TWI309313B - Micro-optical device - Google Patents
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Description
1309313 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 •本發明大體上係關於微光學裝置。更具體而言,本發明 係關於可用作為尾端配件(pigtailing assembly)的微光學裝 置,該等尾端配件包括具有與光學組件耦合之光電組件及光 纖的尾端晶片,該光學組件為例如,在積體光學晶片 (integrated optic chip)之上的一個或多個波導(waveguides)。 【先前技術】 • 積體光學晶片(I0C),亦稱為波導晶片或平面光波導, 通常在光纖尾端(或依附在光纖)。美國專利第6,839,492 號,Awom等人揭露了此種結構。通常此尾端是利用玻璃、 陶瓷或矽套管(ferrule)製成,其係以特異地或精度陣列 (precision array)方式包含一條或多條光纖。波導邊緣與光 纖尾端配件係經對接輕合(butt-coupled)、對齊並結合在一 起以允許光線在光纖及積體光學晶片之間以有限的損失通 0過。然而,額外併入主動裝置(例如雷射及光4貞檢器 (photodetector))的同時,要建構能達到高效能及低成本的 波導裝置係為一大挑戰。歷史上,主動裝置不是分開包裝 並與波導(帶有在裝置間運作的光纖)結合,就是直接將主 動裝置設置在積體光學晶片上。為求將主動裝置及波導耦 合在晶片之上,已使用過各種方法,包括在積體光學晶片 上使用光栅耦合器(grating coupler)及嵌入式微反射器 (embedded microreflector)。此等特徵係經設置以藉由光的 反射、折射或繞射將可見光(optical light)移動至離開光波 5 93756 * 1309313 •導之平面的高度。將此等特徵併入波導晶粒(die)通常昂貴 t需要額外的處理步驟。因此,在該領域需要提供光學配 件的技術’該光學配件能使具有光學組件(例如波導及光纖) 的主動光學裝置具有高效能及低成本耦合。 【發明内容】 本發明提供一種微光學裝置。該微光學裝置包括.第 一晶片’該W包括基板、位於基板之上經定位以在該基 板邊緣之第-區域之各處作光學通訊的光電組件、及位於 基板之上經定位以在該基板邊緣之第二區域之各處作光學 通訊的光纖;以及光學組件,經定位以分別與在第一及第 二邊緣區域之各處_光電組件與域作光學通訊。該光 學姐件配置為貼近第-晶片,且在該光電組 間的光學路徑(〇pticalp她)上。在一個配置中,該光^且 = 微光學裝置可包括第二晶片,例如積體光 學晶片’其包括該光學組件。 【實施方式】 2參照m中相似元件在全文中係對應至相似 的7L件付號,根據本發明提供的微光學裝置,大體上 為·。尾端配件100包括含有基板9的尾端子二 (SUbaSSembly)(例如尾端晶片i 〇)、主動装置(例如光電 12)、並包括光通道(例如光纖18)。如在本文所使' 術語“光電組件,,包括主㈣置,該主動裝置能射出、= 測或改變光束,包括例如光源、光偵測器及微機電系統 (MEMS)裝置。該術語“光學組件”包括光學元件,例如 93756 6 1309313 光波導、光纖、透鏡、光柵、稜鏡、濾光片等等。如在本 文所使用者,該術語“一(a及an),’係意欲包含一個或多 •個。該術語“之上(on),,不限於元件直接地彼此接觸,而 亦可包括介於中間的層、結構及空間。 光電組件12及光纖18典型地位於尾端晶片1 〇之上俾 使該光電組件12及該光纖18能分別地在基板9之單一邊 緣(例如耦合邊緣11)的第一及第二區域之各處作光學通 訊。光電組件12及光纖1 8之此種配置(其中這些元件之光 ⑩學通訊係在單一邊緣11上發生),允許該光電組件丨2及該 光纖18於尾端晶片1〇之單一麵合邊緣η對接搞合至光學 組件’例如在積體光學晶片20之上的一個或多個波導。當 積體光學晶片20對接耦合至尾端晶片1〇時,該積體光學 晶片20包括經配置的波導22以允許光電組件12及光纖 18之間的光學通訊。 積體光學晶片20提供一種或多種功能,如虛線所示, φ例如波長多工(wavelength multiplexing)、波長解多工 (wavelength denmhiplexing)、光衰減attenuad〇n)、 光放大(optical amplification)、切換、調變及模式轉變。積 體光學晶片可進-步包括-個或多個額外的主動及/或被 動裝置(例如雷射、光偵檢器、積體電路、驅動器、濾 透鏡、棱鏡)位於其上或形成於其中。由於能以小的幾何圖 形(geometries)製造的能力,諸如那些以氧氮切為基底的 高deha-n波導或諸如矽、磷化銦及砷化鎵的半導體或光子 晶體(photonic crystal)裝置係特別地適合。因此,本發明提 93756 7 4 1309313 供一種微光學尾端配件1 00,其透過光學組件例如波導 22(可设置作為積體光學晶片之一部份)而允許在光電組件 • 12及光通道(例如光纖18)之間的光學通訊。在一個例示應 用中,本發明之微光學配件可用在三工器(tHpIexer)配置 -中。舉例而言’此種配置可發現利用在諸如使用149〇奈米 及1550奈米的進入信號及131〇奈米的輸出信號的光纖到 戶(FTTH)應用。 現在更洋細來參照第1圖,尾端晶片10期望包含至少 一個主動裝置(例如光電組件12)及至少一個光通道(例如 光纖18)。視需要地,光學組件(例如透鏡14)可設置在尾 端晶片之上以與光電組件12作光學通訊而促進到達或2 自該光電組件12的光耦合(coupiing 〇f Hght)。(如在本文 使用者,該術語“光”不限定可見光譜,而包括了可見光 譜外的電磁輻射)。單獨存在或與其他視需要的組件(例如 光學組件14或其他的主動裝置)結合的主動裝置12可視需 _要地密封嵌埋,以利於形成密封封裝13的一部份。此種結 構可包括例如可穿透壁或蓋(transparem wall Hd),藉由 。亥可穿透壁或盍可使到達及/或來自該光電組件的光電作 號通過;或包括密封塗膜(coating),例如在該光電組件I 的低溫CVD塗膜。 光電組件12及光纖18期望設置在相同的基板9上, 俾使二% (例如光微影(ph〇t〇lith〇graphic)製程)能正確地建 立該光$組件12之關係位置對該光纖18之關係位置。例 毛而曰曰片可期望為單晶矽,其能經得起光微影製程。 93756 8 1309313 尤其二該光纖18的位置可藉由在該尾端晶片1〇的上表面 上方设置V-溝槽16夹决中 λ/、 “术决疋。V_溝槽16可藉由利用已建立 的或其他適合的方法以姓刻單晶石夕晶圓㈤㈣來產生。例 如’ V·溝槽16可藉由⑽)石夕晶圓的非等向性㈣來提供, 俾使該v_溝槽16之表面為mi}結晶學平面 (crystallographie pianes)。在相同的非等向性㈣製程期 間,可建立出光電組件12與球形透鏡14的位置。例如' 該球形透鏡的位置可藉由設置金字塔形凹處⑽)或* 凹處來建立,該金字塔形凹處或v_凹處可與該v_溝槽Μ 在同一時間#刻,其中該v_凹處,亦包括為{111}結晶學平 面的表面。同樣地,該光電組件12的位置可在相同钱刻步 驟期間建立以提供適當形狀的凹突而可將該光電組件U 於置於其中。亦可使用其他適合的晶片材料及製程來允許 光龟組件12及光纖18彼此之間相對的精確位置,連同j壬 何其他視需要的組件,係藉由例如沉積及蝕刻製程來形成 用以放置該光電及光學組件的對齊基準點(alignment fiducials) 〇 光電組件12(連同視需要的透鏡14)及光纖1 $係定位 於尾端晶片10之上俾使該光電組件12及光纖18可在該尾 &晶片10之單一耦合邊緣11之各處(例如上方、下方或透 過)連通(communicate),以允許該光電組件12及光纖18 藉由對接耦合(butt coupling)至單一光學組件而光耦合。例 如’光電組件12及光纖18可同時地對接耦合至積體光學 晶片2〇。就此而言’該積體光學晶片20包括光波導22, 93756 9 •1309313 該光波導22可包括設置於該積體光學晶片2q之柄合表面 21的第-及第二端23,24。波導22之第一端23與第二端 24可藉由將積體光學晶片20之耦合邊緣21放置在面對正 對於尾端晶片1G之搞合邊緣U的方式而分別輪合至光 纖18及光電組件12,俾使該波導與該尾端晶片2〇、10彼 此對接耦合。為驗證波導端23,24能適當地分別對齊光電 組件12及光纖18以最大化光耦合,可在對齊尾端晶片ι〇 及積體光學晶片20過程期間,對該光電組件12通電或查 詢(interrogated)。 例如,叙使光電組件12包括例如雷射之光源,可啟動 (active)該雷射以發射由波導22接收並傳送至光纖18的光 線。畜該等晶片1〇,2〇以最佳對齊而最大化光效率 throughput)時,可設置偵測器以監測光纖18之輸出來偵 測。另一種做法是,假使光電組件12包括偵測器,可將光 源耦合至耦合邊緣11末端之光纖! 8端的光纖丨8,俾使當 籲該等晶片10,20以最佳對齊而最大化光效率時,該光電組 件12能夠偵測。一旦決定該等晶片ι〇,2〇的最佳位置,該 等晶片10,20便結合在一起而允許光線在光纖18、光電組 件12及波導22之間以有限的損失通過。然而,在某些情 況中’在尾端晶片10耦合至積體光學晶片2〇期間,會不 方便或不期望對光電組件12通電(power)或查詢。在此種 情況中,會期望設置額外的光通道在各個尾端晶片及該 積體光學晶片20之上’如第2圖所示,來允許尾端晶片 10與積體光學晶片20之被動對齊。 10 93756 1309313 例如’參照第2圖 -例示性配置,大體示尾端配件的另 上述參照第!圖之敘、f :: 除了特別指出之處, _樣尸:端==在第2圖及本發明之其他例 ⑽,其含有美板崩广尾端子配件’例如尾端晶月 兩要㈣於 主㈣細如光電組件加及視 2而18及對二214 )、並包括至少兩個光通道(例如信號光纖 如纖219)。單獨存在或與其他視需要的組件(例 或其他的_置)結合的主動裝置= 視融經_埋’以利於形成密封封冑 列如參照第i圖之以上所述。在第U之尾端晶片;: 方式中’光電組件212、信號光纖218及對齊光 纖219期望定位在尾端晶g 1仕尾端日日片210之上,俾使該光電組件 g唬光纖218及對齊光纖219能分別地在基板2〇9 之單一邊緣(例如耦合邊緣211)的第一、第二及第三區域之 各處光學通訊,來允許該光電組件212、信號光纖218及 ,對齊光纖219藉由對接轉合至單—光學組件而光轉合。 例如,對齊光纖219提供第二光通道,來允許尾端晶 片210與光學組件(例如在積體光學晶片22〇之上的波導) 之間的輕’而不須對光電組件212通電或查詢。尾端晶 片210可藉由上述關於第1圖之尾端晶片10的製程設置。 尤其,該等光纖218,219的位置可藉由在基板2〇9的上表 面設置V-溝槽231,232來決定,而光電組件212可在相同 步驟建立以設置能放置該光電組件212的適當凹穴形狀。 就典型應用而言,諸如那些包括單模態(single_m〇de)13〇〇 11 93756 •1309313 至1600奈米的通訊裝置’彼此相對設置的該等組件(例如 光纖21 8,219及光電裝置212)的準確性可在數微米或更小 *之内。當積體光學晶片220對接耦合至尾端晶片210時, 該積體光學晶片220包括經配置的波導222以允許信號光 • 纖21 8與光電組件212之間及信號光纖218與對齊光纖2 i 9 .之間的光學通。就此而έ ’波導222分別地包括回路波 導(loopback waveguide)233以允許在信號光纖21 8與光電 組件212之間的光學通訊’及包括分接波導“叩 _ waveguide)234以允許在信號光纖218與對齊光纖219之間 的光學通訊。 光電組件212、彳§號光纖218及對齊光纖219可同時 對接執合至積體光學晶片220。該積體光學晶片220包括 光波導222,該光波導222可期望地包括設置於該積體光 予b日片220之搞合表面221的第一、第二及第三端 223,224,225。可猎由將積體光學晶片22〇之麵合邊緣 _放置在面對正對於尾端晶片21〇之耦合邊緣211的方式而 分別地將波導222之第一端223耦合至信號光纖218、第 二端224耦合至該光電組件212及該第三端225耦合至對 背光纖219,俾使该波導222與該尾端晶片2丨〇彼此直接 耦合。為驗證波導端223,224能適當地分別對齊光電組件 212及光纖218以最大化光_合,在對齊尾端晶片及 積體光學晶片220過程期間,不需對該光電組件212通電 或查詢。反之,可藉由監視該信號光纖218與對齊光纖Up 之間的光學通訊來驗證適當的對齊。 93756 12 1309313 . 例如,可將光源耦合至耦合邊緣211末端之該等光纖 .218,219之個別端的對齊光纖219或信號光纖218。此外, 田該等晶片210,220以最佳對齊而最大化光效率時,可在 其他該等光纖218,219(沒有光源耦合)之末端設置偵測器 來偵測 旦決疋该等晶片210,220的最佳位置,該等晶 片210,220便結合在—起而允許光線在光纖218、光電組 件212及波導222之間以有限的損失通過。因此,藉由設 置外部光源及外部偵測器,在對齊過程期間不須對光電組 擊件212通電或查詢。 、 再者,根據本發明之尾端配件之另一例示性配置,可 以對齊而不需通電或監測的光電組件3 12係圖示於第3圖 且大體上指定為300。尾端配件3〇〇包括尾端子配件例如 尾端晶片310,其含有基板3〇9、主動裝置(例如光電組件 312及視需要的透鏡314)、並包括至少三個光通道(例如信 號光纖318及第一與第二對齊光纖317,319)。單獨存在戋 φ與其他視需要的組件(例如光學組件314或其他的主動^ 置)結合的主動裝置312可視需要地經密封嵌埋,以利於形 成密封封裝313的一部份,例如參照第丨圖之以上所述。 在第2圖之尾端晶片配置的相似方式中,光電組件3 η、 信號光纖318及對齊光纖317,319期望定位在尾端晶片31〇 之上,俾使該光電組件312、信號光纖318及對齊光纖 317,319能分別地在基板309之單一邊緣(例如耦合邊緣 311)的第一、第二、第二及第四區域之各處光學通訊。尤 其’信號光纖318及對齊光纖317,319的位置可藉由在^ 93756 13 ' 1309313 .铋BB片的上表面設置v_溝槽331,332,333來決定,而 •光電'、且件312的位置可在相同步驟藉由設置能放置該光電 •組件312的適當凹穴形狀來建立。 〜例如’對齊光纖317,319提供第二及第三光通道,使 知此通過專用的對齊通道(例如對齊光纖3丨7,319)達成允 -許尾端晶片31〇與光學組件(例如在積體光學晶片32〇之上 的個或多個波導)之間的對齊。如第2圖之配置的尾端晶 •片210’可藉由相似的製程來設置尾端晶片31〇,該尾端晶 片310在彼此相對設置之組件處具有相似的精確性。 、當積體光學晶片320對接耦合至尾端晶片31〇時,積 體光學晶片320包括經配置的信號回路波導322以允許信 '號光纖318與光電組件312之間的光學通訊,及包括經配 置的對齊回路波導323以允許第一對齊光纖3丨7與第二對 角光纖319之間的光學通訊。光電組件312、信號光纖3 i 8 及對齊光纖317,319定位於尾端晶片31〇之上,俾使在該 鲁尾端晶片310之單一耦合邊緣311之各處,該信號光纖318 與該光電組件312光學通訊且該等對齊光纖317,319可彼 此光學通訊’以允許該光電組件3丨2、信號光纖3丨8及對 $光纖317,319藉由對接耦合至光學組件而光耦合。 光電組件312、信號光纖318及對齊光纖317,319可 同時對接耦合至積體光學晶片320。就此而言,信號回路 竣導322可期望地包括設置於該積體光學晶片32〇之耦合 表面321的第一及第二端324,325。信號回路波導322之 第一端324可光耦合至信號光纖318,而第二端325可耦 14 93756 1309313 合至光電組件3 1 2。相似从,t 對背回路波導323可期坌岫 。設置於積體光學晶片320之轉合表自切❸第二 -知326,327。對齊回路波導323之第 至第一對斑氺縱知326可光搞合 子月先纖317,而第二端327可耦 纖训。因此,該第一及第二對齊光纖31弟-對-先 號光纖318與該光電組件312,可藉由將該藉=及刻吕 32〇之該輕合邊緣321放置在面對正對於二尸體^學晶片 之該耦合邊緣311的方式而被產生分別的光二:片俾3: 該波導與該尾端晶片320、31〇彼此對接輕合;^,俾使 光學:片同=2圖之配置,在對齊尾端晶片31。及積體 ^子:片320製程期間’不需對該光電組件312通電或杳 :十㈣該等對齊光纖317,3!9之間的光學 的對齊。例如,可將光源―邊緣 末柒之該等對齊光纖317,319之 光纖317,319。此外,a 及弟-對七 卜胃該專曰曰片310,320以最佳對齊而最 ► ^率時’可在其他該等對齊光纖317,319(沒有光源 置偵測器編。-旦決定該等晶片 μ Γ 位置’該等晶片31 〇,320便結合在一起而允 、'门在光、截318與光電組# 312之間以有限的損失通 ΓΡ。/此’藉由設置外部光源及外部偵測器,在對齊過程 』間不須對光電組件312通電或查詢。 …根據本發明之尾端配件之又一例示性配置,大體上指 ^ : 圖示於第4Α圖及第4Β圖的尾端配件係尤其適 口用在尾端作為表面發光(或接收)裝置450 (surface 93756 15 1309313 ‘ emitting(or receiving)device) ’例如垂直空腔表面發光 -㈣ica! cavity surface emitting laser,Vcsel)或光錄 -盗。尾端配件400包括尾端子配件,例如尾端晶片物, 其含有基板409、主動裝置(例如光電組件412&視需要的 透鏡414)、並包括光通道(例如光纖418)。視需要地,尾 端晶片410在有或無光電組件412的情況下可包括表面發 光裝置450。與其他視需要的組件結合(例如光學組件川 及其他的主動裝置)之該等主動裝置412,45〇之任一者或兩 者可視需要地密封嵌埋,以利於形成密封封裝413的一部 份,例如參照第i圖之以上所述。光纖418的位置可藉: 在基板409的上表面設置v_溝槽416來決定。此外,尾端 晶片4 i 0包括反射面㈣ect〇r face〇445,其可如所欲設置 在為(100)矽的{111}結晶學平面的尾端晶片。 表面發光裝置450可期望地設置在反射面445上方, 俾使該表面發光裝置450與該反射面445光學通訊,如第 • 4B圖所示4亥反射面445定位於尾端晶片41〇之耦合邊緣 411’俾使該表面發光裝置45〇在該尾端晶片4ι〇之該耦合 邊緣411之各處作光學通訊。因此,光電組件412、表面 發光裝置450及光纖418期望定位在尾端晶片41〇之上, 俾使该光電組件412、表面發光裝置45〇及光纖418能分 別地在基板409之單一邊緣(例如耦合邊緣411)之各處光 學通訊,以允許該光電組件412、表面發光裝置450及光 纖化藉由對接輕合至光學組件而光輕合。尾端晶片41〇 可藉由如上所述關於第〗圖之尾端晶片1〇的製程來設置。 93756 16 1309313 例如’可设置反射面445作為部份v_凹處447的表面。在 ^置V_溝槽416的相同步驟期間,可藉由(⑽)石夕晶圓的非 等向性#刻來製造具有反射面445之v_凹處447。就典型 應用而言’諸如那些包括單模g i至議奈米的通訊 裝置,彼此相對設置的該等級件(例如光纖418、表面發光 裝置450及光電裝£仰之準確性可在數微米或更小之 内。 當該積體光學晶片42〇對接轉合至尾端晶片41〇時, 積體光學晶片42G包括經配置的波導似以允許光纖418 與各個光電組件412與表面發光裝S 450之間的光學通 訊。就此而言,波導422包括回路波導433以允許信號光 纖川與光電組件412之間的光學通訊,及包括分接波導 434以允許光纖418與表面發光裝置彻之間的光學通訊。 例如,光電組件412、光纖418與表面發光裝置45〇 可同時對接轉合至積體光學晶片42〇。該光學波導似可 3地5括設f於該積體光學晶片420之耦合表面421的 第帛一及第三端423,424,425。可藉由將積體光學晶片 420之輕合邊緣421放置在面對正對於尾端晶月41〇之轉 〇邊緣411的方式而分別地將波導422之第一端223光風 ,合至光纖418、第二端424耦合至光電組件化及第^ :L42::合至表面發光裝置450 ’俾使該波導與尾端晶J 20、410彼此對接耦合。 為^證波導端423,424,425能適當地分別 心先電組件412及表面發光裝置45〇,在對齊尾端晶片 93756 17 1309313 410及積體光學晶片420過程期間,可以如上所述參考第工 圖之配置的相似方式對該光電組件412或該表面發光 450通電或查詢。 x 、置 本發明之這些及其他優點對熟習該項技藝者而言從妒 述說明書的詳述將變得明顯。例如,可設置多個光電組件 在單一尾端晶片上,連同在積體光學晶片之上的光波導結 構用以與各個光電組件光學通訊。因此,熟習該項技藝: 將了解到可在不違背本發明之廣泛創造概念下對前述之, 爆施例作改變及修飾。因此可了解到本發明並不限於在本二 中提出之特定實施例,而是意欲涵蓋落於附加申請專利範 圍中所提出之本發明之範疇及精神内所有的改變與修飾。 【圖式簡單說明】 當結合隨附圖式閱讀時,將可更加了解本發明之前述 概要及詳細敘述,其中: 第1圖根據本發明示意地顯示微光學裝置,該微光學 春裝置包括具有光電組件及光纖設置於其上的尾端晶片,及 包括對接耦合至該尾端晶片的積體光學晶片,以允許該光 電組件與該光纖之間的光學通訊; 第2圖根據本發明示意地顯示微光學裝置,該微光學 装置包括具有光電組件及第一和第二光纖設置於其上的尾 女而晶片’及包括對接耦合至該尾端晶片的積體光學晶片, 以允δ午该光電組件與該第一光纖之間的光學通訊及允許該 第一光纖與該第二光纖之間的光學通訊; 第3圖根據本發明示意地顯示微光學裝置,該微光學 18 93756 -1309313 2置包括具有光電組件及篦一、一 上的尾端晶片,及包括軸4二第三光纖設置於其 曰ϋ 、、 i 了操揭〇至该尾端晶片的積體并輋 二::允許該光電組件與該第二光纖之 允㈣第-光纖與該第三光纖之間的光學通訊;5及 弟4Α圖根據本發明示意地顯示微 :!:包=光電組件、光纖及反射面設置】其= ^曰曰片’及包括對接_合至該尾端晶片的積體光學晶片, 以允許該μ組件與該光纖之間的光學通減允許該 與該反射面之間的光學通訊;以及 第4Β圖不意地顯示第4Α圖之微光學裝置,在該反射 面上方設置有表面發光裝置以與該反射面光學通訊。 【主要元件符號說明】 9、209、309、409 基板 10 ' 210 ' 310 > 410 尾端晶片 11 ' 21、211、221、311、321、411、421 邊緣;耦合邊緣 籲12、212、312、412 光電組件;主動裝置 13、 213、313、413 密封封裝 14、 214、314、414 透鏡;光學組件 16、231、232、331、332、333、416 V-溝槽 18、418 光纖 積體光學晶片 波導;光學波導 第一端;波導端 第二端;波導端 20 、 220 、 320 、 420 22 、 222 、 422 23 、 223 、 423 24 > 224 > 424 19 93756 1309313 218、 318 信號光纖 219 對齊光纖 225 第三端 233、 433 回路波導 234、 434 分接波導 317 對齊光纖;第一對齊光纖 319 對齊光纖;第二 對齊光纖 322 信號回路波導 323 對齊回路波導 324、 326 第一端 325、 327 第二端 425 第三端、波導端 445 反射面 447 V"-凹處 450 表面發光裝置 100、 200 ' 300 、 400 尾端配件 20 93756
Claims (1)
1309313 十、申請專利範® ·· 'h 一種微光學裝置,包括: ' 第一晶片,其包括: 基板, 光電組件,位於該基板上,經定位以在該基板 邊緣的第一區域之各處作光學通訊;以及 光纖’位於該絲上,較㈣在該基板邊緣 的第二區域之各處作光學通訊;以及 1 光學組件,經定位以分別與在該第一及第二邊 緣區域之各處的該光電組件與該光纖作光學通訊, 其中該光學組件係配置為貼近第一晶片,且在該光 電組件與該光纖之間的光學路徑上。 2. 2請專利範圍第i項之微光學裝置,包括_合至該第 一晶片的第二晶片,其中該第二晶片包括該光學組件。 .如申請專利範圍第2項之微光學裝置’其中該第二晶片 為積體光學晶片,且該光學組件包括複數個波導。 如申明專利範圍第3項之微光學襞置,其中該積體光學 晶片包括主動裝置位於其上或形成於其中。 5.如申請專利範圍第1項之微光學裝置,其中該第一晶片 包括位於該基板上的第二光纖,該第二光纖係經定位以 於該基板邊緣的第三區域之各處作光學通訊。 6·如申請專利範圍第5項之微光學裝置,其中該光學組件 设置於該第一光纖與該第二光纖之間的光學路徑中。 7·如申請專利範圍第5項之微光學裝置,其中該光學組件 21 93756 *1309313 包括王刀接配置、回路配置或其組合的一個或多個波 " 導。 • δ·如^請專利範圍第5項之微光學裝置,其中該第一光纖 與該第二光纖係經配置以使得外部光源與偵測器能分 -別地連接至該第一光纖與該第二光纖而允許該第一晶 _ 片至該光予組件的對齊,而不需啟動(active)該光電組 件。 '、 9. 如申請專利範圍第1項之微光學裝置,其中該基板在表 鲁面邊緣包括經結晶姓刻(crystallographically-etched)的 反射面’且該光電阻件設置在該反射面上方以允許該反 射面與該光電組件之間的光學通訊。 10. 如申請專利範圍第1項之微光學裝置,其中該光電組件 為密封嵌埋的。 22 93756
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