TWI307728B - Method and system for injecting chemistry into a supercritical fluid - Google Patents

Description

1307728 九、發明說明： 直刹:本申請案係關於申請於2004年9月30日之美國 i ：「EV53_37us」，「撕職7薦 及咖36〇5275輕」。特包含於此以作為參考。 」 【發明所屬之技術領域】 備，境之方法及設 ί製i添混理系統期間暴露至基板之高壓流體 【先前技術】 性處直gj:導，裝=鍵 基板表面雜祕加至基絲蚊料自 ^ ^理献用具有氧賴之乾式賴灰化來移除殘留物朵 ug::侧後殘留物、及侧特徵部後之灰化後殘留物，例 则日近才魏，乾式賴灰化及料清理足以移轉半導體處 理期間所累積之殘留物及污染物。然而，最 =钱刻特徵部之臨界尺寸(線寬，CD)縮小至澄之= 尺寸以下，如小於45至65奈米之特徵尺寸，亦包特破 如在電漿灰化#福受到損害之低介電常數(1_姻料術仅引進’ =，目前已舰㈣赋賴灰似M 趣’其中-興趣包括發展以超臨界流體作為制 代曰万案之興 他殘留物移除成份）之載體之乾或其 清J為此類系統之範例。其他興趣則包括其他利二 之處理及應用’特別是利用具有65奈米、或45 爲性 1307728 和應用。a前本案發明人已了解知 物通入超臨界流體無法提供充分控制，=二二，糸統對於將製程添加 勻處理環境。因此，基板係暴露於势 曰ϋ板處理期間造成非均 不時會引起過度清潔及潛在損宝，2^ ^辰度之變化中，此情形 、σ以及其他時候之清理不良。 【發明内容】 本發明之-目的係減少或_ 本發明之另-目的係提供-種在高^理題。 境之方法及設備。 理糸統中提供均句處理環 添加物之混合方法及$=提么、種在南麗處理系統中高壓流體及製程 理室==其;處=統包含:一處 -處理化學品供給系統，具有基板； 統’其中該注射系統通人化學品係持續至之注射系 環迴路的猶環時間相等之注射時上知壓流體通過循 2另―實施態樣，-種在高壓處理系統巾 流體;使該高壓流該 高壓處間實質上與高壓流體猶環通過該 板處ΐϊ態樣，—ΐ將極少量粒子通人高屋處理系統中之基 處理室/，、’，t3 .f具有實質上超臨界流體性質之高壓流體通入至 有海所，並藉由使该流體流過基板上方以處理該基板；接著更將呈 且均句之添加處理化學品之該流體通入至該處理室中，以及^ 邊添加處理化學品之該通入流體流經該基板上方。 丈 1307728 【實施方式】 全於下列 實述。然而應了解：本發明可藉其他 明中；仍般概念之發明本質，然說 ’其巾在所有數_示巾 其相同或相對應之部份。圖i 考數子代表與 -100。於所例示之實_^ 貫施例之高壓處理系統 >.理元件包含^室=再f錢包含諸處理元件，該處 高屢流體供給系統14G及控制:5G，=、 額外控制或ί，控制器150可另外連接至-或多個 組態資訊。。％ 61未』不，並自額外控制器/電腦獲得設定及/或 非太=ϊ示出單獨處理蝴11G、12G、13Q、14G及15G)，但其並 元高壓處理系統1“^ 丨控制器。午而5亥處凡件可具有任何數目之與其相關聯之 控铺150可肋配置任何數目之處理元件⑽、⑽、13〇及 之次粗且^^ 150可收集、提供、處理、儲存及顯示來自處理元件 4、貝t制!Ϊ150可包含一些用以控制一或多個處理元件之應用程 if]盗-150可包含可提供易於使用之介面的圖形使用者介面 L - If牛(未圖示），該介面使使用者能夠監測及/或控制一或多個處 理7L件。 -仍„目1 ’再循環系、統120可包含一或多個閥件，用以調節流 經再循裱系統120及處理室11〇之高壓處理溶液之流量。該再循環系 統120可包^任何數目之回流閥、過濾器、泵浦及/或加熱器（未圖 不）’以維持高壓處理溶液並使高壓處理溶液流經再循環系統12〇及處 1307728 理室110。 兮古1 ’該高壓處理系統100可包含高壓流體供給系統140。 體供給系統140可連接至再循環系统120，但此並非必須。 接古例中’高壓流體供給系統14。可有*同之配置及不同之連 ϊίΐΐΐΐ該高碰體供給系統14G可連接至處理t 。該高壓 ΐϊ丈it4!可包含超臨界流體供給系統，此處所稱之超臨界流 之臨“二^之流體’其中該超臨界狀態為當流體維持在相圖上 依性。溫度^上時所存在的狀態，其中壓力通常為溫度相 在-超臨界狀態下，流體具有某些特性，其巾之—為實質上 因此，如此處所指之超臨界流體供給系統為··在處理 t控狀£力及溫度下，將呈現超臨界狀態之流體運送至處理室之 ί ί：ΐί 5 ，^«#4^ 在夠久之實質上超臨界狀態下，以於所施行之處理中 2 碳在溫度為31 °c下被維持於壓力高於 I H-超臨界流體’此時壓力變化與溫度成反比。例 ，猎由在60與1〇〇 〇C間之溫度及2〇〇〇至6〇〇〇诉丨之壓力下 理室，可將處理室中之流體維持於此狀態。 ” 南壓流體供給祕140可包含-超轉流體供給系統，1可 氧化碳供給H高壓流體供給祕⑽可用於通人實質上^厚I 接近於該越之臨界壓力之紐越。糾，該高黯體供給系統14力〇 可用以通人-超臨界流體，如在超臨界狀態下之二氧化竣。於本 之廣大實施例中，其他可用之超臨界流體物f包括但不限於··二^化 碳(如上所述）、氧、氬、氪、氙、氨、甲烷、甲醇、丙鲷、氫及六氟 化硫。南麼流體供給系統可包含例如三氧化碳源(未 以產生超臨減叙流餘制元件(未_)。二氧化碳^可 C〇2進料巧’而流量控制元件可包含供给線、閥件、過濾器 及加熱H。減缝供給祕140可包含進朗(未圖示），用來

及關閉以容許或防止超臨界二氧化碳流流進處理室11G 150可用來決定流體參數，如壓力、溫度、處理時間及流量。卫J 口口 仍參照圖1，處理化學品供給系統130連接於再循環系統12〇，但 1307728 辨品_統⑽可 理系統100中之不同;杜：化予P口供給系統130可連接至高壓處 而引進由高麵體供給品係f由處理化學品供給系統_ 性、所使用之化輿口 Θ _、' 、入之/爪體中，其比例隨著基板特. 1至5。/(體處 =巾所施行之製程献變，比例通常約為 腔室‘ 其中在大部份情況下，對體積約為1公升之 但此比例可i高或更t官祕而言，添加物總計約ig至5〇毫升， ㈣ίϊ化ί品供給系統13G可用以通入下列（但不限於）—或多個 i㈣以^除巧染物、殘留物、硬化殘留物、光阻、硬化光阻、 德化後殘留物、化學機械研磨(CMP)後殘留物、研磨 、iift植入後殘留物、或其任意組合之清理成分；用以移 ，；用以乾燥薄膜、多孔薄膜、多孔低介電常數材料、 ίί全Γίί ίί/:或其任意組合之乾燥齡；㈣製備介電 ^膜金屬_、或其任意組合之卿成成分；或其任意組合。另外， 處理化學品供給祕130可用以通人溶劑、共溶劑、界面活性劑、膜 形成前驅物、或還原劑、或其任何組合。 、 纛 處理化學品供給线130可肖以通人Nm略細(N_Methyl Pyrrolidone，NMP)、二甘醇胺(digiycol amine)、經胺作ydr〇xyl amine)、 二異丙胺(di-isopropyl amine)、三異丙醇胺(tri_is〇prpyl amine)、三烷基 胺(tertiary amines)、苯鄰二酚(catech〇i)、氟化銨(amm〇nium flu〇ride) ' 氟化氫銨(ammoniumbifluoride)、甲基乙醯乙酸胺 (methylacetoacetamide )、臭氧(〇z〇ne)、2-丙二醇-1 -乙謎乙酸 @旨 (propylene glycol.monoethyl ether acetate)、乙基丙酉同(acetylacetone)、雙 鹼性酯(dibasic esters)、乳酸乙酯(ethyl lactate)、三氟甲烷(CHF3)、三氟 化硼(BF3)、HF、其他含氟化學物、或其任何混合物。其他化學物如有 機溶劑可單獨或結合上述化學物質使用，以移除有機物質。有機溶劑 可包含例如醇類(alcohol)、醚類(ether)及/或乙二醇類(glyC〇l)，諸如丙 酮(acetone)、雙丙酮醇(diacetone alcohol)、二曱基亞碉^dimethyl sulfoxide，DMSO)、乙二醇(ethylene glycol)、曱醇(methanol)、乙醇 1307728 (ethanol)、丙醇(pr〇pan〇i)或異丙醇，ιρΑ)。如需更詳盡資 •料’請參考：1998年5月27曰提出申請之美國專利號6,306,564m， 其發明名稱為「REMOVAL OF RESIST OR RESIDUE FROM SEMICONDUCTOR USING SUPERCRITICAL CARBON DIOXIDE」’以及1999年9月3日提出申請之美國專利號 6,509，141B2 ’ 其發明名稱為「REMOVAL OF PHOTORESIST AND PHOTORESIST RESIDUE FROM SEMICONDUCTORS USING SUPERCRITICAL CARBON DIOXIDE PROCESS」。該兩者特包含於此 作為參考。 ._另外，處理化學品供給系統130可包含一清理化學品組件(未圖 .示）’用以提供清理化學品，以於處理室内產生超臨界清理溶液。該清 理化學品可包含過氧化物及氟化物源，例如過氧化物可包含：過氧化 氫(hydrogenperoxide)、過氧化苯曱醯(benzoyiperoxide)、或任何其他 適合之過氧化物(peroxide)，而氟化物(fluoride)源包含：氟化物鹽類 (fluoride salts)(諸如敦化銨鹽 ammoni· f[u〇r;jde salts)、版化氫 (hydrogen fluoride)、氟化物加成物(f[uoride adducts)(例如有機氟化錄加 成物organo-ammonium fluoride adducts)及其組合。對於氟化物源及利 用氟化物源之超臨界處理溶液之產生方法，更詳盡資料述於：2003年 5月20曰提出申請之美國專利申請案編號ι〇/442,557，其發明名稱為

·「TETRA_(m(}AMC AMMONIUM FLUORIDE AND HF IN SUPERCRITICAL FLUID FOR PHOTORESIST AND RESIDUE

-REMOVAL」；及2002年12月16日提出申請之美國專利申請案編號 10/321,341 ’ 其發明名稱為「FLU0RIDEINSUpERCRITICA]LFUJID FOR PHOTORESIST POLYMER AND RESIDUE REMOVAL」。該兩者 -特包含於此作為參考。 . 此外，處理化學品供給系統130可用以通入螯合劑、錯合劑、其 他氧化劑、有機及無機酸，而該等化學品可利用一或多種載體溶劑^ 將其通入超臨界流體溶液中，例如N，N-二甲基乙醯胺 (N，N-dimethylacetamide，DMAc)、γ-丁酸内 g旨(gamma-butyrolactcme， BLO)、二甲基亞砜(dimethyl sulfoxide，DMSO)、碳酸乙烯酯(ethyiene 1307728 carbonate，EC) ' N-甲基π比洛炫酉同(N_methylpyrrolidone，NMP)、 dimethylpiperidone、石炭酸丙二 g旨(propylene carbonate)及醇類 .(alcohols)(如曱醇、乙醇及異丙醇）。 並且，處理化學品供給系統130可包令—沖洗化學品組件(未圖 示）’用以提供沖洗化學品，以便在處理室内產生超臨界沖洗溶液。該 沖洗化學品可包含一或多種有機溶劑’包含但不限於醇類(alc〇h〇ls)及 酮類(ketone)。在一實施例中，沖洗化學品可包含環丁颯(sulf〇lane，亦 稱為 thiocyclopentane-1,1-dioxide、（環）四曱基石風((Cyclo)tetramethylene sulphone)及2,3,4,5_四氫噻吩-1,1-二氧化物 .(2,3,4,5-tetrahydrothiophene-l，l-dioxide)，其可購自數個供應商，例如

響 Degussa Stanlow Limited、Lake Court、Hursley Winchester S021 2LD UK 〇 此外’處理化學品供給系統13〇可用以通入低介電常數薄膜(多孔 或無孔)硬化、清理、修補、密封或做任何組合用之處理化學品。該化 學品可包含六曱基乙石夕銨(hexamethyldisilazane，HMDS)、三曱基氯石夕 烷(chlorotrimethylsilane，TMCS)或三氣曱基石夕燒 (trichloromethylsilane ’ TCMS)。更詳盡資料請參考：2〇〇3 年 10 月 1〇 曰提出申請之美國專利申請案編號10/682,196，其發明名稱為

「METHOD AND SYSTEM FOR TREATING A DIELECTRIC • FILM」；及2003年3月4日提出申請之美國專利申請案編號 10/379,984，其發明名稱為「method 〇FpASSIVATINGU)w -DIELECTRIC MATERIALS IN WAFER PROCESSING」。該兩者特包含 於此作為參考。 一處理室110可藉著將基板105暴露於來自高壓流體供應系統14〇 •之咼壓流體' 或來自處理化學品供給系統130之處理化學品、或其在 一處理空間112中之組合，以處理基板105。另外，處理室11〇可包 含一上部腔室組件114及一下部腔室組件115。例如，該高壓處理系 統可包含一類似於2001年7月24日提出申請、發明名稱為「H!GH PRESSURE PROCESSING CHAMBER FOR SEMICONDUCTOR SUBSTRATES」之專利申請巾之美國專射請案編號⑽犯，844(美國 11 1307728 .===Γ7ΰ7Α1)中所峨之_。㈣内容特包 理室11Q f接受處理時，可將高壓流體通人至處理官 中並藉由再循ί衣糸統120而循環經過處理室n〇。處 ，系統m植合包含高壓流驗經之概迴路125 其流量，需要一處理室110及再循環系统12() ;體根據 續時間，來施行流經循_路1252=如之5又&十所特有之循環持 當减越彳練祕理冑時，處理化學品储由用⑽射處理 ,品之注射糸統13^而在一段持續時間内通入來自處理化學矜 •系，130,流動：高壓流體’該持續時間實質上等於循環持續時’間、： 等於循環持續時間的整數倍。在一實施例中，注射系統135 =^ 1 ㈣’如 Eldex Laboratories，lne.所販 t 之麵_4 型號 量泵浦(在5_Psi下之流量為M〇〇ml/min 間油封)’或呵一—= =參照® 1 一’該上部腔室組件114可包含一用以加熱處理室⑽ ^加=未圖示）、基板105，或處理流體，或其兩者或兩者以上之级

i卢力^器杜此1卜，該上部腔室組件可包含使處理流體流 匕處理至110之"IL動兀件。在一例+，可建立一環形流型⑽W patter^)，一而在另-例中，可建立一實質上線性流型。另外，使流體流 動之抓動元件可有不同之配置而作用出不同之流型。 室 =115可包含：平臺116 ’用以支撐基板105;以及驅 j機，m，用來调動平臺U6以載入並卸載基板1〇s、及密封下部腔 室組^ 115與上部腔室組件114。平4 116亦可在處理基板之前、期 間及/或之後加熱或冷卻基板1〇5。另外，下部腔室組件出可包含 -升降銷組件，以於基板載人及卸載期間將基板1Q5自平臺ιΐ6之上 表面移開。 (未圖示)而經由一狹缝(未圖示)來將基板移入 及=處理^llG。在-例中，該狹缝可藉由移動平臺而開啟及關閉， 而在另一例中，可使用一閘閥來控制該狹缝。 12 1307728 取該基板可包含半導體材料、金屬材料、介電材料'陶 來δ物材料，或其兩種或更多之組合。半導體材料可 ’或 金屬材料可包含Cu、A1、Ni、pb、Ti】=; j可氧化矽、二氧化矽、石英、氧化鋁、藍寶石、低介 料、鐵氟龍及聚醯亞胺。陶瓷材料可包含氧化鋁、碳化矽等 統可ί含Γίί控制系統(未圖示）。該壓力控制系 連接至處理至η〇 ’但此並非必須。在另一實施例中， 糸統可有不同配置及不同連接。㈣控制系統可包含_ j .(未圖示），以排空處理室no及(或)調節處理室11〇内之壓 ^閥 • f力Ϊ制系統亦可包含一或多個泵浦(未圖示）。例如，一泵浦^用以 ，1加^里室中之壓力，而另一泵浦可用以排空處理室ιι〇 ^ 施例中’壓力控制系統可包含用以密封處理室之密驗 ^ 控制系統可包含-用以升高及降低基板及/或平臺之升降機。i力 ^再ΐ，該高壓處理系統100可包含一排氣控制系、统。該排氣㈣ 糸統可連接至處理室110，但此並非必要。在另外之實施例中 雜•，魏控制系 現巧照，2，其係顯示根據另一實施例之高壓處理系統· 所不之貫施例中’高壓處理系統2〇〇包含：處理室21()、再循 、 220、處理化學品供給系、统230、高壓流體供給系统及控 ^0 , 皆用以處理基板205。該控制器250可連接於處理冑21〇 & 220、處理化學品供給系統23G、高壓流體供給系統。或者，3 電腦(未圖示)，並自該額_ =2所=’再循環系統220可包含一再循環流體加熱器拉、 栗浦224及過慮器226。另外’處理化學品供給系統23〇可包含 多個化學品通入系統，而每-通入系統具有化學品源说、说、说 及注射系統233、235、237。該注射系統233、235、237可包 浦及-注侧。此外，高壓流體供給系統_可包含—超臨界流體源 13 1307728 =2、一泵抽系統244及一超臨界流體加熱器246。 — 射閥或排賴可和紐流體供給祕—起烟。 或^個注 當基板在處理室210中接受處理時，可將高麗流體 :’並藉由再循環系統22〇循環經過處理。 f ^ =統220之組合包含—高麵體流經 g 量，需要-處理室21。及再循環系統之設計所 持π 0$間，來施行流經循環迴路225之一週期。 . 衣 237 流f循環經過處理室210時，藉由注射系統2幻、235或 Γ，自/理化學品供給系統230通入流動中的高屢流 目等主射系統注射處理化學品之持續時間實質上和循環持續 脈衝射系統233、235、237包含-脈衝注射閥。該 門U閥y^3電磁閥’如螺線管閥或壓電閥。例如，該脈衝注射 料嗔射器閥或脈衝壓電闕(例如塵電致動微機械式 、列 > 考可購自R〇bert Bosch Corporation之注射閥戋

Cr〇sS&Valentini(1982) > Bates&Burell(l984m Gentry&GieseC^TS) > ^ 波ϋίΐΤίί參考/脈衝注射頭可提供短於1毫秒且重覆率(或脈 =此之脈波持_間。吾人可修改脈波頻•、脈波任務 f=_Se duty cycle)或兩者’以提供高屢流體及處理化學品間之最佳 >tb 合 〇 牛例來說，圖3覲不了使用脈衝注射閥之配置。如圖示，注射系 、35包3 了士接於咼壓供給储槽345且用以將處理化學品通入循塌 ，路325中之咼壓流體之脈衝注射閥34〇。控制器35〇可用以改變脈 波頻率或脈波任務循環或兩者。 、、，外舉例來说’圖4顯示了使用脈衝注射閥之另一配置。如圖示， f射系統435包含了連接於供給儲槽446且用以將處理化學品通入循 路425中之祕流體之脈衝注射閥44()，該供給儲槽446可經由 I壓氣動壓力室445内之氣室449並啟動活塞447之運動來供應能量 壓）。當脈，注射閥440啟動且處理化學品移離供給儲槽446時， 氧室449會持縯地被加壓以維持一固定壓力，並造成活塞447移動進 14 1307728 所有處理化學品耗盡為止。或者，可將氣室449 :二认系績Pmi *退出供給儲槽446 ’並在閥件442向處理化學 用以改變脈波頻率或脈波任務循環或兩者。切^彻了 、、主射二圖5顯示了使用注射系統之另-配置。如圖示， ^接至供給儲槽546且用以將處理化學品通入循環 ㈣體之注射閥540，該供給儲槽μ可經由加：： if t 517 氣宮54Q合垃^汗啟且處理化學口口持績地自供給儲槽546移除時， 壓以維持—固定壓力’並造成活塞547移動進 ^^處理化學品流人高壓趙提供充分阻力，藉此，耗雜 ίί m ί者，可將氣室549減壓，因而使活塞⑷退出^ 奋、戈二4、, +並在閥542向處理化學品供給系統開啟時，使儲枰546 環理化學品。控制器550可用以改變脈波頻率或脈波i務循 為決定脈衝注射閥參數(見圖3及圖4)或圖5所示孔口之 判用路中之高壓流體與處理化學品之混合情形。例如， 即可忒5以充變化(因為例域度變異)少於-預定值時， 方法L敘述—種在高壓處理系統中之基板處理方法。該 = ===圖600 ’開始於610將高壓流體供給至高壓處理系 於=Γ向壓流體係利用再循環系統而循環經過高壓處理系饼。 〜處理化高壓流體在高壓處理系統中循環時，將如前所述之 揭環遇期之循』二：3於▲體流祕處理系統以完成- 如一例，本案發明人已觀察到：藉由將處理化學品注射入有助於 .15 1307728 清理基板之而壓流體流中，持、續_ JR. LA*.. 規模，^提升清理效能並減少基板上染循環持續時間之時 間 品通入高壓流體流之習知方法。科η圖7顯示處理化學 環時間為短，故觀細度之第；_7⑽，===上較德 為止。對於在高壓流體中具有高溶解速率之處理化㈡至」， 之粒子數目少且織能差；然而對於在高壓流體; 之處理化學品而言，基板上之粒子數目多 /可=和< 其清理效能尚可接受。 、，〜幻使基扳飽和， —另外，如圖7所示，當注射週期實質上等於循環 貫施例，即觀察到密度之第二_ 71〇，其中密度由沒有處理化學$ 的狀況下補地增加至-穩態值。對於具有高溶解速率之處理化學口 子數(< )另外，對於具有低鱗速率之處理化學品而言，注 ，可實=上等於循環_之整數倍’因此在基板上觀察雜子數目極 、且可達成良好之清理效能。例如，在28〇〇 Psi、8〇。〇下，使用5 升甲醇及過氧化氫(比例U : υ之計量注射及4〇毫升曱醇及過氧化氫 (比例12 : 1)之計量注射，已發現每一基板少於1〇顆粒子，且已發現 在大部份情況下，每一基板少於丨顆粒子。 χ —雖然本發明只有數個示範性實施例詳細描述於上，但熟知此項技 勢者ί容i地明瞭：在實質上不背離本發明之新穎教示及優點下，可 對示範性實施例作各種修改，因此，所有此類修改均應包含於本發明 之範疇内。 又 【圖式簡單說明】 圖1係根據本發明一實施例之高壓處理系統之簡化概圖。 圖2係根據本發明另一實施例之高壓處理系統之簡化概圖。 圖3係根據本發明一實施例之注射系統之簡化概圖。 圖4係根據本發明另一實施例之注射系統之簡化概圖。 圖5係根據本發明另一實施例之注射系統之簡化概圖。 圖6係根據本發明一實施例之在高壓處理系統中之基板處理方法 16 1307728 的簡化概圖。 圖7顯示將處理化學品注入高壓流體流之方法。 【主要元件符號說明】 100 :高壓處理系統 105 :基板 110 :處理室 112 ··處理空間 114 :上部腔室組件 115 :下部腔室組件 _ 116:平臺 118 :驅動機構 120:再循環系統 125 ··循環迴路 130 :處理化學品供給系統 135 :注射系統 140 :高壓流體供給系統 150 :控制器 2⑻：高壓處理系統 φ 205 :基板 210 :處理室 - 220:再循環系統 222 :加熱器 224 :泵浦 . 225 :循環迴路 226 :過濾器 ' 230 :處理化學品供給系統 232 :化學源 233 ··注射系統 234 :化學源 17 1307728 235 :注射系統 236 :化學源 237 :注射系統 240 :高壓流體供給系統 242 ··超臨界流體源 244 :泵抽系統 246 :超臨界流體加熱器 250 :控制器 325 :循環迴路 335 :注射系統 340 :脈衝注射閥 345 :高壓供給儲槽 350 :控制器 425 :循環迴路 435 :注射系統 440 :脈衝注射閥 442 :閥件 445 :氣動壓力室 446 :供給儲槽 447 :活塞 449 :氣室 450 :控制器 525 :循環迴路 535 :注射系統 540 :注射閥 541 :孔口 542 :閥 545 :壓力室 546 :供給儲槽 547 :活塞 1307728 549 :氣室 550 :控制器 600 :流程圖 610 :供給高壓流體 620 :循環高壓流體 630 :通入處理化學品至高壓流體中 700 :密度之第一圖形 710 :密度之第二圖形

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Claims (1)

1307728 第94134224號專利申請案中文申請專利範圍修正本(無劃線） 97年8月5日修訂 十、申請專利範圍： '丨·一種在高壓處理系統中之基板處理方法，其包含： 供應一高壓流體，以用於該高壓處理系統中； 使該咼壓流體循環經過該高壓處理系統；及 當§玄咼壓流體正循環時，將一處理化學品通入至該高壓流體，直 中，該處理化學品通入之注射時間實質上與該高壓流體循環流過該& 壓處理系統一週期之持續時間相等。 ,2.如申請^利範圍第i項之在高壓處理系統中之基板處理方法，其中 該供應该咼壓流體包含供給一超臨界流體。 3.如申請專利範圍第2項之在高壓處理系統中之基板處理方法，其中 該供應該超Ss界流體包含供給超臨界二氧化礙（C〇2)。 4二種基板處理方法，該方法在高壓處理系統中通入極少量粒子，其 ιΐίΐ實質上超臨界流體特性之一高壓流體通入-處理室中，並 猎由使戎鬲壓流體流過該基板上方以處理該基板丨接著 理室將中具之添力f理化學品之該高壓流體更通入該處 舞基板I方；ί有 處理化學品之該更通入高壓流體流經該 ‘ 齡_處理化學品私該絲流體巾，而提供 2加處理化學品之該高壓流體’同時使一循環適路’中=古Μ體 楯％流過該基板上方達一段實質上等於該高壓 、ς : 、2環時間或其整數倍之持續時間，其中該循環迴 體循環經過該處理室。 係用以使该冋壓 5.如申請專利範圍第4項之基板處理方法，其中 — 句之添加處理化學品的該高壓流體係以下列方式有該貫=上均 孥品_壓_中’同__體以—時間安排方:過^ 20 1307728 理室，而該時間安排方式足以將在處理期間添加至該基板之粒子數減 少。 Η*一、圖式：

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