TWI287045B - Method for sputter-coating multilayer film on sheet work-piece at low temperature - Google Patents

Description

1287045 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於-種低溫激鍍多層膜於片狀工件之方 法，主要係利用片狀卫件容易設置連續式生產線的特性， 排定連續式生產的流程，使用電漿潔淨片狀工件之表面， 並且組合傳誠鍍生產機台，來達成安裝方便性及高級材 料量產方便之達成。而且較習知之生產IT〇高級多層膜面 板的料卷式艘膜的方法為優良。

【先前技術】 一在光電原材料生產工業中，極為重要的原材料為⑽ 局級多層膜面板的生產及其生產控制方法，該^ 著光電產品要求產品良率提高、生產控也伴鼢 速生產等魏的要求讀顯衫，更有與 低、快 色的態勢。ITG高級多層膜面板的生產玉，平分秋 種類光電I業相關，如液晶顯示器、有機技術更與多 器及場發射顯4科；ITG高❹層膜面顯示 根據各產業對於材料需求來要求控制ΙΊΌ高級 求的 U ’ ；t其是大尺寸面板時亦表示其需要 、面板 原材料。 <艮之基本 如一般使用大眾所認知的，ΙΤ0高級多層膜 關技術是指從光電產業中作為基材及用到透明電I生產相 原材料，幾乎所有高級的面板製程皆以IT 〕之基礎 板為基礎，ITQ高級多層膜面板與其它的一了層膜面 裝於-個聯線結構之中，成為—電子產品=共同組 W建成一特定 1287045 « 設計功能。ΙΤ0高級多層膜面板需求的功能有三，分別H 電能傳送（Power Distribution)、訊號傳送（Signai Distribution)、透光性（Transparency)。 請參考如第一圖所示，其為一般常見之IT〇多層膜面 板料卷式生產流程示意構造，其排配流程為原料卷 • 電漿3〇a鍍膜流程（一般為ΙΤ0或是氧化物層）及收^卷 ‘ 2 0 a，g夕層鍛膜流程施>f于時，生產線會拉得彳艮長，此時 原料卷10 a到收料卷20 a之間的材料張力不夠，要加裝 • 張力輪，但是張力輪有時會歪斜卡住料帶，因此習知的^ 多層膜方法不単只有設備不易設置而且會有維護上的問 題，因此其生產方便性僅限於鍍少量膜層之產品，因此有 必要採用較為快速而且可靠的方法來生產丨TO高級多層膜 ^ 面板，尤其是基礎材料為高分子材料如透明壓克力時（PMMA 板材），來符合實際應用之要求。 因此，對現今市面上大部分需要IT〇高級多層膜面板 之光電產業而言，穩定生產及生產控制為製造過程之重要 • 需求，且導致發明人經努力研發出本發明來達成上述之需 求。 【發明内容】 本發明之主要目的在於提供一種利於穩定生產及生產控制， 而能使用傳統濺鍍機台簡單組合改良即低溫濺鍍多層膜於片狀工 . 件之方法（可以用於多層膜原料生產），可用於以ΙΤ0高級多層膜 - 面板為原材料來生產光電產品需求之工業（如如液晶顯示器、有 機發光二極體顯示器及場發射顯示器等等或光感測器），可以提供 1287045 低成本鬲品質之製程生產功效。 為了達成上述目的，本發明提供一種低溫濺鍍多層膜於片狀 工件之方法，主要係利用片狀工件容易設置連續式生產線的特 性，排定連續式生產的流程，使用電漿潔淨片狀工件之表面，配 口傳統生賴程及製雜度低的週邊設備，將各該製程步驟結合 在一起而發展出本發明。 口 本發明方法步驟包含：將片狀工件施以電漿處理以潔淨表 面；將片狀工件濺鑛至少一層金屬氧化物或半導體氧化物、|及將 片狀工件濺鑛至少-層ιτο透明導電層；其中該片狀工件經過之 鑛膜相關處理為-使用-工站連續相接之生產過程，使得片狀工 控制在—預定細之内；其中該錄工件為 * =使貴審查委員能更進—步瞭解本發明之特徵及技術内 :征下有關本發明之詳細說明與_，_所附圖式僅 祕參考與說日’並_來對本發·以限制者。 【實施方式】 凊參考第二A圖、第二B圖 第 釐炎^ 不一A圖、第三B圖等 為以壓克力板(p職)之片狀工件設 狀定連續式生產的流程，使用電漿潔淨片 =工件之表面（步驟LdBf及“卜丨），配合 製程難度低的週邊設備，將各該製 / 主 _到UnLd)對於_ IT0高.級在1步驟 驟對於設備規格_®，其中起始狀’％做規狀步 進料步驟（LD，L_)，再進人將片壓克力板進入 于月狀工件濺鍍至少一層金 ⑧ 7 1287045 屬氧化物或半導體氧化物之步驟（Lpt-l到L3-2)由圖中觀 察可知本實施例中至少濺鍍了兩層石夕Si氧化物（無材為石夕 但是濺1鍍過程會形成氧化物薄膜）及一層鈮Nb氧化物（％ 材為銳但是機鍍過程會形成氧化物薄膜），而後段製程則至 少機鍛了一層ΙΤ0透明導電層（L4in到L4out)，本實施例 說明片狀工件對於傳統濺鍍產品生產線安排上具有極為方 便的特性’產品線之設計工程師只要將半導體對於晶片做 處理之生產線加以略為修改即可以用於是本發明之連續形 式之尚級多層膜面板之濺鍍製程。透過本說明書的各圖， 可看出本發明之主要方法依據。 本發明方法步驟包含（參考第四圖）：將片狀工件施以 ，，處理以潔淨表面（sm);將片狀工件濺鑛至少一層金 —【化物或半導體氧化物（S1G3);及將片狀工件濺鑛至少 :二該片狀工件經過之鍍媒 工件的工址門、 連々相接之生產過程，使得片狀 狀工件為高分二::=在-預定範圍之内;其中該片 件鍍膜：:玆::::：:二化:其中該片狀工 (軸需要工件表面乾絮淨等級範圍之内 站間係為以輸送帶或是自動工件在於各鑛膜工 其中該金屬氧化物為^Nb =(類似半導體製程）； 矽Si之氧化物；進一牛勺紅軋化物或該半導體氧化物為 即壓出片狀工件之步驟於所有製造步驟之前， 〜上游製程可以控制工件尺 8 1287045 寸）ο ，提供一

本發明之特徵與方便之處在於 產及生產控制， 用於多層膜原料生

溫激鍛多層膜於 產）’可用於以ΙΤ0高級多層膜面板/ 品需求之工業，可用於以ττ〇宜纽, 成本高品質之敎製程減，並且設置成本低及對傳統光 電產業生產線影響不大。 本發明有以下優點：（1)新製程設置容易，所需新添設 備價格及技術要求皆不大（2)連續生產快速（3)可以用於其 他類似光電製品，可配合傳統製程。 綜上所述，本發明實為一不可多得之發明產品，極具 產業上利用性、新穎性及進步性，完全符合發明專利申請 要件，爰依專利法提出申請，敬請詳查並賜準本案專利， 以保障發明者之權益。 【圖式簡單說明】 第一圖：為習知技術的鍍膜產品線示意圖； 第二Α圖··為本發明實施例生產Π0高級多層膜面板的生 產線前半段之示意圖； 第二B圖：為本發明實施例生產ΙΤ0高級多層獏面板的生 產線後半段之示意圖； 9 ⑧ 1287045 第三A圖：為本發明實施例生產ΙΤ0高級多層膜面板的生 產線前半段生產貧料表格； 第三Β圖··為本發明實施例生產ΙΤ0高級多層膜面板的生 產線後半段生產資料表格；及 第四圖··為本發明生產流程圖。 【主要元件符號說明】 原料卷 10a 收料卷 20a 電漿 30a

Claims (1)

1287045 十、申請專利範圍： 1、 一種低溫濺鍍多層膜於片狀工件之方法，其步驟 包含： 將片狀工件施以電漿處理以潔淨表面； 將片狀工件濺鍍至少一層金屬氧化物或半導體氧化 物；及 將片狀工件濺鍍至少一層ΙΤ0透明導電層； 其中該片狀工件經過之鍍膜相關處理為一使用一工 站連續相接之生產過程，使得片狀工件的工站間延遲時間 控制在一預定範圍之内；其中該片狀工件為高分子材料所 構成。 2、 如申請專利範圍第1項所述之低溫濺鍍多層膜於 片狀工件之方法，其中該片狀工件鍍膜相關製程為維持在 一定數值之潔淨等級範圍之内。 3、 如申請專利範圍第1項所述之低溫濺鍍多層膜於 片狀工件之方法，其中該片狀工件在於各鍍膜工站間係為 以輸送帶或是自動推車輸送。 4、 如申請專利範圍第1項所述之低溫濺鍍多層膜於 片狀工件之方法，其中該金屬氧化物為鈮Nb之氧化物或該 半導體氧化物為矽Si之氧化物。 5、 如申請專利範圍第1項所述之低溫濺鍍多層膜於片 狀工件之方法，進一步包括一步驟於所有製造步驟之前， 即壓出片狀工件之步驟。 .⑧