； 形成一發光層於該第一電極上；以及 形成一第二電極於該發光層上。 36. 如申請專利範圍第35項所述之製造方法，其中 形成該阻障層之該步驟包括形成該阻障層於該基板之該 上表面且該阻障層位於且該阻障層位於該第一電極及該 開關構件之下，而形成該下凹區之該步驟後該下凹區係暴 露出該阻障層之一上表面。 37. 如申請專利範圍第35項所述之製造方法，其中 形成該下凹區之該步驟包括形成該下凹區，使其該下表面 係低於該基板之該上表面；而形成該阻障層之該步驟包括 形成該阻障層於該開關構件上以覆蓋該下凹區斜壁及該 下凹區之該下表面，使該阻障層分隔該第一電極及該基 板。 38. 如申請專利範圍第35項所述之製造方法，更包 括在該下凹區斜壁處形成一保護層於該第一電極上，其中 形成該發光層之該步驟包括形成該發光層，且在該下凹區 26 1345307 • P060741ATZ5TW-無劃線替換頁(99.9.於 9 側壁處，該發光層係藉由該保護層而與該第一電極分隔。 39. 如申請專利範圍第32項所述之製造方法，其中 形成該開關構件之該步蟬包括：藉由一低溫多晶矽製程形 成該開關構件。 40. 如申請專利範圍第32項所述之製造方法，其中 形成該開關構件之該步驟包括：藉由一非晶矽製程形成該 開關構件。 41. 如申請專利範圍第32項所述之製造方法，其中 形成該開關構件之該步驟係包括形成複數層材料層，而形 成該下凹區之該步驟則包括圖案化該開關構件之外的部 份該些材料層。 . 42. —種顯示裝置之製造方法，包括以下步驟： 提供一基板，具有一上表面及位於該上表面上方之一 主動層； 提供該基板之後，形成複數層連續之材料層於該基板 上’和在該材料層中形成·開關構件， 移除位於該開關構件外部之部分該材料層，以形成一 下凹區於該基板上，該下凹區具一下表面，該下凹區之該 下表面低於該主動層之一下表面；以及 形成一發光構件於該下凹區上，並電性連接該發光構 件至該開關構件。 43.如申請專利範圍第42項所述之製造方法，更包 含形成一阻障層之步驟，該阻障層係介於該發光構件及該 基板之間。 27