TWI301990B - Microelectromechanical varactor and wireless communication tunable filter system - Google Patents
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Description
130199° 九、發明說明: I:發明所屬之技術領域】 發明領域 本發明主要係關於微機電系統(MEMS)’本發明更特 别地係關於一種MEMS變容器。 發明为景 微機電系統(MEMS)裝置具有廣泛的應用且是為先 進的商業產品。其中一種MEMS是為一MEMS變容器(可變 1〇 電容器)。一種MEMSRF變容器可用於RF濾波器頻率調 諧,以增強無線系統的能力。一種可調諧RF濾波器包括配 置於濾波器電路之一或更多個MEMS變容器。MEMS變容器
對於無線裝置是很理想的,由於其低功率特性、以及工作 於無線電頻率範圍的能力。MEMSRF變容器的應用潛力表 15 現在蜂巢式電話、無線電腦網路、通訊系統、及雷達系統 上。無線裝置中,MEMSRF變容器可用於可調諧天線、可 調諧濾波器排組,等等。 Μ E M S變容器可施用來提供達到R F應用之電容調諧的 解決方案,例如可調諧濾波器。絕大多數變容器包括一單 一間隔,其限定調諧比。因此,間隔在電容器與致動區域 係相同的。這樣的結構具有易於製造的優勢。然而,頂部 電極在「拉入」發生前僅能被下移近乎三分之一的空間間 隔。這造成一突然的電容增加,如此在這點以後無法繼續 應用在調諧。 5 1301990 【發明内容】 發明概要
10 15
本發明其中一實施例揭露一種微機電(MEMS)變容 器,其包含:一基體;裝設於該基體上之多個致動電極; 裝設於該基體上之多個底部電極;具有裝設於二或更多個 該等底部電極上之子構件的一電容器;以及裝設於該基體 上之一頂部可彎曲電極,其用以在每當一第一電壓供至一 或更多個該等致動電極時朝該致動電極潰塌一第一程度、 以及用以在每當一第二電壓供至該等致動電極時朝該等致 動電極潰塌一第二程度。 圖式簡單說明 本發明將由下面更詳細的說明以及由本發明諸多實施 例之圖式而更被完全的理解。然而不應以圖式限為本發明 之特定實施例,其僅用於解釋。 第1圖繪示一無線通訊系統之一實施例; 第2A圖繪示一 RF MEMS變容器之一實施例之一截面 圖, 第2B圖繪示一 RF MEMS變容器之一實施例的一概要 圖; 20 第3圖繪示一 RF MEMS變容器之一實施例的一上視 圖, 第4圖繪示另一 RF MEMS變容器實施例之一截面圖; 第5圖繪示再另一 RF MEMS變容器實施例之一截面 130199ο 第6圖繪示 圖; 又另一 RF MEMS變容器實施例之— 面 第7圖繪禾另-RFMEMS變容器實施例之1面 第8圖係擬結果之-實施例之—圖;"
第9A圖繪示另一RFMEMS變容器實施例之〜 ^QRm^ 鸯*面圖; 罘 々π另一 RFMEMS變容器實施例一概略圖· 第1〇圖繪示-RF MEMS變容器之一實施例的—、 上視 第11圖繪示另一RF MEMS變容器 10圖;以及 』之一戴面 第12圖繪示又另一RF MEMS變容器實施例 圖。 、一截面 Γ實施务式】 較佳實施例之詳細說明 15
本說明描述一種用於一MEMS開關之拉鏈變办^ 器。古访 明書中所指「〜個實施例」或「一種實施例」表示_特二 特性、結構、或與實施例有關之特徵包括於至 ^ 一貫施例 中。本文中夕處出現「在一實施例中」這樣的措詞時不一 定全指同一實施例如。 2〇 下述中說明許多細節。然而就一熟於此技術領域者很 清楚地可能不需這些特定細節及可實現。其他的情況是, 習知結構與裝置係示以方塊圖形式,而非具細靡遺地描 繪,以免模糊本發明之焦點。 第1圖繪示一無線系統100之一實施例。系統100包括一 7 1301990 RF濾波器150。在一實施例中,RF濾波器15〇係由多個特定 包感裔與笔各器構成’其顯現於理想頻率範圍之一特定rf 慮波特彳玫。就無線應用中,許多具有多種頻率範圍之遽波 器被用來增加系統100效能與供能。雖然示以一可調譜遽波 5器,RF濾波器可實施以其他類型的濾波器(例如,一固定 頻帶的濾波器)。
10 依據一實施例,MEMS變容器包括在一遽波器中, 用以貫施為電容器。此一實施例中,變容器電容被調整到 用來針對另一頻率範圍調諧濾波器15 〇之理想值。電壓源控 制器120被電連接至MEMS變容器。 在一實施例中,電壓源控制器120包括邏輯電路,用以 選擇性地供應電壓到濾波器150中之致動電極(未示)以選 擇性地致動開關150。接收器130處理在系統1〇〇經由天線 H0所接收之信號。發射器140產生將從系統1〇〇發射之信 15 號。
第2A圖繪示一RF MEMS變容器200之一實施例,同時 第2B圖繪示一變容器200之實施例之概略圖。變容器2〇〇包 括一基體/電介質205、層疊於基體205上之一底部電極 210、以及裝設於基體205上之一頂部電極215。電極215載 20 荷接收或發射自開關150之RF信號(“Vs”)。依據一實施例, 電極215係一可彎曲/可移動的傳導性樑,其包括一厚金屬 (例如,金)。 亦包括有致動電極230。致動電極230係裝設於基體205 上,並允許一信號一被充電(或致動)即從一電極215傳遞。 1301990 在一實施例中,致動電極230係指間致動電極,其可為類比 供應電壓同步地連接與致動,或可以個別數位供應電壓被 致動。另外,包括有制動裝置22〇,用以在變容器2〇〇呈一 豐陷狀態時在電極215與電極230之間維持一預定間隔。 5 在又一貫施例中,致動電極230在電極215下分配有區 夕才曰間。每一電極230可能有不的大小。致動區域係由實體 制動裝置220構成以致使在致動其間的疊陷式拉鏈動作。由 於不使用絕緣體,這樣一種方法避免Dc致動充電。 可奇曲電極215之豐陷式動作係根據施於致動電極23〇 10之電壓。如前所討論,指間致動電極230可同步地被類比電 壓連接與致動、或完全地經由個別數位電壓所分開。許多 實施例中由於一系統設定的問題,不能使用類比致動電 壓。因此,多指電極以分別的固定數位電壓致使多級致動。 變容器200中包括一種電容器,其包括數個平行子電容 15态,其如第3圖所示分散於致動電極間,其係變容器2〇〇之 一上視圖。子電容器(此一實施例中係C1、C2、與C3)具 有不同的大小。C1電容器具有最小尺寸,其定位係對應於 電極215之最低彈性常數(kl)。這是因為具有一最小自我 致動力與低kl常數之最小電容器將足以對抗1117信號產生的 20 力。 在又一實施例中,C3電容器最大,且對應於電極215 之最高彈性常數(k3)定位,使得彈力可對抗來自此大電 容器之更大的自我致動力。此一配置減少在電容器區域處 RF信號所感生之不必要的自我致動。 1301990 第4圖繪示另一 RF MEMS變容器200實施例之一截面 圖。此一實施例中,一介電層330係沉積於每一電極210上, 並被耦合一電容器以增加總電容。 第5圖繪示在疊陷式拉鏈變容器之致動期間之一變容 5 器200之實施例。如第5圖所示,電極215以疊陷於第一致動 電極230 ( A)之尖端被致動。結果,C1和C2兩者(以及稍 微地C3 )由於頂部盤電極215彎曲而減少的空氣間隔而具有
一增加的電容。 依據一實施例,當所有電極230被連接與一單一類比致 10 動電壓(Va)時(即,Vl=V2=V3=Va),電容變化係連續 的。第5圖之實施例亦可藉由另一種數位致動方式達成,例 如Vl=Vb、V2=0、V3=0。Vl=Vb造成樑電極215潰塌於樑 之尖端,如第5圖所示。 第6圖繪示另一變容器200之實施例,在疊陷式拉鏈變 15容器之致動期間。在所有致動電極230被連接之情況下(例 如’ Vl=V2=V3=Va),致動電壓之增加導致頂部樑電極215 更疊陷的一拉鏈動作,而疊陷至其樑錨狀物,如第6圖所 示。C1電容器達其最高值而不會造成總電容之更增加。 電容持續從電容器C2和C3增加。雖然樑215彈性常數 〇心拉鏈動作持續而增加,由於C2電容器的尺寸較大,總電 各仍可線性地增加。示於第6圖之現象亦可以數位致動方式 藉由施加電壓到第5圖之致動電極230 (B)達成,例如, Vl=V2=Vb ’而V3=〇。注意所繪變容器之電容係由從實體 制動裝置220所界定之空氣間隔判定。若制動裝置22〇高度 10 1301990 5
10 15
被減少,總電容可被增加。 第7圖繪示變容器2〇〇在疊陷式拉鏈變容器之致動期間 的又另一貫施例。在所有的致動電極23〇相接的情況下(例 如’ Vl=V2=V3=Va),隨致動電壓持續增加,頂部樑電極 215更進一步潰塌,而最大子電容器C3對更多的電容增加具 有主要的貢獻,如第7圖所示。在指間致動方式之情況下, 在所有電極被施以電壓時,例如,vi=v2=v3=vb,達到示 於第7圖之事件。 第8圖係繪示疊陷式拉鏈變容器之模擬結果之一實施 例的圖。如第8圖所示,電容範圍從近乎〇 28pF到近乎 〇.84pF。調諧比係近乎3,這遠大於傳統具類似構造的單一 間隔變容器。注意,高度O.lum之一制動裝置220係用於模 樣。藉由降低制動裴置220之高度,總電容會多於lpF。儘 官非最佳化,模擬結果亦顯現電容與供應電壓之高度線性。 第9A圖緣示另一RF MEMS變容器200實施例之一截面 圖,其中頂部樑電極215係由一低應力梯度多晶矽所製成, 以達成超低電壓致動(<3V)。此一實施例中,頂部樑215 之主要致動構件係針對低電壓致動由低應力梯度多晶矽構 成0 再者,不在致動電極230上之部份電極215係由金屬950 所構成(例如針對低電阻),且仍被使用來具有一高品質的 電容因子。注意,此一情況中之電極215 (多晶矽)不再用 為部份RF信號路徑。電極215係變容器2〇〇之載送結構與致 動包極。致動機構係與前述金屬樑開關相同。第9B圖緣示 11 1301990 示於第9A圖之變容器200之實施例的概略圖,而第10圖繪示 具有以多晶矽構成之一頂部樑電極215的一變容器150的上 視圖。 第11圖繪示又另一RF MEMS變容器200之實施例之, 5 截面圖。此一實施例中,實施以一種雙夾才梁
(clamp-clampbeam)型疊陷式拉鏈變容器,其中頂部電極215 被固在兩側。此一實施例中,疊陷式拉鏈動作係發自於頂 部樑中間,相對於前述實施例中之懸臂型變容器的拉鏈動 作發自於頂部樑215的邊緣。 10 第12圖繪示又另一 RF MEMS變容器200實施例之一截 面圖,其中實施以具有先前第9A、9B、10圖所述多晶矽頂 部樑電極215之一個雙夾樑型疊陷式拉鏈變容器。 前述變容器實施具一頂部可彎曲盤與指間致動電極之 一平行電容器來達到高調諧比。頂部可移動/可彎曲盤藉由 15致動電極致動並以拉鏈動作潰塌到底部電極。電容值之改 變可藉由同步地改變在所有致動電極上之電壓或數位地施 加固定電壓於個別(指間)致動電極來達成。 藉由疊陷式拉鏈動作,電容調諧可隨疊陷區之增加而 持,地4加。藉由指間致動電極組配,各個電極可個別地 20使尺寸最佳化以降低所需致動電壓。此外,電容器亦根據 頂。卩盤之位置被分到各種尺寸的盤。個別電容器之大小可 被最佳化以線性地增加電容及減少肇於穿過電容器之处信 號之自我致動。 有鑑於本發明之諸多更替與修改無疑的可為一熟於此 12 1301990 技者在閱畢本發明說明書後而領會,理應瞭解任何以圖式 呈現與描述之特並實施例並無限制本發明之意。因此,所 所參照之個實施例之細節並無限制本發明申請專利範圍之 意,實施例之細節僅說明有關本發明之特徵。 L圖式簡單說明3 第1圖繪示一無線通訊系統之一實施例; 第2A圖繪示一 RF MEMS變容器之一實施例之一截面 圖;
第2B圖繪示一 RF MEMS變容器之一實施例的一概要 10 圖; 第3圖繪示一 RF MEMS變容器之一實施例的一上視 第4圖繪示另一 RF MEMS變容器實施例之一截面圖; 第5圖繪示再另一 RF MEMS變容器實施例之一截面 15 圖; 第6圖繪示又另一 RF MEMS變容器實施例之一截面 圖; 第7圖繪示另一 RF MEMS變容器實施例之一截面圖; 第8圖係繪式模擬結果之一實施例之一圖; 20 第9A圖繪示另一 RFMEMS變容器實施例之一截面圖; 第9B圖繪示另一 RF MEMS變容器實施例一概略圖; 第10圖繪示一RF MEMS變容器之一實施例的一上視 圖, 第11圖繪示另一 RF MEMS變容器實施例之一截面 13 1301990 圖;以及 第12圖繪示又另一RF MEMS變容器實施例之一截面 圖。 【主要元件符號說明】 100. · ••無線系統 110·· ••天線 120·· ••電壓源控制器 130· · ••接收器 140·· ••發射器 150·· • -RF濾、波器 200·· ••變容器
205·…基體/電介質 210····底部電極 220····制動裝置 330· · · ·介電層 950· · · ·金屬 215····頂部電極 230. · · ·致動電極 14
Claims (1)
1301990 ^俾从I丨日儀.¾正勢 r j 十、申請專利範圍: 第95110733號申請案申請專利範圍修正本 97.03.11. 1. 一種微機電(MEMS)變容器,其包含: 一基體; 5 裝設於該基體上之多個致動電極; 裝設於該基體上之多個底部電極; 具有裝設於兩個或更多個該等底部電極上之子構 件的一電容器;以及 裝設於該基體上之一頂部可彎曲電極,其用以在每 10 當一第一電壓供至一或更多個該等致動電極時朝該等 致動電極潰塌一第一程度,以及用以在每當一第二電壓 供至該等致動電極時朝該等致動電極潰塌一第二程度。 2. 如申請專利範圍第1項之變容器,其更包含積設在該等 多個電容器底部電極上的一介電層,用以增加該電容器 15 之電容。 3. 如申請專利範圍第2項之變容器,其更包含裝設於該頂 部電極上之止動部,用以保持一預定間隙於該頂部電極 與該等致動電極之間。 4. 如申請專利範圍第1項之變容器,其中每當施與該第一 20 電壓時,該頂部電極於一第一致動電極處被致動,但在 一第二致動電極處未被致動。 5. 如申請專利範圍第4項之變容器,其中每當施與該第二 電壓時,該頂部電極於該第一致動電極及該第二致動電 極處被致動。 15 1301990 f? 3 ; 11 Λ ; 6. 如申請專利範圍第l項之變容器,其中該等致動電極係 指間致動電極。 7. 如申請專利範圍第6項之變容器,其中電壓係同時施加 於該等致動電極之每一指。 5 8.如申請專利範圍第6項之變容器,其中電壓係分開地施 加於該等致動電極之每一指。 9. 如申請專利範圍第1項之變容器,其中該頂部電極係由 金屬構成。 10. 如申請專利範圍第1項之變容器,其中該頂部電極係由 10 多晶矽與金屬構成。 11. 如申請專利範圍第1項之變容器,其中該頂部電極係為 一種雙夾樑(clamp-clamp beam) 〇 12. 如申請專利範圍第1項之變容器,其中該電容器之每一 子構件包含一不同的電容值。 15 13. —種無線通訊可調諧濾波器系統,其包含有: 一或更多個電感器;以及 耦接至該電感器之一微機電(MEMS)變容器,其 具有: 一基體; 20 裝設於該基體上之多個致動電極;以及 具有子構件之一電容器;以及 裝設於該基體上之一頂部可彎曲電極,其用來在每 當施加一第一電壓到一或更多個該等致動電極時朝該 等致動電極潰塌一第一程度,以及用來在每當一第二電 16 1301990 壓施加到該等致動電極時朝該等致動電極潰塌一第二 程度。 14.如申請專利範圍第13項之系統,其中該等致動電極係指 間致動電極。 5 15.如申請專利範圍第14項之系統,其中電壓係同時施於該 等致動電極之每一指。 16.如申請專利範圍第14項之系統,其中電壓係分開地被施 加到該等致動電極之每一指。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7321275B2 (en) * | 2005-06-23 | 2008-01-22 | Intel Corporation | Ultra-low voltage capable zipper switch |
US7602261B2 (en) * | 2005-12-22 | 2009-10-13 | Intel Corporation | Micro-electromechanical system (MEMS) switch |
US20070228870A1 (en) * | 2006-03-28 | 2007-10-04 | White James R | Variable electrical circuit component |
US7554421B2 (en) * | 2006-05-16 | 2009-06-30 | Intel Corporation | Micro-electromechanical system (MEMS) trampoline switch/varactor |
US7605675B2 (en) * | 2006-06-20 | 2009-10-20 | Intel Corporation | Electromechanical switch with partially rigidified electrode |
NL1034082C2 (nl) * | 2007-07-03 | 2009-01-06 | Univ Leiden | PWM-versterker. |
US20100001355A1 (en) * | 2008-07-07 | 2010-01-07 | Honeywell International Inc. | RF MEMS Switch |
US9734951B2 (en) | 2009-03-11 | 2017-08-15 | Nxp B.V. | MEMS electrostatic actuator |
US8363380B2 (en) | 2009-05-28 | 2013-01-29 | Qualcomm Incorporated | MEMS varactors |
US8218228B2 (en) * | 2009-12-18 | 2012-07-10 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Two-terminal variable capacitance MEMS device |
US20110148837A1 (en) * | 2009-12-18 | 2011-06-23 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Charge control techniques for selectively activating an array of devices |
WO2011152192A1 (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-08 | 株式会社村田製作所 | 可変容量素子 |
JPWO2012090721A1 (ja) * | 2010-12-28 | 2014-06-05 | 株式会社村田製作所 | 周波数可変回路及びマルチバンドアンテナ装置 |
JP5637308B2 (ja) * | 2011-06-02 | 2014-12-10 | 富士通株式会社 | 電子デバイスとその製造方法、及び電子デバイスの駆動方法 |
US8973250B2 (en) | 2011-06-20 | 2015-03-10 | International Business Machines Corporation | Methods of manufacturing a micro-electro-mechanical system (MEMS) structure |
US9120667B2 (en) | 2011-06-20 | 2015-09-01 | International Business Machines Corporation | Micro-electro-mechanical system (MEMS) and related actuator bumps, methods of manufacture and design structures |
JP6235472B2 (ja) * | 2011-09-02 | 2017-11-22 | キャベンディッシュ・キネティックス・インコーポレイテッドCavendish Kinetics, Inc. | 改善したrf性能を備えたmems可変キャパシタ |
US8940570B2 (en) | 2012-01-03 | 2015-01-27 | International Business Machines Corporation | Micro-electro-mechanical system (MEMS) structures and design structures |
JP6107827B2 (ja) * | 2012-09-10 | 2017-04-05 | 富士通株式会社 | 可変容量回路及びインピーダンス整合回路 |
CN108439325B (zh) * | 2013-03-15 | 2023-03-14 | 瑞声科技(新加坡)有限公司 | 微电子机械系统装置及调整其可动部件的形状的方法 |
US9711291B2 (en) | 2013-04-04 | 2017-07-18 | Cavendish Kinetics, Inc. | MEMS digital variable capacitor design with high linearity |
US9233832B2 (en) * | 2013-05-10 | 2016-01-12 | Globalfoundries Inc. | Micro-electro-mechanical system (MEMS) structures and design structures |
JP2015176877A (ja) * | 2014-03-13 | 2015-10-05 | 株式会社東芝 | Mems装置 |
EP3201123A4 (en) * | 2014-10-03 | 2018-05-23 | Wispry, Inc. | Systems, devices, and methods to reduce dielectric charging in micro-electromechanical systems devices |
WO2017011267A1 (en) * | 2015-07-15 | 2017-01-19 | Dueweke Michael J | Tunable reactance devices, and methods of making and using the same |
JP6581849B2 (ja) * | 2015-09-01 | 2019-09-25 | アズビル株式会社 | 微細機械装置 |
EP3510684A4 (en) | 2016-09-07 | 2020-08-05 | Michael J. Dueweke | AUTOMATIC ADJUSTMENT MICRO-ELECTROMECHANICAL IMPEDANCE ADAPTATION CIRCUITS AND MANUFACTURING PROCESSES |
US10636936B2 (en) | 2018-03-05 | 2020-04-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | MEMS array system and method of manipulating objects |
US10899605B2 (en) | 2018-03-05 | 2021-01-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | MEMS device and manipulation method for micro-objects |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62501387A (ja) * | 1984-12-28 | 1987-06-04 | アメリカン テレフオン アンド テレグラフ カムパニ− | 可変間隙デバイス及び製造方法 |
JPH0955337A (ja) * | 1995-08-11 | 1997-02-25 | Murata Mfg Co Ltd | 可変容量コンデンサ |
JPH0982569A (ja) * | 1995-09-20 | 1997-03-28 | Murata Mfg Co Ltd | 可変容量コンデンサ |
JPH10149950A (ja) * | 1996-11-15 | 1998-06-02 | Murata Mfg Co Ltd | 可変容量コンデンサ |
US5903380A (en) * | 1997-05-01 | 1999-05-11 | Rockwell International Corp. | Micro-electromechanical (MEM) optical resonator and method |
US6242989B1 (en) * | 1998-09-12 | 2001-06-05 | Agere Systems Guardian Corp. | Article comprising a multi-port variable capacitor |
US6127744A (en) * | 1998-11-23 | 2000-10-03 | Raytheon Company | Method and apparatus for an improved micro-electrical mechanical switch |
US6307452B1 (en) * | 1999-09-16 | 2001-10-23 | Motorola, Inc. | Folded spring based micro electromechanical (MEM) RF switch |
US6496351B2 (en) * | 1999-12-15 | 2002-12-17 | Jds Uniphase Inc. | MEMS device members having portions that contact a substrate and associated methods of operating |
US6229684B1 (en) | 1999-12-15 | 2001-05-08 | Jds Uniphase Inc. | Variable capacitor and associated fabrication method |
EP1156504A3 (de) | 2000-05-16 | 2003-12-10 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Mikromechanisches Relais mit verbessertem Schaltverhalten |
US6507475B1 (en) * | 2000-06-27 | 2003-01-14 | Motorola, Inc. | Capacitive device and method of manufacture |
US6683513B2 (en) * | 2000-10-26 | 2004-01-27 | Paratek Microwave, Inc. | Electronically tunable RF diplexers tuned by tunable capacitors |
WO2003028059A1 (en) * | 2001-09-21 | 2003-04-03 | Hrl Laboratories, Llc | Mems switches and methods of making same |
US20040031912A1 (en) * | 2001-10-31 | 2004-02-19 | Wong Marvin Glenn | Method of eliminating brownian noise in micromachined varactors |
US6909589B2 (en) * | 2002-11-20 | 2005-06-21 | Corporation For National Research Initiatives | MEMS-based variable capacitor |
US7085122B2 (en) * | 2003-05-21 | 2006-08-01 | The Regents Of The University Of California | MEMS tunable capacitor based on angular vertical comb drives |
US6949985B2 (en) * | 2003-07-30 | 2005-09-27 | Cindy Xing Qiu | Electrostatically actuated microwave MEMS switch |
US7362199B2 (en) | 2004-03-31 | 2008-04-22 | Intel Corporation | Collapsible contact switch |
US7215461B1 (en) * | 2004-09-14 | 2007-05-08 | Silicon Light Machines Corporation | MEMS devices with increased damping for suspended movable structures |
-
2005
- 2005-03-29 US US11/092,022 patent/US7319580B2/en active Active
-
2006
- 2006-03-24 WO PCT/US2006/011134 patent/WO2006105031A1/en active Application Filing
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9324335B2 (en) | 2012-05-10 | 2016-04-26 | Dolby Laboratories Licensing Corporation | Multistage IIR filter and parallelized filtering of data with same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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TW200703389A (en) | 2007-01-16 |
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