TWI310991B - Light emitting system, light emitting device and fabrication method thereof - Google Patents

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1310991 、九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種發光系統、發光裝置及其形成方 -法’且特別有關於一種具有發光二極體之發光系統、發光 裂置及其形成方法。 【先前技術】 發光二極體（Light Emitting Diode，簡稱LED)因其具 有向冗度、體積小、重量輕、不易破拍、低耗電量和壽命 長等優點，所以被廣泛地應用各式顯示產品中，其發光原 理如下：施加一電壓於二極體上，驅使二極體裡的電子與 電洞結合，此結合所產生的能量是以光的形式釋放出來； 此外’尚可添加螢光體於此結構裡，以調整發光波長（顏 色）與強度。 其中白光發光二極體的出現，更是將發光二極體的應 用延伸至照明領域；以白光發光二極體與目前照明中最常 使用的白熾燈泡與日光燈比較，發光二極體具有低發熱 量、低耗電量、壽命長、反應速度快、體積小等優點，故 為業界所發展的重點。 目削製造白光發光二極體的方式主要有兩類，一為單 晶型發光二極體發光方式，即利用單一發光二極體晶粒搭 配各色螢光粉來混成白光，目前使用的方法主要是利用藍 光發光二極體晶粒與黃光螢光粉所發出的光混合成白光， 及利用紫外光發光二極體晶粒、藍光螢光粉、綠光螢光粉 與紅光螢光粉所發出的光混合成白光；一為多晶型發光二

Clients Docket No.: TT's Docket No:0861-A40852-TW/Final/forever769 5 1310991 '極體發光方式，即利用多個發光二極體晶粒搭配各色螢光 粉來混成白光，目前使用的方法主要是利用藍光發光二極 -體、綠光發光二極體與紅光發光二極體所發出的光混合成 .白光；但多晶型發光二極體發光方式所使用的多個發光二 極體，其驅動電壓、發光強度、溫度特性與壽命長短皆不 相同，而在應用中這些特性皆需要相互匹配，使設計的難 度大增，故所生產的成本也相對較高，所以目前較傾向朝 單晶型發光二極體方向開發。 然而，目前使用發光二極體之發光裝置由於有玎能發 生侧部漏光的現象，例如藍光，因此可能有色偏的問題， 而散熱效率也有待提升。 【發明内容】 有鑑於此，本發明之一實施例提供一種發光裝置或發光 單元，包括··一基板；至少一晶片，置於基板上；一環形 結構（enclosed structure )，置於基板上且環繞晶片，其中 環形結構用於調整來自晶片所發出光線之方向；及一保護 層，至少覆蓋此晶片。 在一較佳實施例中，保護層亦可延伸至環形結構側壁 以增加附著力。 在另一較佳實施例中，由於環形結構可用來調整晶片 所發出光線之方向，例如遮蔽、反射、收集、或聚焦，因 此可以解決晶片側部的漏藍光現象，並改善光線色偏的問 題。 環形結構一般可為塑膠材料製成，表面則可選擇電艘

Client’s Docket No.: TT's Docket No:0861-A40852-TW/Final/forever769 6 1310991 、一層鉻、鎳、銀、氟化鋅、或硫化鎂等反光材料。 此外，由於環形結構與晶片設置在同一面，因此如果 -選擇散熱特性較佳的材質，例如金屬材料製成，則可以提 -高散熱效率。 在另一較佳實施例中，發光裝置可更包括一置於基板 下方之散熱座，可以與環形結構達到雙重散熱的效果，其 中此散熱座可以由金屬材料組成。 本發明另一實施例提供一種發光系統，包括：多個發 光單元；以及一框架（frame)，用於連接該些發光單元， 其中每一個發光單元包括：一基板；一或多個晶片，置於 基板上方；一環形結構，置於基板上且環繞此一或多個晶 片，其中環形結構用於調整晶片所發出光線之方向；及一 保護層，至少覆蓋此一或多個晶片，且保護層之高度不高 於環形結構。 本發明另一實施例提供一種發光裝置的製造方法，包 括：提供一基板，其中基板上方具有至少一晶片；提供一 環形結構，置於該基板上且環繞晶片；使多顆螢光粉粒與 一不含黏著劑之液體混合形成混合液；使基板處於上述混 合液中以使螢光粉粒沈降於基板上；及移除液體並取出該 基板，其中該些螢光粉粒結塊成一螢光粉粒層並至少附著 於上述環形結構内之晶片上；及形成一保護層以覆蓋此晶 片。 其中，在一較佳實施例中，保護層是一個平坦化層， 而其高度則可選擇不高於環形結構，原則上保護層略高於

Client’s Docket No.: TT^s Docket No:0861-A40852-TW/Final/forever769 1310991 ::光=即：例如在較低的高度如環形結構的三分 -同時可一刀或其間的高度，以提供一定的保護能力， .效:厚:影r光效率及降低散熱 避免刮傷發光粉粒層即：其'度只需足'覆蓋晶片以 般而s，保護層的材料可以選擇軟質的古八 料，如此，可以藉由其彈貝的-分子材 力，因而料曰h 守所產生的熱應 也有可能==連接的金屬導線。保護層的 其表面㈣表面滲透進入-既定深度而增加 者刀本只知例則以矽膠為例。 -透鏡，例L是光裝置或發光單元上選擇性覆蓋 而在透鏡錢護層之_可選擇 .=枓衣成’ 相同的材料，例如卿。 真m層之折射率 在此說明書中，所謂“環形結構”係泛指 構。在本發明之實施例中，_舉長方形、正方形、或、^ 形之環形結構成之區域作為說明，但是並_以限定 本發明之|謂；在其他實施例中，此環形結構所圍成之區 域也可以是其它任意形狀，例如配合背光模組的 適當的長條狀環形結構。 t 根據本發明之實施例所使用之環形結構，除了可以聚 集來自該些晶片側壁所發出之光線外，更有避免熱量囤積 (heat sink)產生的功能。.也就是說，藉由環形結構的各 種排列方式’例如是並聯排列、串聯排列、或同心圓排列，

Client's Docket No.: TTss Docket No:0861-A40852-TW/Final/forever769 1310991 ' 並將該些晶片分置於不同壞形結構内’以避免晶片集中配 置所造成之熱量囤積。尤其是，每一個發光單元係各自獨 -·立，也就是說各發光單元彼此間並非由基板連結，而是切 . •割基板形成隔離間隙，以避免熱累積，再藉由框架個別連 _ 結以構成一發光系統。而在另一實施例中，則可再利用配 置於個別發光單元基板下方的散熱座散熱，而達到所謂 “二重散熱”的效果。 $ 此外，根據本發明之實施例所使用之環形結構，亦改 善了一般沉澱法的問題。也就是說，當螢光粉粒沈降於基 板後會被環形結構分開成内外兩區，因此可以容易的移除 在外區的混合液，並只有部分的混合液留在環形結構内 區，由於此部分之混合液遠少於原有之混合液，因此，透 過烘乾方式可以更快的形成螢光粉粒層並附著於環形結構 内之晶片上，如此一來，也提升了製程效率。 為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明 Φ 顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳 - 細說明如下： . 【實施方式】 在本發明之下列實施例中，主要分別說明發光系統、 環形結構之排列方式、具有環形結構之發光裝置與散熱座 的組合、以及環形結構在沉澱法之應用，但是此些實施例 僅用於說明本發明而非用以限定本發明之範圍。 第一實施例 第1A圖係繪示本發明第一較佳實施例之具有環形結

Client’s Docket No·: TT's Docket No:0861-A40852-TW/Final/forever769 9 1310991 、構之發光裝置或發光單元。第2A圖係繪示第ιΑ圖之上視 圖。第2B圖係繪示第1A圖之晶片陣列的上視圖。第3圖 ’係繪示第1A圖所示之環形結構的變形例。 .如第1A圖所示，發光裝置或發光單元1〇〇包括一散熱 座112，一般係由金屬構成。一置於散熱座112上方之基 板102及置於基板102上方之單一晶片或多個晶片，在此 係以晶片陣列104為例。以及置於晶片陣列1〇4上方之發 光粉粒層，例如是螢光粉粒層1〇6。在一較佳實施例中， 發光裝置可選擇用以覆蓋螢光粉粒層106之保護層1〇8, 及一置於基板1 上之ί哀形結構11 〇。此外，在本例中， 環形結構110可以藉由絕緣膠而附著於基板1〇2上；且環 形結構11 〇為一封閉結構。而在此實施例以及後述之實施 例中’晶片陣列104、螢光粉粒層1〇6以及保護層ι〇8皆 位於環形結構110内。在此實施例中，發光單元1〇〇即可 構成一個發光系統’且環形結構110所圍成之區域為正方 形’如第2Α圖所示。請特別參考第2Β圖，螢光粉粒層ι〇6 下方之晶片陣列104的配置係如圖所示，其由環形結構11 〇 所圍繞。 在一較佳實施例中，保護層108亦可延伸至環形奸構 110侧壁以增加附著力。 ° 一般而言’保護層的材料可以選擇軟質的高分子才 料，如此，可以藉由其彈性抵鎖晶片發光時所產味 庄土的熱應 力，因而保護晶片和所連接的金屬導線，此外，保譜 Ί 的 一部份有可能自登光粉粒層106的表面渗透進入—gg： ^

Client’s Docket No.: TT's Docket No:0861-A40852-TW/Final/forever769 10 1310991 ,度而增加其表面黏著力，其中本實施例係以矽膠為例。 在另一較佳實施例中，由於環形結構110可用來調整 •來自晶片104所發出光線之方向，例如遮蔽、反射、收集、 -或聚焦，因此可以解決晶片104側部的漏藍光現象，並改 善光線色偏的問題。 環形結構110 —般可為塑膠本體，表面則可形成一反 光材料層，例如選擇電鐘一層鉻、鎳、銀、氣化鋅、或硫 化鎂等反光材料。 其中，由於環形結構110與晶片104設置在同一面， 因此如果選擇散熱特性較佳的材質，例如拋光形成具有反 光面之金屬材料，則可以提高散熱效率。 此外，可以在上述發光裝置或發光單元上選擇性覆蓋 一透鏡200，例如是由玻璃、環氧樹脂或PE塑料製成以覆 蓋基板102、晶片104、保護層108、和環形結構110，而 在透鏡200與保護層108之間則可選擇性填充與保護層之 折射率相同的材料作為填充層150，例如矽膠。 在另一實施例中，環形結構110之内側壁與基板102 表面形成一角度0，且〇°<0<9〇°，但是以0=45°較 佳；環形結構110之材料為金屬，例如是不銹鋼材料；且 環形結構110表面可以選擇一層鍍膜以增加反射效果。其 中，在一較佳實施例中，保護層108是一個平坦化層，而 其高度則可選擇不高於環形結構110，原則上保護層略高 於螢光粉粒層即可，例如，選擇低於環形結構之高度如三 分之二、二分之一或其間的高度，以提供一定的保護能力，

Clients Docket No.: TT5s Docket No:0861-A40852-TW/Final/forever769 1310991 -同時可以避免保護層108厚度過厚而影響發光效率及降低 散熱效果，但本發明並不限於此，其高度只需足以覆蓋晶 '片104以避免刮傷螢光粉粒層106即可。 - 尤其是在本例中，螢光粉粒層106内之螢光粉杈間並 不含膠，因此可以增加發光效率。其中，晶片陣列之 晶片數量係依據需要而決定，例如可以是單顆或多頻在 本例中，此晶片係為發光二極體。其中，基板1〇2為銅覆 基板，但也可使用鋁覆基板或氧化鋁基板。其中，散熱座 112之形狀為梯形，但也可是矩形或凹形及其它利於散熱 之形狀，如第1B〜1E圖所示；散熱座Π2之材料如金屬 等以具向導熱係數者較佳。 、， 另外，在其它實例中，環形結構110所圍成之區域的 形狀亦可依據需要而作適當變更，例如是長方形、圓形、 或其它形狀等；且環形結構110本身之形狀也可以做^意 變更，例如其剖面形狀可以是梯形、三角形或弧形等，: 第3圖所示’而環形結構内側壁也可以是平坦表面或圓弧 面。在其他實施例中，此環形結構所圍成之區域也可以是 其它任意形狀，例如配合背光模組的空間製造適當的長條 狀環形結構。 此外藉由實驗發現，以不銹鋼材質分別製作高度 0.2mm和0.3mm、剖面呈45度等邊三角形、而直徑同為 1·6公分的環形結構，並搭配在電路基板上分別設置16顆 由螢光粉粒層覆蓋之LED晶片（台湾廣嫁公司514型号 14mil晶片）時，發現由高度〇_3mm的環形結構圍繞之發光

Client’s Docket No_: TT's Docket N〇:0861 -A40852-TW/Final/forever769 12 1310991 I置，其壳度比由〇.2mm高度之環形結構圍繞者多出ι_3 .机明’而在覆蓋環氧樹脂透鏡前後之亮度則沒有差別。 星S實施例 第4圖係繪示本發明第二實施例之發光系統。 ' 如第4圖所示，本實施例之發光系統400之特徵在於 具有多個第1A圖所示之發光單元1〇〇、以及一用於連接該 些發光單元100之框架（frame) 410，其餘皆與第一實施 • 例類似。也就是說，多個第1A圖所示之發光單元100構 成本實施例之發光裝置400。其中，發光單元1〇〇彼此之 間具有一適當之間隙距離d，且此間隙距離d係依據每一 發光單元100所發出之亮度與所產生之熱量而決定。其 中’該些發光單S 100之數量係可依據需要而決定；且該 些發光單元100之配置可以有各種變化。其中，框架 係由金屬材料所構成。 因此根據本發明之實施例所使用之環形結構110，除 了可以聚集來自該些晶片侧壁所發出之光線外，更有避免 熱量囤積（heat sink)產生的功能。也就是說，藉由環形 結構的各種排列方式，例如是並聯排列、㈣㈣、或同 心圓#列，並將該些晶片分置於不同環形結構内，可以避 免晶片集中配置所造成之熱量囤積。尤其是在一發光系統 400中，每-個發光單元100係各自獨立，也就^說各發 光單元10G彼此間並非由整片基板連結，而是㈣基板带 成隔離間隙d’再藉由框架410個別連結以構成發光系統^ 如此可以避免熱累積及達到熱源分散的良好效果。1

Client’s Docket No.: TT，s Docket No:0861-A40852-TW/Final/forever769 13 1310991 第三實施例 第5圖係繪示本發明第三實施例之發光系統。 如5圖所示，在本實施例中，除了環形結構510所圍 •成之區域的形狀是長方形之外，其餘皆與第一實施例類 似，在此不再贅述。根據用途，可以直接以一個單獨發光 單元500作為發光系統；亦可以將多個發光單元500串聯 排列而成一直線形之發光系統。 第四實施例 第6圖係繪示本發明第四實施例之發光系統。 如6圖所示，在本實施例中，除了發光單元500為並 聯排列之外，其餘皆與第三實施例類似，在此不再贅述。 其中，多個發光單元500並聯排列而成一發光系統600， 且發光單元500彼此之間的間隙距離d係依據每一發光單 元500所發出之亮度與所產生之熱量而決定。 第五實施例 第7圖係繪示本發明第五實施例之發光系統。 如7圖所示，在本實施例中，除了環形結構710所圍 成之區域的形狀是多邊形（例如，八邊形）之外，其餘皆 與第一實施例類似，在此不再贅述。在本實施例中，係直 接以一個單獨發光單元700作為發光系統。在其它實施例 中，環形結構710所圍成之區域的形狀也可以是圓形。 第六實施例 第8圖係繪示本發明第六實施例之發光系統。 如8圖所示，在本實施例中，除了發光單元700為渦

Clients Docket No.: XT’s Docket No:0861-A40852-TW/Final/forever769 14 1310991 卷式（讀X)排列之外，其餘皆與第五 不再f述v = 列而成一發光系統800，且發光單开m 跖雜rl在俨it各癸氺罝-1 7〇〇H之間的間隙 =Git?。所發出之亮度與所產生之 熱里而決疋。在其匕貝紅例中，發光單元7〇〇之产乂 所圍成之區域的形狀也可以是圓形，且發光單元:^ 心圓狀排列（圖未顯示）。 王同 值得注意的是，在第-〜六實施例中，晶片皆 環形結構内，且晶片數量係依用途與需要而決定。另； 在第六貫施例之發光裝置上方也可以使用封裝村料 以封裝，但是以不封裝者較佳。 ’、加 第七實施例 本實施例提供一種發光二極體之製造方法，以下雖汽 “沈澱法”為例，在此併入申請人之大陸專利申請^

200510008606. 0及美國專利申請號Π/059554作為本發明U 參考，但是本發明之製造方法不以此為限。 請參閱第1A圖’本實施例之製造流程包括下列步驟， 但其步驟順序可以依據製程需要進行調整而不以此為限。 首先’提供一基板102，其中基板102上具有至少— 晶片104，例如製作一發光二極體晶片陣列於一銅覆基板 上。其次，提供一環形結構110，置於該基板102上且環 繞晶片104，例如使用黏膠以固定具有鍍鉻反光面之塑膠 環形結構110於基板102上。 接著使多顆螢光粉粒與一不含黏著劑之液體混合形成

Client’s Docket No.: TT's Docket No:0861-A40852-TW/Final/forever769 15 1310991 , 混合液，並使基板102處於上述混合液中以使螢光粉粒沈 降於基板102上。而一較佳實施例中，可選擇先置入上述 -基板102於一容器中，然後使多顆螢光粉粒與一不含黏著 -劑之液體混合形成混合液並導入該容器中，進而讓上述混 合液中之螢光粉粒自然沈降於基板102上。 然後，移除液體並取出基板102，其中該些螢光粉粒 係結塊成一螢光粉粒層106並至少附著於上述環形結構 110内之晶片104上，及形成一保護層108以至少覆蓋此 螢光粉粒層106。 而根據本發明之實施例所使用之環形結構110,係可 提高一般沈澱法的效率。也就是說，當螢光粉粒沈降於基 板102後會被環形結構110分開成内外兩區，而在初步移 除混合液後，將只有部分的混合液留在環形結構110之内 區，由於此部分之混合液遠少於原有大量之混合液，因此， 透過烘乾方式可以更快的移除剩餘液體而形成螢光粉粒層 106並附著於環形結構110内之晶片上，如此一來即可提 升製程效率。 以下針對上述製程之一較佳實施例進行詳細說明。首 先螢光粉粒之比重係選擇大於此液體且較佳不溶或難溶於 此液體中，且螢光粉粒在此液體中必須具有安定性且不起 化學反應；接著利用攪拌子（stir bar)或超音波震盪器等 ^工具或儀器使螢光粉粒與液體均勻混合，以形成一分散 液。螢光粉粒可由螢光粉組成.，此螢光粉可為硫化物螢光 粉或非硫化物螢光粉；其中硫化物螢光粉表面尚可包覆一

Client's Docket No.: TT^s Docket No:0861-A40852-TW/Final/forever769 1310991 '層保護層’如有機聚合物保護層，以阻隔外界環境如水氣 與氧氣等對硫化物螢光粉的影響，使硫化物螢光粉維持穩 定狀態；而非硫化物螢光粉可為釔鋁石榴石（yttrium . · aluminum garnet ’簡稱YAG)螢光粉、铽鋁石榴石（terbium aluminum garnet，簡稱TAG)螢光粉等常見用於發光二極 體中的螢光粉，或是任何其它可用之發光粉。 其次將一上方具有一環形結構110之基板1〇2置於上述 鲁 分散液中靜置一段時間，此分散液的液面必須高於基板表 面，且至少要比基板表面高10 μπι以上。接著再利用自然的 重力因素使混合液中之螢光粉粒直接澱積在基板上，故此 螢光粉粒之比重必須大於此液體，否則無法進行殺積行 為，榮光粉粒之粒徑一般為0.1〜1〇〇 μχη，由於此製造方、、去 是利用重力使螢光粉粒直接澱積在基板上，所以若營光粉 粒的粒徑過小，澱積時間會過長’使產能降低，此外，若 螢光粉粒的粒徑太大’可能會造成最後所形成之榮光粉粒 ❿層均勻度太差的結果；此外，為使澱積時間與最後所形成 .之螢光粉粒層的厚度在—定標準内，此發光粉佔液體I濃 . 度約為0.001〜lg/ml，較佳為0.01〜〇.i5g/ml，若濃度過言/辰 會使發光粉產生浪費或是使最後所形成之f光粉^層"1 過 厚，若濃度過低，則會使澱積時間過長且最後所形成^螢 光粉粒層過薄。在此澱積過程中，環形結構可以將沈降之 螢光粉粒區分為内外兩區。其中’在此殿積製程前，淨开< 結構内之基板表面已形成有晶體陣列，例如是發光二極^ 陣列。 一

Client’s Docket No.: TTss Docket No:0861-A40852-TW/Final/forever769 1310991 最後將上述系統中的液體進行初步移除，如利用抽取 =流放等方式將液體移除，僅留下部分混合液於環形結 上，、賴利用快速烘乾方式形成榮光粉粒層並 附ί、； ΒΒ片上=形結構内之基板上。上述將液體移除的 方工以不會對螢光粉粒層產生擾動作用為準，否則將無法 形成理想的螢練粒層，而其巾該烘乾步狀溫度設定， 係選擇大於使液體揮發之溫度，小於使基板如晶體之破 襄或!X光泰產生變J之温度，例如約為攝氏4〇〜·度， 其中右烘m太低’則會使烘乾時間過長或是無法供 乾，這會導致產能下降；若烘乾溫度過高，不但會使基板 或發光粉產生變質’產生品質不良㈣光粉粒層而使良率 下降，還會因為激烈的沸騰現象而使發光粉的分散液被攪 動而無法得到理想的螢光粉粒層。此烘乾步驟是要將發光 粉中的液體移除’當液體移除時，發光粉體間的空隙就會 減少，且藉由發光粉體間的凡得瓦力使彼此更加密合，而 形成緊密不易剝落的發光粉體層。此外，此烘乾步驟可包 括第一烘乾步驟與第二烘乾步驟，在第一烘乾步驟中，使 用較低的溫度使液體慢慢揮發，此溫度較佳小於所使用的 液體的沸點’以避免液體的快速揮發使螢光粉粒層的表面 產生孔洞，待一段時間後，再進行較高溫的烘乾步驟’以 使發光粉狀膜中的液體完全揮發，另外此烘乾溫度較佳者 可選擇小於攝氏300度，其中此溫度之設定係用以避免基板 或發光粉產生變質，並非限定為300度。 此外，尚可在螢.光粉粒層106上再形成一保護層’

Client’s Docket No.: TT's Docket No:0861-A40852-TW/Final/forever769 18 1310991 以對此螢光粉粒層形成更好的保護；此保護層108可為有機 高分子材料，並可以塗佈等方式形成於螢光粉粒層上，也 可延伸至環形結構内侧以增加附著力。 在上述之製造方法中，所使用的液體最好要與發光粉 不溶、難溶、安定且不起化學作用。其中該液體可為水、 醇類或、酮類或醚類，如醇類可為乙醇、酮類為丙酮、醚 類可為乙醚。 雖然本發明已以數個較佳實施例揭露如上，然其並非 用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之 精神和範圍内，當可作任意之更動與潤飾，因此本發明之 保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 第1A圖係繪示本發明第一實施例之發光裝置。 第1B〜1E圖係繪示本發明第一實施例之發光裝置之 散熱座的變形例。 第2A圖係繪示第1A圖之上視圖。 第2B圖係繪示第1A圖之晶片陣列的上視圖。 第3圖係繪示第1A圖所示之環形結構的變形例。 第4圖係繪示本發明第二實施例之發光系統。 第5圖係繪示本發明第三實施例之發光系統。 第6圖係繪示本發明第四實施例之發光系統。 第7圖係繪示本發明第五實施例之發光系統。 第8圖係繪示本發明第六實施例之發光系統。 【主要元件符號說明】

Client’s Docket No.: TT5s Docket No:0861-A40852-TW/Final/forever769 19 1310991 d〜間距；100、〜發光裝置；102〜基板；104〜晶片陣列；106〜 螢光粉粒層；108〜保護層；150〜填充層；200透鏡；110、 510、710〜環形結構；112〜散熱座；400、500、600、700、 800〜發光系統；410、610、715〜框架。

Client’s Docket No_: TT^ Docket No:0861-A40852-TW/Final/forever769

Claims (1)

1310991 案就 095J20370 98 年 3 月 12 修正本 十、申請專利範園： L —種發光裝置，包括·· 一基板； 至少 粉粒層； 曰曰 片 ’置於該基板上，該晶片表面包括—螢光 ，一環形結構’置於該基板上且環繞該晶片， 形結構用於調整該晶片所發出光線的方向；及〃以衣 ，覆蓋該螢光粉粒層且㈣至該環形結構之 " 該保護層之上表面整體低於該環形結構之上緣 2. 如申請專利範圍第丨項所述之發光裝置，兮 護層為一平坦化層。 ^ 、 3. 如申請專利範圍第！項所述之發光裝置， 護層之高度為該環形結構高度之2/3、1/2或兩者之間。“ 4. 如申請專利範圍第丨項所述之發光裝置，苴:: :結構用以遮蔽、反射、收集、或聚焦該晶片所發出= 1項所述之發光裝置’其中該環 及-反光㈣層’形成於該塑膠 5.如申請專利範圍第 形結構包括一塑膠本體， 本體表面。 6. 如申請專利範圍第5項所述之發光裝置，其 光材料層為一電鍍層。 、 7. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該環 形結構由具有反光面之金屬材料製成。 ^衣 8. 如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中該環 0861-A40852-TW/Final2/ 1310991 形結構之内側壁與該基板之夾角為—銳角。 9.如申請專利範圍第8項所述發 '形結構之剖面為—梯㈣三角形。之Μ裝置’其中該環 ' 10.如申請專利範圍第i項所述之 環形結構之内側壁為一平坦表面或圓弧面。、/、該 括二如申圍板第：Γ述之發光裝置，其更包 U·如申請專利範圍第u項所述之發光 填充層與該保護層之折射率實質相同。、-中3玄 13·—種發光系統，包括： :個：光單元;及一框架’用於連接該些 八中母—個發光單元包括： 一基板； 片，置於該基板上方，該晶片表面包括一營 環形結構，置於該基板上且環繞該晶片，且中转 形結構用於調整該晶片所發出光線的方向；及衣 側二蓋該*光粉粒層且延伸至該環形結構之 :呆4層之上表面整體低於該環形結構之上緣。 請專利範圍第13項所述之發光系統，並中兮 :構所圍成之區域係為正方形、長方形、圓形❹邊z 〗5.如申請專利範圍第13項所述之發光系統，其中該 晶 至少 光粉粒層； 〇861-A40852-TW/Final2/ 22 1310991 些發光單元之排列方式包括串聯、並聯、同心圓、或渦卷 式排列。 ' 16.如申請專利範圍第13項所述之發光系統，其中該 些發光單元之各基板間包括一隔離間隙以避免熱累積。 17. —種發光裝置的製造方法，包括： 提供一基板，其中該基板上方具有至少一晶片； 提供一環形結構，置於該基板上且環繞該晶片； 使多顆螢光粉粒與一液體混合形成混合液； 使該基板處於上述混合液中以使螢光粉粒沈降於該基 板上； 移除該液體使該些螢光粉粒結塊成一螢光粉粒層並至 少附著於上述環形結構内之晶片上；及 形成一保護層以覆蓋該螢光粉粒層且延伸至該環形結 構之侧壁，且該保護層之上表面整體低於該環形結構之上 緣。 | 18.如申請專利範圍第17項所述之發光裝置的製造方 法，其中移除該液體的方法包括： 使用一第一移除步驟，以移除位於該環形結構外之混 合液，留下位於該環形結構内之混合液；及 使用一第二移除步驟，移除位於該環形結構内之混合 液的液體，使該些螢光粉粒結塊成一螢光粉粒層並附著於 上述環形結構内之晶片及基板上。 19.如申請專利範圍第1、13、及17項所述任一項，其 中該螢光粉粒層包括多個螢光粉粒’且至少一部分是凝結 0861-A40852-TW/Final2/ 23 1310991 成塊且不含黏著劑。 20. 如申請專利範圍第1、13、及17項所述任一項，其 •中該保護層的一部份係自該螢光粉粒層的表面滲透進入一 、既定深度。 21. 如申請專利範圍第19項所述之發光裝置的製造方 法，其中該第二移除步驟係藉由烘乾以移除位於該環形結 構内之混合液的液體。

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