1320199 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關薄膜處理方法及薄膜處理裝置，更詳細 地說，是有關可以最適當實施晶圓等之被處理物表面之層 間絕緣膜等之薄膜之處理的薄膜處理方法與薄膜處理裝置 【先前技術】 隨著半導體裝置之高積體化與高速化，配線構造變得 細緻，配線間之絕緣膜之寄生容量之降低逐漸增加其重要 性。因此，近幾年爲使由於細緻之配線構造之配線間之絕 緣膜所引起之寄生容量減少，而開發各種低介電係數（ dielectric constant)之有機材料，而該等有機材料是做爲 低k材料而使用於間層絕緣膜或保護膜。該低k薄膜材料 是以例如旋轉塗敷機（spinning coater)與烘烤爐塗敷於 被處理體表面而做爲SOD膜爲周知。但是，SOD膜多爲 有機材料，另外一部分之SOD爲了獲得低介電係數而提 高氣孔率，導致機械強度變劣。因此，有利用例如電子束 處理裝置等以維持SOD膜之低介電係數來提升機械強度 等之改質方法。 電子束處理裝置，是由多個電子束管向晶圓等之被處 理物之表面照射電子束，以改質與硬化被處理物表面之 SOD膜等之薄膜者。該改質與硬化在以下簡稱爲EB固化 (EB cure)。在EB固化時，是參考事先評估同種薄膜時 1320199 之背景資料（back data)而對電子束處理裝置設定處理條 件（例如，處理時間）之下，實施EB固化。 可是，先前之之利用電子束處理裝置進行薄膜之改質 時，即使設定事前評估所得之處理時間等之處理條件下， 因爲對被處理物之電子束照射量之變動存在，因此，要實 現最佳之處理時間並不容易。亦即，縱使處理時間相同， 對被處理體之照射電子量也會發生過與不足，不易在被處 理體表面之薄膜獲得所要之膜質，有降低作業效率之問題 。例如，在EB固化時之處理時間不充分時，硬化不完全 ，無法獲得企望之薄膜強度，無法獲得適當之膜質。另方 面，若EB固化時之處理時間過長，則k値惡化，仍然無 法獲得適當之膜質。 【發明內容】
本發明是爲解決上述課題而完成，其目的在提供一種 可對被處理物之薄膜，在不存在無過與不足情況下照射電 子束以獲得適當膜質的薄膜處理方法與薄膜處理裝置。 本發明爲一種薄膜處理方法，其特.徵具備： 處理工程，是對被處理物表面薄膜照射電子束以進行 上述薄膜之改質處理； 電流測定工程，在上述處理工程中在被處理物附近捕 捉電子束做爲電流値測定之；以及 電子量檢測工程，依據上述電流値時間積分而得之電 子量以檢出薄膜處理之終點。 -6- 1320199 利用本發明，藉由根據處理中之電子量以檢測出薄膜 處理之終點，即可對被處理物表面之薄膜實施無過與不足 之電子束照射，而獲得適當的膜質。 在上述處理工程中，上述電子束對上述薄膜之照射量 以由柵極電極來控制爲宜。 此外，本發明之方法較好是，另具備事先將迄至被處 理物之薄膜處理之終點所捕捉做爲基準之電子量做爲基準 電子量之計算工程，上述電子量檢測工程係根據上述基準 電子量而檢測薄膜處理之終點。 此外，較好是另具備：溫度檢測工程，其依據保持上 述被處理物之保持體之溫度或上述被處理物之溫度，檢測 出薄膜處理之終點。 再者，本發明爲一種薄膜處理裝置，其特徵爲具備： 處理裝置，對被處理體表面之薄膜照射電子束以進行 上述薄膜之改質處理； 電流測感器，在上述被處理物之附近將電子束捕捉作 爲電流； 電流測定手段，用於測定由上述電流測感器所捕捉之 電流之電流値； 運算手段，將上述電流値作時間積分以求得電子量； 以及 電子量檢測手段，依據上述電子量檢測出薄膜改質處 理之終點。 利用本發明，藉由依據處理中之電子量檢測出薄膜處 1320199 理之終點，即可對處理物表面之薄膜實施無過與不足之電 子束照射而獲得適當之膜質。 上述處理裝置，較好是具有用於控制上述電子束對上 述薄膜之照射量之柵極（grid electrode)。 另外，本發明裝置較好是另具備記憶手段，用以記憶 至成爲基準之被處理物之薄膜處理終點爲止被捕捉之基準 電子量，上述電子量檢測手段，係依據上述基準電子量檢 測出薄膜之終點。 再者，較好是另具備：溫度檢測手段，其依據保持上 述被處理物之保持體之溫度或上述處理物之溫度，檢測出 薄膜處理之終點。 另外，例如上述處理裝置，係具備：處理器，配置於 上述處理容器內之載置台，以及用於對載置於上述載置台 上之被處理物照射電子束之多個電子束管。 【實施方式】 以下根據附圖所示之實施形態說明本發明。 首先，參照圖1說明本發明之薄膜處理裝置。 本實施形態之薄膜處理裝置1之一實施形態如圖1， 圖2所示，具備以鋁等形.成可減壓之處理容器2，配設於 該處理容器2內之底面中央且用於載置被處理物（晶圓） W之載置台3,排列於該載置台3相對面之處理容器2上 面成同心圓狀而被安裝之數支（例如19支）之電子束管 4,以及用於控制來自該等電子束管4之電子束B之照射 1320199 量之柵極5。在控制裝置6之控制下，由各電子束管4對 著載置台3上面之晶圓w全面照射電子束B，使得形成 於晶圓W表面之塗敷型絕緣膜（以下簡稱「SOD」膜） 之膜質被改質。SOD膜是以含有例如矽、氧、碳、氫各元 素爲構成成分之有機材料所形成。另外，形成於晶圓W 表面之薄膜並不侷限於SOD膜，也可以爲作爲層間絕緣 膜或保護膜使用之其他薄膜。在下面，必要時將利用電子 束之改質稱爲EB固化。 另外，在上述載置台3之下面連結有升降機構7。藉 由滾珠螺桿（ball screw ) 7A使載置台3升降。載置台3 之下面與處理容器2之底面是由伸縮自如之不銹鋼製之波 紋管（bellows ) 8所連結。藉此可以保持處理容器2內之 氣密性。另外，處理容器2之周面上形成有晶圓W之搬 出入口 2A。在該搬出入口 2A裝設有可以開閉之閘閥（ gate valve) 9»另外，在處理容器2之搬出入口 2A之上 方位置形成氣體供應口 2B，而在處理容器2底面形成氣 體排出口 2C。而在氣體排出口 2B透過氣體供應管10連 接著氣體供應源（未圖示），且氣體排出口 2C透過氣體 排氣管11連接有真空排氣裝置（未圖示）。此外，如圖 1所示，12爲波紋管蓋（bellows cover)。 此外，上述載置台3具有加熱器（未圖示）。利用該 加熱器將晶圓加熱至企望之溫度。另外’如圖2所示’ 19 支電子束管4是由配置於處理容器2上面的中心之一支電 子束管4，配置於該中心之電子束管4周圍之6支電子束 -9- 1320199 • 管4’以及配置於該等6支電子束管4之周圍之ι2支電 ，子束管4所構成。電子束管4具有配置於處理容器2中之 電子束之透射窗。該透射窗是以例如透明之石英玻璃所密 封。在該透射窗下方，對向配置著柵極5。 再者’如圖1所示，上述薄膜處理裝置（電子束處理 裝置）1具有終點檢測裝置2 0。終點檢測裝置2 0是用於 檢測晶圓W表面之s OD膜之EB固化之終點。該終點檢 鲁出裝置20具備：配置於載置台3上面宛如圍繞晶圓W， 而且在晶圓W附近捕捉來自電子束管4之電子束之電流 感測器2 1，連接於該電流感測器2 1之電流測定手段（例 如電流計）22 ’以時間積分該電流計22之測定値（累積 計算）以求得電流感測器21所捕捉之電子量的電子量運 算手段23’以及用於儲存該運算電子量之記憶手段26。 電流感測器2 1是以可以捕捉來自電子束管4之電子束的 材料所形成。例如可以使用金屬等之導體或矽等之半導體 φ 。另外’終點檢測裝置20另具備測定載置台3之溫度之 溫度感測器24，及以時間積分該溫度感測器24之測定値 之時間積分手段2 5。藉此，終點檢測裝置2 0可以間接地 運算晶圓W所吸取之總熱量。 圖3A至圖5是用於說明本實施形態之終點檢測裝置 • 20之測定原理之圖。如圖3A所示，來自電子束管4(參 .照圖1 )之電子束B之照射量，係由柵極5所控制。照射 量被控制後之電子束B，係被電流感測器2 1所捕捉。然 後’電流計22測定來自電流感測器2 1之感測電流。藉由 -10- 1320199 該電流値，使電子束管4射入電流感測器21之電子量可 以被定量地掌握。藉此，射入配置於電流感測器21內側 之晶圓W之電子量雖然爲間接性，但是可以定量地加以 掌握。 此時，被電子束管4照射之電子，由於對電子管4之 施加電壓，並非如圖3B中之實線A所示具有一定之能量 値’而是應如圖3B之虛線B所示具有某種寬度之能量分 布。因此，若升高柵極5之電壓，即如圖3C所示，電子 束即因爲特定之柵極電壓Vg而由柵極5所切斷。亦即， 電子束未到達電子感測器2 1，而電流値成爲零。此時， 如圖3 C中以實線C所示，並非由某電流値一下子成爲零 ，應爲如圖3B之虛線B所示之電子數分布，流向電流感 測器21之電子數如圖3 C之虛線D所示，平穩地減少到 零。 實際上，已求得柵極與感測電流21之關係。其結果 表示於圖4。結果發現圖4之結果與圖3C之相對應。另 外，圖5A是將圖4所示之圖表中，電子束管4之施加電 壓爲20kV時對感測器電流之栅極電壓之變化率（dl/dV )形成圖表者。此外，圖5B爲將圖4所示之圖表中，電 子束管4之施加電壓爲22kV時，對感測電流之柵極電壓 之變化率（dl/dV)形成圖表者。由圖5A與圖5B可知 ，該等圖表與圖3B所示之電子能量分布相對應。亦即， 電子感測器21可以確實而再現性良好地捕捉電子束，確 實檢測出電子束B之照射量並利用於薄膜處理之終點檢測 -11 - 1320199 如此一來，在晶圓w之SOD膜照射電子束時’以電 流感測器2 1所捕捉之電子量可以由電流計22掌握成電流 値。該電流値在柵極5之控制下，如圖6之實線A所示 ，急劇增大而在某一定値趨於穩定。此時’晶圓W之 SOD膜即被EB固化。然後，以時間積分該電流値即可以 得到迄至該時間爲止射入之電子量。在任意條件下’對電 φ流感測器2 1之入射電子量與對晶圓W之SOD膜之入射 電子量之間成立某種相互關係。因此，在本實施形態中， 預先進行做爲基準之晶圓W之SOD膜之EB固化。然後 在獲得最佳之改質狀態時，在電子量運算手段23以時間 積分電流感測.器2 1所檢測出之電流値》該積分値扮演基 準電子量之功能。該基準電子量是儲存於控制裝置6之記 憶手段26。然後，該基準電子量與藉由電子量運算手段 23所求得之實際之晶圓W之處理時之運算電子量被逐次 φ比較而檢測出實晶圓W之SOD膜之EB固化之終點。基 準電子量是依照晶圓W之SOD膜等之膜質來決定，因此 ，基準電子量是就每一膜種來求得。 此外，EB固化是由射入之電子與熱之複合作用進行 。因此要檢測最佳的EB固化之終點，可以利用溫度之時 間積分。因此，事先進行基準晶圓W之SOD膜之EB固 化。與求得基準電子量之情形一樣，在得到最佳的改質狀 態時，在時間積分手段25以時間積分溫度感測器24所檢 測出來之溫度。該積分値具有基準熱量（基準積分溫度） -12- 1320199 之功能。該基準熱量被儲存於控制裝置6之記億手段26 。也可以逐一比較該基準熱量與藉由電子量運算手段23 求得之實際之晶圓W之處理時之運算熱量，而以依據上 述基準電子量檢測出終點且依據基準熱量檢測出終點之時 點，作爲實際晶圓W之S OD膜之EB固化之終點予以檢 測出。或針對實際之晶圓處理中之運算電子量乘以運算熱 量之値，與基準電子量乘以基準熱量之値進行比較而決定 終點也可以。亦即，在本實施形態中，除了依據基準電子 量定量檢測出EB固化之終點之外，還可以參照基準熱量 而更正確地檢測終點。 此外，還可以利用晶圓入射電荷量及所謂收縮（ shrink )率之指標來檢測終點。晶圓入射電荷量，係以電 流感測器面積與晶圓面積之比乘以電流感測器21所檢測 出之電流量所求得之總晶圓入射電流量（計算値）除以晶 圓面積之値。收縮率爲膜厚收縮率。該等指標與處理時間 之對應關係之一例如圖7所示。在圖7所示之例子中，收 縮率隨著處理時間而增加，而被測定、計算之晶圓入射電 荷量也增加。收縮率爲表示電子束之固化效果之指標，因 此，可事先掌握晶圓入射電荷量與收縮率之相互關係，而 在實際處理時監控晶圓入射電荷量，並在檢測出變成特定 之收縮率之晶圓入射電荷量時結束處理即可。 可是，若對SOD膜等薄膜施予EB固化，則通常在薄 膜表面越近之區域碳成分越減少而降低膜質之無過與不足 地。若對此種SOD膜等薄膜進行蝕刻或去灰（ashing)時 1320199 . ，蝕刻條件或去灰條件會隨著深度而變動，蝕刻或去灰之 _ 形狀有惡化或蝕刻速率等有降低之虞。另外也有可能接受 洗淨液等之蝕刻。因此，要對晶圓W塗敷SOD膜時，塗 敷工程被分成多個工程，在各工程中分階段塗敷碳濃度高 的塗敷材料，並在SOD膜之深度方向設置碳濃度之斜度 ，如此則，越上層碳濃度越高，藉由在深度方向設置碳濃 度之斜度，則即使因EB固化以致SOD膜之表層部之碳濃 φ度降低，該部分之碳濃度因事先成爲高濃度，因此，在 EB固化結束時，SOD膜之深度方向之濃度略呈無過與不 足地，而可以解決上述之問題點》 其次要說明本實施形態之電子束處理裝置1之薄膜處 理之終點檢測方法。要在晶圓W之SOD膜實施EB固化 時，首先晶圓W會藉由晶圓搬運臂（未圖示）搬運到電 子束處理裝置1。然後，閘閥9被打開，晶圓搬運臂由搬 出入口 2A將晶圓W搬運至處理容器2中，並放置於在處 φ理容器2中待命之載置台3上面。然後晶圓搬運臂由處理 容器2退出，閘閥9關閉，而處理容器2中變成氣密狀態 。其間載置台藉由升降機構7升高，晶圓W與電子束管4 之間被保持於特定之距離* 然後，透過真空排氣裝置將處理容器2中之空氣排出 . ，同時由氣體供應源向處理容器2中供應例如氬或氮氣等 . 惰性氣體。藉此，處理容器2中之空氣被惰性氣體所取代 ，並且將處理容器2中之惰性氣體之壓力保持於特定之壓 力。此時，載置台3之加熱器啓動，晶圚W被加熱而保 -14- 1320199 持於特定之溫度。在此狀態下，所有的電子束管4被施加 特定之電壓’而如圖3B所示，由各電子束管4向晶圓W 照射具有某種能量分布之電子束B。然後，藉由柵極5控 制電子束之照射量，同時開始SOD膜之EB固化。 通過柵極5之電子，係射入晶圓W之SOD膜或電流 感測器21。然後，電流計22將電流感測器21所捕捉之 電子測定做爲電流値。該測定値被輸出至控制裝置6。在 控制裝置6，電流計22所測得之測定値經過A/ D轉換後 ，在電子量運算手段23電流値被以時間積分以運算電子 量。另外，同時在溫度感測器24測定載置台3之溫度。 與電子量一樣，在時間積分手段25測定溫度被時間積分 而運算積分溫度。 於控制裝置6，電子運算手段23之運算電子量與基 準電子量被逐一比較。當運算電子量達到基準電子量時， 判斷EB固化達到終點，而輸出控制信號並停止電子束B 之照射而終止EB固化。或者，在此時，若時間積分手段 25之積分溫度乃未達到基準積分溫度時，EB固化被持續 進行至運算熱量達到基準積分溫度爲止也可以。 如上所述，利用本實施形態，在晶圓W附近之電子 束B被電流感測器21所捕捉，而電流感測器21所捕捉之 電子量在電流計22被測定爲電流値，並依據電子量運算 手段23時間積分該測定値而得之電子量，來檢測出EB 固化之終點，因此，可以對晶圓W之SOD膜等薄膜在無 過與不足情況下照射電子束，而經常可實施最佳的EB固 -15- 1320199 化。亦即，可以獲得具有所要之k値之適當之膜質。 此外，利用本實施形態，可以事先求得迄至做爲基準 之晶圓W之薄膜之EB固化終點爲止所捕捉的基準電子量 ，並依據該基準電子量檢測出EB固化之終點，因此可以 確實檢測出與適當之膜質相對應之EB固化之終點，並即 時（real time )自動地結束EB固化。此時，因爲可以測 定載置台3之溫度’依據該測定値之積分溫度檢測終點， •所以可以更確實檢測E B固化之終點。另外，因爲設有柵 極5’因此，可以更確實地控制電子束b之照射量。 其次，要針對其他終點檢測方法與裝置，參照圖8至 圖1 2，且相同之部分附予相同符號而以特徵部分爲中心 加以說明。圖8與圖9表示利用傅里葉轉換（fourier transformation)紅外線分光分析（FT_IR)裝置或質量分 析裝置等氣體分析裝置’定量分析特定氣體以檢測出EB 固化終點的裝置。 φ. 圖8所示之電子束處理裝置1，係具備：處理容器2 ，載置台3，電子束管4及柵極5，除了終點檢測手段不 同之外’皆依上述實施形態之構成。而且在處理容器2, 透過氣體排出管11連接著真空排氣裝置13。氣體排出管 Π連接有氣體導入管ιιΑ及氣體導出管ηΒ。藉由該等 配管1 1 A、1 1 Β，使終點檢測裝置40連接到氣體排出管 1 1。終點檢測裝置是由例如質量分析裝置或FT-IR裝置等 所構成。在此’是使用質量分析裝置40。 經由EB固化使氣體由晶圓w之SOD脫離時，該脫 -16- 1320199 離氣體即由處理容器2排出到氣體排出管11。該排出氣 體被由氣體導入管11A引入質量分析裝置40以分析氣體 成分。分析後之氣體被由氣體導出管11B引出到氣體排出 管1 1。例如’在晶圓W表面之SOD膜被EB固化時， SOD膜上由於入射電子之能量而發生縮聚合反應等之化學 反應，使水或氫氣等由SOD膜脫離。針對該脫離氣體， 利用質量分析裝置40可以依次定量多個氣體成分，亦即 可監控EB固化時之脫離氣體成分。藉此，可以進行終點 之檢測，亦即可以期待與上述實施形態相同之作用效果。 圖9爲表示被覆有SOD膜之樣本晶圓與未被覆之矽 晶圓被固化時之處理時間與各氣體成分之濃度（強度）之 關係的圖表。（i )表示氫氣之強度。由圖9可知，氫氣 隨著時間之經過，由SOD膜之脫離量（強度）減少。因 此，在此，以氫氣之強度爲指標進行終點之檢測。以時間 積分對SOD膜進行適當EB固化時爲止之氫氣之強度，而 以其積分値做爲終點判斷之基準値。而在實際晶圓被EB 固化時，與上述情形一樣，比較實際處理時之強度積分値 與上述基準値，在強度積分値達到基準値之時間點判斷爲 EB固化之終點。因此，在此情形下，也可以期待與上述 實施形態相同之作用效果。另外’圖9所示之結果爲EB 固化在下列條件進行時所得到之情形。 〔E B固化之條件〕
晶圓溫度：3 5 0°C 1320199 . 惰性氣體：氬（lOTorr，3L/分鐘） 電子束管 施加電壓：1 3kV 管電流：170/z A 處理時間：5分鐘 若使用質量分析裝置40，即可如上所述，檢測出EB 固化之終點。但是，另外也可以分析消失氣體以掌握例如 φ堆積於處理容器2內壁之氣體成分。藉由定量該氣體成分 即可推定對內壁之堆積膜厚。然後，可以依據該堆積膜厚 推定處理容器2內之潔淨時期。甚至，藉由分析氧氣，也 可以監控處理容器2中是否漏氣。 此外，在SOD膜上由於電子束之照射而發生縮聚合 反應，水分子由SOD膜脫離。如圖10所示，利用FT-IR 裝置做爲終點檢測裝置，藉由定量上述水分子且以時間積 分，與上述各實施形態一樣也可以檢測EB固化之終點》 •在圖10之情形下，FT-IR裝置50是透過配管51連接到 處理谷器2。藉此’漂浮於晶圓W上方之水分子（水蒸汽 )被由配管51取出，並利用FT-IR裝置50可以測定該水 分子之氫-氧耦合之紅外線吸收強度。藉將該吸收強度以 時間積分可以檢測EB固化之終點。當然，此時，也可以 利用質量分析裝置等之氣體分析裝置做爲終點檢測裝置。 再者，利用發光分光分析可以檢測EB固化之終點。 此時’如圖11所示，在處理容器2周壁上部裝設例如視 準儀（collimator) 61 ’並藉由光纖62將分光器60連接 -18 - 1320199 到該視準儀61。然後，視準儀61與透過光纖62取入的 光譜被分光器60分光，與特定之脫離氣體（例如氫自由 基等）相符之電漿之特定波長之光譜強度被測定並且以時 間積分該發光強度。然後，依據該積分値可以檢測EB固 化之終點。此時也可以事先利用基準晶圓算出做爲基準値 之積分値。然後，藉由比較在實晶圓W被固化時所求得 之積分値與基準値，可以檢測出EB固化之終點，並期待 與上述實施形態相同之作用結果。 4 此外，EB固化之終點也可以利用晶圓表面之SOD膜 之折射率來檢測出。在晶圓W之SOD膜之EB固化時， 利用由電子束管射入SOD膜之入射電子對形成SOD膜之 有機化合物賦予激活能（activation energy)，並藉由縮 聚合反應等而產生氣體，結果，SOD膜收縮（shrink)而 固化。由於SOD膜之收縮，SOD膜之折射率會變化。因 此，根據SOD膜之折射率與收縮率之關係，可以檢測出 EB固化之終點。此時，也可以期待與上述實施形態相同 | 之作用結果》 例如，在圖12所示之電子束處理裝置1中之處理容 器2上面裝設折射率測定器（例如，利用單一波長之光譜 橢圓計（ellipsometer ) 70。利用該折射率測定器7〇可以 測定SOD膜之折射率。其他部分是按照上述各電子束處 理裝置1來構成。圖13表示電子束處理裝置1被設定於 下列條件以進行EB固化時之EB固化之處理時間與SOD 膜之收縮率及其折射率（RI )之關係。此時，使用63 3 nm [S1 -19- 1320199 ^ 之單一波長以測定折射率。如圖13所示，收縮率與折射 . 率皆隨著處理時間之經過略成比例地增加。要檢測EB固 化時，與上述情形一樣，對基準晶圓事先以時間積分施行 過恰當之EB固化時爲止之折射率，並將該積分値當做判 斷終點之基準値使用。而在實晶圓W被EB固化時，以時 間積分折射率，並判定該積分値達到基準値之時間點爲 EB固化之終點。在此情形下，也可以期待與上述實施形 φ態相同之作用效果。 〔EB固化之條件〕
處理容器內壓力：lOTorr 晶圓溫度：3 5 0°C 氬氣：在標準狀態下每分鐘3公升 電子束管
施加電壓：13kV ^ 管電流：260 y A 另外，如上所述，EB固化受到晶圓溫度之影響。因 此，使處理時間保持固定，並變化電子束管4之管電流以 調查SOD膜之EB固化時之溫度的影響。結果，發現管電 流越大，以及溫度越高，收縮率與硬度（彈性係數）變大 . 。另外，即使將管電流固定而變更處理時間也得到相同的 , 結果。 收縮率與彈性係數之相互關係如圖14所示。在該圖 中表示使晶圓溫度變化以進行EB固化時之SOD膜之收縮 -20- 1320199 率與彈性係數之相互關係。依據圖1 4，發現晶圓溫度越 高對收縮率之彈性係數之坡度變得越高。另外發現即使收 縮率相同’若晶圓溫度不同時彈性係數也不同。如上所述 ’收縮率與彈性係數之關係是隨著晶圓溫度而變化，所以 爲獲得應有之SOD膜彈性而依據SOD膜之折射率檢測EB 固化之終點時，也可以參照晶圓溫度之積分溫度，即可更 加正確地檢測終點。在此情形下，也可以期待與上述實施 形態相同之作用效果。 另外’也可以裝設光干擾式膜厚計以代替上述折射率 測定器70。利用此光干擾式膜厚計以檢測膜厚變化也可 以檢測EB固化之終點。若對S〇D膜施予EB固化，則隨 著時間之經過’ SOD膜收縮而膜厚慢慢減少。利用光干擾 式膜厚計檢測出該膜厚變化，即可檢測EB固化之終點。 在此情形下’也可以與上述實施形態一樣，藉由參照晶圓 溫度之積分溫度更正確地檢測終點。 此外’雖未圖示，也可以在載置台設置重量檢測器並 藉由該重量檢測器檢測晶圓之重量。此時，是以事先進行 基準晶圓之恰當之EB固化時之重量做爲基準重量而儲存 於記憶手段中。此時，實晶圓被EB固化時晶圓之重量依 次被檢測’而在晶圓重量達到基準重量之時間點被判斷爲 EB固化之終點。 再者，圖15A與圖15B爲表示使用於電子束處理裝 置之晶圓W之升降機構之模式圖。上述各實施形態之電 子束處理裝置1，如圖15A所示，具有配設於處理容器2 •21 - 1320199 ^ 底面之多個（例如3支）升降銷15。升降銷15在與外界 之晶圓搬運機構之間進行晶圓W之交接時，會升降如圖 15A之箭號所示。升降銷15是由例如銷部15A及與該銷 部15A —體形成之支撐部15B所形成》支撐部15B如圖 15A所示，隔著0環16升降自如地貫穿處理容器2之底 部。 例如，上述銷部15A是在不銹鋼等金屬表面焊接鋁 φ 土等之陶瓷而形成，另外，支撐部15B是由不銹鋼等金屬 所形成。藉由在銷部15A焊接.陶瓷，可以將升降銷15由 接地電位絕緣。藉此，可以防止被照射電子束時之放電。 另外，由金屬材料精密加工支撐部15B同時利用Ο環16 可以提高氣密性。當然，銷部1 5 A也可以用陶瓷以外之 絕緣體被覆。因爲升降銷15具有此種構造，因此可以一 邊採用處理容器2之真空密封構造一邊採取放電對策。藉 此，可以確實而完整地實施EB固化，而減低以企望之加 φ工精密度修整支撐部15B之表面（0環16之接觸面）之 成本。該升降銷15也可以設置於電子束處理裝置1之載 置台3。 但是在圖15B所示之先前之電子束處理裝置1〇〇之情 形中，升降銷115是以不銹鋼等之金屬所形成。因此’升 降銷115成爲接地電位。如此一來，被照射電子束時可以 藉由升降銷115放電，而有圖15B中以空洞箭號所示之電 流通過，而對EB固化帶來妨礙之虞。另外，在圖15B中 ，102爲處理容器，1〇4爲電子束管，116爲〇環。 -22- 1320199 此外，本發明並不侷限於上述實施形態。只要不脫離 本發明之要旨，各種變形例皆包含於本發明。例如，上述 實施形態中，載置台3之溫度被測定而以該溫度做爲晶圓 W之溫度。但是，也可以直接測定晶圓W之溫度。此時 ，可以更正確地檢測出終點。此外，上述實施形態雖然設 有柵極5，惟縱使省略去柵極之情形下也可以適用本發明 【圖式簡單說明】 圖1爲表示本發明之薄膜處理裝置之一實施形態之模 式剖面圖。 圖2爲表示圖1所示之薄膜處理裝置之電子束管之排 列之一例之平面圖。 圖3至圖3C是用於說明圖1所示之薄膜處理裝置之 檢測膜處理之終點之原理之說明圖。 圖4爲表示圖1所示之柵極之電壓與流經電流感測器 φ 之感測器電流之關係之圖表。 圖5 A與圖5 B分別表示圖4所示之電壓與感測電流 之微分値之關係的圖表。 圖6爲用於說明檢測終點之原理之圖表，而爲表示處 理時間與感測電流以及載置台之溫度之關係的圖表。 . 圖7爲表示晶圓入射電荷量及收縮率與處理時間之對 應關係之一例之圖。 圖8爲相當於表示薄膜處理裝置之另一例之圖1之圖 -23- 1320199 圖9爲用於說明利用圖8所示之薄膜處理裝置之檢測 終點之原理之圖表。 圖10爲相當於表示薄膜處埋裝置之又—例之圖1之 圖。 圖11爲相當於表示薄膜處理裝置之再—例之圖1之 圖。 圖12爲相當於表示薄膜處理裝置之另—例之圖1之 圖。 圖13爲用於說明利用圖12所示之薄膜處理裝置之檢 測終點之原理之圖表。 圖14爲用於說明利用圖12所示之薄膜處理裝置之檢 測終點之原理之圖表。 圖15A爲使用於改良過之薄膜處理裝置之晶圓W之 升降機構之模式圖。 圖15B爲使用於先前之薄膜處理裝置之晶圓W之升 降機構之模式圖。 主要元件對照表 1 薄膜處理裝置 2 處理容器 3 載置台 4 電子束管 5 柵極 -24- 1320199 6 控制裝置 20 終點檢測裝置 2 1 電流感測器 22 電流計 23 電子量運算手段 26 記憶手段 24 溫度感測器 25 時間積分手段 11 氣體排出管 13 真空排氣裝置 40 終點檢測裝置 1 1 A 氣體導入管 1 1 B 氣體導出管 6 1 視準儀 60 分光器 70 折射率測定器 15 升降銷 16 0形環 100 電子束處理裝置 115 升降銷 102 處理容器 104 電子束管 116 0形環
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