TWI323293B - Deposition system using noise canceller and its method of control - Google Patents

Deposition system using noise canceller and its method of control Download PDF

Info

Publication number
TWI323293B
TWI323293B TW095100443A TW95100443A TWI323293B TW I323293 B TWI323293 B TW I323293B TW 095100443 A TW095100443 A TW 095100443A TW 95100443 A TW95100443 A TW 95100443A TW I323293 B TWI323293 B TW I323293B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
deposition
rate
deposition rate
power
noise
Prior art date
Application number
TW095100443A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200628632A (en
Inventor
Min Jeong Hwang
Original Assignee
Samsung Mobile Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020050001086A external-priority patent/KR100622224B1/ko
Priority claimed from KR1020050001087A external-priority patent/KR100622223B1/ko
Priority claimed from KR1020050001088A external-priority patent/KR20060080683A/ko
Application filed by Samsung Mobile Display Co Ltd filed Critical Samsung Mobile Display Co Ltd
Publication of TW200628632A publication Critical patent/TW200628632A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI323293B publication Critical patent/TWI323293B/zh

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/542Controlling the film thickness or evaporation rate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Indication And Recording Devices For Special Purposes And Tariff Metering Devices (AREA)
  • Noise Elimination (AREA)
  • Feedback Control In General (AREA)
  • Exhaust Silencers (AREA)

Description

i^ZSZ93 九、發明說明: 優先權之主張 案係參妝、於此結合及主張三件較早於2 〇 〇 5年 6日向麵國智慧財產局申請且正式被指定為流水號第 =0〇5-〇〇〇1〇“、10 —2〇〇5一〇 ,之 87* 1 0 - 2 0 0 5 - 0 0 0 1 0 88 號之申 δ月案之所有利益。 【發明所屬之技術領域】
^本發明係關於一種沉積系統及其控制方法,且更特別 :關:-種沉積系統’其係使用一個雜訊消除器消除測量 「個沉積速率期間產生之雜訊的影響,以準確地控制沉積 速率’以及一種控制該沉積系統之方法。 【先前技術】 一個沉積系統係包含-個沉積裝置、—個沉積速率感 測器及-個電力供應單元。該沉積裝置係包含—個蒸發器 及-㈣射器。該沉積速率感測器係測量該沉積裝置之沉 速率》玄電力供應單元係根據該沉積速率感測器所測量 到的沉積裝置之沉積速率而調整供應給該沉積裝置之電 力。-個使用其之頻率係反比於重量之晶體而測量沉積速 率之晶體感測器係被使用作為沉積速率感 速率感測器所測量出之沉積速率係含有由於電波所造= 雜訊、由於電源線所造成的雜訊、由於冷卻水流而來的振 動所造成的雜訊及由於一個沉積源的移動所造成的雜訊。 因此,當由該沉積速率感測器所測量出之沉積速率係被提 5 1323293 供給電力供應單元時,沉積速率係由於該雜訊而被改變。 此係導致形成具有一個不期望的厚度之薄膜。 【發明内容】 因此,本發明之一個態樣係提供一種沉積系統,其係 使用一個雜訊消除器消除測量一個沉積速率期間產生之雜 訊的影響’以準確地控制沉積速率,且其係藉此獲得一個 具有期望厚度之薄膜,以及一種控制該沉積系統之方法。 本發明之上述及/或其他態樣係藉由提供一種沉積系 統而達成,該沉積系統係包含:一個沉積裝置;一個沉積 速率感測器,其係適用於測量該沉積裝 個雜訊消除器,其係適用於消除測量出之沉積雜: 2分;及-個電力供應單元,其係適用於根據該雜訊消除 益之一個輸出而調整提供給該沉積裝置之電力。 …根據本發明之—個第二態樣,其係提供—種沉積系統, :沉積系統係包含:一個沉積裝置;一個電力供應單元, ::係適用於提供電力給該沉積裝置;一個沉積速率感測 益’其係適用於測量該沉積裝置之沉積速率;及_個雜訊 門Γ適用於根據在一測量期間之沉積速率及在該 石j間4於或大於一預定百分比之期間之沉積速率係於 01Γ圍下之'則量出的沉積速率的範圍,而控制該電力供 心單疋改變提供給該沉積裝置之電力。 根據本發明t一個帛三態樣,其係'提供一種控制沉積 糸乡先之士 _ ,該方法係包含:(a )測量一個沉積裝置之 知速率,(b )決定是否在一測量期間之沉積速率及在 6 該測量期間箅μ + 寺於或大於一預定百分比之期門—、,^ 於相同範圍.^ 、 s之沉積速率係 ,(c )根據在一測量期間之 測量期間等於或大於一 積速率及在該 乂大於 預疋百分比之期簡—, 相J5J g ητ > ’ 之沉積速率係於 沉積裝置之電力.…、t圍而改變提供給該 电力,及⑷重複步驟(a) i (d)。 【貫施方式】 第1圖係為_個沉積系統 系統係包含一個沉籍梦署]n …、、、第1圖,該沉積 及—彳@ t Λ 、 、個沉積速率感測器2 Ο 及個電力供應單元3〇。該沉積 發器及一個濺鼾哭# 丄υ係包合一個洛 …4…沉積速率感測器20係測量該沉積 敦置1 0之沉積速率。該電力供應 速丰感測器2 〇所測量到的沉積裝 ^ 軚板庙μ — w衣1 1 〇之沉積速率而調 重量之晶體而測量沉積速率之曰體=其之頻率係反比於 藉m,, L積料之BB體感測器係被使用作為沉 積速率感測器2 〇。由該沉積速率感 傾疋千认/則斋2 0所測量出之 沉積速率係含有由於電波所造成 ^ ^ 风旳雜汛、由於電源線所造 成的雜訊、由於冷卻水流而來的振動所造成的雜訊及由於 一個》儿積源的移動所造成的雜訊。以,#由該沉積速率 感測器2 0所測量出之沉積速率係被提供給電力供應單元 3 〇時,沉積速率係由於該雜訊而被改變。此係導致形成 具有一個不期望的厚度之薄膜。 弟2圖係為一個根據木發明夕 Jra ^ 踢不發明之—個實施例的沉積系統 之圖。參照第2圖,根據本發明之—個實施例的沉積系統 係包含:—個沉積裝置1 1 ◦卜個沉積速率感測器! 2 1323293 Ο ; 積裝 積裝 力而 3, 11 該船 應單 積裝 16 沉積 之上 -個雜訊消除器丄3 〇 ;及一個電力供應單元 雖然—個蒸發器或-錢射器係能夠被使 ◦。 置1 〇,蒸發器係使用於本發明之此實施例中::亥: 置110係包含-個真空室111及-個沉積源Κ _室1 1 1係維持其内之真空狀態。該沉積 之沉積速率係根據提供給該電力供應單元丨4 〇 受到控’卜該沉積源i JL 2係包含一個沉積材料:: -個船形容器i i 4及一個線圈丄丄5。該沉積材料 3係於一個高溫下蒸發。該沉積材料1丄3係裝載於 形谷器114之上。該線圈115係連接至該電力供 元1 4 〇,且係提供熱量給該船形容器i丄4。該沉 置1 1 〇係於—個基質1 1 6設置於其内或該基質i 及一個光罩1 1 7係設置於其内之狀態下操作,藉此 具有一個期望厚度之沉積材料i 1 3於該基質i丄6 再者,於一個實施例中,雖然一個晶體感測器係能夠 被使用作為該沉積速率感測器1 2 0,本發明係不受限於 此。 —個晶體感測器係使用其之頻率係反比於施加重量之 晶體而測量沉積速率,該晶體感測器係被使用作為沉積速 率感測器1 2 0。使用當施加給晶體之重量係因沉積而增 加時頻率係減少的原理,該沉積速率感測器1 2 〇係測量 她加的重量之速率的增加,亦即,根據重量的沉積速率。 再者’該雜訊消除器1 3 0係實施消除自該沉積速率 8 1323293 感'則盗1 2 〇輸出而來的沉積速率之一個雜訊成分的功 能。 —個低通遽波器(此後稱為低通濾波器)係能夠被使 用作為δ亥雜訊消除器1 3 0。該低通濾波器係實施消除或 自 士参' 〜况積速率感測器1 2 〇而來的雜訊的功能,亦即 β ”積速率感剩器1 2 0輸出而來的高頻成分,且接著 提供=結果給該電力供應單元1 4 0。此係僅為一個實施 J 、而該雜訊消除器1 3 0係不受限於此。 ,根據本發明之—個實施例之一個沉積系統的下列敘述 係叙叹忒雜訊消除器1 3 0係以低通濾波器具體化。 忒低通濾波器1 3 0係能夠以一個類比電路或一個數 位電路而具體化。而且’該低通濾波器1 3 0係能夠以一 個低通據波器程式係於其内執行之處理器具體化。 …個具有一個電阻器及一個電容器uc電路係為-個 二,路SI: 一個有限脈衝響應(其後稱$ “有限脈 曰^ )濾波盗或一個無限脈衝響應(其後稱為“益 脈衝響應,,)爐、波器係能夠被使用作為該數位電路,限 當該低通濾波器i 3 〇係以一個處理器罝 T波器…係能夠被程式設計成實施與一個處二: ^有限脈衝響錢波器或無限脈衝響㈣波器相同^ 第3圖係為包含於第2圖之沉積系統中的 之-個範例的-個有限脈衝響應濾波器之圖。 嫌益 參照第3圖’―個低通據波器U◦係包含複數個暫 9 1323293 存器1 3 1、複數個乘法器i 32及一個加法器工。 。。複數個暫存器i 3 i係循序地移位自—個沉積速率感 測器1 2 〇而來的沉積速率ΙΝρϋτ。 複數個乘法器i 3 2係將複數個暫存器工3工 及:波器係數Κ“Κη相乘及輪出。該些攄波器係二 ίη二之广:個係具有一預定值。當所有濾波器係數K1至 係為1 k,該低通滤波H i 3 Q係不 =複數個暫存器…之輸出係直接轉移 該加法器1 3 3係實施將該些乘法器工3 2 總的功能。輸入至該加法器" μ出加 ,. ύ J之'儿積速率值的數吾及 決疋一個平均視窗及頻寬。當該 係 n n W ^牛之輸入期間係 0.1秒且沉積速率值之數量係為工〇時,期係為 之數量的乘積係變成i秒。隨 句現窗 =積速率值的數量增加,該低通渡波器130 2之 二。對照之下,隨著沉積速率值的數 2減 個半加法器的組合所構成。 戈個王加法器及一 第4圖係為包含於第2圖之沉積系統中 另一個範例的-個無限脈衝響應據波器之圖 除器 參照第4圖,該低通據波器13〇係包 136、一個暫存器137、 。。 加法器 個第二乘法器139。 一 3t法器138及— 10 丄以3293 *加法态1 3 6係實施加總自該沉積迷率感測器丄2 傳送而來的沉積速率ΙΝρϋΤ及該第一乘法 二的功能,該第-乘法器138之輸出係為一個反饋: 刀。6玄暫存器1 3 7係、操作成回應於—個時脈訊號ακ, 且延遲及傳送該加法器i 3 6之輸出至該第_乘法器丄3 8。該第-乘法器138係將該暫存器137之輸出及— 個第-係數Π相乘及輸出。該第—係數 ^值。當該第—係數近於㈣,該低通濾波器丄 〇之頻寬係減少。對照之下’當該第—係數K1係趙近 時,該低通渡波器i 3 0之頻寬係增加。該第二乘法 益1 3 9係將該加法器i 3 6之輸出及一個第二係數Κ2 相乘及輸出。該第二係數Κ2係能夠為(丄,該第一係數)。 當該第二係數K2係為lBf,該第二乘法器係㈣被省略。 上文所it。s於本發明之該沉積系統内的低通據 波器1 3 0係首先設定一個寬的頻寬,且接著減少該頻 寬。 假如該頻寬係於起始階段祯邛々 . 仅被叹疋為小的,則該低通濾 波器1 3 0係具有其係較不受雜寸旦,伽 又雜δί1影響的優點。然而,於 此情況下,該低通濾波器1 3 η伤目士 “ J υ係具有其花費長的時間收 歛之問題。 假如該頻寬係增加,則收敍张# J叹歛所化費的時間係減少。然 而’該低通濾波器1 3 0係大幅夸丨私 、问又到雜訊影響。 因此,於本發明之一個實祐也丨a 貫施例中,該低通濾波器i 3 0之頻寬係於起始階段設定為官沾 巧見的’且接著被減少。此係 11 導致由於雜訊被減少的影 亦被減少。 叹飲所花費的時間係 。亥電力供應單元工4 0係根據該低 輸出而調整提供給該沉積裝置110之電广130之 波器1 3 〇之輪+ 令 電力。當該低通濾 υ之輸出’亦即雜訊被消除之測量 大於一個目標沉積速率時 凡積速率,係 提供給該沉積單元Ί ] 1 4 0係減乂 積早疋1 1 ◦之電力。對照之 波器1 3 0之輸出,介Β *该低通濾 小於該目標二Γ::被消除之測量沉積速率,係 供給該沉積單wlc)m力供應單元14◦係增加提 第2圖之沉積系統係 積速率感測器12〇^=Γ方式操作,且減少在沉 速率準確地受控制。生的雜訊之影響,其係允許沉積 第5圖係為在該雜訊消除器的頻寬係 間經過期間包含於第2圖中 之時 化的圖。 月陈盎之—個輸出的變 於第5圖中,橫軸係代表時間,且 該低通濾波器之後的沉積速率宁代表在通過 固之值係首先被設定為丄秒。 十勺視 ^ ^ 接者’该平均視窗之值俜循 :被改變成4秒及10秒。因此,第5圖係顯 = 減少頻寬期間測量一個沉積速率所 漸漸 圖,應注意的是,由於_個雜 & 〇不於第5 減少。 影響係隨著時間進行而 當沉積速率感測器12〇輪出而來的沉積速率在—預 12 定測量期間係持續維持相π μ # …蚀 範圍時,包括於本發明之該 雜訊消除器1 3 〇係決定雜訊不包含於兮 沉積速率之中。接著,访仙 、 3 ^ ^ . x ” sfl消除器1 3 0係傳送該沉積 〇率至该電力供應單元14〇,藉此控制 置1 1 0之電力。 ^,儿積聚 對照之下,當沉籍、Φ办 速率在定、率感測器12◦輸出而來的沉積 2在Wil期間係持續維持於不 於本發明之該沉積系統内之該雜訊消除器 。:包含於该沉積速率之中。接著 ㈣ 消除包含於該沉積速率内w 月陈益1 3 0係 資訊。該雜訊消除器工3係=以獲得補償的沉積速率 至該電力供應單元工4〇,料送該補償的沉積速率資訊 ;[〇之電力。 糟此控制提供給該沉積裝置工 當雜訊係包含於·;7Γ # 視,且該電力供庳單_ ]逮率之中時’該沉積速率係被忽 同的電力水準Γ 0係能夠維持與前一個狀態相 舉例而言,當自沉積速率感測Η2 積速率係於該雜訊消除……輸出而修 目標沉積速率時二 3〇之測_持續大於-個 包含於該=率::訊消除器130係決定該雜訊係不 控制,以減少提卜Γ且該電力供應單元14 〇係受到 再 。鉸供、,°该沉積裝置1 1 0之電力。 率係於:量積速率感測器120輸出而來的沉積速 且於剩餘…部分期間持續大於-個目標沉積速率 '間係小於該目標沉積速率時,該雜訊消除Η 1323293 〇係決定該雜訊係包含於該沉積速率之中,且其係自該 >儿積速率中消除該雜訊,且傳送補償沉積速率資訊至該電 力供應單元1 4 0,藉此控制提供給該沉積裝置1 1 電力。 亦即,在沉積速率感測器i 2 〇輸出之校正之前,沉 積速率係被忽視,使得該沉積速率係不控制該電力供應單 元 1 4 〇。 " 勿當雜訊係包含於該沉積速率之中時,該沉積速率係被 忽視,藉此,該電力供應單元丄4 〇係能夠維持前一個狀 態之電力。 此外’當沉積速率在該測量期間之—預定期間係於相 同的範圍時,該雜訊消除器丄3 〇係決定雜訊不包含於該 ’儿積迷率之中,且因而控制該該電力供應單元1 4 〇。對 …之下,當沉積速率在該測量期間之一預定期間係於不同 的範圍時,該雜訊消除器i 3 〇係決定雜訊包含於該沉積 :率之中,且消除包含於該沉積速率内之雜訊,以獲得補 償的沉積速率資訊。該雜訊消除器丄3 〇係傳送該補償的 沉積速率資訊至該電力供應單元工4 〇,藉此控制提供給 s玄沉積裝置1 1 0之電力。 、舉例而言,當自沉積速率感測器丄2 〇輸出而來的沉 積速率係持續大於一個等於或超過該雜訊消除哭丄3 〇之 測量期間之7 0 %的期間時’其係決定該雜訊;包含於該 沉積速率之m,該雜訊消除器^ 3◦係控制該電力 供應單元1 4 〇,以減少提供給該沉積裝置2工〇之電 14 力。 對π之下,自沉積速率感測器 w。翰出而來的沉積 .2车係持續大於或小於-個小於該雜訊消除器丄3 〇之測 -里期間之7 〇 %的期間且沉積速率係持續小於或大於一個 •剩餘的期間時,其係決定該雜訊包含於該沉積速率之中。 因此,該雜訊消除器130係消除包含於該沉積速率内之 雜訊,且傳送補償的沉積速率資訊至該電力供應單元丄4 〇,藉此控制提供給該沉積裝置χ工〇之電力。 • /亦即’在沉積速率感測器1 2 〇輸出之校正之前,沉 積速率係被忽視,使得該沉積迷率係不控制該電力供應單 元 1 4 0 〇 當其係決定雜訊包含於該沉積速率之中時,該沉積速 .率係被忽視,藉此,該電力供應單元1 4 〇係能夠維持前 一個狀態之電力。 較佳的情況為’該測量期間係等於或大於1秒。 此係因為貫驗測量出的雜訊時間長度係不超過1秒。 籲當該測量期間係設定為比1秒少,則該沉積速率係由於雜 訊而在測量期間能夠具有一個固定的範圍。因此,於此情 況下,此係導致雜訊控制該電力供應單元1 4 ◦。 亦即,為了解決上述問題,該測量期間係適合地為大 _ 於1秒,其係比雜訊的長度為長。 再者’該測量期間係於該雜訊消除器1 3 〇中設定為 於起始階段較短’以增加收歛速度。其後,該測量期間係 設定為逐漸變長’以進一步減少雜訊的影響。 15 1323293 此係先前藉由該雜訊消 具體化之情況而予以敘述。 0 υ以一個低通濾波器 再者’該電力供應單亓 之輸出而實施一項調整==據該雜訊消除㈠ 力之功能。在該雜訊消除“L積裝置1 1 0的電 、 13 〇之輪出係指示兮,兄藉、Φ 率係大於-目標沉積速率之情況下,肖 積速 0係減少提供給該沉積裝置2丄〇的 ,、早π 1 4 該雜訊消除器i 3 〇之輸 。對照之下,當 標沉積速㈣,該電力供革係低於該目 積裝置1 1 0的電力。 4 0係增加提供給該沉 ι:ΓΓ消除器130之輸出係指示忽略-個測量 >儿積速率,則該電力供應單 里 一個狀態。 早…◦係能夠維持電力於前 而且’ δ亥電力供應單元14 0係首先根據-個電力辦 加及減少的請求而設定電源之變化單位大一些,以增心 歛速度纟後,該電力供應單元丄4 0係逐漸設定該 之變化單位小-些,以進一步減少雜訊的影響。 第2圖。之沉積系統係以上述之方式操作,以減少沉積 速率感心1 2 ◦中產生的雜訊之影冑’其係允許沉積速 率準確地受到控制。 ' 此外,藉由逐漸增加該雜訊消除器丄3 〇之測量期間 成漸減 >'电力變化單位,收欽速度係增加且雜訊 之影響係減少。 成 第6圖係為一個根據本發明之一個實施例的一種控制 16 1323293 一個沉積系統之方法的流程圖。 參照第6圖,一種控制沉積系統之方法係包含下列步 - 驟:(S11)測量一個沉積速率;(S12)決定是否測量出 • 的沉積速率在一個測量期間係於相同範圍内;(S13 )改 • 變電源;及(s 14)增加測量期間。 步驟S11係測量該測量期間一個沉積裝置之沉積速 率。 關於疋否a亥測量出的沉積速率在一個測量期間係於相 φ 同的魟圍之決定係被實施(步驟si2 )。假如該測量出的 沉積速率在一個測量期間係於相同的範圍,則該電源係根 據測量出的沉積速率的範圍而被改變(步驟S1 3 )。假如 該測量出的沉積速率在該測量期間係於不同的範圍’則該 ; 測量出的沉積速率係被忽略,且供應電力係維持前一個 值。於步驟S12中,關於是否測量出的沉積速率在測量期 間大於一預定百分比之期間係於相同的範圍之決定係被實 施。 籲 當測量出的沉積速率在測量期間大於一預定百分比之 期間係於相同的範圍,則該電源係根據測量出的沉積速率 的範圍而被改變(步驟S1 3 )。 - 對照之下,當測量出的沉積速率在測量期間大於—預 疋百刀比之期間係於不同的範圍,則該測量出的沉積速率 係被忽略,且供應電力係維持前一個值。 於步驟S1 3中,提供給沉積裝置之電力係根據沉積 率之範圍而被改變。 17 舉例而言,假%目丨丨旦 M 111 i s + 11 、里出的沉積速率係被分割成為兩個 乾圍,其係具有該測量 斤 卜 功間之一個第一範圍及一個第二範 圍。該弟一範圍係指千士 ^ '、δχ測$出的沉積速率係大於一個目 標沉積速率之情況,且該 Λ第一粑圍係私不該測量出的沉積 速率係小於一個目標沉積备 迷丰之潰/兄。虽遠測置出的沉穑 速率係於該測量期間之第— 罘範圍内牯,給該沉積裝置之供 應電力係減少。當嗜制旦山 惯衣夏I供 J里出的沉積速率係於該測量期間之 第二範圍内時,給兮玄7接壯 / N里屑間之 Φ 儿積裝置之供應電力係增加。 步驟S14係增加:目彳曰 比〜 / 期間。步驟S14係非每—個迴圈 白貫施,而係在—預定口士日g 一 _ ^ ^ 4經過之後,亦即在該迴圈重複 一預疋^人數之後,被實施。 步驟S14係能夠僅眘& 以,一箱… 次。而且’步驟Sl4係能夠 义在預疋期間已經經過之後再一次f ^ + 被實施兩次。1"卜J …步驟S14之方式 — 控制〉几積糸統同時維持測量期間於一固 疋值之方法係能夠省略步驟S14。 / e U彳目根據本發明之另"·個實施例的-種控 制一個沉㈣統之方㈣流抑。 種控 S13二二之控制—個沉積系統的方法的步驟S"、S12及 如如、與^圖之控制—個沉積系統的方法 及S13相同。 少领ύΐι ύΐζ 步驟S15係減少雷六树乂 μ。。 迴圈皆實施,而侍r= S15係非每一個 重複預…預定時間經過之後,亦即在該迴圈 f複一預疋次數之後’被實施。步驟邮係能夠僅實施一 \。而且,步驟 S 1 5在At' 係此夠以在一預定期間已經經過之後 18 再—次實施步驟S15之方式被實施兩次。 -種控制沉積系統同時維持測量期間於一固定值之方 法係能夠省略步驟S15。 雖然本發明之示範實施 本項技術者係可以認知:在 下’這些實施例係能夠被修 請專利範圍所界定。 例係已經被顯示及敘述,熟習 不偏離本發明之原理及精神之 改’本發明之範疇係由後附申 如上文所述,根據本發明之一個實施例的沉積系統及 控制沉積系統的方法係使用一個雜訊消除器消除在—個沉 積速率感測器中測量到的㈣,藉此準確地控制—個沉積 速率及獲得一個期望厚度之薄膜。 此外’根據本發明之一個實施例的沉積系統及控制沉 積系統:方法係逐漸增加一個測量期間或逐漸減少一個電 力變化單位’藉此增加收歛速度及減少雜訊的影響。 【圖式簡單說明】 當本發明藉由參照下列詳細說明結合後附圖式而變成 較容易瞭解日夺,本發明之更完㊣的瞭解及本發明之許多伴 隨的優』將很&女成明顯的,於後附圖式巾,類似的參考 符號係指示相同或類似的構件,其中: 第1圖係為一個沉積系統的圖; 第2圖係為一個根據本發明之一個實施例的沉積系統 之圖; ' ” 第3圖係為包含於第2圖之沉積系統中的雜訊消除器 之一個範例的一個有限脈衝響應濾波器之圖; 】9 第4圖係為包含於第2圓之沉積系統令的雜訊消除器
-S 一個範例的一個無限脈衝響應濾波器之圖; 第5圖係為在該雜訊消除器的頻寬係大幅減少時之時
Fa^ iw \}ά BB '' ° ^間包含於第2圖中之雜訊消除器之一個輸出的變 化的圖; 圖係為一個根據本發明之一個實施例的一種控制 個/儿積系統之方法的流程圖;及 第7圖〆、 制 圖係為一個根據本發明之另一個實施例的一種控 個’儿積系統之方法的流程圖。 【主要元件符號說明】 10 2 0 3 0 1 1 0 1 2 〇 13〇 14〇 4 5 6 7 沉積裝置 沉積速率感測器 電力供應單元 沉積裝置 沉積速率感測器 雜说消除器,低通遽波器 電力供應單元 真空室 ‘ 沉積源 沉積材料 船形容器 線圈 基質 光罩 20 1323293 3 1 暫存器 2 乘法器 3 加法器 6 加法器 7 暫存器 8 第一乘法器 第 法器 3
21

Claims (1)

1323293 十、申請專利範圓: 1 . 一種沉積系統,其係包含: • 一個沉積裝置; . 一個沉積速率感測器’其係適用於測量該沉積裝置之 ,沉積速率; ~ 一個雜訊消除器,其係適用於消除測量出之沉積速率 之雜訊成分;及 一個電力供應單元,其係適用於根據該雜訊消除器之 ® 一個輸出而調整提供給該沉積裝置之電力; 其中’該雜訊消除器係包含一個低通濾波器,·且 其中’該低通濾波器係包含: • 錢個暫存器’其係適用於根據-個時脈訊號而循序 -· 地移位由該沉積速率感測器所測量出之沉積速率;及 一個加法器,其係適用於加總該暫存器之輸出,且輸 出該加總的值作為該低通濾波器之輸出。 則 2 .如申請專利範圍第i項之沉積系統,其中,該沉 積裝置係自—個蒸發器及一個濺射器組成的群組中選擇 出。 、 1:5 .如申請專利範圍第1 預乐既,其中,該低 。慮 自一個類比低通濾波器、-個數位低通濾波器 及個包3適用於執行—個低通遽波器操作的程式:處理 器所組成的群組中選擇出。 地理 4 .如申請專利範圍第丄項之沉積系統, 通滤波器係適用於根據時間之經過而減少其之頻寬。 22 其中,該低 通丄專利範,項,统 -個第-乘法器,適用於乘 -個加法器,其係適用於加總該固第—係數;及 量出的沉積速率及該第一乘法器之輪出積遑率感剛器所測 果作為該低通濾波器之輸出; 且輪出加總的結 -個暫存器’其係適用於根據 輸出該加法器之輸出;及 寻脈讯號而延遲及 -個第二乘法器,其係適用於將該 —個第二係數。 1俘益之輪出乘上 6 .申請專利範圍第1項之沉積系絲 供應單元係適用於在該雜訊消除器之輪==中,該電力 沉積速率時減少提供給該沉積裝置糸大於一個目標 力供應單元係褕田认+ 刀’且其中,該電 早兀係適用於在該雜訊消除器电 沉積速率時增加提供給該沉積裳置之電力出係小於該目標 7 種沉積系統,其係包含: 一個沉積裝置; -個電力供應單元,其係適用於 置, ’、電力、,Ό该沉積裝 -個沉積逑率感測器,其係適用於一 沉積逮率;及 、、里s亥沉積裝置之 、一個雜訊消除器,其係適用於根 曰 積速率及在該娜量_ 測π期間之沉 ν里碉間羊於或大於— 沉積速率係於相同範 百力比之期間之 门紅圍下之測f出的沉積速率的範圍,而 23 丄 控制該電力供應單元,以改變提供給該沉積裝置之電力β …8 h申請專利範圍第7項之沉積系統,其中,該雜 訊消除器係適用於在—個 &㈣®期間之-個沉積速率及在該 / J里期間係大於—預定分 頂疋白刀比之期間之一個沉積速率係不 於相同範圍内時,杵制矽雷六 。 控制〇電力仏應早元,以導致提供給該 ,儿積裝置之電力維持於先前的值。 如申請專利範圍第7項之沉康,其中,該雜 二:二:係適用於消除包含於該沉積速率内之雜訊’以獲 力徂^積速率貝㉟’且提供該補助沉積速率資訊給該電 ”…單7〇,以控制提供給該沉積裝置之電力。 沉0 〃如申凊專利範圍第7項之沉積系統,其中,該 出。、置係自—個4發11及—個㈣ϋ組成的群組中選擇 雜訊嚷i。。如申明專利範圍第7項之沉積系統,其中,該 ”。4除器係適用於在該 率夕_ m L積速率係大於一個目標沉積速 手之靶圍時,控制該電力 裝置之電力,且盆中,^早凡’以減少提供給該沉積 率係, 、 ^雜成消除器係適用於在該沉積速 ’、小於該目標沉積速率 元,,、, 疋+之乾圍時,控制該電力供應單 增加提供給該沉積裴置之電力。 1 2 .如申請專利範 測量 圍第7項之沉積系統,其中,該 功間係等於或大於1秒。 1 3 ·如申請專利範 雜訊消圍弟7項之沉積系統,其中’該 h。、用於根據時間之經過而增加該測量期間。 4 .如申請專利範圍第7項之沉積系統,其中,該 24 1323293 "個電力變化 雜訊消除器係適用於根據時間之經過而減少 單位。 1 5 · —種控制沉積系林 ^ x 傾承統之方法,該方法係包含. (a)測量一個沉積裝置之沉積速率; · (b )決定是否在一測量 間等於或大於一預定百分比 圍; 期間之沉積速率及在該測量期 之期間之沉積速率係於相同範 沉積迷率及在該測量期間等 之沉積速率係於相同範圍下 而改變提供給該沉積裝置之
(c)根據在一測量期間之 於或大於一預定百分比之期間 之測量出的沉積速率的範圍, 電力;及 重複步驟(a)至(d)。 1 6 .如申請專利範圍 脾广、丄 , 冲丄0唄之方法,其中,於步 驟(c)中,一個雜訊消哈 除益係在该沉積速率係大於一 標沉積速率之範圍時,# 、 目 給該沉積裝置之電力m —早兀^咸^供 r , '、中,3亥消除器係在該沉積速率 係小於该目標沉積逑率之p a。士 …μ“時,控制該電力供應單元, 以增加耠供給該沉積裝置之電力。 1 7 .如申請專利範圍 在勺π·13項之方法,其中,步驟 C d )係包含在重複步驟( ,_ θ „ )至(c) 一預定次數之後,增 加該測1期間。 15項之方法’其中,步騾 至(c) 一預定次數之後,減 1 8 ·如申請專利範圍第 (d)係包含在重複步帮(a) 少一個電力變化單位。 25
TW095100443A 2005-01-06 2006-01-05 Deposition system using noise canceller and its method of control TWI323293B (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050001086A KR100622224B1 (ko) 2005-01-06 2005-01-06 저대역 통과 필터를 이용한 증착 시스템
KR1020050001087A KR100622223B1 (ko) 2005-01-06 2005-01-06 잡음 제거기를 이용한 증착 시스템 및 그 제어방법
KR1020050001088A KR20060080683A (ko) 2005-01-06 2005-01-06 증착 시스템의 제어방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200628632A TW200628632A (en) 2006-08-16
TWI323293B true TWI323293B (en) 2010-04-11

Family

ID=36640764

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW095100443A TWI323293B (en) 2005-01-06 2006-01-05 Deposition system using noise canceller and its method of control

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8057648B2 (zh)
JP (1) JP4468883B2 (zh)
TW (1) TWI323293B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102051641B1 (ko) * 2013-04-03 2019-12-04 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치
KR102257126B1 (ko) * 2013-10-10 2021-05-27 (주)선익시스템 증착장치에서의 막 두께 측정센서 운영방법

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB964646A (en) 1963-04-09 1964-07-22 John G Stein & Company Ltd Improvements relating to the hanging of refractory bricks
US3553606A (en) * 1969-04-21 1971-01-05 Bell Telephone Labor Inc System for providing adjusting signals to a transversal filter equalizer
JPH06168005A (ja) 1992-11-30 1994-06-14 Kokusai Electric Co Ltd 上限設定式ステップ応答法によるpid定数調整方法
JPH07261805A (ja) 1994-03-18 1995-10-13 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 比例積分微分制御パラメータ自動調整装置
US5880823A (en) * 1994-06-10 1999-03-09 Lu; Chih-Shun Method and apparatus for measuring atomic vapor density in deposition systems
US6375810B2 (en) * 1997-08-07 2002-04-23 Applied Materials, Inc. Plasma vapor deposition with coil sputtering
US6106676A (en) * 1998-04-16 2000-08-22 The Boc Group, Inc. Method and apparatus for reactive sputtering employing two control loops
KR20000025932A (ko) 1998-10-15 2000-05-06 윤종용 두께 모니터링 기능을 갖는 증착 설비 및 그 증착 방법
US6117279A (en) 1998-11-12 2000-09-12 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for increasing the metal ion fraction in ionized physical vapor deposition
JP2002038656A (ja) 2000-07-28 2002-02-06 Toko Sangyo Kk 鉄筋交差止用クリップ
US6740601B2 (en) * 2001-05-11 2004-05-25 Applied Materials Inc. HDP-CVD deposition process for filling high aspect ratio gaps
JP2003224108A (ja) 2002-01-30 2003-08-08 Hitachi Electronics Eng Co Ltd 基板処理装置の処理終点検出方法

Also Published As

Publication number Publication date
US8057648B2 (en) 2011-11-15
US20060147646A1 (en) 2006-07-06
TW200628632A (en) 2006-08-16
JP2006188753A (ja) 2006-07-20
JP4468883B2 (ja) 2010-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Chason et al. Roughening instability and evolution of the Ge (001) surface during ion sputtering
JP5512499B2 (ja) デジタル位相ロックループのループ帯域幅を制御するチップ及び方法
TWI251401B (en) Output filter for DeltaSigma modulator and digital signal processor having the output filter
TWI323293B (en) Deposition system using noise canceller and its method of control
TW200907673A (en) Memory control methods and related circuits
SE520466C2 (sv) Metod och anordning vid en digital linjäriseringskoppling
NL1030983C2 (nl) Vroegereflectieweergave-apparaat en werkwijze voor het weergeven van geluidsveldeffecten.
TW200412093A (en) QAM receiver having joint gain, carrier recovery and equalization system
JP2018511954A5 (zh)
Voller A semi-analytical model of microsegregation in a binary alloy
JP3646809B2 (ja) 時間領域適応制御システム
JP3865126B2 (ja) 画像処理装置および方法、記録媒体、並びにプログラム
KR100622224B1 (ko) 저대역 통과 필터를 이용한 증착 시스템
JP2005135342A (ja) 可変ゲイン積分器
US8040944B2 (en) Adaptive digital filter, signal processing method, FM receiver, and program
TW200849100A (en) Using temperature data for instruction thread direction
Mandal et al. Electron transport process in discontinuous silver film
JP3070569B2 (ja) 自動等化器及びこれに用いるサンプリングクロック生成方法並びに記録媒体
JPS6340367B2 (zh)
JP2580541B2 (ja) 最適制御回路
Achahbar et al. Improvement of textured AlCu with Ta underlayer on LiNbO3 substrate
JPH06164277A (ja) 信号処理装置
CN117176107A (zh) 一种低通滤波器滤波方法和相关设备
JP2005159667A (ja) 音響信号コンプレッサ
TW201025950A (en) Method of measuring a DC component