TWI321859B - Organic light emitting device - Google Patents

Description

1321859 I* » 九、發明說明：

具器 更示 。 顯 藝及 技置 的裝 造體 製極 和二 工光 加發 置機 裝有 膜造 1薄製 域於於 領關關 術係係 技般明 之 I 發 屬明本 所發， 明本說 發地 t 禮 〇 BMW 【先前技術】 基於LEDs(發光二極體）之顯示和照明系統具有各種用 途。此等顯示和照明系統係由安裝複數的光-電元件（"元 件”）例如個別LEDs之陣列予以設計。基於半導體技術之 LEDs傳統上使用無機材料，但是最近，有機LED("OLED") 開始流行用於某些照明和顯示用途。使用有機材料之其他 元件/裝置的實例包括有機太陽電池、有機電晶體、有機探 測器、生物晶片和有機雷射。 OLED典型係由兩或多個薄的至少部分地導電之有機 層（例如，緩衝層），其輸送電洞（或電子）及一個發射層（EL) ，於其中之電洞-電子復合時此層發出光，彼等被夾置在一 陽極及一陰極兩電極之間。在施加之電位下，陽極將電洞 注入ABL，然後其輸送彼等至EL，而陰極直接注入電子至 EL。經注入之電洞和電子各自向相對地帶電之電極遷移並 復合，而在EL中形成激發子。經由發射輻射，即光，該激 發子弛緩至較低之能量狀態。一般，以聚合物爲基底之 OLED裝置係經由使用陽極緩衝層（ABL)材料（亦稱爲電洞 輸送層或HTL)予以製造，彼等係基於摻雜之導電聚合物例 如PEDOT(聚乙烯二氧基噻吩）或PANI(聚苯胺）。通常將 1321859 PEDOT與酸例如PSS(聚苯乙烯磺酸）混合。最普遍使用之 ABL材料之一是得自 HC Starck公司之 Baytron P VP CH8000。Baytron P VP CH8000 具有 1 : 20 的 PEDOT: PSS 重量比，而電阻係數係大約 100kohm-cm。Baytron P VP CH80 00係適合於各種用途例如無源矩陣顯示器其不需進 一步製作布線圖型/加工處理且提供良好亮光效率和適度 低之操作電壓要求。然而，具有極少數例外，此等裝置結 構不能顯示期望之使用期限。 與使用Baytron CH8 000溶液相關聯一個問題即：此等 溶液是極具酸性，因此造成處理設備的腐蝕及玻璃基板的 ITO層之溶解。另外問題即：Baytron的經乾燥之薄膜是十 分吸濕。Baytron薄膜中水的吸收可能造成不欲之腐鈾問題 «與材料例如Baytron CH 8 000之另外複雜即：於烘烤時， 材料交聯且變得不溶於水中而因此，難以自裝置中不需要 區域移除。 【發明內容】 可能需要製造具有較佳使用期限及較少難於負擔之加 工要求之ABL。 【實施方式】 於敘述本發明的各種具體實施例時，意欲使術語"混合物 "和"溶液"具有同樣意義。彼等係述及化學起反應及/或物理 摻合在一起之化合物、液體、固體和氣態的組合或摻合。

所揭示者是產生較佳裝置使用期限之ABL配方》至少 於本發明的一具體實施例中，將酸性ABL材料（例如PED0T 1321859 :pss摻合物）經由揮發性鹼（例如氫氧化銨或氨）予以完全 或部分地中和。然後利用經中和之 ABL溶液來形成 ABL 層9於至少一具體實施例中，用於製備ABL溶液之程序包 括量測所需之酸性ABL材料的量，計算現存之H +當量的數 量，及添加相同數量的揮發性鹼。如果溶液的表面張力不 夠低，可添加界面活性劑來確保較佳之層加工。 與使用習用之酸性（未予中和）ABL材料之相同OLED 裝置比較，使用經中和之（部分地或完全）ABL溶液之OLED 裝置中在多重之驅動條件下之使用期限增加了。亦，使用 習用未經中和之ABL材料之OLED裝置中廣佈亮度之初始 大衰變不如經中和之ABL溶液OLED裝置中顯著。此外， 當與習見使用之材料相比較時，發現當使用依照本發明之 經中和之ABL溶液所製造時之ABL烘烤之後，較易移下。 基於經中和溶液之ABL對於基板材料，例如ITO(將它製造 在其上）亦較少腐蝕性。此現象一部分可能是由於減少ABL 的酸含量，及亦，與未經中和之ABL相比較，觀察到由經 中和之ABL所吸收之水含量減少。又，使用經中和之溶液 所製造之ABLs的面內電阻係數夠高而適合於無源陣列顯 示器應用。 第1圖舉例說明用於製造根據本發明至少一具體實施 例的ABL之程序流程圖。首先，測定所需要之中和的程度 (方框110)。此測定可經由實驗法來完成，因爲基於特定酸 性ABL材料和被使用之特定揮發性鹼，可能需要不同程度 的中和。所測定之中和的程度將影響裝置效能、加工性能 -7- 1321859 和使用期限。關於被製造之特定〇 LED裝置，一旦測定， 當然可將它維持恒定。某些真體實施例中，例如，100%或 完全中和之ABL是最有效（見下文）。所需要之中和的程度 可經由計算、量測或以實驗測定：多少當量的H +存在於酸 性ABL材料中予以實現。化學的領域中，這是眾所周知， 將不深入討論。然後將相同數目的當量之揮發性鹼添加至 習用之酸性ABL材料的溶液中（方框120)。其次，可以是 有所需要或所意欲之界面活性劑或其他添加劑（在方框1 25 處核對）。如果需要，接著將界面活性劑或其他添加劑倂合 入該溶液中（方框130)。然後將經中和之溶液沉積在（0LED 裝置的）陽極上（方框160)。 有許多適當之沉積技術，一些是選擇性的、和非選擇 性。旋轉塗佈是一種普遍技術，可使用其來沉積經中和之 ABL溶液。一旦沉積該溶液，立即開始將它乾燥成爲薄膜 且爲了硬化和穩定它，可予以烘烤（方框170)。本發明的某 些具體實施例中，不烘烤該經中和之ABL溶液而僅在真空 條件狀態中，在室溫下予以乾燥。於採用烘烤之情況時， 烘烤溫度可能是任何適當溫度（例如2 0 0 °C或更大）及任何 適當時間期間其可能產生所需要之結果。 第2圖顯示根據本發明至少一具體實施例之〇 LED裝 置405的具體實施例剖面圖。該〇LED裝置405可能代表 —個OLED像素或較大之〇LED顯示器的子像素。OLED裝 置405是一種無源矩陣裝置，因爲它不含有其本身之開關 機構如有源矩陣裝置那樣。如第2圖中所示，該OLED裝 1321859 置405包括基板408上之第一電極411。如在說明書和申 請專利範圍內所使用者，術語上"（on)"包括當各層是呈實際 接觸時或當各層由一或多個介入層予以分隔時。可將第一 電極411圖型形成供像素化之應用或不圖型形成供後照光 或照明應用。 將一或多種有機材料沉積在第一電極411上面而形成 一或數個有機層的有機堆疊416。該有機堆疊416係在第 一電極411上。該有機堆疊416包括一陽極緩衝層（"ABL··) 417和光發射聚合物（LEP)層420。該0LED裝置405亦包 括第二電極42 3在有機堆疊416上。如需要，亦可增加除 去第2圖中所示者以外之其他層，包括障壁、電荷輸送、 電荷注入、平面化、繞射、和界面等層在任何現存層之間 或其中。依照本發明，某些此等層在下文中將更詳敘述。 某板408 ： 基板408可能是任何材料，其可支持有機層和金屬層 在其上。基板4 0 8可以是透明或不透明（例如，使用不透明 基板在頂發射之裝置中）。經由變更或過濾可通經基板408 之光的波長，可改變經由該裝置所發射之光的顔色。基板 408可能由玻璃、石英、矽、塑膠或不銹鋼構成；該基板 408較佳係由薄、撓性玻璃構成。基板408之較佳厚度係 基於所使用之材料及基於裝置的應用。基板408可能呈薄 片或連續薄膜的形式。舉例而言，可使用連續薄膜用於滾 筒至滾筒製造程序其係特別適合於塑膠、金屬和金屬化之 塑膠箔。一般，使用單基板408來構成含有許多像素之較 1321859 大OLED顯示器，例如OLED裝置405，然後將它布置成某 —圖型。 第一電極4 1 1 : 一種組態中，該第一電極411之功能係作爲陽極（陽極 是一個導電層其充作電洞注入層且其包含具有功函數大於 約4.5eV之一種材料）。典型之陽極材料包括各種金屬（例 如鉑、金、鈀、銦等等）；各種金屬氧化物（例如氧化鉛、 氧化錫、IT0(氧化銦錫）等等）；石墨；摻雜之無機半導體 (例如矽、鍺、砷化鎵等等）；及摻雜之導電聚合物（例如聚 苯胺、聚吡咯、聚噻吩等等）。 基於該裝置405是頂發射或底發射，該第一電極411 對於裝置405以內所產生之光的波長可以是透明、半透明 或不透明。第一電極411的厚度可能自約l〇nm至約lOOOnm ，較佳自約50nm至約200nm，且更佳是約lOOnm。一般， 該第一電極411可使用用於沉積薄膜之該項技藝中所熟知 之任何技術予以製造，舉例而言，包括真空蒸發、噴濺、 電子束沉積或化學蒸氣沉積。 ABL 417 ： ABL 417典型具有較電子移動率要高得多的電洞移動 率且被使用來有效地將電洞自第一電極411輸送至LEP層 420。ABL 417可由聚合物或小分子材料所造成。依照本發 明，ABL 417係自主要包括酸性ABL材料及一種揮發性驗 之溶液予以形成，其中該揮發性驗部分地或完全中和該酸 性ABL材料中之酸性基團。本發明的某些具體實施例中， -10- 1321859 該酸性ABL材料是PEDOT: PSS而揮發性鹼是NH3。使用 揮發性鹼例如Ν Η 3，期望是於烘烤/乾燥時，氨可以全部散 逸，再度留下酸性基團。出人意料之外，發現不是所期望 之情況。例如，經中和之PEDOT : PSS的氨鹽甚至在烘烤 之後仍大量地殘留。 酸性ABL材料可包括導電聚合物例如PEDOT、聚（3,4-二甲氧基噻吩）、聚（3-甲氧基噻吩）、聚（異硫茚）及其衍生 物、聚（吡咯）及其衍生物' PANI及其衍生物與酸或多元酸 例如聚（苯乙烯磺酸）（PSS)、聚（2-丙烯醯胺基-2-甲基-1-丙 磺酸）、磺酸化之全氟化樹脂（例如來自杜邦化學公司之 NAFIONTM)' 2-丙烯醯胺基-2-甲基-1-丙磺酸、樟腦磺酸、 十二烷基苯磺酸、聚（丙烯）酸及其組合的摻合物。可被利 用於本發明的各種具體實施例中之揮發性鹼包括氨（NH3) 、單烷基胺（nh2r)、二烷基胺（nhr2)、三烷基胺（nr3)例如 三甲胺、三乙胺等等、烷芳基胺、芳基胺及芳族雜環例如 吡啶、吡咯、三唑。 亦可將離子或非離子界面活性劑加至該溶液來改良其 加工性能。可將溶液沉積（例如經由旋轉塗佈）至第一電極 411上。該所沉積之溶液乾燥成爲薄膜。可將所沉積之溶 液在高溫下烘烤直至充分地硬化爲止，或簡單地容許在室 溫下進行真空乾燥。 在本發明的至少一具體實施例中，將PEDOT : PSS材 料使用呈水溶液之30 wt %氨（NH3)中和。在至少一具體實施 例中，將該PEDOT : PSS經由30%氨完全中和致使將存在 1321859 表面上之未經中和之薄膜較易用水移下。咸信這是由於中 性ABL材料如同酸性ABL材料那樣有效地交聯的減少能力 所致。完全中和之ABL薄膜的水吸收率低於習見酸性ABL 薄膜的水吸收率。由於溶液的中性，差不多完全抑制了經 中和之ABL薄膜下層陽極（第一電極411)的腐蝕。與習用 之酸性ABL薄膜相比較，使用經中和之ABL薄膜、電壓-電流特性、電阻係數和黏度是接近相同或有時更佳，如 Baytron CH8000的情況中下文中所示。重要的是，使用經 中和之ABL薄膜之OLED裝置的使用期限較使用習用之酸 性ABL薄膜之薄膜增加了（亦顯示於附隨之圖中）。 LEP 層 420 ： 關於有機LEDs(OLEDs)，LEP層420含有發射光之至 少一種有機材料。此等有機光發射材料通常分成兩大類別 。第一類別的OLEDs，被稱爲聚合物發光二極體、或pLEDs 利用聚合物作爲部分的LEP層420。此等聚合物事實上， 可能是有機或有機-金屬型。如本文中所使用者，術語有機 亦包括有機-金屬之材料。將此等聚合物較佳溶入有機溶劑 中，例如甲苯或二甲苯’並旋轉（旋轉塗布）至裝置上，唯 其他沉積方法亦係可能。以利用聚合之有源電子材料在 LEP層420中之裝置爲特佳。視需要，LEP層420可包括 響應光之材料’其感應光的吸收而改變其電的性質。時常 將響應光之材料使用於探測器和太陽能面板中，其轉變光 能成爲電能。 LEP層420中之光發射有機聚合物，舉例而言，可以 -13- 1321859 是具有共軛重複單元之EL聚合物，尤其是EL聚合 相鄰之重複單元係以共軛方式予以結合，例如聚噻 苯、聚噻吩亞乙烯基、或聚-對-伸苯基亞乙烯基或 其共聚物、衍生物或混合物。更具體地說，該等有 物’舉例而言，可能是聚芴、聚-對-伸苯基亞乙烯 射白、紅、藍、黃或綠光且是2-、或2,5 -取代之晃 苯基亞乙烯基：聚螺聚合物。較佳之有機發射聚合 光發射聚合物（"LEPs")其發射綠 '紅、藍或白光或 其共聚物、衍生物或混合物。其他聚合物包括聚螺 合物。 除去聚合物以外，經由螢光或經由磷光發射之 機分子可充作存在於LEP層420中之光發射材料。 物材料不同’聚合物材料係以溶液或懸浮液被施加 將小分子光發射材料通過蒸發、昇華、或有機蒸汽 等方法而沉積。PLED材料和較小有機分子的組合亦 有源電子層。舉例而言，可將PLED使用小有機分 學方式衍生化或簡單地與小有機分子相混合而形成 420 ° 除去發射光之有源電子材料以外，LEP層420 能電荷輸送之材料。電荷輸送材料包括能輸送電荷 聚合物或小分子。舉例而言，可使用有機材料例如 、衍生化之聚噻吩、低聚合（物）之聚噻吩、衍生化 合（物）聚噻吩、稠五苯、包括C60之組成物及包括 化之C60之組成物。LEP層420亦可包括半導體， 物其中 吩、聚 其族、 機聚合 基其發 _對-伸 物包括 其族、 芴狀聚 較小有 與聚合 ，亦可 相沉積 可充作 子以化 LEP層 可包括 載子之 聚噻吩 之低聚 所衍生 例如矽 -14- 1321859 或砷化鎵。 LEP層420 —般具有大於80nm的厚度，較佳： 至1 2 5 n m之間。 所有之有機層例如ABL 417和LEP層420可經 一種有機溶液或經由旋轉塗布，或其他沉積技術予 印刷。有機溶液可能是任何"流體"或在壓力下能流 變形物質且可包括溶液、油墨、糊、乳液、分散體 該液體亦可含有或經由另外之物質予以補充，此等 物質影響所沉積之液滴的黏度、接觸角、增稠、親 乾燥、稀釋等等。此外，每一個的417層和420層 聯或如果需要，在其他情況下予以物理或化學硬化 爲了沉積其後各層所需要之某些表面性質的穩定性 〇 第二電極423 : —具體實施例中，當將電位施加越過第一電極 第二電極423時，第二電極423之功能係作爲陰極 體實施例中，當將電位施加越過充作陽極之第一電 及充作陰極之第二電極423時，光子自有源電子層 釋放，其通經第一電極411和基板408。 雖然精於該項技藝者已熟知多種其功能可充作 材料’但是最佳是利用包括銘、姻、銀、金、鎂、 鋇之組成物、或其組合、或其合金。亦可利用鋁、 、及鎂和銀的組合或其合金。 第二電極42 3的厚度較佳是自約1〇至約ι〇〇〇: E 40nm 由沉積 以噴墨 動之可 等等。 另外之 和力' 可被交 ，以便 和維護 4 1 1和 。此具 極411 420被 陰極之 鈣，和 鋁合金 乏米（nm) -15- 1321859 ，更佳自約50至約500nm，而最佳自loo至約300nm。雖 然普通精於該項技藝之人士熟知許多種方法，經由此等方 法可沉積第一電極材料’但是以真空沉積方法，例如物理 蒸氣沉積（PVD)較佳。亦可使用其他層（未圖示）例如障壁層 和吸氣層來保護電子裝置。此等層在該項技藝中係眾所周 知，本文中不再特別討論。 第3A圖舉例說明本發明的各種具體實施例之電流-電 壓曲線。將四種裝置具有測試下列特性。測試每種裝置其 使用 PEDOT:PSS(Baytron CH8000)作爲酸性 ABL 及 30% N Η 4 Ο Η水溶液但具有不同之中和的程度：〇 % ("對照"裝置） 、5 0 %、7 5 %和1 0 〇 %中和程度。將A B L製爲各裝置中具有 約100nm的厚度，且每一裝置使用具有80nm厚度之發射 白色之以聚芴爲基礎之LEP。基板是使用ITO(氧化銦錫） (100至120nm)的陽極所覆蓋之玻璃（〇.7mm厚度）。陰極係 由LiF和鈣的複合物，接著是鋁予以形成。然後將該裝置 密封。 電流密度（毫安培/cm2)對電壓的表面顯示所有裝置具 有粗略地相似特性。顯著地，在施加電位爲-2伏特時具有 小於1 (T3mA/cm2的反向電流之電流密度。第3B圖舉例說 明與第3A圖相同四裝置之發光效率。以亮度（新燭光/米2) 計所表示之發光效率對電壓顯示具有較高中和程度之裝置 顯示較佳效率，以及任何中和甚至50 %中和，較不具有中 和之習用對照裝置產生更有效之裝置》 第4圖舉例說明四個上述裝置每一者之正常化使用期 -16- 1321859 限數據。可見：當與使用具有較低中和程度ABL之組成物 所造成之相同裝置比較時，使用具有較大中和程度ABL之 組成物所造成之裝匱的使用期限較佳。關於中和之ABL裝 置’有較小的初始亮度降低，而關於1 0 0 %中和之裝置，隨 著時間消逝之亮度降低係更具線性。 第5圖舉例說明當在DC條件下予以驅動時，四個上 述裝置的每一者之電壓驅動需求。有利地，完全中和之裝 置需要較低之驅動電壓，且再次與對照裝置和部分中和之 裝置相比較’隨著時間消逝，所需要之電壓更具線性改變 〇 第6A圖和第6B圖比較在不同之烘烤條件下，使用習 用之ABL材料對那些使用完全中和之Abl材料（依照本發 明）之ABL薄膜的水吸收率。Baytron CH8000厚膜的水吸 收率係在22 °C和34%相對濕度下來量測。將一組的薄膜在 20 °C時真空乾燥’同時將另外者在200 °C時真空烘烤。所 產生之水吸收示於第6A圖中。約90分鐘之後，未經中和 之習用BayUon CH8000的真空乾燥及烘烤之薄膜兩者均顯 示約15-60 %之重量增加。相對比之下，如第6B圖中所示 ’自相同Baytron CH 8000，然後使用氨予以完全中和者所 製造之薄膜，在真空乾燥和200 °C烘烤兩情況中經90分鐘 之後’僅顯示7-9%重量增加。 第7圖舉例說明於使用習用之ABL材料對那些使用完 全中和之ABL材料（依照本發明）之ABL薄膜，IT0上之腐 蝕作用。經完全中和之ABL薄膜的中性抑制陽極材料例如 -17- 1321859 I TO上ABL之腐蝕作用，如第7圖中所示。習用之ABL (Baytron)最後在1 60- 1 65小時以內完全腐蝕ITO。關於完 全中和之ABL，幾乎沒有ITO陽極的任何腐蝕。因此，依 照本發明，中和ABL的程序對於OLEDs之薄膜的加工處 理可具有有利之影響，例如抑制噴墨印刷頭之腐蝕。

關於揮發性鹼例如NH3，預期是於烘烤/乾燥時，氨可 能完全散逸而再度留下酸性基團。出人意料以外，發現不 是這種情況。甚至在烘烤之後經中和之PEDOT:PSS中PSS 的氨鹽大量地遺留。此現象使用在20 0 °C時，在真空中烘烤 30分鐘之經中和之PEDOT: PSS(Baytron CH8000)的元素 分析，以實驗來顯示。結果如下·’

Baytron CH8OOO + NH3 (C8HiiNS〇3)15.22(C6H4S〇2)1.00 之計算値 實驗値 El At. Wt % 烘烤前 烘烤後 C 12.011 47.9 1 C 48.36 C 47.33 Η 1.0079 5.39 Η 6.21 Η 5.47 Ν 14.007 6.66 Ν 6.15 Ν 5.4 0 1 5.999 23.8 1 S 32.066 16.24 S 15.23 S 15.48

上表顯示：烘烤之後，大體上和事實上’即使在烘烤 之後幾乎全部數量的烘烤之前的NH3遺留。烘烤之後’僅 有少量的N損失。此現象暗指：聚苯乙烯磺酸銨鹽在200°C -18- 1321859 時十分穩定以及暗指：由於烘烤，氨並未損失’如人們可 能預期》 然後舉例說明本發明的具體實施例，其中主要將它倂 合在OLED顯示器內，但是使用經乾燥之薄膜層之差不多 任何型式的電子裝置可能潛在應用此等具體實施例。特別 ，亦可將本發明利用於太陽電池、電晶體、光電晶體、雷 射、光探測器或光電耦合器等中。亦可將它使用在生物學 之應用方面例如生物感測器或化學應用方面例如組合合成 等。可使用較早所敘述之OLED顯示器/裝置在各種應用之 顯示器內，舉例而言，例如計算機顯示器、車輛中之資訊 顯示器、電視監測器、電話、印刷機、區域和一般照明、 背照及照明信號等。 【圖式簡單說明】 第1圖舉例說明用於製造根據本發明的至少一具體實 施例，A B L之程序流程圖》 第2圖顯示根據本發明的至少一具體實施例，0LED 裝置4〇5的具體實施例之剖視圖。 第3A圖舉例說明本發明的各種具體實施例之電流-電 壓曲線表面。 第3B圖舉例說明與第3A圖中相同四裝置之發光效率 〇 第4圖舉例說明四個上述裝置的每一者之正常化使用 期限數據。 第5圖舉例說明當在DC條件下予以驅動時，四個上 -19- 1321859 述裝置的每一者之電壓驅動要求。 第6A圖和第6B圖係在不同烘烤條件-用之ABL材料對那些使用完全中和之ABL 明）之ABL薄膜的水吸收率。 第7圖舉例說明關於使用習用之ABL;f 完全中和之ABL材料（依照本發明）之ABL 腐蝕作用。 ' ’比較使用習 材料（依照本發 料對那些使用 挈膜、ITO上之 【主要元件符號

120 125 130 160 170 405 408

4 16 4 17 420 423 說明】 中和程度的測定 添加揮發性鹼至溶液 核對界面活性劑或添加劑 將界面活性劑倂入溶液中 沉積溶液 烘烤薄膜 OLED裝置 基板 第一電極 有機堆疊 陽極緩衝層（ABL) 光發射聚合物（LEP) 第二電極 -20-

Claims (1)

1321859 正替換頁丨 第095135300號「有機光發射裝置」專利案 (2009年10月29日修正） 十、申請專利範圍： 1. 一種有機光發射裝置，包括： 陽極；

直接配置在該陽極上之陽極緩衝層（ABL)，該陽極緩 衝層係由沉積溶液而製造，該溶液係含有溶劑化於揮發 性鹼中的酸性ABL材料，致使酸性ABL材料中之酸性基 團至少部分地中和’而使含ABL材料的溶液之pH從1.5 至8 ;及 直接配置在陽極緩衝層上之光發射層，於其中之電 洞復合時，該光發射層能發射光。 2. 如申請專利範圍第1項之有機光發射裝置，其另外包括： 配置在該光發射層上之陰極。 3. 如申請專利範圍第1和2項中任一項之有機光發射裝置 ，其另外包括： 基板，陽極被配置在該基板上。 4. 如申請專利範圍第1項之有機光發射裝置，其中該光發 射層是是共輕聚合物。 5·如申請專利範圍第1項之有機光發射裝置，其中揮發性 鹼包括下列中至少一種：氨（nh3)、單烷基胺（nh2r)、二 烷基胺（N HR2)、三烷基胺（NRO例如三甲胺、三乙胺、烷 芳基胺、芳基胺及芳族雜環、卩比陡、批略、咪哩或三嗤 6.如申請專利範圍第1項之有機光發射裝置，其中酸性基 1321859 年月日f正替換頁 lQft 10.2Q 團包括下列中至少一種：聚（苯乙烯磺酸）、聚（2-丙烯醯 胺基-2-甲基-1-丙磺酸）、聚（丙烯酸）' 磺酸化之全氟化樹 脂及多元酸的鹽類。 7. 如申請專利範圍第1項之有機光發射裝置，其中該酸性 ABL 材料是 PEDOT: PSS» 8. 如申請專利範圍第5項之有機光發射裝置，其中該揮發 性驗是氨。

9. 如申請專利範圍第1項之有機光發射裝置，其中該溶液 是30%之氫氧化銨溶液。 10. 如申請專利範圍第1項之有機光發射裝置，其中酸性基 團係由揮發性鹼予以完全中和。 11. 如申請專利範圍第1項之有機光發射裝置，其中該陽極 緩衝層係由烘烤或乾燥所沉積之溶液予以製造。 12. 如申請專利範圍第11項之有機光發射裝置，其中烘烤溫 度大於5 0 °C。

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