1322293 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種液晶顯示器面板（liquid Crystal display panel)及其製造方法，且特別是有關一種液晶顯示 器面板新的結構’用以避免液晶顯示器面板經外力擦拭而 造成間隙物不當位移。 【先前技術】 一般而言，液晶顯不器面板有諸多特性，例如全彩畫 面、低電壓操作、耗電量低以及輕薄短小與高畫質等等。 因此，它被廣泛應用於各類產品的顯示器，例如電子手錶、 計算機、筆記型電腦、個人電腦、電視、個人數位助理(PDA) 及行動電話。 第1圖及第2圖顯示傳統之液晶顯示器面板結構。如第 1圖所示，包含了複數條掃描線102與複數條資料線1〇4 彼此交錯地形成於基板100上，並藉此定義出複數個畫素 區域，而每一畫素區域係包含一畫素電極108。尙包含複數 條共通電極線106形成在基板100上，複數個薄膜電晶體 (TFTs) 110分別位於上述複數條掃描線102與複數條資料 線104之交叉橫跨點上，以便依據掃描線1〇2的信號來控 6 1322293 制薄膜電晶體110之開啓/關閉，當薄膜電晶體110因掃描 線102的信號而開啓時，會將畫素電極108連接於相對應 之資料線104,此時資料線104之影像信號便可傳送至畫素 電極108。考量整體間隙物之密度，實在不需要每一個畫素 區域都有間隙物，然而，如第1圖所示，假若真有一間隙 物落在一特定之畫素內，位置A通常是其座落之處。 • 如第2圖所示，該液晶顯示器面板更包含一絕緣層112 形成在基板100上，以絕緣複數條掃描線102、複數條資料 線104、和複數條共通電極線106，以及一保護層114，一 可作爲畫素電極108之氧化銦錫(ITO)薄膜115以及一用以 配向液晶分子的配向膜116,以上可稱爲薄膜電晶體基板。 另一彩色瀘光片基板120包含一基板121，一黑矩陣層 φ 124，一彩色濾光膜123，一氧化銦錫（ITO)薄膜125，一配 向膜127以及複數個柱狀間隙物122。而柱狀間隙物122 係形成在彩色濾光片基板120上，該間隙物122之另一端 係接觸於上述薄膜電晶體基板以使上下二基板維持一空間 讓液晶材料(未顯示)塡充。 關於此傳統之液晶顯示器面板結構，柱狀間隙物由於是 7 1322293 以微影製程製作’所以又稱作光阻間隙物(Photo sPacer) ’ 底端係形成並固定在彩色濾光片基板上’而頂端係只接觸 於薄膜電晶體基板。當擦拭液晶面板時，會有一推力或一 擠壓的力量施加在面板上，如第3圖所示，此力量平行於 該面板表面的方向其施力方向係以F1表示。結果，該間隙 物126在薄膜電晶體基板130上的位置會隨著彩色濾光片 • 基板128自原來位置C移動一 L的距離至新的位置D ;當 此外力消失後，我們會希望該間隙物126回復至原來的位 置C。然而，由於柱狀間隙物126與薄膜電晶體基板130 間之摩擦力F3大於彩色濾光片基板128與柱狀間隙物126 間之恢復力F2，以致於柱狀間隙物以6不會回到原來位置 C而是停留在不當的位置D。當間隙物停留在不當位置， φ 漏光現象就會發生；爲解決以上問題，習知技藝會將黑矩 陣擴大’然而，隨著黑矩陣的擴大，開口率會隨之減小， 影響液晶顯示器的品質。 【發明內容】 因此’本發明的主要目的在提供一液晶顯示器面板的 結構及其製造方法，其間隙物接觸或被圍繞的區域具有凹 8 1322293 凸表面的設計，以避免面板因擦拭受到推力或擠壓的外力 時，造成間隙物不當的位移。 根據本發明之上述目地，本發明提供一種液晶顯示器面 板，該液晶顯示器面板包含一第一基板，一第二基板，至 少一個間隙物，位於第一基板與第二基板之間，其中第一 基板或第二基板之一區域接觸或圍繞該間隙物之一端表 面，該區域具有一第一凹凸圖形表面，以及一液晶材料塡 充於第一基板與第二基板之間的空間。 本發明亦提供一種液晶顯示器面板之製造方法，包含 下列步驟：首先，提供一第一基板，形成複數個薄膜電晶 體、複數條共通電極線、複數條掃描線、複數條資料線、 及一配向膜於第一基板上，其中使第一基板之至少一預定 區域具有一第一凹凸圖形表面，接著，提供一第二基板， 形成一電極於第二基板上，然後，形成至少一間隙物於第 二基板上對應於第一基板之預定區域之位置，接著黏合第 一基板與第二基板以形成一空腔，使得該預定區域之第一 凹凸圖形表面接觸或圍繞各間隙物之一端，最後，將一液 9 1322293 晶材料塡充於此空腔。 本發明再提供一種液晶顯示器面板之製造方法，包含 下列步驟：首先，提供一第一基板，形成複數個薄膜電晶 體、複數條共通電極線、複數條掃描線、複數條資料線、 及一配向膜於第一基板上，其中使第一基板之一預定區域 具有一第一凹凸圖形之表面，接著，提供一第二基板，形 成一電極於第二基板上，形成複數個間隙物於第二基板上 對應於第一基板之預定區域之位置，滴置一液晶材料於第 一基板或第二基板上，最後，黏合第一基板與第二基板， 使得預定區域之第一凹凸圖形表面接觸或圍繞各間隙物之 丄山 ° 因此，依據本發明之液晶顯示器面板結構，其中薄膜 電晶體基板具有一凹凸表面的區域，此區域接觸或圍繞柱 狀間隙物之一端，而此凹凸表面之設計所形成之洞穴或缺 口可容納所注入之液晶材料，這使得間隙物與其所接觸之 薄膜電晶體基板上之凹凸表面之間的摩擦力大爲減低，也 因此避免當面板因擦拭受到推力或擠壓的外力時，間隙物 10 1322293 因無法回復原來位置而有漏光現象發生。 爲讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明 顯易懂，下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖式，作詳 細說明如下。 【實施方式】 本發明所提供之液晶顯示器面板包含一對基板，複數個 • 間隙物置於二基板之間，液晶材料塡充於二基板間之空 間’其中之一基板包含複數個薄膜電晶體、複數條掃描線、 複數條資料線及一配向膜；另一基板則包含一彩色瀘光膜 及一黑矩陣層。依據不同設計，一共通電極或一畫素電極 可依不冋需求形成在上述_基板之任一·。 第4圖係依據本發明之一較佳實施例之液晶顯示器面 φ 板的剖面圖’液晶顯示器面板200包含一基板202，一可作 爲掃描線之金屬層206形成在基板202上，一絕緣層208 係形成於基板202與金屬層206上，用以絕緣複數個薄膜 電晶體、複數條掃描線及複數條資料線。一材料層210係 形成在絕緣層208的表面並對應金屬層206之位置，此材 料層210的形成具有一凹凸表面設計之區域，此區域與金 屬層206位置相對應且此區域之面積大於柱狀間隙物216 之一端表面積，一保護層2U係覆蓋於材料層21〇與複數 條資料線上，基於該材料層21〇之凹凸表面設計，保護層 212在其上相對應之區域位置亦形成一具有一凹凸設計之 形狀，該凹凸設計形狀並與上述材料層21〇之凹凸表面設 5十相互對應。接著，一配向膜214係形成在保護層212上， 配向膜214在保護層212之凹凸圖形相對應之區域位置上 亦形成一具有凹凸設計之形狀。因此，導致整個薄膜電晶 體基板215的表面具有一凹凸表面設計的區域，而該凹凸 表面設計區域恰爲間隙物一端表面欲接觸或被圍繞的預定 區域。然而，在薄膜電晶體基板215上之凹凸表面形狀並 不只備限一種樣式。 液晶顯不器面板200包含一基板204, 一彩色爐光膜（圖 未顯示)與一黑矩陣層（圖未顯示)係形成在基板204上，間 隙物216係設置於基板2〇4與薄膜電晶體基板215之間， 此間隙物216可以是以微影製程方式製作於基板204上之 柱狀的光阻間隙物(Photo spacer)，，其柱狀之一端表面固 定在基板204上，當上下二基板組立，此柱狀間隙物216 的另一端即接觸於薄膜電晶體基板215上一預定之具有凹 凸表面的區域。 液曰B材料的塡充方式可以是滴下式液晶注入法（ODF process)或傳統之真空注入法’而液晶材料（圖未顯示)係塡 充於上下〜基板之空腔中’包含上述凹凸表面之設計所形 成之洞穴魏P皆可容納腿人之液晶材料。 φ 値袼注恩的是，與傳統之液晶顯示器面板相比，乃多了 層材料層2lG，而此材料可以是金屬、氧化銦錫(ITO)或 力電材料’例如非晶砂（a_Si·、摻雜n+a_si膜或聚合 物。假使材料層210包含與複數條資料線相同之材料，表 示材料層21〇係與複數條資料線(第4圖未顯$)一起形成； 假使材料層2U)包含與複數個薄膜電晶體棚之材料，表 φ示材料層加係與複數麵膜電晶體(第*圖未顯示)—起形 成。也就是-說，製程中無需特別爲材料層21〇多一道製程。 依據本發明之主要特徵，乃薄膜電晶體基板或彩色濾 光片基板之-區域具有~凹凸圖形之表面以使柱狀間隙物 之-端麵接觸之或圍繞之。因此，本發明有不同樣態之 組合。 13 1322293 上述具有凹凸圖形表面之基板並不限制是薄膜電晶 體基板；換句話說，間隙物亦可形成且固定於薄膜電晶體 基板，而相對基板，例如是彩色濾光片基板之一區域具有 一凹凸圖形之表面以使柱狀間隙物之一端表面接觸之或圍 繞之。 上述在基板上具有凹凸圖形之表面並不限制於某一特 別的層或非得需要額外的一層作爲基底，此凹凸設計之圖 形亦可正好形成在配向膜上，亦或形成在配向膜以下之保 護層上、絕緣層上皆可，以上的各層相繼地沉積，將使得 各層照著該凹凸圖形皆可往上依序相對應的形成同樣的凹 凸圖形。 上述在材料層上具有凹凸圖形表面之預定區域以使間 隙物之一端接觸或圍繞之處，係爲掃描線，資料線，或共 通電極線上方相對應的區域。假使此預定區域係相對應於 資料線上方的區域，材料層自然就會隨著掃描線或薄膜電 晶體的形成而一起形成，其材料也與掃描線或薄膜電晶體 之材料相同。假使此預定區域係相對應於共通電極線上方 1322293 的區域，該材料層自然就會隨著掃描線、資料線或薄膜電 晶體的形成而一起形成，其材料也與掃描線、影像資料線 或薄膜電晶體之材料相同。 上述凹凸表面之設計所形成之洞穴或缺口皆會因液晶 之注入而容納所注入之液晶材料，這使得間隙物與其所接 觸之基板上之凹凸表面間的摩擦力大爲減低，此洞穴或缺 口的寬度較佳爲1至10微米（vm)，而此柱狀間隙物之直 徑大於10微米（/zm)，當洞穴或缺口的寬度過大時，柱狀 間隙物可能會在面板受到外力之後而伸入洞穴或缺口中， 同時在兩鄰近之洞穴或缺口的距離較佳亦爲1至10微米 (// m)。 本發明之凹凸表面設計可有多種型式，第5圖係爲一實施 例之上視圖，如第5圖所示，一凹凸圖形係形成在基板300 上，包含複數個條狀凹陷處302，間隙物304之一端係與凹凸 圖形表面接觸，間隙物之直徑較佳爲12微米（v m)，複數個 條狀凹陷區域3〇2的寬度較佳爲4微米（μ m)，以及兩相鄰 條狀凹陷區域302間之距離較佳爲5微米（以m)。 15 1322293 第6圖至第12圖爲本發明在基板上凹凸表面設計的區域 顯示各種不同的液晶面板結構。第6圖係爲本發明液晶顯示器 面板結構一較佳實施例，第一光阻間隙物216與第二光阻間隙 物218位於薄膜電晶體基板在不同畫素區域中相對應於掃描 線206上方的位置，第一光阻間隙物216座落於薄膜電晶體基 板的區域位置，包含了基板202、基板202上面之第一金屬層 2〇6(掃描線）、第一金屬層206上方之絕緣層208，在絕緣層 208上所形成之具有凹凸表面設計的第二金屬層210，在第二 金屬層210上方相對應區域之保護層212之表面形成之具有相 互對應的凹凸圖形設計’以及在保護層212上方相對應區域之 配向膜214之表面形成之具有相互對應的凹凸圖形表面。至於 第二光阻間隙物218於薄膜電晶體基板上座落的區域，其結構 如同第一光阻間隙物216下方的結構，其中具有凹凸圖形設計 第二金屬層210係作爲一基底層以在薄膜電晶體基板上形成 凹凸圖形的表面。第二金屬層210可同時與資料線一起形成， 且材料包含與資料線相同之材料或一介電材料。 第7圖爲依據本發明另一實施例，第—光阻間隙物216 1322293 與第二光阻間隙物218位於薄膜電晶體基板在不同畫素區域 中相對應於掃描線206上方的位置，該位置所在之區域與第6 圖中顯示的結構相同，除了在絕緣層208的上面具有凹凸圖形 表面的非晶砂（Q： -Si )層220取代上述的第二金屬層210,而其 功能亦爲一基底層以在薄膜電晶體基板上形成凹凸圖形的表 面。其中，非晶矽（a-Si)層220可同時與薄膜電晶體一起形 成，且材料包含與薄膜電晶體相同之材料。 第8圖爲依據本發明又一實施例，第一光阻間隙物216 與第二光阻間隙物218位於薄膜電晶體基板在不同畫素區域 中相對應於掃描線206上方的位置，該個別的位置所在之區域 具有不同的的結構，其中，第一光阻間隙物216座落於薄膜電 晶體基板的區域與第6圖中所顯示的結構相同，同樣是以具有 凹凸圖形設計的第二金屬層210作爲一基底層以在薄膜電晶 體基板上形成凹凸圖形的表面；至於第二光阻間隙物218座落 於薄膜電晶體基板的區域並沒有凹凸圖形設計的結構，也就是 此薄膜電晶體基板爲傳統之結構，並無凹凸圖形形成。 17 1322293 第9圖爲依據本發明再一實施例，第—光阻間隙物216 與第二光阻間隙物218位於薄膜電晶體基板在不同畫素區域 中相對應於掃描線206上方的位置，該個別的位置所在之區域 具有不同的的結構，其中，第一光阻間隙物216座落於薄膜電 晶體基板的區域與第七圖中所顯示的結構相同，同樣是以具有 凹凸圖形設計的非晶矽（a -Si )層220作爲一基底層以在薄膜 電晶體基板上形成凹凸圖形的表面；至於第二光阻間隙物218 座落於薄膜電晶體基板的區域並沒有凹凸圖形設計的結構，也 就是此薄膜電晶體基板爲傳統之結構，並無凹凸圖形形成。 第1〇圖爲依據本發明之第五實施例，第一光阻間隙物 216與第二光阻間隙物218位於薄膜電晶體基板在不同晝素區 域中相對應於掃描線206上方的位置，該個別的位置所在之區 域具有不同的的結構，其中，第一光阻間隙物216座落於薄膜 電晶體基板的區域與第六圖中所顯示的結構相同，同樣是以具 有凹凸圖形設計的第二金屬層210作爲一基底層以在薄膜電 晶體基板上形成凹凸圖形的表面；至於第二光阻間隙物218 座落於薄膜電晶體基板的區域與第7圖中所顯示的結構相 18 1322293 % 同，同樣是以具有凹凸圖形設計的非晶矽（a-Si)層220作爲 一基底層以在薄膜電晶體基板上形成凹凸圖形的表面。 第11圖爲依據本發明之第六實施例，第一光阻間隙物 216與第二光阻間隙物218位於薄膜電晶體基板在不同畫素區 域中相對應於掃描線206上方的位置，該個別的位置所在之區 域具有不同的的結構，其中，第一光阻間隙物216座落於薄膜 電晶體基板的區域與第6圖中所顯示的結構相同，除了在絕緣 層208上面且在第二金屬層210下面具有一非晶矽（a -Si )層 224。而具有凹凸圖形設計的第二金屬層210同樣作爲一基底 層以在薄膜電晶體基板上形成凹凸圖形的表面；至於第二光阻 間隙物218座落於薄膜電晶體基板的區域與第7圖中所顯示的 結構相同，同樣是以具有凹凸圖形設計的非晶矽（a -Si )層220 作爲一基底層以在薄膜電晶體基板上形成凹凸圖形的表面。因 此，第一光阻間隙物216與第二光阻間隙物218座落於薄膜電 晶體基板後的高度就會因此不一樣。 第12圖爲依據本發明之第七實施例，第一光阻間隙物 216與第二光阻間隙物218位於薄膜電晶體基板在不同畫素區 19
1322293 N 域中相對應於掃描線206上方的位置，該個別的位置所在之區 域具有不同的結構，其中，第一光阻間隙物216座落於薄膜電 晶體基板的區域與第六圖中所顯示的結構相同，除了在絕緣層 208上面且在第二金屬層210下面具有一非晶矽（a -Si )層 224。而具有凹凸圖形設計的第二金屬層210同樣作爲一基底 層以在薄膜電晶體基板上形成凹凸圖形的表面；至於第二光阻 間隙物218座落於薄膜電晶體基板的區域並沒有凹凸圖形設 S十的結構’也就是此薄膜電晶體基板爲傳統之結構，並無凹凸 圖形形成。因此，第一光阻間隙物216與第二光阻間隙物218 座落於薄膜電晶體基板後的高度就會因此不一樣。 本發明亦提供一種液晶顯示器面板的製造方法，製造方法 步驟如下z 首先，提供一基板，再形成複數個薄膜電晶體、複數條共 通電極線、複數條掃描線、複數條資料線、及一配向膜於基板 上使之成爲一薄膜電晶體基板，使薄膜電晶體基板上複數個預 定區域皆具有一凹凸圖形之表面。而此凹凸圖形之表面可直接 形成在配向膜表面之柱狀間隙物欲座落的位置區域，通常此位 20 1322293 置會因面板不同設計需求而位於掃描線、資料線或共通電極線 上方相對應的區域。凹凸圖形之設計除了可直接形成在配向膜 表面’亦可形成在一材料層表面之掃描線、資料線或共通電極 線上方相對應的預定區域，以便作爲一基底層而在薄膜電晶體 基板上形成凹凸圖形的表面，如此’無論在配向膜或材料層上 方之其他層的表面，皆會因此於相對應區域形成凹凸圖形的表 面。其中，此材料層包含與資料線、掃描線'共通電極線或薄 膜電晶體相同之材料或介電材料，也就是此材料層係於資料 線、掃描線、共通電極線或薄膜電晶體形成期間同時形成，而 資料線、掃描線或共通電極線之材質較佳爲金屬材質或其他導 電材料。 fee著，更形成一絕緣層以使掃描線與資料線絕緣，並使得 具有凹凸圖形之材料層形成在絕緣層上。 接著’再形a-賴贿鋪腫晶體、_線、資料線、 共通電極線及材龍’當材料層具有—凹凸随之麵時，將 使得保護臟购觀__凹凸酵找顚有另—相 對應之凹凸圖形設計。 1322293 上述凹凸圖形設計係以微影製程或蝕刻製程方式製作，然 後，再以傳統之製作方法依序沉積各層，如此，將導致後續各 層皆具有對應之凹凸圖形的表面。 再來，提供另一基板，形成一電極於另一基板上，再形成 複數個間隙物於此基板上對應於薄膜電晶體基板之預定區域 Φ 之位置，而複數個間隙物較佳爲光阻間隙物。 最後’黏合二基板以形成一空腔，再將液晶材料塡充於空 腔中。一般液晶的注入方式可以是滴下式液晶注入法(ODF process)或傳統之真空注入法，而傳統之真空注入法，是將薄 膜電晶體基板以框膠黏著於彩色濾光片基板上而形成一空 腔，液晶材料再塡充於上下二基板之空腔中而形成一液晶顯示 φ 器面板。而ODF製程是將紫外光硬化膠塗佈於薄膜電晶體基 板或是彩色濾光片基板的其中之一以形成一封閉區域，然後將 液晶滴入由紫外光硬化膠所封閉的區域中，接著再將薄膜電晶 體基板與彩色濾光片基板貼合，藉由紫外光的照射使紫外光硬 化膠硬化以黏合兩基板而形成一液晶顯示器面板。在本發明 中，二基板組立黏合之後，將使得上述具有凹凸圖形表面之預 22 1322293 % 定區域接觸或圍繞各間隙物之一端。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定 本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍 內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後 附之申請專利範圍所界定者舄準。 零 【圖式簡單說明】 第1圖所繪示爲習知液晶顯示器面板之薄膜電晶體基板結 構之上視圖。 第2圖所繪示爲習知液晶顯示器面板結構之剖面圖。 第3圖所繪示爲習知液晶顯示器面板間隙物不當位移之示 意圖。 第4圖所繪示爲本發明較佳實施例之一種液晶顯示器面板 籲的剖面圖。 第5圖所繪示爲本發明液晶顯示器面板中之凹凸圖形設計 與間隙物之配置圖。 第6圖至第12圖所繪示爲本發明各種不同的液晶面板結構 之二種不同間隙物形成於基板上之預定區域之凹凸表面設 計。 【圖式標示說明】 23 1322293 100 ' 202、204、300 :基板 102 :掃描線 104 :資料線 106 :共通電極線 108 :畫素電極 110 :薄膜電晶體 112、208 :絕緣層 114、 212 :保護層 115、 125 :氧化銦錫(ITO)薄膜 116、 127、214 :配向膜 120、128 :彩色濾光片基板 121 :基板 122、126、216、218、304 :間隙物 123 :彩色濾光膜 124 :黑矩陣層 130、215 :薄膜電晶體基板 F1 :施(外）力 F2 :恢復力 F3 :摩擦力 A:間隙物座落之位置 C:間隙物原來位置 D :施予外力後間隙物新的位置D L:間隙物移動的距離 200 :液晶顯不器面板 24 1322293 Λ
206 :第一金屬層(掃描線) 208 :絕緣層 210 :材料層(第二金屬層) 220、224 :非晶矽層 302 :凹陷區域 25