TWI286722B - Pixel circuit, photoelectric device, and electronic machine - Google Patents

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TWI286722B TW093107156A TW93107156A TWI286722B TW I286722 B TWI286722 B TW I286722B TW 093107156 A TW093107156 A TW 093107156A TW 93107156 A TW93107156 A TW 93107156A TW I286722 B TWI286722 B TW I286722B
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Description

1286722 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關應付如有機EL(Electronic Luminescence )元件等之電流型被動元件之經年變化等之畫素電路，光 電裝置及電子機器。 【先前技術】 近年來，作爲取代以往之 LCD(Liquid Crystal Display)元件的第二代發光裝置，有機EL元件則被注目 ，而有機EL元件係因作爲爲對電流比例來自我發光之自 發光元件，故成爲視野角依存性小，且另外不需要背照光 之結果，作爲低消耗電力等之顯示面板具有優越之特性， 而對於如此之有機EL元件的驅動係與LCD元件相同地可 大致區分爲採用如薄膜電晶體（Thin Film Transistor，以 下略稱爲[TFT])等之動能元件之有源矩陣方式與，沒有採 用動能元件之無源矩陣方式，但根據以低驅動電壓即可完 成等之理由，認爲有關前者之有源矩陣方式較爲優越，在 此，有機EL元件係因不具有如LCD元件之電壓維持性， 故當容量元件流動之電流中斷時，將無法維持發光狀態， 爲此，一般的構成係暫時儲存電壓於容量元件之同時，根 據施加儲存電壓於閘道之驅動電晶體來持續流動電流於有 機EL元件（例如，參照日本申請專利文獻1 )。 [曰本申請專利文獻1 ] 國際公開第WO98/3 6406號說明書。 -4- (2) 1286722 【發明內容】 [欲解決發明之課題] 但，有機EL元件係有著根據經年變化而產生劣化之 傾向，而詳細來說係爲了流動一定電流於有機E L元件而 必要之電壓係隨著時間的流逝同時有上升的請向，並且， 由於如此之電壓上升，從目標値來看，流動於有機EL元 件之電流則下降而無法以規定的亮度進行發光，隨之，有 著使顯示畫像的品質下降的問題存在，然而，即使環境溫 度的變化，爲了流動一定電流於有機EL元件而必要之電 壓係亦將會有變化，而本發明係有鑒於如此之情況所作爲 之構成，而作爲其目的係提供即使爲了流動一定電流於如 有機EL元件之電流型被動元件而必要之電壓則根據劣化 或環境溫度等而產生變化亦可防止顯示畫像的品質下降情 況之畫素電路，光電裝置及電子機器。 [爲解決課題之手段] 爲了達成上述目的，有關本發明之畫素電路係爲配置 在掃描線與資料線之交差部之畫素電路，其特徵係具備當 選擇前述掃描線時，儲存流動於前述資料線之電流，或者 因應前述資料線之電壓之電荷的容量元件與，因應儲存於 則述容量元件之電荷來設定導通狀態’並將電流流動於其 第1端子及第2端子之間的驅動電晶體與’以電接續其一端 於前述第1端子，並至少根據前述驅動電晶體流動之電流 -5- 1286722 (3) 所驅動之被動元件與，檢測針對在前述 電壓之檢測元件與，因應根據前述檢測 壓的絕對値來校正流動於前述被動元件 之情況，而如根據此構成，根據驅動電 校正電路所校正，故即使被動元件產生 動元件之電流亦幾乎與流動於成爲目標 ，或因應資料線之電壓的電流一致。 針對此構成，前述校正電路係生成 件檢測出之電壓的電流同時，亦可加算 驅動電晶體流動之電流，另外，如此加 述檢測元件係爲接續其閘道於前述被動 因應其閘道電壓來設定導通狀態，再將 3端子及第4端子之間的檢測電晶體，並 可作爲生成因應流動於前述檢測電晶體 子之間電流之電流，而此時，前述校正 成流動於前述第3端子及第4端子之間電 鏡電路，然而在此所稱之鏡電流係指險 子及第4端子之電流同値外，亦包含與 ，而在加算電流之情況，前述校正電路 大由前述檢測元件所檢測出之電壓來施 ，另外，具備施加電流之情況，接續其 子，而接續其另一端於前述被動元件之 選擇前述掃描線時前述驅動電晶體與前 導通狀態之開關，並前述檢測元件係欲 被動元件之一端的 元件所檢測出之電 之電流的校正電路 晶體之電流係因由 劣化等，流動於被 値之資料線的電流 因應由前述檢測元 該生成電流於前述 算電流之情況，前 元件之一端，然後 其電流流動於其第 前述校正電路係亦 之第1端子及第2端 電路係亦可作爲生 流之鏡電流的電流 t 了與流動於第3端 _ ® it匕^1 "β 係亦可作爲反轉放 加於前述被動元件 ;一端於前述第1端 一端，然後控制非 述被動元件之間的 作爲檢測針對在前 -6 - 1286722 (4) 述開關一端之電壓，而前述校正電路係欲作爲流動前述 成電流於前述開關之一端也可以。 另外，針對上述構成，具備當選擇前述掃描線時， 爲開啓之切換電晶體與，當選擇前述掃描線時，使前述 動電晶體作爲二極體接續之補償電晶體，並前述容量元 係當前述切換電晶體作爲開啓時，亦可作爲欲儲存因應 動於前述資料線之電流的電荷，另外，具備當選擇前述 描線時，作爲開啓之切換電晶體，並前述容量元件係當 述切換電晶體作爲開啓時，亦可作爲欲儲存因應前述資 線之電荷。 針對本發明，除加算電流之外，由電壓操作亦可得 相同的效果，例如，針對上述構成，前述校正電路係如 據前述檢測元件之檢測電壓之絕對値大的情況，由絕對 來看，亦可將前述驅動電晶體之第1端子或第2端子之另 方與前述被動元件之另一方之間的電壓往變大的方向操 〇 另外，爲了達成上述目的，有關本發明之其他畫像 路之特徵係具備有接續其閘道於容量元件之一端，並因 儲存在前述容量元件之電荷來設定第1端子及第2端子之 通狀態的驅動電晶體與，以電接續其一端於前述第1端 之被動元件與，檢測針對在前述被動元件之一端的電壓 檢測元件與，具有輸入表示由前述檢測元件所檢測出之 壓的信號之輸入端與以電接續於前述第1端子之輸出端 並供給因應由輸入於前述輸入端之信號所表示之電壓絕 生 作 驅 件 流 掃 刖 料 到 根 値 作 電 應 導 子 之 電 對 -7- 1286722 (5) 値之電流於前述輸出端之校正電路的情況，而根據此構造 ，由驅動電晶體之電流係亦根據校正電路所校正，故被動 元件即使產生劣化，流動在被動元件之電流係亦幾乎與流 動於成爲目標値之資料線的電流，或因應資料線之電壓的 電流一致。 針對在此構成，前述檢測元件係亦可作爲接續其閘道 於前述被動元件之一端，並因應其閘道電壓來設定其第3 端子及第4端子之導通狀態之檢測電晶體，而採用如此檢 測電晶體之情況，前述校正電路係亦可作爲欲具有在接續 其第5端子與閘道之同時，接續其第6端子於電源電壓之給 電線之另一方面，接續前述第5端子於前述第3端子之第1 電晶體與，接續其閘道於前述第1電晶體之閘道及前述第5 端子之同時，以電接續其第7端子於前述第1端子之另一方 面，接續其第8端子於前述給電線之第2電晶體，並亦可作 爲欲具有施加基準電壓於其閘道之同時，接續其第9端子 於前述第3端子之另一方面，接續其第10端子於電源電壓 之給電線之第3電晶體與，接續其閘道於前述第9端子之同 時，以電接續其第11端子於前述第1端子之另一方面，接 續其第12端子於前述給電線之第4電晶體。 針對在上述畫素電路，具備有接續其一端子於前述第 1端子，並接續其他端子於前述被動元件之一端的開關， 並前述檢測元件係亦可欲作爲檢測針對在前述開關隻一端 的電壓，另外，針對在上述畫素電路，具備有使前述驅動 電晶體之閘道及前述第1端子之間短路之補償電晶體’並 -8- 1286722 (6) 前述容量元件係前述補償電晶體使前述驅動電晶體之閘道 及前述第1端子之間短路時，亦可作爲欲儲存因應前述第1 端子之電壓的電荷。 爲了達成上述目的，有關本發明之第1光電裝置之特 徵係具備有複數之資料線與，複數之掃描線，因應前述複 數之資料線與前述複數之資料線交差部所配置之複數之上 述畫素電路之情況，而爲了達成上述目的，有關本發明之 第2光電裝置之特徵係具備有各自配置於複數之掃描線與 複數之資料線交差部之同時，各自具有被動元件之畫素電 路與，選擇前述掃描線之掃描線驅動電路與，根據上述掃 描線驅動電路選擇掃描線時，藉由資料線來供爲了流動於 因應該掃描線之畫素電路之被動元件的電流，或者因應該 電流之電壓的資料線驅動電路，並前述畫素電路係具備有 在選擇作爲對應之掃描線時，儲存因應流動於作爲對應之 資料線之電流或電壓之電荷的容量元件與，因應儲存於前 述容量兀件電荷來設定導通狀態，再將電流流動於其第1 端子及第2端子之間的驅動電晶體與，以電接續其一端子 於前述第1端子，然後至少根據前述驅動電晶體流動之電 流所驅動之被動元件與，檢測針對在前述被動元件之一端 的電壓的檢測元件與，因應由前述檢測元件所檢測出之電 壓的絕對値來校正流動於前述被動元件之電流的校正電路 ，而如根據此構成，根據驅動電晶體之電流係因由校正電 路所校正，故即使被動元件產生劣化等，流動於被動元件 之電流係亦幾乎與流動於成爲目標値之資料線的電流，或 -9- 1286722 (7) 因應資料線之電壓的電流一致，另外，作爲有關本發明之 電子機器係希望具有此光電裝置之情況。 【實施方式】 [發明之實施型態] 以下，參照圖面就有關本發明之實施型態進行說明。 <光電裝置> 圖1係爲表示有關實施型態之光電裝置構成之方塊圖 ，而如此圖所示，光電裝置100係交互垂直交差（被電絕緣 )延設複數m條之掃描線1 0 2與複數η條之資料線1 〇 4之同 時，包含具備畫素電路110於其交差部之顯示面板12〇與， 驅動各掃描線102之掃描線驅動電路130與，，驅動各資料 線104之資料線驅動電路140與，從電腦等之外部機所供給 之同時，爲了記憶對於每個畫素規定應顯示畫像之畫像畫 素等級之數位資料Dmem之記憶體150與，控制各部之控 制電路160與，供給電源於各部之電源電路170。 另一方面，掃描線驅動電路1 3 0係爲生成爲了 1條1條 依序選擇掃描線102之掃描信號Yl，Y2，Y3，…，Ym之 構成，而詳細來說係如圖2所示，從1垂直掃描期間（1F)之 最出時間，作爲掃描信號，供給1水平掃描期間（1H)之寬 度的脈衝於第1行之掃描線1 〇2，之後，依序偏移此脈衝， 作爲掃描信號 Yl，Y2，Y3，…，Ym來供給於各個2，3 ，…，m行之掃描線102，而在此，一般來說當供給於i(i -10- 1286722 (8) 係滿足l^i^m的整數）行之掃描線102的掃描信號Yi成 爲Η等級時，意味選擇該掃描線102之情況，另外，掃描 線驅動電路130係加上於掃描信號 Yl，Υ2，Υ3，…，Ym ，作爲各個發光控制信號 Vgl，Vg2，Vg3，…Vgm來生 成反轉其邏輯等級之信號，然後供給至顯示面板1 20，但 供給發光控制信號之信號線係針對在圖1被省略。 控制電路160係控制根據掃描線驅動電路130之掃描線 102的選擇之同時，使其與掃描線102之選擇動作同期，然 後從記憶體1 5 0讀出因應由第1列至η列之掃描線1 〇 4之數 位資料Dpix-Ι〜Dpix-n來供給至資料線驅動電路140，而 資料線驅動電路1 40係如圖3所示，對於每個資料線1 04具 有電流生成電路3 〇，而在此，一般來說，對於第j (j係滿 足1 S j S m的整數）列之電流生成電路3 0係供給因應選擇 掃描線102與第j列之資料線104交差部之數位資料Dpix-j ’並且，該電流生成電路3 0係生成因應被供給之數位資料 Dpix-j之數位値的電流I out之同時，流動於作爲對應之 j列之資料線1 04，例如，因應第3列之資料線1 04的電流生 成電路30係生成因應對應於選擇掃描線102與第3列之資料 線1 〇 4交差部之數位資料D p i X - 3之數位値的電流I 〇 u t之 同時，流動於第3列之資料線1 0 4。 然而，針對在光電裝置100之符號120，130，140， 150，160，170之各要素係根據各自獨立之部件所構成之 情況或’一部分或者全體成爲一體所構成之情況（例如， 成爲一體將掃描線驅動電路130及資料線驅動電路140作爲 -11 - 1286722 (9) 基體化之情況或，由可控程序1C晶片來構成除了顯示面 板120之外的要素一部分或全部之同時，根據寫入於該1C 晶片之程式，軟體方式地實現這些要素機能之情況）等， 而實際上係由各種型態來得到製品化。 <畫素電路> 接著，關於針對在光電裝置100之畫素電路100來進行 說明，而圖4係爲表示期構成的電路圖，然而，針對在本 實施形態，所有的畫素電路11 0係互相爲同一構成，但在 此係爲了由其中1個作爲代表來進行說明，作爲關於設置 在第i行之掃描線102與第j列之資料線104交差部份之畫 素電路Π 0來進行說明之情況，而如此圖所示，對於設置 在該掃描線102與該資料線104交差部份之畫素電路1 10係 具備有7個薄膜電晶體（Thin Film Transistor，以下略稱爲 [TFT])1102 ^ 1104， 1106， 1108， 1112， 1114， 1116與， 容量元件1120與，有機EL元件1130，並在這些之中，根 據TFT1 1 14，1 1 16構成後述之校正電路1 1 10。 首先，針對在畫素電路110，P通道型之TFT(驅動電 晶體）1 1 02之源極係接續於施加針對在電源之高位測的電 壓Vdd之電源線106之另一方面，其汲極係各自接續於Q 點，即，η通道型TFT(切換電晶體）1 104之汲極、n通道 型TFT(點燈開關）1 106之汲極、η通道型TFT 1 108(補償電 晶體）之源極、η通道型TFT1 1 12之閘道，以及p通道型 TFT1 1 16之汲極。 -12- 1286722 (10) 容量元件1 1 2 0之一端係接續於上述電源線1 0 9之另一 方面，而其他端係各自接續於TFT1102之閘道及TFT1108 之汲極，在此，容量元件1 120係如後述爲爲了維持針對在 選擇掃描線102時之TFT 1 102之閘道電壓的構成，因此， 容量元件1 1 2 0之一端係因如爲定電位即可，故並不是對於 電源線109之接續而接地也無所謂。 TFT 1 104之閘道係接續於掃描線102，並其源極係接 續於資料線104，另外，TFT 1 108之閘道係接續於掃描線 102，而另一方面，TFT 1 106之閘道係接續於發光控制線 108，並其源極係接續於有機EL元件1 130之陽極，而在 此，關於發光控制線1〇8係供給根據掃描線驅動電路130發 光控制信號Vgi，另外，關於有機EL元件1 130係成爲於 陽極與陰極及之間夾合有有機EL層，然後由因應順方向 電流之亮度進行發光之構成，然而，有機EL元件11 30之 陰極係跨越所有的畫素電路1 1 〇，係爲共通之電極，並接 地於針對在電源之低位（基準）電壓Grid。 接著，TFT1112之源極係接續於低位電壓Gnd，而另 一方面，構成校正電路1110之P通道型TFT1114之源極係 接續於電源線1 09，並其汲極、閘道係作爲被共通接續之 同時，接續於TFT1112之汲極，而另一方面，TFT1116之 源極係接續於電源線109，並其閘道係接續於TFT1 11 4之 汲極、閘道之共通接續點，而在此，TFT1 11 4係因共通接 續其汲極、閘道，故作爲二極體發揮機能之同時， TFT1 1 16之閘道係因接續於TFT1 1 14之汲極、閘道之共通 -13- 1286722 (11) 接續點，故當TFT1 1 14、TFT1 1 1 6之電晶體特性（電流放 大率）作爲相互相同時，TFT1 1 14、TFT1 1 16係將與流動 於TFT1114(TFT1112)之源極、汲極間之電流h相同之鏡 電流14，作爲流動於TFT1 1 16之源極、汲極間之電流鏡電 路來發揮機能。 接著，關於畫素電路1 1 〇之動作’假定無存在校正電 路1 1 1 0之構成來進行說明，首先，選擇地1行之掃描線 102，而掃描信號Yi成爲Η等級時，η通道型TFT 1 108則 因針對在源極、汲極之間成爲導通（開啓）狀態，故 TFT 1 1 02係相互接續源極與汲極來作爲二極體發揮機能， 而當供給至掃描線1 〇 2之掃描信號Y i成爲Η等級時，η通 道型TFT1104亦與TFT1108相同地成爲導通狀態，故結果 ，根據電流生成電路30之電流 I out則依電源線 10 9 —TFT 1 102 —TFT 1 104 —資料線104之經路來流動之同時 ，對於此時儲存因應TFT1102之閘道電壓之電荷於容量元 件 1 1 2 0。
接著，第i行之掃描線1〇2的選擇結束而成爲非選擇 ，並當掃描信號Yi成爲L 等級時，TFT1104、1108係同時成爲非導通（關閉）狀 態，但因針對在容量元件1 1 2 0之電荷之儲存狀態係無變化 ，故TFT 1 1 02之閘道係成爲維持爲流動電流I out時之電 壓的情況，另外，當掃描信號Yi成爲L等級時’發光控 制信號Vgi，則成爲Η等級，爲此，因η通道型TFT 1 106 爲開啓，故對於TFT 11 02之源極及汲極之間係流動因應其 -14- 1286722 (12) 閘道電壓之電流’而詳細來說係此電流係以電源線 109 —TFT1102 —TFT1106 —有機EL元件1130之經路來流動 ，因此，有機EL元件1 130係成爲以因應該電流値之亮度 來進行發光之情況。 在此，流動於有機 EL元件1130之電流係第1由 TFT 1 1 02之閘道電壓來訂定，但其閘道電壓係爲根據Η等 級之掃描信號來流動電流I out於資料線104時’由容量元 件1 120所維持之電壓，因此，當發光控制信號Vgi，成爲 Η等級時，流動於有機EL元件1 130之電流係理想來說係 爲幾乎與之前流動之電流I out —致。 但，在沒有存在校正電路1 1 1 〇之構成之中係由接下來 的理由，當發光控制信號Vgi，成爲Η等級時，流動於有 機EL元件1130之電流則沒有與根據電流生成電路30之電 流I out —致，即，根據電流生成電路30之電流I out係 爲有機EL元件1130不會產生劣化情況之目標値，而實際 上係如爲根據從製造時之時間經過而劣化，爲了流動一定 電流於有機EL元件1 130必要的電壓將上升，在此，有機 EL元件1 130之端子間電壓則根據劣化而上升時，這部分 ，TFT 1 102之源極、汲極間的電壓則變低，而TFT之源極 、汲極電流係即使爲飽和範圍，依存於其源極、汲極間之 電壓的性質亦爲強，因此，發光控制信號Vgi，則成爲Η 等級，針對在TFT1106爲開啓時之TFT1102之源極、汲極 間之電壓係因與掃描信號Yi成爲Η等級TFT1 106爲開啓 時的値作比較而變低，故流動於有機EL元件1 1 3 0之電流 -15- 1286722 (13) 亦對於成爲目標値之電流I out爲不足，隨之，在沒有存 在校正電路1 1 10之構成之中係當發光控制信號Vgi成爲Η 等級時，流動於有機EL元件1 1 30之電流係爲變的比根據 電流生成電路30之電流I out還要小而沒有一致於成爲目 標値之電流I out。 因此，當關於校正電路1 1 10存在之本實施型態來進行 說明時，TFT1102之閘道係因接續於TFT1102之汲極，故 當根據有機EL元件1130之劣化TFT1102之源極、汲極間 的電壓變低時，流動於TFT 1 102之源極、汲極間之電流13 係變大，如上述所述，TFT1 114，1 1 16係因爲爲電流鏡電 路，故TFT1 1 16之源極、汲極間之電流14係與上述之電流 13—致，並且此電流14則成爲針對在Q點，加算於根據 TFT1102之電流12，然後流動至有機EL元件1130之情況 ，隨之，如根據本實施型態，發光控制信號Vgi成爲Η 等級時，根據有機EL元件1130之劣化，流動於TFT1102 之源極、汲極間之電流12即使變得比根據電流生成電路3 0 之電流I out還小，而其不足的部分亦由電流14所補充， 故可使流動於有機EL元件1130之電流1!幾乎一致於成爲 目標値之電流I out，而幾使有環境溫度的變化，同樣地 ，亦可使流動於有機EL元件1130之電流幾乎一致於電流 I out，進而，假設跨越所有之畫素電路1 1 〇而對於 TFT 1 102之特性產生不均，亦可對於包含在各畫素電路 1 1 0之有機E L元件1 1 3 0供給相同大小的電流，故將亦可 控制因該不均而引起之顯示不軍的情況。 -/ -16- 1286722 (14) 然而在此，關與只就1個畫素電路11 〇已說明過，但第 i行之掃描線1 〇 2係因共用於Π1個之畫素電路1 1 〇，故當掃 描信號Yi成爲Η等級時’針對所共用之m個畫素電路 1 1 0亦成爲執行相同的動作，而更加地，掃描信號Y 1 ’ Y 2 ，Υ3，…，Ym係如圖2所示，依序排他性地成爲Η等級 ，其解果，針對所有的畫素電路1 1 〇，執行相同的動作來 顯示1圖框之畫像，並且此顯示動作係重複於每個1垂直掃 描期間。 另外，針對在圖4所示之畫素電路1 10係TFT1 1 14 ’ TFT 1 1 1 6之電晶體特性作爲相同，但亦可使兩者之電流放 大率（石）作爲不同，而在此，將 TFT1114，TFT1116之電 流放大率各自作爲/3 !，/3 2時，電流14係成爲電流13之 β ι/ β 2倍。 <畫素電路之其他例：其1> 針對在本發明，關於畫素電路Π0係並不限於圖4所示 構成而可以考慮各種之構成，例如，關於檢測TFT 11 02之 汲極電壓之TFT1 11 2與，生成因應所檢測出之汲極電壓之 電流14來加算至根據TFT1112之電流12的校正電路1110, 係不限於如圖4所示之構成而採用反轉放大器也可以，而 圖5係爲表示具有如此反轉電路之畫素電路】12之構成圖， 而針對此圖，反轉放大器1120係具有η通道型之TFT1122 ’ Ρ通道型之TFT1 124，這之中，TFT1 122之閘道係接續 於Q點，而其源極係被作爲接地，另外，對於TF Τ 1 1 24之 1286722 (15) 閘道係供給基準電壓Vref，而其源極係接續於電源線1 09 之另一方面，其汲極係接續於Q點，即，在反轉放大器 1120之中係TFT1122之閘道則成爲輸入，而TFT1126之汲 極則成爲輸出。 針對在此反轉放大器1 120，當根據有機EL元件1 130 之劣化，TFT 1 102之汲極電壓變高時（由絕對値來看， TFT1102之源極·汲極間的電壓變小時），因TFT1102之開 啓電阻變小，故根據TFT 1 122，TFT1 124之分壓電的電壓 ’即，TFT1 126之之閘道電壓變低之結果，流動於 TFT 1 126之源極.汲極間的電流14則變大，隨之，圖5所 示之畫素電路1 12係與具有電流鏡電路之畫素電路1 10相同 地，可使流動於有機EL元件1 130之電流h幾乎一致於成 爲目標値之電流I out，而在此構成之中係當與圖4所示之 電流鏡電路作比較時，亦可根據設定TFT1124之閘道電壓 Vref之情況，事後調整對於不足部分之電流14的比例。 然而，關於針對在圖4或圖5之發光控制信號 Vg 1， Vg2，Vg3，…Vgm係作爲反轉掃描信號Yl，Y2，Y3，… ’ Ym之邏輯等級的構成已作過說明，但亦可作爲一次將 成爲發光控制信號 Vgl，Vg2，Vg3，…Vgm之有源等級 (Η等級）之期間朝窄的方向進行控之構成，另外，亦可作 爲根據掃描線驅動電路1 3 0(參照圖1 )以外之個別的電路進 行供給之構成，另外，在圖4所示之畫素電路1 1 0，或者圖 5所示之畫素電路112之中係已說明過，當選擇掃描線102 時，因應數位資料之數位値的電流，即，因應該亮度之電 1 — & -18- 1286722 (16) 流I out則被供給至資料線1 04，但亦可爲施加因應該亮度 之電流於資料1 〇4之構成，而即使爲如此之構成，因 TF T 1 1 02之閘道電壓被維持在容量元件1 1 2 0，故亦可得到 與供給因應該亮度之電流I out之構成同等的效果。 <畫素電路之其他例> 在圖4或圖5所示之構成之中係作爲針對在選擇掃描線 102時，流動因應有機EL元件1 130亮度之電流於資料線 104之構成，但亦可作爲施加因應有機EL元件1 130亮度 之電壓的構成，另外，在圖4或圖5所示之構成之中係作爲 對於驅動有機EL元件1130之TFT1102之汲極電壓變高之 情況，在生成因應該汲極電壓之電流14之同時，加算至根 據TFT1122之電流12之構成，但亦可作爲因應TFTU02之 汲極電壓來提升其源極電壓之構成。 圖6係爲施加因應有機EL元件1130亮度之電壓於資 料線104的構成，其中爲表示因應驅動有機EL元件1 130 之TFT 1 102之汲極電壓來提升其源極電壓之畫素電路114 的構成圖，而針對此圖，電阻1 127，p通道型之TFT 1 128 及電阻1 1 2 9係串聯接續於電源線1 〇 9及接地線間，而驅動 有機EL元件1130之TFT1102之汲極係接續於電阻1127與 TFT 11 28之源極的接續點，即，電.源線1〇9及接地線間的 分壓點，另一方面，TFT1128之閘道係接續於TFT1102之 汲極。 然而，對於資料線1 04係因施加因應有機EL元件 -19- 1286722 (17) 1 130之亮度的電壓，故針對在資料線驅動電路140(參照圖 3)係並不是由電流生成電路30而成爲設置生成因應數位資 料Dpix-l〜Dpix-n之電壓的電流生成電路於每個資料線 104之情況（省略圖示），另外，如圖6所示亦可作爲將容量 元件1 120之一端接地之情況.係如上述所述。 在此畫素電路114之中係因成爲廢除針對在畫素電路 1 10，1 12(參照圖4，圖5)，在非選擇掃描線102時爲了使 有機EL元件1130亮起之TFT1106之構成，故直接接續 TFT 1 102之汲極於有機 EL元件1 130，因此，成爲 TFT 1102之汲極電壓等於有機EL元件1130之施加電壓。 針對此構成，當選擇掃描線102時，因TFT1104作爲 開啓，故對於TFT 11 02之閘道係施加資料線104之電壓， 因此，因應資料線1 04之施加電壓則以電源線1 09—電阻 1 127 —TFT 1 102 —有機EL元件1 130之經路來流動之同時， 儲存因應TFT1102之閘道電壓的電荷於容量元件1120，之 後，即使作爲非選擇掃描線102時，TFT 1 102之閘道係因 根據容量元件1 120來維持於選擇掃描線102時之電壓，故 因應資料線1 04之施加電壓的電流則成爲以相同的路徑持 續流動之情況。 在此，即使根據有機 EL元件1 1 3 0之劣化而造成 TFT1102之汲極電壓變大，因將只有TFT1128之源極·汲 極間的電阻變大，故分壓點之電壓Vdd-b將變高，因此， 即使有機EL元件1 130之劣化持續進行，亦可幾乎維持流 動於有機EL元件1 130之電流爲一定，而即使有環境溫度 -20- 1286722 (18) 的變化，相同地亦可幾乎維持流動於有機EL元件1 1 3 0之 電流爲一定。 然而，針對此構成，爲了抑制根據從電源線1 09流動 貫通電流於接地線之情況的電力損失，希望設定大之電阻 1 1 29電阻値，另外，爲了抑制電壓下降的部分，希望設定 小之電阻1127電阻値，而如TFT1128之源極.汲極間的電 阻値爲大的情況，亦可省略電阻1 1 29，另外，如此關於因 應TFT1102之汲極電壓（對於有機EL元件1130之施加電壓 )來提升TFT1102之源極電壓之構成係並無特別圖示，但 針對畫素電路110當然亦可替代成TFT1112，1114，1116 來適用，而更加地，在圖6所示之畫素電路1 14之中係作爲 當選擇掃描線102時，施加因應亮度之電壓於資料線104已 說明過，但亦可作爲供給因應該亮度之電流於資料線1 04 之構成。 但，有機EL元件1 130之劣化係並不是只有1個突出 進行，而是認爲包括顯示面板1 20全體所均一性地來進行（ 如後述除了作爲彩色顯示之情況），因此，亦可作爲，並 不需要包括所有的畫素電路，各自檢測TFTU02之源極電 壓（對於有機EL元件1130之施加電壓）來提升TFT1102之 源極電壓而各自由1個的比例設置檢測用之畫素電路的同 時，因應針對在此畫素電路所檢測出之TFT1 102之汲極電 壓來提升針對在其他畫素電路之TFT1102之源極電壓的構 成。 圖7係爲表示適用如此畫素電路之光電裝置之構成方 -21 - 1286722 (19) 塊圖，而圖8係爲表示其檢測用之畫素電路與’顯示用之
I 畫素電路的關係圖，而針對在圖7所示之光電裝置1 0 0係設 置有爲了檢測TFT 1 102之源極電壓之畫素電路1 14於第〇行 的另一方面，從第1行至第m行設置有顯示用之畫素電路 1 1 6，而關於理想之作爲檢測用所使用之第0行的畫素電路 1 1 4係不會辨識到根據其有機E L元件1 1 3 0之發光地例如 形成於遮光層（省略圖示）之範圍內的情況’然而’針對圖 7，掃描線驅動電路1 3 0係作爲第1行至第m行爲止依序1 條1條選擇掃描線1 〇 2之構成，而資料線驅動電路1 4 0係作 爲施加因應數位資料Dpix-Ι之電壓於第1行之資料線104 ，再施加因應數位資料Dpix-2之電壓於第2行之資料線 104，而以下相同地施加因應數位資料Dpix-η之電壓於第 η行之資料線1 04之構成，而另一方面’針對在各列係成 爲如圖8所示根據0行j列之畫素電路1 1 4所調整之電壓 Vdd-b則作爲針對在從1行j列至m行j列爲止之畫素電 路1 16的TFT 1 102之源極電壓所各自使用之構成。 在如此之構成之中係針對在〇行j列之檢測用畫素電 路114，根據有機EL元件1130之劣化而其TFT1102之汲極 電壓變高時，亦只有TFT 1 128之源極·汲極間的電阻變大 ，故欲將分壓點之電壓Vdd-b調高，並且，此調整電壓則 施加於從1行j列至m行j列爲止之顯示用畫素電路1 1 6的 TFT 1 102之源極，因此，在從1行j列至m行j列爲止之顯 示用畫素電路1 16之中係無論無存在檢測TFT1 102之汲極 電壓（有機EL元件1 130之施加電壓）之構成，而即使有機 -22- 1286722 (20) EL元件1 1 3 0之劣化持續進行或有環境溫度的變化，亦可 幾乎維持流動於有機EL元件1 1 3 0之電流爲一定。 然而，爲了對於環境溫度的變化作爲更敏感的反應， 亦可將電阻1127，1129之至少一方，置換成隨著溫度而電 阻値產生變化之溫度檢測元件，並亦可對於電阻1 1 2 7， 1 1 2 9，串聯或並連接續如此之溫度檢測元件，另外關於圖 7，圖8所示之構成係檢測用畫素電路1 1 4係並無作爲顯示 用來使用，但亦可作爲顯示用來使用，另外，並無在各列 作爲1個檢測用畫素電路1 1 4，而亦可在各列作爲1個，並 亦可在複數列或複數行作爲1個，亦可在全體作爲作爲1個 ，另一方面，採用將R(紅），G(綠），B(藍）色進行發光之 有機E L元件來進行彩色顯示之情況，因對於各色有機e L 元件之劣化之進行有所差異，故亦可作爲對各色進行檢測 來調整其顏色之TFT 1 102之源極電壓之構成。 <其他> 然而’各TFT之通道型係未必爲以上所述之構成， 而實際上係可適當選擇p或η通道型之情況，然而，根據 通道型之選擇係亦有並非正電源而使用負電源之必要情況 ，而對於使用如此負電源之情況係因從接地線來看之電壓 係成爲負的，故關於電壓係有必要由絕對値來看，另外， 在上述之實施型態之中係作爲被動元件已舉例過有機EL 元件1 130，但亦可爲無機EL元件，另亦可爲 LED或 FED(Field Emission Display) 。 -23- (21) 1286722 <電子機器> 接著，關於適用光電裝置100之電子機器之幾個事例 來進行說明。 圖9係爲表示適用此光電裝置100之筆記型電腦的構成 斜視圖，而針對此圖，筆記型電腦2 1 00係具備具有鍵盤 21 02之主體21 04與，作爲顯示單元之光電裝置1〇〇。 另外，圖10係爲表示適用前述光電裝置100之行動電 話的構成斜視圖，而針對此圖，行動電話2200係除了具備 複數之操作按鍵2202之外，受話口 2204，接話口 2206之同 時還具備前述之光電裝置100。 圖11係爲表示適用前述光電裝置100於取影裝置的數 位像機構成斜視圖，而對於傳統銀鹽像機係由被攝體之光 像使軟片感光之構成，數位像機23 00係由 CCD(Charge Coupled Device)等之攝影元件光電變換被攝體之光像來生 成.記憶攝影信號之構成，在此，對於針對在數位像機 2300之主體2302之背面係設置有上述光電裝置100，而此 光電裝置1〇〇係因依據攝影信號來進行顯示，故成爲作爲 顯示被攝體之取影裝置來發揮機能之情況，另外，對於主 體23 02之前面側（針對在圖21係內面側）係設置有包含光學 透鏡或CCD等之受光單元23 04。 攝影者確認顯示在光電裝置1〇〇之被攝體像，當按下 快門按鍵23 06時，針對其時點之CCD的攝影信號則被傳 送.記憶於電路基板23 08之記憶體，另外，關於此數位像 機23 00係對於機殼2 3 02之側面係設置有爲了進行外部顯示 -24- 1286722 (22) 之影像信號輸出端子23 12與，資料通信用之輸出入端子 2314° 然而’作爲適用光電裝置100之電子機器係除了圖9所 示之筆記型電腦或，圖1 0所示之行動電話或，圖丨i所示之 數位像機之他，亦可舉出數位電視或，取景型，螢幕直視 型錄影機，汽車導航裝置或，電子手帳，電子計算機，文 字處理機’工作站，電視電話，POS終端，具備觸控面板 之機器等，並且，作爲這些各種電子機器之顯示部，當然 亦可適用前述之光電裝置100。 如上述說明，如稂據本發明，爲了流動一定電流於如 有機EL裝置之電流型的被動元件，必要的電壓則根據劣 化或環境溫度即使產生變化，因根據驅動電晶體之電流亦 由校正電路所校正，故流向於被動元件之電流幾乎一致於 目標値之結果，將可成爲防止顯不畫像之品質下降的情況 【圖式簡單說明】 圖1係爲有關本發明之實施型態之光電裝置構成圖。 圖2係爲同光電裝置之掃描線驅動電路的動作說明圖 〇 圖3係爲表示同光電裝置之資料線驅動電路圖。 圖4係爲表示同光電裝置之畫素電路圖。 圖5係爲表示同光電裝置之其他例圖。 圖6係爲表示同光電裝置之其他例圖。 - 25- 1286722 (23) 圖7係爲適用同光電裝置之其他例之光電裝置構成圖 〇 圖8係爲表示同光電裝置之畫素電路圖。 圖9係爲採用同光電裝置之電腦圖。 圖1 〇係爲採用同光電裝置之行動電話圖。 圖1 1係爲採用同光電裝置之數位像機圖。 【主要元件符號說明】 100 光電裝置 102 掃描線 104 資料線 109 電源線（給電線） 110 畫素電路 130 掃描線驅動電路 140 資料線驅動電路 1102 TFT(驅動電晶體） 1104 TFT(切換電晶體） 1106 TFT(點燈開關） 1108 TFT(補償電晶體） 1110 校正電路 1112 TFT(検測元件） 1114 TFT(第1電晶體） 1116 TFT(第2電晶體） 1120 容量元件 y 7' -26- 1286722 (24) 1124 TFT(第3電晶體） 1126 TFT(第4電晶體） 1130 有機EL元件（被動元件）
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Claims (1)

1286722 (1) 拾、申請專利範圍 1 · 一種畫素電路，屬於配置於掃瞄線和資料線之交叉 部的畫素電路，其特徵乃具備 前述掃瞄線被選擇時，蓄積流於前述資料線的電流， 或對應於前述資料線之電壓的電荷的電容元件， 和對應於蓄積於前述電容元件之電荷，設定導通狀態 ’將電流流於該第1之端子及第2之端子間的驅動電晶體， 和該一端電性連接於前述第1之端子，至少經由前述 驅動電晶體所流之電流所驅動之被驅動元件， 和檢出前述被動元件之一端的電壓之檢出元件， 和將流於前述被動元件之電流’對應於經由前述檢出 元件檢出的電壓之絕對値加以修正的修正電路。 2.如申請專利範圍第1項之畫素電路，其中，前述修 正電路乃生成對應於前述檢出元件所成檢出電壓的電流的 同時，將該生成電流，加算於流於前述驅動電晶體的電流 〇 3 .如申請專利範圍第2項之畫素電路，其中，前述檢 出元件乃於前述被驅動元件之一端，連接該閘極’對應於 該閘極電壓設定導通狀態，將電流流於該第3之端子及第4 之端子間的檢出電晶體； 前述修正電路乃生成對應於流於前述檢出電晶體之第 1之端子及第2之端子間的電流。 4.如申請專利範圍第3項之畫素電路，其中，前述修 正電路乃生成對應於流於前述第3之端子及第4之端子間的 -28- 1286722 (2) 電流的鏡電流的電流鏡電路。 5 ·如申請專利範圍第2項之畫素電路，其中，前述修 正電路乃反轉增幅經由前述檢出兀件檢出的電壓，施加於 前述被驅動元件。 6.如申請專利範圍第2項之畫素電路，其中，具備該 一端連接於前述第1之端子，該另端連接於前述被驅動元 β 件之一端，於前述掃瞄線之非選擇時，控制前述驅動電晶 體和前述被驅動元件間之導通狀態的開關； φ 前述檢出元件乃檢出前述開關之一端之電壓， 前述修正電路乃將該生成電流流於前述開關之一端。 7 ·如申請專利範圍第1項之畫素電路，其中，具備選 擇前述掃瞄線時，開啓之開關電晶體， 和選擇前述掃瞄線時，將前述驅動電晶體連接二極體 之補償電晶體； 前述電容元件乃前述開關電晶體爲開啓時，蓄積對應 於流於前述資料線的電流的電荷。 φ 8 ·如申請專利範圍第1項之畫素電路，其中，具備選 擇前述掃瞄線時，開啓之開關電晶體， 前述電容元件乃前述開關電晶體爲開啓時，蓄積對應 於流於前述資料線的電壓的電荷。 4 9 ·如申請專利範圍第1項之畫素電路，其中，前述修 - 正電路乃前述檢出元件所成檢出電壓之絕對値爲大時，將 前述驅動電晶體之第1之端子或第2之端子之另一方和前述 被驅動元件之另端間之電壓，以絕對値視之，向變大方向 -29- 1286722 (3) 操作者。 10·—種畫素電路，其特徵乃具備 該閘極連接於電容元件之一端，對應於蓄積於前述電 容元件之電荷’設定該第1之端子及第2之端子之導通狀態 的驅動電晶體， 和該一纟而電氣性連接於前述第1之端子之被驅動元件 和檢出前述被驅動元件之一端之電壓的檢出元件， 和具有輸入顯示經由前述檢出端子所檢出之電壓的信 號的輸入端，和電性連接於前述第1之端子之輸出端，將 對應輸入至前述輸入端之信號所示之電壓的絕對値的電流 ，供給至前述輸出端的修正電路。 1 1 .如申請專利範圍第1 0項之畫素電路，其中，前述 檢出元件乃該閘極連接於前述被驅動元件之一端，對應於 該閘極電壓，設定該第3之端子及第4之端子之導通狀態的 檢出電晶體。 1 2 .如申請專利範圍第1 1項之畫素電路，其中，前述 修正電路乃具有該第5之端子和閘極被連接的同時，該第6 之端子連接於電源電壓之供電線，另一方面前述第5之端 子連接於前述第3之端子的第1電晶體’ 和該闊極連接於前述弟1電晶體之閘極及連接於目卩述 第5之端子的同時，該第7之端子電性連接於前述第1之端 子，另一方面該第8之端子連接於則述供電線的第2電晶體 1286722 (4) 1 3 .如申請專利範圍第1 1項之畫素電路，其中’前述 修正電路乃具有於該閘極，施加基準電壓的同時’該第9 之端子連接於前述第3之端子，另一方面前述第1〇之端子 連接於電源電壓之供電線的第3電晶體， 和該閘極連接於前述第9之端子的同時，該第1 1之端 子電性連接於前述第1之端子，另一方面該第1 2之端子連 接於前述供電線的第4電晶體。 1 4 .如申請專利範圍第1 0項之畫素電路，其中，具備 該一端連接於前述第1之端子，該另端連接於前述被驅動 元件之一端的開關； 前述檢出元件乃檢出前述開關之一端之電壓。 1 5 .如申請專利範圍第1 0項之畫素電路，其中，具備 短路前述驅動電晶體之閘極及前述第1之端子間的補償電 晶體， 前述電容元件乃前述補償電晶體使前述驅動電晶體之 閘極及前述第1之端子短路時，蓄積對應於前述第1之端子 之電壓的電荷。 1 6 · —種光電裝置，其特徵係具備複數之資料線，和 複數之掃瞄線，和前述複數之資料線和對應於前述複數之 資料線之交叉部配置之如申請專利範圍第1項至第1 5項之 任一項之複數之畫素電路。 17.—種光電裝置，其特徵係具備各配置於複數之掃 瞄線和複數之資料線之交叉部的同時，各具有被驅動元件 之畫素電路， -31 - 1286722 (5) 和選擇前述掃瞄線之掃瞄線驅動電路， 和經由前述掃瞄線驅動電路，選擇掃瞄線時，流於對 應於該掃瞄線之畫素電路之被驅動元件的電流，或將對應 於該電流之電壓，藉由掃瞄線供給之資料線驅動電路； 前述畫素電路乃具備選擇對應之掃瞄線時，蓄積對應 流於所對應之掃瞄線的電流或電壓之電荷的電容元件， 和對應於蓄積於前述電容元件之電荷，設定導通狀態 ，將電流流於該第1之端子及第2之端子間的驅動電晶體， 和該一端電性連接於前述第1之端子，至少經由流於 前述驅動電晶體之電流所驅動的被驅動元件， 和檢出前述被驅動元件之一端之電壓的檢出元件， 和將流於前述被驅動元件之電流，對應經由前述檢出 元件所檢出之電壓之絕對値加以修正的修正電路。 1 8 · —種電子機器，其特徵乃具有如申請專利範圍第 16項或第17項所記載之光電裝置。
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