TWI289898B - Method for reduced photoresist usage - Google Patents
Method for reduced photoresist usage Download PDFInfo
- Publication number
- TWI289898B TWI289898B TW092120610A TW92120610A TWI289898B TW I289898 B TWI289898 B TW I289898B TW 092120610 A TW092120610 A TW 092120610A TW 92120610 A TW92120610 A TW 92120610A TW I289898 B TWI289898 B TW I289898B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- photoresist
- controlling
- control signal
- signal
- distribution
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Description
年 月 曰 ^g2g_ 隸 92咖 五、發明說明（1) 【發明所屬之技術領域】 $發明係有關於一種半導體製程，特別是有關一種在 衫 '驟中，減少光阻使用量的方法。 【先前技術】 ^半導體製程中，半導體材料層之上，覆蓋許多電路 局圖案，用以形成複數的積體電路（Ic)於一半導體晶圓 ，兹機（stepper)是一般習知的機器，被使用在許多 ^敗#又，利用紫外光將光罩或是標線片（retic；le)上的 的案轉移到光阻層之上。光阻利用-立即旋轉式 一车ί二1，如塗佈機（c〇ater)，分配所滴下的光阻於 H材料層之上’如：多晶的PGlysiu⑽）層，或 dielectric)材料層之上，如：氧化層。塗佈機 圓了 其上方之晶® ’並且利用馬達快速旋轉晶 鐘轉速為〇~6_轉。光阻被平均分 回上。在光阻烘乾後，步進機將標 轉移電路佈局圖案。 、日日圓之上用以 阻材=中因ί重要的考慮因素便是成本，而光 丨且材料又相當卬貴。因此，需要一 中光阻分配的*，但又不會影響製 *此夠即省製程 塗佈機將光阻的量分配一致U程；：。因⑯，必須要 時，將不利於後來的製造料 1 §光阻的厚度不一致 例如：習知技術通常在高解. 短波長的紫外光源。高解析度的程序中、，使用 低解析度的微影程序淺。因此，光= 的聚焦深度比 佈機造成較厚或較薄的光阻層時先的厚度較薄°當塗 --；--—下來的黃光程序可
TW2625(070409)CRF.ptc 第7頁
能I法在光阻之上，複製預期中的電路佈局圖案。 習知技術在控制晶圓上光阻分配的量時，是利用人和 碼錶控制塗佈機，但這種方法是相當不精確且易受外界因 素所影響。 【發明内容】 有鑑於此，本發明提供一種控制光阻分配的方法，包 括下列步驟：提供一塗佈機，具有一旋轉模組；提供一晶 圓；將晶圓固定於旋轉模組；確認塗佈機之一控制板，用 以控制旋轉模組；確認至少一節點位於控制板之上，用以 提供複數控制信號予旋轉模組；提供一裝置，用以分析信 號，將分析信號之裝置連接至控制板上之節點；在晶圓上 ::光阻；確認一第一控制信號’用以使旋轉模組提供一 犯夠打斷光阻表面張力的最小旋轉速度；測量第一控制作 號；在分析信號之裝置中，顯示第一控制信號；控制一 ^ 阻分配的持續時間，用以提供一致性的光阻厚度，並且節 本發明另提供一種控制光阻分配之方法，包括：提供 模i;確認一控制板連接於旋轉模組，用以控制旋 ϊϊΐ旋C;具有至少一節點，用以提供複數控制 供一示波器；電性連結示波器與上述 ^得：轉模組提供一能夠打斷光阻表面張力之= j速度，《阻分配持續的時間等於第—控制信號之信號長
1289898 月 修正 曰 號 921?flRin 五、發明說明（3) f f M，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳 細死明如下： 【實施方式】 第1圖為本發明第一實施例之方法圖。如圖所示，一 ρ二旋轉塗佈機1 0包括：一旋轉裝置控制板1 2 ; -磁性活 連接至旋轉裝置控制板1 2 ;光阻分配器1 6連接至磁性 ^門14。光阻分配器1 6包括：一上活門1 8 ; —下活門2 0 ; -上感測器22 ; 一下感測器24以及一輸出26，用以分配光 阻光^阻分配器丨6亦包括：流動線（未圖示），一旋轉模組 C未圖示）以及一晶圓處理模組（未圖示）。 在本實施例中，一中央處理機28連接到塗佈機1〇的旋 轉裝置控制板12，用以控制塗佈機1〇的操作。一晶圓被晶 圓，理模組所固定，例如··一真空吸盤和旋轉模組使晶圓 f高轉速下旋轉。當光阻由輸出26所分配且在分配程序尾 ^又時時’上下活門1 8、2 0分別控制上下感測器2 2、2 4。光 阻會通過流動線和輸出26，形成於晶圓之上。光阻均勻地 塗佈在晶圓之上，以形成具有相同厚度的光阻層。 一般的光阻層的厚度係有四種物理意義：表面張力、 比重、研磨漿成分和黏度。其中，光阻材料的供應商所提 供之規格表中，已決定光阻之比重、研磨漿成分和黏度。 表面張力是液體的特徵，係關於液體表面分子的拉力。為 了均勻地分配晶圓表面上的光阻，塗佈機丨〇的旋轉裝置必 須提供足夠的離心力，以打斷光阻的表面張力。 請參考第1圖，一計時器3 0，可以顯示時間或是時間 訊號，在本實施例中為一示波器30用以測量旋轉裝置控制 TW2625(070409)CRF.ptc 第9頁 號 92120fi1fl 1289898 案 五、發明說明（4) 板12至旋轉模組的控制信號。示波器3〇可被其它具有分析 信號功能的設備所代替。因此，提供控制信號予旋轉模組 的節點是f先被量測的。在本實施例中，旋轉裝置控制板 1 2的節點32將被量測，因其提供對應的控制信號。而上述 節點32上可設有電磁閥。將旋轉裝置控制板12的節點32連 接至示波器3胃0，用以觀察及測量旋轉模組的控制信號。示 波器30所測量並顯示的控制信號，能夠使得旋轉模組提供 一能打斷光阻表面張力的最小旋轉速度，使得光阻能夠均 勻地被分配在晶圓表面上。在本實施例中，24片晶圓的平 均最小轉速約為2 6 0 0轉。 一旦控制信號提供了最小的旋轉速度後，光阻透過塗 佈機1 0的分配便可被控制，用以減少光阻在製程中的量。 一般而言，控制信號應為一階梯信號（step signal)。階 梯信號的信號長度代表光阻在晶圓上持續分配的時間。在 上活門1 8第一次被活化到旋轉模組到達必須的旋轉速度之 間具有一延遲時間。同樣地，在下活門20第一次被觸發到 旋轉模組停止打斷光阻表面張力的旋轉速度間亦有一延遲 時間。使得在示波器上顯示之階梯信號之形狀可能變成梯 形（trapezoid)。但無論如何，光阻分配的持續的時間仍 可被識別的。 能夠打斷光阻表面張力的旋轉速度即為最小旋轉速 度，但需考慮不同薇商所提供之不同光阻之表面張力特 性，並且晶圓上光阻分配持續的時間，故本發明所提出之 方法能夠節省光阻的使用量。同時’本發明亦提供精確且 一致的光阻分配，因此，晶圓上光阻層的厚度亦精碟—
TW2625(070409)CRF.ptc 第10頁 1289898 案號92120610_年月曰 修正_ 五、發明說明（5) 致。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神 和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
TW2625(070409)CRF.ptc 第11頁 1289898 案號 92120610_年月日_修正 圖式簡單說明 第1圖為本發明第一實施例之方法圖。 【符號說明】 1 0〜塗佈機； 1 2〜旋轉裝置控制板； 1 4〜磁性活門； 1 6〜光阻分配器； 1 8〜上活門； 2 0〜下活門； 2 2〜上感測器； 24〜下感測器； 2 6〜輸出； 28〜中央處理機； 3 0〜示波器； 3 2〜節點。
TO625(070409)CRF.ptc 第12頁
Claims (1)
1289898 — 案號 921206ί0 年 s a 紅__ 六、申請專利範圍 " 1 · 一種控制光阻分配之方法，包括下列步驟： 提供一塗佈機，具有一旋轉模組； 提供一晶圓； 將上述晶圓固定於上述旋轉模組； 確認上述塗佈機之一控制板，用以控制上述旋轉模 組； 確為至少一卽點位於上述控制板之上，用以提供複數 控制信號予上述旋轉模組； 提供一裝置，用以分析信號； 將上述分析信號之裝置連接至上述控制板上之節點； 在上述晶圓上分配光阻； 確認一第一控制信號，用以使上述旋轉模組提供一能 夠打斷光阻表面張力的最小旋轉速度； 測量上述第一控制信號； 在上述分析信號之裝置中，顯示上述第一控制信號； 控制一光阻分配的持讀時間，用以提供一致性=^且 厚度，並且節省光阻之使用量。 2 ·如申請專利範圍第1項所述之控制光阻分配之方 法，其中，上述持續時間為上述第一控制信號之信號長 度。 3 ·如申請專利範圍第2項所述之控制光阻分配之方 法，其中，上述第—控制信號為一階梯信號。 4·如申請專利範圍第1項所述之控制光阻分配之方 法，其中，上述用以分析信號之裝置為一示波器。
TW2625(070409)CRF.ptc 、申請專利範圍 5 · —種控制光阻分配之方法，包括下列步 提供一旋轉模組； 確認一控制板連接於上述旋轉模組，用以控制上述旋 轉模組； "ΪΤΐίΐΓ板具有至少一節點’用以提供複數控制 仏號予上述旋轉模組； 提供一示波器； 電性連結上述示波器與上述控制板上之節點； 在上述示波器中，顯示並測量一第一控制信號， 上述旋轉模組提供一能夠打斷光阻表面張力之最小旋轉速 。光阻分配持續的時間等於上述第一控制信號之信號長 度。 法 6·如申請專利範圍第5項所述之控制光阻分配之方 其中，上述第一控制信號為一階梯信號。 法 尺如申請專利範圍第5項所述之控制光阻分配之方 其中，f述第一控制信號為一梯形信號。 8 · 一種藉由偵測時間控制光阻分配之裝置，包括· -m楚提供第一控制信號至一旋轉模組；並且有 一即點，1供第二控制訊號至磁性活門； 正一有 =計時器，用以接收上述控制板上之上述節 t上n 一控制訊號，&由上述第二控制信號判斷時門兩 進而作為決定上述旋轉模組旋轉速度之依據。！斷時間， 9.如申請專利範圍第8項所述之藉由憤測時間控制光
TO625(070409)CRF.ptc 第14頁 1289898 皇號 92120fi1n 六、申請專利範圍 曰 修正 阻分配之裝置主，其+，上述計時器為一示波器。 I 〇 ·如申明專利範圍第8項所述之藉由偵測時間 阻分配之裝置主’其巾，上述控制板上節點，設有電磁閥。 II ·如申請專利範圍第8項所述之藉由偵測時間控制光 分配之裝置’其中，上述旋轉模組依據第二控制信號之 旋轉速度，為可打斷光阻表面張力之最小旋轉速度。
1289898 案號 92120610 年 月 修正 六、指定代表圖 (一） 、本案代表圖為：第1圖 (二） 、本案代表圖之元件代表符號簡單說明： 1 0〜塗佈機； 1 2〜旋轉裝置控制板； 1 4〜磁性活門； 1 6〜光阻分配器； 1 8〜上活門； 2 0〜下活門； 2 2〜上感測器； 24〜下感測器； 2 6〜輸出； 28〜中央處理機； 3 0〜示波器； 3 2〜節點。
TW2625(070409)CRF.ptc 第5頁
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10/210,032 US20040023420A1 (en) | 2002-08-02 | 2002-08-02 | Method for reduced photoresist usage |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200402820A TW200402820A (en) | 2004-02-16 |
| TWI289898B true TWI289898B (en) | 2007-11-11 |
Family
ID=31187200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW092120610A TWI289898B (en) | 2002-08-02 | 2003-07-29 | Method for reduced photoresist usage |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20040023420A1 (zh) |
| CN (2) | CN101354536B (zh) |
| TW (1) | TWI289898B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100377305C (zh) * | 2005-06-29 | 2008-03-26 | 联华电子股份有限公司 | 制造半导体集成电路的方法 |
| JP5749009B2 (ja) * | 2007-08-13 | 2015-07-15 | バスジーン セラピューティクス，インコーポレイテッドＶａｓｇｅｎｅｔｈｅｒａｐｅｕｔｉｃｓ，Ｉｎｃ． | ＥｐｈＢ４に結合するヒト化抗体を利用する癌治療剤 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6053675B2 (ja) * | 1978-09-20 | 1985-11-27 | 富士写真フイルム株式会社 | スピンコ−テイング方法 |
| EP0403086B1 (en) * | 1989-06-14 | 1996-02-28 | Hewlett-Packard Company | Method for improving deposit of photoresist on wafers |
| US5254367A (en) * | 1989-07-06 | 1993-10-19 | Tokyo Electron Limited | Coating method and apparatus |
| US5843527A (en) * | 1995-06-15 | 1998-12-01 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Coating solution applying method and apparatus |
| JP3578577B2 (ja) * | 1997-01-28 | 2004-10-20 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 処理液供給方法及びその装置 |
| KR100271759B1 (ko) * | 1997-07-25 | 2000-12-01 | 윤종용 | 포토레지스트코팅장치및방법 |
| CN1206850A (zh) * | 1997-07-30 | 1999-02-03 | 世界先进积体电路股份有限公司 | 对于高粘度光刻胶涂层的无条纹涂敷方法 |
| US6548115B1 (en) * | 1998-11-30 | 2003-04-15 | Fastar, Ltd. | System and method for providing coating of substrates |
| US6298470B1 (en) * | 1999-04-15 | 2001-10-02 | Micron Technology, Inc. | Method for efficient manufacturing of integrated circuits |
| US6752599B2 (en) * | 2000-06-09 | 2004-06-22 | Alink M, Inc. | Apparatus for photoresist delivery |
| US6493078B1 (en) * | 2001-09-19 | 2002-12-10 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus to improve coating quality |
-
2002
- 2002-08-02 US US10/210,032 patent/US20040023420A1/en not_active Abandoned
-
2003
- 2003-07-29 TW TW092120610A patent/TWI289898B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-08-01 CN CN2008101445971A patent/CN101354536B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-08-01 CN CNA03152480XA patent/CN1484096A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1484096A (zh) | 2004-03-24 |
| TW200402820A (en) | 2004-02-16 |
| CN101354536A (zh) | 2009-01-28 |
| US20040023420A1 (en) | 2004-02-05 |
| CN101354536B (zh) | 2012-01-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI317036B (en) | Slit coater having apparatus of supplying coating solution | |
| JPH07198649A (ja) | ガスセンサ及びその製造方法 | |
| TWI331785B (zh) | ||
| CN106250803B (zh) | 具有包括粘合剂的非均匀涂层结构的指纹感测装置 | |
| TWI289898B (en) | Method for reduced photoresist usage | |
| JPS61104623A (ja) | 回転塗布方法及び回転塗布装置 | |
| JP2901089B2 (ja) | 液体供給装置 | |
| TW527655B (en) | Coating methods and apparatuses for coating | |
| EP1157307B1 (en) | Photoresist dispense method by compensation for substrate reflectivity | |
| JP3085689B2 (ja) | 集積回路製造プロセスにおけるフォトレジストの形成方法 | |
| US20060263520A1 (en) | Method for improving high-viscosity thick film photoresist coating in UV LIGA process | |
| KR100724188B1 (ko) | 반도체 스피너 설비 | |
| JPH07105369B2 (ja) | ウェハーの研磨方法及び研磨装置 | |
| KR100759325B1 (ko) | 미세 풍속 센서 및 이의 제조 방법 | |
| TWI288950B (en) | A method that can improve high viscosity thick film photoresist coating in UV LIGA process | |
| TW453902B (en) | Method for control airflow in spin coating machine and its apparatus | |
| KR101034695B1 (ko) | 스핀 코터 노즐 시스템 | |
| JPH10335201A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2784042B2 (ja) | 塗布装置 | |
| US20020106445A1 (en) | Chemical liquid coating device and chemical liquid coating method | |
| JPH04318450A (ja) | 静電容量式湿度センサ | |
| JPH05340884A (ja) | 表面異物検査装置用校正試料 | |
| JPH07235479A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JP2000051781A (ja) | スピンコート方法 | |
| US6667249B1 (en) | Minimizing coating defects in low dielectric constant films |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |