TWI312191B - - Google Patents

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1312191 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係提供一種平面結構氮化鎵雙極性電晶體與η 型/Ρ型金半場效電晶體之結構與製程整合方法，尤指其 技術上在相同的氮化鎵長晶層上，同時製作出平面結構的 雙極性電晶體與η型/ρ型金半場效電晶體。 【先前技術】 >閱第®所不’其係說明傳統平面結構的氮化錄雙 極性電晶體，簡單的說，兮雪曰雜目 ]平幻況該電b日體具有：長晶半絕緣性基 板107、集極層103、基極層 々層1 u z射極、集極金屬電極 1M、基極金屬電極1G6、經由離子佈植或離子擴散技術 所形成的ρ型氮化鎵反轉成η型氮化録之射極區和集 極接觸井區1〇4。一般在製作平面結構的氮化錄雙極性電 晶體的好處就是希望能與其他 ，、他7L仵結合並一起製作在同一 水平面上，而且可以避免氮化鎵材料乾式姓刻後高的基 _極金屬接觸電阻。 【發明内容】 曰欲解決之技術問題點：習知之氮化鎵（GaN)雙極性電

晶體（BJTm α/ρ型金半場效電晶體⑽SFET)，是以不 同的製程分別製作。A 解決問題之技術特點：在製作芈 作千面結構的氮化鎵雙極 改電曰曰體的同時，利用光罩和 Μ 羊才離子佈植或離子擴散條件的 …將氮化鎵金半場效電晶體_起製作出來。本發明之 實施例是利用光罩的設計，在製作平面結構GaNBJT的 5 1312191 型反轉區之離子佈植戋 時離子 區位置 場效電 體的η 製作而 域，製 化蘇長 η型/ρ 以提高 成本， 佈植或离…… 製程的時候，也同 ’ 子擴政離子到η型全丰 ，传η別尸 ϋ牛场效電晶體的通道 1免Ρ型氬化鎵反棘报士 晶體 ’ 11聖氬化鎵作為η型金半 體的η型通道區。也 型 θ 也就疋忒.η型金半場效電晶 土11通區乃是同時利 ]用離子佈植或離子擴散的方式 乂’而在沒有離子佈植α戈離 χ雕千擴政的Ρ型氮化鎵區 型金半場效雷θι§# ,,

日日 罨日日體。如此，就可以在相同的氮 u層^，同吩製作出平面結構的雙極性電晶體與 型金半場效電晶體。此項製程整合的技術，不但可 疋件或電路的工作效率也可以可降低元件製作上的 此乃本發明的特點。 對照先前技術之功效：在相同的氮化鎵（GaN)長晶層 上，同時製作出平面結構的雙極性電晶體與金半場效電晶 此項衣程整合的技術，不但可以提尚元件或電路的工 作攻率也可以可降低元件製作上的成本，此係為先前技術 戶斤無法達成之功效。 依照本發明的其一實施例所述，平面結構氮化鎵雙極 随電晶體與金半場效電晶體之结構與製程整合方法中，形 成氮化鎵長晶層的方法包括分子束磊晶法或有機金屬氣相 沈積磊晶法。 依照本發明的其一實施例所述’平面結構氮化鎵雙極 随電晶體與金半場效電晶體之、结構與製程整合方法中’半 絕緣性長晶基板的材料包括氧化鋁（Al2〇3)、碳化矽（Sic) 、氣化鋅（ZnO)、矽基板（Si)、氮化鎵（GaN)、氮化鋁鎵 6 1312191 -(AlxGa,_xN)、氮化銦鎵（InxGai 及氮化 (Ιηχ AlyGa ι .x.yN) 5所組成之群組，其中x、， ，（OSxS1， 0幺y幺1)° 依照本發明的其一實施例所述，平面結構氮 性電晶體與金半場效電晶體之結構與製程整合方 晶層的材料包括碳.化矽（Sic)或氧化鋅（Zn〇) (GaN)、氮化銘鎵（AUGauA)、氮化銦鎵（InxGa 化銘銦叙（I n x A1 y G a ι _ x y N) ’所組成之群組，其中 含量（OSxSl, OSySl)。 依照本發明的其一實施例所述，平面結構氮 性電晶體與金半場效電晶體之結構與製程整合方 述電晶體材料包括碳化矽（Sic)或氧化鋅（Zn〇) (GaN)、氮化銘鎵（AlxGai_xN)、氮化銦鎵（inxGa 化紹銦鎵（InxAlyGabx.yN)，所組成之群組，其中 j 量（0仝X幺 1，0<y<l)。 依照本發明的其一實施例所述，平面結構 性電晶體與金半場效電晶體之結構與製程整合 射極、集極接觸井區和通道區包括由離子佈植 技術一起製作。 依照本發明的其-實施例所述，+面結構氮 性電晶體與金半場效電晶體之結構與製程整合方 極金屬電極、基極金屬電極和集極金屬電極、閘 屬電極、源極及汲極金屬電極的材料包 Pt/Ti/Pt/Au > Ti/Al/Ti/Au 、 Ti/Au 、 Cr/Au 、 鋁銦鎵 為含量 化鎵雙極 法中，長 、氮化鎵 ,.XN)及氮 X、y為 化鎵雙極 法中·，所 、氮化鎵 ι ·ΧΝ)及乳 X、y為 化鎵雙極 法中，該 離子擴散 化鎵雙極 法中，射 極蕭基金 括 A u 、

Pd/Αυ 、 7 1312191

Ti/Pd/Au Pd/Ti/Au、Cr、Pt/Au、Ni/Au、Ta/Ti、Ti/Pt/Au 、Ti/Cr/Au 或 Pt/Ru。 -平面結構氮化鎵雙極性電晶體、n型金半場效電晶體 * 與P型金半場效電晶體，該三種元件可以同時形成在相同 長晶層之上。

有關本發明所採用之技術、手段及其功效，茲舉一較 佳實施例並配合圖式詳細說明於后，相信本發明上述之目 的、構造及特徵’當可由之得一深入而具體的瞭解。 【實施方式】 第二圖為本發明之其一實施例，本發明提出一個新方 法可以在製作平面結構的氮化鎵雙極性電晶體射極井區 201a的同時，藉由光罩的設計，—起製作n型金半場效 電晶體的η型通道區201b。如第二圖所示：具有長晶基 板2 0 9、射極井區201a與n型金半場效電晶體的n型通 道區201b、氮化鎵雙極性電晶體集極接觸井區2〇2。集極 層2 0 3a同時為n型金半場效電晶體的基板層2〇3b和p型 金半場效電晶體的埋藏層203c。氮化鎵雙極性電晶體的 基極層2 04a同時為n型金半場效電晶體的埋藏層2〇几和 P型金半場效電晶體的通道層2G4e。基極金屬電極_ 同時為P型金半场效電晶體的源極和汲極金屬電極 。雙極性電晶體的射極和集極金屬電極同時為η型 金半場效電晶體的源極和沒極金屬f極2_、η Μ Η 效電晶體的閘極蕭基全屬雷& 9f\7 ^ I巷鱼屬電極207、ρ型金半場效電晶體 的閘極蕭基金屬電極208。 8 1312191 - 一種平面結構氮化鎵雙極性電晶體. 場效電晶體之結構，該結構包括： • (a) —長晶基板2 0 9 ; -(b)成長於長晶基板209之平面結構的 體（GaN BJT)，包括： 一低摻雜的η型集極層203a，形成 • 上； - 一高摻雜的P型基極層 204a，形 •層203a上； 一高摻雜的η型射極井區2 (Π a， 型基極層204a中； 一高摻雜的η型集極接觸井區202 Ρ型基極層204a中； 射極金屬電極206a、基極金屬電相 電極2 0 6 a分別形成於該射極井區2 0 1 a _極接觸井區上2 0 2 ; (c)成長於長晶基板209之η型金半場多 ，包括： 一低摻雜的 η型基板層 203b，形 之上； 一高#雜的P型埋藏層204b，形 層203b之上； 一高摻雜的η型通道區201b，形； 埋藏層2 0 4b中； η型/ρ型金半 氤化鎵雙極性電晶 於長晶基板層2 0 9 成於低摻雜的集極 形成於高摻雜的ρ ，形成於高摻雜的 i 205a、集極金屬 、基極層204a、集 文電晶體（MESFET) 成於長晶基板2 0 9 成於低摻雜的基板 &於高掺雜的P型 1312191 • 閘極蕭基金屬電極2 Ο 7、及極金屬電才 屬電極206b全部皆形成於高摻雜的η裂这 • 〇 .(d)成長於長晶基板209之ρ型金半場效1 ，包括： 一低摻雜的η型埋藏層2〇3c，形成 . 之上； 一高捧雜的P型通道層204c，形成 ®層2 0 3c之上； 閘極蕭基金屬電極2 0 8、汲極金屬電； 屬電極2 0 5b全部皆形成於高摻雜的p型g 〇 該平面結構的氣化鎵雙極性電晶體， 型金半場效電晶體（MESFET)中，所有結 203、p層204 (如第三a圖所示）是以分 _ 金屬氣相沈積磊晶方式同時形成。 依照本發明的一實施例所述，上述之 雙極性電晶體與η型/p型金半場效電晶 整合方法中，半絕緣性長晶基板的材 (Al2〇3)、碳化石夕（SiC)、氧化辞（Zn〇)、 化鎵（GaN)、氮化鋁鎵（AlxGa,.xN)、氮化 及氮化鋁銦鎵（InxAlyGabx.yN)，所組成之 y 為含量（OSxSl, CKySl)。 依照本發明的其一實施例所述，平面 δ 2 0 6 b、源極金 L道區201b之上 I：晶體（MESFET) 於長晶基板209 於低摻雜的埋藏 * 陵2 0 5 b、源極金 !_道層204c之上 (BJT)與 n 型 /p 構層包括.η層 子束蟲晶或有機 平面結構氮化鎵 體之結構與製程 料包括氧化紹 碎基板（Si)、氮 銦鎵（Ir^Ga^xN) 群組，其中X、 結構氮化鎵雙極 1312191 ~性電晶體與金半場效電晶體之結構與製程整合方法中，長 晶層的材料包括碳化矽（SiC)或氧化鋅（Zn〇)、氮化鎵 • (GaN)、氮化鋁鎵（AixGaixN)、氮化銦鎵（Ιηχ(3&ι-χΝ)及氮 .化鋁銦鎵（InxAlyGai-x-yN)，所組成之群組，其中χ、y為 含量（0SXS1, 〇9幻）。 依照本發明的其一實施例所述，平面結構氮化鎵雙極 性電晶體與金半場效電晶體之結構與製程整合方法中，所 鲁述電晶體材料包括碳化矽（SiC)或氧化辞（Zn0)'、氮化鎵 (GaN)、氮化鋁鎵（AlxGa^N)、氮化銦鎵（inxGai_xN)及氮 化鋁銦鎵（InxAlyGai…yN)，所組成之群組，其中x、y為 含量（OSxS1, 1 )。 該射極、集極接觸井區及通道區包括由離子佈植或離 子擴散技術一起製作。 依照本發明其一實施例所述’平面結構氮化鎵雙極性 電晶體與η型/p型金半場效電晶體之結構與製程整合方 _法中，射極金屬電極、基極金屬電極和集極金屬電極、閘 極蕭基金屬電極、源極和汲極金屬電極的材料包括Au、

Pt/Ti/Pt/Au、Ti/Al/Ti/Au、Ti/Au、Cr/Au、Pd/Au、 Ti/Pd/Au Pd/Ti/Au、Cr、Pt/Au、Ni/Au、Ta/Ti、Ti/Pt/Au 、Ti/Cr/Au 或 Pt/Ru。 平面結構氮化鎵雙極性電晶體與n型/ p型金半場效 電晶體，該三種元件可以同時形成在相同長晶層之上。 接著參閱第三a圖至第三h圖所示，說明如何整合這 三種元件一起製作的製造技術： 11 1312191 (a) 成長Ρ·η接面結構的氮化鎵長晶層：包含長晶基 板209、η層203、ρ層204，其中η層203包含集極層 2〇3a、η型金半場效電晶體的基板層2 0 3b及ρ型金半場 :電晶體的埋藏層2〇3c(如第三b圖所示），？層2。二 3氮化鎵雙極十生冑晶體的基極層204a、n f金半場效電晶 體的埋藏層204b及p型金半場效電晶體的通道層2〇4c :曰

(b) 利用蝕刻方式製作元件的絕緣製程：根據此方法 ，長晶基板209之上製作出集極層2〇3a' n型金半場效電 晶體的基板層203b及ρ型金半場效電晶體的埋藏層2〇3c ，氮化鎵雙極性電晶體的基極層2〇4a、n型金半場效C 體的埋藏層204b及ρ型金半場效電晶體的通道層2〇乜； (C)製作集極接觸井區2〇2 :利用離子佈植或離子擴 散製作平面結構的雙極性電晶體的集極金屬接觸區域； (d)製作射極井區/通道區：再次利用離子佈植或離 子擴散同時製作平面結構的雙極性電晶體的射極井區 20 1 a以及η型金半場效電晶體的通道區2〇丨b ;在兩次離 子佈植或離子擴散之後需做高溫的活化處理。 (e)沈積雙極性電晶體基極金屬電極2〇5a及ρ型金 半％ .效電晶體的及極和源極金屬電極2 〇 5 b ; (ί)沈積雙極性電晶體射極與集極金屬電極“型金 半場效電晶體的汲極和源極金屬電極··分別將雙極性電晶 體的射極金屬電極和集極金屬電極2〇6a與n型金半場效 電晶體的没極和源極金屬電極2〇6b —起鍍上。 (g)沈積η型金半場效電晶體閘極蕭基金屬電極 12 1312191 (h)沈積p型金半場效電晶體閘極蕭基金屬電極2 〇 8 ，如此便可以完成積體化的製作氮化鎵雙極性電晶體與打 型/ρ型金半場效電晶體。 ’’不口上述，本發明之平面結構氮化鎵雙極性電晶體盥 金半場效電晶體之製程整合方法，其步㈣（如第四圖所 示）： (a)成長ρ_η接面結構的氮化鎵長晶 f tit Π層2〇3與P層204的氮化鎵長晶基板209 、⑻利用餘刻方式製作元件的絕緣製程：利用钱刻方 式’製作集極層9 n q。 j,.. 蚀層203a、n型金半場效電晶體的基板層 203b 及 ρ 型 & 主 。 土金+ %效電晶體的埋藏層2〇3c，氮化鎵雙極 性電晶體的基搞爲9 Λ ^ 土桎層204a、η型金半場效電晶體的埋藏層 2〇4b及Ρ型金半場效電晶體的通道層204c。 製作集極接觸井區2〇2 :利用離子佈植或離子擴 散製作+面結才冓的雙極性電晶體的集極金屬#觸區域。 、⑷同時製作射極井區/n型通道區：再次利用離子佈 植或離子擴散同時製作平面結構的雙極性電日日曰體的射極井 £ 201a以及金半場效電晶體的通道區如u兩次離子 布植或離子擴散之後需做高溫的活化處理。 曰 ）尤積又極性電晶體基極金屬電極/p型金半場效電 日日體的沒極和源極金屬. 孟屬電極·沈積雙極性電晶體基極金屬 電極205a於雙極料雷曰贼匕. . 、、 性電BS體上，與P型金半場效電晶體的 及極和源極金屬電極205b —起鍍上。 13 1312191 - (f )沈積雙極性電晶體射極與集極金屬電極/η型金 半場效電晶體的汲極和源極金屬電極：分別將雙極性電邊 '體的射極金屬電極和集極金屬電極206a與η型金半場效 •電晶體的汲極和源極金屬電極2 0 6 b —起鍍上。 (g)沈積η型金半場效電晶體閘極蕭基金屬電極··沈 積η型金半場效電晶體閘極蕭基金屬電極2〇7於η型金半 場效電晶體之上。 ⑻沈積Ρ型金半場效電晶體閘極簫基金屬電極：沈 積Ρ型金半場效電晶體問極蕭基金屬電極2〇 場效電晶體之上。 、… "π成積體化的製作氮化鎵雙極性電晶體2⑽&、】 里金切效電晶體2 0 0bAp型金半場效電晶體驗。 月'J文係針對本發明之較佳眘#办丨★丄 進行具體之今日日·. 實把例為本發明之技術特指 ，惟，熟悉此項技術之人士當可在不脫离 本發明之精神與㈣下對本 變更與修改，皆廊工… 進仃I更與修改，而該， 中。 白應涵盍於如下申請專利範圍所界定之範巧 【圖式簡單說明】 第圖.係習用氮化鎵雙極性電 篦-m .及缸 电曰日篮之剖面示意圖 第一圖.係整合氮化鎵雙極 效雷曰μ 电曰曰體與η型/ρ型金 々 電日日體元件之剖面示意圖。 第二a至h圖：為整合氮化鎵雙極 电日日體與η型/ *半場效電晶體之製程故 第四圖：係敕人e 序步驟成型： i合氮化鎵雙極性電晶體逝 ” 11型/ρ型金 14 1312191 - 效電晶體一起製作之製程流程圖。 【主要元件符號說明】 * 1 0 1 :射極區 • 1 0 2 :基極層 1 0 3 :集極層 1 0 4 :集極接觸井區 - 1 0 5 :射極、集極金屬電極 1 0 6 :基極金屬電極 • 1 0 7 :半絕緣性基板 2 0 0a ：氮化鎵雙極性電晶體 2 0 0b : η型金半場效電晶體 2 0 0 c : Ρ型金半場效電晶體 2 01a ·射極井區 201b: η型金半場效電晶體的η型通道區 2 0 2 :集極接觸井區 φ 203 : η 層 203a ：集極層 203b. η型金半場效電晶體的基板層 2 0 3c : ρ型金半場效電晶體的埋藏層 2 0 4 : ρ 層 2 0 4a:氮化鎵雙極性電晶體的基極層 2 0 4b : η型金半場效電晶體的埋藏層 204c: ρ型金半場效電晶體的通道層 2 0 5a:基極金屬電極 15 1312191 -2 Ο 5 b . p型金半場效電晶體的源極和 2 0 6a:雙極性電晶體射極和集極金屬 ' 2 0 6 b . η型金半場效電晶體源極和〉及 • 2 0 7 · η型金半場效電晶體開極蕭基j 2 0 8 : p型金半場效電晶體閘極蕭基^ 2 0 9 :長晶基板 汲極金屬電極 電極 極金屬電極 t屬電極 t屬電極

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Claims (1)

1312191 十、申請專利範圍： 1 · 一種平面結構氮化鎵雙極性電晶體與n型/p，型 金半場效電晶體之結構，該結構包括_· (a) —長晶基板； (b) 成長於長晶基板之平面結構的氣化鎵雙極性電晶體 (BJT)，包括： 一低摻雜的 一高摻雜的 一高摻雜的 層中； n型集極層，形成於長晶基板層上； ρ型基極層，形成於低摻雜的集極層上； η型射極井區，形成於高摻雜的ρ型基極 -高摻雜的η型集極接觸井區，形成於高摻雜的ρ型 基極層中； 射極金屬電極、基極金屬電極、集極金屬電極分別形 成於該射極井區、基極層、集極接觸井區上； (C)成長於長晶基板之η型金半場效電晶體（Mesfet)，包 括： 一低摻雜的η型基板層，形成於長晶基板之上，· 一高摻雜的ρ型埋藏層，形成於低摻雜的基板層之上 ， 一高摻雜的η型通道區，形成於高摻雜的卩型埋藏層 中； 閘極蕭基金屬電極、汲極金屬電極、源極金屬電極全 部皆形成於高摻雜的η型通道區之上； (d)成長於長晶基板之ρ型金半場效電晶體（MESFET)，包 1312191 - 括： -低摻雜的η型埋藏層，形成於長晶基板之上； • —高摻雜的ρ型通道層，形成於低摻雜的埋藏層之上 閘極蕭基金屬電極、汲極金屬電極、源極金屬電極全 部皆形成於高摻雜的ρ型通道層之上。 2 .如申請專利範圍第丄項所述之平面結構氣化鎵雙 極性電晶體與η型/P型金半場效電晶體之結構’其中平 面結構的氮化鎵雙極性電晶體（8打）與η型〇型金半場效 電晶體（MESFET)中，所有結構層包括以分子束蟲晶或 >有 機金屬氣相沈積磊晶方式形成。 3 ·如申請專利範圍第丄項所述之平面結構氮化鎵雙 極性電晶體與η型/ρ型金半場效電晶體之結構，其中長 晶基板的材料包括氧化鋁（ALA)、碳化矽（Sic)、氧化鋅 (ZnO)、矽基板（Si)、氮化鎵（GaN)、氮化鋁鎵（AUGai _ XN)、氮化銦鎵（ir^GahN)及氮化鋁銦鎵（InxAiyGai x yN)， 所組成之群組，其中X、y為含量（OSxy，OSyd)。 4 ·如申請專利範圍第1項所述之平面結構氮化鎵雙 極性電晶體與η型/ρ型金半場效電晶體之結構，其中長 晶層的材料包括碳化矽（SiC)、氧化鋅（ΖηΟ)、氮化鎵 (GaN)、氮化鋁鎵（ALGakN)、氮化銦鎵（iiGaHN)及氮 化I呂銦鎵（InxAlyGai_x_yN)，所組成之群組，其中x、y為 含量（OSxSl, (KySl)。 5 *如申請專利範圍第1項所述之平面結構氮化鎵雙 18

1312191 極性電晶體與n型/p型金半場效電晶體之結構 晶體之材料包括碳化石夕（sic)、氧化鋅（Zn0) (GaN)、氣化！呂蘇（AlxGai_xN)、氤化銦鎵（inxGa 化鋁銦鎵（InxAlyGa^-yN)，所組成之群組，其中 φ 量（0幺xSl, 0乞ySl) ° 6 .如申請專利範圍第1項所逑之平面結構 極性電晶體與η型/p型金半場效電晶體之結構 射極、集極接觸井區及通道區得包括由離子佈植 散技術製作。 7 ·如申請專利範圍第丄項所述之平面結福 極性電晶體與η型/P型金半場效電晶體之結相 極金屬電極、基極金屬電極和集極金屬電極、择 屬電極、源極和沒極金屬電極的材料包 Pt/Ti/Pt/Au ^ Ti/Al/Ti/Au > Ti/Au . Cr/Au， Ti/Pd/Au Pd/Ti/Au、Cr、Pt/Au、m/Au、Ta/Ti 、Ti/Cr/Au 或 Pt/Ru。 8 .如申請專利範圍第1項所述之平面結構 極性電晶體肖η型/p型金半場效電晶體之結構 面結構氮化鎵雙極性電晶體與n型/p型金半場 ，該三種元件得同時形成在相同長晶層之上。努 9 . 一種平面結構氮化鎵雙極性電晶體鱼n 金半場效電晶體之製程整合方法’其步驟為： (a)成長ρ_η接面結構的氮化鎵長晶層：製七 η層與ρ層的氮化鎵長晶基板； ，其中電 、氮化鎵 丨-ΧΝ)及I X、y為 氮化鎵雙 ，其中該 或離子擴 氮化鎵雙 ’其中射 極蕭基金 括 Au、 P d/Au、 Ti/Pt/Au 氮化鎵雙 ’其中平 效電晶體 型/ρ型 :包含有 1312191 ' (b)利用#刻方式製作元件的絕緣製程：利用 式，形成氮化鎵雙極性電晶體的集極層、n型金半 •晶體的基板層、p型金半場效電晶體的埋藏層，氮 ，極性電晶體的基極層、η型金半場效電晶體的埋藏 型金半場效電晶體的通道層； (c) 製作集極接觸井區：利用離子佈植或離子 作平面結構的雙極性電晶體的集極金屬接觸區域. (d) 同時製作射極井區/η型金半場效電晶體的 s利用離子佈植或離子擴散同時製作平面結構㈣ 晶體的射極井區以及η型金半場效電晶體的通道^ (e) 沈積雙極性電晶體基極金屬電極/ρ型金半 晶體的沒極和源極金屬電極：沈積雙極性電晶體, 電極於雙極性雷日許 J …生電曰曰體上，與p型金半場效電晶體^ 源極金屬電極一起鍍上； (f) 沈積雙極性電晶體射極與集極金屬電極A 場效電晶體的沒極和源極金屬電極：分別將雙極性 的射極金屬電極和集極金屬電極與η型金半場效希 汲極和源極金屬電極_起鍍上； ^ (g) 沈積η型金半場效電晶體閘極蕭基金屬電；) 積η型金半埸 干每效電晶體閘極蕭基金屬電極於η型金 電晶體之上； W 積P型金半場效電晶體閘極蕭基金屬雷$ 積P型I本π & “ 努效電晶體閘極簫基金屬電極於P型金 電晶體之上； " ϋ刻方 场效電 化鎵雙 層、ρ 擴散製 通道區 i極性電 .； 場效電 -極金屬 没極和 型金半 電晶體 晶體的 爸：沈 半場效 i :沈 半場效 20

1312191 * 據此完成積體化的製作氮化鎵雙極性 η型/p型金半場效電晶體。 • 1 0 ·如申請專範圍第9項所述之平 . 極性電晶體與η型/p型金半場效電晶體 ，其中該步驟c與步驟d之後，即在兩次 擴散之後，包括需增加一高溫的活化處理 十一、圖式： 如次頁 電晶體與氮化鎵 面結構氮化鎵雙 之製程整合方法 離子佈植或離子 步驟。 21