TWI335984B - Ionization gauge - Google Patents

Ionization gauge Download PDF

Info

Publication number
TWI335984B
TWI335984B TW96118737A TW96118737A TWI335984B TW I335984 B TWI335984 B TW I335984B TW 96118737 A TW96118737 A TW 96118737A TW 96118737 A TW96118737 A TW 96118737A TW I335984 B TWI335984 B TW I335984B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
ionization gauge
anode
linear
cathode
ion collector
Prior art date
Application number
TW96118737A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200846641A (en
Inventor
Lin Xiao
Pi-Jin Chen
Zhao-Fu Hu
Yang Wei
Liang Liu
Shou-Shan Fan
Original Assignee
Hon Hai Prec Ind Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hon Hai Prec Ind Co Ltd filed Critical Hon Hai Prec Ind Co Ltd
Priority to TW96118737A priority Critical patent/TWI335984B/zh
Publication of TW200846641A publication Critical patent/TW200846641A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI335984B publication Critical patent/TWI335984B/zh

Links

Landscapes

  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Description

099年 07月 21 日: 1335984 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 [0001] 本發明涉及一種氣體壓強測量器件,尤其涉及一種用於 對溫度或光敏感的真空系統的電離規。 【先前技術】 [0002] 當代科技發展迅猛,於許多高新技術領域都需要真空環 境’故,真空測量係其中必不可少的重要環節。先前的電 離規包括陰極、陽極及離子收集極’陽極與離子收集極 分佈於以陰極為圓心的同心圓上,陽極設置於陰極與離 子收集極之間。目則’應用於真空測量的傳統型的電離 規中’陰極均係加熱的鎢絲y需婆"肴·電源:給鎢絲供電, 故,使得该電離規具有較大的功杈;另,由於鎢絲放氣率 高,使得該電離規不適用於高真空(低壓条)的測量; 同時,由於該電離規工作時還會有熱輻射及光輻射,從 而使該電離規不適用於對溫度及光敏感的真空系統。 [0003] 有鑒於此,提供一種結構簡單、低功耗、低放氣率 '無 熱輻射及無光輻射的電離規實為必要。 【發明内容】 [0004] —種電離規,包括線狀陰極、陽極及離子收集極,該陽 極環繞於線狀陰極外側,離子收集極環繞於陽極外側, 其中,線狀陰極包括線狀基體及設置於線狀基體上的場 發射薄膜。 [0005] 所述線狀基體為導電金屬絲。 [0006] 所述場發射薄膜為生長於線狀基體上的奈米碳管,咬塗 096118737 表單编號A0101 第3頁/共14頁 0993262280-0 Ϊ535984 099年〇7月21曰镔 敷於線狀基體上的奈米碳管漿料及導電漿料 [0007] [0008] 所述陽極及離子收集極可為金屬環,金屬孔或者金屬網 的孔狀結構。 與先前的電離規相比,本發明所提供的電離規中,由於 採用具有優良的場發射性質的奈米碳管來發射電子,故 ,具有結構簡單 '低功耗 '低放氣率、無熱輻射及無光 轄射等優點’從而使該電離規適用於對溫度或光敏感的 真空系統。同時’該電離規測量的真空範圍為丨〇-7托( Torr)至10_3T〇rr ’已達到傳統型電離規的測量範圍, 且該電離規測量的真空範圍可通過優化其結構而進一步 擴展。 ' 【實施方式】 ' [0009] [0010] 下面將結合附圖對本發明實施例作進一步的詳細說明。 請參閱圖1,本發明提供一種電離規1〇〇,該電離規1〇〇包 括線狀陰極102、陽極104及離子收集極106,該陽極104 環繞於線狀陰極102的外側,離子收集極1〇6環繞於陽極 104外側。陽極104及離子收集極1〇6分佈於以線狀陰極 102為圓心的同心圓上。線狀陰極1〇2、陽極104及離子 收集極106三者之間係絕緣的。電離規1〇〇進一步包括外 殼120及三個電極引線122,上述線狀陰極102,陽極104 及離子收集極106均置於外殼120内,三個電極引線122 的一端分別與陰極102,陽極104及離子收集極106連接 ,另一端延伸至外殼120外。外殼120係封閉的,具有一 定的真空度。 096118737 表單編號A0101 0993262280-0 1335984 099年 07月 [0011] 該陽極104及離子收集極106的材料為導電金屬,如鎳、 鎢、銅等。陽極104為金屬環、金屬孔或者金屬網等孔狀 結構。離子收集極106為金屬環、金屬孔或者金屬網等孔 狀結構或平板狀結構。 [0012] 請參閱圖2 ’該線狀陰極102包括線狀基體1〇8及設置於線 狀基體108上的場發射薄膜11〇 ^線狀基體1〇8為鎳、鎢 、銅等導電金屬絲。線狀基體1〇8的直徑範圍為〇. 2毫米 (mm)至2mm ’優選為0· 3mm。線狀陰極102與陽極104 • 的距離為1mm至8mm,線狀陰極1〇2與離子收集極1〇6的距 離為1 0mm至15mm。 [0013] _ ° Ά . V: .· 場發射薄膜110包括奈米碳管^料及導電漿料。導電聚料 包括低熔點玻璃及導電金屬^粒奈米碳管漿料包括有 機載體、奈米碳管,各成分的質量百分比為:奈米碳管 5~15% '導電金屬微粒1〇~20%、低熔點玻璃5%及有機載 體60〜80%。 φ [0014] 奈米碳管為通過化學氣相沈積法、電弧放電法或鐳射蒸 發法等現有方法製備,通過離心提純所得到的純度較高 的奈米碳管。奈米碳管的長度於5微米至15微米的範圍内 為佳,過短會減弱奈米碳管的場發射特性,過長容易使 奈米碳管折斷。 [0015] 有機載體包括作為主要溶劑的松油醇、作為增塑劑的少 量鄰位笨二曱酸二丁酯及作為穩定劑的少量乙基纖維素 的混合物。 [0016] 低熔點玻璃的熔點要低於線狀基體1〇8的材料的熔點,從 096118737 表單編號A0101 第5頁/共14頁 0993262280-0 1335984 099年07月21日隹正養換頁 而確保於加熱的情況下’低炼點破璃先溶化 低炼點玻璃的炼點在_〜5()(rc的範圍内。低熔點玻璃的 作用係將場發㈣膜11Q中的奈⑭管與線狀基體ι〇8進 優選地 行枯結,從㈣A於電場的仙下奈米碳管從線狀基體 108上脫落,進1^延長線狀陰極102的使用壽命 [0017] [0018] [0019] [0020] [0021] [0022] [0023] 導電金綠_㈣可為氧仙m訪躲奈米 碳管與線狀基體108之間的電性連接。 線狀陰極102的製備步驟具體如下 ⑴將奈来碳管、導電金屬微粒、低㈣玻璃及有機載 體等按一定的質量百分比混合; (2)通過超聲振蕩等方法使各成份均勻分散而得到均勾 穩定的漿料; (3)將所得的漿料通過絲網印刷等方法塗覆於線狀基體 108上,再進行烘乾及焙燒而形成覆於線狀基體108上的 場發射薄膜110。 步驟(3)中烘乾的目的係去掉步騾中所得到的漿 料中的有機載體,培燒的目的係使低熔點玻璃炫融,起 到粘結奈米碳管與基體108的作用。 為進一步地增強線狀陰極丨〇2的場發射特性,於步驟(3 )之後,可進一步包括對場發射薄膜11()的表面進行摩擦 處理的步驟。該摩擦步驟可使得奈米碳管的一端由於被 摩擦引起的靜電所吸引而冒頭,且冒出頭的奈米碳管取 白致故了增強線狀陰極102的場發射特性。奈米碳
096118737 表單編號A0101 第6頁/共14頁 0993262280-0 1335984 [0024] [0025] [0026] 099年07月21日按正替換頁
[0027]
[0028] [0029] [0030] 096118737 管還可進行膠帶粘貼地處理,以使其露頭。 場發射薄膜110還可為通過化學氣相沈積法、電弧放電法 或鐳射蒸發法等方法直接生長於線狀基體108的奈米碳管 〇 以下說明該電離規10 0測量壓強的工作原理: 線狀陰極102為零電位,陽極104加上正電位。於陽極 104電位的作用下,線狀陰極102發射出電子,大部分電 子會穿過陽極104,飛向離子收集極106。由於離子收集 極106上施加負電位,對電子有減速的作用,因此電子又 會反向折回陽極104,形成陽極黨流Ie。於此過程中,電 子與被測環境空間的氣體分子碰撞並使氣體分子電離, 產生帶正電的離子。該正離子被離子收集極106所吸收, 形成離子流I i。陽極電流I e與離子流I i有如公式(1 )的 關係: Ii/Ie=kp (1) 其中P為氣體壓強,k係一個固定的比例係數,稱為靈敏 度。靈敏度係電離規100的固有性質,由它的結構決定。 通過標準真空計校準該電離規100,可得知其靈敏度k。 故,通過測量電離規100的陽極電流Ie及離子流Ii就可以 得出被測環境的氣體壓強P。 需要指出的係,電子在線狀陰極102與陽極104間的距離d 内,與氣體分子相碰撞的幾率P可由公式(2)表示: P(d)=l-exp(-d/l) (2) 表單編號A0101 第7頁/共14頁 0993262280-0 1335984 099年07月21曰 1_-— [0031] 其中1係平均自由程,它與氣體壓強成反比。為了儘量減 小電子與氣體分子的碰撞幾率p,要求d應比1小,以減少 線狀陰極102與陽極104之間產生的離子,避免離子轟擊 線狀陰極102,造成線狀陰極102的損壞或不穩定。本實 施例中’優選地,線狀陰極102與陽極104間的距離d為 lmm至2mm,線狀陰極102與離子收集極1〇6間的距離D為 12mm 〇 [0032] 請參閱圖3 ’測量結果顯示了本實施例的電離規1 〇 〇,在 收集極電壓為25伏(V) ’陽極電壓為750V於l〇-7Torr至 10_3Torr的測量範圍内,Ii/ie與p之間具有極好的線性 關係,故該電離規100適用於l〇-7Torr至l(T3T〇rr範圍 内真空度的測量。 [0033] 與先前的電離規相比,本發明所提供的電離規中,由於 採用具有優良的場發射性質的奈米碳管來發射電子,因 此具有結構簡單' 低功耗、低放氣率、無熱輻射及無光 轄射等優點,從而該電離規適用於對溫度或光敏感的真 空系統。同時,該電離規測量的真空範圍g1〇-7T〇rr至 10_3T〇ri·,已達到先前型電離規的測量範圍,而且該電 離規測量的真空範圍可通過優化其結構而進—步擴展。 [0034] 综上所述,本發明確已符合發明專利之要件,遂依法提 出專利申請。惟,以上所述者僅為本發明之較佳實施例 ,自不能以此限制本案之申請專利範圍。舉凡熟悉本案 技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化, 皆應涵蓋於以下申請專利範圍内。 096118737 【圖式簡單說明】 表單編號A0101 第8頁/共14頁 0993262280-0 1335984 099年07月21日垵正替换頁 [0035] 圖1為本發明實施例所提供的電離規的側剖視圖。 [0036] 圖2為本發明實施例所提供的電離規的橫截視圖。 [0037] 圖3為本發明實施例所提供的電離規的的工作特性曲線。 【主要元件符號說明】 [0038] 電離規:100 [0039] 線狀陰極:102 [0040] 陽極:104 [0041] 離子收集極:106 [0042] 線狀基體:108 [0043] 場發射薄膜:110 [0044] 外殼:120 [0045] 電極引線:122
096118737 表單編號A0101 第9頁/共14頁 0993262280-0

Claims (1)

1335984 099年07月21日修正替換頁 七、申請專利範圍: 1 . 一種電離規,包括線狀陰極、陽極及離子收集極,該陽極 環繞於線狀陰極外側,離子收集極環繞於陽極外側,線狀 陰極、陽極及離子收集極相互絕緣地間隔設置,其改進在 於:線狀陰極包括線狀基體及設置於線狀基體上的場發射 薄膜,所述線狀陰極與陽極間的距離小於被測氣體的平均 自由程。
2 .如申請專利範圍第1項所述的電離規,其中,所述線狀基 體為導電金屬絲。 3. 如申請專利範圍第1項所述的電離規,其中,所述線狀基 體的直徑為0. 2毫米至2毫米。_ 4. 如申請專利範爵第1項所述的電離規,其中,所述場發射 薄膜為生長於線狀基體上的奈米碳管。 5. 如申請專利範圍第1項所述的電離規,其中,所述場發射 薄膜為塗敷於線狀基體上的奈米碳管漿料及導電漿料。 6 .如申請專利範圍第5項所述的電離規,其中,所述導電漿 料包括低熔點玻璃及導電金屬微粒,奈米碳管漿料包括有 機載體、奈米碳管,各成份的質量百分比為奈米碳管 5〜15%、導電金屬微粒10〜20%、低熔點玻璃5%及有機載 體60~80〇/〇。 7. 如申請專利範圍第6項所述的電離規,其中,所述有機載 體包括松油醇、乙基纖維素及鄰笨二甲酸二丁酯。 8. 如申請專利範圍第6項所述的電離規,其中,所述奈米碳 管的長度為5微米至15微米。 9. 如申請專利範圍第1項所述的電離規,其中,所述陽極為 096118737 表單編號A0101 第10頁/共14頁 0993262280-0 1335984 099年07月21日修正替换頁 孔狀結構。 10.如申請專利範圍第1項所述的電離規,其中,所述離子收 集極為孔狀結構或平板狀結構。 11 .如申請專利範圍第9項或第10項所述的電離規,其中,所 述孔狀結構包括金屬環、金屬孔或者金屬網。 12. 如申請專利範圍第1項所述的電離規,其中,所述線狀陰 極與陽極的距離為1毫米至8毫米。 13. 如申請專利範圍第1項所述的電離規,其中,所述線狀陰 極與離子收集極的距離為10毫米至15毫米。 14. 如申請專利範圍第1項所述的電離規,其中,所述的電離 規進一步包括外殼及三個電極引線,上述陰極,陽極及離 子收集極均置於外殼内,各電極引線的一端分別與線狀基 體,陽極及離子收集極連接,另一端延伸至外殼外。 15. 如申請專利範圍第1項所述的電離規,其中,線狀陰極與 陽極間的距離為lmm至2mm。 096118737 表單編號A0101 第11頁/共14頁 0993262280-0
TW96118737A 2007-05-25 2007-05-25 Ionization gauge TWI335984B (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW96118737A TWI335984B (en) 2007-05-25 2007-05-25 Ionization gauge

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW96118737A TWI335984B (en) 2007-05-25 2007-05-25 Ionization gauge

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200846641A TW200846641A (en) 2008-12-01
TWI335984B true TWI335984B (en) 2011-01-11

Family

ID=44823260

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW96118737A TWI335984B (en) 2007-05-25 2007-05-25 Ionization gauge

Country Status (1)

Country Link
TW (1) TWI335984B (zh)

Also Published As

Publication number Publication date
TW200846641A (en) 2008-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8242783B2 (en) Ionization vacuum gauge
US7791350B2 (en) Ionization vacuum gauge
CN101133308B (zh) 真空测量仪
JP6138686B2 (ja) ナノダイヤモンド層を有する電子増倍装置
US7741852B2 (en) Ionization vacuum gauge
US8169223B2 (en) Ionization vacuum gauge
US20090066216A1 (en) Field emission light source
CN101303955B (zh) 离子源组件
TWI453781B (zh) 應用於電子源之燈絲
CN113543439B (zh) 发射探针及用于等离子体诊断的方法
TW202205354A (zh) 短弧型放電燈
TWI335984B (en) Ionization gauge
JP2002520798A (ja) 光検出器およびその製造方法
TWI447368B (zh) 電離規
JP3489373B2 (ja) ショートアーク型水銀ランプ
JP5649734B2 (ja) 電界放出光源素子及びその製造方法
US7800293B2 (en) Field emission lamp and method for making the same
WO2003098657A1 (fr) Pistolet a cathode froide
TWI398627B (zh) 電離規
KR101121639B1 (ko) 전자 방출 장치의 음극부 구조
JP2010211955A (ja) 発光装置
TWI330857B (en) Ion source module
CN108194314B (zh) 气体捕集型真空泵及其制作方法和使用方法
KR101151353B1 (ko) 침상 전계방출형 전자빔 에미터의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 침상 전계방출형 전자빔 에미터
JP2001068015A (ja) 電子素子

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent