TWI300165B

TWI300165B - Resin for resist, positive resist composition and resist pattern formation method

Info

Publication number: TWI300165B
Application number: TW093123690A
Authority: TW
Inventors: Ryotaro Hayashi; Hideo Hada; Takeshi Iwai
Original assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date: 2003-08-13
Filing date: 2004-08-06
Publication date: 2008-08-21
Also published as: KR20080077034A; CN100427519C; EP1655315B1; US20060183876A1; JP2011227509A; EP1655315A4; JP5470328B2; JP4791184B2; KR20070103784A; KR20060060673A; JPWO2005016982A1; TW200506536A; EP1655315A1; CN1832971A; WO2005016982A1; KR100985431B1; KR100872019B1

Description

1300165 (1) 九、發明說明【發明所屬之技術領域】本發明係關於，使用於正型光阻組成物之光阻用樹脂，含有該光阻用樹脂之正型光阻組成物，及使用該正型光阻組成物之光阻圖型形成方法。【先前技術】近年，在半導體元件或液晶顯示元件之製造中，由於微影術技術之進歩使得微細化急速進行。在微細化之手法方面，一般係進行曝光光源之短波長北。具體而言，習知雖使用g線，，i線所代表之紫外線，但在目前，K r F準分子雷射（248nm )正被導入。又，在滿足可使微細尺寸之圖型再現之高解析性之條件之光阻材料之一，周知爲含有因酸之作用使鹼可溶性變化之基底樹脂與，因曝光使酸產生之酸產生劑溶解於有機溶劑之化學增強型光阻組成物。在化學增強型光阻組成物則有，含有交聯劑與爲基底樹脂之鹼可溶性樹脂之負型與，含有因酸之作用使鹼可溶性増大之樹脂之正型。目前，在K r F準分子雷射微影術中，在化學增強型光阻的基底樹脂方面，一般係採用相對於KrF準分子雷射（ 2 4 8nm )之透明性高的聚羥基苯乙烯或其羥基以酸解離性之溶解抑制基（保護基）所保護者。在目前，半導體元件之微細化日益加速，而使用ArF 準分子雷射（】9 3 nm )之過程之開發正被戮力的進行著。 - 6 - 1300165 (2) 但是，具有上述聚羥基苯乙烯般之苯環之樹脂，相對於A 1· F準分子雷射（I 9 3 n m )之透明性低。因此，在將此種樹脂，使ArF準分子雷射作爲光源之過程中，作爲光阻之基底樹脂使用之情形，所得之光阻，會有解析性降低等之缺點。相對於此，在目前爲止，有各種組成之ArF用光阻被提案。其中在最爲一般的ArF用光阻之基底樹脂方面，周知爲不具有苯環，在〗9 3 nm附近透明性高之（甲基）丙烯齒脂。在該（甲基）丙烯樹脂方面，因耐乾蝕刻性優異，在其酯部分（側鏈部），作爲保護基，係以金剛烷骨架般之含有多環式之脂肪族烴基之（甲基）丙烯酸酯所衍生之構成單元，而主鏈具有該單元之樹脂爲一般（例如，請參照專利文獻1〜8 )。 (專利文獻1 )日本專利第2 8 8 1 9 6 9號公報 (專利文獻2)特開平5-346668號公報 (專利文獻3 )特開平7-23 45 1 1號公報 (專利文獻4)特開平9-73173號公報 (專利文獻5 )特開平9 - 9 0 6 3 7號公報 (專利文獻6)特開平ι〇_161313號公報 (專利文獻7 )特開平1 0 - 3 1 9 5 9 5號公報 (專利文獻8)特開平1；U 1 2 3 2 6號公報【發明內容】 -7- 1300165 (3) 目前，在光阻材料，由於對應於上述般之半導體元件之微細化，故更進一步之解析性或焦點深度寬（D 0 F )提高爲所求。但是，根據本發明人等之檢討，在基底樹脂方面，含有使上述般之多環式之脂肪族烴基作爲保護基之樹脂的光阻，在解析性或焦點深度寬中並不充分。本發明，係鑑於上述情事而完成者，其課題係在於提供一種優異解析性及焦點深度寬之正型光阻組成物，使用於該正型光阻組成物之光阻用樹脂，使用該正型光阻組成物之光阻圖型形成方法。解決上述課題之本發明之第1態樣係，以（α —低級烷基）丙烯酸酯所衍生之構成單元（a )爲主成分，前述構成單元（a )具有，含有酸解離性溶解抑制基之（α —低級烷基）丙烯酸酯所衍生之構成單元（al )，及含有含內酯單環式基之（α —低級烷基）丙烯酸酯所衍生之構成單元（a2-l )，前述構成單元（al)具有，下述一般式（al-l)

-8- 1300165 式之脂肪族烴基，且不含多環式脂肪族烴基酸解離性溶解抑制基〕所示之（α —低級烷基）丙烯酸酯所衍生之構成單元（al-Ι )爲其特徵之光阻用樹脂。解決上述課題之本發明之第2態樣係以（α 一低級烷基）丙燃酸醋所衍生之構成單元（a )爲主成分’ 前述構成單元（a )具有’含酸解離性溶解抑制基之 (α —低級烷基）丙烯酸酯所衍生之構成單元（a 1) ’及含有含內酯單環或多環式基之（α —低級院基）丙烯酸酯所衍生之構成單元（)，前述構成單元（al)具有，下述一般式（am) ch3

〔式中，R1 1表示，含有單環式之脂肪族烴基，且不含多環式之脂肪族烴基之酸解離性溶解抑制基〕所示之甲基丙烯酸酯所衍生之構成單元（a 1 - 1-1 )爲其特徴之光阻用樹脂。解決上述課題之本發明之第3態樣係含有，（A )藉由酸之作用使鹼可溶性増大之光阻用樹脂成分，及（B ) 因曝光使酸產生之酸產生劑成分，之正型光阻組成物，前述（A )成分係含有，前述第1或第2態樣之光阻 -9 - 1300165 (5) 用樹脂爲其特徴之正型光阻組成物。解決上述課題之本發明之第4態樣係，使用前述第3 發明之正型光阻組成物，在基板上使正型光阻膜形成，相對於該正型光阻膜進行選擇性曝光處理後，進行鹼顯影來形成光阻圖型爲其特徵之光阻圖型形成方法。又，在本發明中，「（ α —低級烷基）丙烯酸酯」係指，α —低級烷基丙烯酸酯與丙烯酸酯之總稱。又，「α 一低級烷基丙烯酸酯」係指，鍵結於丙烯酸酯之α碳原子之氫原子被低級烷基取代之意。又，「構成單元」係指，構成聚合物之單體單元之意〇又’ 「（ α —低級烷基）丙烯酸酯所衍生之構成單元」係指，（α —低級烷基）丙烯酸酯之乙烯性雙鍵爲裂開所構成之構成單元之意。 (發明之效果）根據含有本發明之光阻用樹脂之正型光阻組成物，可形成解析性及焦點深度寬優異之光阻圖型。【實施方式】實施發明之最佳形態以下，更詳細說明本發明。 (光阻用樹脂）本發明之光阻用樹脂（以下，稱爲樹脂（A 1 ))係 •10- 1300165 (6) ，以（α-低級烷基）丙烯酸酯所衍生之構成單元（a )爲主成分。由使構成單元（a )爲主成分，在使用例如ArF準分子雷射等200nm以下之波長之過程用之光阻於使用時，可獲得充分的透明性。另外，在此，「以構成單元（a )爲主成分」」係指，在構成樹脂（A1)之全構成單元中，構成單元（a)之比率爲最多之意，該構成單元（a )之比率以5 0莫耳％以上爲佳，80莫耳％以上更佳，100莫耳％最佳。在構成單元（a )以外之構成單元方面，一般，若爲使用於光阻用横f脂者可並無特別限定地使用。在該例方面，可例舉經基苯乙烯或α -甲基羥基苯乙烯所衍生之構成單元，苯乙烯或α -甲基苯乙烯等所衍生之構成單元等。 <構成單元（al ) > 構成單元（a )係具有，含酸解離性溶解抑制基之（α 一低級烷基）丙烯酸酯所衍生之構成單元（al)。構成單元（a 1 )中酸解離性溶解抑制基係，具有使曝光前之樹脂（A 1 )全體成爲鹼不溶之鹼溶解抑制性基，同時在曝光後，藉由（B )成分所產生之酸之作用使該抑制基解離，使樹脂（A 1 )全體之鹼可溶性増大。〔構成單元（a 1 -1 )及（a 1 -1 -1 )〕構成單兀（al)係具有，上述一般式（al-Ι)或（ * 11 - 1300165 (7) a 1 - 1 - 1 )所示之，（α —低級烷基）丙烯酸酯所衍生之構成單兀（a 1 - 1 )(第1態樣）或（a〗·丨·丨）（第2態樣）〇式（a 1 - 1 )中，R表示氫原子或低級烷基，在該低級烷基方面’可例舉可爲直鏈狀或分支鏈狀，較佳爲碳原子數1〜5之烷基，更佳爲碳原子數1之甲基。 R] 1係表示，含有單環式之脂肪族烴基（以下，稱爲單環式基），且不含有多環式之脂肪族烴基（以下，稱爲多環式基）之酸解離性溶解抑制基。R 1 1之碳原子數，較佳爲4〜11，再佳爲5〜10，更佳爲5〜8。

Rl 1係，鄰接於R]1所鍵結氧原子之碳原子爲m，第3 級碳原子，例如因熱或曝光自後述（B )成分產生酸時，藉由該酸之作用，該氧原子之鍵結被切斷，而含有單環式之脂環式基部分被解離。 R11方面，例如，在後述之一般式（1 ) ，（ 11 )般之具有習知酸解離性溶解抑制基之構成單元中，可例舉金剛烷基等之多環式基被單環式基所取代者等。亦即，第3級碳原子，可在單環式基上形成，亦可在R11所鍵結之氧原子與單環式基間形成。在單環式之脂肪族烴基方面，可例舉自環戊烷，環己烷等之碳原子數4〜8之環鏈烷除去1個氫原子之基等。在該等之中，就容易獲得性之點而言，以自環己烷除去1 個氫原子之基（環己基）爲佳。又，在多環式之脂肪族烴基方面，可例示自雙環鏈烷 -12- 1300165 (8) ，二環鏈院’四環鏈院等除去1個氫原子之基等。具體而言，可例舉自金剛烷，降菠烷，異菠烷，三環癸烷’四環十二烷等之聚環鏈烷除去1個氫原子之基等。在構成單元（al])或（al-1-l)方面，更具體而言，可各自例舉下述一般式（al_2 )所示之構成單元（al.2 )或一般式（al-2-l )所示之構成單元（^2-1 )。構成單元（al-2 )及（ahn )中之酯部分分，亦即，由r〗2， R 12爲鍵結之碳原子及χ所構成之部分係，酸解離性溶解抑制基。

(a1 - 2-1) 13- 1300165 Ο) 〔上述式（a 1-2)中，R表示氫原子或低級烷基。上述式 (al-2)及（al-2-l)中，R12表示低級院基，X表與r12 鍵結之碳原子，共同形成單環式之脂肪族烴基之基〕上述式（al-2 )中，R之低級烷基與前述意義相同。上述式（al-2 )及（al-2-l )中，在R12之低級燒基方面，較佳爲碳原子數1〜8，更佳爲1〜4之直鏈狀或分支鏈狀之烷基。由工業上之理由等，以乙基或甲基，尤其是乙基爲佳。在與R 12鍵結之碳原子共同形成之單環式之脂肪族烴基方面，可例舉與構成單元（al-2)及（al-2-l)之Ri】所説明者相同之物，其中以自環戊烷或環己烷除去1個氫原子之基（環戊基或環己基）爲佳，而以環己基最佳。在樹脂（A1 )中，構成單元（al )中所佔之前述構成單元（a 1 -1 )或（a 1 - 1 - 1 )之比率，在本發明之效果上，以50莫耳％以上爲佳，80莫耳％以上更佳。最佳爲100 莫耳％。〔構成單元（a卜1 )或（al-l-])以外之構成單元〕本發明中，構成單元（al)可具有，上述構成單元（ a 1 - 1 )或（a 1-1 -1 )以外之，可具有含有酸解離性溶解抑制基之（α —低級烷基）丙烯酸酯所衍生之構成單元（a 1 —3 ) 〇在構成單元（aU )之酸解離性溶解抑制基方面，可任意使用習知，使用於化學寬增強型光阻用之樹脂之物。 -14 - 1300165 (10) 尤其是，因耐乾蝕刻性良好，故可使用上述般之，含有多環式之脂肪族烴基（多環式基）之酸解離性溶解抑制基爲佳。此種多環式基，例如在ArF準分子雷射之光阻組成物用之樹脂成分中，可自多數被提案之物中適宜選擇使用。其中以金剛烷基，降伯烷基，四環十二基在工業上較佳。構成單元（al-3)方面，更具體而言，可例舉下述一般式（1 ) ，（ 11)或（111)等。

R

(式中，R與前述相同，R1爲低級烷基。） 1300165 (11)

R

…（Π) (式中，R與前述相同，R2，R3爲各自獨立之低級烷基。

(式中，R與前述相同，R4爲第3級烷基。）式中，R]方面，以碳原子數1〜5之低級之直鏈狀或分支鏈狀之烷基爲佳，可例舉甲基，乙基，丙基，異丙基 ’正丁基’異丁基戊基^異戊基5新戊基等。其中以碳原子數2以上，較佳爲2〜5之烷基爲佳，在此情形，與甲基之情形比較，會有酸解離性高之傾向。另外’在工業上以甲基，乙基爲佳。前述R2，R3係各自獨立之，較佳爲碳原子數1〜5之 -16 - 1300165 (12) 低級烷基爲佳。此般之基，會有比2 -甲基· 2 -金剛烷基之酸解離性更爲高之傾向。更具體而言，R2，R3係，各自獨立之，以與上述R1 相同之低級之直鏈狀或分支鏈狀之烷基爲佳。其中以，R2 ，R3均爲甲基之情形在工業上較佳，具體而言可例舉，2-(1-金剛烷基）-2-丙基（甲基）丙烯酸酯所衍生之構成單元。前述R4係，三級丁基或三級戊基般之第3級烷基，以三級丁基在工業上較佳。又，基-COOR4係，可在式中所示之四環十二基之3 或4之位置鍵結，該等因與異構體混合，故無法特定鍵結位置。又，（甲基）丙烯酸酯構成單元之羧基残基亦同樣的，鍵結於式中所示8或9之位置，但是並無法特定鍵結位置。本發明之樹脂（A1 )中，構成單元（al )，相對於樹月旨（A1 )之全構成單元之合計，因解析性優異，故以2 0 〜6〇莫耳％爲佳，以30〜50莫耳％更佳。 <構成單元（a2 )及（a2-I ) > 樹脂（A1 )中，構成單元（a )，加上構成單元（a 1 )進而，具有含有含內酯單環或多環式基之（（X-低級烷基 )丙烯酸酯所衍生之構成單元（a2 )(本發明之第2態樣 )。或構成單元（a)，加上構成單元（al)進而具有含有含內酯單環式基之甲基丙烯酸酯所衍生之構成單元（ -17- 1300165 (13) a 2 - 1 )(本發明之第1態樣）。藉此，因可提高光阻膜與基板之密接性，即使在微細光阻圖型中膜剝離等亦難以產生。又，樹脂（A 1 )全體之親水性高，與顯像液之親和性高，可提高在曝光部之鹼溶解性，並賦予解析性之提高〇在構成單元（a2 )方面可例舉，於（α-低級烷基）丙烯酸酯之酯側鏈部可鍵結內酯環所成單環式基或具有內酯環之脂肪族多環式基之構成單元。另外，此時之內酯環係指，含有-0-C ( 0 ) •構造之一環，使此作爲一個主要環來計數。因此’在此於僅有內酯環之情形，稱爲單環式基，進而在具有其他環構造之情形，與其構造無關而稱爲多環式基。因此’構成單元（a2)中在含內酯環方面，具體而言 ’可例舉例如’自7-丁內酯除去氫原子一個之單環式基或自含內酯環之聚環鏈烷除去一個氫原子之多環式基等。在含前述內酯單環或多環式基，可鍵結碳原子數1〜5之烷基。具體而言’構成單元（a2 )係以例如以下之構造式（ IV )〜（VII )所示之構成單元爲佳。 1300165

(14) R

(式中，R與前述相同，m爲0或1。）

(式中，R與前述相同。） -19- (15) 1300165

HcA

(式中，R與前述相同。）

-•(VE) (式中，R與前述相同。）在構成單元（β-ι)方面’可例舉（α·低級院基）丙烯酸醒之醋側鏈部有內醋環所成單環式基鍵結之構成單元〇在構成單元（a2-l)中’含內醋環方面’具體而言’ 可例舉例如，自Y _ 丁內酯除去一個氫原子之單環式基。在 -20- 1300165 (16) 含前述內酯之單環式基以有碳原子數1〜5之烷基鍵結者爲佳。具體而言，構成單元（a2- 1 )係以例如上述構造式（ VII )所示之構成單元爲佳。構成單元（a2 )或（a2-l )，相對於構成樹脂（A1 ) 之全構成單元之合計，以20〜60莫耳％，尤其是含有20 〜5 0莫耳％爲佳。 <構成單元（a3 ) > 樹脂（A1 )中，構成單元（a )係，加上構成單元（ al )及構成單元（a2 )或者（a2-l )，以具有含有含極性基之脂肪族烴基之（低級烷基）丙烯酸酯所衍生之構成單元（a3 )者爲佳。藉此，樹脂（Α1 )全體之親水性高，與領影液之親和性高，可提高在曝光部之鹼溶解性，並賦予解析性提高。在極性基方面，可例舉羥基，氰基等，尤以羥基爲佳〇在脂肪族烴基方面，可例舉碳原子數1〜1 〇之直鏈狀或分支鏈狀之烴基（烷撐基）或，多環式之脂肪族烴基（多環式基）。該多環式基方面，可自構成單元（al )中所例示之物相同之多數之多環式基予以適宜選擇使用。在構成單元（a3 )方面，在含有極性基脂肪族烴基中烴基爲碳原子數】〜1〇之直鏈狀或分支鏈狀之烴基時’以 (α-低級烷基）丙烯酸之羥基乙酯所衍生之構成單元爲佳 -21 - 1300165 (17) ，該烴基爲多環式基時，以卞述—般式（νπι)所示之構成單元爲佳。

(式中，R與前述相同’η爲1〜3之整數。）在該等之中’ η爲1 ’以羥基爲鍵結於金剛烷基之3 位者爲佳。構成單元（a3 ) ’相對於構成樹脂（a 1 )之全構成單元之合計，以1 〇〜5 0莫耳％，較佳爲含有2 0〜4 0莫耳％者。 <構成單元（a4 ) > 樹脂（A1)，進而可含有，構成單元（a2)及（a3) 以外之，含有多環式之脂肪族烴基之（心低級烷基）丙烯酸酯所衍生之構成單元（a 4 )亦可。在此，「構成單元（a2 )及（a3 )以外」係指’與該等不重複之意，在多環式之脂肪族烴基（多環式基）方面 -22- 1300165 (18) ，可例舉與前述構成單元（a2 ) ，（ a3 )中之物相同之多數多環式基。尤其是以選自三環癸基，金剛烷基，四環十二基，異菠烷基之至少一種以上，就工業上可易於獲得之點爲佳。在構成單元（a4)方面，具體而言，可例示下述（IX )〜（XI)之構造之物。

•••(DO

(式中，R與前述相同。）

-23- (X) 1300165 (19) (式中，R與前述相同。）

(式中，R與前述相同。）構成單元（a4 )，相對於構成樹脂（A 1 )之全構成單元之合計，以1〜2 5莫耳％，較佳爲含有〗0〜2 〇莫耳。/〇。 <構成單元（a5 ) > 樹脂（A1)，可含有構成單元（al )〜（a4 )以外之其他構成單元（a5 )。構成單元（a5 )，若爲上述之構成單元（al )〜（a4 )所無法分類之其他構成單元則無特別限定，以用於ArF 準分子雷射用，KrF正準分子雷射用（較佳爲ArF準分子雷射用）等之光阻用樹脂之物，可使用習知所知之多數之物。樹脂（A 1 )之樹脂之質量平均分子量（由膠透層析術之聚苯乙烯換算基準），並無特別限定，但以5 000〜 30000爲佳，以6000〜20000更佳。樹脂（A 1 )係將，各構成單元所衍生之單體，例如 -24 - 1300165 (20) 使用偶氮二異丁腈（aibn )般之游離基聚合引發劑之公知之游離基聚合等予以聚合而可獲得。 (正型光阻組成物）本發明之正型光阻組成物係含有，（A )藉由酸之作用使鹼可溶性増大之光阻用樹脂成分（以下，稱爲（A ) 成分），及（B )因曝光使酸產生之酸產生劑成分（以下，稱爲（B)成分）。

< (A )成分> 本發明之正型光阻組成物，在（A )成分方面，係以含有上述本發明之光阻用樹脂（樹脂（A1))爲其特@ 者。 (A )成分中’樹脂（A 1 )之含量，較佳爲5 〇質羹％以上，更佳爲80〜100質量％，最佳爲100質量％。籍由含有50質量。/。以上，可獲得高度解析性效果。

本發明中，在（A)成分方面’係加上樹脂（a 1 )，可將一般作爲光阻用樹脂使用之多數樹脂適宜選擇使用。在此般之樹脂方面，例如，在上述樹脂（A ])中，具有構成單元（a 1-1)或（aid -1)以外之構成單元（q、 3 )，可例舉具有任意上述構成單元（a2 )〜（a5 )之樹脂等。 < (B )成分〉 -25- 1300165 (21) (B )成分方面，可自習知化學增強型光阻中作爲酸產生劑之習知之物之中適宜選擇任意之物使用。在此般之酸產生劑方面，至目前爲止’有碘鑰鹽或鎏鹽等之鑰鹽系酸產生劑，肟磺酸鹽系酸產生劑’雙烷基或雙芳基磺醯基重氮甲烷類，聚（雙磺醯基）重氮甲烷類等之重氮甲烷系酸產生劑，硝基T基磺酸鹽類系酸產生劑，亞胺磺酸鹽系酸產生劑，二》系酸產生劑等多種之物。該酸產生劑之中以氟化烷基磺酸離子爲陰離子之鍚鹽爲佳。鑰鹽系酸產生劑之具體例方面，可例舉二苯基碘鎰之三氟甲烷磺酸鹽或九氟丁烷磺酸鹽，雙（4-三級丁基苯基）碘鑰之三氟甲烷磺酸鹽或九氟丁烷磺酸鹽，三苯基鎏之三氟甲烷磺酸鹽，其七氟丙烷磺酸鹽或其九氟丁烷磺酸鹽，三（4_甲基苯基）鎏之三氟甲烷磺酸鹽，其七氟丙烷磺酸鹽或其九氟丁烷磺酸鹽，二甲基（4_羥基萘基）鎏之三氟甲烷磺酸鹽，其七氟丙烷磺酸鹽或其九氟丁烷磺酸鹽，單苯基二甲基鎏之三氟甲烷磺酸鹽，其七氟丙烷擴酸鹽或其九氟丁院磺酸鹽，二苯基單甲基鐾之三氟甲院磺酸鹽 ’其七每丙;(¾ 5貝酸鹽或其九氟(丁院磺酸鹽，（4 -甲基苯基 )二苯基鎏之二氟甲院磺酸鹽，其七氟丙院磺酸鹽或其九氟丁院擴酸鹽’ （4 -甲氧苯基）二苯基鎏之三氟甲烷磺酸鹽，其七氟丙烷磺酸鹽或其九氟丁烷磺酸鹽，三（4 _三級丁基）本基鎏之二氟甲院磺酸鹽，其七氟丙院磺酸鹽或其九氟丁烷磺酸鹽等。該等之中，以鎏鹽更佳，尤其是其九氟丁烷磺酸鹽爲 -26- 1300165 (22) 佳。（B)成分方面，可單獨使用1種酸產生劑，亦可組合2種以上使用。 (B)成分之使用量，相對於（A)成分100質量份，以0.5〜30質量份，較佳爲1〜質量份。在不足ο」質量份時會有圖型形成無法充分進行之虞，若超過30質量份時則難以獲得均勻溶液，會有保存安定性降低成爲原因之虞。 < (C )成分〉本發明之正型光阻組成物，可將材料溶解於有機溶劑 (C )(以下，稱爲（C )成分）來製造。在（C)成分方面，若可將使用之各成分溶解，且成爲均勻的溶液則佳，可在習知之化學增強型光阻之溶劑爲習知之物中適宜選擇任意之物1種或2種以上使用。例如，r - 丁內酯，丙酮，甲基乙基酮，環己酮，甲基異戊酮，2 -庚酮等之酮類或，乙二醇，乙二醇單乙酸酯，二乙二醇，二乙二醇單乙酸酯，丙二醇，丙二醇單乙酸酯，二丙二醇，或二丙二醇單乙酸酯之單甲基醚，單乙基醚，單丙基醚，單丁基醚或單苯基醚等之多元醇類及其衍生物或，二噁烷般之環式醚類或，乳酸甲酯，乙基乳酸乙酯，乙酸甲酯，乙酸乙酯，丁基乙酸丁酯，丙酮酸乙醋，丙酮酸甲酯，乙氧基丙酸乙酯等酯類等。該等有機溶劑可單獨使用、或以二種以上之混合溶劑使用。。又將丙二醇單甲基醚乙酸醋（P G Μ E A )與極性溶劑 -27- (23) 1300165 混合之混合溶媒爲佳。其之配合比（質量比），可考慮 PGMEA與極性溶劑之相溶性等而適宜決定，但較佳爲9 :1〜1: 9，更佳爲8: 2〜2: 8之範圍。更具體而言，在以極性溶劑配合EL之情形，PGMEA :EL之質量比較佳爲8 : 2〜2 ·· 8，更佳爲7 : 3〜3 : 7。又，（C)成分方面，在其他以選自PGMEA及EL之中之至少1種與γ-丁內酯之混合溶劑爲佳。在此情形，於混合比率方面，前者與後者之質量比以70: 30〜95: 5爲佳。又，在（C)成分方面，以丙二醇單甲基醚（pGME )爲佳。使用量並無特別限定，可在基板等塗布之濃度，一般而言係在光阻組成物之固形成分濃度2〜2 0質量％，較佳爲5〜1 5質量％之範圍内。 < (D )成分> 在本發明之正型光阻組成物，光阻圖型形状，爲提高可保存存放穩定性（由光阻層圖型曝光所形成之潛像曝光後穩定性 post exposure stability of the latent image formed by the patternwi se exposure of the resist layer ) 等，可進而以任意之成分，配合含氮有機化合物（D )( 以下，稱爲（D )成分）。此（D)成分，因已有多種多樣被提案，故可由習知之物任意使用即可，而以胺’尤以第2級低級脂肪族胺或第3級低級脂肪族胺爲佳。 -28- 1300165 (24) 在此，低級脂肪族胺係指碳原子數5以下之烷基或烷基醇之te： ’在此弟2級或第3級胺之例方面，可例舉三甲基胺，二乙基胺，三乙基胺，二正丙基胺，三正丙基胺，三戊基胺，二乙醇胺，三乙醇胺等，尤以三乙醇胺，三異丙醇胺般之第3級烷醇胺爲佳。該等可單獨使用，或組合兩種以上使用。 (D )成分相對於（A )成分1 0 0質量份，通常係在 0.0 1〜2 · 0質量份之範圍使用。 < (E )成分> 又，爲防止與前述（D)成分配合所致感度劣化，又以提高光阻圖型形状，可保存存放穩定性等之目的，進而任意之成分，可含有有機竣酸或磷之含氧酸或者其衍生物 (E)(以下，稱爲（E)成分）。另外，（D)成分與（ E )成分亦可併用，亦可使用任一種〇在有機殘酸方面，例如，丙二酸，檸檬酸，蘋果酸，琥珀酸，苯甲酸，水楊酸等爲恰當。磷之含氧酸或者其衍生物方面，可例舉磷酸，磷酸二正丁基酯，磷酸二苯基酯等之磷酸或該等之酯般之衍生物，膦酸’膦酸二甲基酯，膦酸二正丁基酯，苯基鱗酸，膦酸二苯基酯，膦酸二苄基酯等之膦酸及該等之酯般之衍生物，次膦酸，苯基次膦酸等之次膦酸及該等之酯般之衍生物，該等中尤其是膦酸爲佳。 (E )成分保’以每（A )成分1 〇〇質量份爲〇. 〇 ]〜 -29- 1300165 (25) 5 · 〇質量份之比率使用。 <其他之任意成分> 在本發明之正型光阻組成物，進而可依照所望適宜添加具有混和性之添加劑，例如爲改良光阻膜之性能用之附加樹脂，提高塗布性用之界面活性劑，溶解抑制劑，可塑劑，安定劑，着色劑，防光暈劑等。本發明之正型光阻組成物具有優異之解析性。又，藉由使用本發明之正型光阻組成物，可形成線邊緣粗糙度（ LER )良好的光阻圖型。又溝渠（trench )圖型之焦點深度寬優異。其理由，並不明確，但可由例如以下來加以考慮。在使用ArF準分子雷射之過程中，習知之光阻用樹脂方面，爲使耐乾蝕刻性充分，一般而言，係使用含有金剛烷基等多環式之脂肪族多環式基之酸解離性溶解抑制基（保護基 )。但是，吾人認爲此般之保護基因體積大，在使該保護基解離後所產生之脫離物之沸點高，在光阻膜中易於殘留。因此，此種脫離物，係在光阻膜中以可塑劑作用，藉由使光阻膜軟化，而可將光阻膜中所發生之酸之擴散長予以延伸，吾人認爲此會妨礙解析力提高。相對於此，本發明之光阻用樹脂，因具有上述構成單元（a 1- 1 ) ’亦即，作爲保護基，係含有單環式之脂肪族烴基，且使用不含多環式之脂肪族烴基之酸解離性溶解抑 -30- 1300165 (26) 制基。因此，吾人認爲此光阻用樹脂’可確保某程度之耐乾蝕刻性，同時，脫離物難以殘留於光阻膜中，而可使酸之擴散更爲正確地控制，而可提高解析性。又，吾人認爲因酸之擴散可更正確地控制，可形成之光阻圖型側壁之形状亦爲良好，亦可改善LER。再者，本發明之正型光阻組成物，MEF (光罩誤差因數）爲良好。MEF係指，將線寬或口径之不同之光罩圖型，以相同曝光量，顯示可以忠實再現至如何程度之參數，由下述式所求得之値。MEF以近於1爲佳。 MEF=|CDx-CDy|/|MDx-MDy| 上述式中，MDx.，MDy爲各自不同之光罩圖型之尺寸（nm ) ，CDx，CDy爲各自使用該光罩圖型所形成之光阻圖型之尺寸（nm )。 (光阻圖型形成方法）本發明之光阻圖型形成方法可由例如以下之方式進行〇亦即’首先在矽晶圓般之基板上，將上述正型光阻組成物以旋轉器等塗布，在8 0〜1 5 0 °C之溫度條件下，實施預烘烤4 0〜：[2 0秒，較佳爲6 0〜9 0秒。在所得膜，藉由例如ArF曝光裝置等，使ArF準分子雷射光透過所望之光阜圖型予以選擇性曝光後，在8 〇〜〗5 〇它之溫度條件下 -31 - 1300165 (27) ，實施PEB (曝光後加熱）40〜120秒，較佳爲 60〜90 秒。接著對此使用鹼顯影液，例如0 . 1〜1 0質量％氫氧化四甲基銨水溶液予以顯影處理。如此，可獲得光罩圖型之忠實光阻圖型。另外，在基板與光阻組成物之塗布層之間，可設置有機系或無機系之防反射膜。又，用於曝光之波長，並無特別限定，可使用ArF準分子雷射，KrF準分子雷射，F2準分子雷射，EUV (極紫外線），VUV (真空紫外線），EB (電子線），X線，軟 X線等之放射線來進行。與本發明有關之正型光阻組成物，尤以對ArF準分子雷射爲有效。實施例以下，例示實施例對本發明加以詳細説明。 (all).在1-乙基-1-環己基甲基丙燒酸醋（一般式 (a卜2)中，R爲甲基，R】2爲乙基，X係與R】2鍵結之碳原子共同形成之基相當於爲環己基之構成單元之單體） (al2) : 1-乙基小環戊基甲基丙燒酸酯（一般式（ a]-2)中，R爲甲基，R12爲乙基，X爲與R]2鍵結之碳原子共同形成之基爲相當於環戊基構成單元之單體） (al3) : 2 -甲基-2-金剛垸基甲基丙條酸酯（在一般式（I)中’ R爲甲基’ R1爲相當於爲甲基構成單元之單體） (a 1 4 )· 2 -乙基-2 -金剛院基甲基丙燒酸酯（一般式 -32_ 1300165 (28) (1)中，R爲甲基，R1爲相當於爲乙基之構成單元之單體） (a2 1) :γ-丁內酯甲基丙烯酸酯（一般式（VII)中，R爲相當於爲甲基之構成單元之單體） (a22 ):降菠烷內酯丙烯酸酯（一般式（VI )中，R 爲相當於爲氫原子構成單元之單體） (a31 ) : 3-羥基-卜金剛烷基甲基丙烯酸酯（一般式 (VIII )中，R爲甲基，η爲1，相當於羥基爲鍵結於金剛烷基之3位構成單元之單體） (a3 2 ) : 3-羥基-1-金剛烷基丙烯酸酯（一般式（ VIII )中，R爲氫原子，η爲1，相當於經基爲鍵結於金剛烷基之3位構成單元之單體）合成例1 將前述單體（all) 0.1莫耳，（a21) 0.1莫耳及（ a3 1 ) 0.05莫耳之混合物0.25莫耳溶解於500ml之甲基乙基酮（MEK )，對此添加AIBN 0.01 mol並予以溶解。將所得之溶液加熱至65〜70 °C，在此溫度維持3小時。其後，將所得反應液，注入良好攪拌之異丙醇3 L中，將析出之固形物藉由過濾予以分離。將所得固形物溶解於 3 0 0m I之MEK，注入良好攪拌之甲醇3L中，將析出之固形物藉由過濾予以分離，乾燥，獲得光阻用樹脂（XI ) 〇將所得光阻用樹脂（X 1 )予以分析時，質量平均分 -33- 1300165 (29) 子量爲1〇〇〇0，分散度（Mw/ Μη)爲1.7。又，以碳13 ( 13C ) NMR測定之結果，上述（al 1 )與（a21 )與（a31 ) 所衍生之構成單兀之比率係’ 40: 4 〇: 20 (吴耳比）。該等構成單元係如次式（XII)所示·

H5

•••(XII) 合成例2 前述單體（a 1 2 ) Ο . 1莫耳，（a2 1 ) 〇 · 1莫耳及前述（ a 3 1 ) 0 · 0 5莫耳之混合物0 · 2 5莫耳溶解於，5 0 Om l之甲基乙基酮（MEK )，對此添力□ AIBN 0.01 mol並予以溶解。將所得之溶液加熱至6 5〜7 0 °C，在此溫度維持3小時。其後，將所得反應液，注入良好攪拌之異丙醇3L中，將析出之固形物藉由過濾予以分離。將所得固形物溶解於 3 00ml之MEK，注入良好攪拌之甲醇3L中，將析出之固形物藉由過濾予以分離，乾燥，獲得光阻用樹脂（X 2 ) 〇將所得光阻用樹脂（X 2 )予以分析時，質量平均分 -34- 1300165 (30) 子量爲10000，分散度（Mw/Mn)爲1.6。又，以碳13 ( ]3C) NMR測定之結果，上述（all )與（a21 )與（a31 ) 所衍生之構成單元之比率係，40: 40:20(莫耳比）。該等構成單元係如次式（XIII )所示。

•--(XIII) 合成例3 將前述單體（al 1 ) 0.1莫耳，（a22 ) 0.1莫耳及（ a3 2 ) 0.05莫耳之混合物0.25莫耳溶解於，5 00ml之甲基乙基酮（MEK)，對此添加AIBN O.Olmol並予以溶解。將所得之溶液加熱至65〜70°C，在此溫度維持3小時。其後，將所得反應液，注入良好攪拌之異丙醇3L中，將析出之固形及藉由過濾予以分離。將所得固形物溶解於 3 0 0ml之1^1<：，注入良好攪拌之甲醇31^中，將析出之固形物藉由過濾予以分離，乾燥，獲得光阻用樹脂（X3 ) 〇將所得光阻用樹脂（X 3 )予以分析時’質量平均分 -35- 13〇〇165 (31) 子量爲10000，分散度（Mw/Mn)爲I·7 °又’以碳13 ( ]3C ) NMR測定之結果，上述（al 1 )與（a22 )與（a32 ) 所衍生之構成單元之比率係，40 : 4〇 : 2〇 (莫耳比）。該等構成單元係如次式（XIV )所示。

• ••(XIV) 比較合成例1 將前述單體（al3 ) 0.1莫耳，（a2l ) 0.1莫耳及（ a 3 1 ) 0.0 5莫耳之混合物0.2 5莫耳溶解於’ 5 0 0 m 1之甲基乙基酮（Μ E K )，對此添力□ AIΒ Ν 0 · 0 1 m 〇 1並予以溶解。將所得之溶液加熱至6 5〜7 (TC，在此溫度維持3小時。其後，將所得反應液，注入良好攪拌之異丙醇3 L中，將析出之固形物藉由過濾予以分離。將所得固形物溶解於 3 00ml之MEK，注入良好攪拌之甲醇3L中，將析出之固形物藉由過濾予以分離，乾燥，獲得光阻用樹脂（γ 1 ) -36- 1300165 * (32) 將所得光阻用樹脂（Y 1 )予以分析時，質量平均分子量爲10000。又，以碳13 (13C) N MR測定之結果，上述（al3)與（a21)與（a31)所衍生之構成單元之比率係，40 : 40 : 20 (莫耳比）。該等構成單元係如次式（ XV )所示。

-· · (XV) 比較合成例2 將下述單體（al4) 〇· 1莫耳，（a22 ) 0.1莫耳及（ a3 2 ) 〇·〇5莫耳之混合物〇,25莫耳，溶解於，5 00ml之甲基乙基酮（MEK )，對此添加AIBN O.Olmol並予以溶解。將所得之溶液加熱至65〜70°C，在此溫度維持3小時。其後，將所得反應液，注入良好攪拌之異丙醇3L中，將析出之固形物藉由過濾予以分離。將所得固形物溶解於 3 0 0ml之MEK，注入良好攪拌之甲醇3L中，將析出之固形物藉由過濾予以分離，乾燥，獲得光阻用樹脂（Y2 ) -37- 1300165 (33) 將所得光阻用樹脂（Y2 )予以分析時，質量平均分子量爲1 0000。又，以碳13 ( 13C) NMR測定之結果，上述（al4 )與（a22 )與（a32 )所衍生之構成單元之比率係，40 : 40 : 2 0 (莫耳比）。該等構成單元係如次式（

〇

ΌΗ (XV I ) 以上之結果則歸納於表表 (all> (al2) (al3) (al4) (a21) (a22) (a31) (a32) 分子量合成例1(X1) 40 • • 一 40 • 20 10000 合成例2(X2) 一 40 • 一 40 • 20 10000 合成例3(X3) • 40 • • 一 40 一 20 10000 比較合成例](Y1) 一 • 40 一 40 — 20 一 10000 比較合成例2(Y2) 鲁 ! ^ 一 40 - 40 - 20 10000 -38 - 1300165 (34) 實施例1 在合成例1所得樹脂（X !)〗0 0質量份，（B )成分係以一本基-3 -甲基苯基鎏九氟丁烷磺酸鹽（以下簡稱爲「PAG1」° ) 2.0質量份及三（三級丁基苯基）鎏三氟甲烷磺酸鹽（以下簡稱「p A G 2」）。〇. 8質量份，（D )成分係以二乙醇胺（以下簡稱 AMINE1 ) 。）0.25質量份溶解於γ·丁內酯25質量份，及丙二醇單甲基醚乙酸酯（ PGMEA )與乳酸乙酯（el)之混合物（質量比8 : 2) 900 質量份’來調製正型光阻組成物。接著’將有機系防反射膜組成物「ARC-29A」（商品名，Brewer科學公司製），使用旋轉器在矽晶圓上塗布，在熱板上進行2 1 5 °C，60秒煅燒予以乾燥，來形成膜厚 7 7urn之有機系防反射膜。接著，將上述正型光阻組成物使用旋轉器塗布於防反射膜上，在熱板上上進行1 1 5。(：， 9〇秒預烘烤，進行乾燥，來形成膜厚3 00iim之光阻層。接著，藉由ArF曝光裝置NSR-S302 (Nik〇n公司製 ;NA (開口數）=〇·60;2/3輪帯），將ArF準分子雷射（ 193nm)透過光罩圖型進行選擇性照射。接著，以1 15°C，90秒之條件進行PEB處理，進而在23 t以2.38質量％氫氧化四甲基銨水溶液進行60秒張力式（ρ υ d d 1 e )顯影，其後進行2 0秒水洗並乾燥之，來形成光阻圖型。其結果，使用實施例1之正型光阻組成物所得之 1 3 0 n m之光罩被轉印成1 3 0 n m之曝光量予以曝光時之溝 -39- 1300165 (35) 渠圖型之限界解析力爲110nm。又，與上述相同，使用12〇111^及20〇11111之L&S空間之光罩圖型來形成 L&S圖型，而可由以下之式來求得 Μ E F (光罩誤差因數）之値。

MEF= I CD2〇〇-CDj2〇 I / I MD200-MD120 I 上述式中，CD200，CD】2〇係使用各爲200nm，120nm 之光罩圖型所形成之 L&S圖型之光阻圖型寬（nm )， MD2〇〇，MD]2〇各爲光罩圖型之寬（nm) ，MD2G〇 = 200， MD12G=120。其結果，MEF 爲 0.96。又，表示上述所形成之12 Onm之線與間隙（L&S )圖型之LER之尺度3σ則予以求得。其結果，所得之圖型之 3 σ 爲 4 · 3 n m 0 又，3 σ係藉由側長S E Μ (日立製作所公司製，商品名「S - 9 2 2 0」）」，來測定3 2處試料之光阻圖型之寬，由其結果算出之標準偏差（σ )之3倍値（3 σ )。此3 σ，其値越小則粗糙度越小，可得到均勻寬之光阻圖型之意。又，感度爲3 1 mJ/cm2，形成I30nm之空間部之溝渠圖型之焦點深度寬爲600nm。比較例1 除了在實施例1中，替代樹脂（X 1 )，而使用比較合成例1所得樹脂（Y1 )以外其他與實施例1同樣，來 -40- 1300165 (36) 調製正型光阻組成物。接者’除了在實施例1中，將預烘烤温度與p E B温度各自以1 3 0 °C取代以外其他同樣來形成光阻圖型，進行與實施例1同樣的特性評價。其結果’所得同樣之溝渠圖型之限界解析力係120nm ，MEF 係 0.66，3σ 係 6·5ηηι。又，感度爲 29mJ/cm2，將形成130nm之空間部之溝渠圖型之焦點深度寬爲4〇〇nm 〇由上述結果，含有合成例1所得樹脂（X1 )之實施例1之正型光阻組成物，解析性高爲自明。又，MEF亦接近於1 ’進而，使用該正型光阻組成物所得光阻圖型， LER之小爲良好之物。進而焦點深度中亦優異。以實施例2〜3，比較例2，下述表2所示組成將正型光阻組成物調整後，以下述表3所示封裝來形成光阻圖型，其結果歸納於表4。又，表中之括弧内之數値，在沒有特別聲明下係表示質量份。 1300165 (37) 表2 (A) (B) (D) (C) 其他實施例1 XI (100) PAG1(2.0) PAG2(0.8) AMINE1 ； (0.25) PGMEA/EL=8/2 (900) γ-丁內酯(25) 實施例2 X2 (100) PAG1(2.0) PAG2(0.8) AMINE1 (0.25) PGMEA/EL=8/2 (900) γ-丁內酯(25) 實施例3 X3 (100) PAG3(2.0) AMINE1 (0.1) PGMEA/EL=8/2 (1200) 比較例1 Y1 (100) PAG1(2.0) PAG2(0.8) AMINE1 (0.25) PGMEA/EL=8/2 (900) γ-丁內酯(25) 比較例2 Y2 (100) PAG3(2.0) AMINE1 (0.1) PGMEA/EL=8/2 (1200) 表3

基板防反射膜光阻膜厚 PAB PEB 光源實施例]. 8英吋Si ARC29A(77nm) 300nm 115DC/90 秒 1150°C/90 秒 ArF 實施例2 8英吋Si ARC29A(77jun) 300nm ]]5cC/90 秒 1]50〇C/90 秒 ArF 實施例3 8英吋Si ARC29A(77nni) 200nm 115〇C/90 秒 ]0501：/90 秒 ArF 比較例1 8英吋Si ARC29A(77nm) 300nm 130°C/90 秒 ]300〇C/90 秒 ArF 比較例2 8英吋Si ARC29A(77nm) 200nm I200°C/90 秒 l]0°C/90 秒、 ArF

一 42- 1300165 (38) 實施例1〜2，比較例1係曝光裝置：Nikon S 3 0 2 ( N A = 0.6，2 / 3輪帯照明）’實施例3及比較沿曝光裝置：Nikon NSR-S302 ( ΝΑ = 0.6，σ = 0.7 5) NSR-2係表4 感度限界解析力 DOF MEF LER 實施例1 31mJ/cm2 llOrnn溝渠圖型 600nm 0.96 4.3nm 實施例2 33mJ/cm2 llOnm溝渠圖型 500nm 0.86 5.3nm 比較例1 29mJ/cm2 llOrnn溝渠圖型 400nm 0.66 6.5nm 實施例3 25mJ/cm2 130nm空洞圖型 500mn 1.65 • 比較例2 30mJ/cm2 130nm空洞圖型 400nm 1.97 - <感度> 在實施例1〜2，比較例1中求得形成1 3 Onm ; 圖型之際之感度。在實施例3，比較例2中，求ί 1 4 Onm之稠密接觸孔圖型（間距3 0 0nrn )際之感度。溝渠口径 <限界解析力> 在上述感度之限界解析力。實施例1〜2，比係以溝渠圖型評價。在實施例3，比較例2中係以觸孔圖型評價。例1 密接 <D〇F> -43 - (39) 1300165 在實施例1〜2，比較例1中來測定1 3 0 n m之溝渠圖型之焦點深度寬。並測定實施例3，比較例2中□径 1 4 0 n m之稠密接觸孔圖型（間距3 0 0 n m )之焦點深度寬。 <MEF> 在實施例1〜2，比較例1中使用120nm及200nm之線與間隙圖型，自上述之式求得MEF (光罩誤差因數）之値。在實施例3，比較例2中與比較例1中係使用口径 140nm及 200nm之稠密接觸孔圖型，由上述式來求得 MEF (光罩誤差因數）之値。 <LER> 在實施例1〜2，比較例1中藉由側長SEM (日立製作所社製，商品名「S-9220」），來測定32處120nm之線與間隙圖型之寬，由其結果算出之標準偏差（σ )之3倍値（3 σ )。在實施例3及比較例2中，因接觸孔圖型，雖無法將LER予以数値化，但在剖面SEM照片中實施例3 與比較例2加以比較，則實施例3之空洞圖型内壁之凹凸則被減低。 -44 -

Claims

1300165 外年"月 <日料本 (1) 十、申請專利範圍第93 1 23 690號專利申請案中文申請專利範圍修正本民國9 6年12月：^日修正 1 · 一種光阻用樹脂，其特徵爲以（α -低級院基）丙嫌酸酯所衍生之構成單兀（a)爲主成分，該構成單元（a )具有含酸解離性溶解抑制基之（α-低級烷基）丙烯酸酯所衍生之構成單元（al )，及下述一般式（VII)

〔式中，R表示氫原子或低級烷基〕所示之含內酯單環式基之（α-低級烷基）丙烯酸酯所衍生之構成單元（a2-l ) ，該構成單元（al)係具有下述一般式（al-2) 1300165 (2) 6Λ

•2) 〔式中，R表示氫原子或低級烷基，R12爲乙基，X表示含有與R12鍵結之碳原子共同形成自碳原子數4〜8之單環式環鏈烷除去1個氫原子之基之基且不含有自聚環鏈烷除去1個氫原子之酸解離性溶解抑制基〕所示之構成單元 (a 1 - 2 ) 〇 2.如申請專利範圍第1項之光阻用樹脂，其中該構成單元（a )進而具有，含有含極性基脂肪族烴基之（α-低級烷基）丙烯酸酯所衍生之構成單元（a3 )。 3 ·如申請專利範圍第2項之光阻用樹脂，其中該構成單元（a)進而具有該構成單元（a2-l )及（a3 )以外的含有多環式之脂肪族烴基之（α-低級烷基）丙烯酸酯所衍生之構成單元（a4 )。 4· 一種正型光阻組成物，其特徵爲含有（A )藉由酸之作用使鹼可溶性増大之光阻用樹脂成分，及（B )因曝光使酸產生酸產生劑成分者，該（A )成分係含有如申請專利範圍第1項之光阻用樹脂。 -2- 1300165 5 ·如申請專利範圍第4項之正型光阻組成物，其進而含有含氮有機化合物。 6. —種光阻圖型形成方法，其特徵爲，使用如申請專利範圍第4項之正型光阻組成物在基板上形成正型光阻膜，相對於該正型光阻膜進行選擇性曝光處理後，予以鹼顯影以形成光阻圖型者。 7. —種光阻用樹脂，其特徵爲以（α-碳原子數1〜5 之烷基）丙烯酸酯所衍生之構成單元（a)爲主成分，該構成單元（a )具有，含有酸解離性溶解抑制基之（α -碳原子數1〜5之烷基）丙烯酸酯所衍生之構成單元（al) ，及下述一般式（V)或（VI)

〔式中，R示氫原子或碳原子數1〜5之烷基〕 ΐ3〇〇1β5 ‘ (4) R

Ο 1〜5之烷〔式中，R示氫原子或碳原子數1〜5之烷基〕所示含有含內酯多環式基之（α·碳原子數 _ )丙烯酸酯所衍生之構成單元（a2 )，該橇成單元（al)係下述一般式（al-2-l)

〔式中，Ri2爲乙基，X表示含有與R12鍵結之碳原子共同形成自碳原子數4〜8之單環式環鏈烷除去1個氫原子之基之基，且不含有自聚環鏈烷除去1個氫原子之酸解離 .4 - 1300165… (5) 性溶解抑制基〕所示之由甲基丙嫌、酸酯所衍生之構成單元 (al-2-l )。 8. 如申請專利範圍第7項之光阻用樹脂，其中該構成單元（a )具有，進而含有含極性基脂肪族烴基之（α-低級烷基）丙烯酸酯所衍生之構成單元（a3)。

9. 如申請專利範圍第7項之光阻用樹脂，其中該構成單元（a )進而具有該構成單元（a2 )及（a3 )以外的含有多環式脂肪族烴基之（（X-低級烷基）丙烯酸酯所衍生之構成單元（a4 )。 1 〇 · —種正型光阻組成物，其特徵爲含有（A )藉由酸之作用使鹼可溶性増大之光阻用樹脂成分，及（B )因曝光使酸產生酸產生劑成分之正型光阻組成物，且該（A )成分含有如申請專利範圍第7項之光阻用樹脂。

1 1 ·如申請專利範圍第1 0項之正型光阻組成物，其進而含有含氮有機化合物者。 12_ —種光阻圖型形成方法，其特徵爲使用如申請專利範圍第1 0項之正型光阻組成物在基板上形成正型光阻膜’相對於該正型光阻膜進行選擇性曝光處理後，予以鹼顯影來形成光阻圖型。