TWI298063B - Indolestyryl compounds and high density rrcording medium including the same - Google Patents

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TWI298063B
TWI298063B TW095108963A TW95108963A TWI298063B TW I298063 B TWI298063 B TW I298063B TW 095108963 A TW095108963 A TW 095108963A TW 95108963 A TW95108963 A TW 95108963A TW I298063 B TWI298063 B TW I298063B
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Description

l298〇63 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種卩引哄苯乙烯鹽化合物，特別是有 關於一種應用於高密度記錄媒體之吲哚苯乙烯鹽化合物。 【先前技術】 者負祝與多媒體世代的來臨，包括電腦、通訊、消 費性 3C(C〇mputer，Comimmication，Consumer mectr〇nics) 『電子產品對於媒體儲存的密度及容量需求不斷增加，遂唯 有高儲存密度、小型化及低製作成本的儲存媒體方可應付 大量資訊的流通，由於一般磁性儲存媒體已不敷所需，取 而代之的正是目前極力研究開發的高密度光資訊儲存媒 體。 、、目前，高晝質數位電視(HD-TV)錄製兩小時的數位頻 道郎目需要25〜50GB的儲存容量，遂65〇μβ的CD-R與 4.7GB的DVD-R已明顯不敷使用。而下世代雷射讀寫波 『長為405nm的藍光光碟，其單層容量可達25GB以上，因 此，開發適用於藍光雷射(405nm)的光記錄媒體染料已成為 研究者迫不及待的工作。 【發明内容】 本發明係提供一種吲哚苯乙烯鹽化合物，具有下列化 學式⑴： 0424-A21146TWF(N2)；P02940012TWA1 ;david 7 (i) 1298063
其中Zl係包括苯環、蔡環或_、 係包括氫、自素、C^5烧基H R雜蜋’ R2 磺胺基、硫酸酯、醯胺基、Cm、斤^ # si基、 氰基、Ck烷硫基或CM烷氧羰基； 70胺土 括氫、烷基、芳烷基一kyl)或；氣二二R4R6係包 R3與R4可與氮原子相連成環，r^r二5，環’且 R8係包括氫姐基；〜。係包括氫、、k 成％;R7與 現基、i素、硝基、經 基、氨基、_基絲代絲取代之伽基(sulfGnyl);界係 包括碳或氮；Y係包括碳、氧、硫、硒、_NR或_C(CH3)2; m為1〜3，以及Xi係包括陰離子基團或陰離子有機金屬錯 合物。 本發明另提供二種高密度記錄媒體，第一種，包括： 一第一基板；一記錄層，形成於該第一基板上，其包括如 化學式⑴所述之吲哚苯乙烯鹽化合物·，一反射層，設置於 該記錄層上；以及一第二基板，設置於該反射層上。 第二種，包括：一第一基板；一反射層，設置於該基 板上；一記錄層，形成於該反射層上，其包括如化學式⑴ 所述之吲哚苯乙烯鹽化合物；一保護層，設置於該記錄層 上0 0424-A21146TWF(N2)；P02940012TWA1 ；david 8 Ι298ί)63〇8963號專利說明書修正頁 修正日期：97.1.24
【實施方式】 本發明係提供一種吲哚苯乙烯鹽化合物，具有化學式
在化學式(I)中，ζ!例如為苯環、萘環或含氧、硫或氮 的雜環，其中含氧、硫或氮的雜環可包括呋喃（furan)、口比 • 曝（pyrazine)、R比洛（pyrrole)、卩比 4 (pyrazole)、噠 P秦 (pyridazine)、邮匕唆（pyridine)、B比咬酮（pyridone)、哺咬 (pyrimidine)、噻峻（thiazole)、噻吩（thiophene)、啥 ϋ寧 (quinoline)或異嘻σ寧(isoquinoline)。 R2例如為氫、鹵素、Cw烷基、硝基、酯基、酸基、 確酸基、續胺基、硫酸醋、酿胺基、C1-3燒氧基、胺基、 烷胺基、氰基、Ci_6烷硫基或c2_7烷氧羰基。r3、r4、r5 與R6例如為氫、烧基、芳烧基(aralkyl)或含氧、硫或氮之 雜環，且R3與R4可與W原子相連成環，R5與R6可相連 成環。而取代在R3、R4、R5與R6上的取代基可包括氫原 子、鹵素原子、烧基、鹵烧基、硝基、氰基、經基、酸基、 酯基、續酸基、續酸酯基或續胺基。 R7與Rg例如為氳或烧基。Ri〇例如為氮、烧基、鹵素、 硝基、羥基、氨基、酯基或取代或未取代的磺醯基 1298(^11 〇8963號專利說明書修正頁 修正日期= 97.4.9 :正替4
、i,r - (sulfonyl)。W例如為碳或氮原子。γ例如為碳、氧、硫、 石西、-NR或-C(CH3)2。m例如為1〜3。X〗例如為陰離子基團 或陰離子有機金屬錯合物，其中陰離子基團可包括齒素離 子(X·)、過氯酸根(CKV)、四氟硼酸鹽(BF，）、六氟磷酸鹽 (PF6·)、四苯硼酸鹽（BPh〇、六氟銻酸鹽（SbF6>四氰基- 對喧 口若二甲烧(tetracyano p-quinodimethane，TCNQ-)、四氰 乙烯扣杜&〇7&11(^1^化狀，1^^£-)或苯磺酸鹽。而陰離子有
上述化合物的吸收波長大體介於3〇〇〜5〇〇nm，吸收係 數卜）大於5*1〇4，且於例如Gw醇類（alc〇h〇1)、Cw酮類 (ketone)、CV6 ϋ類（ether)、二丁基醚(dibutyl ether，DBE)、 鹵素化合物或醯胺(amide)的有機溶劑中的溶解度大於1%。 本發明提供之卩引哚苯乙烯鹽化合物更包括下列化學式 10 (II) ·· 1298063 (ιι)
在化學式(II)中，如為苯環、萘環或含氧、硫或氮 的雜環。R2例如為氫、鹵素、Ci_5烧基、确基、醋基、酸 基、續酸基、續胺基、硫酸自旨、醯胺基、Ci_3烧氧基、胺 基、烷胺基、氰基、Ci_6烷硫基或C2_7烷氧羰基。R3、R4、 R5與R6例如為氳、烷基、芳烷基(aralkyl)或含氧、硫或氮 的雜環。R7與R8例如為氳或烷基。R9例如為氳、烷基或 取代或未取代的苯環或萘環。W例如為碳或氮。Y例如為 碳、氧、硫、石西、-NR或_C(CH3)2。m例如為1〜3。Χι例如 為陰離子基團或陰離子有機金屬錯合物。 以下列舉出本發明吲哚苯乙烯鹽化合物的特定實例：
0424-A21146TWF(N2)；P02940012TWA1 ；david 11 1298063
化學式⑴可由下述方式合成，首先，混合吲哚鹽、溶 劑與醛基化合物置於反應瓶中，其中吲哚鹽例如為
COOCH3或 ，U。^ U \，溶劑例如為乙 醇或曱醇，醛基化合物例如為N，N-二曱基曱醛，加熱反應 大體20〜24小時，反應後，抽乾溶劑，得到吲哚苯乙烯鹽， 接著，混合吲哚苯乙烯鹽、溶劑、含鋰、鈉或鉀的鹽類化 合物置於反應瓶中，其中溶劑例如為曱醇或乙醇，含鋰、 0424-A21146TWF(N2)；P02940012TWA1 ；david 12 1298063 鈉或鉀的鹽類化合物例如為六氟銻酸鈉(NagbF6)、過氯酸 鈉(NaCl〇4)或六氟磷酸鈉(NaPF6)，加熱反應過夜，反應後， 待冷卻至室溫後過濾，即得到本發明的吲哚苯乙烯鹽化合 物0 本發明另提供二種高密度記錄媒體，第一種，包括： 一第一基板；一記錄層，形成於該第一基板上，其包括如 化學式⑴所述之卩引哄苯乙烯鹽化合物；一反射層，設置於 該s己錄層上，以及一第二基板，設置於該反射層上。
第二種，包括··一第一基板；一反射層，設置於該基 板上；一記錄層，形成於該反射層上，其包括如化學式(I) 所述之雙吲哚苯乙烯鹽化合物；一保護層，設置於該記錄 層上。 上述二種第一基板為具有溝槽結構的透明基板，第二 基板為不具有溝槽結構的透明基板，由例如為聚酯類、聚 碳酸醋類、聚浠類或環浠烴共聚物(metall〇cene based cyclic olefin copolymer)的材質所構成。記錄層的厚度大體介於 50〜300奈米，其更可包括花青染料(Cyanine、偶氮金 屬螯合化合物（azo metal chelate Compound)、oxonol 化合物 或其他染料，而卩引卩朵苯乙烯鹽化合物與花青染料、偶氮金 屬螯合化合物、oxonol化合物或其他染料的重量比大體為 1 : 99〜99 : 1。反射層的材質例如為金、銀、紹、石夕、銅、 銀鈦、銀鉻、銀銅或其合金。此外，該記錄層上更包括一 由硫化鋅、氮偏S、氮化⑦或碳切等材質所構成的介電 層0 0424-A21146TWF(N2)；P02940012TWA1 ；david 13
1298063 本發明高密度記錄媒體的光電性質如下，反射率 (reflectance)大體介於40〜60%。另此處所指的高密度記錄 媒體可包括高密度可錄式光碟片。 接著，說明二種本發明高密度可錄式光碟片的製作， 首先第一種製法：先提供一第一基板，同時製備一混合有 吲哚苯乙烯鹽化合物與溶劑的溶液，其中所使用的溶劑可 包括 Ci_6 醇類、Ci_6 S同類、Ci_6 醚類、二丁基醚（dibutyl ether, DBE)、鹵素化合物或醯胺，而Cm醇類可為曱醇、乙醇、 異丙醇、二丙酮醇(diacetonalchol，DAA)、2,2,3,3-四氣丙醇 (2,2,3,3-tetrafluoropropanol， TFP)、三氯乙醇 (trichloroethanol)、2-氯乙醇（2_chloroethanol)、八氟戍醇 (octafluoropentanol)或六氟丁醇（hexafluorobutanol)，Ci_6 酮 類可為丙酉同、曱基異丁_(methyl isobutyl ketone，MIBK)、 甲基乙基酮(methyl ethyl ketone, MEK)或 3_經基_3_曱基-2-丁酮（3_hydroxy-3-methyl-2-butanone)，鹵素化合物可為氯 仿（chloroform)、二氯曱烧（dichloromethane)或 1_ 氯丁烧 (Ι-chlorobutane)， 醯胺可為二曱基曱醯胺 (dimethylform amide, DMF)、二曱基乙醯胺 (dimethylacetamide， DMA)或曱基環己烧 (methylcyclohexane，MCH)。接著，將溶液塗佈於第一基板 上並烘乾之，以形成一記錄層，塗佈方式包括旋轉塗佈法、 滾壓塗佈法、真空蒸鍍法、喷墨塗佈法、浸潰塗佈法、線 棒塗佈法、流動塗佈法、網印法或捲帶式塗佈法，其中以 旋轉塗佈法為較佳選擇，接著，蒸鍍一反射層於記錄層上， 0424-A21146TWF(N2)；P02940012TWA1 ；david 14
1298063 敢後’將一弟二基板貼合於反射層上，即完成一高密度可 • 錄式光碟片，而貼合第二基板與反射層的方式可包括旋轉 - 塗佈法、網印法、熱融膠法或雙面膠帶貼合法。在上述高 密度可錄式光碟片的製作過程中，亦可於第二基板貼合 前，先塗佈一保護層於反射層上。 第二種製法：先提供一第一基板，接著，蒸鐘一反射 層於基板上，接著製備一混合有吲哚苯乙烯鹽化合物與溶 劑的溶液，其中所使用的溶劑可包括（^_6醇類、Ck酮類、 ^ Ci_6醚類、二丁基醚(dibutyl ether，DBE)、鹵素化合物或醯 胺，而Ci_6醇類可為甲醇、乙醇、異丙醇、二丙酮醇 (diacetonalchol， DAA) 、 2,2,3,3_ 四 氟丙醇 (2,2,3,3-tetrafluoropropanol， TFP)、三 氯乙醇 (trichloroethanol)、2·氯乙醇（2-chloroethanol)、八氟戍醇 (octafluoropentanol)或六氟丁醇（hexafluorobutanol)，Cu 酮 類可為丙酮、甲基異丁 _ (methyl isobutyl ketone，MIBK)、 甲基乙基酮(methyl ethyl ketone，MEK)或 3-經基·3_ 曱基-2-9 丁酮（3-hydroxy-3-methyl-2_butanone)，鹵素化合物可為氯 仿（chloroform)、二氯甲烧（dichloromethane)或 1-氯丁烧 (Ι-chlorobutane)， 醯胺可為二曱基甲醯胺 (dimethylformamide， DMF)、二曱基乙醯胺 (dimethylacetamide， DMA)或甲基 環己烧 (methylcyclohexane，MCH)。再將將溶液塗佈於反射層上並 烘乾之’以形成一記錄層’塗佈方式包括旋轉塗佈法、滾 壓塗佈法、真空蒸鍍法、喷墨塗佈法、浸潰塗佈法、線棒 0424-A21146TWF(N2)；P02940012TWA1 ；david 15 (§ 1298063 塗佈法、流動塗佈法、網印法或捲帶式塗佈法，其中以旋 轉塗佈法為較佳選擇。最後，塗佈一保護層於此記錄層上， 即完成一高密度可錄式光碟片。 以下藉由數個實施例以更進一步說明本發明之特徵及 優點。 【實施例】 實施例1 化合物1的合成
化合物1 合成步驟： 將4,53克的
2.92克的Ν，Ν-二曱基 曱醛以及50毫升的甲醇加入雙頸瓶中，加熱反應過夜，反 應完成後冷卻至室溫並過濾之，即得到2.55克的褐色固體 化合物1。該化合物產率為52%。其在曱醇溶液下可見光 最大吸收波長為371nm。 實施例2 0424-A21146TWF(N2)；P02940012TWA1 ；david 16 1298063 I r 化合物2的合成
合成步驟：
將4.9克的化合物1、2.44克的過氯酸鈉以及50毫升 的甲醇加入雙頸瓶中，加熱反應過夜，反應完成後冷卻至 室溫並過濾之，即得到4.0克的褐色固體化合物2。該化合 物產率為89%。其在曱醇溶液下可見光最大吸收波長為 371nm 〇 實施例3 化合物3的合成
合成步驟： 將10.79克的
、5.85 克的 N，N- 0424-A21146TWF(N2)；P02940012TWA1 ；david 1298063 一曱基曱.以及50毫升的甲醇加入雙頸瓶中，加熱反應過 夜，反應完成後冷卻至室溫並過渡之，即得到10.22克的 褐色固體化合物。取5.94克的該褐色化合物、516克的六 氟録酸納以及50毫升的甲醇加入雙頸瓶中，加熱至攝氏 80度反應過夜，反應完成後冷卻至室溫並過濾之，即得到 6·4克的紅褐色固體化合物3。該化合物產率為91%。其在 曱醇溶液下可見光最大吸收波長為373nm。 , 實施例4 化合物4的合成
合成步驟： 將2克的
、0.43克的N，N-二甲基甲醛以及 50毫升的曱醇加入雙頸瓶中，加熱反應過夜，反應完成後 冷卻至室溫並過濾之，即得到1.2克的褐色固體。取此固 體1克的、0.66克的六氟銻酸鈉以及50毫升的曱醇加入雙 頸瓶中，加熱反應過夜，反應完成後冷卻至室溫並過濾之’ 0424-A21146TWF(N2)；P02940012TWA1 ；david 18 1298063 即得到0.45克的紅棕色固體化合物4。該化合物產率為 36%。其在曱醇溶液下可見光最大吸收波長為 371nm 〇 表一係列舉化合物1〜3的光熱特性，包括最大吸收波 長(λιηΜηιη})、吸收係數（勺、熱劣解溫度(％)以及反射率（％)。
實施例5 高密度紀錄媒體的製作 請參閱第1圖、第2圖，說明本發明高密度紀錄媒體 的製作，首先第1圖：提供一具有溝槽結構12且材質為聚 碳酸酯的第一基板1〇，其中溝槽12的深度為122nm，寬 度為400nm，而第一基板1〇的直徑為ι2〇ηιπ1，厚度為 0.6mm。同時製備一濃度為1 5wt%、混合有化合物2與 2,2,3,3_ 四象丙醇（2,2,3,3_tetrafluoropropanol，TFP)的溶 液。接著，利用旋轉塗佈法將溶液塗佈於第一基板10上並 以攝氏80度的溫度烘乾5分鐘，以形成一記錄層20。接 著，濺鍍一層銀金屬於記錄層20上，以形成一反射層30， 0424-A21146TWF(N2)；P02940012TWA1 ；david 19 1298063 反射層30的厚度為15〇nm，最後，將一第二基板4〇貼合 於反射層30上，即完成一藍光高密度可錄式光碟片。在上 / 述咼始、度可錄式光碟片的製作過程中，亦可於第二基板4〇 • 貼合前，塗佈一層厚度為ΙΟμηι的UV樹脂於反射層30上 作為保護層（未圖示）之用。在波長4〇5nm下，該光碟片的 反射率可達43%。 第2圖部分：提供一具有溝槽結構12且材質為聚碳峻 酯的第一基板10，其中溝槽12的深度為122nm，寬度為 W 400nm，而第一基板丨〇的直徑為120mm，厚度為 接著，濺鍍一層銀金屬於第一基板10上，以形成一反射層 50，反射層50的厚度為i50nm。同時製備一濃度為 1.5wt%、混合有化合物3與2,2,3,3_四氟丙醇 (2,2,3,3_tetrafluoropropanol，TFP)的溶液。接著，利用旋轉 塗佈法將溶液塗佈於反射層50上並以攝氏80度的溫度烘 乾5分鐘，以形成一記錄層60。最後，塗佈一層厚度為1〇μηι 的uv樹脂於記錄層60上以形成一保護層70。 * 在波長405nm下，該光碟片的反射率可達42%。 本發明藉由修飾記錄層化學結構製作而成的藍光高密 度可錄式光碟片的光電性質例如反射率係較一般產品（反 射率約45%)為佳，且具備了高記錄感度與高載波信號雜訊 比（CNR)的特性，此種改良技術對目前藍光高密度光學記 錄媒體的研究發展來說，實為一重大貢獻。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神 0424- A21146TWF(N2);P02940012TWA1 ;david 20 1298063 l ， 和範圍内，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
0424-A21146TWF(N2)；P02940012TWA1 ；david 21 1298063 【圖式簡單說明】 第1圖係為本發明高密度可錄式光碟片結構的剖面示 意圖。 第2圖係為本發明另一高密度可錄式光碟片結構的剖 面示意圖。 【主要元件符號說明】 10〜第一基板；
12〜溝漕； 20〜記錄層； 30〜反射層； 40〜第二基板； 50〜反射層； 60〜記錄層； 70〜保護層。 0424-A21146TWF(N2)；P02940012TWA1 ；david 22

Claims (1)

  1. % 951|8963號申請專利範圍修正本修正日期：97。1.24 十、申請專利範圍：
    L一種吲哄苯乙烯I化合物，具有下列化學式口）：
    其中 Zi係包括苯環、萘環； R2係包括氫、鹵素、Cl 5烧基、硝基、酯基、酸基、 Ci-3烷氧基、氰基、Ci_6烷硫基； I R4 Rs與R6係包括氫、Cu烧基，且r3與為可 與氮原子相連成環，其中R3、I、化與R6上之取代基係 包括氳原子、鹵素原子、Cw烷基、鹵Q—5烷基、硝基、 氰基、經基； R7與Rs係包括氳或Cl_5烷基； Rio係包括氫、cK5烷基、鹵素、硝基、羥基、酯基、 酸基；W係包括碳或氮； y係包括碳、硫或_c(ch3)2 ; m為1〜3 ;以及 Xl係包括陰離子基團或陰離子有機金屬錯合物。 2·如申清專利範圍第1項所述之卩引卩朵苯乙烯鹽化合 23 1298丨 h 08963號申請專利範圍修正頁 修正日期：97.4.守: 物，其中Z!係包括苯環、萘環 3.如申請專利範圍第1項所述之吲哚苯乙烯鹽化合 物，其中乂！之陰離子基團係擇自鹵素離子(X》、過氯酸根 (C1CV)、四氟硼酸鹽（BF，）、六氟磷酸鹽（PF〇、四苯硼酸 鹽（BPh4_)、六氟銻酸鹽（SbF6·)、四氰基-對喹喏二曱烷 (teteacyano p-quinodimethane， TCNQ")、四氰乙烯 (tetracyanoethylene， TCNE·)、苯磺酸鹽、
    4.如申請專利範圍第1項所述之吲哚苯乙烯鹽化合 1 物，其中該化合物更包括下列化學式(II):
    (II) 其中Z:係包括苯環、萘環；R2係包括氳、鹵素、Cw 烧基、琐基、酯基、酸基、烧氧基、氰基、Ck烧硫基； R3、R4、R5與R6係包括氮、C]_5烧基；R7與R8係包括氮 24 1298063 或k貌基；&係包括氫、c〗_5炫基或取代或未 環或萘環，· W係包括碳或氮；γ係包括碳、硫或哪叫二 πι為1〜3 ;以及X】係包括陰離子基團或陰離子有機金= 合物。 1 5·如申請專利範圍第4項所述之吲哚苯乙烯鹽化合 物’其中該化合物係包括：
    6·如申請專利範圍第4項所述之吲哚苯乙烯鹽化合 物，其中該化合物係包括··
    7·如申請專利範圍第4項所述之吲哚苯乙烯鹽化合 物’其中該化合物係包括： 25 1298063
    8. 如申請專利範圍第1項所述之吲哚苯乙烯鹽化合 物，其中該化合物之吸收波長大體介於300〜500nm。 9. 如申請專利範圍第1項所述之吲哚苯乙烯鹽化合 HI 物，其中該化合物之吸收係數（0係大於1*1〇4。 10. 如申請專利範圍第1項所述之吲哚苯乙烯鹽化合 物，其中該化合物於有機溶劑中之溶解度係大於1%。 11. 如申請專利範圍第10項所述之吲哚苯乙烯鹽化合 物，其中有機溶劑係包括Cw醇類（alcohol)、C!_6酮類 (ketone)、Ck ϋ類（ether)、二丁基醚（dibutyl ether, DBE)、 鹵素化合物或酿胺(amide)。 12. —種高密度記錄媒體，包括： 一第一基板； 一記錄層，形成於該第一基板上，其包括如申請專利 範圍第1項所述之吲哚苯乙烯鹽化合物； 一反射層，設置於該記錄層上；以及 一第二基板，設置於該反射層上。 13. —種高密度記錄媒體，包括： 一第一基板； 一反射層，形成於該第一基板上，以及 一記錄層，設置於該反射層上，其包括如申請專利範 26 •1298063 圍第1項所述之吲哚苯乙烯鹽化合物； 一保護層，設置於該反射層上。 14.如申請專利範圍第12項所述之高密度記錄媒體， 其中該第一與第二基板係由聚酯類、聚碳酸酯類、聚烯類 或環稀烴共聚物（metallocene based cyclic olefin copolymer) 材質所構成。
    15·如申請專利範圍第13項所述之高密度記錄媒體， 其中該第一基板係由聚酯類、聚碳酸酯類、聚烯類或環烯 摔共聚物（metallocene based cyclic olefin copoly:mer)材質所 構成。 16·如申請專利範圍第12項所述之高密度記錄媒體， 其中該記錄層更包括花青染料(cyanine dye)、偶氮金屬螯合 化合物（azo metal chelate compound)或 oxonol 化合物。 17·如申請專利範圍第13項所述之高密度記錄媒體， 其中該記錄層更包括花青染料(cyanine dye)、偶氮金屬螯合 4匕合物（azo metal chelate compound)或 οχοηοΐ 4匕合物。 18·如申請專利範圍第12項所述之高密度記錄媒體， 其中該吲哚苯乙烯鹽化合物與花青染料、偶氮金屬螯合化 合物或oxonol化合物之重量比大體為1 : 99〜99 : 1。 19·如申請專利範圍第13項所述之高密度記錄媒體， 其中該吲哚苯乙烯鹽化合物與花青染料、偶氮金屬養合化 合物或oxonol化合物之重量比大體為1 : 99〜99 : 1。 20·如申請專利範圍第12項所述之高密度記錄媒體， 其中该反射層係擇自金、銀、銘、發、銅、銀欽、銀I久、 27 A298〇63 其合金所组成之族群。 其中丄如申請專利範圍* 13項所述之高密度記錄媒體， 銀旬及复ί層係擇自金m、銅、銀鈦、銀路、 【其合金所組成之族群。
    其中=2=請專利範B第12項所述之高密度記錄媒體， U向〜度°己錄媒體之反射率（reflectance)係大於40%。 其中兮^申請專利範圍第13項所述之高密度記錄媒體， 24·5〜度°己錄媒體之反射率(代巧⑽⑽㈣係大於。 其中請專利範15第12:項所述之高密度記錄媒體’ &巧进、度記錄媒體係包括高密度可錄式光碟片。 其中兮^申請專利範圍第項所述之高密度記錄媒體， 雄度記錄媒體係包括高密度可錄式光碟片。 其中診i如申请專利範圍第12項所述之高密度記錄媒體， 尤錄層係藉由旋轉塗佈、滾壓塗佈、含浸、喷墨或 為鍍法形成於該第一基板上。 97 l 直^ 申請專利範圍第13項所述之高密度記錄媒體， 二中4圮錄層係藉由旋轉塗佈、滾壓塗佈、含浸、喷墨或 秦鍍法形成於該反射層上。
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