1303750 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明大體而言係關於微影投影裝置，且更具體言之， 本發明係關於具有流體清潔系統之微影投影裝置。 【先前技術】 如本文所用之術語”圖案化元件”或”圖案化結構，，應廣泛 理解為係指可用卩賦予入射光束一圖案化橫截面之元件或 結構，該圖案化橫截面對應於待在基板之目標部分中建立 的圖案之。術語，，光閥”亦可用於本文中。一般而言，該圖 案將對應於正被建立於目標部分中之元件中的特定功能 層，該元件諸如積體電路或其它元件（見下文）。此等圖案 化元件之實例包括： 一光罩。光罩之概念在微影技術中已為人所熟知，且 其包括諸如二進位型、交互相移型及衰減相移型之光罩 類型’以及各種混合光罩類㉟。根據光罩上之圖案，將 此種光罩置放於輻射光束中會導致選擇性地透射（在透 射光罩m)或反射（在反射光罩之情況下）撞擊在該 光罩上之‘射。在光罩之情況下，支擇結構—般將為光 罩台’其確保光罩可被固持在人射之輻射光束中的所要 位置處’且光罩可相對於光束移動（若需要）。 可釭式化鏡面陣列。此種元件之實例為具有一黏彈 性控制層及-反射表面之矩陣可定址表面。此種裝置隱 含之基本原理為(例如)反射表面之定址區域將入射光反 射成繞射光，而非定址區域將入射光反射成非繞射光。 98754.doc 1303750 可使用適當的濾光器來將非繞射光自反射光束中淚出， 僅留下繞射光。以此方式，光束變得根據矩陣可定址表 面之定址圖案被圖案化。可程式化鏡面陣列之一替代實 施例採用微小鏡面之矩陣排列，可藉由施加適當之區域 化電場或藉由採用壓電致動元件來使該等鏡面中之每一 者個別地關於軸線傾斜。該等鏡面亦為矩陣可定址的， 以使經定址之鏡面將在不同方向上將入射輻射光束反射 至未經定址之鏡面；以此方式，經反射之光束根據矩陣 可定址鏡面之定址圖案被圖案化。可使用適當電子構件 來執行所要求之矩陣定址。在以上所述之兩種狀況中， 圖案化元件可包含一或多個可程式化鏡面陣列。可自 (例如）美國專利 US 5,296,891 及 US 5,523，193號，及 pCT 專利申請案WO 98/38597及W0 98/33〇96收集到更多關 於本文所涉及之鏡面陣列的資訊’該等專利及專利申請 案係以引用方式併入本文中。在可程式化鏡面陣列之情 況下D亥支擇結構可具體化為（例如）框架或台，其可按 要求而為固定的或可移動的；及 可私式化LCD陣列。在以引用方式併入本文中之美 國專利US 5,229,872中給出了此種構造之一實例。如上 I述，支撐結構在此情況下可具體化為（例如）框架或 台’其可按要求而為固定的或可移動的。 為簡月之目的，本文之餘下篇幅將於某些位置處特定地 針對V及光罩及光罩台之實例。然而，此等情況下所論述 之一般原理應在在如上文所闡述之圖案化元件的更廣泛情 98754.doc 1303750 形下來理解。 微影投影裝置可用於（例如）積體電路（IC)之製造中。在 此情況下，圖案化元件可產生對應於Ic之個別層的電路圖 案，且此圖案可成影像於已塗佈有一層輻射敏感材料（抗 蝕劑）之基板（矽晶圓）上的目標部分（例如，包含一或多個 晶粒）上。單-晶圓—般將含有鄰接之目標部分的整個網 路-亥等Μ示部分係經由投影系統一次一個地接連地加以 …射在田岫裝置中，採用由光罩臺上之光罩進行圖案 化，：區分兩種不同類型的機器。在一類微影投影裝置 —藉由人將整個光罩圖案曝光至目標部分上來照射 每#目‘ α卩刀，此種裝置通常被稱為晶圓步進器或步進重 複凌置在一替代裝置（通常稱為步進掃描裝置）中，藉由 在、口疋翏考方向掃描”方向）上_進地掃描投影光束之下 =光罩圖案而同步地掃描平行於或反平行於此方向之基板 台來照射每_目標部分；因為投影系統_般將具有一放大 △子M(敛<:1) ’所以掃描基板台之速度v將為掃描光罩 速度的因子Μ倍。舉例而言，可自以引用的方式併入 本文中的US Μ46,792中收集到更多關於本文所描述之微 影凡件的資訊。 在使用微影投影裝置之製造製程中，圖案（如光罩中之 :卞)系成衫像於至少部分地由一層輕射敏感材料（抗蝕劑） 浐1之基板上。在此成影像步驟之前，基板可經受各種 諸如上底漆、抗蝕劑塗佈及軟烘焙。曝光之後，基 "、工又其匕私序，諸如後曝光烘焙（pEB)、顯影、硬烘 98754.doc 1303750 培及對所成像之特徵的量測/檢測。此陣列之程序係用作 圖案化元件（如ic)之個別層的基礎。此圖案化層接著可經 受各種製程，諸如蝕刻、離子植入（摻雜）、金屬化、氧 化、化學機械研磨等，所有該等製程意在完成一個別層。 若需要若干層，則將必須對每一新層重複整個程序，或其 變體。最終，一元件陣列將出現於基板（晶圓）上。接著， 此等元件藉由諸如分割或鋸割之技術而彼此分離，藉此該 等個別元件可安裝於一連接至插腳等之載體上。可自（例 如）Peter van Zant 所著的書”Microchip Fabrication: a Practical Guide to Semiconductor Processing”，第二版， McGraw Hill Publishing Co·，1997, ISBN 0 07 067250 4 中 獲得關於此等製程之進一步資訊，該書以引用方式併入本 文中。 為簡明起見，在下文中可將投影系統稱為，，透鏡 然 而，應將此術語廣泛地理解為涵蓋各類種型之投影系統， 舉例而言，包括折射光學系統、反射光學系統及反射折射 混合系統。輻射系統亦可包括根據此等設計類型中之任一 者而作業以供引導、成形或控制輻射之投影光束的組件， 且在下文中亦可將此等組件共同或單獨地稱為"透鏡"。另 外，微影裝置可為一具有兩個或兩個以上基板台（及/或兩 個或兩個以上光罩台）之類型。在此等，，多平臺,，元件中\可 平行地使用額外台，或可在〜❹個臺上進行預備步驟2 時將一或多個其它台用於曝光。舉例而言，在us 5,969,441及WO 98/40791中描述了雙平臺微影裝置， 98754.doc 1303750 均以引用方式併入本文中。 吾人已發現，所用之G線、〗線及深uv微型微影透鏡 (microlithography lenses)會遭受總透射損耗及晶圓照明均 勻性方面之降級。 在經淨化之系統（即，用淨化氣體加以淨化之系統）中， 此降級主要是由投影系統中之第一及最後光學部件（即， 投影系統中遭遇投影光束之第一光學部件及遭遇投影光束 之最後光學部件）之表面上發生污染所引起。然而應理 解，在未經淨化之系統中，晶體成長可能在投影系統之除 第一及最後光學部件的表面之外的其它表面上。此種污染 包含成長於透鏡表面上之樹突狀鹽結構。吾人已發現，在 -段時間（通常為幾年）内經受強烈輻射之透鏡會變得被鹽 結構所污染。此問題不限於所用輻射之特定類型，而是已 被發現與365細、248細、193細、15711111以及遠紫外線 (EUV)微#之輪射-起出現。應提及，euv微影裝置通常 未經淨化之系統。透鏡表面污染之起⑽來是以非常低之 濃度（即，百萬分之一（ppm)至十億分之一（ppb))存在於淨 化工1中之難;^化合物’諸如⑪院，其係用作微影裝置中 之媒體以使裝置内之條件穩定’且甚至已被發現於用於特 殊淨化目的之經淨化的氮氣巾。吾人認為，輻射誘發之石夕 烧、硫酸鹽或石粦酸的yfP與主 孤的化學表面反應與諸如氮氣、水及氨 之其它氣體的存在相結合，是基本降級機制。吾人相信， 凝核以及污染晶體之成長發生於具有〇波長、工波長、深 UV及謂波長之幸畐射的曝光期間。吾人相信，此等波長 98754.doc -10- 13〇375〇 至幻丨起特定光㈣反應發生。 到’ 6藉由機械或用由特定化學物f加以賴的不 刮傷布的化學、、主、、知& # λ 法導… 此問題。然而已發現，此習知方 法ν致鹽成長核散佈 ,,^ Α ,ή ^ 刀忡於正個透鏡表面之上。隨後在 二、：、使用透鏡導致整個"經清潔"之透鏡表面之上的 ::二：成長。此效應顯著降低光學產出帛、光學成像品 貝-後的清潔之間的時間。在許多清潔循環之後，吾人 =絲表面污染變得更加困難。污染的發生最終可要求 不泳投影系統與新系統之非常昂貴的完全互換。 7 Ρ工氣移除污染物之問題在US_A_5,696,623中得以 处里八揭不了一種空氣淨化系統，該系統包括用於清潔 製造半導體之元件中的冷卻氣體之方法。該方法包括將冷 部工乳曝光於紫外輕射。此特定先前技術之一問題在於必 須冷卻空氣。吾人已發現，在空氣穿過透鏡系統之前將其 曝光於紫外線並不能消除鹽晶體成長。 【發明内容】 本I明之一怨樣係處理習知流體清潔系統所遇到的問 題0 此態樣及其它態樣係根據本發明之實施例在微影裝置中 達成，該微影裝置包含：一用於提供輻射投影光束之轄射 系統，一用於支撐圖案化元件之支撐結構，該圖案化元件 用以根據所要圖案來圖案化該投影光束；一用於固持一基 板之基板台；及一用於將經圖案化之光束投影於基板之目 標部分上的投影系統，該投影系統包括一具有一光束入口 98754.doc -11- 1303750 區域之光予部件及—具有—光束出口區域之光學部件，經 圖案化之光束穿過該等光學部件巾之每—者，該投影系統 之特徵在於凝核表面，其上具有複數個凝核位點，使存在 於該投影系統中或周圍的污染物與該等凝核位點之一結 口》亥表面仏安置成至少遠離該光束入口區域或該光束出 口區域其中之一。 在-實施财提供—微影投㈣置。該裝置包括—提供 輻射光束的輕射系、统，及—支撐圖案化結構之支樓結構。 該圖案化結構經組態以根據所要圖案來圖案化輻射光束。 該裝置亦包括-支撐基板之基板支架，及—將經圖案化之 光綠影於基板之目標部分上的投影系統。該投影系統包 括-具有-光束入口區域之光學部件及一具有一光束出口 ，域之光學部件，、經圖案化之光束穿過該等光學部件中之 每一者°該裝置進-步包括—與該投影系統組合凝核表 面，其上具有複數個凝核位點。該表面係安置成至少遠離 光束入口區域及光束出口區域其中之一。 此配置提供之優點在於：自投影系統中之光學部件消除 污染性鹽增長，同時對裝置之效能產生最小影響。另―優 點在於：不要冷卻流體以達成對流體之清潔。" 根據本發明之另—態樣，凝核表面係由與光學部件之至 少一者之材料相同的材料製成。 此配置提供如下優點：凝核表面充當"虛設，，表面，立 即’不然將由於光學部件之料材料而污㈣光學部件ς 污染物，改為污染該"虛設，，表面。#由與凝核表… 98754.doc -12- 1303750 合，污染物被保留在虛設表面上，從而防止了相同污染物 之任何進一步污染。 在一實施例中，提供一微影投影裝置。該裝置包括一提 供輻射光束之第一輻射系統及一支撐圖案化結構之支撐結 構。該圖案化結構經組態以根據所要圖案來圖案化投影光 束。該裝置亦包括一支撐基板之基板支架，及一將經圖案 化之光束投影於基板之目標部分上的投影系統。該投影系 統包括一具有一光束入口區域之光學部件及一具有一光束 出口區域之光學部件，經圖案化之光束穿過該等光學部件 中之每一者。該裝置進一步包括一流體清潔系統，其清潔 待引入至其中女置有光學部件之區域中的流體。該流體清 潔系統包括：一接收待清潔之流體的流體入口及一供應經 清潔之流體至裝置區域的流體出口；一清潔所接收之流體 的清潔區段，該清潔區段係安置於入口與出口之間；及一 第二輻射系統，其提供輻射至清潔區段以引起存在於清潔 區段中之流體中的污染物之解離。該裝置亦包括一具有複 數個凝核位點之凝核表面。該凝核表面係安置於清潔區段 中〇 根據進一步態樣，提供一用於裝置中之流體清潔系統， 該系統包含：一用於接收待清潔之氣體的流體入口，及一 用於供應經清潔之流體至裝置的流體出口及供應系統；一 安置於該入口與該出口之間的清潔區段；及—輻射源，其 配置成使用時入射至該清潔區段上；其特徵為該輻射源使 存在於該清潔區段之該流體中的污染物解離；且該流體清 98754.doc -13- 1303750 潔系統進—步包含：一安置於該清潔區段中之凝核表面， 其上具有複數個凝核位點，#中該解離之污染物與該等複 數個凝核位點之一結合。 在-實施例中，提供一用於裝置，之流體清潔系統。該 系統包括一接收待清潔之流體的流體入口及一供應經清 潔之流體至裝置的流體出π;—安置於該人口與該出口之 間的清潔區段；一輻射源’其配置成入射至清潔區段上， 以使存在於該清潔區段之流體中的污染物解離；及一安置 於該清潔區段巾之凝核表面’其上提供有複數個凝核位 在-實施例中，提供-用於裳置之清潔流體的方法。該 方法包括：於人口處接收待清潔之流體，且於出口處供應 經清潔之流體至裝置；清潔安置於該人口與該出口之間之 清潔區段中的流體；使用㈣源以使存在於清潔區段之流 體中的污染物解離；及在該清潔區段中提供一凝核表面， 其上提供有複數個凝核位點。 此配置所提供之優點在於，因為污染物被保留在清潔區 段中，所以流體被清潔至超高標準。詳言之，其消除了一 段時間後會損害昂貴裝置組件之鹽晶體的成長’。、因而，褒 置之使用壽命得以增加。因為不需要精確之光學系統，且 不需要精確地調整流體清潔系統或裝置，所以限制了流體 清潔系統的成本。 根據本發明之進一步態樣，提供一元件製造方法，其包 含以下步驟：提供一由一層轉射敏感材料至少部分地覆蓋 98754.doc -14- 1303750 ::;使用輕射系統提供—轄射投影光束；使用圖案化 7件賦予該投影光束之橫截面一圖案；及使用一具有—光 束入口區域之光學部件及一具有一光束出口區域之光學部 件’將經圖案化之該輕射光束投影至該層輻射敏感材料之 目標部分上，*中該經圖案化之光束穿過每一該等光學部 件其特徵為.提供一凝核表面，其上具有複數個凝核位 點，使存在於投影系統中或周圍之解離的污染物與該等凝 ^ 』之、，’σ σ，及將該表面安置成至少遠離該光束入口 區域或該光束出口區域其中之一。 ，在：實施例中，提供一元件製造方法。該方法包括：投 影一輪射光束；圖案化該輻射光束；使用—具有—光束入 口區域之光學部件及—具有__光束出口區域之光學部件， 將經圖案化之該輻射光束投影至輻射敏感材料層之目標部 分上，其中該經圖案化之光束穿過每一該等光學部件；及 以複數個凝核位點來俘獲污染物，其中該等複數個凝核位 點至少與該光束入口區域及該光束出口區域其中之一隔 開。存在於投影系統中或周圍之解離的污染物與至少該等 複數個凝核位點其中之一結合。 在一實施例中提供一用於偵測流體中污染物之污染偵測 器。該偵測器包括一流體沿其流動之流體路徑、一安置於 該流體路徑中之偵測區段，及一配置成入射於該偵測區段 上之輪射源。該輪射源引起存在於偵測區段中之流體中之 污染物的解離。該偵測器亦包括：一安置於偵測區段中之 滅核表面’其上提供有複數個凝核位點；一用於判定凝核 98754.doc -15- 1303750 表面之光學特徵的光學量測元件，根據該光學特徵可判定 該流體中之污染物的濃度。 儘管在本文中可特別參考根據本發明之實施例的裝置在 ic製造中之使用，但是應明確瞭解，此種裝置具有許多其 它可能的應用。舉例而言’在—體式光學系統、用於磁域 記憶體之導引及偵測圖案、液晶顯示面板、薄膜磁頭等之 製造中可採用此種裝置。熟習此項技術的技術人員將瞭 解，在此等替代應用之情形中，本文中的術語，，主光罩”、 "晶圓"或"晶粒”之任何使用應被認為可分別由更一般的 術語"光罩”、"基板”及，，目標部分，，來替代。 在本發明中，術語”輕射"及”光束"係用以涵蓋所有類型 之電磁輻射，包括紫外（uv)輻射（例如，具有365 nm、 248證、193 nm、157腿或⑶職之波長）及遠紫外 (EUV)輻射（例如，具有在5跡2〇 _範圍中之波幻以及 諸如離子光束或電子光束之粒子光束。 【實施方式】 圖1示意性描纷了根據本發明之姓中 爆不知4之特疋實施例的微影投影 裝置1。該裝置包含-用於供應輻射（如，365 nm、248 nm、 193 nm、157 nm的輻射）之投影光束ρβ的輕射系統Εχ、 IL。在此特定情況下’輕射系統亦包含：_韓射源la卜 卜載物台(光罩台）MT，其具有一用於固持光罩财(如， Μ I X + I®# n ’且連接至_用於以相對於零件 7=之方式精確以位該光罩之第—定位元件；一第 一載物台(基板台)WT，其具有-用於固持基板W(如，經 98754.doc -16- 1303750 抗蝕劑塗佈之矽晶圓）之基板固持器，且連接至一用於以 相對於零件PL之方式精確地定位該基板之第二定位元件，· 及用於將光罩MA之經照射部分成像於基板界之目標部 刀c(如，包含一或多個晶粒）上之投影系統（，，透鏡"）pL(如， 光學透鏡系統）。如本文使用之術語”載物台，，亦可被認為或 稱為載物支架。應理解，術語載物支架或載物台廣泛地指 支樓、固持或承載物件或基板之結構。 如本文所描繪，該裝置為透射類型（即，具有透射光 罩）。然而一般而言，其亦可為具有反射光罩之反射類型 (舉例而言）。或者，該裝置可採用另一種圖案化元件，諸 如上文所涉及之類型的可程式化鏡面陣列。 輻射源LA(如，汞燈，氪氟化物準分子雷射器或電漿源） 產生輻射光束。舉例而言，此光束被直接饋入至照明系統 (照明器）IL中或在橫穿諸如光束放大器以之調節構件之後 饋入至照明系統（照明器）IL中。照明器比可包含一用於設 定光束中強度分佈的外部及/或内部徑向範圍（一般分別稱 為σ-外部及σ-内部）之調整元件AM。另外，其一般將包含 各種其它組件，諸如積光器以及聚光器C〇。以此方式， 撞擊在光罩MA上之光束PB在其橫截面中具有所要的均勻 度及強度分佈。 關於圖1 ’應注意：輻射源LA可位於微影投影裝置之外 殼内（例如，此通常是當源LA為汞燈時之情況），但是其亦 可遠離微影投影裝置，而其產生之輻射光束被引入至該裝 置中（例如，藉由適當之引導鏡面的輔助）。此後一方案通 98754.doc -17- 1303750 常是當輻射源LA為準分子雷射器時的情況。本發明及申 請專利範圍涵蓋該等方案二者。 光束PB隨後與固持於光罩台旭丁上的光罩“八相交。橫穿 光罩MA後，光束PB穿過透鏡PL，其將光束pB聚焦於基板 W之目標部分C上。藉由第三定位元件（及干涉量測元件叩 之輔助，可精確地移動基板sWT，（例如）以便定位光束 PB之路徑中的不同目標部分c。類似地，（例如）在自光罩 庫機械檢索光罩MA之後或在掃描期間，第一定位構件可 用於以相對於光束PB之路徑的方式精確地定位光罩Ma。 一般而言，載物台MT、WT之移動將藉由一長衝程模組（粗 疋位）及一短衝程模組（精定位）之辅助來實現，此並未在圖 1中明確描繪。然而，在晶圓步進器的情況下（與步進掃描 裝置相對），光罩台MT可僅連接至短衝程致動器或可被固 疋。可使用光罩對準標記及基板對準標記來對準MA與基 板W 〇 所描繪的裝置可用於兩不同模式中： 1 ·在步進模式中，保持光罩台MT基本固定，且一次性 (即’單次”閃光”）將整個光罩影像投影於目標部分C上。接 著在X及/或Y方向上移動基板台WT，以使不同目標部分C 可由光束PB所照射；及 2·在掃描模式中，相同方案基本適用，不同之處在 於··不是在單次”閃光”中曝光一給定目標部分C。相反， 光罩台MT可在一給定方向上以速度v移動（所謂的”掃描方 向π，如，Y方向），以便引起投影光束PB掃描整個光罩影 98754.doc -18- 1303750 像同k ’基板台WT同時以速度V=Mv在相同或相反方向 移動’其中Μ為透鏡PL的放大率（通常，M=l/4或1/5)。 、匕方式，可曝光相對較大的目標部分c，而無需損害解 析度。 ...... 如所提及的，投影系統（，，透鏡，，）PL為（例如）用於將光罩 MA之經照射部分成像於目標部分c上之光學透鏡系統。該 光子透鏡系統通常包括大約三十個透鏡部件，該等透鏡部 件係配置成使得投影光束穿過每一透鏡部件。每一透鏡部 件具有兩個表面，投影光束穿過該等表面。吾人已發現， $成長在外部透鏡表面上最顯著，該等外部透鏡表面即投 影光束在進入投影系統時所穿過的第一表面及投影光束在 退出投影系統時所穿過之最後表面。詳言之，投影系統包 括一具有一光束入口區域之光學部件及一具有一光束出口 區域之光學部件，該投影光束在進入投影系統及退出投影 系統時分別穿過該等光學部件。 本叙明可應用於清潔包括氣體以及液體 之’但非專有地’本發明可應用於清潔光學微影術中之 體及〉月春次沒微影術中之液體。 在描述本發明之實施例的進一步細節之前，描述光化 反應。由⑼如）自組裝單層化可知，官能基較佳黏附於; 定表面上’舉例而言，含硫績之分子在金上，醇及酿胺; 在翻上，脂肪酸基在銀與二氧化石夕1，1-稀烴在石夕上，) 烧基（二）鱗酸在雲母上。典型污染物包括包含_、_ 1 石黃、碟、减其它金屬之化合物，進—步包括二氧化^ 98754.doc -19- 1303750 硫酸銨、磷酸、石夕餘式且古& …… 所有有機金屬錯合物之烴 或石反軋化合物尾部（tail)的化合物。 ^ ^ v 7要文f月況下，僅小部分 的化合物，諸如原子或官能基， 、▲、 保遠作為用於晶體之凝核 位點。通#為有機物或烴剩 〜倚、（形成非凝核位點之）部分 在微影裝置中被氧化掉。鹽晶體已知為(例如)”晶須 (WMSker)”、奈米管或奈米、線、樹突或難溶化合物。衍生 自污染物的凝核以及晶體成長菸 曰曰蔽风负I生於在使用強烈輻射來曝 光期間’諸如在微影裝置及使用 衣罝次便用私子輻射之裝置中所發現 之凝核及晶體成長。 照射誘發的化學物f (諸如錢、硫酸鹽或魏鹽）之化 學反應與諸如氧氣、水、氨之其它氣體的存在相結合，是 基本的污染鹽成長機制。首先，曝光於輕射引起魏、硫 酸鹽或鱗酸鹽解離。其次，在解離後，化學物質重組為其 它：合物，具體言<，重組為鹽化合物。吾人已發現，微 影裝置中之波長在環境中產生特定化學反應，因為鹽化合 物通常將+會出現在微影裝i中所發現的環境中，即具有 純淨π〆、乾燥空氣而不存在強烈輻射之環境。吾人已 發現技心光束之波長自（例如）365 nm減少至193 nm(EUV 及電子照射）提供額外能量，其又提供更多的解離，且因 此提供更多損害性鹽化合物。舉例而言，形成之典型鹽晶 體化合物包括硫酸鎂、磷酸鎂及硫酸銨。此等鹽在習知裝 置中沉積於光所穿過之透鏡部件上。當光傳播穿過透鏡之 鹽污染然後穿過透鏡時，其引起穿過透鏡之光的繞射。此 光之繞射（亦稱為雜散光或光斑（flare))會引起微影製程之 98754.doc -20 - 1303750 内的問題。鹽晶體化合物係藉由將原子或分子自流體狀態 或溶液狀態重新排列成規則的固體狀態來形成。吾人已發 現在習知系統中，凝核結構由於透鏡缺陷及雜質而出現。 吾人亦已發現’晶體成長需要凝核。然而，凝核比晶體成 長花費的時間更長。因而，一旦表面已被凝核，晶體成長 便迅速發展。 兩種主要污染物為在周圍空氣中發現之二氧化硫及來自 揮發性有機磷酸鹽之磷酸鹽，該等污染物存在於微影裝置 中之塑膠中作為（例如）增塑劑或阻燃劑。與污染物反應之 其它反應物（例如，水、氨及氧氣）存在於周圍空氣中。注 意，為了氧化烴而添加氧氣至存在於裝置中之氣體。化學 物質之解離取決於包括反應物之體積及分壓以及輻射波長 之因素。吾人已發現，另一因素為一表面之存在。詳言 之，吾人已發現，解離及因此而發生之隨後的鹽晶體成長 之可能性在一表面處高於遠離該表面處。參考圖5至8展示 並描述該等實施例，詳言之，開發此最後的因素。 吾人已發現，降級機制可採取至少兩個可能路徑之一。 更詳細地論述該等主要機制中之兩者。根據第一機制，分 子污染物存在於氣體（或液體）中。當污染物經受適當的輻 射時，其解離而形成自由基。自由基隨後聚集於一表面上 以形成减核位點。晶體成長由於自由基的重排而發生。 根據第二機制，在反應區段中存在表面是必要的。分子 被吸附在表面上。每一被吸附的分子黏附至表面上一段時 間。在該段時間後，發生解吸附且自該表面釋放分子 98754.d〇c • 21 - 1303750 定分子被保留在表面上的時間量根據分子的大小及化學性 質有所不同。 將瞭解，若含有分子的氣體（或液體）之流動存在於微影 裝置中’則根據第—機制發生凝核與隨後的晶體成長之機 會相對於無流動條件將會減少，因為在流動環境中，分子 僅在其於穿過透鏡之流動中穿過時的—段有限時間内位於 在投影透鏡附近。因而’若分子被吸附於表面上，則凝核 的可能性較高，因為其被保持在反應區段中—段較長時 間。 分子是否吸附在表面上將主要取決於氣態分子之分壓 (及液態分子之濃度）。被吸附之分子黏附至表面，且受到 流動表面影響··在反應區段中，被吸附之分子可受到直接 (藉由輻射）或間接地撞擊。間接輻射包含（例如）輻射光束 所產生之二次電子，該輻射光束係由微影裝置之輻射源產 生。然而，在微影裝置中，輻射光束通常可具有約3_丨〇〇 電子伏特（eV)範圍的能量，二次電子通常可具有約5_1〇電 子伏特（eV)範圍的能量。使該吸附分子解離需要約5電子 伏4寸之忐置。因而，分子可由輻射光束或二次電子而解 離。解離的產物：自由基，形成凝核位點，另外的自由基 經重排以於凝核位點周圍的表面上形成晶體。因而，根據 本务明，藉由提供其上具有凝核位點之表面來增加晶體成 長之可能性。 當上述第二機制發生時，存在兩種可能發生的狀況。根 據第一狀況，光強度就分子之分壓（或濃度）而言是較高 98754.doc -22 - 1303750 的、。因而，將由分壓（或液體濃度）來判定晶體成長。此狀 稱為”分子通量受限狀況”，且通常在低分壓（或濃度） 日守枭生。根據第二狀況，光強度就反應區段中之分子數目 而言是較低的（即，存在相對較高的分壓（或濃度））。因 而由輻射強度來判定成長。此狀況被稱為”輻射通量受 限狀況’’，且不受分壓（或濃度）的限制。 。人已發現’因為存在低的分壓（或濃度），微影裝置中 通系遇到的狀況為分子通量受限。晶體成長通常要一段長 的日τ間。然而，詳言之，本發明適用之狀況並非高度取決 於輻射強度。因此，為使本發明起作用，儘管要求輻射具 有特定能量，但並不要求特別高之強度。詳言之，所需之 強度低於微影裝置之輻射源所產生之典型輻射光束的強 度。 圖2描繪一包括一投影系統防護器之微影裝置的細節， 其係根據本發明之實施例。詳言之，圖2展示了包含至少 一透鏡部件之投影系統1>1^，該透鏡部件具有一入口表面6〇 及一出口表面80。使用時，該（經圖案化之）光束經由該入 口表面60之預定區域進入投影系統，該入射光束之區域為 入口區域70。該光束經由該出口表面8〇之預定區域離開投 影系統’該離開光束之區域為出口區域9〇。圖2所展示之 實例中，該入口區域及該出口區域為十字形狀。然而，本 發明不限於此態樣。通常，該入口區域及該出口區域分別 對應於投影系統之入口平面及出口平面中經圖案化之光束 的橫截面’且將視特定應用而變化。圖2所展示之實例 98754.doc -23- 1303750 中 口亥入口區域及該出口 曰, 明不限於此態樣。 m相同形狀，然而，本發 /亦提供其上具有複數個污染物凝核位點的凝核表面40, =面係女置成至少遠離光束入口區域或該光束出口區域 1之—。例如，凝核表面可提供於投㈣統之入口或出 口 :，或^者處。遠離光束隸提供凝核表面，會在輻射 二界路仏外部及離開經圖案化之光束所穿過的透鏡之部 刀处起始日日體成長。相反，在光束路徑周邊的周圍之製備 :的表面上起始晶體成長。藉由在表面上提供凝核位點來 y 杉位點較佳為理想位點，即，凝核位點 ^待成長之化合物的晶種’且被製備並在安裝表面前提 ，太；、， 表面車又佳為粗糖的。表面粗糖度可具有約3 · 5奈米或更大的均方根值。例如’凝核表面40可為經姓刻 (較佳經輕微姓刻）之石英’其上安置有硫酸銨鹽種。凝核 位點較佳由與直接安置於凝核表面40之上游或下游處的透 、兄相同之材料製成’然而’此並非必需。用於凝核表面之 典型材料包括任何透鏡材料，該材料包括（但不限於）二氧 化矽、氟化鎂及氟化鈣。 如圖2中可g 。 兄’旋核表面40形成保護蓋200之部分，如箭 頭101所不’該保護蓋在使用時係安置於投影系統之端部 上在圖2中，保護蓋200係展示成用於投影系統之出口端 上的供應。然而’如所提及的，吾人設想該保護蓋可安置 在杈〜系統之入口端、出口端或兩端上。凝核表面較佳形 成套在投影系統之至少出口區域或入口區域上之保護蓋的 98754.doc -24- 1303750 部分。凝核表面較佳係安置成鄰接此等區域之平面中的光 束入口區域或光束出口區域或二者。凝核表面的尺寸並非 關鍵另外，根據此特定實施例，不一定要將凝核表面曝 光於I置中的輻射。解離將發生在裝置之體積中。然而， 因為减核位點是可於其上發生進一步晶體成長之種子，所 以經解離的分子在提供於凝核表面4〇上的凝核位點上將具 有非常面的形成鹽之可能性。 圖3描繪了根據本發明之另一實施例的包括微影系統防 護器之微影裝置之細節。在圖3中，凝核表面4〇係使用至 少一個官（較佳石英管）形成。該凝核表面較佳包括至少一 安置在表面120上之管110,該表面12〇可為或不為入口或 出口透鏡部件之外表面，其中該至少一管丨1〇係配置於表 面120上，使得該管11〇在使用時係在光束之傳播方向上自 光束入口或出口區域7〇、90(圖3中未圖示）偏移且鄰接光束 入口區域或光束出口區域中之任一者。可使用膠或某些其 它習知之附著構件將該或該等管110附著至透鏡部件，諸 如藉由使用夾鉗或藉由在透鏡周圍安置圓形件來將其附著 至透鏡主體，其中該圓形件小於透鏡之最大直徑的位置， 以便懸掛在透鏡上。如由圖3可見，該或該等管n〇不一定 在光束傳播穿過該裝置之方向上包圍光束之橫截面的整個 周邊。然而較佳地，圖2及圖3中展示之實施例二者的凝核 表面40在透鏡部件之區域周圍（較佳在遠離透鏡部件標稱 距離處）延伸，光束經由該透鏡部件之區域進入及退出投 影系統。使用時，以其將凝核表面安置成遠離光束的距離 98754.doc -25- 1303750 將取決於由特定微影裝置所執行的曝光。詳言之，若設想 多種光束橫截面’則以下做法可係有益：安置凝核表面4〇 一足夠的距離，以允許所有設想的光束輪廓得以實現而無 需改變保護蓋或透鏡部件上的管之配置。然而一般而言， 對於特定光束輪廓而言，凝核表面40在使用時宜盡可能地 接近光束之入射區域而不會重疊於光束之入口及出口平面 中的曝光區域。儘管在圖3中，凝核表面係展示為管之配 置，但本發明不限於此態樣。實際上，吾人設想該表面可 包括立方體，或植有凝核位點之任何其它幾何結構。 圖4描述了根據本發明之另-實施例的包括投影系統及 附著件之投影裝置的細節。凝核表面4〇具有附著部件14〇 以將凝核表面40附著於投影PL上。在圖4展示之實施例 中，凝核表面40並非直接安置於人口或出口透鏡部件上， 而是安置於淨化罩130上，該淨化罩13〇係安置於投影系統 PL與凝核表面4〇之間。附著料⑽係提供^將凝核表 面附著至淨化罩。如與圖2或3_致，凝核表面可包含其上 安置有凝核位點之經㈣的石英或f之配置。然而，本發 明不限於此態樣’且如上文所提及那樣，凝核表面可直接 附著至透鏡部件。淨化罩13G為微影裝置之可選擇組件， 且包括用於將淨化空氣引入該裝置中的組件。 圖5描繪了包括流體清料、統之微影裝置的細節，立中 根據本發明之另一實施例併入了凝核表面。對於在圖$中 展不的具有與^中所展示之相應組件相同的參考數字 字母之彼等組件，參考上文圖1之描$，因為下文中將不 98754.doc -26- 1303750 會進一步描述此等組件。圖5展示輻射投影光束丨、用於根 據所要圖案來圖案化該光束之圖案化元件MA、經圖案化 之光束3。具有特定橫截面區域的經圖案化之光束在投影 系統入口區域（圖5中未圖示）處入射於投影系統卩乙上。經 圖案化之光束經由光束入口區域（圖5中未圖示）退出投影系 統。退出的經圖案化之光束5隨後入射於安裝在基板台wt 上之基板W上。圖5進一步展示了根據本發明實施例之氣 體清潔系統10、14、15、16、20，其係與諸如圖1與5中所 展示之微影裝置的裝置一起使用。儘管在所示實例中展示 了與微影裝置一起使用之流體清潔系統，但本發明不限於 此L樣且吾人设想根據本發明之此實施例的流體清潔系 統可用於其它需要清潔流體之裝置中，諸如晶圓檢測工 具、用於諸如氮或氬之瓶裝氣體的氣體淨化系統。 在圖5至8所示之實施例中，微影裝置在氣體環境中作 業。流體清潔系統清潔圍繞投影系統PL的氣體。如下所 述，本發明亦應用於在液體環境中作業的微影及其它裝置 中圖5中亦展示了習知氣體清潔系統8，其在此項技術中 亦稱為氣體淨化系統。此一習知氣體清潔系統8為可選。 吾人設想圖5中所示之氣體清潔系統10、14、15、16、2〇 1與習知系統一起使用，或在沒有習知氣體清潔系統8的 十月況下使用。另外，在圖5中所示之實施例中，併入了本 發明之氣體清潔系統係安置於習知氣體清潔系統8之氣流 方向上的上游。然而，本發明不限於此態樣，且吾人設想 軋體清潔系統1〇、14、15、16、2〇亦可安置於習知氣體清 98754.doc -27- 1303750 =?8之氣流方向上的下游。氣體清潔系統尤其可用於 又心其可用於清潔其它氣體，諸如 其中存在上述類型之污染物的氮、氬、氦、氖及氫。 根據圖5·8中所示之實施例的氣體清潔系統10、14、 15、16、2G使用基於引起透鏡部件表面上形成之鹽晶體污 染物之原理的方法來清潔（或淨化）氣體（通常為氮）。五人 已發現，可以下列方式控制透鏡部件之污染(習知系：的 問題)。首先，裝置(通常為微影投影裝置)之需要超清潔空 氣的彼等區域被識別。如所提及的，此等區域係在投影系 統中之第-部件上方且在投影系統中最後透鏡部件下方之 區域。視情況’如圖8中所示，提供光學透明薄膜m 以自污染源分離該裝置之要求超清潔空氣的部分。在微影 投影裝置中’此等區域亦包括(例如)光罩ma區域及晶圓w 區域。其:欠’併入氣體清潔系統10、14、15、16、20(加 上習知系統淨化系統或自習知系統淨化系統分離），以提 供超清潔空氣至彼等經識別的區域。藉由識別及隔離要求 超清潔氣體裝置的彼等區域，不—定將氣體清料統設計 為高產出率系統。此進一步降低了所要氣體清潔系統之複 雜性及成本。 參考圖6及7進一步詳細描述氣體清潔系統1〇、14、15、 1 6、20。然而，氣體清潔系統通常包括一用於接收待清潔 氣體之入口 10及一用於供應清潔後的氣體至要求清潔氣體 之裝置之經識別區域的氣體出口及供應系統14、一用於清 潔所接收的氣體之清潔區段20，該清潔區段係安置於入口 98754.doc -28- 1303750 10與出口 Μ之間。該清潔系統進—步包含—用於提供輕射 16至清耗段2G的輻㈣統15。輻㈣為引起存在於清潔 區段20中之污染物的解離。該清潔系統進—步包含一凝核 表面，其具有複數個與解離之污染物結合的凝核位點，其 中凝核表面係安置於清潔區段2〇中。 輻射系統通常具有足夠強度’該強度可小於微影裝置中 所發現的強度。 待清潔氣體的照明發生於清㈣段巾，該清潔區段較佳 為經由其饋入待清潔氣體的特殊設計之腔室2〇。該腔室經 設計以使得氣體在足夠長的日㈣时高料強度區域中流 動或沿足夠長的路徑長度流動，以達成清潔區段中污染物 之解離及解離之污染物與凝核表面的結合。該腔室較佳含 有大的活性表面區域，該區域較佳與微影裝置或Α它事置 (氣體清潔器係供其使用）之透鏡具有相同材料，諸如用於 G線與！線及吨雷射產生之石英二氧切、用於他雷射 產生之1化鎖’及用叫雷射產生之邮。較佳地，凝核 表面之活性表面區域或整個腔室2G係提供為可移除單元， := 及替換之目的而容易地將其自氣體清潔系統移 于/表面區域較佳為粗趟。較佳地，相比於透鏡 之表面積，活性區域之表面積較大。 ° 初始曝 面來製 長。或 ，以達 凝核表面係藉由在當氣體穿過腔室的同時將腔室 光於輻射一段時期之後使用一塊清潔布擦拭該表 備此製備在表面上引入鹽晶體之緩慢污染性成 者’在類似條件下預處理虛設表面(不在作業期間) 98754.doc -29- 1303750 成活性表面的凝核。以此方式製備之表面一旦被安裝在供 裝置使用之氣體清潔系統中，便表現出凝核表面上的增強 之污染性成長，此歸因於存在於該表面上的高度增長之數 里的成長核。吾人已發現’猎由提供氣體清潔系統中污染 性鹽的高凝核位點密度，可達成改良之氣體清潔，因為在 將其引入至經識別區域（諸如圍繞透鏡部件的區域）之前， 已自該氣體移除較多污染物。 如圖6中所詳細展示的，在特定實施例中，照明腔室2〇 中的氣流被導通一由對輻射透明之壁形成的通道系統。如 圖7中所詳細展示的，在該實施例中，該腔室具有由適當 材料（諸如由上文提及之透鏡材料）製成的泡沫或玻璃棉。 提供通道或泡沫或玻璃棉提供了大的接觸表面。由圖5之 通道設計及圖6之泡沫或玻璃棉填充所造成的氣體在照明 腔室20中的停留時間（與氣體的湍流動力學相結合）經配置 以提供與凝核表面之足夠接觸。較佳地，在照明腔室中盡 可能高地再現表面反應可能性，即凝核表面上之污染物解 離及結合作為照明腔室中之鹽晶體的可能性。如上所述， 此係藉由最優化該表面之表面積'該表面上凝核位點的出 現，及藉由入射於腔室中之輻射的強度來達成。 較佳僅在存在於所識職域中之相關透鏡表面附近，以 使得其它氣體以到達料制表㈣方式使用由根據本 發明之實施例之氣體清㈣統所清潔之氣體。此等區域可 藉由圖8中展示之光學透明薄膜22、23而與裝置體積之剩 餘部分屏蔽’此提供再循環超清潔氣體的可能性，同時更 98754.doc -30- 1303750 進一步降低所識別區域中之 ^ 可木率及可能性。在本發明之 特定實施例中，圖8 Φ a - ^ 中展不之軋體清潔系統2〇、21 凝核位點，且薄膜22、23呈右气祕从机 ^ 具有减核位點，該等凝核位點充 畐存在於投影系統PL中啖月囹々、一、九k Λ … τ次周圍之汀染物與之有關的表面。 缚腰2 2、2 3係安置成至少、告汹： 、一 直成至〆延離經圖案化之光束的入口區域 或經圖案化之光束的出口區域其中之一。 圖6描繪了根據本發明實 ^ ^ 貝她例之包括机體清潔系統的微 衫裝置之細節0經由潘各名μ . 、工由孑化軋體入口 u來提供包含經預清潔 之氣體或經再循環之超清潔空氣1〇的淨化氣體。清潔區段 包含-腔室12,且較佳具有障礙壁24。該腔室係用來自輕 射源15之輻射16來照明。障礙壁24較佳對輻射16透明。障 礙壁24具有凝核位點，且因而形成凝核表面。輕射較佳入 射於凝核表面上。绛f #加 少 坪"2，该寺壁經安置以界定氣體路 徑，該氣體經由該氣體路徑自該氣體入口 u傳到氣體出口 13洋^之，忒等壁24經配置以使得該氣體路徑之長度長 於膝室在輕射之傳播方向上的尺寸。自圖5可見，輕身^ 箭頭16所指示之方向上傳播。當輻射傳播穿過腔室〕^時， 幸田射大體上在相同方向上繼續傳播。然而，將瞭解，由於 腔至中的反射及某些吸收，輻射在傳播方向上可經歷某些 改艾。洋吕之，為開發輻射16之能量，視情況提供一用於 反射退出腔至20之輻射的鏡面〗7。在圖中所展示之實施例 中，鏡面被描繪為平鏡面。然而，鏡面可具有包括球面幾 何形狀之任何形狀。鏡面17將退出腔室2〇之輻射發射回腔 室中，以使其可產生存在於腔室中的氣體中之污染物的進 98754.doc 31 j3〇375〇 一步解離。 另外，在圖6展不之實施例中，可見該等壁為交錯的。 士上所述淨多除牙過清潔區段的氣體中之污染物。在腔 室中被清潔之氣體14經由朝向裝置之超清潔淨化氣體出口 排出至裝置（例如微影投影裝置）。 圖”田、、、曰根據本發明之另一實施例之流體清潔系統。將 包含經預清潔的氣體或經再循環之超清潔氣體1〇的淨化氣 體引入至甲化乳體入口 18中，該氣體入口 18經建構以提供 有效氣流分佈控制。清潔區段較佳包含一包括凝核表面: 腔室20。凝核表面較佳包含一安置於腔室中之泡珠或玻璃 棉的表面。清潔氣體14經由淨化氣體出口 19饋入至所要位 置-亥氣體出口經建構以提供有效氣流分佈控制。如在圖 6中展不之實施例中，為開發輻射之能量以達成清潔區段 中之Θ染物的最優解離而提供鏡面17來將退出腔室之輻射 反射回腔室中。 圖8榀述了根據本發明之另一實施例的包括流體清潔系 統之微影裝置之細節。除了已參考圖丨及5加以描述之彼等 組件外’圖8展示（如亦已提及的）光學透明薄膜22、23，其 用以將裝置内由本發明之氣體清潔系統所清潔之超清潔氣 體的循環限制於所要區域。另外，在沒有氣體清潔系統 20、21的情況下，薄膜22、23具有凝核位點，以使得薄膜 22、23亦充當與污染物結合之表面。較佳提供先前參考圖 5-7加以描述之超清潔氣體系統20，其在箭頭25之方向上 輸出氣體至由薄膜22、23所限制的區域。較佳用足夠的力 98754.doc -32- 1303750 吹動氣體以使其橫穿限制區域，例如，投影裝置所在之區 域。在限制區域之相對側上提供超清潔氣體聚集單元2 i。 聚集單元21之結構較佳與傳送單元2〇相同。然而，其可具 有本發明之氣體清潔系統的任何實施例之結構。聚集單元 21聚集由傳送單元所發射之氣體並使其再循環。可直接將 經再循環的氣體輸出至限制區域，或可將其饋回至傳送單 元20，在將其重新引入至限制區域之前在該傳送單元處再 次清潔經再循環之氣體。吾人已發現，使氣體再循環減少 了存在於氣體中之污染物，且因而進一步降低了在限制區 域内發生表面反應之可能性。 在圖5_8中展示之實施例中可見，清潔區段係安置成遠 離經圖案化之光束。另外，應理解腔室係經建構以使得氣 體自入口穿過至出口所花費的時間足夠達成清潔區段中污 染物之解離。凝核表面較佳經建構以使得氣體自入口穿過 至出口所t費的時間足夠達成凝核表面處經解離之污染物 的結合。詳言之，參考在微影裝置中之應用，凝核表面之 表面積大於經圖案化之光束的橫截面面積。 如先前所提及的，凝核位點為鹽晶體成長種子，且該結 合包括鹽晶體在/旋核位點處或在其附近之形成。詳言之， 污染物被保留在凝核表面上作為鹽晶體。 另外，在圖5與8中所展示的實施例中的提供經圖案化光 束的第一輻射系統與提供解離性輻射之第二輻射系統可係 相同。然而，在替代實施例中，此等輻射系統係彼此獨 立。由第二輪射系統提供之輻射波長不重要，其限制條件 98754.doc -33- 1303750 為：該波長引起特定污染物之解離。在—實施例中，第一 與第二輻射系統提供具有大體上相同的波長之輻射。 在圖8中’清潔單元2〇被展示為傳送清潔氣體至一步進 器單元ϋ本發明不限於此態樣，且吾人設想可使用單 一清潔單元2〇來供應清潔氣體至若干步進器（例如，彼此 平行安置之步進器）。 在上文所述之實施例中，參考在氣體環境中作業之微影 裝置：然@，本發明不限於此裝置。本發明可用於自流體 移除污染物°因而’存在於氣體或液體中之污染物將與凝 核表面L合。h之，本發明亦可應用於浸沒式微影袭 置’即’在部分液體環境中作業之微㈣置。在浸沒式微 影術中’投影系統之最後透鏡與晶圓之間的空間由液體填 充。該液體通常為水或油。典型油之實例為F。滿η，其 亦用作真空泵浦油。本發明可應詩在使用或清潔存在於 最後透鏡與晶圓之間流體之前清潔已用的水或油。吾人已 發現’浸沒式微影術中之透鏡的污染甚至大於標準微影術 中之污染。 另外虛。又/旋核表面（即，其上具有複數個凝核位點之 表面）的㈣可用作偵測器。對於此應用而言，凝核表面 係安置於流體路徑中，例如，流體進入裝置之流體入口 處。凝核表面係安詈M g丨、，士 士 >、一 & 有足以在存在污染物的情況下弓| :晶體成長的能量之輻射光束的路徑内。待測試之流體接 著在表面上方牙過。若流體含有一污染物或多個污染物， 則將發生超時晶體成長。晶體成長的量與污染物之濃度相 98754.doc -34- 1303750 關。由於晶體成長影響凝核表面之光學特性，可在光學上 判定成長量並因此判定污染物的濃度。因而，安置於輻射 光束中之凝核表面可用於偵測沿流體路徑（偵測表面安置 於其中）流動之流體中的污染物之濃度。若發現污染物濃 度較高（如所量測），則可中斷裝置之作業以替換被污染的 流體並阻止裝置内部件（諸如微影裝置中之透鏡部件）被進 步/亏染。以此方式，凝核表面可用作用於農置中之流體 的品質量測。可在反射或透射中進行光學偵測。同樣，暗 場方法可應用於引導光束被阻斷且僅偵測雜散光（導致更 高敏感度）的情況下。詳言之，吾人設想可提供用於偵測 桃體中污染物之污染偵測器，該偵測器包含：一流體路 徑，用於測試之流體沿其流動；一安置於流體路徑中之偵 、J區&，及幸曰射源，其係配置成在使用時被入射於偵測 區奴上，其中該輻射源引起存在於偵測區段中之流體中的 π染物之解離；且其中該㈣器進一步包含：一安置於該 债測區段中之凝核表面，其上具有複數個凝核位點，使= 離的污染物與該等複數個凝核位點之—結合；及—用於判 ㈣凝核表面之光學特徵的光學量測元件，根據該光學特 :文可判疋攻抓體中之污染物的濃度。量測到的特徵較佳為 凝核表面之透射率或反射率。 雖然上文已描述本發明之特定實施例，但是應瞭解，可 :同於所&述的那樣來實踐本發明。本描述無意於限制本 發明。 【圖式簡單說明】 98754.doc -35· 1303750 圖1描繪了根據本發明之，實施例的微影技衫t置’ 圖2描繪了根據本發明之/實施例的包括投影系統防護 器之微影襞置之細節； 圖3描繪了根據本發明之另一實施例的包括投影系統防 護器之微影裝置之細節； 圖4描繪了根據本發明之另一實施例的包括投影系統防 護器及附著件之微影裝置之細節； 圖5描繪了根據本發明之一實施例的包括流體清潔系統 之微影裝置之細節； 圖6描繪了根據本發明之一實施例的流體清潔系統； 圖7描繪了根據本發明之另一實施例的流體清潔糸統， 及 圖8描繪了根據本發明之另一實施例的流體清潔系統之 微影裝置之細節。 【主要元件符號說明】 LA 輻射源 Ex 光束放大器 IL 照明器 AM 調整元件 IN 積光器 PB 投影光束 CO 聚光器 MA 光罩 MT 光罩台/載物台 98754.doc -36 - 投影系統 晶圓 基板台/載物台 干涉量測元件 目標部分 輻射投影光束 經圖案化之光束 經圖案化之光束 習知氣體清潔系統 超清潔氣體/淨化氣體入口 淨化氣體入口 腔室 氣體出口 氣體出口及供應系統/清潔氣體 輻射源/輻射系統 輻射 鏡面 淨化氣體入口 淨化氣體出口 腔室/傳送單元/清潔單元 超清潔氣體聚集單元 光學透明薄膜 光學透明薄膜 障礙壁 -37- 1303750
40 ;旋核表面 60 入口表面 70 入口區域 80 出口表面 90 出口區域 110 管 120 表面 130 淨化罩 140 附著部件 200 保護盖
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