TWI337381B - - Google Patents

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TWI337381B
TWI337381B TW094146478A TW94146478A TWI337381B TW I337381 B TWI337381 B TW I337381B TW 094146478 A TW094146478 A TW 094146478A TW 94146478 A TW94146478 A TW 94146478A TW I337381 B TWI337381 B TW I337381B
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Shin Gene
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Park Kon
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Description

九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於電漿蝕刻系統,尤指一種於_密閉的 電漿室内之一第一電極板及—第二電極板間平行裝設有接 地之一導電篩板,該導電篩板可導引該第一電極板及第二 電極板放電後所產生之電漿氣體分子,一致性地撞擊至一 基板之表Φ ’崎該基板之表面進行魏#贿理,以解 決電漿氣體分子對大型尺寸之基板蝕刻不均勻之缺點。 【先前技術】 '' 一按,現今我們的生活正邁入一個電子產業蓬勃發展的 筲訊時代,各種多媒體電子產品迅速推陳出新,著實為人 j的娛樂及休閒發展帶來了更多的選擇性,然而,隨著當 月’J各種電子科技的不斷研發與精進,相關電子產品之榮幕 ^顯示裝置—直在進步,也—再追求更大顯示面板之目 V以滿足使用者對未來之需求,或更進一步地符合創造 利益與節省花費之目的。 般而。LCD平面顯示器(Flat panel DiSplay,卿) =寸大小通常為丨屬〜丨,讀χ1】,通 在不久的將來’該LGD平面顯示H巾之玻璃基板 能會超過每邊2,5GG公紅關,由於該LCD平面顯 =之製造技射,請參閱第1圖所示,其中之-步驟為 用Γ種賴氣體伽於兩電極1GG、2G_ 一玻璃基板 表面之一薄膜(如:氮化石夕SU1COnNltride,簡稱 或非晶娃’簡稱枝)進行賴_之處理,但是製 1337381 . 造商於電漿蚀刻處理其間,於其加工之過程產生了相當多 之瓶頸及限制,其原因是該電漿氣體4〇〇於大尺寸之玻璃 基板300中,由於該電漿氣體4〇()對該大型玻璃基板3〇〇 進行蝕刻工作之範圍過廣,該電漿氣體4〇〇中之各分子對 ' 駄型玻璃基板之巾間及其兩端區域所絲之程度無 : &一致’該電聚氣體侧便無法均勻地對該大型玻璃基板 300進行触刻工作;換句話說,請參閱第2圖所示,該電 漿氣體棚於二不同電壓(或頻率)之電極1〇〇、2〇〇間時, 其中央之/辰度所產生之阻抗(impedance)大於兩端所產生 之阻抗’因此,該鄕氣體働中之分子無法於兩電極 100、200間保持-定之漠度,該電聚氣體_之分子對該 玻璃基板3GG表面之任一位置所進行賴敍刻之效果也不 -致,又’若欲加長觸朗紐進行電独刻處理 之時間’用以加強該電聚氣體400較弱i農丨之部分所對該 玻璃基板300進行電聚姓刻之效果,則原先電聚氣體棚 • 較強滚度之部分反而穿餘且破壞該玻璃基板300上原有触 刻之規劃。 因此,目前LCD平面顯示器對於大型尺寸破璃基板之 «造技術已面臨-大挑戰,—般傳統之解決方法即二用間 . 距(GaP)與阻抗(Impedance)成正比之原理,請參閱第3 圖所示,將-電極副與該玻璃基板咖兩端之間距縮短 絲該電極1GG與該玻璃基板3〇〇中央之間距加大,以盡 可能使該電漿氣體4〇〇於兩電極1 〇〇、2〇〇間中央之濃产二 ⑧ 7 1337381 產生之阻抗接近該電漿氣體400於兩電極1〇〇、200之兩端 所產生之阻抗,以求該電漿氣體400對該玻璃基板3〇〇蝕 刻效率之一致性,然而,如此作法,首先必需對該電極1〇〇 進行彎曲工作’以使該電極100之中央、兩端與該玻璃基 板300形成不相等之間距,但是對於欲彎曲該電極所 需實施之曲率仍無法理想地具體實現。 因此’製造者在此必須考慮到電漿蝕刻處理所使用之
電毁氣體之濃度,藉由該電漿氣體相同之濃度大小,以維 持該電漿氣體對該玻璃基板蝕刻效率之一致性,故,由上 述可知,欲維持該電漿氣體之相同濃度並對該玻璃基板所 進行電漿蝕刻處理保有一定之蝕刻率,實為在生產製造過 程中有諸多不便’&’以上問題即成為本發明在此欲解決 之一重要課題。 【發明内容】
—有鑑於前述之諸多缺失,發明人經過長久努力研究與 實驗’終於·設計出本發明之—種「電㈣蝴系統」,以 期藉由本發明的提出,能夠對社會大眾有所貢獻。 本《明之-目的,係提供一種電毁触刻系統,係於密 =之-魏室内設有—第—電極板及—第二電極板,該第 一電極板及第二電極板分別與—第_供電端及—第二供電 端電氣相接’該電_介_第—電極板及第二電極板間 =平行接設有-導電篩板’該導電驗與—接地端電氣相 ’且該導電分職該第—電極板及第二·板電氣 相接’該賴室⑽賴第二電極板尚設有-基座,該基 8 f載放有雜狀—基板,該電⑽射内可注人一複合 而該第—供電端及—第二供電端對該二電極板分別 t不同大小之電壓㈣以放電後,該二電極板便對該複 氣體進行解離而轉變成相當活潑之電漿氣體分子,該電 聚氣體分子於該魏室⑽行錢狀碰撞,由於該導電 師板面對該基板之任—位置與該基板呈現—相同距離,該 導電篩板不僅引導該電漿氣體分子之通過,亦可一致地轟 擊該基板之表面以進行電漿蝕刻處理,使得該電漿氣體分 子可保有對該基板任一位置於進行電漿蝕刻處理時之一致 卜生,而不致對該基板產生触刻不均勻之狀況。 本發明之另一目的,其中該導電篩板上之該等篩孔可 利用不同大小之篩孔設計,布置於該導電篩板所需之位置 上’該魏氣體分子可藉岭經^社奴該料孔,而 被控制產生出不同之流量,以控制該電漿氣體之預設濃 度,令該電漿氣體分子得以被設定去撞擊欲設之該基板表 面。 本發明之又一目的,該導電篩板上可利用不同篩孔分 布密度之排·n ’簡孔分布密钱之排列狀態布 置於欲蝕刻加強或減弱該導電篩板所需之位置上,該電漿 氣體分子可藉由流_孔分布錢或紐之排列狀態,而 被有效控制該電漿氣體分子穿過該導電篩板之不同位置之 對應數量,以控制該電漿氣體之預設濃度,令該電漿氣體 分子得以被設定去撞擊欲設之該基板表面。 1337381 為便貴審查委員能對本發明之目的、技術特徵及其 功效’做更進-步之認識與瞭解,轉實施例配合圖式’,、 洋細說明如下: ° 【貫施方式】 按,電f (Plasma)乃指以能量激發中性氣體分子, 使其產生電子(Electron)、離子(Ion)、自由基如
Radical)等活性物質,電子在電場中因電位差使其產生加 速度’當電子在加速的過程巾與其絲齡子發生撞擊而 叉到激發,並且放射出能量,而受到撞擊的原子受激發又 釋出電子,如此循環,使得電漿過程同時存在電子、離子、 自由機及巾性分子’稱為電彡m而基本上我們所謂的 電聚氣體則是由部份觸的氣體及等量的帶正、負電荷粒 子所組成,其中所含的氣體具高度的活性,它是利用外加 電場的驅動而形成,並且產生輝級t(GlGw Discharge) 現象。 而敍刻用的電漿氣體之解離程度較低,介於0.0001至 0· 1之間,該電漿氣體可藉由直流(Dc)偏壓或交流射頻(RF) 偏廢下的電場形成,而在電漿氣體中的電子來源通常有 二.一為分子或原子解離後所產生的電子,另一則為離子 4里擊電極所產生的二次電子(gec〇n(jary Electron),在直 流(DC)電場下產生的電漿氣體,其電子源主要以二次電子 為主’而交流射頻(RF)電場下產生的電漿氣體,其電子源 則以分子或原子解離後所產生的電子為主;其中在射頻放 ⑧ 1337381 電(RF Discharge)狀況下,大部份的電子由於高頻操作, 使得在半個週期内沒有足夠的時間移動至正電極,因此, 這些電子將會在電極間作振盪,並與氣體分子產生碰撞, 而射頻放電所需的振盪頻率下限將視電極間的間距、壓 力、射頻電場振幅的大小及氣體分子的解離位能等因素而 定。 本發明係一種電漿蝕刻系統,請參閱第4、5圖所示, 係包括一密閉的電漿室1 (Plasma Etching Chamber),該電 跟室1内注入有複合氣體’且其内頂部及底部分別設有一 第一電極板10(S〇urce Electrode)及一第二電極板 20(Bias Electrode) ’該第一電極板1〇及第二電極板2〇 分別與一第一供電端11及一第二供電端21(如:交流射頻 網路’ RF Network)呈電氣相連接,該電漿室1於該二電極 板10、20間另接設有一導電篩板3〇(Ground Grid),該導 電篩板30係與一接地端32 (Ground)呈電氣相連接,該電 漿室1内在鄰近該第二電極板20位置,尚設有一基座4〇 (Carrier),該基座40上放置有一待蝕刻之基板42 (如: 玻璃基板,Glass Substrate),俟該二供電端11、21分別 對該二電極板10、20提供不同之電壓,並令該二電極板 10、20進行放電後’其放電作用將令該複合氣體解離 (Dissociation Reaction),而轉變成相當活潑之電漿氣 體分子lOO(Plasma),該電漿氣體分子1〇〇於該電漿室1 内進行不規則之碰撞(ionization collision),並透過該 1337381 導電篩板30的導引,使分布在該第一電極板ι〇及該導電 篩板30間的電漿氣體分子]〇〇,穿過該導電篩板3〇上布設 的複數個篩孔31 ’可一致性地撞擊(sputering)至該基板 42表面所鋪塗之一薄膜420 (如:氮化矽Silicon
N i tr i de ’簡稱s i N或非晶硅,簡稱a-S i),而對該薄膜420 進行電漿姓刻處理(Plasma etching),如此,即可藉由適 當地設計該導電篩板30上篩孔31之大小及分布密度,有 效控制該電漿氣體分子100穿過該導電篩板30之不同位置 之對應數量’且藉由控制該導電篩板30與該基板42之共 同距離’令該電漿氣體分子100得以較均勻地撞擊該基板 42之表面(即薄膜420),對該基板42之表面形成較均勻 的蝕刻效果,進而有效解決傳統電漿蝕刻系統對大尺寸的 蝕刻基板42’因電場強度不均勻,致該電漿氣體分子1〇〇 展渡分布不均勻,所造成之_不均勻之缺點。
月本發明之一最佳實施例中,復請參閱第5圖所示,該 電漿室1與一氣控模組50 (Pr〇cess Gas Panel )相接通, ,歧電漿室1表面鄰近該第一電極板10處貫設有複數個送 氣口 13 (Gas Feeder),該電漿室1可經由該等送氣口 13 ^收違硬合氣體’該氣控模組5G内包括有複數個氣體輸出 二51 ’該等氣體輪出管51與該等送氣口 13相接通,並可 ^複數個不同種類之氣體53,如:氖(Ne)、氣㈤、氬 八二等‘祕氣體,_氣體輸奸51上對應抑氣體53 刀别设有—控制單元52 (Mass Flow Controller),該等控 ⑧ 1337381 制單疋52以一預設速率之流量混合該等氣體53,而藉由該 等运氣口 13以輸入該電漿室1而形成該複合氣體。
另外’該電漿室1表面且鄰近該第二電極板20處尚貫 δ又有至少一排氣口 60,各排氣口 60活動地拴設有一排氣泵 61 ’各排氣泵61於開啟時,使該電漿氣體分子1〇〇於該電 衆至1内對該基板42進行電漿蝕刻處理後所產生之廢棄物
電聚室1外’朗時各排氣泵61亦可排出該電漿室 1中之空氣,以使該電漿室1達到一基本壓力。
該實施例中,復請參閱第4、5圖所示,該電漿室1於 面對錢魏卿成處之—側尚設有—侧單元15 (如: 光射出終點偵測單元,Optical Emission Endpoint Detection System),該偵測單元15可辨識及偵測該基板 42所進行電餘刻處理之狀況,當該電聚室1對該基板犯 進仃電漿㈣處理之作業時,該偵測單^ 15對該電聚室! 内所產生之電漿氣體特色(如:產生之光波波長, Wavelength)進行偵測’以辨識出該電體之濃度是_ 合標準。 另外’該二電極板10、20皆由一導電體之物質所紅成, 該二電極板10、20非面對該導電篩板%之一面外均包费 有可隔離電氣之-第-絕緣層12,該二第—絕緣層12 = 止該電錄體分子1GG對該二電極大部分面積之撞擊和 鍍,降低該基板42在電漿蝕刻處理的過程中被污仇^ 度,而該第-絕緣層12包覆於該二電極大部分之 13 止4第一供電端11及該第二供電端21於放電時,不至由 匕覆有該第一絕緣層12處放出電源;該基座4〇與該第二 電極板20電氣相接’為了傳導該第二供電端21 出電 、、jg ^ 〜’而對該基板42之薄膜420進行電漿蝕刻處理。 該等篩孔31於該導電篩板30上用於導引該電聚氣體 今子100’使得該電漿氣體分子1〇〇於該電漿室1中不規折 碰狻時,可透過該等篩孔31朝該基板42進行電漿蝕刻處 理,然而’該電漿氣體分子1〇〇對該基板42之表面義擊以 進仃電漿蝕刻處理時,若仍有些微不均勻時,或欲對該基 板42表面之部分區域加強蝕刻處理(過蝕刻作業, Overetch)時,製造業者便於該導電篩板3〇上對該等篩孔 31之變化進行設計,因此,本發明中之另一實施例中,請 參閱第5、6圖所示’該導電篩板3〇上可配置有不同大小 尺寸之鱗f帛孔31,該㈣孔31之尺寸大小由該導電筛板 3〇之四周朝该導電篩板30之中央區域遞增,由於該篩孔 31之尺寸大小係與通過該篩孔31之電漿氣體分子1〇〇之流 量大小成正比關係,使得該電漿氣體分子100可藉由流經 不同大小之5玄等篩孔31,而控制產生出不同之流量,本發 明並不侷限該導料板3G之· 31之排列位置,可依據 該基板42本身實際蝕刻狀況之需求而配置對應之排列方 式。 本發明中之又一實施例中,請參閱第5、7圖所示,該 導電篩板30上可配置有不同排列密度之該等篩孔^,該等 ⑧ 1337381 篩孔31分布之密度由該導電篩板30之四周朝該導電薛板 30之中央區域遞增,由於該等篩孔31在該導電筛板別分 布之密度係與通過該導電篩板30之電漿氣體分子對該基板 42之蝕刻強弱成正比關係’使得該電漿氣體分子1⑼可藉 由流經篩孔31分布密集或鬆散之排列狀態,而被有效控制 該電漿氣體分子100穿過該導電篩板30之不同位置之對應 數莖’令該電黎氣體分子100得以被設定去撞擊欲設之該 基板42表面。 本發明並不侷限該實施例中之該等篩孔31於該導電筛 板30上之排列位置’製造業者可依據該基板42表面之任 一位置上所進行電漿蝕刻之實際蝕刻需求,而於該導電篩 板30上加強分布該等篩孔31之密度分布,其該等篩孔31 於該導電篩板30上所可呈現之排列分布可為: 1、 垂直線之篩孔31分布形狀(veritical Arrangment),如第8a圖所示,該等篩孔31係以複數個垂 直線排列在該導電篩板30上。 2、 水平線之篩孔31分布形狀(Horizontal Arrangment) ’如第8b圖所示,該等篩孔31係以複數個水 平線排列在該導電篩板30上。 3、 垂直線及水平線複合式篩孔31分布形狀(Skewed Arrangment),如第8c圖所示,該等篩孔31係以複數個水 平線及垂直線綜合地排列在該導電筛板30上。 4、 沿該導電篩板30四周環繞之矩形篩孔31分布形狀 15 (Square Arrangment) ’如第8d圖所示,該等篩孔31係以 沿5亥導電篩板30四周之一矩形排列在該導電篩板3〇上。 5圓形之師孔31分布形狀(Circle Arrangment),如 第8e圖所示,該等篩孔31係以一圓形排列在該導電篩板 30上。 6 ,,周狀之排列方式(Spider Web Arrangment),如第 8f圖所示’該等篩孔31係以一網狀排列在該導電篩板3〇 上。 復凊參照第5、8f圖所示其中該種網狀排列方式於該 導電篩板30之四周朝中央逐漸增加該等篩孔之排列密 度’即為於該導電筛板30之中央位置設有排列較密集之該 等篩孔31 ’而έ亥導電篩板3〇於遠離中央位置之四周則設有 排列較寬鬆之該料孔3卜當該電餘體分子1QQ面對該 導電雜3G間朝該基板42之方向通過該導電f帛板3〇時, 該電聚氣體分子1GG位於該導電_板3()之中央位置上而通 過排列較密集之該等篩孔31時,該賴氣體分子⑽之流 里趨於集t,便對該基板42之對應區域加強進行電聚蚀刻 處理之程度’而該電毁氣體分子議位於該導電筛板3〇之 四周而通過排舰寬鬆之該料孔31時,使得該電渡氣體 分子1GG之流量便趨於緩慢,便對該基板42之對應區域減 緩進仃電祕刻處理之程度,如此,該電餘體分子1〇〇 便可選擇性地職基板42之狀區域進行強烈或緩和之電 毁娃刻處理。 1337381 始於該電漿來源區110及該電漿偏壓區120内之複合氣體 解離成該電漿氣體分子100 ; (106) 該電漿氣體分子100便開始於該電漿來源區 110及該電漿偏壓區120内進行不規則之碰撞; (107) 通過該導電篩板30之電漿氣體分子1〇〇對該 基板42之表面進行電漿蝕刻處理之動作; (1 〇8)依據該光射出終點偵測單元對該電漿氣體分子 10 0所偵測之電漿蝕刻處理之狀況’而判斷是否到達電漿蝕
刻之終點(Endpoint),若是,則進行(109),否則, (107); 、 ,J (109)該二交流射頻來源停止對該第一電極板ι〇、 第二電極板20之放電; (U〇)該排氣泵61對該電漿室1恢復基本壓力; (η 1)取出該基座40上之基板42以完成電t蝕刻處
义明中’復請參閱第5圖所示,當該基板42已完成 電水钱刻處理時,惟絲板42之—部分區域未達一定之钱 刻標準,或欲賴部分區域進行祕刻健,便可利用欲 強m卩分區域之—導鶴板,該導電雜加上設 =對應於該部分區域密度之該料孔31分布,請參閱第ι〇 圖所不,該f細侧健便_進行町之步驟: ⑽)對該基板42進行錄聰刻作業; ⑽)依據該光射出終點_單元對該賴氣體分子 ⑧
I 1337381 100所偵測之電漿過蝕刻作業之狀況,而判斷是否到達預定 之標準,若疋,則進行(203),否則,回到(2〇1); (203)回到停止對該第一電極板1〇、第二電極板2〇 之放電。 綜上所述’發明人以本發明對照習知技藝之電渡触刻 技術所做-實驗,其中本發明_對該基板42上之非晶娃 薄膜進行㈣綱作業,並記錄與習知技術她之數據, 凊參閱11a、lib及lic圖所*,該等圖表係分別變動「電 聚室氣麗」、「複合氣體流量轉」及「絲及電極間之間 距」三項條件並與f知技藝之賴_技術之數據相互比 幸乂其中以複合氣體流量比率」為變數之實驗是以⑽ 與SF6之氣體流量比率,與射紐電端為變數,經對非晶 娃薄膜進行—段固定時間之勤i作業並移除非晶娃薄臈 後,並對該基板42上之25個位置處所得狀侧痕跡加 以量測’ itMft大深度與最小深紅差除以2絲刻痕跡 之平均值而得到不均勻移除之一致性。 ㈣由上述三®表中可觀之,本發簡行電讓儀刻 達成之一致性,較習知技術之電_刻作業所達成 佳,換句話說’本發明於該賴室1内插設 氣體八子^)板I鱗電篩板3G使得於不規則碰撞之電装 子100柯亥導電師板30,的確使得該電漿氣體分 面n其1聚室1中得以較均句地撞擊該基板42之表 ’〜板42之表面形成較均勻的姓刻效果,本發明改 ⑧ 1337381 。了午夕省知技藝之電漿蝕刻作業所無法達成之功效及效 果,因此,本發明的確具有具有專利性。 按以上所述,僅為本發明最佳之一具體實施例,惟 本\月之構造特徵並不偈限於此,任何熟悉該項技藝者在 本發明用於電漿解離技術(Piasma i〇nizati〇n
TeChn〇1〇gy)之實行領域内,包括钱刻(Etching)、沈積 (Deposition)及灰化(Ashing),可輕易思及之變化或修飾, 皆可涵蓋在以下本案之專利範圍。 【圖式簡單說明】 第1圖係習知技藝之一電漿蝕刻系統結構示意圖。 第2圖係習知技藝之一電漿蝕刻狀況示意圖。 第3圖係習知技藝之一電漿蝕刻解決方案狀況示意圖。 第4圖係本發明之一種電漿蝕刻系統結構示意圖。 第5圖係本發明之一實施例之結構示意圖。 第6圖係本發明之另一實施例之篩孔排列示意圖。 第7圖係本發明之又一實施例之篩孔排列示意圖。 第8a圖係垂直線之篩孔分布形狀之排列示意圖。 第8b圖係水平線之篩孔分布形狀之排列示意圖。 第8c圖係垂直線及水平線複合式之篩孔分布形狀之排列 示意圖。 第8d圖係沿該導電篩板四周環繞之矩形式篩孔分布形狀 之排列示意圖。 第8e圖係圓形之篩孔分布形狀之排列示意圖。 20 1337381 第8f圖係網狀之篩孔分布形狀之排列示意圖。 第9圖係本發明之實施例之流程圖。 第10圖係本發明之另一實施例之流程圖。 第11 a圖係本發明與習知技藝之「電漿室氣壓」之比較圖。 第lib圖係本發明與習知技藝之「複合氣體流量比率」之 比較圖。 第11c圖係本發明與習知技藝之「基板及電極間之間距」 之比較圖。 【主要元件符號說明】 電漿室 … 1 基板 … 42 第一電極板… 10 薄膜 … 420 第一供電端… 11 氣控模組 … 50 第一絕緣層… 12 氣體輸出管 … 51 送氣口 … 13 控制單元 … 52 偵測單元 … 15 氣體 … 53 第二電極板… 20 排氣口 … 60 第二供電端… 21 排氣泵 … 61 導電師板 … 30 電漿氣體分子… 100 篩孔 … 31 電漿來源區 … 110 接地端 … 32 電聚偏壓區 … 120 基座 … 40 21 ⑧

Claims (1)

  1. 99年4月7曰十 十、申請專利範圍: 卜-種電雜㈣統,係顧於切尺寸玻璃基板 之製作,包括: -氣控模組’包括複數個氣體輸出管及一控制單元, 該控制單元储射同氣體而分顺於料氣體輸出管 上’該等控制單元以-預設速率之流量輸出並混合該等氣 體以形成一複合氣體; -密閉的㈣室’其表面鄰近頂部處貫設有複數個送 氣口,該等送氣口係與該等氣體輸出管相接通,以使該電 漿室經由該等送氣口接收該複合氣體; 第一電極板,係設於該電漿室之頂部,且鄰近該等 运氣口的位置,該第-電極板與—第—供電端電氣相連 接,遠第一供電端對該第一電極板提供一電壓; 一第二電極板’係設於該電漿室之底部,該第二電極 板與-第二供電端電氣相連接,該第二供電端對該第二電 極板提供不同於該第一電極板之電壓之另一電壓,該二電 壓並對邊複合氣體進行解離而使該複合氣體轉變成電漿 氣體分子; 一基座,係介於該第一電極板及該第二電極板間,該 基座與該第二電極電氣相接’該基座並放置有待蝕刻之一 玻璃基板;及 一導電篩板,係接設於該第一電極板及該玻璃基板 間,該導電篩板與一接地端電氣相連接,該導電篩板設有 複數個篩孔,該等篩孔可供該第一電極板及該導電篩板間 22 1337381 申請補充、修正之曰期:99年4月7曰 的電漿氣體分子穿過’且其尺寸大小係與通過該篩孔之電 漿氣體分子之流量大小成正比關係,以使該電漿氣體分子 一致性地撞擊該玻璃基板表面之一薄膜,對該薄膜進行電 漿蝕刻處理。 2、 如申請專利範圍第1項所述之電漿蝕刻系統,其 中該電漿室表面且鄰近該第二電極板處尚貫設有至少一 排氣口,各排氣口活動地拾設有一排氣泵,各排氣泵於開 啟時’使該電漿分子於該電漿室内對該玻璃基板進行電毁 蝕刻處理後所產生之廢棄物排出該電漿室外,各排氣泵並 可排出該電漿室中之空氣以對該電漿室加壓。 3、 如申請專利範圍第2項所述之電漿蝕刻系統,其 中該電漿室於面對該電漿氣體形成處之一側尚設有一偵 測單元’該偵測單元對該玻璃基板所進行電漿蝕刻處理之 狀況進行辨識及偵測。 4、 如申請專利範圍第3項所述之電漿叙列糸 中該導電篩板與該玻璃基板及鄕二電極板呈神;,且該 V電篩板與該玻璃基板具有共同距離。 5、 如申料利細第4項所述之賴侧系统,复 中該二電極板皆呈魏導電,該二電極板非面對該_ 板之-面外均包覆有可隔離電氣之—第—絕緣層,該中 一絕緣層防止該電漿氣體分子_二電極進行撞料= 鍵。 & 6、 如申請專利細第4項所述之銶_系統,其 23 1337381 申請補充、修正之曰期:99年4月7曰 中該基座由一導電體之物質所組成。 :*7、如申請專利範圍第4項所述之電聚钱刻系統,其 中該等4孔之尺寸由該導電篩板之四周朝該導電筛板之 中央區域遞增。 :8、如申請專利範圍第4項所述之電聚姓刻系統,其 中該等I帛孔係以複數個垂直線排列在該導電筛板。 9、如申請專利範圍第4項所述之電聚触刻系統,其 中該等篩孔係以複數個水平線排列在該導電筛板。〃 1〇、如申請專利範圍第8項所述之電漿轴刻系統,其 中該等垂絲於料鶴板尚包括魏财平線排列。 Λ!^如申請專利範圍第4項所述之電纽刻系統,其 中邊等I帛孔仙-矩形排列在該導電筛板。 12、 如申請專利範圍第4項所述之電麵刻系統,其 中該等篩孔係以一圓形排列在該導電篩板。
    13、 -種電_啦、統,係朗於大型尺寸玻璃基板 之製作,包括: 一氣控模組,包括複數個氣體輸出管及一控制單元, 該控制單元係賴不同氣體而分顺於辦㈣輸出管 上,該等控鮮元以-預設鱗之流量細魏合該等氣 體以形成一複合氣體; -密閉的賴室’其表面鄰近頂部處貫設有複數個送 氣口,該等送氣口係與該等氣體輪出管相接通,以使該電 漿室經由該等送氣口接收該複合氣體; 24 申請補充、修正之g期:99年4月7日 、〜一第-電極板’係設於該電齡之頂部,且鄰近該等 :軋二位置’該第一電極板與一第一供電端電氣相連 ,以第一供電端對該第一電極板提供一電壓; 一第二電極板,係設於該轉室之底部,該第二電極 反與第—供電端電氣相連接,該第二供電端對該第二電 極板提供不同於該第—電極板之電叙另—輕,該二電 壓並對該複合_進行_較鋪合氣體轉變成電衆 氣體分子; ’ 基座,係介於該第—電極板及該第二電極板間,該 土座與該第二電極魏相接,該基座並放置有待侧之一 玻璃基板;及 』導電祕’係接設於該第—電極缺該玻璃基板 間’該導電筛板與-接地端電氣相連接,該導電筛板設有 複數個!帛孔,鱗_孔可供該第—f極板及料電綿板間 的電聚氣體分子穿過’且其在該導賴板分布之密度係盘 通過該導㈣板之氣體分子_基板之侧強弱成 正比關係’以使5亥電製氣體分子一致性地撞擊該玻璃基板 表面之-_ ’ 進行電馳刻處理。 14、如申請專利關第13項所述之電裝㈣系統, 其中該電漿室表面且鄰近糾二電極域尚貫設有至少 -排氣口 ’各排Ha活動地拾設有―排紐,各排氣栗於 開啟時,使該電齡子於該賴室内對該玻璃基板進行電 聚細處理後所產生之廢棄物排出該電漿室外,各排氣果 25 1337381 申請補充、修正之日期:99年4月7曰 並可排出該電漿室中之空氣以對該電漿室加壓。 15、 如申請專利範圍第14項所述之電漿蝕刻系統, 其中該電漿室於面對該電漿氣體形成處之一側尚設有一 偵測單元,該偵測單元對該玻璃基板所進行電漿蝕刻處理 之狀況進行辨識及偵測。 16、 如申請專利範圍第15項所述之電漿蝕刻系統, 其中該導電篩板與該玻璃基板及該第二電極板呈平行,且 該導電篩板與該玻璃基板具有共同距離。 Π、如申請專利範圍第16項所述之電漿蝕刻系統, 其中該二電極板皆呈電氣導電,該二電極板非面對該導電 篩板之一面外均包覆有可隔離電氣之一第一絕緣層,該二 第一絕緣層防止該電漿氣體分子對該二電極進行撞擊和 濺鍍。 18、 如申請專利範圍第16項所述之電漿蝕刻系統, 其中該基座由一導電體之物質所組成。 19、 如申請專利範圍第丨6項所述之電漿蝕刻系統, 其中該等篩孔分布之密度由該導電篩板之四周朝該導電 篩板之中央區域遞增。 20、 如申請專利範圍第16項所述之電漿蝕刻系統, 其中该等篩孔係以複數個垂直線排列在該導電篩板。 21、 如申請專利範圍第16項所述之電漿蝕刻系統, 其中該等篩孔係以複數個水平線排列在該導電篩板。 22、 如中請專利範圍第2Q項所述之電雜刻系統, 26 1337381 申請補充、修正之曰期:99年4月7曰 其中該等垂直線於該導電篩板尚包括複數個水平線排列。 23、如申請專利範圍第16項所述之電漿蝕刻系統, 其中該等篩孔係以一網狀排列在該導電篩板。 27
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