TWI287178B - Method for removing patterned layer from lower layer through reflow - Google Patents

Description

1287178 五、發明說明⑴ "一'' 【發明領域】 本發明是關於圖案轉移技術’更特別的是關於用來從 諸如晶圓或基板的下層移除一有機化合物之圖案化層。 【發明背景】 一曰 在將圖案轉移至下層完 術’從諸如半導體晶圓的下 罩係由有機化合物所組成的 兩類’亦即乾式清潔法與濕 式清潔技術的典型例子。又 露在氧電漿或紫外光照射下 分解，因此即將其從半導體 另一方面，浸泡於化學 子。將該光阻遮罩浸泡至化 >谷解至化學溶液内。 成後，透過一合適的清潔技 層移除一光阻遮罩。該光阻遮 。至於清潔技術部份則區分為 式清潔法。而乾式灰化就是乾 ’將有機化合物的光阻遮罩曝 的臭氧中。然後，讓光阻遮罩 晶圓處移除。 溶液則是濕式清潔法的典型例 學溶液中’以便讓有機化合物

而乾式清潔法與濕式清潔 化前的前處理步驟。將覆蓋著 或曝露至化學溶液處。前處理 間開始。 法間的折衷步驟則為乾式灰 光阻遮罩之半導體晶圓浸泡 步驟會讓乾式灰化的消耗時 當製造者決定僅利用以 乾式灰化法來從半導體晶圓 遮罩持續曝露在乾式清潔哭 遮罩越厚，則曝露時間越長 罩上進行全乾式灰化法彳艮耗 頌項。如此一來，使得全乾 下稱之為『全乾式灰化法』的 處移除光阻遮罩時，會讓光阻 下’並使其逐漸灰化。而光阻 。基於此原因，故在厚光阻遮 時’且其為半導體裝置製程的 式灰化法的固有問題為低產

第4頁 1287178

五、發明說明（2) 率。 至於濕式清潔法 有效利用化學溶液1，固有問題則為大量化學廢液與未能 留下大量廢水。而化2由純水來清洗殘留的化學溶液，又 另外的問題。濕式产=廢液/廢水的成本與防污量測又是 合物。假如有機化^ 所消耗的時間乃是取決於有機化 額外需要一段時期^ :疋強烈地黏著至半導體晶圓處，則 法並非總是很快速的進仃濕式清潔。如此得知，濕式清潔 此外，折衷步驟〜π 有化學溶液。"Π固有問題是會在半導體晶圓上殘留 洗。如此一來，會謓1 f理步驟後針對.半導體晶圓進行清 導體晶圓上會殘^ f步？變得複雜。3 -個問題是半 中所固有的問題。木。沒也是濕式清潔法之折衷步驟 【發明概述】 复產I 2本t明之重要目的是提供一種有機層移除方法 、產率大、經濟且幾乎沒有殘留的污染物。“多除方法 為達成該目的，故本發明建議藉由一前卢 低有機化合層的厚度。 我精田別處理步驟來 化人：ΐ本發明的一實施態樣得知，其提供-種下芦有 匕》物層之一除法包含步驟為：在該有機化合芦^有 :理步驟’以便破壞該有機化合層或改變 ：5仃 性質，然後自該下層剝除該有機化合物声：有機化合物

第5頁 1287178 五、發明說明（3)

【較佳實施例】 展 在乾式 化有機 前 劑的蒸 内。然 忽略的 解，並 光阻層 分之一 時間， 上。 現本發明 清潔法或 化合層係 處理步驟 氣下。其 而，有機 。由於有 使其軟化 遍布在基 以上。事 會使得光 不丨π 腹） 濕式清潔 假定為基 是將基板 中，有機 溶劑蒸氣 機溶劑蒸 。最後， 板上，並 實上，若 阻層厚度 系=有機化合層移除方法包含有 去月j的如處理步驟。而該圖案 板上所設的一圖案化光阻層。 上的圖案化光阻層曝露在有機溶 溶劑蒸氣會穿透至圖案化光阻層 對基板上的圖案化層之影響是可 氣，故使得圖案化光阻層局部溶 將圖案化光阻層回流。因此，讓 使其厚度較圖案化光阻層減少五 適當地調整有機溶劑蒸氣與回流 較圖案化光阻層減少十分之一以 另一 來軟化圖 300度時 光阻層遍 又另 露於有機 上，並因 再一 有機溶劑 處理與乾 處刪除。 個乾式或濕式清潔法前的前 案化光阻層。其細節為，當 會使得圖案化光阻層軟化 布在基板上，並使其厚度減 :個乾式或濕式清潔法前的 /谷h彳蒸氣與加熱。故讓光阻 而使其厚度減少。 ，，式或濕式清潔法前的前 ，氣後、一額外之熱處理或 燥之目的是藉由汽化讓殘留 而為了刪除殘留有機溶劑的 處理步驟是藉由加熱 基板達到攝氏5 〇至 ，並使其回流。故讓 少 〇 前處理步驟是結合曝 層廣泛地遍布在基板 處理步驟是在曝露於 真空乾燥。該額外熱 的有機溶劑從光阻層 熱處理是在攝氏1 〇 0

五、發明說明（4) 至18〇度下、連續進行10至30G分鐘。 在前處理步驟後，藉著乾式清 除基板中的光阻層。舉例來說，乾式:: 法’或是曝露在紫外光照射下的臭& : 如上文所述，乾式清潔法所消耗 ;所以；而光阻層的面積則對乾式 又已錯别處理步驟來減少光阻層 故乾式；青潔法所需時間較全 ^ 因而改善了產率。如此-來，2d 除方是有助於去除半導體裝置的月: 由另硯點來說，應用有機溶劑 之情況。在固化光阻層後的情況、 即便如此，由於藉著性質差異、嫵^ 阻層更為容易，故對固化光阻層而^ : 此外，前處理步驟會加速；式：！ 所需消耗的時間。*此，透過執；; 理步驟可改善產率。 μ丁庶式 圖1 Α與1 Β顯示本發明的方 蓋著欲施以蝕刻的一導電声/灸序列 方式製備。首先，料心2以 阻層中广潛像。再將

除局部光阻，並在導電層2上 …I 圖案化光阻層是屬於2微米級的案化 Γ或濕式清潔法來移 ^潔法是氧電漿灰化 時間是由光阻層厚 清潔影響不大。 度。基於此原因， 所消耗時期更短。 圖案化有機層之移 程瓶頸。 則處理步驟為較佳 流現象較少發生。 劑會讓剝除固化光 機溶劑是有效的。 法’並縮短濕蝕刻 ^潔法情況之前處 ^絕緣基板1係覆 光阻層3則由以下 物之光阻層覆 、中。然後，在光 L，從光阻層中移 光阻層3。至於該 1287178

應用圖案化光阻層3，則可選擇性地蝕 此即將該圖案轉移至導電層2，並如圖1A」d女 板1上留下圖案化導電層2。 奴隹、、色緣基 2 J案轉移至導電層•，本發明之方 移除圖案化光阻層3。首先’藉由前處理步驟 光阻層3的回流。則圖案化光阻層3係遍及於 、、、巴緣基板1上，且其厚度降低。在前處理步驟中、光阻層 之回流係指定為圖1 Β中的參數4。 就細節而言，乃是將絕緣基板丨與光阻層4曝露於攝氏 =至40度的有機溶劑蒸氣中。而適用於前處理溶劑的有機 溶劑包含有以R-OH表示的醇類；烷氧基醇類；以R —〇 —R、 Ar-0-R與Ar-〇-Ar表示的醚類；酯類；酮類；二醇類；稀 基二醇類；與二醇基醚類。 其中’R為烧基或取代式烧基，而紅為苯基或非苯基 之芳香族環。段落（1)、（ 2 )與（3 )所列為有機溶劑的例 子0 (1)以曱醇、乙醇、（^3((]112\〇11等所表示的醇類；異 丙醇（ΙΡΑ)、乙氧基乙醇、甲氧基醇類、長鏈烷基酯類、 早乙醇胺類（ΜΕΑ)、丙酮、乙醯基丙_、二氧雜環己烧、 乙基醋酸酯、丁基醋酸酯、甲苯、曱基乙基酮（ΜΕΚ )、二 乙基酮、二甲基亞颯（DMSO)、甲基異丁基酮（MIB]q、單醋 酸一縮貳[乙二醇]、正丁基醋酸酯（ηβA )、γ - 丁酸丙酮、 醋酸乙氧乙醋（ECA)、乳酸乙基、丙_酸乙基，庚国—[2] (ΜΑΚ)、3-甲氧基丁基醋酸酯、乙稀基二醇、丙烯基二

第8頁 1287178 五、發明說明（6) 醇、丁烯基二醇、乙烯基二醇單乙基醚、二乙烯基二醇單 乙基醚，乙烯基二醇單乙基醚醋酸酯、乙烯基二醇單甲基 醚、乙烯基二醇甲基醚醋酸酯、乙烯基二醇單正丁基醚: 聚乙烯基二醇、聚丙烯基二醇、聚丁烯基二醇、聚乙稀美 二醇單乙基醚、聚二乙烯基二醇單乙基醚、聚乙烯基二醇 單乙基蜮贈酸酯、聚乙烯基二醇單甲基醚、聚乙烯^二醇 單甲基醚醋酸酯，與聚乙烯基二醇單正丁基醚； _ (2) 甲基—3-甲氧基丙酸酯（MMP)、丙烯基二醇單甲其 醚（PGME)、丙烯基二醇單甲基醚醋酸酯（PGMEA)、丙婦^ 二醇單丙基_(ρ〇ρ)與丙烯基二醇單乙基峻（pgee); (3) 乙基-3 -乙氧基丙酸酯（FEP)、二丙烯基二醇單乙 基醚、二丙烯基二醇單乙基醚、聚丙稀基二醇單乙基醚、 丙烯基二醇單曱基醚丙酸酯、3—甲氧基甲基丙酸酯^3—乙 氧基甲基丙酸酯、3-乙氧基乙基丙酸酯與N—曱基—2 — 酮（NMP)。 各 如下為混合有機溶劑的例 上述有機溶劑可混合使用 子。建議混合比率於等號後。 PGMEA : 丁基醋酸酯=8

乳酸乙基 乳酸乙基 乳酸乙基 MAK ： r - 丁 MAK ： PGP = PGMEA ： PGP 丁基醋酸S旨=8 : 丁基醋酸醋二9 : PGMEA = 7 : 3 _酸丙顯I = 9 . 5 : 0 ·

第9頁 1287178 五、發明說明（7) MAK :乳酸乙基=5 : 5 PGMEA ·二丙烯基二醇單乙基醚=7:3 PGMEA :乳酸乙基=8 : 2 PGME ： PGMEA = 7 ： 3 3-曱氧基甲基丙酸酯：PGMEa = 7 : 3 3-甲氧基甲基丙酸酯··丁基醋酸酯=6 : 4 PGMEA :乳酸乙基=6 : 4 士此來，為了應用於本發明中，故可選擇性地混合 有機溶劑，或是單獨使用其中任一有機溶劑。 t發明者確認在有機溶劑蒸氣與其混合蒸氣的存在 於如二ΐίΐ化合物層的厚度降低。本發明者會製備層疊 層之幸合丨式=設在絕緣基板上之導電層上的圖案化光阻 居上5百先’冑光阻液旋轉於絕緣基板上所設的導電 成的：光=由聚合物、⑤光材料與其它添加物所 s旨等聚乙烯系列中。置㈣：：屬渚如聚乙烯基肉桂酸 另一類之# :1，、匕類之光阻則在進一步的研究中。 屬於熱塑性紛-甲醛；：月:雙軸化合物。其它類之光阻是 脂與茶靦二氮{磺酸亦即熱塑性甲紛-甲酸樹 胺酸之…!胺酸系列曰的物太與聚丙浠酿胺與聚酿 各自包含衛元、聚 二機材料基礎兩者上且 燒其中之-的數類光阻，：含；=錯二如 一 3有如鍺金屬的光阻。正光 第〗0頁 1287178 五、發明說明（8) 阻屬於熱塑性酚-甲醛_槲多以丄 L樹脂與菩酿二氮熱塑性甲酴、甲 ㈣列中，亦即亦即環=曰;v；^°負光阻則屬於橡 移至光阻層處，並在光："°PU化影像從遮單轉 便於形成圖案化光阻層心像。將潛像顯影以 楗未再該圖案化先阻層來蝕刻導電声。在蝕利划„么 明者將一圖案化光阻樣。‘ ΐ，並會使光阻層硬化。當發 察到下列現象。’〜路於含有丙嗣的蒸氣時’可觀 在有機溶劑中注入氮裹裔、治 上。再將含有丙酮的基氣引二提：广將丙酮載於氮氣 -5 KPa 至H"Pa。而、二入 分鐘5幻。升的速度導入帶有]二寺；攝氏2。至3。度。以每 在攝氏15㈣度的範圍内。基板溫度則落 層，並將圖案化光阻遮罩局部溶；至Ϊ案化光阻 案化光阻層回流過基板。因此，圖幸：：中：'、'、後’讓圖 著時間降低。t圖案化光阻層総層的厚度會隨 案化光阻層的厚度會降低為原=於㈣中3Q秒時’則圖 在期滿60秒後，則圖案化光阻^；：半，亦即1微米厚。 分之-，'亦即40 0毫微米。本發曰明的去厚公度會降低為原來的五 圖案化光阻層會抵達原先厚度X的月十者分會持—續觀察，並確認 本發明者進一步確認圖案 ^ ^ 環境中之回流來降低。⑨本笋士曰的厚度可透過高溫 \明者將絕緣基板加熱為攝氏 1287178 五、發明說明（9) 3 、 度 並將絕緣基板維持在超過攝氏140度以上3〇至 分鐘。則圖案化光阻層會因熱軟化，並予以回流。故 降低為度降低。本發明者碟認光阻層的厚度會

盘；^ ί Ϊ I者更進一步確認經由曝露於含有有機溶劑基#L 1兩者結合方式，會降低圖案化光阻層的厚度U 式，會Ϊ:ί ί :進一步確認經由曝露於有機溶劑蒸氣方 : 但是有機溶劑蒸氣會渗透=層 I便仔先阻層更容易剝除。 在藉由曝露於蒸氣的回流後， 咖至m度、少於】G至咖分鐘的樣品以攝氏 溶劑以幾乎完全由樣；Γ移:。分鐘。本發明者確認有機 根據藉由曝露於有機溶劑墓 者會測量剝除圖案化光阻所需的時口：：元成，本發明 露於有機溶劑蒸氣下不同時 描s i明者會製備曝 流的一比較樣品。將圖案化光阻未回 :灰化10至60分鐘。氧氣的供應速ί:二氧電裝、於1㈣ 則為1〇〇〇瓦特。比較樣。口 又馮50〇 sccm，而爐電 的標線PL 1表示。而比較樣σ…阻層之降低厚度以圖2中 面，標肌2與PU是各自樣表；^需時間為6〇〇秒。另-方 劑蒸氣下30秒與60秒的樣^二”光阻層分別曝露於有機溶 間分別為300秒與120秒。’:并:由樣品中除去光阻層的 ° 一來，借助於有機溶劑蒸 1287178 --- 五、發明說明（10) 中所進ί的回流，可大幅減少所需時間。 由刖述中所理解的，太 有機化合層厚度之降低，進二，二，的主要優點是藉著 間。而在有機化合層乾灰化±、、’5 = 6濕剝除所需的時 :化的進行。s乾灰一厚度之降低會大幅加速乾 本發明、曝露於有機溶劑蒸氣的另一優點 詹的剝：性右：有機化合層曝露於攝氏15至4’ 劑备氣中。有機溶劑蒸氣僅會滲透至諸如光阻声= >谷 合層内：：此滲入於有機化合層的有機溶劑“變 合層的，貝，並在有機化合層内發生回流。因此，合、π 有機化合層更容易從下層内剝除。3外 &使侍 難滲透至絕緣基板與有機⑧合層下層。雖然有機以= 會濃2於下層_L，但有機溶劑會再蒸發，故可忽略殘留' : 有機溶劑。基於此原因，故在有機化合層移除後不、主 洗。如此一來，本發明之方法較習用方法更簡單。 β 本發明者確認ΝΜΡ與r — 丁酸丙酮會加速有人 化合物層間的剝除。 5曰與 本奄明之方法的又另一優點是降低化學溶液 量。習用濕式清潔法會消耗大量的化學溶液，且風 會導致環境污染。而在本發明的方法中，會 =廢液 發。故有機溶劑消耗量少。基於此原因，本發明之=劑瘵 經濟，且與習用濕式清潔技術相較來說對環境的影塑$很 小。 〜θ車父 本發明之方法的又再一優點是屬於完全乾燥製程。寸 第13頁 1287178 五、發明說明（11) ί理= 為乾燥狀態，而乾燥製程會讓成 本、化學樂消耗篁與對環境之影響變小。 雖然進行本發明之特定竇# μ ^ ± t 於熟悉該項技術之相關人士來ζ 17不”描述，但是對 神與範圍下，將可容易地兄箱：離本發明的精 本發明適用於有機化：化例與修正例。 有機化合物可不具有光敏性。本發 有機化合物系列與有機溶劑中任一 ^用在&有 層，以及含有無機李列盥t ’ '有機化合物 仏私义土 與有機溶劑中任一材料的另一化入 曰：#例子為光阻層、諸如丙二 與；：烯酸酿胺樹脂的合成樹脂，與高分子量= 合物。後者的例子為石夕氧燒、聚 、聚里有機化 polysi 1 me、碳矽焓、访命仏 用於兩有機化合>_夕與無機玻璃。上述有機溶劑可應 有機溶劑 層處。然而，建議從候選者内選擇最佳的 第14頁 1 1287178 圖式簡單說明 由上述說明、佐以附圖會使得該方法之特性與優點更 加容易理解。 圖1 A與1 B是顯示本發明基板處圖案化有機化合物層的 移除方法之橫剖面示意圖。 圖2是顯示灰化步驟所需時間之圖示。 【符號說明】 1〜絕緣基板 2〜導電層 3〜圖案化光阻層 4〜回流

第15頁

Claims (1)

1. 3 ·如申請專利範圍第1項之 法，其中’該有機化合物層的變 之回流變形。 1 · 一種有機化合物層的剝除方法，其中，該有機化 合物層的剝除處理’係先使該有機化合物層發生變形， 為剝除如處理’之後再進行剝除處理。 2·如申請專利範圍第1項之有機化合物層的剝除方 法，其中，該有機化合物層的變形係為：作成膜層厚产 於該有機化合物層的變形有機化合物層的變形。 又< 有機化合物層的剝除方 形係為：該有機化合物層

   4 ·如申請專利範圍第1 法，其中，該有機化合物層 於該有機化合物層的變形有 5 ·如申請專利範圍第1 層的剝除方法，其中，該剝 進行。 項之有機化合物層的剝除方 的變形係為··作成膜層厚度薄 機化合物層之回流變形。 至4項中任一項之有機化合物 除處理係利用乾式剝除處理來 6·如申請專利範圍第1至4項中杯 層的剝除方法，其+，㈣二中任一項之有機化合物 進行。 Λ:矛、处理係利用濕式剝除處理來 7 ·如申請專利範圍第5項之右她儿人 法，其中，該乾式剝除處理係 、曰物層的剝除方 或臭氧剝除處理來進行。、用虱電漿灰化法剝除處理 8. 一種有機化合物層的 化合物層的剝除處理，传春/ 、 八中，對该有機 含有有機溶劑之有機溶液 ^機化合物層曝露在至少 履的瘵虱下，作為剝除前處理，之

   1287178 年_ 月 日 修正 _案號 90133502 六、申請專利範圍 後再進行剝除處理。 9 ·如申請專利範圍第8項之有機化合物層的剝除方 法，其中，於該剝除前處理後，進行真空乾燥處理，或在 1 0 0〜1 8 0 t下進行1 0〜3 0 0分之加熱處理。 1 0 · —種有機化合物層的剝除方法，其中，該有機化 合物層的剝除處理，係藉由將該有機化合物層施以加熱声 理以作為剝除前處理來進行。 、处 η·如申請專利範圍第10項之有機化合物層的剝除方 法’其中’將該有機化合物層加熱處理的溫度係為50〜300 12. —種有機化合物層的剝除方法，其中，該 合物層的剝除處理，係將下列處理加以組人 =立/化 處理：使該有機化合物層曝露在至少含有有— ’、 洛液的蒸氣下、及將該有機化合物層施以加熱處理。有械 13·如申請專利範圍第1至4項中任一項夕古也 S ΑΛ λ,. . . ^ f ’之有機化合物 二、剝除方法，其中，該有機化合物層的變形 有機化合物層施以加熱處理所致之回流變形。’、〜、 ^ 1 4 ·如申請專利範圍第1至4項中任一 層的剝除方法，其中，該有機化合物層的 ’參透於該有機化合物層中的化學藥品溶液 物層之至少一部分溶解，令其溶解回流。 項之有機化合物 變形係為：利用 ’使該有機化合 之有機化合物 形係為··利用 使該有機化合 15·如申請專利範圍第1至4項中任一項 $的剝除方法，其中，該有機化合物層的變 〇透於該有機化合物層中的化學藥品溶液，

   第17頁 -——__ 1287178 六、申請專利範圍 物層之至少一部分溶 機化合物層加熱處理 16. 如申請專利 法，其中，該溶解回 該有機化合物層薄的 化合物層進行剝除處 1 7 · 如申請專利 法，其中，該溶解回 該有機化合物層薄的 化合物層進行剝除處 18·如申請專利 合物層的剝除方法， 有機溶劑的有機溶液 醇類（R〜0H )、 烧氣基醇類、 醚類（R〜—R、 酯類、 解，並使其 使其回流變 範圍第1 4項 流係於將該 變形有機化 理〇 範圍第15項 流係於將該 變形有機化 理。 範圍第8、9 其中，該化 ，係為包含 溶解回 形。 之有機 有機化 合物層 之有機 有機化 合物層 流；與藉由將該有 化合物層的 合物層作成 後，將該變 化合物層的 合物層作成 後，將該變 或1 2項中任一項之 學藥品溶液或至少 剝除方 膜厚比 形有機 剝除方 膜厚比 形有機 有機化 包含該 Ar -〇 -R、 0 —Ar 酉同類、 二醇類、 烯化二醇類、 二醇基鱗類 Ar係表示】^之有機溶劑（R係表示烷基或取代的烷基； 溶液。/、 '"或苯基以外的芳香環）中之至少一種的有機 %

   第18頁 1287178 _案號 90133502_年月日__ 六、申請專利範圍 19. 如申請專利範圍第1 4項之有機化合物層的剝除方 法，其中，該化學藥品溶液或至少包含該有機溶劑的有機 溶液，係為包含 醇類（R —OH )、 烷氧基醇類、 趟類（R—0 —R、Ar—0—R、Ar — 0—Ar )、 酯類、 酮類、 二醇類、 烯化二醇類、 二醇基醚類 以上所列之有機溶劑（R係表示烷基或取代的烷基； Ar係表示苯基或苯基以外的芳香環）中之至少一種的有機 溶液。 20. 如申請專利範圍第1 5項之有機化合物層的剝除方 法，其中，該化學藥品溶液或至少包含該有機溶劑的有機 溶液，係為包含 醇類（R — Ο Η )、 烧氧基醇類、 醚類（R—0 —R、Ar—0—R、Ar—0 — Ar)、 酯類、 酮類、 二醇類、 烯化二醇類、

   第19頁 1287178 Λ_3 修正― 曰 六、申請專利範圍 二醇基醚類 Ar焱^亡所列之有機溶劑（R係表示烷基或取代的烷基； 溶液表不苯基或苯基以外的芳香環）中之至少一種的有機 法，^ ·如申請專利範圍第1 4項之有機化合物層的剝除方 行。” 5亥浴解回流係，在1 5〜4 0 °c之範圍的溫度進 、去由如申請專利範圍第15項之有機化合物層的剝除方 行j、中’該溶解回流係，在15〜40t之範圍的溫度進 法，Λ如申請專利範圍第13項之有機化合物層的剝除方 之膜厚：分該有機化合物層係形成為該有機化合物 法Λ4·中如：:ί專利範圍第14項之有機化合物層的剝除方 之膜厚的有機化合物層係形成為該有機化合物 法，2】.中如：：，範圍第15項之有機化合物層的剝除方 之膜厚的3分二：ΐ有機化合物層係形成為該有機化合物 法，2上中如：:、專：範圍第16項之有機化合物層的剝除方 之膜厚二分之 =有機化合物層係形成為該有機化合物 法，2二如範圍第17項之有機化合物層的剝除方 、中该.交形的有機化合物層係形成為該有機化合物

   第20頁 1287178 _案號90133502_年月日__ 六、申請專利範圍 之膜厚的3分之1以下。 28. 如申請專利範圍第1、2、3、4、8、9、10、11或 1 2項中任一項之有機化合物層的剝除方法，其中，該有機 化合物層係為抗餘劑。 29. 如申請專利範圍第8至12項中任一項之有機化合 物層的剝除方法，其中，該剝除處理利用乾式之剝除處理 來進行。 30. 如申請專利範圍第8至1 2項中任一項之有機化合 物層的剝除方法，其中，該剝除處理利用濕式之剝除處理 來進行。 31. 如申請專利範圍第2 9項之有機化合物層的剝除方 法，其中，該乾式之剝除處理，係利用氧電漿灰化剝除處 理來進行。

   第21頁