TWI302229B - Lithographic apparatus, radiation system and debris filter system - Google Patents
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Description
1302229 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於一種微影裝置、一種輻射系統及一種雜質過 據系統。 【先前技術】
一微影裝置是一種將一要求圖案施加於一基板上的機 為’通常是施加於該基板之一目標部分。例如，一微影裝 置可用在積體電路（ICS)的製造上。在此範例中，一圖案化 裝置，又稱為一遮罩或一主光罩，其可用以產生一要被形 成在該1C之個別層上的電路圖案。該圖案可以被轉印到一 基板（例如一矽晶圓）之一目標部分（例如包含部分晶粒、一 晶粒或多數個晶粒）上。該圖案之轉印典型地是經由成像 於一層輕射敏感材料（光阻劑）上而被提供在該基板上。大 體上，一單一基板包含一如 網路般之被連續圖案化之鄰近 目標部分。習知微影裝置包含所謂的步進機，其中每目標
部分是藉由一次將一整個圖案曝光到該目標部分上而被照 射；以及所謂的掃描機，其中每目標部分是藉由一輻射光 束在一給定方向上（該，，掃描，，方向）掃描該圖案，同時以與 該方向平行或反平行方向同步地掃描該基板而被照射。也 可行的是藉由；If g II案壓印到胃基板i而將該圖案從該圖 案化裝置轉印到該基板上。 在彳政〜衣置中，可成像於該基板上之特徵的大小是受 到該投影輕射之波長限制。A了產生具有較高密度裝置的 積體電路，進而具有較高的操作速度，有必要成像更小特 〇:\107\1077321 -970812.DOC 5 1077321-970812.doc 1302229
徵。雖然大部分的目前微影投影裝置採用由汞燈或準分子 雷射所產生的紫外線，但是已經有人提出使用更短的波長 輻射，其在5到2〇奈米之範圍内，特別在13奈米附近。、 該輻射稱為超紫外線（EUV)或軟性χ射線，而可能來源 包合例如雷射產生電漿源、放電電漿源或來自電子儲存環 之同步加速器輻射。這些類型的雷射要求在該裝置内的光 束路捏必須呈真空，以避免光束散射及吸收。因為並無習 知材料可適用於製造EUV輻射之折射式光學元件，所以 EUV微影裝置必須在該輻射（照明）及投影系統中使用面 鏡。甚至EUV輕射之多層鏡具有相當低的反射性且很容易 又j /亏木，這進一步降低反射性，因而降低該裝置的洎 理能力。這使得要維持的以位準的要求提高，而必㈣ 別要求碳水化合物分壓要保持非常低。 ▲在一典型放電電衆源中，f聚係由一電子放電所形成。 鑪電漿則是被壓縮使得它變得高度離子化而到達非常高溫 的狀心因此造成EUV輻射的發射。用以產生該Euv輻射 的材料典型地是指氤氣或氣態的冑，雖然其他像是氮或锡 或Κ之氣體也可以使用。然而，這些氣體在該euv範圍内 二有相田间的輻射吸收，及/或對於該投影光束下游處之 光學元件有害’因此它們在該微影裝置的其他地方的存在 應A減到少。一放電電漿源係揭露於例如美國專利第 5023897號及美國專利第5,5〇4,795號，二者皆在此以參考 的方式併入本文。 在㈤射產生電漿來源中，例如(聚集的)氙氣之噴出物 O:\107\1077321-970812 DOC 5 1077321-970812.doc 1302229
可以從-喷嘴㈣’例如從—喷墨式噴嘴產生做為滴粒或 細線。離該喷嘴某段距離的地方，該噴出物是被—具有適 當波長之雷射脈衝所照射，用以產生一隨後將散發輻 射之《。其他材料，例如水滴、冰粒子、㈣錫等等， 其也可以從一喷嘴中射出而被用於產生EUV。在另一種雷 射產生之電漿源中，一延伸固態（或液態）材料係被照射以 產生一電漿’用於EUV輻射。f射產生電漿來源係揭露於 例如美國專利第5,459,771號、美國專利第4,872,】89號及美 國專利第5,577，G82號，其在此以參考的方式併入本文。 在EUV輻射產生期間粒子被釋放。這些粒子，文後稱為 雜質粒子’其包含離子、原子、分子及微滴。這些粒子應 該從該EUV輻射中被過濾出來’因為這些粒子對於該微影 裝置之效能及/或壽命會有*良影響，特職其照明及投 影系統。 在此以參考方式併入本文之國際專利申請案編號冒〇 99/42904揭露一種濾光器，其在使用時係放在一該輻射離 開該光源之路徑上。因此，該濾光器放置在該輻射源與例 如該照明系統之間。該濾光器包含複數個箔片（f〇u)或平 板，其在使用時捕抓雜質粒子，像是原子及微粒子。同樣 地，該等微粒子團可以藉由這些箔片或平板捕抓。這些箔 片或平板係被定向以致使該輻射仍然傳播穿過該遽光器。 該等平板可以是平面或圓錐形，而徑向地配置在該輻射源 四周。該來源、該濾光及該投影系統可以配置在一緩衝氣 體内’例如一 菇’其壓力約為〇·5托（t〇rr)。污染粒子則 O:\107\1077321-970812.DOC 5 1077321-970812.doc 1302229 承擔該緩衝氣體之溫度，例如室溫，藉此在該濾光器之末 立而之别便足以降低該等粒子速度。這增大該等粒子被該等 、>白片捕抓住的可能性。當施加該緩衝氣體時，該習知的污 杂捕抓益的壓力大約等於其環境壓力。 在此以參考方式併入本文之國際專利申請案w〇 〇3/〇34153 揭露一種污染捕抓器’I包含一第一組箔片及一第二組箔 片’使得離開該來源之輻射會先通過該等第―组羯片，然 後通過該等第二組箔片。該等第一組及第二組之平板、或 冶片刀別疋義-第-組通道及—第二組通道。肖等兩組通 道之間隙@下空間，在該空間内係由—氣體供應器提供 -沖洗氣體（flushing gas)。—排氣系統可以被提供用於將 氣體從該污染捕抓器中移除。該氣體及在該等兩組通道之 間的空間之壓力會相當高’使得雜質粒子被有效地減速， 進-步增加雜質粒子被該等第二組箱片捕抓的可能性。當 該氣體從該第—組或在該第二組通道⑽等兩組通道之間 的空間移動時’該等第-組及第二組通道阻止該氣體。因 此’該氣體的存在即多少被限制在該等兩組通道之間的空 間内。 即使该等平板或“係被定位而使得從該輻射源發散的 輕射能夠很容易地通過該污染捕抓器，該等落片或平板也 確實吸收-些刪轄射，因此吸收一些熱量。再者，這此 羯片是利用碰撞雜質粒子而加熱。這導致报明顯將該等； 片及一支撐著料“之支撐結構加熱。這造成該等落片 及該支撐結構之熱膨脹。因為在一微影農置中該污染捕抓 O:\107\1077321-9708I2.DOC 5 1077321-970812.doc 1302229 器之光學傳輸非常重要，所以由於該箱片之熱膨脹所造成 之箔片變形應該被最小化。 ^人，州專利申請案EP 1 434 098利用提供-污染障壁來說 日:此問題，亦即-箱片捕抓器或污染捕抓器，其包含一内 衣及外％ ’其中該等箔片或平板之每個是可滑動地定位 在该：環及外環中至少之一的溝槽中，在其外端中至少之 -。猎由可滑動地定位該等箔片或平板之至少一 等羯片或平板可以在徑向擴展而沒有機械張力出現，因而z 板或落片不會產生熱致變形。該污染捕抓器包含一冷 ’其配置用以冷卻該等環之—者，其係供
或箔片熱連接。 X 二，專利申請案編號Epl 434 098 t所揭示之該 等二之箱片仍然可能很烫。在該箱片之高溫下，該 =!:可Γ由於例如去吸附及/或蒸發，而從該箔片 、寺別疋在把錫當做雜質而 候成立。 谓隹》亥專治片上的時 【發明内容】 ^要提供—具有__雜質過據系統之微影裝置， 系統之輻射系統及/或-雜質過滤系統本身 八在可i'比較的操作情形下，該雜質過 所到達的最大溫度係低於該先前技藝中^=吏用時 到達的最大溫度。 白知，慮先裔可能 根據本發明之—態樣，提供—微影裝置， 射糸統，其被用以形成一投影轄了3輪 J尤朿，及一投影系統， O:\107\1077321-970812.DOC5 1077321-970812.doc l3〇2229 /、被用以將該投影輻射光束投射在一基板上。該輻射系統 匕各·一輻射源’其發射輻射；一雜質過濾系統，其配置 用以從該輻射源所發射的輻射之預先決定的橫斷面中過濾 出雜質粒子，其中該雜質過濾系統包含至少一第一組箔片 及一第二組猪片，用以捕抓該等雜質粒子；及一照明系 統，其被用以形成由該輻射源所發射的輻射到一調整輻射 光束。該雜質過濾系統尚包含至少一第一散熱器及一第二 政熱益’其中該第一組之每個箔片係熱連接到該第一散熱 器’而該第二組之每個箔片係熱連接到該第二散熱器，使 得在使用時透過該第一組之每個箔片，熱實質上被傳導到 該第一散熱器，及透過該第二組之每個箔片，熱實質上被 傳導到該第二散熱器，及其中該等第一組箔片實質上是在 口亥預先決定的橫斷面之一第一部分上延伸，且其中該等第 一組箱片實質上是在該預先決定的橫斷面之一第二部分上 延伸’該第一部分及該第二部分實質上並沒有重疊。 根據本發明之一態樣，提供一種輻射系統，其被用以形 成一輕射光束，其包含：一輻射源，其發射輻射；一雜質 過濾、系統’其配置用以從由該輻射源所發射之輻射之預先 決定橫斷面中過濾雜質粒子，其中該雜質過濾系統包含至 少一第一組箔片及一第二組箔片，用以捕抓該等雜質粒 子’及一照明系統，其被用以將由該輻射源所發射之輕射 形成於一調整輻射光束。該雜質過濾系統尚包含至少一第 一散熱器及一第二散熱器，其中該第一組箔片之每箔片係 熱連接到該第一散熱器，而該第二組箔片之每箔片係熱連 O:\107\1077321-970812.DOC 5 1077321-970812.doc -10- 1302229 接到邊第二散熱器’使得在使用時透過該第一組之每個箔 片，熱實質上被傳導到該第一散熱器，及透過該第二組之 每個箔片，熱實質上被傳導到該第二散熱器，及其中該等 第一組箱片實質上是在該預先決定的橫斷面之一第一部分 亡延伸’且其中該等第二組羯片實質上是在該預先決定的 橫斷面之一第二部分上延伸，該第一部分及該第二部分實 質上並沒有重疊。 根據本發明之一態樣，提供一種雜質過濾系統，用以從 一可用於微影之輻射光束中過濾出雜質粒子，特別是Euv U衫。違雜質過濾系統被配置用以從由一輻射源所發射之 輻射之預先決定橫斷面中過濾出雜質粒子，及包含至少一 第一組箔片及一第二組箔片，用以捕抓該等雜質粒子，及 至乂 第一散熱裔及一第二散熱器。該第一組箔片之每箔 片係連接到該第一散熱器，而該第二組箔片之每箔片係連 接到該第二散熱器，使得在使用時透過該第一組之每箔 片，熱實質上被傳導到該第一散熱器，及透過該第二組之 每猪片’熱實質上被傳導到該第二散熱器。該第一組荡片 Κ貝上疋在該預先決定的橫斷面之一第一部分上延伸，且 其中该第二組箔片實質上是在該預先決定的橫斷面之一第 二部分上延伸，該第一部分及該第二部分實質上並沒有重 疊。 根據本發明之上述每一態樣，由一來源所發射之輻射的 預先決定橫斷面被分成至少兩個非重疊部分，而每個部分 包含一不同組箔片，這些組之每組箔片不一定要延伸使得 O:\107\1077321-970812.DOC5 1077321-970812.doc -11 - 1302229 該整個預先決定橫斷面係被某-組“所覆蓋。這允許使 用，短fi片的可能性。使用料片意指每箔片只須將非常 少：的熱傳送到該w所熱連接到的散熱器。這也就是說 當每箱片是-相當短的箱片日夺’每落片在使用時所到達的 最大溫度相較於較長的羯片所到達的溫度是比較低，即其 屬於一組"橫跨，，該整個預先決定的橫斷面之羯片。 【實施方式】 圖1概略說明根據本發明之-實施例之_微影裝置。該 裝置包含： …、明系統（照明器）IL，其被用以調整一輻射光束 B(例如UV輻射、EUV輻射或X射線輻射）； • 一支撐結構（例如一遮罩平台）MT，其被用以支撐一圖 、 ㈣裝置（例如—遮罩）MA且連接5卜第—定位器心，其 被用以根據某些參數精確定位該圖案化裝置； --基板平台（例如-晶圓平台）WT，其被用以夾持_基 φ 板（例如一塗佈光阻劑之晶圓）W，且連接到一第二定位器 pw，其被用以根據某些參數精確地定位該基板；及 -一投影系統（例如一折射投影透鏡系統）ps，其被用以 將一由圖案化裝置MA賦予該輻射光束B之圖案投射到該基 板W之一目標部分c(例如包含一或更多晶粒）上。 該照明系統包含各種類型的光學組件，像是折射式、反 射式磁)±、電磁性、靜電式或其他類型的光學組件，或 疋上述之任何組合，用以引導、成形或控制輻射。 该支撐結構支撐’亦即承載該圖案化裝置的重量。它以 O:\107\1077321-970812DOC5 1077321-970812.doc -12· !3〇2229 歹1方式夾持該圖案化裝置，該方式依據該圖案化裝置之 =向：該微影裝置之設計及其他狀況，像是例如該圖案化 、置疋否夾持在一真空環境中。該支撐結構可以使用機械 ，”二式、靜電式或其他夾持技術，以夾持該圖案化裝 、η例士忒支撐結構是一框架或一平台，其按照要求可 ^固定的或是可移動的。該支撐結構確保該圖案化裳置 疋在要求位置上，例如相對於該投影系統。任何在此所 使用的術語”主光罩，，或”遮罩，，可視為與該更常用術語 — 化裝置”同義。 系 在此所使用#術語，，圖案化裝置”應該廣泛解釋成意指任 何可用以賦予一輻射光束之橫斷面上一圖案的裝置，使得 • ㈣基板之一目標部分中產生一圖案。應注意賦予到該： 、#光束之圖案並不-定完全相同於在該基板之該目標部分 中的要求圖案，例如假如該圖案包含相位偏移特徵或是所 謂的辅助特徵。大體上，賦予到該輕射光束之圖案是相當 • 於在-裝置中之-特定功能層，其被產生在該目標部分 上，例如一積體電路。 例 、八〜_示化衣置之範 包含遮罩、可程式化面鏡陣列及可程式化LCD面板。遮 罩在微影技術中已為人習知，其包含遮罩類型，像是二進 制、交替相位偏移及衰減相位偏移，以及各種混合式^軍 類型。一可程式化面鏡陣列之範例採用一矩陣配置的微小 鏡，每個面鏡可以個別傾斜以便朝不同方向反射—入射幸_ 射光束。豸等傾斜鏡賦予一圖案於一由言亥鏡矩陣反射心 O:\107\1077321-970812.DOC 5 1077321-970812.doc 1302229 射光束。 在此使用之術語”投影系統”應誃 類型的投影系統，其包含折射式：汽’ ^ _釋成涵蓋任何 式、磁性、電磁性及靜電式光；、式反射折射此合 的曝光輻射之上述任意組合 A通用於其他因素，像是在 沉浸液體中使用或在真空中使 Τ便用。任何在此所使用的 ”投影透鏡”可視為與該更常用淋1,, 47 ^ 旯㊉用術語”投影系統”同義。
如同在此所描述，該裝置屬 置屬於反射式（例如採用-反射 式遮罩）。或者，該裝置可以是彡 乂疋透射式（例如採用一透射式 遮罩）。 該微影裝置可以具有兩個(雙階)或多個基板平台(及/或 兩個或更多個遮罩平台ρ在該"多階”機器中，該等額外平 台可以平行使用，或是準備f ^ 千衔步驟可以執行在一個或更多個 平台上’同時-個或更多個其他平台可被用於曝光。 該微影裝置也可以屬於-種在該基板之至少—部分是被 具有很高折射率之液體所覆蓋的裝置，例如水，用以填滿 該投影系統與該基板之間的空間。一沉浸液體也可以施加 於該微影裝置之其他空間’例如在該遮罩與該投影系統之 間。浸沒技術在該技藝中為人習#，可用以增加投影系統 之數值孔徑。在此所使用的術語”浸沒”並非指—像是一基 板的結構必須被浸入液體之中，而是指在曝光期間液體被 放在該投影系統與該基板之間。 參考圖1，該照明器IL從一輻射源SO接收一輻射光束。 在輻射從該來源SO傳播到該照明器比之路徑上，提供一雜 O:\107\1077321-970812.DOC 5 1077321-970812.doc -14- 1302229 質過濾系統FS。該雜質過濾系統!^實質上傳送該輻射而從 〃亥幸田射中過慮出雜質粒子。該來源及該微影裝置可以是獨 立個體，例如該來源是一準分子雷射。在該等範例中，並 沒有將該來源視為形成該微影裝置的一部分，而該輻射光 束藉助一光束傳遞系統，從該來源S〇被傳送到該照明器 IL，該系統包含例如適當的引導鏡及/或一光束擴展器。 在其他範例中，該來源可以是該微影裝置之一體成型部 分，例如當該來源是一汞燈。該來源s〇及該照明器江，如 果有需要的話還有該光束傳遞系統，其稱為一輻射系統。 該照明IL包含一調整器，用以調整該輻射光束之角向 強度分佈。大體上，在該照明器之光瞳平面上，該強度分 佈之至少該外部及/或内部徑向範圍（一般分別稱為〜外部 及σ ·内部）可以被調整。此外，該照明器IL包含各種其他 組件，像是一積分器及一聚光器。該照明器可以用於處理 。亥幸田射光束，以便在其橫斷面上具有一要求均勻度及強度 分佈。 該輕射光束B入射於該圖案化裝置（例如遮罩mA)，其被 夾持在該支撐結構（例如遮罩平台ΜΤ)上，且是由該圖案化 衣置圖案化。將該遮罩ΜΑ移動後，該輻射光束Β通過該投 影系統ps，其將該光束聚焦在該基板w之一目標部分c 上。藉助該第二定位器PW及位置感測器IF2(例如一干涉裝 置、線性編碼器或電容式感測器），該基板平台wt可以精 確地移動，例如，以在該輻射光束B之路徑上定位不同的 目標部分c。類似地，該第一定位器PM及其他位置感測器 O:\107\1077321-970812.DOC 5 1077321-970812.doc 1302229 ⑻可用以精確地定位該遮罩MA相關於該韓射光束B之路 徑，例如從一遮罩庫做機械式修正後， 間。大體上，該遮罩平台Μτ 一疋在知描期 十σΜΤ之移動可以藉助一長程模组 (粗略定位）及-短程模組（精細定位）而實現，其㈣㈣
-定位之部分。類似地，該基板平台wt之移動可以 使用-長程模組及一短程模組而實現’其形成該第二定位 器PW之部分。在-步進器（相對於一掃描器）之範例中，該 遮罩平台MT係只連接到一短程啟㈣，或是固定不動。 遮罩MA及基板W可以使用遮罩對準標記⑷、⑽及基板對 準標記PI、P2來對準。雖然該等所描述的基板對準標記佔 有專屬目標部》，它們可以被放置在目標部分之間（這些 已知為劃線道對準標記）。類似地，在一個以上的晶粒被 提供在該遮罩MA上的情形下，該等遮罩對準標記可以被 放置在該等晶粒之間。 該說明裝置可以使用在下列模式中至少一者： 1·在步進模式，該遮罩平台MT及該基板平台買丁基本上 保持不動，同時一被賦予到該輻射光束之整個圖案係一次 被投射到一目標部分C(即一單一靜態曝光）。該基板平台 WT接著在該X及/或γ方向上偏移，使得一不同目標部分c 可以被曝光。在步進模式中，該曝光範圍的最大尺寸限制 在一單一靜態曝光中所成形之目標部分c的大小。 2.在掃描模式中，該遮罩平台MT及該基板平台WT係被 同步掃描，同時一被賦予到該輻射光束之圖案係被投射到 一目標部分C(即一單一動態曝光）。該基板平台WT相對於 O:\107\1077321-970812.DOC 5 1077321-970812.doc -16- 1302229 該遮罩平台町之速度及方向可以藉由該投影系統ps之放 ^縮小）倍率及影像反轉特徵決定。在掃描模式中，該曝 光耗圍之取大尺寸限制了在—單—動態曝光中該目標部分 之寬度（在該非掃描方向上），而該掃描動作的長度決定該 目標部分之高度（在該掃描方向上）。 3·在其他模式中’該遮罩平台MT基本上保持不動地夹持 一可程式化之圖案化裝置，及該基板平台WT被移動或掃 描’同時一被賦予到該輕射光束之圖案係投射到一目標部 分C上。在此模戎中，士鱗 大體上，一脈衝式輻射源被採用而 在該基板平台WT每次移動之後或是在—掃描期間在連續 韓射脈衝之間，該可程式化圖案化裝置係依要求而更新。、 4插作模式可以很容易地施加於無遮罩式微影，其使用可 私式化圖案化裝置，像是—如上文所指類型的可程式化面 上文所“述之使用模式或完全不同使用模式的組合及/ 變化也都可以被採用。 ±圖2概略說明一雜質過據系統FS，其係配置用以在使用 時，從由一來源(未顯示)所發射之輻射之預先決定的橫斷 面中過濾出雜質粒子。固。^ ^ 貝卞于圖2之雜質過濾系統Fs是從一 決定的位置觀看的方式顯 、、貝不，其位置在使用時是意圖要盥 該來源產生輻射之所在位 /、 罝致。忒專泊片FI、F2係以線 1 一不〃理由會在下文中變得清楚。在此範例中，该預 先決定的橫斷面是指該雜質過濾系統FS在稱為81之料盥 稱為S2之部分之間延伸的部分。在此範例中，該預先決^ O:\107\1077321-970812.DOC 5 I077321-970812.doc 1302229
、松畊面因此實質上為一環狀橫斷面。該雜質過濾系統F S ，含一第一組箔片F1及一第二組箔片F2，用於捕抓該等雜 質粒子。該第一組之每箔片F1係熱連接到一支撐S1，在此 乾例中是指一第一環FR。該第二組之每箔片F2係熱連接到 一支撐S2，在此範例中是指一第二環SR。該第一環fr& 忒第一 ί衣SR在空間上是分隔的，而具有該相同軸ra。該 第一組之每箔片F1朝向該第二環SR延伸，而該第二組之每 肩片F2朝向該第一環FR延伸。換言之，該支撐§丨呈環 狀而δ亥支撐SR&呈環狀。該第一組箔片ρ 1之每箔片F i 是例如焊接到該支撐S1。該第二組箔片F2之每箔片F2是例 如焊接到該支撐S2。該等箱⑽、F2是由實質上包含銦的 材料構成。該等支撐也是由實質上包含鉬的材料構成。 該雜貝過濾系統FS尚包含一第一散熱器Hs丨及一第二散 熱器HS2。該第-組之每片F1係熱連接到該第一散熱器 HS1而該第二組之每箱片F2係熱連接到該第二散熱器 則2。該等散熱器之可行結構將進_步描述於文後。在使 用時’透過該第-組之每落請，熱實質上被傳導到該第 一散熱器腹。透過該第二組之每“F2，熱實質上被傳 導到該第二散熱器緩。該第-組猪片F1實質上是在該預 先決定橫斷面之-第-方向中延伸，而該第二組箱㈣實 質上是在該預先決定橫斷面之一第二方向中延伸。該第一 部分包含該第-組所有^F1，而該第：部分包含該第二 組所有箔片F2。該第一部分及該第二部分實質上並未重 O:\107\1077321-970812.DOC 5 1077321-970812.doc 1302229 在圖2中可以知悉相較於每箔片從支撐S1延伸到支撑s2 的情形，該等箱片F1、F2短很多。要被傳送到該個別散熱 器之每箱片FI、F2之熱量相較於另一種情形下要被傳送到 一散熱器之熱量是少很多，該情形為一箔片被連接到該等 支撐S1或S2中之一者，及箔片延伸在該支撐81與該支撐“ 之間整個距離而可以與其連接或不連接。 對於该等箔片F1、F2之結構強度及/或對於將該等箔片 FI、F2平均地排列，實質上呈熱絕緣且非常剛硬的線可以 連接該等绪片F1、F2之自由端。為了清楚起見，這些線並 沒有在任何一圖式中顯示。 同樣地，如圖2-5中所示，同樣可行的是該第一組及該 第二組之該等箔片FI、F2分別地除了與個別散熱器HS1、 HS2的連接之外，與該雜質過濾系統FS之任何其他部分並 沒有連接。這允許該雜質過濾系統FS具有一良好光學傳 輸，以及讓每箔片具有可將熱傳導遠離該個別箔片的一單 一路徑。該第一及第二部分之相對尺寸，以及該等第一箱 片F1及忒等第二箔片F2之相對尺寸，其都可以被選擇，使 得當使用時曝光於該輻射光束的時候，該雜質過濾系統fs 之每個位置保持在使用時低於一預先決定的最大溫度。同 樣地，該等個別散熱器HS1、HS22冷卻功率可以經選擇 使付當曝光於該輻射光束時，該雜質過濾系統”之每個位 置保持低於一預先決定的最大溫度。大體上，該雜質過濾 系統FS因此可以被配置使得該雜質過濾系統以之每位置保 持低於该預先決定的最大溫度。有關該等散熱器贈、 O:\107\1077321-9708I2.DOC 5 1077321-970812.doc -19- 1302229 HS2之可行建構將進一步詳細描述於文後。
如同圖2中所示，該第一、组之某一羯片^及該第二組之 某一 f白片F2實際上是在該相同虛擬平面上延伸。在該虛擬 平面上，在該第-組之箱片F1與該第二組之洛片F2之間的 距離係被選擇以當在使用時，該第一組之箱片^及該第二 組之猪片F2到達其分別最大溫度時，保持該第—組之箱片 F1及該第二組之箔片F2之間的間隙。這是指對於每箔片， 當到達它們最大熱膨脹時，在某—虛擬平面之内的該等箱 片仍然不會熱連接。每落片F1、F2是與延伸通過該預先決 疋位置的虛擬平面重合’其在使㈣要與產生該輕射之來 源（未顯示）重合。因此’該等箱片F1、F2係以圖2_圖5中的 線條表示。在使用時，該輻射因此將沿著該等箔片Η、Μ 傳播。 口為根據本《明之-實施例之—雜質過據系統fs之箱片 FI、F2在曝光於例如EUV輕射時將保持低於―預先決定的 最大溫度，故可設計該雜質過濾系統使得該預先決定的溫 度低於某’皿度，在5亥溫度下，例如由錫雜質粒子所形成 之錫滴會在該箔片被加熱時從該等箔片以、咖發離開。 圖3顯示根據本發明之-雜質㈣系統之實施例，其中 該第一組之一箔片F1在兮势 f 在该弟二組之兩箔片F2間延伸一很小 部分，反之亦然。其優^ 炎·、、、占為存在於該第一組之箔片F丨與該 第二組之箔片F2之間的間階 n卩永所造成在光學傳輸中突然的峰
值會發生在圖2所示的訾尬A 焉知例中，而不會發生在圖3所示的 實施例中。再者，假如哕汹：所、a、上/ 為雜貝過濾糸統FS是要繞著一旋轉 O:\107\1077321-970812.DOC 5 1077321-970812.doc -20- 1302229 軸RA旋轉，在該預先決定的橫斷面將不會有一角向部份 存在，雜質粒子可以透過該部分而沿著該輻射傳播方向移 動，沒有被該等箔片FI、F2攔截。可行的是施加第二箔片 F2的數量少於施加第一箔片F丨之數量，以允許在所有該等 箔片FI、F2之間有類似的距離。 圖4顯示根據本發明之一雜質過濾系統”之實施例，其 中在一第一箔片F1與一第二箔片F2之間可保持一間隙，兩
者皆在該相同虛擬平面上延伸。然而，因為該等箔片F 1之 長度及該等箔片F2之長度在一切線方向上交替變化，所以 當該雜質過濾系統繞著該旋轉頭RA旋轉時，一第一箔片 F1與一第二箔片F2之間的每間隙即被一第一箔片η或一第 二箔片F2”覆蓋”。 圖5顯示一根據本發明之一雜質過濾系統^之實施例， 其中該第-組羯片F1與該第二組羯片F2多少是隨機地分別 散佈在該預先決定的橫斷面的第一部分及第二部八上直 優點在於該雜質過濾系統FS之光學傳輸的可能不：：性: 少被散佈在該整個預先決定的橫斷面上。 >， ί兴ό之’光學傳 輸之某些峰值仍然會發生，但是該相對高度 同前文所指出，該雜質過濾系統FS '夕 王少一部分是可以移 動使得該第一組之每箔片F j及/或該第一 布一組之每箔片F2可 以在使用時藉由當雜質粒子沿著該輻 、之傳播路捏的期間 被攔截，主動捕抓雜質粒子。 的^間 圖6及7皆顯示根據本發明之一雜質 抑\ 、德糸統之實施例的 一口 P刀。圖6及7都可以被視為側視圖， 其與圖2-5有關。 O:\107\1077321-9708I2.DOC 5 1077321-970812.doc -21 - 1302229 該第一支撐SI，在此範例中為該第一環fr，其顯示具有圓 錐狀。該第二支撐S2,在此範例中為該第二環SR，其顯示 具有圓柱狀。當然該第二環SR也可以呈圓錐狀。圖6及7顯 不一沿著一線條I-Ι之橫斷面，其顯示在該等圖2_5之每圖 式中。同樣地，也顯示該旋轉軸RA沿著一虛擬線VL延 伸’及一來源SO可以被定位使得它與該線vL一致。在圖6 所示的實施例中，該等預先決定的橫斷面包含箔片F，其 從第一環FR延伸到該第二環SR而被連結到至少第一環fr φ 或第二環SR，如同圖7中所示。然而，如同圖7中所示，該 預先決定的橫斷面也可以包含兩組箔片F1、F2，其是圖2 5中所示之其中一形式。它也施加於至少一箔片在支撐w 與支撐S2之間延伸，而該箱片是與一平坦的虛擬平面重 合，其延伸通過該預先決定的位置，即在使用時該位置與 • 該來源SO重合。 對於圖6及7中所示的實施例，尚成立在該箔片與該預先 Φ 決定的位置之間在使用時與一來源SO重合，一拉緊的線 TW在該前述平坦的虛擬平面之内延伸。這是指假如該拉 緊的線TW不存在時，從該來源8〇所傳播而原本會擊中該 箔片之輻射現在將會擊中且加熱該拉緊的線Tw，而不是 該箔片。結果，該箔片是在該拉緊的線丁…的陰影内，而 不會吸收（謂）幸畐射，因此不會由於吸收（EUV)輕射而被 加熱。這顯著地降低該箱片在操作狀況下會到達的溫度。 該拉緊的線TW可以被連接到該荡片F。它可以施加，例 如藉由在該前面部分與該箱片其餘部分之間提供一排孔 O:\107\1077321-970812.DOC 5 1077321 -970812.doc __ 1302229 、洞’-箔片之前面部分實際上是一拉緊的線。 如同圖6中所示’該拉緊的線τ”以藉由一像是彈菩之 彈力元件处來保持緊張狀態是可行的。該拉緊的線 與該箱片F熱絕緣也是可行的。假如該線不是該箱片之一 體成型部分，該拉緊的線丁W可以由含有组及/或鹤之材料
製造。 W m在圖6所示的實施例中，該拉緊的線TW完全沿著該第一 =FR之直仏延伸。如同圖7中所示，使用兩條拉緊的線TW 疋可订的。母條拉緊的線Tw可以從在該第一支撐上的 位置延伸到在該第二支撐82上最近的位置。 圖8及圖9更詳細地顯示該散熱器HS1及該散熱器㈣如 何建構。δ亥等散熱器HS1及HS2每個分別包含支推W及支 撐S2 ’以及分別包含一冷卻系統⑶及⑶。部分μ及部 分S2皆屬於某一環狀支撐是可行的。 圖8可以視為顯示—該環狀支樓之概略橫斷面。-對稱 • 車由SA是以線駐概略表*。落片F1及箱片F2都連接到該支 撐之軸。在此祀例中，該軸可以與線條l一致。然而，箱 片Η及箱片F2彼此不相連接也是可行的這猶後將加以描 述。在該支樓為環狀（包含支撐部分Μ%)的實施例中， 對柄軸SA可以與一虛擬直線一致，該直線延伸穿過一預先 決定的位置，該位置是要與產生_之來源一致。 π進:步可行的是落片F1&f|>}F2彼此連接，即共同形成 單泊片在5亥只施例中，可行的是支樓^及支擇Μ是為 分開的支揮，其是由該箱片隔開。例如，支撑叫戈表一外 O:\107\1077321-970812 DOC 5 1077321-970812.doc -23- 1302229 環之橫斷面’而支撐S2代表—内環之橫斷面。在該情形 下’線條L並非代表一對稱軸線。 同樣可行的是線條L代表-對稱平面而該雜f過遽系統 包含複數個彼此互相平行之辖片。 该雜質過濾系統包含一冷卻系統cs。該冷卻系統cs包 含部分CS1及CS2。 在該個別支撐呈環狀的範例，該個別冷卻系統cs也可以 呈環狀。在某些實施例中，線條此也代表該冷卻系統 CS之對稱軸。對於圖8中所示之雜質過濾系統之部分的進 一步描述，只參考該上半部，即線條[之上方。該上半部 的描述對於該下半部也是成立的。 忒冷邠系統CS 1具有一被配置欲冷卻的表面A1。該冷卻 系統CS 1及該支撐S 1係相對於彼此而定位，使得一間隙G 係被形成在該冷卻系統CS1之表面A1與該支撐81之間。該 冷卻系統CS1尚被配置以將氣體射入該間隙G。該氣體及 其ML動方向是以虛線箭頭表示。在圖8所示之實施例中， 在一該氣體進入之入口位置EP與一該氣體離開之出口位置 XP之間的路徑P形成一曲折路徑P。因為該路徑P是一曲折 路径，所以當該從該入口位置Ep流向該出口位置χρ時， 射入到该間隙之氣體會碰到一大阻力。該曲折路徑避免氣 體從該間隙G洩露到其週遭環境。該路徑是一直線路徑也 可行。相較於所顯示之實施例，當該氣體移向出口位置χρ 時所遇到的阻力則會比較低。該支撐81可以被提供一凹處 R1 ’用以在該氣體離開該間隙G之前存放該氣體。在該凹 O:\107\1077321-970812.DOC 5 1077321-970812.doc -24- 1302229 處的壓力大約為1000Pa，而該周圍壓力約為1〇Pa。該凹處 R1因此可以提供一緩衝的地方，在該處射入氣體冷卻該支 撐S1。 该間隙G可以使得在該表面A1與該支撐s丨之間的最小距 離是在大約20微米到大約200微米之間變化。該間隙也可 以使得在該表面A1與該支撐S1之間的最小距離是在大約4〇 微米到大約1 00微米之間變化。 该冷卻系統CS1之表面A1係被配置用以藉由一流體冷 卻。為此目的，該冷卻系統CS1包含一通道，其在表面A1 之一次表面上延伸。在使用時，較冷的水進入通道入口 CEA而流通該通道c，然後在通道出口 cx離開。在該範例 中’表面A1之次表面將是以大約仍然與在通道入口 cea處 進入該通道C的水一樣冷的水冷卻。該冷卻系統cs丨也可 以被配置用以在該氣體射入該間隙G之前先冷卻該氣體。 以通道入口 CE A所表示的位置取代水的入口，而讓水進入 該通道的地方為以CEG所表示的位置是有利的，這使得水 可以先沿著一射入通道1C前進，在使用時氣體是透過該通 道射入到該間隙G。這允許冷卻在該射入通道IC中的氣 體’或是允許該氣體在該射入通道尚保持冷卻。當然也可 行的是該射入通道C及該表面a 1係由獨立的冷卻機構冷 卻0 不使用水，也可以使用任何其他適當的冷卻媒體。雖然 並未顯示’但是很清楚的是，通道C之入口及出口是分別 與進氣道及排氣道連接，這使得沒有用於冷卻該冷卻系統 O:\107\1077321-970812.DOC 5 1077321-970812.doc -25- 1302229 的水及/或任何其他冷卻媒體將進入該等冷卻系統之周圍 及/或該雜質過濾系統。經由射入通道1(：所射入到該間隙g 的耽體可以是氬氣’或是任何其他具有良好冷卻性質且較 為惰性之氣體。 當該雜質過濾系統係曝光於EUV輻射而從該EUV輻射朝 向一收集系統傳播所沿的路徑過濾出雜質粒子，及該雜質 過濾系統以大約3〇〇〇 rpm在真空環境中旋轉時，由於吸收 EUV輻射及雜質粒子撞擊在箱片上的結果，該等落片及其 支撐很有可能要吸收大約】kw的功率。在不希望受到任何 理雨限制下出當氬氣係射入該間隙G時可以移除大約 等於丨·3 kW的熱量，使得在該凹處R1中壓力到達1000
Pa’该支撐及該冷卻系統⑶之已冷卻表面之間的溫差大 約為200 K，而該表_包含―大⑴26*ΐ()·、2的面積。 在此連接中所採料熱轉移係數約為〇 7w/m2*K*h，而該 效率没約為0 · 8 5。兮# # q 1漁—》 々支撐S1與在該間隙内之該表面Α1之 間的农短距離係假設約在4 〇到 中’該週遭的壓力約為10 mbar 撲所使用的材料假設為不銹鋼， 約為2 0 0毫米。 100微米之間。在此範例 。根據該評估，製作該支 其厚度約為2公分而直徑 圖9說明根據本發明實 貝w 1夕J又倣影裝置、輻射系 統及雜質過渡系統之其他部分。在此情形下，該支樓81及 S2包含-環狀支揮的一部分，其繞著—對稱轴線SA及一 冷卻糸統CS旋轉配置，其 、隹便用日寸相對於該等部份S1及 S2之支撐保持靜止不動，Α 疋枝略·、、、員不。該等箔片F 1、F2 O:\107\1077321-970812.DOC 5 1077321-970812.doc -26- 1302229
盆八於該對稱軸線SA徑向延伸。此處存在_射人通道ic， =成—部分，其引導向凹處R1及另-部分，其引導向凹 ^ _2。另外的結構特徵是與圖8所說明的相同。在圖9中所 顯不的冷卻系統CS作用與在圖8中所說明的冷卻系統相 =。可行的是該支撐S1、S2係由於—驅動機構而可以旋 士 :=機構將力量傳送到一外環（未顯示），在該實施例中 遠等WF1、F2係被連接到該外部環。然而，也可行的是 "等支撐S1、S2實際上是經由例如熱絕緣連接而連接到冷 部系統cs，而該冷卻系統cs驅動該等支撐Sl、s2旋轉。 在该後面實施例中，並不需要將該等箔片F1、^連接到例 如一外環。 雖然在本文中有特定參考在ICs製造中微影裝置的使 用，應了解的是在此描述的微影裝置可以具有其他應用， 像是積體光學系統之製造、引導及檢測圖案用於磁域記憶 體、平面顯示器、液晶顯示器（LCDs)、薄膜磁頭等等。熟 悉該項技藝者應了解在該等可替代應用的文中，在此使用 任何該等術語”晶圓”或”晶粒”可以分別視同與該較為一般 術語”基板”或，，目標部分，，具有相同意義。在此所指的基板 在曝光前後可以藉由例如一執道（典型施加一層光阻劑於 一基板並且顯影該曝光光阻的工具）、一度量衡工具及/或 一檢驗工具。應用時，本發明也可以施加於該等基板處理 工具及其他基板處理工具。再者，該基板可以處理一次以 上’例如為了產生一多層式1C，所以在此所使用的術語基 板也可以4曰已經包含多數處理層的基板。 O:\107\1077321-970812.DOC 5 1077321-970812.doc 1302229 雖然上文中，在光學微影的背景下，其料參考於本發 明實施例的使用情形’應了解的是本發明可以使用在其二 應用中，例如印刷（imprint)微影，亥背景允許作不限於 ^學微影。在印刷微影中，在—圖案化㈣中拓樸形狀定 義要在-基板產生的圖案。該圖案化裝置之拓樸形狀可以 被壓印到-層提供給該基板之光阻劑上，在其上該光 係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或上述組合而固化。^ 光阻固化之後，該圖案化裝置係被移除掉該光阻劑，= 裝置上留下一圖案。 Μ 在此使用的術語"輻射"及"光束”涵蓋所有類型的電磁幸a 射，其包含紫外線（U，射（例如其波長是或大約是初 355、248、193、157或126奈米）及超紫外線⑽V)輕射（例 如其波長為5-20奈米的範圍内）。 本内文所用的該術語"透鏡"指的是各種光學組件的任何 一種或任何組合’其包含折射式、反射式、磁性、電磁性 及靜電光學組件。 电兹1^ 雖然本發明之特定實施例已經於上文中加以描述， 應了解的是本發明也可以用上述實施例以外者實施。例 口，本發明可以採取-電腦程式的形式，其包含 序列的機器可讀取指令，直#、f — 夕 取才"其描述在上文中所提到的方法， 或疋-貧料儲存媒體(例如半導體記憶體、磁 片）’其具有該電腦程式儲存於其内。 < 予” =ssroc5 上文之描述是要用以說明而非加以限制。因此 悉該項技藝者很明顯的是對於上述本發明的修改型式可 28- 1302229 在不背離文後請求項的範圍下完成。 【圖式簡單說明】 且參考該伴隨概略圖 示對應的纟且件，及盆 本發明之實施例將經由僅作舉例， 式加以描述，其中對應的參考符號表 中：
圖1概略說明根據本發明之一實施例之一微影裝置. 圖2概略說明根據本發明之一實施例之一微影裴置 輻射系統及一雜質過濾系統的一部分； 圖3概略說明根據本發明之一實施例之一微影裳置 輕射系統及一雜質過濾系統的_部分； 圖4概略說明根據本發明之一實施例之一微影裝置 輕射系統及一雜質過濾系統的一部分； 圖5概略說明根據本發明之一實施例之一微影裝置 輻射系統及一雜質過濾系統的一部分； 圖6概略說明根據本發明之一實施例之一微影褒置 輻射系統及一雜質過濾系統的一部分； 圖7概略說明根據本發明之一實施例之一微影裝置 輻射系統及一雜質過濾系統的一部分； 圖8概略說明根據本發明之一實施例之一微影袭置 輻射系統及一雜質過濾系統的一部分；及 圖9概略說明根據本發明之一實施例之一微影襄置 輻射系統及一雜質過濾、系統的一部分。 【主要元件符號說明】 A1 表面 O:\107\1077321-970812.DOC 5 1077321-970812.doc •29- 1302229
B 輻射光束 C 目標部分 CS 冷卻系統 CEG 進入通道 CX 通道出口 CEA 通道入口 CS1 冷卻系統 CS2 冷卻系統 EP 入口位置 FI 箔片 F2 箔片 FR 第一環 F 箔片 FS 雜質過濾系統 G 間隙 HS1 第一散熱器 HS2 第二散熱器 IL 照明系統 IF1 位置感測器 IF2 位置感測器 IC 射入通道 L 線條 MA 圖案化裝置 Ml 遮罩對準標記 O:\107\1077321-970812.DOC 5 1077321-970812.doc -30 1302229
M2 遮罩對準標記 MT 支撐結構 PS 投影系統 PI 基板對準標記 P2 基板對準標記 PM 第一定位器 PW 第二定位器 P 曲折路徑 RA 相同轴 RE 彈力元件 R1 凹處 R2 凹處 SO 幸昌射源 SI 支撐 S2 支撐 SR 第二環 SA 對稱軸線 TW 拉緊的線 W 基板 WT 基板平台 VL 虛擬線 XP 出口位置 O:\107\1077321-970812.DOC 5 1077321-970812.doc -31
Claims (1)
1302229 、申請專利範圍： 一種微影裝置，其包含： --輻射系統’其用以形成一投影輻射光束，其包含： (a) —輻射源，其發射輻射； 拳 ⑻：雜質過遽系統’其用以從由該輕射源所發射的 _射的預先決定的橫斷面中過據雜質粒子，其中 該雜質過濾系統包含至少—第—組落片及一第二 組箔片，用於捕抓該等雜質粒子；及 ⑷-照明系統’其用以形成由該韓射源所發射的輻 射到一調整輻射光束；及 上 第 投影系統，其用以投射該投影韓射光束到一基板 其中該雜質過渡系統尚包含至少_第—散熱器及一 散熱器；其中該第-組羯片之每個羯片係熱連接到 :亥弟-散熱器，而該第二組箱片之每個落片係熱連接到 该第二散熱器’使得在使用時，透過該第—組之每個窄 片熱實質上可以傳導到該第一散熱器，而透過該第二:且 之每個箱片熱實質上可以傳導到該第二散熱器；及 其中該第-組箱片實質上在該預先決定的橫斷面之一第 π刀延伸’而該第二組箔片實質上在該預先決定的橫 斷面之-第二部分延伸’該第一部分及該第二部分實質 上並沒有重疊。 、、 2.如請求項！之微影裝置，其中該第一、组箱片中至少—爷 片：/或該第二組羯片中至少一落片，除了其與該個別散 熱器的連接之外，其相關於該雜質過濾系統之其他部分 0:\107\1077321 -970812.DOC 6 1077321-970812.doc 1302229 係未連接。 3 ·如W求項1之微影裝置，其中該雜質過濾系統係被配置 使知當曝光於該輻射光束時，實質上該整個雜質過濾系 統保持低於一預先決定的最大溫度。 4·如請求項1之微影裝置，其中該第一組箱片中至少一落 片及該第二組箱片中至少-羯片實質上在該相同虛擬平 面上延伸。 5.，請求項4之微影裝置，其中在該第一組羯片之猪片與 該第二組箱片之個別箱片之間在該虛擬平面上的距離係 經選擇，因此當該第一细 、 口匕田〇1弟組之洎片及該第二組之個別箔片 到達其個別最大溫度時，伴 了 保符遠弟一組之箔片與該第二 、、且之個別箔片之間的間隙。 6·如請求項4之微影裝置，1 參 中4虛擬平面延伸通過一預 先决疋位置，該位置是要盥 人。 〃輻射源發射輻射之位置重 7·如請求項〗之微影裝置，其 片係在該第-袓笮Η + 、、且治片中至少一箔 弟一組“之兩箱片之間延伸 如吻求項1之微影裝置，苴中 部份是可移動的，使得該第系統之至少一 第二組箱片之每個箱片在使用時二::個簿片及/或該 該輻射值Μ 乂、# u 稽由在雜質粒子沿荽 平田耵得播别進的路徑過 貝Τ 丁，口者 質粒子。 將其攔截’主動地抓取雜 9.如請求们之微影裝置，其中— 係連接到-第-環，而該第二組f片之每個荡片 sssr-6 '之母個落片係連接 λ 1302229 環及該第二環 呈空間性分離且具 到一第二環，該第 有一共同軸線。 10·如請求項9之微影裝置，其中該 . 、、且、/白片之每個箔片 朝向該第二環’而該第二组箔片 向該第—環。 ，自片之母個箱片延伸朝 求項1之微影裝置，其中該第-及第二散熱器中至 少一個係配置成主動冷卻。 12. 如請求項u之微影裝置’其中該第一及第二散熱器之每 個係配置成獨立於任何其他散熱器而冷卻。 13. 如請求仙之微影裝置，該第一及第二散熱器中至少一 '包含至少一支撐，用於與該第一或該第二組羯片之每 個箱片連接’及一冷卻系統’其具有一表面其經配置 以被冷卻，該冷卻系統及該至少—支禮是相對於彼此而 被定位，使得在該冷卻系統之表面與該支撐之間形成一 間隙，該冷卻系統進一步被配置以將氣體注入該間隙 内0
14.如明求項13之微影裝置，其中在一供該氣體進入該間隙 内的入口位置與一供该氣體離開該間隙的出口位置之間 的一路徑形成一曲折路徑。 15·如請求項13之微影裝置，其中該間隙是使得在該冷卻系 統之表面與該至少一支撐之間的最小距離是在一範圍 内’該範圍大約在20微米到200微米之間。 16·如凊求項15之微影裝置，其中該間隙是使得在該冷卻系 統之表面與該支撐之間的最小距離是在一範圍内，該範 O:\107\1077321-970812.DOC6 1077321-970812.doc 1302229 圍大約在40微米到100微米之間。 I7·如請求項13之微影裝置，其中該支撐呈環狀。 18.如請求項17之微影裝置，其中該支撐為可旋轉。 19·如請求項13之微影裝置，其該冷 节、也之表面係被配置 成相關於該支撐而呈固定。 20·如請求項13之微影裝置，其中該冷 1乐、、死之表面係被配 I成由一流體冷卻。 21.如請求項20之微影裝置，其中該流體為水。 22·如請求項13之微影裝置，其中該氣體為氬氣。 23. 如請求項13之微影裝置，其中該切係配置—凹處，用 以在該氣體流入該間隙之前保存該氣體。 24. 如請求項13之微影裝置，其 P糸統係被配置成在 將该*1體注入該間隙内之前先將其冷卻。 25·如請求項丨之微影裝置，其中該第：組羯片中至少一猪 片及/或該第二組箔片中至少一落併 ' JTL ^ ^ ^ 只貝上與一平坦虛擬 平面重δ ’其延伸通過一預先決 ,,^ 夫弋的位置，該位置實質 疋要與該輻射源發射輻射之位 一您Η漁# , 1置重合，其中在該至少 一泊片與该預先決定的位置之間，一 τ 拉緊的線延伸在該 平坦的虛擬平面上。 〃中"亥拉緊的線係連接到該至 其中该拉緊的線是由至少一彈 其中该拉緊的線係與該至少一 26·如請求項25之微影裝置 少一箔片。 27.如請求項25之微影裝置 簧元件拉緊。 28·如請求項25之微影裝置 〇:\107\1077321 -970812.DOC 6 I07732l-9708l2.doc 1302229 猪片呈熱絕緣。 •如明求項25之微影裝置，其中該拉緊的線是由一含有鈕 亡鎢之金屬中至少一者之材料製成。 3〇·種輻射系統，其用以形成一輻射光束，其包含： (a) 一輻射源，其發射輻射； (b) —雜質過濾系統，其配置用以從由該輻射源所發射 的幅射的預先決定的橫斷面中過濾雜質粒子，其中 該雜質過濾系統包含至少一第一組箔片及一第二組 $片’用以捕抓該等雜質粒子；及 (C) 一照明系統，其用以形成由該輻射源所發射的輻射 到一調整輻射光束； 其中該雜f過遽系、统肖包含至少—第一散熱器及一第二 散熱器； 其中該第一組箔片之每個箔片熱連接到該第一散熱器， 而第二組箱片之每個箔片熱連接到該第二散熱器，使得 在使用時，透過該第一組箔片之每個箔片，熱實質上被 傳導到該第-散熱器，而透過該第二組箱片之每個箱 片’熱實質上被傳導到該第二散熱器；及 其中°亥第一組箔片實質上在該預先決定的橫斷面的一第 :部份上延伸，而該第二組箔片實質上在該預先決定的 &斷面的-第二部份上延伸’該第_部份及該第二部份 實質上並未重疊。 3 1.如明求項3 0之輻射系統，其中該第一組箔片之至少一箔 片及/或忒第—組箔片之至少一箔片，除了其與該個別散 O:\107\1077321-970812.DOC 6 1077321-970812.doc 1302229 熱器的連接之外，其與該雜質過遽系統之任何其他部份 並未連接。 士明求項30之輻射系統，其中該雜質過濾系統係被配 置，以致使該整個雜質過濾系統曝光於該輻射光束時， 其實質上保持低於一預先決定的最大溫度。 月求員30之輻射系統，其中該第一組箔片之至少一箔 片及該第二組羯片之至少一羯片實質上延伸在 虛擬平面上。 34:求項::之輕射系統，其中在該第-組猪片之猪片與 妳、g /自片之個別箔片之間在該虛擬平面上的距離係 經選擇，因此去 田。Λ弟一、、且之箔片與該第二組之個別箔片 到達其個別的# 士、w ^ 二組之個別…:::隙保持該第一組之“與該第 中該虛擬平面延伸通過-預 合。 其疋要與該輻射源發射輻射之位置重 36.如明求項3〇之輻射系統 片係在該第_ , 八T該弟一組殆片中至少一箔 Λ弟一組箔片之兩箔 37·如請求項30之幸”… 小部份。 部份是可移私、’、、其中该雜質過濾系統中至少一 第二組箱：’使得該第 '組落片之每個箱片及/或該 該幸畐射傳播片在使用日夺’藉由在雜質粒子沿著 質粒子。％ ^過程中將其攔截，主動地抓取雜 38.如請求〜射系統，其中… 、…組箱片之每個簿片 1302229 而該第二組箔片之每個箔片係連接 環及該第二環係呈空間性分離且具 系統，其中該第一組箱片之每個落片 ，而該第二組箔片之每個箔片延伸朝 饥,請求項30之輕射系統，其中該第一及第
少一個係配置成主動冷卻。 一中至 化如請求項40之轉射系統’其中該第一及第二散熱器之每 個係配置成獨立於任何其他散熱器而冷卻。 42·如請求項4〇之轄射系、统，該第-及第二散熱器中至少一 個包含至少一支撐，用於與該第一或該第二組箔片之每 個:白片連接’及一冷卻系統，其具有一表面，其經配置 、：冷部4冷邠系統及該至少-支撐是相對於彼此而 被疋位使传在該冷卻系統之表面與該支
係連接到一第一環， 到一弟二環’該第一 有一共同軸線。 39,如請求項38之輻射 延伸朝向該第二環 向該第一環。 間隙，該冷卻系統進-步被配置以將氣體注入該^隙 内0 43. 如請求項42之轄射系統’其中在一供該氣體進入該間隙 内的入口位置與-供該氣體離開該間隙的出口位置之間 的一路徑形成一曲折路徑。 44. 如„月求項42之輪射系統，其中該間隙是使得在該冷卻系 統之表面與該至少一支擇之間的最小距離是在一範圍 内，該範圍大約在20微米到2〇〇微米之間。 45’ 士。月求員44之輻射系統，其中該間隙是使得在該冷卻系 O:\107\1077321-970812.DOC 6 1077321-970812.doc 1302229 統之表面與該支撞 牙之間的最小距離是在一範圍内， 诸Π丄从》上 A . 該範 圍大約在40微米到咖微米之間_ 46.如請求項42之轄射系統，其中該支樓呈環狀。 47·如請求項46之輕射系統，其中該支撐為可旋轉。 4 8 ·如睛求項4 2之Μ身+备4 对糸、、先’其該冷卻系統之表面係被配置 成相關於該支撐而呈固定。 49.如請求項42之㈣系統，其中該冷卻系統之表面係被配 置成由一流體冷卻。 5〇·如請求項49之輕射系統，其中該流體為水。 s长項42之幸§射系統，其中該氣體為氯氣。 52.如請求項42之輻射系統，其中該支撐係配置一凹處，用 以在錢體流過該間隙之前保存該氣體。 53·項42之輪射系統，其中該冷卻系統係被配置成在 將该氣體注入該間隙内之前先將其冷卻。 54· 士明求項30之輻射系統，其中該第一組箔片中至少一箔 S’:：第二組笛片f至少一箱片實質上與-平坦虛擬 a 口，其延伸通過一預先決定的位置，該位置實質 j要與該輻射源發射輻射之位置重合，其中在該至少 平：：二：預先決定的位置之間，一拉緊的線延伸在該 平土-的虛擬平面上。 55. Πΐ=4之輕射系統，其中該拉緊的線係連接到該至 56. 如請求項54之輕射系統 簧元件拉緊。 ^緊的線疋由至少一彈 0:\ 107\ 107732}-970812.D〇C 6 1077321-970812.doc 上观229 ' 57·如請求項54之輻射系统， 箔片呈熱絕緣。 、、，其中該拉緊的線係與該至少一 58. 如請求項54之輻射系 及鎢之金屬中至少— 该拉緊的線是由一含有鈕 59. —種—者之材料製成。 裡雜貝過濾系統，用… 預先決定的横斷面中、二由、所發射的幅射的 別是EUV微影，其包〜雜質粒子，及可用於微影，特 質粒子;及 〆白片及一第二組箱片’用以捕抓該等雜 盆至^第一散熱器及-第二散熱器； :第：、且’自片之每個箔片熱連接到該第一散熱器， 二組箱片之每個羯片熱連接到該第二散埶器，使得 在使用時，透過爷篦,.. 使传 傳導… 1片之每個箱片，熱實質上被 導到该弟-散熱器，而透過該第二組箱片之每個落 片’熱實質上被傳導到該第二散熱器；及 Ί °亥第組^片實質上在該預先決定的橫斷面的一第 一 Μ上延伸’而該第二組猪片實質上在該預先決定的 橫斷面的-第二部份上延伸，該第一部份及該第二部份 實質上並未重疊。 6〇·如請求項59之雜質過濾系統，其中該第一組箱片之至少 -箔片及/或該第二組箔片之至少一箔片，除了其與該個 別散熱器的連接之外，其與該雜質過濾系統之任何其他 部份並未連接。 61.如請求項59之雜質過濾系統，其中該雜質過濾系統係配 O:\107\1077321-970812.DOC 6 1077321-970812.doc 1302229 置以致使該整個雜質過濾系統曝光於該輻射光束時，實 貝上保持低於一預先決定的最大溫度。 •如請求項59之雜質過濾系統，其中該第一組箔片之至少 一箔片及該第二組箔片之至少一箔片實質上是在該相同 的虛擬平面上延伸。 女明求項62之雜質過濾系統，其中在該第一組箔片之箔 片與该第二組箔片之個別箔片之間在該虛擬平面上的距 離係經選擇，以當該第一組之箱片與該第二組之個別箱 2到達其個別的最大溫度時，保持該第一組之箔片與該 第二組之個別箔片之間的間隙。 64·:請求項=之雜質過濾系統，其中該虛擬平面延伸通過 、疋的位置，其是要與該輻射源發射輻射之位置 65.如請求項59之雜質過濾系統、、… 一箔片係在該第二組箔片窄柚， 夕 白片之間延伸一小部份。
.士明求項59之雜質過濾系 少一部份是可移^ 過慮糸統中至 或該第-Γ 使得該第一組笛片之每個簿片及/ 二著二片之每個荡片在使用時，藉由在雜質粒子 取雜質粒子。 戳主動地抓 67·如請求項59之雜質過遽系統， 箔片係連接到γ 弟組泊片之母個 連接到一第二該第二組落片之每個落片係 且且有該第—環及該第二環係呈空間性分離 且具有一共同軸線。 王间r生刀離 O:\107\1077321-970812 DOC 6 1077321-970812.doc 10 1302229 68. ^請求項67之雜質過濾'系統，其中該第一組猪片之每個 箱片延伸朝向該第二環，而該第二組箱片之每個 伸朝向該第一環。 69·如印求項59之雜質過濾系統，其中 ，、甲°亥弟一及弟一散熱器 甲至y —個係被配置成主動冷卻。 〇·如明求項69之雜質過濾系統，其中該第一及第二散熱哭 之每個係被配置成獨立於任何其他散熱器而冷卻。— 71·::求項69之雜質過渡系統，該第一及第二散熱器中至 夕〆個包含至少一支撐’用於與該第一或該第二組箔片 之母個箔片連接，及一冷卻系統，其具有一表面，其經 配置=被冷部，該冷卻系統及該至少一支撐是相對於彼此 而被疋位，使得在該冷卻系統之表面與該支撐之間形成一 間隙，、該冷卻系統進一步被配置以將氣體注入該間隙内。 L月求項71之雜f過濾系統，其中在—供該氣體進入該 間隙内的入口位置與一供該氣體離開該間隙的出口位置 之門的路從形成一曲折路徑。 73.如：求項71之雜質過濾系統，其中該間隙是使得在該冷 部糸統，表面與該至少—支撐之間的最小距離是在一範 圍内，該範圍大約在2〇微米到2〇〇微米之間。 74·如請求項73之_過^統’其中該㈣是使得在該冷 部糸、、先之表面與該支撐之間的最小距離是在 ㈣圍大約在40微米到⑽微米之間。 7 5 ·如請求項7〗+ 、之雜貝過濾系統，其中該支撐呈環狀。 76·如請求項7$夕μ # 队 、之雜貝過濾系統，其中該支撐為可旋轉。 O:\107\1077321-970812 D〇c β 1077321-970812.doc 1302229 77·如明求項71之雜質過濾系統，其該冷卻系統之表面係 配置成相關於該支撐而呈固定。 ’、 7 8 ·如請求j苜7， ^貝71之雜質過濾系統，其中該冷卻系統之表面 被配置成由-流體冷卻。 79·如#求項78之雜質過濾系統，其中該流體為水。 8 0 ·如請灰jg 71 、71之雜質過濾系統，其中該氣體為氩氣。 8 1 _如請求項71 ^ 凹 貝71之雜質過濾系統，其中該支撐係配置一 處’用以在該氣體流過該間隙之前保存該氣體。 8 2 ·如請求jg 7 1 a A 、 貝71之雜質過濾系統，其中該冷卻系統係被配置 成在將該氣體注入到該間隙内之前先將其冷卻。 83.如=求項59之雜質過渡系統，其中該第一組荡片中至少 /白片及/或該第二組箔片中至少一箔片實質上與一 虛擬平Tfl击人 /、 一 杏所 重&，其延伸通過一預先決定的位置，該位置 貝貝上疋要與該輻射源發射輻射之位置重合，其中在該 至少一箔片與該預先決定的位置之間，一拉緊的線延伸 在該平垣的虛擬平面上。 其中該拉緊的線係被連接 84·如明求項83之雜質過濾系統 到該至少一落片。 其中該拉緊的線是由至少 其中該拉緊的線係與該至 85·如明求項83之雜質過濾系統 一彈簧元件拉緊。 86·如明求項83之雜質過濾系統 少一箔片呈熱絕緣。 其中該拉緊的線是由一含 87·如明求項83之雜質過濾系統 有1一及鎢之金屬中至少一者之材料製成。 O:\107\1077321-970812 D〇c 6 1077321-970812.doc -12 - 1302229 七、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：第（1 )圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明：
B 幸畜射光束 C 目標部分 FS 雜質過濾系統 IF1 位置感測器 IF2 位置感測器 IL 照明系統 MA 圖案化裝置 Ml 遮罩對準標記 M2 遮罩對準標記 MT 支撐結構 P1 基板對準標記 P2 基板對準標記 PS 投影系統 PM 第一定位器 PW 第二定位器 SO 輻射源 W 基板 WT 基板平台 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： (無） 0:\107\1077321 -970812.DOC 4 1077321-970812.doc
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